JPH11186222A - Ecr etching device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＣＲエッチング
装置に関し、更に詳細には、反応生成物のチャンバ壁面
付着を抑制してエッチング効率を高くし、かつチャンバ
内のパーティクル発生を防止するように工夫したＥＣＲ
エッチング装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ECR etching apparatus, and more particularly to a device for suppressing the adhesion of reaction products to the wall of a chamber to increase the etching efficiency and preventing the generation of particles in the chamber. ECR
The present invention relates to an etching apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造過程で多用されている
ＥＣＲエッチング装置は、方向性エッチングを施すこと
のできるエッチング装置であって、マイクロ波によりチ
ャンバ内でプラズマを発生させ、ウエハに照射する装置
である。ここで、図４を参照して、従来のＥＣＲエッチ
ング装置の構成と機能を説明する。図４は、従来のＥＣ
Ｒエッチング装置の構成を示す模式図である。ＥＣＲエ
ッチング装置１０は、図４に示すように、石英で出来た
マイクロ波導波窓１２を天井壁に有するチャンバとして
形成され、ウエハＷを載置したウエハ保持台１４を下部
に収容し、マイクロ波放電によりプラズマを生成してプ
ラズマエッチングを施す処理室１６（ベルジャ）を備え
ている。更に、ＥＣＲエッチング装置１０は、２．４５
ＧＨz のマイクロ波を発生させるマグネトロン１８と、
発生したマイクロ波を処理室１６に導波する導波路２０
と、処理室１６に入るマイクロ波に磁界を作用させるソ
レノイドコイル２２と、ウエハ保持台１２を介してウエ
ハに高周波バイアス電圧を印加する高周波電源２４とを
備えている。処理室１６にはエッチングガスがガス入口
管２６を経て導入されると共に、排気管２８を介して排
気することにより、処理室１６は高真空度に維持されて
いる。2. Description of the Related Art An ECR etching apparatus, which is frequently used in the process of manufacturing a semiconductor device, is an etching apparatus capable of performing directional etching, and generates plasma in a chamber by microwaves and irradiates the wafer with a plasma. It is. Here, the configuration and function of a conventional ECR etching apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows a conventional EC.
It is a schematic diagram which shows the structure of an R etching apparatus. As shown in FIG. 4, the ECR etching apparatus 10 is formed as a chamber having a microwave waveguide window 12 made of quartz on a ceiling wall, and accommodates a wafer holding table 14 on which a wafer W is placed at a lower portion, and A processing chamber 16 (bell jar) for generating plasma by discharge and performing plasma etching is provided. In addition, the ECR etching apparatus 10 has a
A magnetron 18 for generating microwaves of GHz,
Waveguide 20 for guiding generated microwaves to processing chamber 16
A solenoid coil 22 for applying a magnetic field to microwaves entering the processing chamber 16; and a high-frequency power supply 24 for applying a high-frequency bias voltage to the wafer via the wafer holder 12. An etching gas is introduced into the processing chamber 16 through a gas inlet pipe 26 and exhausted through an exhaust pipe 28, so that the processing chamber 16 is maintained at a high vacuum.
【０００３】ＥＣＲエッチング装置１０では、マイクロ
波放電により生成した電子が、ソレノイドコイル２２に
よる磁界の影響により、サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
し、処理室１６に導入されたエッチングガスの分子を効
率的に電離するので、低いガス圧でも放電が持続し、高
いイオン化率を得ることができる。上述のように、処理
室１６内のガス圧を低くできるので、低いイオンエネル
ギーでも高い方向性を得ることができ、高精度の方向性
エッチングが可能であると評価されている。[0003] In the ECR etching apparatus 10, electrons generated by microwave discharge are subjected to cyclotron resonance (ECR) by the influence of a magnetic field generated by a solenoid coil 22.
Since the molecules of the etching gas introduced into the processing chamber 16 are efficiently ionized, the discharge is maintained even at a low gas pressure, and a high ionization rate can be obtained. As described above, since the gas pressure in the processing chamber 16 can be reduced, high directivity can be obtained even with low ion energy, and it is evaluated that highly accurate directional etching can be performed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＥＣ
Ｒエッチング装置では、ウエハにエッチングを施した際
に生成する反応生成物が、図４に示すように、処理室１
６の壁、特に天井壁のマイクロ波導波窓１２に付着す
る。マイクロ波導波窓１２に付着した反応生成物は、マ
イクロ波導波窓を生成する石英の透明度を悪くして石英
壁のマイクロ波透過性を低下させるために、マイクロ波
の導波効率、従ってＥＣＲエッチング装置のエッチング
効率が低下するという問題があった。また、処理室１６
の壁に付着した反応生成物膜が成長して行く過程で、反
応生成物が剥がれ落ちてパーティクルとなって、処理室
１６内で浮遊し、終には、ウエハに付着して異物とな
り、製品歩留りを低下させる原因ともなっていた。例え
ば、エッチングガスとしてＣ4 Ｆ8 を使用してウエハ上
のＳｉＯ2 膜をエッチングする際には、エッチングガス
は、Ｆ、ＣＦ、ＣＦ2 等のガス、或いはＣＦ2 + 、ＣＦ
3 + 等のイオンに分解し、ＳｉＯ2 膜と反応して反応生
成物となり、処理室の壁面に付着して重合膜を形成する
と言われている。The conventional EC
In the R etching apparatus, as shown in FIG.
6 adheres to the microwave waveguide window 12, especially the ceiling wall. The reaction products attached to the microwave waveguide window 12 reduce the microwave transparency of the quartz wall that forms the microwave waveguide window and reduce the microwave permeability of the quartz wall. There is a problem that the etching efficiency of the device is reduced. The processing chamber 16
In the process of growing the reaction product film attached to the wall of the reaction product, the reaction product peels off and becomes particles, floats in the processing chamber 16, and finally adheres to the wafer and becomes a foreign substance, It also caused the yield to decrease. For example, when etching a SiO 2 film on a wafer using C 4 F 8 as an etching gas, the etching gas may be a gas such as F, CF, CF 2 , or CF 2 + , CF 2
3 + decomposed into ions such, it is the reaction product reacts with the SiO 2 film, it is said to form a polymer film adhered to the wall surface of the processing chamber.
【０００５】反応生成物は処理室の壁を加熱することに
より分解する傾向にある、換言すれば加温された壁面に
は付着し難い性質があるので、従来から、処理室の壁を
加熱して、反応生成物の付着を抑制することが試みられ
ているが、しかし、従来のＥＣＲエッチング装置には、
エッチング効率を低下させないような適切な加熱手段を
備えた装置が見当たらないのが、実状である。例えば、
熱線ヒータ等の加熱手段を処理室１６に取り付けること
が試みられているものの、このような発熱体は、マイク
ロ波透過性を備えていないので、マイクロ波の導波経
路、例えばマイクロ波導波窓に、直接、設けることは難
しく、図４に示すようにマイクロ波導波窓１２を避け
て、その下方の円筒部に熱線ヒータ３０を設けざるを得
なかった。しかし、これでは、マイクロ波の導波にとっ
て最も重要なマイクロ波導波窓に反応生成物が付着する
という問題を解決することは難しい。[0005] Reaction products tend to decompose by heating the walls of the processing chamber. In other words, since the heated walls have a property that they do not easily adhere to the walls, the walls of the processing chamber have conventionally been heated. Thus, attempts have been made to suppress the adhesion of reaction products. However, conventional ECR etching apparatuses include:
In fact, there is no device with a suitable heating means that does not lower the etching efficiency. For example,
Attempts have been made to attach a heating means such as a hot wire heater to the processing chamber 16, but since such a heating element does not have microwave transmission properties, it can be provided on a microwave waveguide path, for example, a microwave waveguide window. However, it is difficult to provide the heater directly, and as shown in FIG. 4, the hot-wire heater 30 has to be provided in the cylindrical portion below the microwave waveguide window 12. However, it is difficult to solve the problem that the reaction product adheres to the microwave waveguide window which is most important for the microwave waveguide.
【０００６】そこで、本発明の目的は、処理室の壁を加
熱する新規な構成の加熱手段を備えて、エッチング効率
が高く、パーティクル発生が抑制されたＥＣＲエッチン
グ装置を提供することである。Accordingly, an object of the present invention is to provide an ECR etching apparatus having a novel heating means for heating the walls of a processing chamber, having a high etching efficiency and suppressing generation of particles.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者は、マイクロ波
を遮断しない加熱方法として高温気体吹き付けによる加
熱を着眼し、実験を重ねて本発明を完成するに到った。
上記目的を達成するために、本発明に係るＥＣＲエッチ
ング装置は、マイクロ波透過性材料で形成されたマイク
ロ波導波窓を介してマイクロ波を導入し、サイクロトロ
ン共鳴によるプラズマを生成するチャンバを備えて、チ
ャンバ内に保持したウエハにプラズマエッチングを施す
ＥＣＲエッチング装置において、チャンバを形成する壁
面のうち少なくともマイクロ波導波窓を被加熱面とし
て、気体流を常温以上の温度に加熱してなる熱風を被加
熱面に接触させて加熱する加熱手段を備えていることを
特徴としている。Means for Solving the Problems The present inventor has focused on heating by blowing high-temperature gas as a heating method that does not cut off microwaves, and has completed experiments by repeating experiments.
In order to achieve the above object, an ECR etching apparatus according to the present invention includes a chamber that introduces microwaves through a microwave waveguide window formed of a microwave transmitting material and generates plasma by cyclotron resonance. In an ECR etching apparatus for performing plasma etching on a wafer held in a chamber, at least a microwave waveguide window among walls forming the chamber is used as a surface to be heated, and hot air generated by heating a gas flow to a temperature equal to or higher than room temperature is applied. It is characterized in that it is provided with a heating means for contacting and heating the heating surface.
【０００８】本発明で使用する気体流の種類に制約はな
いが、非反応性のガス、例えば窒素ガス等の不活性ガス
が好ましい。被加熱面は、少なくともマイクロ波導波窓
を含むチャンバの壁面である限りその範囲に制約はな
く、好適にはチャンバ壁面全体にわたり加熱するように
する。Although there is no limitation on the type of gas flow used in the present invention, a non-reactive gas, for example, an inert gas such as nitrogen gas is preferable. The range of the surface to be heated is not limited as long as it is at least the wall surface of the chamber including the microwave waveguide window. Preferably, the surface to be heated is heated over the entire wall surface of the chamber.
【０００９】加熱手段は、被加熱面に常温以上の気体を
吹きつけて加熱できる限りその構成に制約はないが、好
適な実施態様では、加熱手段は、ガス流を供給する供給
源と、ガス流をチャンバの被加熱壁面に導入する供給管
と、供給管内に設けられ、ガス流を４５℃以上の温度に
加熱して熱風にする発熱コイルと、被加熱面に熱風を吹
き付ける吹き付けノズルとを備え、被加熱面を熱風によ
り加熱する。これにより、被加熱面を４５℃以上の温度
に加熱することができる。また、加熱手段は、チャンバ
を囲うケーシングを有し、被加熱面に吹きつけた熱風を
ケーシング内で更に攪拌する攪拌手段を備えるようにし
ても良い。これにより、チャンバの壁面全体を一様に加
熱することができる。The heating means is not limited in its configuration as long as it can be heated by blowing a gas at a normal temperature or higher onto the surface to be heated. In a preferred embodiment, the heating means comprises a supply source for supplying a gas flow, a gas supply source, and a gas supply source. A supply pipe that introduces the flow into the heated wall surface of the chamber, a heating coil that is provided in the supply pipe and heats the gas flow to a temperature of 45 ° C. or higher to generate hot air, and a blowing nozzle that blows hot air to the heated surface. The heated surface is heated by hot air. Thereby, the surface to be heated can be heated to a temperature of 45 ° C. or higher. Further, the heating means may include a casing surrounding the chamber, and may include a stirring means for further stirring the hot air blown to the surface to be heated in the casing. Thereby, the entire wall surface of the chamber can be uniformly heated.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係るＥＣＲエッチング装置の
実施形態の一例であって、図１は本実施形態例のＥＣＲ
エッチング装置の構成を示す模式図である。本実施形態
例のＥＣＲエッチング装置４０は、図４に示した熱線ヒ
ータ３０に代えて、高温気体吹き付けによる加熱手段４
２を備えていて、その他の構成は従来のＥＣＲエッチン
グ装置１０と同じである。加熱手段４２は、ガス、例え
ば窒素ガスを供給する供給源４４と、窒素ガス気流を送
風する送風機４６と、窒素ガス流をチャンバのマイクロ
波導波窓に導入する供給管４８と、供給管４８の途中の
加熱室５０に設けられ、窒素ガス流を１００℃以上に加
熱する発熱コイル５２と、加熱された窒素ガス流をマイ
クロ波導波窓１２に吹き付ける複数個の吹き付けノズル
５４とを備えている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment 1 This embodiment is an example of an embodiment of an ECR etching apparatus according to the present invention, and FIG.
It is a schematic diagram which shows the structure of an etching apparatus. The ECR etching apparatus 40 of the present embodiment is different from the heating means 4 shown in FIG.
2 and the other configuration is the same as that of the conventional ECR etching apparatus 10. The heating means 42 includes a supply source 44 for supplying a gas, for example, nitrogen gas, a blower 46 for blowing a nitrogen gas flow, a supply pipe 48 for introducing the nitrogen gas flow into a microwave waveguide window of the chamber, and a supply pipe 48. The heating chamber 50 is provided in the middle of the heating chamber 50, and includes a heating coil 52 for heating the nitrogen gas flow to 100 ° C. or higher, and a plurality of spray nozzles 54 for blowing the heated nitrogen gas flow to the microwave waveguide window 12.
【００１１】図１では、２個の吹き付けノズル５４が図
示されているが、これに限ることはない。例えば、処理
室１６の周りにヘッダ（図示せず）を設け、そのヘッダ
に多数個の吹き付けノズル５４を備えて、マイクロ波導
波窓１２に限らず、処理室１６全体の壁を加熱すること
もできる。また、マイクロ波導波窓１２に加えて、反応
生成物の付着し易い場所を選んで吹き付けノズル５４を
設けるようにしても良い。供給管４８及び吹き付けノズ
ル５４は、図１に示すように、マイクロ波の導波経路を
遮らないように配置されている。尚、供給源４４がボン
ベ等の圧力を有する供給源である場合には、送風機４６
は不要である。また、加熱室５０に小型ファンを設け
て、窒素ガス気流を攪拌して加熱を容易にすることもで
きる。更に、加熱手段４２に加えて、従来のＥＣＲエッ
チング装置１０と同様にヒータ３０をマイクロ波導波窓
１２の下方に設けることもできる。FIG. 1 shows two spray nozzles 54, but the present invention is not limited to this. For example, a header (not shown) may be provided around the processing chamber 16, and a plurality of spray nozzles 54 may be provided on the header to heat not only the microwave waveguide window 12 but also the entire wall of the processing chamber 16. it can. Further, in addition to the microwave waveguide window 12, a spray nozzle 54 may be provided by selecting a place where the reaction product easily adheres. As shown in FIG. 1, the supply pipe 48 and the spray nozzle 54 are arranged so as not to block the microwave waveguide path. When the supply source 44 is a supply source having a pressure such as a cylinder, the blower 46
Is unnecessary. Further, a small fan can be provided in the heating chamber 50 to agitate the nitrogen gas stream to facilitate heating. Further, in addition to the heating means 42, the heater 30 can be provided below the microwave waveguide window 12, similarly to the conventional ECR etching apparatus 10.
【００１２】以上の構成により、本実施形態例は、窒素
ガス流からなる熱風によりマイクロ波導波窓１２を１０
０℃以上に加熱することができるので、マイクロ波導波
窓１２に反応生成物が付着しても分解して、排気管２８
を介して排気されるため、マイクロ波導波窓１２は常に
その良好なマイクロ波透過性が維持される。従って、従
来のＥＣＲエッチング装置のように、エッチング効率が
低下するようなことがない。With the above-described configuration, in the present embodiment, the microwave waveguide window 12 is set to 10
Since it can be heated to 0 ° C. or more, even if the reaction product adheres to the microwave waveguide window 12, it is decomposed and the exhaust pipe 28
, The microwave waveguide window 12 always maintains its good microwave transparency. Therefore, unlike the conventional ECR etching apparatus, the etching efficiency does not decrease.
【００１３】実施形態例２ 本実施形態例は、実施形態例１のＥＣＲエッチング装置
の改変例であって、図２は本実施形態例のＥＣＲエッチ
ング装置の構成を示す模式図である。本実施形態例のＥ
ＣＲエッチング装置６０は、実施形態例１のＥＣＲエッ
チング装置４０の構成に加えて、処理室１６の上部を覆
うケーシング６２を設け、ケーシング６２内にファン６
４を備えている。本実施形態例では、ファン６４でケー
シング６２内の高温窒素ガスを攪拌することにより、処
理室１６全体の壁を一様に加熱することができるので、
処理室１６の壁への反応生成物の付着を一層効果的に防
止することができる。 Embodiment 2 This embodiment is a modification of the ECR etching apparatus of Embodiment 1, and FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the ECR etching apparatus of this embodiment. E of this embodiment example
The CR etching apparatus 60 includes a casing 62 that covers the upper part of the processing chamber 16 in addition to the configuration of the ECR etching apparatus 40 according to the first embodiment.
4 is provided. In this embodiment, since the fan 64 stirs the high-temperature nitrogen gas in the casing 62, the entire wall of the processing chamber 16 can be heated uniformly.
Adhesion of reaction products to the walls of the processing chamber 16 can be more effectively prevented.
【００１４】実施形態例３ 本実施形態例は、本発明に係るＥＣＲエッチング装置を
チャンバの形状の異なるＥＣＲエッチング装置に適用し
た例であって、図３は本実施形態例のＥＣＲエッチング
装置の構成を示す模式図である。本実施形態例のＥＣＲ
エッチング装置７０の処理室１６は、図３に示すよう
に、天井壁１２が半円球形で、その全壁面が石英で形成
されている。本実施形態例の加熱手段７２は、実施形態
例１の加熱手段４２の構成に加えて、処理室１６の半円
球形の天井壁１２の全壁面にわたり吹き付けノズル５４
を配置するヘッダ配管７４を備えている。これにより、
加熱された窒素ガスを処理室１６の天井壁１２全体に吹
き付けて加熱することができるので、処理室１６の全壁
面に反応生成物が付着し難くなる。 Embodiment 3 This embodiment is an example in which the ECR etching apparatus according to the present invention is applied to an ECR etching apparatus having a chamber having a different shape. FIG. 3 shows the configuration of the ECR etching apparatus of this embodiment. FIG. ECR of this embodiment
As shown in FIG. 3, in the processing chamber 16 of the etching apparatus 70, the ceiling wall 12 has a hemispherical shape, and the entire wall surface is formed of quartz. The heating means 72 according to the present embodiment includes, in addition to the configuration of the heating means 42 according to the first embodiment, a spray nozzle 54 over the entire wall surface of the semicircular ceiling wall 12 of the processing chamber 16.
Are provided. This allows
Since the heated nitrogen gas can be blown onto the entire ceiling wall 12 of the processing chamber 16 to heat it, the reaction product is less likely to adhere to the entire wall surface of the processing chamber 16.
【００１５】[0015]
【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波導波窓を介
してマイクロ波を導入し、サイクロトロン共鳴によるプ
ラズマを生成するチャンバを備えて、チャンバ内に保持
したウエハにプラズマエッチングを施すＥＣＲエッチン
グ装置において、少なくともマイクロ波導波窓を被加熱
面として、被加熱面に常温以上の熱風を吹きつけて加熱
する加熱手段を備え、常温以上の熱風を少なくともマイ
クロ波導波窓、更にはチャンバ壁面全体に吹きつけて加
熱する。これにより、反応生成物がマイクロ波導波窓、
更にはチャンバの全壁面に付着するのを抑制してエッチ
ング効率を向上させ、また、チャンバ内でのパーティク
ルの発生を防止することができる。また、加熱手段は、
マイクロ波を遮断するものを備えていないので、マイク
ロ波の導波に支障を来すようなこともない。According to the present invention, there is provided an ECR etching apparatus for introducing a microwave through a microwave waveguide window to generate plasma by cyclotron resonance and performing plasma etching on a wafer held in the chamber. In the method, at least a microwave waveguide window is used as a surface to be heated, and a heating means for blowing and heating hot air at room temperature or higher on the surface to be heated is provided. Apply and heat. As a result, the reaction product becomes a microwave waveguide window,
Further, it is possible to improve the etching efficiency by suppressing adhesion to all the wall surfaces of the chamber, and to prevent generation of particles in the chamber. Also, the heating means,
Since there is no device for blocking microwaves, there is no hindrance to waveguide of microwaves.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】実施形態例１のＥＣＲエッチング装置の構成を
示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an ECR etching apparatus according to a first embodiment.
【図２】実施形態例２のＥＣＲエッチング装置の構成を
示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of an ECR etching apparatus according to a second embodiment.
【図３】実施形態例２のＥＣＲエッチング装置の構成を
示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of an ECR etching apparatus according to a second embodiment.
【図４】従来のＥＣＲエッチング装置の構成を示す模式
図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional ECR etching apparatus.
１０……従来のＥＣＲエッチング装置、１２……マイク
ロ波導波窓、１４……ウエハ保持台、１６……処理室
（ベルジャ）、１８……マグネトロン、２０……導波
路、２２……ソレノイドコイル、２４……高周波電源、
２６……ガス入口管、２８……排気管、３０……ヒー
タ、４０……実施形態例１のＥＣＲエッチング装置、４
２……加熱手段、４４……窒素ガスの供給源、４６……
送風機、４８……供給管、５０……加熱室、５２……発
熱コイル、５４……吹き付けノズル、６０……実施形態
例２のＥＣＲエッチング装置、６２……ケーシング、６
４……ファン、７０……実施形態例３のＥＣＲエッチン
グ装置、７２……ヘッダ。10: Conventional ECR etching apparatus, 12: Microwave waveguide window, 14: Wafer holder, 16: Processing chamber (bell jar), 18: Magnetron, 20: Waveguide, 22: Solenoid coil, 24 ... high frequency power supply,
26 gas inlet pipe, 28 exhaust pipe, 30 heater, 40 ECR etching apparatus of Embodiment 1
2 ... heating means, 44 ... nitrogen gas supply source, 46 ...
Blower, 48 supply pipe, 50 heating chamber, 52 heating coil, spray nozzle, 60 ECR etching apparatus of Embodiment 2, 62 casing, 6
4 fan 70 ECR etching apparatus of Embodiment 3 72 header
Claims (4)
クロ波導波窓を介してマイクロ波を導入し、サイクロト
ロン共鳴によるプラズマを生成するチャンバを備えて、
チャンバ内に保持したウエハにプラズマエッチングを施
すＥＣＲエッチング装置において、 チャンバを形成する壁面のうち少なくともマイクロ波導
波窓を被加熱面として、気体流を常温以上の温度に加熱
してなる熱風を被加熱面に接触させて加熱する加熱手段
を備えていることを特徴とするＥＣＲエッチング装置。1. A chamber for introducing microwaves through a microwave waveguide window formed of a microwave transparent material to generate plasma by cyclotron resonance,
In an ECR etching apparatus for performing plasma etching on a wafer held in a chamber, at least a microwave waveguide window is used as a surface to be heated among walls forming the chamber, and hot air generated by heating a gas flow to a temperature equal to or higher than normal temperature is heated. An ECR etching apparatus, comprising: a heating means for heating a surface by contacting the surface.
と、ガス流をチャンバの被加熱壁面に導入する供給管
と、供給管内に設けられ、ガス流を４５℃以上の温度に
加熱して熱風にする発熱コイルと、被加熱面に熱風を吹
き付ける吹き付けノズルとを備え、 被加熱面を熱風により加熱することを特徴とする請求項
１に記載のＥＣＲエッチング装置。2. A heating means is provided in a supply source for supplying a gas flow, a supply pipe for introducing the gas flow to a heated wall surface of the chamber, and the supply pipe, and heats the gas flow to a temperature of 45 ° C. or more. 2. The ECR etching apparatus according to claim 1, further comprising: a heating coil configured to generate hot air; and a blowing nozzle configured to blow hot air onto the surface to be heated, wherein the surface to be heated is heated by the hot air. 3.
を有し、被加熱面に吹きつけた熱風をケーシング内で更
に攪拌する攪拌手段を備えていることを特徴とする請求
項１又は２に記載のＥＣＲエッチング装置。3. The heating device according to claim 1, wherein the heating device has a casing surrounding the chamber, and further includes a stirring device for further stirring the hot air blown to the surface to be heated in the casing. ECR etching equipment.
ロ波導波窓が石英で形成されていることを特徴とする請
求項３に記載のＥＣＲエッチング装置。4. The ECR etching apparatus according to claim 3, wherein at least a microwave waveguide window in a wall surface of the chamber is formed of quartz.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35498697A JPH11186222A (en) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | Ecr etching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35498697A JPH11186222A (en) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | Ecr etching device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186222A true JPH11186222A (en) | 1999-07-09 |
Family
ID=18441217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35498697A Pending JPH11186222A (en) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | Ecr etching device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186222A (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1997
- 1997-12-24 JP JP35498697A patent/JPH11186222A/en active Pending
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