JPH11243006A - 磁性体磁器組成物およびそれを用いたインダクタ部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】低温焼結が可能であるともに、これを用いて得
られたインダクタ部品の内部導体のマイグレーションを
抑え、絶縁劣化および直流抵抗の増加を抑え得る、磁性
体磁器組成物を提供する。 【解決手段】磁性体磁器組成物は、フェライトを１０〜
９９．５ｗｔ％と、ホウ素を含まずかつ軟化点が８００
℃以下のケイ酸塩ガラスを９０〜０．５ｗｔ％含有す
る。好ましくは、ケイ酸塩ガラスの組成は、Ｍａ₂Ｏ
（ＭａはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓから選ばれた
少なくとも１種）が１〜１５モル％、ＭｅＯ（Ｍｅは、
Ｂｅ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＭｇから選ばれた少なく
とも１種）が２０〜７０モル％、ＳｉＯ₂が５〜６０モ
ル％、Ｂｉ₂Ｏ₃が０．５〜７０モル％である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁性体磁器組成物
およびそれを用いたインダクタ部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁性体磁器組成物は、主成分として、フ
ェライトを含むものが一般的である。例えば、特開平１
−１１０７０８号公報には、フェライトとホウケイ酸ガ
ラスとを含有する磁性体磁器組成物が記載されている。
また、この公報には、このような磁性体磁器組成物を磁
性体として用いた、チップインダクタおよびＬＣ複合部
品のようなインダクタ部品も開示されている。このよう
なインダクタ部品は、内部導体を内蔵する積層部品を構
成している。

【０００３】上述の公報によれば、フェライトとホウケ
イ酸ガラスとを含有する磁性体磁器組成物を用いると、
機械的強度が高く、焼結温度を低くでき、しかも高周波
特性の良好なフェライト焼結体およびチップインダクタ
を得ることができる、とされている。また、ＬＣ複合部
品を得る場合には、誘電体材料との同時焼成において、
反り、剥離などが生じない、とされている。

【０００４】また、特開平２−２８８３０７号公報に
は、フェライトとホウケイ酸ガラスを含有する積層イン
ダクタ用磁性体材料が記載されている。そして、１００
ＭＨｚ以上の高周波帯域での利用に適した低誘電率の磁
性体材料が得られる、とある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たフェライトとホウケイ酸ガラスとを含有する磁性体磁
器組成物を用いると、組成比によって、耐湿性、耐酸性
および耐アルカリ性が劣化することがあった。

【０００６】この原因の主なものの一つに、ガラスのＢ
₂Ｏ₃の含有が挙げられる。特に低ＳｉＯ₂領域ではこの
劣化が顕著である。ガラスのＢ₂Ｏ₃含有にともなう信頼
性の低下は、積層型インダクタアレイ部品のインダクタ
素子間や、積層型ＬＣ複合部品のコンデンサ部や、イン
ダクタ部と外部電極部などの電圧のかかる部分で、電極
がマイグレーションを引き起こし、絶縁抵抗の低下や直
流抵抗の増大など、インダクタ部品の致命的な欠陥につ
ながることがあった。

【０００７】そこで、本発明の目的は、上述した問題を
解決し得る、磁性体磁器組成物およびそれを用いたイン
ダクタ部品を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の磁性体磁器組成物は、フェライトを１０〜
９９．５ｗｔ％と、ホウ素を含まずかつ軟化点が８００
℃以下のケイ酸塩ガラスを９０〜０．５ｗｔ％含有す
る。

【０００９】また、前記ケイ酸塩ガラスの組成は、Ｍａ
₂Ｏ（ただし、ＭａはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓ
からなる群から選ばれた少なくとも１種）が１〜１５モ
ル％、ＭｅＯ（ただし、Ｍｅは、Ｂｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃ
ａおよびＭｇからなる群か選ばれた少なくとも１種）が
２０〜７０モル％、ＳｉＯ₂が５〜６０モル％、Ｂｉ₂Ｏ
₃が０．５〜７０モル％である。

【００１０】また、前記ケイ酸塩ガラスは、副成分とし
てＴｉＯ₂を５０モル％以下と、ＣｕＯを５０モル％以
下含む。

【００１１】また、前記ケイ酸塩ガラスは、副成分とし
て、Ａｌ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂から選ばれた少なくとも１
種を１０モル％以下含む。

【００１２】また、前記ケイ酸塩ガラスは、副成分とし
て、ＺｎＯ、Ｃｏ₃Ｏ₄およびＮｉＯから選ばれた少なく
とも１種を５モル％以下含む。

【００１３】また、前記ケイ酸塩ガラスは、副成分とし
て、少なくとも１種の希土類酸化物を５モル％以下含
む。

【００１４】また、前記フェライトは、Ｎｉ系フェライ
ト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、およびＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
系フェライトからなる群から選ばれた１種である。

【００１５】さらに、本発明のインダクタ部品は、上記
の磁性体磁器組成物を磁性体として用いたものである。

【００１６】また、前記インダクタ部品は、内部導体を
内蔵する積層部品である。

【００１７】なお、本発明で言うところのインダクタ部
品とは、ＬＣ複合部品、ＬＲ複合部品、ＬＣＲ複合部品
など、インダクタと、コンデンサや抵抗などの他の機能
部品からなる複合部品を含むものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の磁性体磁器組成物は、前
述したように、フェライトを１０〜９９．５ｗｔ％と、
ホウ素を含まずかつ軟化点が８００℃以下のケイ酸塩ガ
ラスを９０〜０．５ｗｔ％含有するものである。このよ
うに、８００℃以下の軟化点をもつガラスを含有するこ
とにより、液相焼結を誘起し、低温で緻密なセラミック
を得ることができる。またガラス添加によって高周波特
性の優れたものが得られる。

【００１９】また、ホウ素を含まないケイ酸塩ガラスを
含有することにより、ガラスを結晶化させやすくし、ガ
ラスの耐化学性を高めることができるため、インダクタ
部素子間やコンデンサ部など電圧のかかる部分でのマイ
グレーションを防止し、インダクタ部品の信頼性を向上
させることができる。また、ガラスの結晶化は、焼成時
のマイグレーションを抑制するため、絶縁抵抗が高く、
直流抵抗の低いインダクタ部品が得られる。

【００２０】なお、ケイ酸塩ガラスの含有量は、９０〜
０．５ｗｔ％となるように選ばれる。これは、０．５ｗ
ｔ％未満の場合は含有量が少なすぎて焼成温度低下の効
果が得られないためであり、９０ｗｔ％を超えると焼結
体が強度不足となり、クラック、ひび、層はがれがが発
生するためである。

【００２１】また、前述したように、ケイ酸塩ガラスの
組成としては、Ｍａ₂Ｏ（ただし、ＭａはＬｉ、Ｎａ、
Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれた少なくとも
１種）が１〜１５モル％、ＭｅＯ（ただし、Ｍｅは、Ｂ
ｅ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＭｇからなる群か選ばれた
少なくとも１種）が２０〜７０モル％、ＳｉＯ₂が５〜
６０モル％、Ｂｉ₂Ｏ₃が０．５〜７０モル％が好まし
い。

【００２２】このケイ酸塩ガラスは、主成分であるフェ
ライトを焼結するにあたって、あらかじめ所定の割合で
主成分に添加され、混合された後、成形体とされ、次い
で、焼成される。この場合、ケイ酸塩ガラスの上述した
各成分は、主成分に対して、個々に添加しても、あるい
は、各成分をあらかじめ配合しておき、これを熱処理し
て溶融させてガラス化したものを、粉砕した後、添加し
てもよい。

【００２３】この実施の形態において、ケイ酸塩ガラス
の各成分を、上記のような好ましい組成範囲に限定した
のは、次の理由による。

【００２４】Ｍａ₂Ｏ（Ｍａは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ
およびＣｓからなる群から選ばれた少なくとも１種）
は、ガラス粘度を低下させる働きがある。Ｍａ₂Ｏが１
モル％未満であると、ガラス粘度が高くなりすぎ、１０
００℃以下の低温焼結が困難となる。他方、１５モル％
を超えると、耐湿性が低下する。

【００２５】ＭｅＯ（Ｍｅは、Ｂｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ
およびＭｇからなる群か選ばれた少なくとも１種）は、
化学耐久性を高める働きがある。ＭｅＯが２０モル％未
満であると、化学耐久性が低下するとともに、１０００
℃以下の低温焼結が困難となる。他方、ＭｅＯが７０モ
ル％を超えると、ガラス化温度を上昇させ、１０００℃
以下の低温焼結が困難となる。

【００２６】ＳｉＯ₂が７０モル％を超えると、ガラス
化温度が高くなりすぎ、１５００℃以下ではガラス化し
ない。また、ＳｉＯ₂が５モル％未満であると、焼結体
の収縮率ばらつきが大きくなり、実用に耐えない。

【００２７】Ｂｉ₂Ｏ₃は、磁性体とガラスとの反応を促
進させ、ガラス粘度を低下させる働きがある。Ｂｉ₂Ｏ₃
が０．５モル％未満であると、１０００℃以下の低温焼
結が困難となり、７０モル％を超えると、内部電極と反
応してしまい、また、耐湿性も著しく低下してしまう。

【００２８】また、前述したように、ガラスは、副成分
として、ＴｉＯ₂を５０モル％以下とＣｕＯを５０モル
％以下含むもの、Ａｌ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂の少なくとも
一方を１０モル％以下含むもの、ＺｎＯ，Ｃｏ₃Ｏ₄およ
びＮｉＯの少なくとも１種を５モル％以下含むもの、少
なくとも１種の希土類酸化物を５モル％以下含むもの、
あるいは、これらの組み合わせであることが好ましい。

【００２９】ここで、ＴｉＯ₂は、化学的耐久性を高め
る働きをする。しかし、ＴｉＯ₂が５０モル％を超える
と、ガラスの溶融温度を高くし、１０００℃以下の焼結
が困難となる。ＣｕＯは、磁性体とガラスとの反応性を
促進させ、さらにガラスの結晶化材として働く。しか
し、ＣｕＯが５０モル％を超えると、内部の電極層と反
応して、また耐湿性も著しく低下してしまう。

【００３０】Ａｌ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂は、ガラスおよび
インダクタ部品本体の化学耐久性を高める働きをする。
しかし、Ａｌ₂Ｏ₃やＺｒＯ₂が１０モル％を超えると、
ガラスの溶融温度を高くし、１０００℃以下の焼結が困
難となる。

【００３１】ＺｎＯ、Ｃｏ₃Ｏ₄およびＮｉＯは、磁性体
とガラスの反応を促進させ、磁性体の磁気特性を向上さ
せる。しかし、ＺｎＯやＣｏ₃Ｏ₄やＮｉＯが５モル％を
超えると、１０００℃以下の焼結が困難となる。

【００３２】希土類酸化物は、磁性体とガラスとの反応
性を促進させる働きがある。しかし、その添加物が５モ
ル％を超えると、化学耐久性が劣化する。

【００３３】また、主成分となるフェライトとしては、
例えば、Ｎｉ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトなどが用いられる。

【００３４】そして、本発明のインダクタ部品は、イン
ダクタチップ、積層インダクタアレイ、ＬＣ複合部品な
どであって、上記磁性体組成物を磁性体層として、その
表面および／または層間に所望の導体層を形成して作製
される。導体層としては、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕなど
１０００℃以下で焼結可能なものを用いることができ
る。磁性体層の形成方法としては、グリーンシート工法
や印刷工法などを用いることができる。

【００３５】

【実施例】（実施例１）まず、表１に示した組成のケイ
酸塩ガラスが得られるように、各成分の酸化物、炭酸塩
または水酸化物を混合し、溶融後、急冷した。得られた
ケイ酸塩ガラスを、アルミナボールを玉石として、ポリ
ポットで乾式粉砕した。表１のガラスのうち、ＦＧ１〜
ＦＧ６は、本発明の範囲内の、ホウ素を含有しないケイ
酸塩ガラスであり、ＦＧ７は本発明の範囲外のホウケイ
酸ガラスである。

【００３６】

【表１】

【００３７】他方、フェライトを得るため、Ｆｅ₂Ｏ₃を
４８．５モル％、ＮｉＯを２１．５モル％、ＣｕＯを１
０．０モル％、およびＺｎＯを２０．０モル％配合し
た。

【００３８】次に、上記フェライト成分に表２に示す割
合のケイ酸塩ガラスを添加、混合しし、さらにバイン
ダ、可塑剤および溶剤を加えて混練してスラリーを得
た。そして、このスラリーを用いて、ドクターブレード
法により、厚み１００μｍのグリーンシートを作製し
た。

【００３９】

【表２】

【００４０】次に図１に示すように、このグリーンシー
ト１に、Ａｇペーストを用いて、インダクタアレイパタ
ーンとなる内部導体２、３、４および５を印刷により形
成した。次いで、この内部導体２〜５を形成したグリー
ンシート１と、内部導体を印刷していないグリーンシー
ト１を、図１に示すように積層して圧着した。その後、
得られた積層体を大気中９３０℃で２時間焼成した。

【００４１】次いで、図２に示すように、得られた焼結
体６の外表面であって、内部導体２〜５（図１参照）が
それぞれ引き出されている各部分上に、Ａｇペーストを
塗布し、大気中８００℃で３０分間焼成し、外部導体
７、８、９、１０、１１、１２、１３および１４をそれ
ぞれ形成した。外部導体７〜１４の各々は、外部端子電
極を構成するもので、対応の内部導体２〜５と電気的に
接続されるものである。

【００４２】このようにして得られた内部導体２〜５を
内蔵する積層構造を有するインダクタ部品としての積層
型のインダクタアレイ１５の各試料について、焼結性、
塩水煮沸試験、耐湿負荷試験、および高温負荷試験を行
なった。これらの結果を表２に示す。なお、表２におい
て、＊印を付したものは本発明の範囲外のものであり、
その他は本発明の範囲内のものである。

【００４３】ここで、焼結性は、試料を純水で１時間煮
沸し、煮沸前後の重量変化が０．１％以内のものを焼結
良好（〇）とし、０．１％を超えるものを焼結不良
（×）とした。

【００４４】また、塩水煮沸試験は、１００個の試料を
１ＮのＮａＣｌ水溶液で１時間煮沸し、直流抵抗不良
（外部導体７と８、外部導体９と１０、外部導体１１と
１２、または外部導体１３と１４間の抵抗値の煮沸前後
での変化率が±２０％以上）、または絶縁抵抗不良（煮
沸後の外部導体７および８と外部導体９および１０との
間、または外部導体１１および１２と外部導体１３およ
び１４との間の絶縁抵抗値が１×１０⁷Ω以下）が発生
した不良数を求めた。

【００４５】また、耐湿負荷試験は、１００個の試料に
ついて、４５℃、相対湿度９５％の条件下で、外部導体
７および８と外部導体９および１０との間、並びに外部
導体１１および１２と外部導体１３および１４との間
に、５０Ｖの直流電圧を１０００時間連続印加した後の
直流抵抗不良（外部導体７と８、外部導体９と１０、外
部導体１１と１２、または外部導体１３と１４間の抵抗
値の、電圧印加前後での変化率が±２０％以上）、また
は絶縁抵抗不良（外部導体７および８と外部導体９およ
び１０との間、または外部導体１１および１２と外部導
体１３および１４との間の、電圧印加後の絶縁抵抗値が
１×１０⁷Ω以下）が発生した不良数を求めた。

【００４６】また、高温負荷試験は、１００個の試料に
ついて、１２５℃の条件下で、外部導体７および８と外
部導体９および１０との間、並びに外部導体１１および
１２と外部導体１３および１４との間に５０Ｖの直流電
圧を１０００時間連続印加した後の直流抵抗不良（外部
導体７と８、外部導体９と１０、外部導体１１と１２、
または外部導体１３と１４間の抵抗値の、電圧印加前後
での変化率が±２０％以上）、または絶縁抵抗不良（外
部導体７および８と外部導体９および１０との間、また
は外部導体１１および１２と外部導体１３および１４と
の間の、電圧印加後の絶縁抵抗値が１×１０⁷Ω以下）
が発生した不良数を求めた。

【００４７】表２より明らかな通り、本願発明の、フェ
ライトを１０〜９９．５ｗｔ％と、ホウ素を含まずかつ
軟化点が８００℃以下であって特定組成のケイ酸塩ガラ
スを９０〜０．５ｗｔ％含有する、試料番号２〜１５に
示すものは、焼結性に優れていると共に、耐化学性（塩
水煮沸試験結果）や、耐候性（耐湿負荷試験結果、高温
負荷試験結果）に優れている。

【００４８】なお、試料番号２〜１４は、請求項２に示
す、より好ましいケイ酸塩ガラス組成を用いた場合の例
である。試料番号８〜１５は、請求項３に示す、ケイ酸
塩ガラスの副成分として特定量のＴｉＯ₂とＣｕＯを含
む場合の例である。試料番号２、９〜１５は、請求項４
に示す、ケイ酸塩ガラスの副成分として特定量のＡｌ₂
Ｏ₃および／またはＺｒＯ₂を含む場合の例である。試料
番号９は、請求項５に示す、ケイ酸塩ガラスの副成分と
して特定量のＺｎＯ、Ｃｏ₃Ｏ₄、またはＮｉＯを含む場
合の例である。試料番号２は、請求項６に示す、ケイ酸
塩ガラスの副成分として特定量の希土類酸化物としての
Ｎｄ₂Ｏ₃を含む場合の例である。

【００４９】これに対して、本発明の範囲外の、Ｂ₂Ｏ₃
を含むガラスを添加した場合は、試料番号１６〜１８に
示すように、耐化学性や耐候性が悪く、直流抵抗不良
や、絶縁抵抗不良が発生する。

【００５０】また、ガラス含有量が０．５ｗｔ％未満の
場合には、試料番号１９、２１に示すように、焼結性が
悪く、かつ耐化学性や耐候性が低く、直流抵抗不良や、
絶縁抵抗不良が発生する。他方、ガラス含有量が９０ｗ
ｔ％を超えると、試料番号２０、２２に示すように、焼
結性、耐化学性、耐候性に異常ないが、組成がガラス単
体に近づき骨材としてのフェライトが少なくなるため、
焼結体が強度不足となり、クラック、ひび、層はがれが
が発生しやすくなるため不適当である。

【００５１】以上より、フェライトにガラスを添加する
ことで、低温焼結が可能となる。しかし、Ｂ₂Ｏ₃を含有
するガラスでは、耐化学性や耐候性が低く、部品の信頼
性が悪くなる。これに対して、Ｂ₂Ｏ₃を除外した特定量
のケイ酸塩ガラスを用いることにより、耐化学性や耐候
性に優れたものとなり、積層型のインダクタアレイの信
頼性を向上させることができる。

【００５２】（実施例２）まず、フェライトを得るた
め、Ｆｅ₂Ｏ₃を６５．５モル％、ＮｉＯを３４．５モル
％配合した。次いで、このフェライト成分に実施例１で
用いたガラス種ＦＧ１〜ＦＧ７を表３に示す割合で添
加、混合した。その後、実施例１と同様にして、厚み１
００μｍのグリーンシートを作製した。

【００５３】

【表３】

【００５４】次に図３に示すように、このグリーンシー
ト２１に、Ａｇペーストを用いて、インダクタとなる内
部導体２２、２３、２４および２５、コンデンサとなる
内部導体２６、２７および２８を印刷により形成した。
また、グリーンシート２１にパンチャーでバイアホール
２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５および３６
用の穴を空け、Ａｇペーストを充填した。次いで、この
内部導体２２〜２８とバイアホール２９〜３６を形成し
たグリーンシート２１と、内部導体やバイアホールを形
成していないグリーンシート２１を図３に示すように積
層して圧着した。その後、得られた積層体を大気中９３
０℃で２時間焼成した。

【００５５】次いで、図４に示すように、得られた焼結
体３８の外表面であって内部導体がそれぞれ引き出され
ている各部分上に、Ａｇペーストを塗布し、大気中８０
０℃で３０分間焼成し、外部導体３９、４０、４１およ
び４２をそれぞれ形成した。

【００５６】このようにして得られた、図５に等価回路
を示す、インダクタ部品としての積層型のＬＣ複合部品
３７の各試料について、実施例１と同様に、焼結性、塩
水煮沸試験、耐湿負荷試験、および高温負荷試験を行な
った。これらの結果を表３に示す。なお、表３におい
て、＊印を付したものは本発明の範囲外のものであり、
その他は本発明の範囲内のものである。

【００５７】ここで、焼結性は試料を純水で１時間煮沸
し、煮沸前後の重量変化が０．１％以内のものを焼結良
好（〇）とし、０．１％を超えるものを焼結不良（×）
とした。

【００５８】また、塩水煮沸試験は、１００個の試料を
１ＮのＮａＣｌ水溶液で１時間煮沸し、直流抵抗不良
（外部導体３９と４０間の抵抗値の、煮沸前後での変化
率が±２０％以上）、または絶縁抵抗不良（外部導体３
９および４０と外部導体４１および４２との間の、煮沸
後の絶縁抵抗値が１×１０⁷Ω以下）が発生した不良数
を求めた。

【００５９】また、耐湿負荷試験は、１００個の試料に
ついて、４５℃、相対湿度９５％の条件下で、外部導体
３９および４０と外部導体４１および４２との間に、５
０Ｖの直流電圧を１０００時間連続印加した後の直流抵
抗不良（外部導体３９と外部導体４０間の抵抗値の、電
圧印加前後での変化率が±２０％以上）、または絶縁抵
抗不良（外部導体３９および４０と外部導体４１および
４２との間の、電圧印加後の絶縁抵抗値が１×１０⁷Ω
以下）が発生した不良数を求めた。

【００６０】また、高温負荷試験は、１００個の試料に
ついて、１２５℃の条件下で、外部導体３９および４０
と外部導体４１および４２との間に５０Ｖの直流電圧を
１０００時間連続印加した後の直流抵抗不良（外部導体
３９と外部導体４０間の抵抗値の、電圧印加前後での変
化率が±２０％以上）、または絶縁抵抗不良（外部導体
３９および４０と外部導体４１および４２との間の、電
圧印加後の絶縁抵抗値が１×１０⁷Ω以下）が発生した
不良数を求めた。

【００６１】表３より明らかな通り、本願発明の、フェ
ライトを１０〜９９．５ｗｔ％と、ホウ素を含まずかつ
軟化点が８００℃以下であって特定組成のケイ酸塩ガラ
スを９０〜０．５ｗｔ％含有する、試料番号３２〜４１
に示すものは、焼結性に優れていると共に、耐化学性
（塩水煮沸試験結果）や、耐候性（耐湿負荷試験結果、
高温負荷試験結果）に優れている。

【００６２】これに対して、ガラスを添加しない場合
は、試料番号３１に示すように、焼結性が悪い。また、
本発明の範囲外のＢ₂Ｏ₃を含むガラスを添加した場合
は、試料番号４２〜４４に示すように、耐化学性や耐候
性が悪く、直流抵抗不良や、絶縁抵抗不良が発生する。

【００６３】以上より、積層型のＬＣ複合部品において
も、実施例１と同様な効果が得られることがわかる。

【００６４】（実施例３）まず、フェライトを得るた
め、Ｆｅ₂Ｏ₃を４８．５モル％、ＣｕＯを５．０モル
％、ＺｎＯを２０．０モル％、ＮｉＯを２６．５モル％
を配合した。次いで、このフェライト成分に実施例１で
用いたガラス種ＦＧ１〜ＦＧ７を表４に示す割合で添
加、混合した。その後、実施例１と同様にして、厚み１
００μｍのグリーンシートを作製した。

【００６５】

【表４】

【００６６】次に図６に示すように、このグリーンシー
ト５１に、Ａｇペーストを用いて、インダクタとなる内
部導体５２、５３を印刷により形成した。また、グリー
ンシート５１にパンチャーでバイアホール５４用の穴を
空け、Ａｇペーストを充填した。次いで、この内部導体
５２、５３とバイアホール５４を形成したグリーンシー
ト５１と、内部導体やバイアホールを形成していないグ
リーンシート５１を図６に示すように積層して圧着し
た。その後、得られた積層体を大気中９３０℃で２時間
焼成した。

【００６７】次いで、図７に示すように、得られた焼結
体５６の外表面であって内部導体がそれぞれ引き出され
ている各部分上に、Ａｇペーストを塗布し、大気中８０
０℃で３０分間焼成し、外部導体５７、５８をそれぞれ
形成した。

【００６８】このようにして得られた、インダクタ部品
としての積層型のインダクタ５５の各試料について、実
施例１と同様に、焼結性、塩水煮沸試験、耐湿負荷試
験、および高温負荷試験を行なった。これらの結果を表
４に示す。なお、表４において、＊印を付したものは本
発明の範囲外のものであり、その他は本発明の範囲内の
ものである。

【００６９】ここで、焼結性は試料を純水で１時間煮沸
し、煮沸前後の重量変化が０．１％以内のものを焼結良
好（〇）とし、０．１％を超えるものを焼結不良（×）
とした。

【００７０】また、塩水煮沸試験は、１００個の試料を
１ＮのＮａＣｌ水溶液で１時間煮沸し、直流抵抗不良
（外部導体５７と５８間の抵抗値の、煮沸前後での変化
率が±２０％以上）が発生した不良数を求めた。

【００７１】また、耐湿負荷試験は、４５℃、相対湿度
９５％の条件下で、外部導体５７と５８との間に２００
ｍＡの電流を１０００時間連続印加した後の直流抵抗不
良（外部導体５７と外部導体５８間の抵抗値の、電圧印
加前後での変化率が±２０％以上）が発生した不良数を
求めた。

【００７２】また、高温負荷試験は、１２５℃の条件下
で、外部導体５７と５８との間に２００ｍＡの電流を１
０００時間連続印加した後の直流抵抗不良（外部導体５
７と外部導体５８間の抵抗値の、電圧印加前後での変化
率が±２０％以上）が発生した不良数を求めた。

【００７３】表４より明らかな通り、本願発明の、フェ
ライトを１０〜９９．５ｗｔ％と、ホウ素を含まずかつ
軟化点が８００℃以下であって特定組成のケイ酸塩ガラ
スを９０〜０．５ｗｔ％含有する、試料番号５２〜６１
に示すものは、焼結性に優れていると共に、耐化学性
（塩水煮沸試験結果）や、耐候性（耐湿負荷試験結果、
高温負荷試験結果）に優れている。

【００７４】これに対して、ガラスを添加しない場合
は、試料番号５１に示すように、焼結性が悪い。また、
本発明の範囲外のＢ₂Ｏ₃を含むガラスを添加した場合
は、試料番号６２〜６４に示すように、耐化学性や耐候
性が悪く、直流抵抗不良や、絶縁抵抗不良が発生する。

【００７５】以上より、積層型のインダクタにおいて
も、実施例１と同様な効果が得られることがわかる。

【００７６】なお、上記各実施例においては、フェライ
トが、特定組成のＮｉフェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトの場合について説明したが、本発明はこれのみ
に限定されるものではない。上記実施例で示した以外の
Ｎｉ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトや、
その他Ｎｉ−Ｚｎフェライトについても同様の効果を得
ることができる。

【００７７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明
の、フェライトを１０〜９９．５ｗｔ％と、ホウ素を含
まずかつ軟化点が８００℃以下であって特定組成のケイ
酸塩ガラスを９０〜０．５ｗｔ％含有する磁性体磁器組
成物によれば、焼成プロセスにおいて、内部導体にマイ
グレーションが生じることを抑制でき、したがって、得
られたインダクタ部品において、絶縁劣化が生じたり、
あるいは、直流抵抗が高くなったりする、という問題を
改善することができる。また、焼結温度を低くでき、し
かも高周波特性の良好なインダクタ部品を得ることがで
きる、という従来技術の効果については、そのまま維持
できる。

【００７８】したがって、本発明のインダクタ部品は、
上述したような特徴ある磁性体磁器組成物を磁性体とし
て用いるので、絶縁劣化、あるいは直流抵抗の増加が抑
制されたものが得られる。

【００７９】また、本発明の、内部導体を内蔵する積層
部品であるインダクタ部品の場合は、内部導体のマイグ
レーションが抑制され、したがって、内部導体と外部導
体とのコンタクト不良の生じていないインダクタ部品が
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のインダクタ部品の一種である、積層型
のインダクタアレイの一例を示す分解斜視図である。

【図２】図１に示すインダクタアレイの斜視図である。

【図３】本発明のインダクタ部品の一種である、積層型
のＬＣ複合部品の一例を示す分解斜視図である。

【図４】図３に示すＬＣ複合部品の斜視図である。

【図５】図３に示すＬＣ複合部品の等価回路図である。

【図６】本発明のインダクタ部品の一種である、積層型
のインダクタの一例を示す分解斜視図である。

【図７】図６に示すインダクタの斜視図である。

【符号の説明】

１、２１、５１ グリーンシート ２〜５、２２〜２８、５２、５３ 内部導体 ２９〜３６、５４ バイアホール ６、３８、５６ 焼結体 ７〜１４、３９〜４２、５７、５８ 外部導体

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フェライトを１０〜９９．５ｗｔ％と、
   ホウ素を含まずかつ軟化点が８００℃以下のケイ酸塩ガ
   ラスを９０〜０．５ｗｔ％含有する、磁性体磁器組成
   物。
2. 【請求項２】 前記ケイ酸塩ガラスの組成は、Ｍａ₂Ｏ
   （ただし、ＭａはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓから
   なる群から選ばれた少なくとも１種）が１〜１５モル
   ％、ＭｅＯ（ただし、Ｍｅは、Ｂｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ
   およびＭｇからなる群から選ばれた少なくとも１種）が
   ２０〜７０モル％、ＳｉＯ₂が５〜６０モル％、Ｂｉ₂Ｏ
   ₃が０．５〜７０モル％である、請求項１記載の磁性体
   磁器組成物。
3. 【請求項３】 前記ケイ酸塩ガラスは、副成分としてＴ
   ｉＯ₂を５０モル％以下と、ＣｕＯを５０モル％以下含
   む、請求項１または２記載の磁性体磁器組成物。
4. 【請求項４】 前記ケイ酸塩ガラスは、副成分として、
   Ａｌ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂から選ばれた少なくとも１種を
   １０モル％以下含む、請求項１または２記載の磁性体磁
   器組成物。
5. 【請求項５】 前記ケイ酸塩ガラスは、副成分として、
   ＺｎＯ、Ｃｏ₃Ｏ₄およびＮｉＯから選ばれた少なくとも
   １種を５モル％以下含む、請求項１または２記載の磁性
   体磁器組成物。
6. 【請求項６】 前記ケイ酸塩ガラスは、副成分として、
   少なくとも１種の希土類酸化物を５モル％以下含む、請
   求項１または２記載の磁性体磁器組成物。
7. 【請求項７】 前記フェライトは、Ｎｉ系フェライト、
   Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、およびＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フ
   ェライトからなる群から選ばれた１種である、請求項１
   から６までのいずれかに記載の磁性体磁器組成物。
8. 【請求項８】 請求項１から７までのずれかに記載の磁
   性体磁器組成物を磁性体として用いた、インダクタ部
   品。
9. 【請求項９】 前記インダクタ部品は、内部導体を内蔵
   する積層部品である、請求項８に記載のインダクタ部
   品。