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JPH11163391A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

Info

Publication number
JPH11163391A
JPH11163391A JP34449197A JP34449197A JPH11163391A JP H11163391 A JPH11163391 A JP H11163391A JP 34449197 A JP34449197 A JP 34449197A JP 34449197 A JP34449197 A JP 34449197A JP H11163391 A JPH11163391 A JP H11163391A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting element
receiving element
insulating material
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP34449197A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Yanagi
稔夫 簗木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
New Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by New Japan Radio Co Ltd filed Critical New Japan Radio Co Ltd
Priority to JP34449197A priority Critical patent/JPH11163391A/ja
Publication of JPH11163391A publication Critical patent/JPH11163391A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子及び受光素子を対向させて組み立
て、モールドすることを容易にし、多量に安価に生産で
きる光半導体装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも一部が光学的に透明な絶縁材
1と、その両面にそれぞれ被着され引き出し電極となる
導電材2a、2bと、絶縁材1の一方の面に被着された
導電材2aに電気的に接続された発光素子3と、絶縁材
1の他方の面に被着された導電材2bに電気的に接続さ
れた受光素子4と、発光素子3及び受光素子4を保護す
るパッケージ6とを具備し、発光素子3及び受光素子4
が絶縁材1の光学的に透明な部分を介して対向配置され
るように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光信号を電気信号
に変化させる、ホトカプラ等の非接触接点を有する光半
導体装置に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来のこの種の光半導体装置をホトカプラ
を例にとり図5に示す。本図において、2g及び2hは
リードフレームを示し、それぞれのダイアイランドに発
光素子3及び受光素子4がダイボンディングされ、それ
ぞれのインナーリードと発光素子3及び受光素子4の電
極3a、4aが金線等のワイヤー5c、5dによって電
気的に接続されている。
【0003】発光素子3としては、LEDが、受光素子
4としては、ホトダイオードやホトトランジスタ等が一
般に使用されている。パッケージ6は外乱光や腐食性雰
囲気から発光素子3や受光素子4を保護するために設け
られた樹脂やセラミック製のものであり、量産性を考慮
してトランスファモールドによって形成した樹脂パッケ
ージが一般に使用されている。
【0004】例示したホトカプラは発光素子3及び受光
素子4の発光面及び受光面を対向配置することによって
光軸を合わせ、これらをパッケージ6内に封入して組み
立ててている。このような構成なので、例えば受光素子
4をホトダイオードとした場合、ワイヤー5cに電流を
流し発光素子3を発光させることにより、ワイヤー5d
を通じてバイアスを加えている受光素子4側に発光素子
3の発光量に応じた電気信号を発生させ、ワイヤー5b
を通じてリードフレーム2hの外部リードからその信号
を取り出すことができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では発光素子及び受光素子の発光面及び受光
面を正確に対向させて組み立て、モールドすることは困
難であり、多くの工数を必要とし、多量に安価に生産す
るには問題があった。
【0006】例えば、2枚のリードフレームをそれぞれ
に搭載した発光素子と受光素子が対向するよう配置し、
モールディングの間、その状態を維持させる必要がある
が、その際ワイヤーと素子またはワイヤー同士の接触を
避けねばならず所定の間隙が必要となる。さらに、光軸
を合わせるために発光素子と受光素子の位置も所定精度
で合わせねばならない。即ち、そのためのハンドリング
やローディングが複雑になり、自動化の弊害となってい
た。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明の光半導体装置は、少なくとも一部が光学的
に透明な絶縁材と、該絶縁材の両面にそれぞれ被着され
引き出し電極となる導電材と、前記絶縁材の一方の面に
被着された前記導電材に電気的に接続された発光素子
と、前記絶縁材の他方の面に被着された前記導電材に電
気的に接続された受光素子と、前記発光素子及び前記受
光素子を保護するパッケージとを具備し、前記発光素子
及び前記受光素子が前記絶縁材の光学的に透明な部分を
介して対向配置されていることを特徴とする。
【0008】なお、前記絶縁材の光学的に透明な部分は
透孔としてもよい。
【0009】また、前記導電材はパターニングされた薄
膜とすることができる。
【0010】また、前記導電材はリードフレームとして
もよい。
【0011】なお、これら光半導体装置において、前記
発光素子及び前記受光素子をそれぞれ前記導電材にフェ
イスダウンボンディングした構成としてもよい。この
際、前記発光素子及び前記受光素子はフリップチップと
して好適である。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に沿って説明する。但し、複数の図面において、同一
または相当するものには同一の符号を付し、説明の重複
を避けた。
【0013】図1は本発明の光半導体装置の実施の形態
を示す図であり、本図において1は透明樹脂やガラス板
等の透明基板、2a、2bは透明基板1上に銅箔を被
着、パターニングして得た薄膜、3a、4aはそれぞれ
発光素子3及び受光素子4の主面(受発光面)に形成し
たバンプ電極、3b、4bはそれぞれ発光素子3及び受
光素子4の裏面電極、5a、5bはそれぞれ裏面電極3
b、4bと薄膜2a、2bを結線する金線等のワイヤー
を示す。
【0014】本実施の形態を構成するには、例えば発光
素子3及び受光素子4の主面の電極にはんだバンプを形
成し、透明基板1上の銅箔パターン2a、2bのコンタ
クト部分にはんだ印刷を施しておき、発光素子3または
受光素子4を搭載後、リフロー炉やレーザーによりバン
プを溶融し、フェイスダウンボンディングを行う。
【0015】その結果、図示のとおり光学的に透明な透
明基板1を介して発光素子3と受光素子4が対向配置さ
れ、発光素子3と受光素子4の位置は、薄膜2a、2b
のパターン精度のみでほぼ決まり、位置合わせに対する
困難性はなくなる。なお、ワイヤー5a、5bは接地の
ためにボンディングされている。
【0016】図2は本発明の光半導体装置の他の実施の
形態を示す図であり、図1のものと異なるところは、光
学的に透明な絶縁材として、一部に透孔11aを設けた
ポリウレタン*1基材の接着剤板11を使用し、そこに被
着する導電材をリードフレーム2c、2dとしていると
ころである。但し、このリードフレーム2c、2dに
は、ダイアイランドは必要なく、その部分が透孔11a
となっている。
【0017】本実施の形態を構成するには、発光素子3
と受光素子4をフェイスダウンボンディングにてそれぞ
れリードフレーム2c、2dに別工程で搭載し、接着剤
板11を介して貼り合わせ、一体化する。この際、透孔
11aが光路となるように発光素子3及び受光素子4を
対向配置する。
【0018】本実施の形態においても、モールド工程前
に半製品を一体化でき、1枚のリードフレームと同様な
形態で扱うことができるので、後の位置合わせに伴う煩
雑さがなくなる。また、発光素子3と受光素子4の位置
合わせは、リードフレーム2c、2dに同一のものを使
用すれば容易に行うことができる。
【0019】図3は本発明の光半導体装置のさらに他の
実施の形態を示す図であり、図2に示したものの変形例
を示す。本実施の形態の特徴は、導電材の一方に従来の
リードフレーム2gを使用し、そこに発光素子3を従来
工程で搭載しているところである。
【0020】図4は本発明の光半導体装置のさらに他の
実施の形態を示す図であり、発光素子3及び受光素子4
を共にフリップチップで構成した場合を示す。このよう
にプレーナー構造で接地電極も主面に形成可能であれ
ば、全ての電極がはんだバンプでリードフレーム2e、
2fに接続可能なので、図示のような簡易な構造も可能
となる。なお、この場合の裏面電極3b、4bは、光の
漏洩による効率低下を防ぐための反射鏡として形成して
おり、リードフレーム2e、2fは図2のリードフレー
ム2c、2dと同様にダイアイランド部が抜けている。
【0021】以上、実施の形態について述べたが、本発
明はこれに限らず、種々の変更が可能である。例えば、
絶縁材として上記実施の形態で述べたほか、ポリイミド
等のフレキシブルな絶縁フィルムとしてもよく、これを
接着剤にて数枚接合したものとしてもよい。また、絶縁
材はペースト状になったフェノール樹脂等の接着剤を硬
化させたものでもよい。
【0022】
【発明の効果】以上、説明したように、簡単な構成で発
光素子と受光素子が共に搭載され、一体化した半製品が
形成できることから組立が飛躍的に簡単になり、容易に
自動化できるので、光半導体装置を安価かつ大量に生産
できる利点を持つ。
【0023】また、絶縁材の光学的に透明な部分を透孔
にすることで不透明素材でも利用することができ、素材
の使用範囲が広がる。
【0024】また、導電材をパターニングされた薄膜と
することで、組立上の位置合わせ精度確保の困難性が解
消される。
【0025】また、導電材をリードフレームとすること
で、従来の量産技術の範囲で容易に実現可能となる。
【0026】さらに、発光素子及び受光素子をそれぞれ
導電材にフェイスダウンボンディングする構成とするこ
とで、発光素子及び受光素子の距離をワイヤーの高さに
関係なく近づけることができ、特に樹脂モールドパッケ
ージの場合に発光素子と受光素子の間に介在する樹脂に
よる減衰特性の影響を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光半導体装置の実施の形態を示す
図である。
【図2】本発明に係る光半導体装置の他の実施の形態を
示す図である。
【図3】本発明に係る光半導体装置のさらに他の実施の
形態を示す図である。
【図4】本発明に係る光半導体装置のさらに他の実施の
形態を示す図である。
【図5】従来の光半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
1:透明基板 2a、2b:薄膜 2c〜2h:リードフレーム 3:発光素子 4:受光素子 5a〜5d:ワイヤー 6:パッケージ 11:接着剤板 11a:透孔

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一部が光学的に透明な絶縁材
    と、該絶縁材の両面にそれぞれ被着され引き出し電極と
    なる導電材と、前記絶縁材の一方の面に被着された前記
    導電材に電気的に接続された発光素子と、前記絶縁材の
    他方の面に被着された前記導電材に電気的に接続された
    受光素子と、前記発光素子及び前記受光素子を保護する
    パッケージとを具備し、前記発光素子の発光面及び前記
    受光素子の受光面が前記絶縁材の光学的に透明な部分を
    介して対向配置されていることを特徴とする光半導体装
    置。
  2. 【請求項2】 前記絶縁材の光学的に透明な部分は透孔
    であることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装
    置。
  3. 【請求項3】 前記導電材はパターニングされた薄膜で
    あることを特徴とする請求項1または2に記載の光半導
    体装置。
  4. 【請求項4】 前記導電材はリードフレームであること
    を特徴とする請求項1または2に記載の光半導体装置。
  5. 【請求項5】 前記発光素子及び前記受光素子はそれぞ
    れ前記導電材にフェイスダウンボンディングされている
    ことを特徴とする請求項1乃至4に記載の光半導体装
    置。
JP34449197A 1997-11-29 1997-11-29 光半導体装置 Pending JPH11163391A (ja)

Priority Applications (1)

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JP34449197A JPH11163391A (ja) 1997-11-29 1997-11-29 光半導体装置

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JPH11163391A true JPH11163391A (ja) 1999-06-18

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JP (1) JPH11163391A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217234A (ja) * 2001-01-15 2002-08-02 Nippon Avionics Co Ltd フリップチップ光デバイス実装体
WO2022264982A1 (ja) * 2021-06-14 2022-12-22 ローム株式会社 絶縁モジュール

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JP2002217234A (ja) * 2001-01-15 2002-08-02 Nippon Avionics Co Ltd フリップチップ光デバイス実装体
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Effective date: 20061225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070116

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070612