JPH10507229A - 連結された金属構造の層を電気的に非伝導性の表面に形成するための方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 電気的に非伝導性の表面に金属構造を製造するために、さまざまな方法が知られている。しかし、これらの方法は、多くの欠点を有している。例えば、全面にわたる金属層から構造をエッチングによって作るために、たいていエッチングプロセスが使用される。別の方法は、金属構造を主として無電流金属析出によって発生させる構造化技術に由来する。しかし、これらの方法は、非常に経費がかかり、且つ、縁の鋭い金属構造がほとんど得られない。本発明により、縁の鋭い金属構造を電気的に非伝導性の表面に、エッチングプロセスを使用せずに、− 金属の無電流析出に適した触媒の施与、− その後の、マスク技術を用いた、表面における互いに連結した構造の形成、− その後の、構造化の後にそれによって露出させられる触媒作用のある層で覆われた表面領域における、第一の薄い金属層の無電流析出、− その後の、互いに連結された構造を形成している第一の金属層上における、第二の金属層の電気分解による析出、という本質的な方法ステップを有する方法によって作り出すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】 連結された金属構造の層を電気的に非伝導性の表面に 形成するための方法 本発明は、金属構造の層を電気的に非伝導性の表面に形成するための方法に関 する。 この種の方法は、かなり以前から知られている。例えば、いくつかの方法でま ず第一に全面に発生させられた金属層が不導体表面で構造を与えられる。これら の方法は、電子工学的な構成要素を担体要素上で互いに伝導性をもって結合でき るように金属構造が発生させられる必要があるときに用いられる。これは、特に 、電子機器のための導体プレート（プリント回路基板）の製造のために用いられ る。このために、通常、全面にわたる金属層が担体材の外面及び穿孔によって生 じた孔壁に折出させられる。全面にわたる金属層は、引き続いてフォトレジスト によっておおわれる。当該レジストは、適当なマスクを通して感光させられ、そ の後現像される。いわゆるポジティブ法では、感光したレジスト層がはぎ取られ 、ネガティブ法では未感光のレジスト層がはぎ取られる。その後、露出した金属 表面に、別の金属が電気分解によって折出させられる。引き続いて、あとに残っ たレジス トが金属表面から完全に取り除かれる。それから、構造の間の薄い基礎金属層が エッチングプロセスで取り除か しかしながら、上述の方法には、以下のような欠点がある。すなわち、はじめ に全面にわたって施与された金属層の層厚に依存して、金属構造の縁領域がエッ チングの際に多少とも強く侵食されるために、場合によっては金属構造のアンダ ーカットによって、及び異なる金属の間に化学電池(galvanische Elemente)を形 成することによって、また金属層の側面でのそれにより生じる不均一な侵食によ って、縁の鋭い金属構造の発生が不可能である。第二に、エッチングの際に環境 を損なう溶液が生じ、それはコストをかけて再生しなければならない。それに加 えて、コスト高な装置及びプロセスの入念な監視が必要である。 ヨーロッパ特許出願公開第０３２８９４４号公報には、のちに無電流の金属被 覆浴から金属を選択的に析出させるために非伝導性の基体（サブストレート）を コンディショニングする方法が開示されている。その際、当該非伝導性基体は、 その表面をまず第一に粗面にされ、引き続いてパラジウム／錫・粒子のコロイド 分散体によって処理され、パラジウム／錫・粒子が水酸化アルカリ溶液との接触 によって活性化され、次に永久感光性の被覆がラミネート化され、それに引き続 いてこの被覆が導体画 線パターン(Leiterbildmuster)によって感光させられて現像される。この方法の 欠点は、作り出される金属構造が、もっぱら、無電流の金属析出によって形成さ れるということである。それによって、無電流の金属被覆浴中での非常に長い処 理時間が必要である。さらに、そのことと結びついて、浴剤の経費のかかる監視 及び発生する廃水の再生のためのきわめて広範囲の且つ高コストの原因となる措 置が必要である。さらに、金属が無電流析出の際に、金属構造のために予定され た領域だけでなくレジスト表面にも析出するのを回避することがきわめてむずか しいということがわかっている。無秩序成長(Wildwuchs)として知られているこ の現象は、各金属構造、例えば導体路の間の短絡を導く可能性がある。 ドイツ特許出願公開第３５１０９８２号公報により、不導体上に電気的に伝導 性のある構造を製造するための方法が公知である。この方法の場合には、例えば まず第一に銅層がグロー放電によって不導体表面上に施与される。引き続いて不 導体表面にフォトレジストがかぶせられる。その後、フォトレジストが条導体画 線(Leiterbahnbild)により感光させられて現像される。最後の方法ステップでは 、銅が、化学的に環元作用の銅浴から析出させられる。この場合にも、不導体は 、条導体の所望の層厚を達成するために、化学的に環元作用の銅浴内で長い間処 理され ねばならない。さらに、銅から成る第一の金属被覆がレジストフィルムの除去の 後に再び取り除かれる、すなわち腐食させて取り除かれることが述べられる。 ＰＣＴ出願国際公開明細書ＷＯ−Ａ８８／０３６６８には、予め選定されたパ ターン(Muster)において基体を金属被覆するための方法が開示されている。その ために、まず第一にレジストが前記パターンによって基体表面に施与され、レジ ストによっておおわれない基体表面領域が金属被覆されるべきパターンに対応す ることとなる。引き続いて、基体がコンディンショニング剤によって処理され、 後続の金属被覆のための触媒作用に有効なもの(Spezies)の吸着を高める。その 後、基体が別の助剤によって処理され、触媒作用のあるものに対するレジスト表 面の受容能力が抑制される。その後、表面が不活性化剤によって処理され、引き 続いて触媒的に活性化され、無電流で金属被覆される。金属被覆の後、レジスト が基体から再び除去され、別の金属が、作られた導体路構造の上に析出させられ る。後続する触媒作用による処理のための表面の活性化及び不活性化のためのさ まざまの処理ステップが、レジスト表面での無秩序成長を回避するため及び所望 位置における無電流析出を妨げないために用いられる。 この方法は、きわめて費用がかかる。十分な層厚を達 成するためには、いかなる場合にも無電流析出による金属構造の完全な構成が必 要である。その結果、それに加えてすでに前述した不都合が生じる。 ヨーロッパ特許第００９８４７２号明細書には、めっきされた金属における空 孔(Fehlstellen)の削減のための方法が開示されている。その方法では、非貴金 属表面に貴金属の層がかぶせられ、その上にさらに光導電性層が施与され、次い で当該光導電性層が所望のパターンによって感光させられ且つ現像される。露出 している領域には、引き続いて、金属が無電流で析出させられる。この方法は、 金属表面及び電気的に非伝導性でない表面に金属構造を与えるために用いられる 。電気的に互いに絶縁された金属構造を得るために、その上に金属構造が発生さ せられている全面にわたる基礎金属層が、これが存在することが都合の悪い箇所 でエッチングプロセスによって除去されねばならない。さらに、前記金属構造は もっぱら無電流析出によって、例えば２５μｍと５０μｍの間の層厚で発生させ られ得る。その際、前述の不都合が生じる。 米国特許第４８１０３３３号明細書には、不導体の表面に金属を析出させる方 法が記載されている。この方法では、例えば、不導体表面に形成される、パラジ ウム／錫層から形成された伝導性のサルファイドコンバージョ ン層上に、フォトレジスト層が形成され、このフォトレジスト層が所望の導体画 線パターンによって感光させられて現像される。引き続いて、フォトレジスト層 における伝導性のサルファイドコンバージョン層が露出している領域に、金属が 直接に電気分解によって析出させられる。しかし、金属構造の形成のためには、 伝導性のサルファイドコンバージョン層が、各金属構造が互いに絶縁されて切り 離されるべき表面領域において少なくとも部分的に再び除去されねばならない。 さもなければ金属構造の間の短絡架橋が形成されるからである。この理由から、 当該方法は、決まった使用にだけ、特に、外側面に層状構造としての銅層が施与 されている導体プレートの製造にだけ適している。この場合には、導体路構造は 、いずれにしても、外側面の銅層のエッチングによって形成される。その結果、 銅層上に形成されたサルファイドコンバージョン層が同時に除去される。 ブラジル特許出願公開第９１０５５８５号公報には、公衆電話機のためのカウ ントカード(Zahlkarten)の製造のための方法が記載されている。この方法では、 非透過性、非多孔性の基体に、全面にわたる比較的高抵抗の伝導性のある第一の 層、好ましくは最大厚０．３μｍのニッケル層が化学的な方法で析出させられ、 次いで第一の層より明らかに抵抗が小さく且つ融点が低い、２〜８μｍの 厚さの電気分解によって全面に析出する金属層あるいは合金層、有利には錫／鉛 層が析出させられる。電気分解による析出の際には、０．５〜２A/dm²のわずか な電流密度が使用されるべきである。 従って、本発明は、従来技術の欠点を除去し且つ縁の鋭い金属構造を電気的に 非伝導性の表面にエッチングプロセスの使用なしに発生させることを可能にする ような方法を得ることを課題とする。別の課題は、不可逆的な情報蓄積のための 手段、特に電子的な決済(Abbuchung)のための自動化カード(Automatcnkarten)の 製造のための方法を得ることである。 前記課題は、請求項１によって解決される。本発明の有利な実施形態は、従属 項に記載されている。 前記課題は、特に、以下の方法ステップ、 − 金属の無電流析出に適した触媒の施与、 − その後の、マスク技術を用いた、表面における、幅狭の細条部によって 互いに連結された構造の形成、 − その後の、前のステップで露出させられた、触媒作用によっておおわれ た表面領域における第一の薄い金属層の無電流析出、 − その後の、連結された構造から成る第一の金属層上における、第二の金 属層の電気分解による 析出、 を有する方法によって解決される。 この方法によって、特に第一の薄い金属層だけが無電流で析出させられること によって、且つ、マスク技術を用いて互いに連結された構造が発生させられて引 き続いて金属構造が主として電気分解による過程で発生させられることによって 、縁の鋭い金属構造を表面に作り出すことが可能である。その際、厚い金属層の 無電流析出の場合のような無秩序成長の問題は生じない。 この方法の重要な利点は、金属構造の形成のためのエッチングプロセスが必要 ないことである。それによって、付加的なプロセスステップ、エッンチングプロ セスの経費のかかる監視の必要性、エッチングプロセスで消耗し劣化した溶液を 再生する必要性、及び金属構造の側面におけるアンダーカット及びエッチング媒 体の不均一な侵食の問題がなくなる。また、それによって、金属構造は縁が鋭く 形成され得る。 別の利点は、アルカリ溶液が、構造を与えるために必要とされるレジスト被覆 と比較的長い時間にわたって接触している必要がないということである。すなわ ち十分な伝導性をもつ構造を形成可能であるためには、通例、これをアルカリ性 ホルムアルデヒド含有銅浴から析出させることが普通であるだろう。層厚全体が このようにし て形成されたならば、レジスト層が侵食されるだろう。アルカリによって現像可 能かつ除去可能なレジスト層は、そもそも使用することができないだろう。その 代わりに、有機溶媒によって現像可能且つ除去可能なレジスト層が使用されねば ならないだろう。しかしながら、有機溶媒は廃水技術及び廃気技術の理由からで きるだけ避けるべきである。 最後に、要求される金属物理的な特性を有する金属層を電解質の金属被覆浴か ら析出させることは、無電流の金属被覆浴から析出させるよりは、はるかに容易 でもある。たいていの場合、電解質の浴剤から析出する金属層は可延性で且つ十 分に汚れにくい。電解質の浴剤からの析出速度は、無電流で析出する浴剤からの ものより明らかに高い。それに加えて、無電流の浴剤の場合には析出可能な金属 の種類に関して著しい制限がある。錫及び鉛のような金属は非常に薄い層でのみ 析出可能であり、クロムは総じて無電流では析出できない。この析出の場合の合 金組成の厳密な維持は、実際的にほとんど不可能である。 本発明に係る方法の有利な実施形態では、マスク技術を用いて施与されたマス ク、例えばフォトレジストが、第二の金属層の析出の後に再び除去される。 特に適当な金属として、第一の金属層としてはニッケ ル合金層が無電流析出させられ、第二の金属層としては錫／鉛合金層が電気分解 によって析出させられる。これらは可能な限り低い融解点をもつ。その際、作動 信頼性(Funktionssicherheit)の理由から、第二の層については、３５０℃より 低い融解点をもつ金属、例えば鉛が使用される。ニッケル・リン合金の場合には 、ニッケルについての１４００℃を越える融解点が、当該合金についての９００ ℃より低い融解点に低下する。 第一の金属層は、一つの実施形態では、無電流の金層被覆浴に含まれる金属イ オンが被覆されるべき表面に吸着している還元剤と反応することによって形成可 能である。有利な変形では、還元剤としてパラジウム／錫触媒での表面の触媒反 応の際に当該表面に吸着している錫(II)イオンが、水酸化錫(II)の形で利用され 、且つこの還元剤を用いて銅が銅イオンの還元によって析出させられる。 当該金属構造は、特に、アクリロニトリル・ブタジエン・スチロール共重合体 （ＡＢＳ）、ポリ塩化ビニル、あるいはエポキシ樹脂から成る表面に発生させら れる。しかし、原理的には、別の材料もこの方法によって層をかぶせられ得る。 例えば、ガラス、セラミックス、及びポリマー、シアン酸エステル、ポリイミド 、ポリアミド、ポリプロピレン、ポリカーボネイト、ポリスチロール、 ポリアクリル酸及びポリメタクリル酸及びそれらのエステル、フッ化高分子等の ような、すべての無機物基体あるいは有機物基体である。 当該方法は、とりわけ、不可逆的な情報蓄積のための手段、有利には電子的な 決済のための自動化カードの製造のために用いられる。というのは、この使用に ついてコスト安の方法選択だからである。 このために、金属構造が図１に示されたパターンに従ってＡＢＳプレート上に 発生させられる。自動化カード、例えばテレフォンカード上に蓄積される情報の 記憶及び読み取りのために、カード上の当該金属構造が誘導的に反応させられる 。記憶／読み取り過程では、一つのコイルを有する一セットの１次コイルが金属 構造のそれぞれの領域１を介して配置されている。情報の記憶のために、交流電 圧によって磁界が各１次コイルに誘導され、それによって他方また交流電圧が各 領域１に誘導される。各領域１が架橋２によって短絡させられると、１次コイル における電流が磁界の発生のために上昇する。架橋２がないと、１次コイルにお ける電流は低い。 記憶された情報の変更のためには、それぞれの架橋２が破壊されねばならず、 その結果、領域１が互いに分離される。それに加えて、単に交流電圧が１次コイ ルにおいて一時的に高められる。 通常、不導体表面は、金属構造と当該表面との間の十分な密着性を保証するた めに、適当な手段（剤）で前処理されなければならない。このことは、主として 当該表面のクリーニングと機械的あるいは化学的な粗面化とによって行うことが できる。その際、当該表面は、通例、親水化される。すなわち、水で湿り可能に される。さらに、当該表面における化学的な官能基が適切な化学反応によって変 化させられてもよい。クリーニング溶液としては、一般に湿潤剤を含有する水溶 液が使用される。クリーニング作用は、特に、処理溶液の力学的な運動によって 補助される。超音波の補助（追加）的な使用が特に効果的である。表面の化学的 な粗面化のためには、不導体のそのときどきの材料に適合したさまざまな方法を 使用できる。ＡＢＳ高分子及びエポキシ樹脂に対しては、特に、例えば硫酸クロ ムのようなクロム酸含有溶液がとりわけ適当であることが実証されている。アル カリ性過 と関連したもの、濃硫酸、及び、ポリアミドの場合には有機溶媒のアルカリ溶液 を使用してもよい。 不導体表面の前処理の後に、当該不導体表面が金属の無電流析出のための触媒 作用のある層で被覆される。イオン触媒系もコロイド触媒系も知られている。た いていパラジウムが、触媒作用に活性のある金属として利用さ れる。銅は限定的にしか適していない。というのは、銅はわずかな触媒活性しか もたないからである。イオン触媒としては、例えば、錯化物配位子と錯体形成さ れたパラジウムイオンを有する溶液が用いられる。コロイド系は、酸化度ゼロの パラジウムと、保護コロイドとしての例えばポリビニルアルコールのような有機 化合物あるいは水酸化錫(II)とを含む。最後に挙げた触媒は、塩化パラジウムと 塩化錫(II)とを塩酸溶液中で一緒にすること及び引き続いて暖めることによって 作られる。 その後に、互いに連結された構造が、例えばプレート状の基体の１つあるいは 複数の触媒作用のある表面にマスク技術によって発生させられる。これは、スク リーン印刷めっき(Siebdrucklacken)によってかあるいはフォトレジストによっ て行われる。ポジティブ法及びネガティブ法で作用するフォトレジストが使用可 能である。当該フォトレジストは、例えば浸すあるいはラミネート化することに よる施与の後に、画線モデルを通して感光させられ、レジストに潜像が形成され る。引き続いて、この潜像が適当な溶液中で現像される。のちの金属構造に対応 する領域は、現像プロセスで不導体表面からはがされる。それによって、触媒作 用のある層を有する表面が、露出させられる。 引き続いて、薄い、例えば最大３μｍ、有利には０． ０１〜１．０μｍの厚さの第一の金属層が、触媒活性な層が露出させられた領域 にもっぱら析出させられる。その他の領域には、金属は析出しない。無電流で析 出可能な金属としては、ニッケル、銅、金、パラジウム、及びコバルトが考慮に 値する。この場合には、アルカリ性溶液中で現像可能かつ除去可能であるフォト レジスト材料が使用され得るので、アルカリ性でない浴剤が有利である。 このために、たいてい、以下のような浴剤が使用される。すなわち、当該浴剤 に含まれる還元剤を用いた還元によって金属が析出させられるような浴剤である 。例えば、銅はホルムアルデヒドを含有するアルカリ性浴剤から析出させられ得 る。しかし、次亜燐酸塩を含有する酸性あるいは中性浴剤からも析出させられ得 る。水素化ホウ素化合物、例えば水素化ホウ素ナトリウム及びジメチルアミノボ ランを含有する銅浴も知られている。ニッケル及びコバルト並びにそれらの合金 は、有利には次亜燐酸塩を含有する溶液から析出させられる。この場合には、リ ン合金が生じる。ヒドラジンが還元剤として使用されると、純粋な金属を沈殿さ せることができる。水素化ホウ素化合物によって、金属のホウ素合金が作られる 。貴金属は、有利には水素化ホウ素を含有する浴剤から析出させられる。パラジ ウムの析出のためには、蟻酸及び蟻 酸塩を含有する溶液も知られている。融解点の低い合金、例えばニッケル・リン 合金が薄い層で使用されることが有利である。 金属の無電流析出のための別の可能性は、還元剤が、被覆されるべき表面に吸 着しており、無電流の浴剤の金属イオンと反応することである。このために、例 えば、パラジウム／錫触媒に含まれる錫(II)イオンを用いることができる。この 錫(II)イオンは表面に水酸化錫(II)として存在する。 第一の薄い伝導性の金属層の発生の後に、これは別の電気分解による金属被覆 によって補強され得る。３〜５０μｍの望ましい層厚が電気分解での金属析出に よって達成される。無電流の金属被覆の際にレジスト表面に金属が沈殿していな いことによって、電解質浴剤中でもこの位置には金属が析出できない。金属構造 は、迅速に且つ良好な金属物理的な特性を有して形成される。析出可能な金属は 、銅、ニッケル、錫、鉛、金、銀、パラジウム、及びその他の金属並びにこれら の金属の合金である。 その後、フォトレジスト層は除去され得る。このために、レジストのタイプに 応じてアルカリ性水溶液あるいは有機溶媒の溶液が使用される。 各プロセスステップの間に、例えば洗浄過程、クリーニングステップ、コンデ ィショニングステップ、及びエ ッチングステップ、並びに基体の加熱のような別の方法ステップが使用されるこ とは自明のことである。 以下の例は本発明の説明に役立つ。 例１： 厚さ３５０μｍ、４５cm×６０cm(１８inch×２４inch)の面を有するプレート 状のＡＢＳ基体が、３６０g/lの硫酸と３６０g/lの酸化クロム(VI)とから成る溶 液中で１０分間酸洗いされた。余分の酸を洗い落とした後に、なお付着している 残余のクロム(VI)イオンが、２重量パーセントの硫化水素ナトリウム溶液中に１ 分間浸されることによって還元された。クリーニングされた、親水性の、且つ微 視的粗面の基体が３０重量パーセントの塩酸溶液中に１分間浸され、洗われ、そ の後、２５０mg/lの塩化パラジウム、３４０g/lの塩化錫(II)、及び２５０g/lの 塩化ナトリウム（保護コロイドとしての水酸化錫(II)を有するパラジウム・コロ イド）から形成された溶液中に３分間浸された。それによって、触媒作用に有効 なパラジウム・クラスターが表面に生じた。その後、余分の処理溶液は、洗い流 すことによって表面から除去された。引き続いて、形成されたコロイド状の水酸 化錫が、有機酸（クエン酸、蓚酸）から成る溶液中に２分間浸されることによっ て基体表面からはがされた。再び基体が洗浄されて乾燥させられた。 この前処理に続いて画線転写が行われる。すなわち、基体が両面を１０５℃で 商慣習上のフォトレジスト（例えば、ドイツ、ディーツェンバッハのMorton Int ernational GmbH社のLaminar HG 1.5MIL）でラミネート化することによって被覆 され、一方の面が適当なマスク（図１）を通して感光させられた(３６５nmで４ ５mJoule/cm²)。フォトレジストの保護フォイルの除去の後に、これが１重量パ ーセントの炭酸ナトリウム溶液によって通常の方法で現像された。この時点で露 出している触媒作用のある基体表面が、還元剤としての次亜燐酸塩を有する無電 流で析出するニッケル浴中に４５℃で３分以内浸されることによって、ニッケル ／リン合金層で覆われた（ｐＨ値約７）。その後、余分のニッケル電解質が洗い 落とされた。引き続いて、錫／鉛合金の層がメタンスルホン酸を含有する錫／鉛 電解液から８分以内で３A/dm²の電流密度での電気分解で析出させられた。析出 した層厚は８μｍに達した。 図１に示されたパターンに従ってＡＢＳプレートの一方の面に作り出された金 属構造は、不可逆的な情報蓄積に用いられる。情報は、誘導性の加熱による幅狭 の錫／鉛架橋２の破壊によって蓄積することができる。破壊された架橋の数とな お破壊されていない架橋の数とが同様に誘導測定によって算定され得る。 例２： 厚さ０．３mmのＡＢＳフォイルが、まず第一にアルカリ性洗浄剤中で６０℃で ２分以内で塵埃及び指紋を取り除かれた。ＡＢＳフォイル表面の洗浄剤残余を洗 い落とした後に、当該フォイルがエチレングリコール誘導体（ドイツ、ベルリン のAtotech Deutschland GmbH社のQueller Covertron）の水溶液中で室温で９分 間膨潤させられた。引き続いて、表面が、１４０g/lの過マンガン酸ナトリウム と５０g/lの水酸化ナトリウムとからなる水溶液中で６０℃で６分間処理され、 その際、親水性にされ且つ粗面にされた。その後、表面に生じた酸化マンガン（ 軟マンガン鉱）が、還元によって除去された。還元剤としては、過酸化水素及び 硫酸の水溶液が用いられた。 例１と同じく、ＡＢＳフォイルは、引き続いて、触媒反応を起こされて、乾燥 させられた（換気乾燥：５０℃１０分）。その後、当該フォイルの両方の面にフ ォトレジストがラミネート化された（米国、デラウェア州ウィルミントンのDuPo nt de Nemours,Inc.社の商標Riston 4615；ラミネート温度１１５℃、ラミネー ト速度１m/min）。当該レジストは、適当な画線モデルを通して感光させられ（ ３６５nmで６０mJoule/cm²）、引き続いて、例１の場合と同様に現像された。 それから、前の例と同様に、露出している触媒作用のあるＡＢＳ表面が、還元 剤としての次亜燐酸塩を有する 無電流で析出するニッケル浴剤（ドイツのAtotech Deutschland GmbH社のNichem 6100AF）を用いて４５℃、ｐＨ７で５分間でニッケル／リン合金層で覆われた 。引き続いて、例１と同様に厚さ８μｍの錫／鉛合金層が析出させられた（処理 時間５分、温度２２℃、電流密度４A/dm²）。 例３： 厚さ０．２５mmのＰＶＣフォイルがブラッシングマ 面から、洗い流しによって汚れが取り除かれた。その後、表面が、第４ポリアミ ン(quaternisiertes Polyamin)の水溶液（濃度 ６g/l）中に４５℃で５分間浸さ れることによってコンディショニングされた。２５０g/lの塩化ナトリウ に短時間浸された後、表面が、コロイド状のパラジウム（濃度２５０mg/l）、塩 化錫(II)（濃度３４０ｇ/l）及び塩化ナトリウム（濃度２５０ｇ/l）から成る触 媒において４５℃で４分間、触媒反応を起こされた。この処理に続いて、表面が 、１５g/lの酒石酸、４g/lの硫酸銅、及び１mol/lの水酸化アルカリを含有する 水溶液中で２分間処理された。その際、表面に吸着した錫化合物が再び除去され た。さらに、銅が無電流で析出させられた。その後、表面が新たに洗浄され、４ ５℃で１０分間乾燥させられた。 引き続いて、液体状のポジティブレジスト（ディーツェンバッハのMorton Int ernational GmbH社の商標OzatecPL177）が浸すことによって表面に施与された( ラミネート速度４０cm/min)。その後、当該レジストが、８０℃で１０分間乾燥 させられた。適当な画線モデルを通して、レジスト層が波長３６５nm、出力９０ mJoule/cm²の光で感光させられ、通常どおりに現像された。それから、表面が、 すでに例１及び例２において述べたようにして錫／鉛層を与えられた。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】１９９６年１２月１８日 【補正内容】 請求の範囲： １．アクリロニトリル・ブタジエン・スチロール共重合体、ポリカーボネート、 ポリスチロール、ポリアクリル酸またはポリメタクリル酸あるいはそのエステル からなる非伝導性の表面を備えるサブストレート上に施与された第一の金属層と 、その上に施与された第二の、３５０℃より低い温度で融解する共融混合物を形 成する合金層とからなる縁の鋭い且つ密着した金属構造を有する不可逆的な情報 蓄積のための手段にして、当該金属構造が、主として、互いに並行して配置され た領域とこれらを短絡させる架橋とを有し、以下の本質的な方法ステップ、すな わち、 − 金属の無電流析出に適した、水溶液からなる触媒の施与、 − その後の、アルカリ現像可能且つ除去可能なフォトレジストを用いた、 表面における互いに連結した構造のコピーとしてのパターンの形成、 − その後の、中性あるいは酸性領域のｐＨ値をもつ析出浴剤を用いた、構 造化の後にそれによって露出した触媒作用のある層でおおわれた表面領域におけ る、第一の薄い金属層の無電流析出、 − その後の、第一の金属層上における、第二の金 属層の電気分解による析出、 という方法ステップを有する、金属エッチングプロセスを使用することのな い方法によって入手可能な不可逆的な情報蓄積のための手段。 ２．前記フォトレジストが、第二の金属層の析出の後に再び除去されることを特 徴とする、請求項１に記載の不可逆的な情報蓄積のための手段。 ３．第一の金属層としてニッケルを含有する層が析出させられることを特徴とす る、上記請求項のいずれか一項に記載の不可逆的な情報蓄積のための手段。 ４．第二の金属層として錫／鉛合金層が析出させられることを特徴とする、上記 請求項のいずれか一項に記載の不可逆的な情報蓄積のための手段。 ５．第一の金属層の析出のために必要とされる還元剤が表面に吸着していること を特徴とする、上記請求項のいずれか一項に記載の不可逆的な情報蓄積のための 手段。 ６．上記請求項のいずれか一項に記載の、不可逆的な情報蓄積のための手段、有 利には電子的な決済のための自動化カードの製造のための方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)， ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ， ＴＭ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．以下の本質的な方法ステップ、すなわち、 − 金属の無電流析出に適した触媒の施与、 − その後の、マスク技術を用いた、表面における互いに連結した構造の 形成、 − その後の、構造化の後にそれによって露出した触媒作用のある層でお おわれた表面領域における、第一の薄い金属層の無電流析出、 − その後の、互いに連結した構造を形成している第一の金属層上におけ る、第二の金属層の電気分解による析出、 という方法ステップを有する、エッチングプロセスを使用することなしに縁 の鋭い金属構造の層を電気的に非伝導性の表面に形成する方法。 ２．マスク技術を用いて施与されたマスクが、第二の金属層の析出の後に再び除 去されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。 ３．第一の金属層としてニッケルからなる層が析出させられることを特徴とする 、上記請求項のいずれか一項に記載の方法。 ４．第二の金属層として、３５０℃より低い温度で融解する、共融混合物を形成 する合金、有利には錫／鉛 合金からなる層が析出させられることを特徴とする、上記請求項のいずれか一項 に記載の方法。 ５．第一の金属層の析出のために必要とされる還元剤が表面に吸着していること を特徴とする、上記請求項のいずれか一項に記載の方法。 ６．還元剤として錫(II)イオンが用いられ、無電流で析出させられる金属として 銅が用いられることを特徴とする、請求項５に記載の方法。 ７．アクリロニトリル・ブタジエン・スチロール共重合体、ポリ塩化ビニル、あ るいはエポキシ樹脂からなる表面が層をかぶせられることを特徴とする、上記請 求項のいずれか一項に記載の方法。 ８．不可逆的な情報蓄積のための手段、有利には電子的な決済のための自動化カ ードの製造のための、上記請求項のいずれか一項に記載の方法。