JPH1045819A - エチレン重合用触媒及びエチレンの重合法 - Google Patents
エチレン重合用触媒及びエチレンの重合法Info
- Publication number
- JPH1045819A JPH1045819A JP20367796A JP20367796A JPH1045819A JP H1045819 A JPH1045819 A JP H1045819A JP 20367796 A JP20367796 A JP 20367796A JP 20367796 A JP20367796 A JP 20367796A JP H1045819 A JPH1045819 A JP H1045819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- titanium
- zirconium
- group
- dimethyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 触媒成分である遷移金属およびアルミニウム
あたりの重合活性が十分高く、予備重合ポリマー、およ
び本重合により得られるポリエチレンの分子量が高く、
さらに粉体性状の優れた重合体を得ることができる触媒
の提供。 【解決手段】 下記［Ａ］成分〜［Ｄ］成分を接触して
得られた生成物からなるエチレン重合用触媒。 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物
あたりの重合活性が十分高く、予備重合ポリマー、およ
び本重合により得られるポリエチレンの分子量が高く、
さらに粉体性状の優れた重合体を得ることができる触媒
の提供。 【解決手段】 下記［Ａ］成分〜［Ｄ］成分を接触して
得られた生成物からなるエチレン重合用触媒。 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエチレン重合用触媒
およびこの触媒により、エチレン重合体を高い収率で得
る方法に関するものである。詳細には、本発明は溶液重
合法、高圧重合法、スラリー重合法および気相重合法に
適用することができるが、特に気相重合法に適用した場
合に嵩比重の優れたエチレン重合体の製造が可能である
エチレン重合用触媒およびこの触媒によりエチレン重合
体を高い収率で得る方法に関するものである。
およびこの触媒により、エチレン重合体を高い収率で得
る方法に関するものである。詳細には、本発明は溶液重
合法、高圧重合法、スラリー重合法および気相重合法に
適用することができるが、特に気相重合法に適用した場
合に嵩比重の優れたエチレン重合体の製造が可能である
エチレン重合用触媒およびこの触媒によりエチレン重合
体を高い収率で得る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】オレフィンを重合してオレフィン重合体
を製造するにあたり、（１）メタロセン化合物および
（２）アルミノキサンからなる触媒を用いる方法が提案
されている（特開昭５８−０１９３０９号、特開平２−
１６７３０７号各公報等）。これらの触媒を用いた重合
方法は、チタニウム化合物あるいはバナジウム化合物と
有機アルミニウム化合物からなる従来のチーグラー・ナ
ッタ触媒を用いる方法と比較して、遷移金属あたりの重
合活性が非常に高く、また、分子量分布、組成分布のシ
ャープな重合体が得られる。
を製造するにあたり、（１）メタロセン化合物および
（２）アルミノキサンからなる触媒を用いる方法が提案
されている（特開昭５８−０１９３０９号、特開平２−
１６７３０７号各公報等）。これらの触媒を用いた重合
方法は、チタニウム化合物あるいはバナジウム化合物と
有機アルミニウム化合物からなる従来のチーグラー・ナ
ッタ触媒を用いる方法と比較して、遷移金属あたりの重
合活性が非常に高く、また、分子量分布、組成分布のシ
ャープな重合体が得られる。
【０００３】しかしながら、これらの触媒を用いて工業
的に充分な重合活性を得るためには多量のアルミノキサ
ンを必要とするため、アルミニウムあたりの重合活性は
低く、不経済であるばかりでなく、生成した重合体から
触媒残査を除去する必要があった。一方、上記メタロセ
ン錯体およびアルミノキサンの一方あるいは両方をシリ
カ、アルミナ等の無機酸化物に担持させた触媒でオレフ
ィンの重合を行う方法が提案されている（特開昭６１−
１０８６１０号、同６０−１３５４０８号、同６１−２
９６００８号、特開平３−７４４１２号、同３−７４４
１５号各公報等）。また、メタロセン化合物および有機
アルミニウム化合物の一方あるいは両方をシリカ、アル
ミナ等の無機酸化物もしくは有機物に担持させた触媒で
オレフィンの重合を行う方法も提案されている（特開平
１−１０１３０３号、同１−２０７３０３号、同３−２
３４７０９号、特表平３−５０１８６９号各公報）。さ
らに、これらの担持触媒を予備重合する方法も提案され
ている（特開平３−２３４７１０号公報等）。しかしな
がら、これらに提案された方法においても、アルミニウ
ムあたりの重合活性はなお充分とはいえず、生成物中の
触媒残査の量は無視し得ないものであった。またこれら
の問題点を解決する方法としてイオン交換性層状化合物
あるいは無機珪酸塩、有機アルミニウムおよびメタロセ
ン化合物からなる触媒及びこれを予備重合処理した触媒
が提案されている（特開平５−２９５０２２号公報
等）。
的に充分な重合活性を得るためには多量のアルミノキサ
ンを必要とするため、アルミニウムあたりの重合活性は
低く、不経済であるばかりでなく、生成した重合体から
触媒残査を除去する必要があった。一方、上記メタロセ
ン錯体およびアルミノキサンの一方あるいは両方をシリ
カ、アルミナ等の無機酸化物に担持させた触媒でオレフ
ィンの重合を行う方法が提案されている（特開昭６１−
１０８６１０号、同６０−１３５４０８号、同６１−２
９６００８号、特開平３−７４４１２号、同３−７４４
１５号各公報等）。また、メタロセン化合物および有機
アルミニウム化合物の一方あるいは両方をシリカ、アル
ミナ等の無機酸化物もしくは有機物に担持させた触媒で
オレフィンの重合を行う方法も提案されている（特開平
１−１０１３０３号、同１−２０７３０３号、同３−２
３４７０９号、特表平３−５０１８６９号各公報）。さ
らに、これらの担持触媒を予備重合する方法も提案され
ている（特開平３−２３４７１０号公報等）。しかしな
がら、これらに提案された方法においても、アルミニウ
ムあたりの重合活性はなお充分とはいえず、生成物中の
触媒残査の量は無視し得ないものであった。またこれら
の問題点を解決する方法としてイオン交換性層状化合物
あるいは無機珪酸塩、有機アルミニウムおよびメタロセ
ン化合物からなる触媒及びこれを予備重合処理した触媒
が提案されている（特開平５−２９５０２２号公報
等）。
【０００４】これらの触媒では、遷移金属あるいはアル
ミニウムあたりの重合活性は十分であるものの重合時に
水素が発生することが判明した。このため、予備重合に
おいては発生する水素によって、予備重合ポリマーの分
子量が低下し予備重合触媒およびこの触媒を用いて得ら
れる重合体の粉体性状（嵩密度等）を阻害することが新
に見出された。
ミニウムあたりの重合活性は十分であるものの重合時に
水素が発生することが判明した。このため、予備重合に
おいては発生する水素によって、予備重合ポリマーの分
子量が低下し予備重合触媒およびこの触媒を用いて得ら
れる重合体の粉体性状（嵩密度等）を阻害することが新
に見出された。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、触媒成分で
ある遷移金属化合物および有機アルミニウム化合物あた
りの重合活性が高く、かつ、予備重合ポリマーおよび本
重合によって得られるエチレン重合体の分子量が高く粉
体性状の優れた重合体を得ることのできるエチレン重合
用触媒およびその触媒を用いたエチレンの重合法を提供
することにある。
ある遷移金属化合物および有機アルミニウム化合物あた
りの重合活性が高く、かつ、予備重合ポリマーおよび本
重合によって得られるエチレン重合体の分子量が高く粉
体性状の優れた重合体を得ることのできるエチレン重合
用触媒およびその触媒を用いたエチレンの重合法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために検討を行った結果、イオン交換性層状
化合物又は非層状構造無機珪酸塩に、ジルコノセンある
いはハフノセンと、チタノセンとを同時に担持すること
により、遷移金属およびアルミニウムあたりの重合活性
が十分高く、予備重合ポリマー、および本重合により得
られるポリエチレンの分子量が高く、さらに予備重合触
媒および得られた重合体の粉体性状に優れた本触媒系を
見いだし、本発明に到達した。
を解決するために検討を行った結果、イオン交換性層状
化合物又は非層状構造無機珪酸塩に、ジルコノセンある
いはハフノセンと、チタノセンとを同時に担持すること
により、遷移金属およびアルミニウムあたりの重合活性
が十分高く、予備重合ポリマー、および本重合により得
られるポリエチレンの分子量が高く、さらに予備重合触
媒および得られた重合体の粉体性状に優れた本触媒系を
見いだし、本発明に到達した。
【０００７】即ち本発明は、下記［Ａ］成分〜［Ｄ］成
分を接触して得られた生成物からなるエチレン重合用触
媒、 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物
分を接触して得られた生成物からなるエチレン重合用触
媒、 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物
【０００８】及び、下記［Ａ］成分〜［Ｄ］成分を接触
して得られた生成物からなるエチレン重合用触媒とエチ
レンを接触させることを特徴とするエチレンの重合法を
提供するものである。 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物
して得られた生成物からなるエチレン重合用触媒とエチ
レンを接触させることを特徴とするエチレンの重合法を
提供するものである。 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物
【０００９】
【発明の実施の態様】本発明の触媒に用いられる［Ａ］
成分であるジルコニウムあるいはハフニウムを含有する
メタロセン系遷移金属化合物は、無置換あるいは置換シ
クロペンタジエニル配位子あるいはシクロペンタジエニ
ル配位子上の置換基が結合して縮合環を形成している配
位子とジルコニウムあるいはハフニウムとからなる有機
金属化合物である。かかるメタロセン系遷移金属化合物
として好ましいものは、下記一般式［１］で表される化
合物である。
成分であるジルコニウムあるいはハフニウムを含有する
メタロセン系遷移金属化合物は、無置換あるいは置換シ
クロペンタジエニル配位子あるいはシクロペンタジエニ
ル配位子上の置換基が結合して縮合環を形成している配
位子とジルコニウムあるいはハフニウムとからなる有機
金属化合物である。かかるメタロセン系遷移金属化合物
として好ましいものは、下記一般式［１］で表される化
合物である。
【００１０】
【化１】 Ｒ1 l （ＣｐＲ2 n ）（ＣｐＲ3 m ）ＭＸ1 Ｘ2 ［１］
【００１１】（ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル基
を表し、Ｒ1 は炭素、珪素、ゲルマニウム等の長周期表
第１４族元素を含む共有結合架橋基であり、ｌは０また
は１であり、Ｒ2 およびＲ3 はハロゲン、珪素含有基、
炭素数１ないし２０の炭化水素基またはハロゲン含有炭
化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基
であり、２個のＲ2 あるいはＲ3 がシクロペンタジエニ
ル環の隣接して置換されている場合には互いに結合して
Ｃ4 〜Ｃ8 の環を形成していても良く、ｍ、ｎは０から
５の整数で、ｌ＋ｍ＝５およびｌ＋ｎ＝５を満たす。ま
たＭはジルコニウム、ハフニウムであり、Ｘ1 およびＸ
2 はハロゲン原子、水素原子、炭素数１〜２０の炭化水
素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミド基を示
す。）
を表し、Ｒ1 は炭素、珪素、ゲルマニウム等の長周期表
第１４族元素を含む共有結合架橋基であり、ｌは０また
は１であり、Ｒ2 およびＲ3 はハロゲン、珪素含有基、
炭素数１ないし２０の炭化水素基またはハロゲン含有炭
化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基
であり、２個のＲ2 あるいはＲ3 がシクロペンタジエニ
ル環の隣接して置換されている場合には互いに結合して
Ｃ4 〜Ｃ8 の環を形成していても良く、ｍ、ｎは０から
５の整数で、ｌ＋ｍ＝５およびｌ＋ｎ＝５を満たす。ま
たＭはジルコニウム、ハフニウムであり、Ｘ1 およびＸ
2 はハロゲン原子、水素原子、炭素数１〜２０の炭化水
素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミド基を示
す。）
【００１２】上記一般式［１］中、Ｒ1 は炭素、珪素、
ゲルマニウム等の長周期表第１４族元素を含む共有結合
架橋基であり、シクロペンタジエニル環を結合するもの
である。具体的には、メチレン基、エチレン基のような
アルキレン基、エチリデン基、プロピリデン基、イソプ
ロピリデン基、フェニルメチリデン基、ジフェニルメチ
リデン基のようなアルキリデン基、ジメチルシリレン
基、ジエチルシリレン基、ジプロピルシリレン基、ジイ
ソプロピルシリレン基、ジフェニルシリレン基、メチル
エチルシリレン基、メチルフェニルシリレン基、メチル
イソプロピルシリレン基、メチル（ｔ−ブチル）シリレ
ン基のような珪素含有架橋基、ジメチルゲルミレン基、
ジエチルゲルミレン基、ジプロピルゲルミレン基、ジイ
ソプロピルゲルミレン基、ジフェニルゲルミレン基、メ
チルエチルゲルミレン基、メチルフェニルゲルミレン
基、メチルイソプロピルゲルミレン基、メチル（ｔ−ブ
チル）ゲルミレン基のようなゲルマニウム含有架橋基等
があげられる。
ゲルマニウム等の長周期表第１４族元素を含む共有結合
架橋基であり、シクロペンタジエニル環を結合するもの
である。具体的には、メチレン基、エチレン基のような
アルキレン基、エチリデン基、プロピリデン基、イソプ
ロピリデン基、フェニルメチリデン基、ジフェニルメチ
リデン基のようなアルキリデン基、ジメチルシリレン
基、ジエチルシリレン基、ジプロピルシリレン基、ジイ
ソプロピルシリレン基、ジフェニルシリレン基、メチル
エチルシリレン基、メチルフェニルシリレン基、メチル
イソプロピルシリレン基、メチル（ｔ−ブチル）シリレ
ン基のような珪素含有架橋基、ジメチルゲルミレン基、
ジエチルゲルミレン基、ジプロピルゲルミレン基、ジイ
ソプロピルゲルミレン基、ジフェニルゲルミレン基、メ
チルエチルゲルミレン基、メチルフェニルゲルミレン
基、メチルイソプロピルゲルミレン基、メチル（ｔ−ブ
チル）ゲルミレン基のようなゲルマニウム含有架橋基等
があげられる。
【００１３】これらのうち、アルキレン基、アルキリデ
ン基および珪素含有架橋基が好ましく用いられ、特に好
ましくは、メチレン基、エチレン基、ジフェニルメチレ
ン基、ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基が用
いられる。Ｒ2 およびＲ3 は、シクロペンタジエニル基
の置換基であり、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハ
ロゲン、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ト
リフェニルシリル基等の珪素含有基、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘ
キシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−ノ
ニル基、ｎ−デシル基、フェニル基、４−メチルフェニ
ル基等の炭素数１〜２０の炭化水素基、またはモノフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチ
ル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、ペンタフル
オロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−フルオ
ロフェニル基、モノクロロメチル基、モノブロモメチル
基、などの炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等
のアルコキシ基、フェノキシ基、４−メチルフェノキシ
基、ペンタメチルフェノキシ基等のアリールオキシ基、
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピル
アミノ基、ジフェニルアミノ基、ジシクロヘキシルアミ
ノ基、ピリジル基、インドリル基等のアミノ基等があげ
られる。
ン基および珪素含有架橋基が好ましく用いられ、特に好
ましくは、メチレン基、エチレン基、ジフェニルメチレ
ン基、ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基が用
いられる。Ｒ2 およびＲ3 は、シクロペンタジエニル基
の置換基であり、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハ
ロゲン、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ト
リフェニルシリル基等の珪素含有基、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘ
キシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−ノ
ニル基、ｎ−デシル基、フェニル基、４−メチルフェニ
ル基等の炭素数１〜２０の炭化水素基、またはモノフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチ
ル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、ペンタフル
オロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−フルオ
ロフェニル基、モノクロロメチル基、モノブロモメチル
基、などの炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等
のアルコキシ基、フェノキシ基、４−メチルフェノキシ
基、ペンタメチルフェノキシ基等のアリールオキシ基、
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピル
アミノ基、ジフェニルアミノ基、ジシクロヘキシルアミ
ノ基、ピリジル基、インドリル基等のアミノ基等があげ
られる。
【００１４】またＲ2 あるいはＲ3 がシクロペンタジエ
ニル環上に隣接して置換されている場合には互いにＣ4
〜Ｃ8 環を形成してもよく、この場合にはインデニル
基、テトラヒドロインデニル基、アズレニル基、フルオ
レニル基、ベンゾインデニル基等があげられる。これら
のうち特に好ましいのはメチル基、ｎ−ブチル基、およ
び２個の置換基が互いに結合したインデニル基、テトラ
ヒドロインデニル基、フルオレニル基、ベンゾインデニ
ル基である。
ニル環上に隣接して置換されている場合には互いにＣ4
〜Ｃ8 環を形成してもよく、この場合にはインデニル
基、テトラヒドロインデニル基、アズレニル基、フルオ
レニル基、ベンゾインデニル基等があげられる。これら
のうち特に好ましいのはメチル基、ｎ−ブチル基、およ
び２個の置換基が互いに結合したインデニル基、テトラ
ヒドロインデニル基、フルオレニル基、ベンゾインデニ
ル基である。
【００１５】Ｍはジルコニウム、ハフニウムであり、Ｘ
1 およびＸ2 は、水素原子、塩素、臭素等のハロゲン、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−
ヘプチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、フェニル
基、４−メチルフェニル基等の炭素数１〜２０の炭化水
素基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、４−メチルフェ
ノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基等のアリールオキ
シ基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジイソプ
ロピルアミド基、ジフェニルアミド基、ジシクロヘキシ
ルアミド基等のアミド基、トリフルオロメタンスルホン
酸等を示す。これらの中では、塩素、水素原子、メチル
基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、およびトリ
フルオロメタンスルホン酸基が好ましい。
1 およびＸ2 は、水素原子、塩素、臭素等のハロゲン、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−
ヘプチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、フェニル
基、４−メチルフェニル基等の炭素数１〜２０の炭化水
素基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、４−メチルフェ
ノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基等のアリールオキ
シ基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジイソプ
ロピルアミド基、ジフェニルアミド基、ジシクロヘキシ
ルアミド基等のアミド基、トリフルオロメタンスルホン
酸等を示す。これらの中では、塩素、水素原子、メチル
基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、およびトリ
フルオロメタンスルホン酸基が好ましい。
【００１６】上述のジルコニウムあるいはハフニウムを
含有するメタロセン系遷移金属化合物は、例えばジルコ
ニウムを含有するものでは、具体的には、（１）ビス
（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
（２）ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロリド、ビス（ｎ−プロピルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（ｉ−プロ
ピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（トリフルオロメ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（フルオロシクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
クロリド、ビス（ペンタフルオロフェニルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（メトキシシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス
（ジメチルアミノシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（ジエチルアミノシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジメチル、ビス（メチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（エチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（ｎ−
プロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチ
ル、ビス（ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジメチル、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジメチル、ビス（トリメチルシリルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（ト
リフルオロメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジメチル、ビス（フルオロシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジメチル、ビス（ペンタフルオロフェニルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（メト
キシシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビ
ス（ジメチルアミノシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジメチル、ビス（ジエチルアミノシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジメチル、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジエチル、ビス（メチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジエチル、ビス（エチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジエチル、ビス（ｎ−ブ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジエチル、ビ
ス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジイソブチ
ル、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジイソブチル、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジイソブチル、ビス（ｎ−ブチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジイソブチル、ビス（シクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムクロリドモノハイドライ
ド、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
クロリドモノハイドライド、ビス（エチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムクロリドモノハイドライド、ビ
ス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムク
ロリドモノハイドライド、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（メチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス
（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジハイド
ライド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジハイドライド、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（メチ
ルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチル
アミド）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（ｎ−ブチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムビス
（ジエチルアミド）、ビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（エチ
ルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジエチル
アミド）、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（シクロペン
タジエニル）ジルコニウムジメチルアミドモノクロリ
ド、ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジエチ
ルアミドモノクロリド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジメチルアミドモノクロリド、
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジエチルアミドモノクロリド、ビス（１，２ジメチルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス
（１，３ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−ｎ−
ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムジクロリド、ビス（１，２ジメチルシクロペンタジ
エニル）ジルコニウムジメチル、ビス（１，３ジメチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス
（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジメチル、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル
−シクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス
（１，２ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジエチル、ビス（１，３ジメチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジエチル、ビス（１−エチル−３−メ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジエチル、ビ
ス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジエチル、ビス（１，２ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジイソブチル、ビス
（１，３ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジイソブチル、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジイソブチル、ビス（１−
ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）ジル
コニウムジイソブチル、ビス（１，２ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムクロリドモノハイドライ
ド、ビス（１，３ジメチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムクロリドモノハイドライド、ビス（１−エチル
−３−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムクロ
リドモノハイドライド、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メ
チル−シクロペンタジエニル）ジルコニウムクロリドモ
ノハイドライド、ビス（１，２ジメチルシクロペンタジ
エニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（１，３ジ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジハイドラ
イド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（１−ｎ−ブ
チル−３−メチル−シクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジハイドライド、ビス（１，２ジメチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジメトキシド、ビス（１，３ジ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメトキシ
ド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジメトキシド、ビス（１−ｎ−ブチル
−３−メチル−シクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
メトキシド、ビス（１，２ジメチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（１，
３ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビス
（ジメチルアミド）、ビス（１−エチル−３−メチルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペン
タジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビ
ス（１，２−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムビス（ジエチルアミド）、ビス（１，３−ジメチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジエチルア
ミド）、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジ
エニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス
（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（１，
３−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジエ
チルアミドモノクロリド、ビス（１，３−ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムクロリドジエチルアミ
ドモノクロリド、ビス（１−メチル−３−トリフルオロ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド、ビス（１−メチル−３−トリメチルシリルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１，
２，４−トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（１，２，４−トリメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（１，２，
４−トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
ハイドライド、ビス（１，２，４−トリメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジメチル、ビス（ペンタメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス
（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビ
ス（ジメチルアミド）、ビス（インデニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロイ
ンデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（２−メチル
インデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（２−メチ
ル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド、シクロペンタジエニルフルオレニル
ジルコニウムジクロリド、ビス（インデニル）ジルコニ
ウムジメチル、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロイ
ンデニル）ジルコニウムジメチル、ビス（２−メチルイ
ンデニル）ジルコニウムジメチル、ビス（２−メチル−
４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウ
ムジメチル、シクロペンタジエニルフルオレニルジルコ
ニウムジメチル、ビス（インデニル）ジルコニウムジハ
イドライド、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロイン
デニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（２−メチ
ルインデニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（２
−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
ジルコニウムジハイドライド、シクロペンタジエニルフ
ルオレニルジルコニウムジハイドライド、ビス（インデ
ニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニ
ウムビス（ジメチルアミド）、ビス（２−メチルインデ
ニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（２
−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、シクロペンタジ
エニルフルオレニルジルコニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（インデニル）ジルコニウムビス（ジエチル
アミド）、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（２
−メチルインデニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミ
ド）、ビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒド
ロインデニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、
シクロペンタジエニルフルオレニルジルコニウムビス
（ジエチルアミド）、ジメチルシランジイルビス（シク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチル
シランジイルビス（２−メチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリドジメチルシランジイルビス（３
−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド、ジメチルシランジイルビス（３−エチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシラン
ジイルビス（３−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（３
−トリフルオロメチルシクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（３−トリ
メチルシリルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリド、ジメチルシランジイルビス（シクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビ
ス（２−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
メチル、ジメチルシランジイルビス（３−メチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシラ
ンジイルビス（３−エチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（３−ｎ
−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチ
ル、ジメチルシランジイルビス（３−トリフルオロメチ
ルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ジメ
チルシランジイルビス（３−トリメチルシリルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシラン
ジイルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジエ
チル、ジメチルシランジイルビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジブチル、ジメチルシランジイルビス
（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジハイドライ
ド、ジメチルシランジイルビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシ
ランジイルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム
ビス（ジエチルアミド）、ジメチルシランジイルビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（２，４−ジ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、
ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、
ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチル
シランジイルビス（２−ｉ−プロピル−４−メチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチル
シランジイルビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド、ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビ
ス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（２−メ
チル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジル
コニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（２−
メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロ
リド、ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−ナ
フチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチル
シランジイル（シクロペンタジエニル）（フルオレニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビ
ス（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロリ
ド、ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジルコニ
ウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２−メチル
インデニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジ
イルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２
−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２
−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジメ
チル、ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−ナ
フチルインデニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシ
ランジイル（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）
ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジルコニウム
ジハイドライド、ジメチルシランジイルビス（２−メチ
ルインデニル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチル
シランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロイン
デニル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチルシラン
ジイルビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒド
ロインデニル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチル
シランジイルビス（２−メチル−４−フェニルインデニ
ル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチルシランジイ
ルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジルコ
ニウムジハイドライド、ジメチルシランジイルビス
（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジハイドラ
イド、ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジルコ
ニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイル
ビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムビス（ジメ
チルアミド）、ジメチルシランジイルビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムビス
（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイルビス（２−
メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジ
ルコニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジ
イルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジル
コニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイ
ルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジルコ
ニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイル
ビス（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムビス
（ジメチルアミド）、１，２−エタンジイルビス（シク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、１，２−
エタンジイルビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド、１，２−エタンジイルビス（２−メチルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビ
ス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウ
ムジクロリド、１，２−エタンジイルビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロ
リド、１，２−エタンジイルビス（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジ
クロリド、１，２−エタンジイルビス（４，５−ベンゾ
インデニル）ジルコニウムジクロリド、１，２−エタン
ジイルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジメ
チル、１，２−エタンジイルビス（インデニル）ジルコ
ニウムジメチル、１，２−エタンジイルビス（２−メチ
ルインデニル）ジルコニウムジメチル、１，２−エタン
ジイルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジ
ルコニウムジメチル、１，２−エタンジイルビス（４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジ
メチル、１，２−エタンジイルビス（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジ
メチル、１，２−エタンジイルビス（４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムジメチル、イソプロピリデンビ
ス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
イソプロピリデンビス（インデニル）ジルコニウムジク
ロリド、イソプロピリデンビス（２−メチルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデンビス
（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウム
ジクロリド、イソプロピリデンビス（４，５，６，７−
テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロリド、イ
ソプロピリデンビス（２−メチル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロリド、イソ
プロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド、イソプロピリデンビス（シクロペン
タジエニル）ジルコニウムジメチル、イソプロピリデン
ビス（インデニル）ジルコニウムジメチル、イソプロピ
リデンビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムジメ
チル、イソプロピリデンビス（２−メチル−４−フェニ
ルインデニル）ジルコニウムジメチル、イソプロピリデ
ンビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジ
ルコニウムジメチル、イソプロピリデンビス（２−メチ
ル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコ
ニウムジメチル、イソプロピリデンビス（４，５−ベン
ゾインデニル）ジルコニウムジメチルがあげられる。
含有するメタロセン系遷移金属化合物は、例えばジルコ
ニウムを含有するものでは、具体的には、（１）ビス
（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
（２）ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロリド、ビス（ｎ−プロピルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（ｉ−プロ
ピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（トリフルオロメ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
ビス（フルオロシクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
クロリド、ビス（ペンタフルオロフェニルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（メトキシシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス
（ジメチルアミノシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（ジエチルアミノシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジメチル、ビス（メチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（エチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（ｎ−
プロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチ
ル、ビス（ｉ−プロピルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジメチル、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジメチル、ビス（トリメチルシリルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（ト
リフルオロメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジメチル、ビス（フルオロシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジメチル、ビス（ペンタフルオロフェニルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（メト
キシシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビ
ス（ジメチルアミノシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジメチル、ビス（ジエチルアミノシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジメチル、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジエチル、ビス（メチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジエチル、ビス（エチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジエチル、ビス（ｎ−ブ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジエチル、ビ
ス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジイソブチ
ル、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジイソブチル、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジイソブチル、ビス（ｎ−ブチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジイソブチル、ビス（シクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムクロリドモノハイドライ
ド、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
クロリドモノハイドライド、ビス（エチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムクロリドモノハイドライド、ビ
ス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムク
ロリドモノハイドライド、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（メチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス
（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジハイド
ライド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジハイドライド、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（メチ
ルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチル
アミド）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（ｎ−ブチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムビス
（ジエチルアミド）、ビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（エチ
ルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジエチル
アミド）、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（シクロペン
タジエニル）ジルコニウムジメチルアミドモノクロリ
ド、ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジエチ
ルアミドモノクロリド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジメチルアミドモノクロリド、
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジエチルアミドモノクロリド、ビス（１，２ジメチルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス
（１，３ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−ｎ−
ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムジクロリド、ビス（１，２ジメチルシクロペンタジ
エニル）ジルコニウムジメチル、ビス（１，３ジメチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス
（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジメチル、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル
−シクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス
（１，２ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジエチル、ビス（１，３ジメチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジエチル、ビス（１−エチル−３−メ
チルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジエチル、ビ
ス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジエチル、ビス（１，２ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジイソブチル、ビス
（１，３ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジイソブチル、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジイソブチル、ビス（１−
ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）ジル
コニウムジイソブチル、ビス（１，２ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムクロリドモノハイドライ
ド、ビス（１，３ジメチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムクロリドモノハイドライド、ビス（１−エチル
−３−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムクロ
リドモノハイドライド、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メ
チル−シクロペンタジエニル）ジルコニウムクロリドモ
ノハイドライド、ビス（１，２ジメチルシクロペンタジ
エニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（１，３ジ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジハイドラ
イド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（１−ｎ−ブ
チル−３−メチル−シクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジハイドライド、ビス（１，２ジメチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジメトキシド、ビス（１，３ジ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメトキシ
ド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジメトキシド、ビス（１−ｎ−ブチル
−３−メチル−シクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
メトキシド、ビス（１，２ジメチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（１，
３ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビス
（ジメチルアミド）、ビス（１−エチル−３−メチルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペン
タジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビ
ス（１，２−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムビス（ジエチルアミド）、ビス（１，３−ジメチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムビス（ジエチルア
ミド）、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジ
エニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス
（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（１，
３−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジエ
チルアミドモノクロリド、ビス（１，３−ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムクロリドジエチルアミ
ドモノクロリド、ビス（１−メチル−３−トリフルオロ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド、ビス（１−メチル−３−トリメチルシリルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１，
２，４−トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（１，２，４−トリメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（１，２，
４−トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
ハイドライド、ビス（１，２，４−トリメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジメチル、ビス（ペンタメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス
（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムビ
ス（ジメチルアミド）、ビス（インデニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロイ
ンデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（２−メチル
インデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（２−メチ
ル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド、シクロペンタジエニルフルオレニル
ジルコニウムジクロリド、ビス（インデニル）ジルコニ
ウムジメチル、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロイ
ンデニル）ジルコニウムジメチル、ビス（２−メチルイ
ンデニル）ジルコニウムジメチル、ビス（２−メチル−
４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウ
ムジメチル、シクロペンタジエニルフルオレニルジルコ
ニウムジメチル、ビス（インデニル）ジルコニウムジハ
イドライド、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロイン
デニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（２−メチ
ルインデニル）ジルコニウムジハイドライド、ビス（２
−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
ジルコニウムジハイドライド、シクロペンタジエニルフ
ルオレニルジルコニウムジハイドライド、ビス（インデ
ニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニ
ウムビス（ジメチルアミド）、ビス（２−メチルインデ
ニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（２
−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、シクロペンタジ
エニルフルオレニルジルコニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（インデニル）ジルコニウムビス（ジエチル
アミド）、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（２
−メチルインデニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミ
ド）、ビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒド
ロインデニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、
シクロペンタジエニルフルオレニルジルコニウムビス
（ジエチルアミド）、ジメチルシランジイルビス（シク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチル
シランジイルビス（２−メチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリドジメチルシランジイルビス（３
−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド、ジメチルシランジイルビス（３−エチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシラン
ジイルビス（３−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジ
ルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（３
−トリフルオロメチルシクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（３−トリ
メチルシリルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリド、ジメチルシランジイルビス（シクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビ
ス（２−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
メチル、ジメチルシランジイルビス（３−メチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシラ
ンジイルビス（３−エチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（３−ｎ
−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチ
ル、ジメチルシランジイルビス（３−トリフルオロメチ
ルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ジメ
チルシランジイルビス（３−トリメチルシリルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシラン
ジイルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジエ
チル、ジメチルシランジイルビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジブチル、ジメチルシランジイルビス
（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジハイドライ
ド、ジメチルシランジイルビス（シクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシ
ランジイルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム
ビス（ジエチルアミド）、ジメチルシランジイルビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（２，４−ジ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムビス（ジメチルアミド）、
ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムビス（ジエチルアミド）、
ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチル
シランジイルビス（２−ｉ−プロピル−４−メチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチル
シランジイルビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド、ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビ
ス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（２−メ
チル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジル
コニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（２−
メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロ
リド、ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−ナ
フチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチル
シランジイル（シクロペンタジエニル）（フルオレニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビ
ス（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロリ
ド、ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジルコニ
ウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２−メチル
インデニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジ
イルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２
−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２
−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウムジメ
チル、ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−ナ
フチルインデニル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシ
ランジイル（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）
ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジメチル、
ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジルコニウム
ジハイドライド、ジメチルシランジイルビス（２−メチ
ルインデニル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチル
シランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロイン
デニル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチルシラン
ジイルビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒド
ロインデニル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチル
シランジイルビス（２−メチル−４−フェニルインデニ
ル）ジルコニウムジハイドライド、ジメチルシランジイ
ルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジルコ
ニウムジハイドライド、ジメチルシランジイルビス
（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジハイドラ
イド、ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジルコ
ニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイル
ビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムビス（ジメ
チルアミド）、ジメチルシランジイルビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムビス
（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイルビス（２−
メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジ
ルコニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジ
イルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジル
コニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイ
ルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジルコ
ニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイル
ビス（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムビス
（ジメチルアミド）、１，２−エタンジイルビス（シク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、１，２−
エタンジイルビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド、１，２−エタンジイルビス（２−メチルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビ
ス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウ
ムジクロリド、１，２−エタンジイルビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロ
リド、１，２−エタンジイルビス（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジ
クロリド、１，２−エタンジイルビス（４，５−ベンゾ
インデニル）ジルコニウムジクロリド、１，２−エタン
ジイルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジメ
チル、１，２−エタンジイルビス（インデニル）ジルコ
ニウムジメチル、１，２−エタンジイルビス（２−メチ
ルインデニル）ジルコニウムジメチル、１，２−エタン
ジイルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジ
ルコニウムジメチル、１，２−エタンジイルビス（４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジ
メチル、１，２−エタンジイルビス（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジ
メチル、１，２−エタンジイルビス（４，５−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムジメチル、イソプロピリデンビ
ス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、
イソプロピリデンビス（インデニル）ジルコニウムジク
ロリド、イソプロピリデンビス（２−メチルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデンビス
（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジルコニウム
ジクロリド、イソプロピリデンビス（４，５，６，７−
テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロリド、イ
ソプロピリデンビス（２−メチル−４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）ジルコニウムジクロリド、イソ
プロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド、イソプロピリデンビス（シクロペン
タジエニル）ジルコニウムジメチル、イソプロピリデン
ビス（インデニル）ジルコニウムジメチル、イソプロピ
リデンビス（２−メチルインデニル）ジルコニウムジメ
チル、イソプロピリデンビス（２−メチル−４−フェニ
ルインデニル）ジルコニウムジメチル、イソプロピリデ
ンビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジ
ルコニウムジメチル、イソプロピリデンビス（２−メチ
ル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコ
ニウムジメチル、イソプロピリデンビス（４，５−ベン
ゾインデニル）ジルコニウムジメチルがあげられる。
【００１７】また、ハフニウムを含有するメタロセン系
遷移金属化合物として具体的には、上記ジルコニウム化
合物のハフニウム体を挙げることができる。これらの中
では、特にビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリド、ビス（１，３−ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス
（１，２−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（インデニル）ジルコニウムジクロ
リド、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビ
ス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシ
ランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル
ビス（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビス（インデ
ニル）ジルコニウムジクロリド、１，２−エタンジイル
ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジル
コニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビス（２，
４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリドおよびビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジメチル、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジメチル、ビス（１，３−ジメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（１，２
−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチ
ル、ビス（インデニル）ジルコニウムジメチル、ビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニ
ウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（インデニ
ル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニ
ウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２，４−ジ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
１，２−エタンジイルビス（インデニル）ジルコニウム
ジメチル、１，２−エタンジイルビス（４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジメチル、
１，２−エタンジイルビス（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジメチルが好ましい。ま
た、これらのメタロセン系遷移金属化合物は単独で用い
ても良いし、得られる重合体の物性を改良する等の目的
に併せ２種以上混合して使用しても良い。
遷移金属化合物として具体的には、上記ジルコニウム化
合物のハフニウム体を挙げることができる。これらの中
では、特にビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリド、ビス（１，３−ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、ビス
（１，２−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ビス（インデニル）ジルコニウムジクロ
リド、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビ
ス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシ
ランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル
ビス（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコ
ニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビス（インデ
ニル）ジルコニウムジクロリド、１，２−エタンジイル
ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジル
コニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビス（２，
４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリドおよびビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウ
ムジメチル、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジメチル、ビス（１，３−ジメチルシクロ
ペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、ビス（１，２
−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチ
ル、ビス（インデニル）ジルコニウムジメチル、ビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニ
ウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（インデニ
ル）ジルコニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニ
ウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２，４−ジ
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル、
１，２−エタンジイルビス（インデニル）ジルコニウム
ジメチル、１，２−エタンジイルビス（４，５，６，７
−テトラヒドロインデニル）ジルコニウムジメチル、
１，２−エタンジイルビス（２，４−ジメチルシクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジメチルが好ましい。ま
た、これらのメタロセン系遷移金属化合物は単独で用い
ても良いし、得られる重合体の物性を改良する等の目的
に併せ２種以上混合して使用しても良い。
【００１８】本発明の触媒に用いられる［Ｂ］成分であ
るチタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合物
は、無置換あるいは置換シクロペンタジエニル配位子あ
るいはシクロペンタジエニル配位子上の置換基が結合し
て縮合環を形成している配位子とチタニウムからなる有
機金属化合物である。かかるメタロセン系遷移金属化合
物として好ましいものは、下記一般式［２］、［３］あ
るいは［４］で表される化合物である。
るチタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合物
は、無置換あるいは置換シクロペンタジエニル配位子あ
るいはシクロペンタジエニル配位子上の置換基が結合し
て縮合環を形成している配位子とチタニウムからなる有
機金属化合物である。かかるメタロセン系遷移金属化合
物として好ましいものは、下記一般式［２］、［３］あ
るいは［４］で表される化合物である。
【００１９】
【化２】 Ｒ1 l （ＣｐＲ2 n ）（ＣｐＲ3 m ）ＴｉＸ1 Ｘ2 ［２］ （ここで、Ｃｐ、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｘ1 、Ｘ2 、ｌ、
ｍ、ｎは前述のものと同じである。）
ｍ、ｎは前述のものと同じである。）
【００２０】
【化３】 （ＣｐＲ2 n ）ＴｉＸ1 Ｘ2 Ｘ3 ［３］ （ここで、Ｃｐ、Ｒ2 、Ｘ1 、Ｘ2 、ｎは前述のものと
同じであり、Ｘ3 はＸ1とおなじ群から選ばれる基であ
る。）
同じであり、Ｘ3 はＸ1とおなじ群から選ばれる基であ
る。）
【００２１】
【化４】 Ｒ1 （ＣｐＲ2 n ）（ＮＲ4 ）ＴｉＸ1 Ｘ2 ［４］ （ここで、Ｃｐ、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｘ1 、Ｘ2 、ｎは前述の
ものと同じであり、Ｒ4は、炭素数１ないし２０の炭化
水素基あるいは、ハロゲン含有炭化水素基を示す。）
ものと同じであり、Ｒ4は、炭素数１ないし２０の炭化
水素基あるいは、ハロゲン含有炭化水素基を示す。）
【００２２】上述のチタニウムを含有するメタロセン系
遷移金属化合物としては、具体的には、（１）ビス（シ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、（２）ビ
ス（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリ
ド、ビス（エチルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
クロリド、ビス（ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）
チタニウムジクロリド、ビス（ｉ−プロピルシクロペン
タジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（ｎ−ブチル
シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジクロリド、ビス（トリフルオロメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド、ビス（フルオロシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（ペンタ
フルオロフェニルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
クロリド、ビス（メトキシシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド、ビス（ジメチルアミノシクロペンタ
ジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（ジエチルアミ
ノシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（シクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス
（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、
ビス（エチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチ
ル、ビス（ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジメチル、ビス（ｉ−プロピルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジメチル、ビス（ｎ−ブチルシクロペン
タジエニル）チタニウムジメチル、ビス（トリメチルシ
リルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス
（トリフルオロメチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジメチル、ビス（フルオロシクロペンタジエニル）チ
タニウムジメチル、ビス（ペンタフルオロフェニルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス（メトキ
シシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス
（ジメチルアミノシクロペンタジエニル）チタニウムジ
メチル、ビス（ジエチルアミノシクロペンタジエニル）
チタニウムジメチル、ビス（シクロペンタジエニル）チ
タニウムジエチル、ビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジエチル、ビス（エチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジエチル、ビス（ｎ−ブチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジエチル、ビス（シクロペ
ンタジエニル）チタニウムジイソブチル、ビス（メチル
シクロペンタジエニル）チタニウムジイソブチル、ビス
（エチルシクロペンタジエニル）チタニウムジイソブチ
ル、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジイソブチル、ビス（シクロペンタジエニル）チタニ
ウムクロリドモノハイドライド、ビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）チタニウムクロリドモノハイドライド、
ビス（エチルシクロペンタジエニル）チタニウムクロリ
ドモノハイドライド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムクロリドモノハイドライド、ビス
（シクロペンタジエニル）チタニウムジハイドライド、
ビス（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジハイ
ドライド、ビス（エチルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジハイドライド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジハイドライド、ビス（シクロペン
タジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス
（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムビス（ジメ
チルアミド）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）チ
タニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（ｎ−ブチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（シクロペンタジエニル）チタニウムビス
（ジエチルアミド）、ビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（エチル
シクロペンタジエニル）チタニウムビス（ジエチルアミ
ド）、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムビス（ジエチルアミド）、ビス（シクロペンタジエ
ニル）チタニウムジメチルアミドモノクロリド、ビス
（シクロペンタジエニル）チタニウムジエチルアミドモ
ノクロリド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）
チタニウムジメチルアミドモノクロリド、ビス（ｎ−ブ
チルシクロペンタジエニル）チタニウムジエチルアミド
モノクロリド、ビス（１，２−ジメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド、ビス（１，３−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル
−シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（１，２ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
メチル、ビス（１，３ジメチルシクロペンタジエニル）
チタニウムジメチル、ビス（１−エチル−３−メチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス（１−
ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チタ
ニウムジメチル、ビス（１，２−ジメチルシクロペンタ
ジエニル）チタニウムジエチル、ビス（１，３−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）チタニウムジエチル、ビス
（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジエチル、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−
シクロペンタジエニル）チタニウムジエチル、ビス
（１，２ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
イソブチル、ビス（１，３ジメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジイソブチル、ビス（１−エチル−３−
メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジイソブチ
ル、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタ
ジエニル）チタニウムジイソブチル、ビス（１，２−ジ
メチルシクロペンタジエニル）チタニウムクロリドモノ
ハイドライド、ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムクロリドモノハイドライド、ビス
（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムクロリドモノハイドライド、ビス（１−ｎ−ブチ
ル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チタニウムク
ロリドモノハイドライド、ビス（１，２−ジメチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジハイドライド、ビス
（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジハイドライド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジハイドライド、ビス（１
−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チ
タニウムジハイドライド、ビス（１，２ジメチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジメトキシド、ビス（１，
３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメト
キシド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジメトキシド、ビス（１−ｎ−ブチ
ル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チタニウムジ
メトキシド、ビス（１，２−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（１，
３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムビス
（ジメチルアミド）、ビス（１−エチル−３−メチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペン
タジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス
（１，２−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ビス（ジエチルアミド）、ビス（１，３−ジメチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムビス（ジエチルアミ
ド）、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（１−
ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チタ
ニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（１，３−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）チタニウムジエチルアミドモ
ノクロリド、ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムクロリドジエチルアミドモノクロリ
ド、ビス（１−メチル−３−トリフルオロメチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（１−メ
チル−３−トリメチルシリルシクロペンタジエニル）チ
タニウムジクロリド、ビス（１，２，４−トリメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジメチル、ビス（１，２，４−トリメチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジハイドライド、ビス
（１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（ペンタメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチ
ル、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジハイドライド、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス
（インデニル）チタニウムジクロリド、ビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリ
ド、ビス（２−メチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド、ビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロ
インデニル）チタニウムジクロリド、シクロペンタジエ
ニルフルオレニルチタニウムジクロリド、ビス（インデ
ニル）チタニウムジメチル、ビス（４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）チタニウムジメチル、ビス（２
−メチルインデニル）チタニウムジメチル、ビス（２−
メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チ
タニウムジメチル、シクロペンタジエニルフルオレニル
チタニウムジメチル、ビス（インデニル）チタニウムジ
ハイドライド、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロイ
ンデニル）チタニウムジハイドライド、ビス（２−メチ
ルインデニル）チタニウムジハイドライド、ビス（２−
メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チ
タニウムジハイドライド、シクロペンタジエニルフルオ
レニルチタニウムジハイドライド、ビス（インデニル）
チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムビス（ジ
メチルアミド）、ビス（２−メチルインデニル）チタニ
ウムビス（ジメチルアミド）、ビス（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムビス
（ジメチルアミド）、シクロペンタジエニルフルオレニ
ルチタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（インデニ
ル）チタニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムビス
（ジエチルアミド）、ビス（２−メチルインデニル）チ
タニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（２−メチル−
４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウム
ビス（ジエチルアミド）、シクロペンタジエニルフルオ
レニルチタニウムビス（ジエチルアミド）、ジメチルシ
ランジイルビス（シクロペンタジエニル）チタニウムジ
クロリド、ジメチルシランジイルビス（２−メチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジクロリドジメチルシラ
ンジイルビス（３−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（３−エ
チルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ジ
メチルシランジイルビス（３−ｎ−ブチルシクロペンタ
ジエニル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイ
ルビス（３−トリフルオロメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス
（３−トリメチルシリルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（シクロペ
ンタジエニル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジ
イルビス（２−メチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジメチル、ジメチルシランジイルビス（３−メチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ジメチルシ
ランジイルビス（３−エチルシクロペンタジエニル）チ
タニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（３−ｎ
−ブチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、
ジメチルシランジイルビス（３−トリフルオロメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ジメチルシ
ランジイルビス（３−トリメチルシリルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビ
ス（シクロペンタジエニル）チタニウムジエチル、ジメ
チルシランジイルビス（シクロペンタジエニル）チタニ
ウムジブチル、ジメチルシランジイルビス（シクロペン
タジエニル）チタニウムジハイドライド、ジメチルシラ
ンジイルビス（シクロペンタジエニル）チタニウムビス
（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイルビス（シク
ロペンタジエニル）チタニウムビス（ジエチルアミ
ド）、ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ジメチル
シランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイルビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ビス（ジエチルアミド）、ジメチルシランジイルビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジハイドライド、ジメチルシランジイルビス（２−ｉ−
プロピル−４−メチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（インデニ
ル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス
（２−メチルインデニル）チタニウムジクロリド、ジメ
チルシランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロ
インデニル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジ
イルビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロ
インデニル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジ
イルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタ
ニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（２−メ
チル−４−ナフチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド、ジメチルシランジイル（シクロペンタジエニル）
（フルオレニル）チタニウムジクロリド、ジメチルシラ
ンジイルビス（４，５−ベンゾインデニル）チタニウム
ジクロリド、ジメチルシランジイルビス（インデニル）
チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２−
メチルインデニル）チタニウムジメチル、ジメチルシラ
ンジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタニウムジ
メチル、ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−
ナフチルインデニル）チタニウムジメチル、ジメチルシ
ランジイル（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）
チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（４，
５−ベンゾインデニル）チタニウムジメチル、ジメチル
シランジイルビス（インデニル）チタニウムジハイドラ
イド、ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニ
ル）チタニウムジハイドライド、ジメチルシランジイル
ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタ
ニウムジハイドライド、ジメチルシランジイルビス（２
−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
チタニウムジハイドライド、ジメチルシランジイルビス
（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタニウムジ
ハイドライド、ジメチルシランジイルビス（２−メチル
−４−ナフチルインデニル）チタニウムジハイドライ
ド、ジメチルシランジイルビス（４，５−ベンゾインデ
ニル）チタニウムジハイドライド、ジメチルシランジイ
ルビス（インデニル）チタニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニ
ル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシラ
ンジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシラ
ンジイルビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒ
ドロインデニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−フェニル
インデニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメ
チルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチルイン
デニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチル
シランジイルビス（４，５−ベンゾインデニル）チタニ
ウムビス（ジメチルアミド）、１，２−エタンジイルビ
ス（シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、
１，２−エタンジイルビス（インデニル）チタニウムジ
クロリド、１，２−エタンジイルビス（２−メチルイン
デニル）チタニウムジクロリド、１，２−エタンジイル
ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタニウ
ムジクロリド、１，２−エタンジイルビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリ
ド、１，２−エタンジイルビス（２−メチル−４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリ
ド、１，２−エタンジイルビス（４，５−ベンゾインデ
ニル）チタニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビ
ス（シクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、１，
２−エタンジイルビス（インデニル）チタニウムジメチ
ル、エチレンビス（２−メチルインデニル）チタニウム
ジメチル、１，２−エタンジイルビス（２−メチル−４
−フェニルインデニル）チタニウムジメチル、１，２−
エタンジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロイン
デニル）チタニウムジメチル、１，２−エタンジイルビ
ス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル）チタニウムジメチル、１，２−エタンジイルビス
（４，５−ベンゾインデニル）チタニウムジメチル、イ
ソプロピリデンビス（シクロペンタジエニル）チタニウ
ムジクロリド、イソプロピリデンビス（インデニル）チ
タニウムジクロリド、イソプロピリデンビス（２−メチ
ルインデニル）チタニウムジクロリド、イソプロピリデ
ンビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタニ
ウムジクロリド、イソプロピリデンビス（４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド、
イソプロピリデンビス（２−メチル−４，５，６，７−
テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド、イソ
プロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニル）チタニ
ウムジクロリド、イソプロピリデンビス（シクロペンタ
ジエニル）チタニウムジメチル、イソプロピリデンビス
（インデニル）チタニウムジメチル、イソプロピリデン
ビス（２−メチルインデニル）チタニウムジメチル、イ
ソプロピリデンビス（２−メチル−４−フェニルインデ
ニル）チタニウムジメチル、イソプロピリデンビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウ
ムジメチル、イソプロピリデンビス（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジメ
チル、イソプロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニ
ル）チタニウムジメチル、シクロペンタジエニルチタニ
ウムトリクロリド、メチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムトリクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリクロリド、インデニルチタニウムトリク
ロリド、４，５，６，７−テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリクロリド、シクロペンタジエニルチタニウム
トリメチル、メチルシクロペンタジエニルチタニウムト
リメチル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリメチル、インデニルチタニウムトリメチル、４，
５，６，７−テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
チル、ジメチルシランジイル（シクロペンタジエニル）
（ｔ−ブチルアミド）チタニウムジクロリド、ジメチル
シランジイル（シクロペンタジエニル）（シクロドデシ
ルアミド）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイ
ル（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルアミ
ド）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイル（シ
クロペンタジエニル）（ｔ−ブチルアミド）チタニウム
ジメチル、ジメチルシランジイル（シクロペンタジエニ
ル）（シクロドデシルアミド）チタニウムジメチル、ジ
メチルシランジイル（シクロペンタジエニル）（トリメ
チルシリルアミド）チタニウムジメチルがあげられる。
遷移金属化合物としては、具体的には、（１）ビス（シ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、（２）ビ
ス（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリ
ド、ビス（エチルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
クロリド、ビス（ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）
チタニウムジクロリド、ビス（ｉ−プロピルシクロペン
タジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（ｎ−ブチル
シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジクロリド、ビス（トリフルオロメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド、ビス（フルオロシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（ペンタ
フルオロフェニルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
クロリド、ビス（メトキシシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド、ビス（ジメチルアミノシクロペンタ
ジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（ジエチルアミ
ノシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（シクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス
（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、
ビス（エチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチ
ル、ビス（ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジメチル、ビス（ｉ−プロピルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジメチル、ビス（ｎ−ブチルシクロペン
タジエニル）チタニウムジメチル、ビス（トリメチルシ
リルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス
（トリフルオロメチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジメチル、ビス（フルオロシクロペンタジエニル）チ
タニウムジメチル、ビス（ペンタフルオロフェニルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス（メトキ
シシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス
（ジメチルアミノシクロペンタジエニル）チタニウムジ
メチル、ビス（ジエチルアミノシクロペンタジエニル）
チタニウムジメチル、ビス（シクロペンタジエニル）チ
タニウムジエチル、ビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジエチル、ビス（エチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジエチル、ビス（ｎ−ブチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジエチル、ビス（シクロペ
ンタジエニル）チタニウムジイソブチル、ビス（メチル
シクロペンタジエニル）チタニウムジイソブチル、ビス
（エチルシクロペンタジエニル）チタニウムジイソブチ
ル、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジイソブチル、ビス（シクロペンタジエニル）チタニ
ウムクロリドモノハイドライド、ビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）チタニウムクロリドモノハイドライド、
ビス（エチルシクロペンタジエニル）チタニウムクロリ
ドモノハイドライド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムクロリドモノハイドライド、ビス
（シクロペンタジエニル）チタニウムジハイドライド、
ビス（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジハイ
ドライド、ビス（エチルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジハイドライド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジハイドライド、ビス（シクロペン
タジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス
（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムビス（ジメ
チルアミド）、ビス（エチルシクロペンタジエニル）チ
タニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（ｎ−ブチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（シクロペンタジエニル）チタニウムビス
（ジエチルアミド）、ビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（エチル
シクロペンタジエニル）チタニウムビス（ジエチルアミ
ド）、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムビス（ジエチルアミド）、ビス（シクロペンタジエ
ニル）チタニウムジメチルアミドモノクロリド、ビス
（シクロペンタジエニル）チタニウムジエチルアミドモ
ノクロリド、ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）
チタニウムジメチルアミドモノクロリド、ビス（ｎ−ブ
チルシクロペンタジエニル）チタニウムジエチルアミド
モノクロリド、ビス（１，２−ジメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド、ビス（１，３−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル
−シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（１，２ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
メチル、ビス（１，３ジメチルシクロペンタジエニル）
チタニウムジメチル、ビス（１−エチル−３−メチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス（１−
ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チタ
ニウムジメチル、ビス（１，２−ジメチルシクロペンタ
ジエニル）チタニウムジエチル、ビス（１，３−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）チタニウムジエチル、ビス
（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジエチル、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−
シクロペンタジエニル）チタニウムジエチル、ビス
（１，２ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジ
イソブチル、ビス（１，３ジメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジイソブチル、ビス（１−エチル−３−
メチルシクロペンタジエニル）チタニウムジイソブチ
ル、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタ
ジエニル）チタニウムジイソブチル、ビス（１，２−ジ
メチルシクロペンタジエニル）チタニウムクロリドモノ
ハイドライド、ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムクロリドモノハイドライド、ビス
（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムクロリドモノハイドライド、ビス（１−ｎ−ブチ
ル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チタニウムク
ロリドモノハイドライド、ビス（１，２−ジメチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジハイドライド、ビス
（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジハイドライド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジハイドライド、ビス（１
−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チ
タニウムジハイドライド、ビス（１，２ジメチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジメトキシド、ビス（１，
３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメト
キシド、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジメトキシド、ビス（１−ｎ−ブチ
ル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チタニウムジ
メトキシド、ビス（１，２−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（１，
３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウムビス
（ジメチルアミド）、ビス（１−エチル−３−メチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ビス（１−ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペン
タジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス
（１，２−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ビス（ジエチルアミド）、ビス（１，３−ジメチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムビス（ジエチルアミ
ド）、ビス（１−エチル−３−メチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（１−
ｎ−ブチル−３−メチル−シクロペンタジエニル）チタ
ニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（１，３−ジメチ
ルシクロペンタジエニル）チタニウムジエチルアミドモ
ノクロリド、ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムクロリドジエチルアミドモノクロリ
ド、ビス（１−メチル−３−トリフルオロメチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（１−メ
チル−３−トリメチルシリルシクロペンタジエニル）チ
タニウムジクロリド、ビス（１，２，４−トリメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジメチル、ビス（１，２，４−トリメチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジハイドライド、ビス
（１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（ペンタメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチ
ル、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジハイドライド、ビス（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス
（インデニル）チタニウムジクロリド、ビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリ
ド、ビス（２−メチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド、ビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロ
インデニル）チタニウムジクロリド、シクロペンタジエ
ニルフルオレニルチタニウムジクロリド、ビス（インデ
ニル）チタニウムジメチル、ビス（４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）チタニウムジメチル、ビス（２
−メチルインデニル）チタニウムジメチル、ビス（２−
メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チ
タニウムジメチル、シクロペンタジエニルフルオレニル
チタニウムジメチル、ビス（インデニル）チタニウムジ
ハイドライド、ビス（４，５，６，７−テトラヒドロイ
ンデニル）チタニウムジハイドライド、ビス（２−メチ
ルインデニル）チタニウムジハイドライド、ビス（２−
メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チ
タニウムジハイドライド、シクロペンタジエニルフルオ
レニルチタニウムジハイドライド、ビス（インデニル）
チタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムビス（ジ
メチルアミド）、ビス（２−メチルインデニル）チタニ
ウムビス（ジメチルアミド）、ビス（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムビス
（ジメチルアミド）、シクロペンタジエニルフルオレニ
ルチタニウムビス（ジメチルアミド）、ビス（インデニ
ル）チタニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムビス
（ジエチルアミド）、ビス（２−メチルインデニル）チ
タニウムビス（ジエチルアミド）、ビス（２−メチル−
４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウム
ビス（ジエチルアミド）、シクロペンタジエニルフルオ
レニルチタニウムビス（ジエチルアミド）、ジメチルシ
ランジイルビス（シクロペンタジエニル）チタニウムジ
クロリド、ジメチルシランジイルビス（２−メチルシク
ロペンタジエニル）チタニウムジクロリドジメチルシラ
ンジイルビス（３−メチルシクロペンタジエニル）チタ
ニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（３−エ
チルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ジ
メチルシランジイルビス（３−ｎ−ブチルシクロペンタ
ジエニル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイ
ルビス（３−トリフルオロメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス
（３−トリメチルシリルシクロペンタジエニル）チタニ
ウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（シクロペ
ンタジエニル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジ
イルビス（２−メチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジメチル、ジメチルシランジイルビス（３−メチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ジメチルシ
ランジイルビス（３−エチルシクロペンタジエニル）チ
タニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（３−ｎ
−ブチルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、
ジメチルシランジイルビス（３−トリフルオロメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ジメチルシ
ランジイルビス（３−トリメチルシリルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビ
ス（シクロペンタジエニル）チタニウムジエチル、ジメ
チルシランジイルビス（シクロペンタジエニル）チタニ
ウムジブチル、ジメチルシランジイルビス（シクロペン
タジエニル）チタニウムジハイドライド、ジメチルシラ
ンジイルビス（シクロペンタジエニル）チタニウムビス
（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイルビス（シク
ロペンタジエニル）チタニウムビス（ジエチルアミ
ド）、ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ジメチル
シランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ビス（ジメチルアミド）、ジメチルシランジイルビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ビス（ジエチルアミド）、ジメチルシランジイルビス
（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジハイドライド、ジメチルシランジイルビス（２−ｉ−
プロピル−４−メチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（インデニ
ル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス
（２−メチルインデニル）チタニウムジクロリド、ジメ
チルシランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロ
インデニル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジ
イルビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロ
インデニル）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジ
イルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタ
ニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス（２−メ
チル−４−ナフチルインデニル）チタニウムジクロリ
ド、ジメチルシランジイル（シクロペンタジエニル）
（フルオレニル）チタニウムジクロリド、ジメチルシラ
ンジイルビス（４，５−ベンゾインデニル）チタニウム
ジクロリド、ジメチルシランジイルビス（インデニル）
チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２−
メチルインデニル）チタニウムジメチル、ジメチルシラ
ンジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタニウムジ
メチル、ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−
ナフチルインデニル）チタニウムジメチル、ジメチルシ
ランジイル（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）
チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（４，
５−ベンゾインデニル）チタニウムジメチル、ジメチル
シランジイルビス（インデニル）チタニウムジハイドラ
イド、ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニ
ル）チタニウムジハイドライド、ジメチルシランジイル
ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタ
ニウムジハイドライド、ジメチルシランジイルビス（２
−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）
チタニウムジハイドライド、ジメチルシランジイルビス
（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタニウムジ
ハイドライド、ジメチルシランジイルビス（２−メチル
−４−ナフチルインデニル）チタニウムジハイドライ
ド、ジメチルシランジイルビス（４，５−ベンゾインデ
ニル）チタニウムジハイドライド、ジメチルシランジイ
ルビス（インデニル）チタニウムビス（ジメチルアミ
ド）、ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニ
ル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシラ
ンジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチルシラ
ンジイルビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒ
ドロインデニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−フェニル
インデニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメ
チルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチルイン
デニル）チタニウムビス（ジメチルアミド）、ジメチル
シランジイルビス（４，５−ベンゾインデニル）チタニ
ウムビス（ジメチルアミド）、１，２−エタンジイルビ
ス（シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、
１，２−エタンジイルビス（インデニル）チタニウムジ
クロリド、１，２−エタンジイルビス（２−メチルイン
デニル）チタニウムジクロリド、１，２−エタンジイル
ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタニウ
ムジクロリド、１，２−エタンジイルビス（４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリ
ド、１，２−エタンジイルビス（２−メチル−４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリ
ド、１，２−エタンジイルビス（４，５−ベンゾインデ
ニル）チタニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビ
ス（シクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、１，
２−エタンジイルビス（インデニル）チタニウムジメチ
ル、エチレンビス（２−メチルインデニル）チタニウム
ジメチル、１，２−エタンジイルビス（２−メチル−４
−フェニルインデニル）チタニウムジメチル、１，２−
エタンジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロイン
デニル）チタニウムジメチル、１，２−エタンジイルビ
ス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル）チタニウムジメチル、１，２−エタンジイルビス
（４，５−ベンゾインデニル）チタニウムジメチル、イ
ソプロピリデンビス（シクロペンタジエニル）チタニウ
ムジクロリド、イソプロピリデンビス（インデニル）チ
タニウムジクロリド、イソプロピリデンビス（２−メチ
ルインデニル）チタニウムジクロリド、イソプロピリデ
ンビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタニ
ウムジクロリド、イソプロピリデンビス（４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド、
イソプロピリデンビス（２−メチル−４，５，６，７−
テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド、イソ
プロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニル）チタニ
ウムジクロリド、イソプロピリデンビス（シクロペンタ
ジエニル）チタニウムジメチル、イソプロピリデンビス
（インデニル）チタニウムジメチル、イソプロピリデン
ビス（２−メチルインデニル）チタニウムジメチル、イ
ソプロピリデンビス（２−メチル−４−フェニルインデ
ニル）チタニウムジメチル、イソプロピリデンビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウ
ムジメチル、イソプロピリデンビス（２−メチル−４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウムジメ
チル、イソプロピリデンビス（４，５−ベンゾインデニ
ル）チタニウムジメチル、シクロペンタジエニルチタニ
ウムトリクロリド、メチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムトリクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
チタニウムトリクロリド、インデニルチタニウムトリク
ロリド、４，５，６，７−テトラヒドロインデニルチタ
ニウムトリクロリド、シクロペンタジエニルチタニウム
トリメチル、メチルシクロペンタジエニルチタニウムト
リメチル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムトリメチル、インデニルチタニウムトリメチル、４，
５，６，７−テトラヒドロインデニルチタニウムトリメ
チル、ジメチルシランジイル（シクロペンタジエニル）
（ｔ−ブチルアミド）チタニウムジクロリド、ジメチル
シランジイル（シクロペンタジエニル）（シクロドデシ
ルアミド）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイ
ル（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルアミ
ド）チタニウムジクロリド、ジメチルシランジイル（シ
クロペンタジエニル）（ｔ−ブチルアミド）チタニウム
ジメチル、ジメチルシランジイル（シクロペンタジエニ
ル）（シクロドデシルアミド）チタニウムジメチル、ジ
メチルシランジイル（シクロペンタジエニル）（トリメ
チルシリルアミド）チタニウムジメチルがあげられる。
【００２３】これらの中では、特にビス（シクロペンタ
ジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（メチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（エチル
シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロ
リド、ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）
チタニウムジクロリド、ビス（１，２−ジメチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（インデ
ニル）チタニウムジクロリド、ビス（４，５，６，７−
テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド、ジメ
チルシランジイルビス（インデニル）チタニウムジクロ
リド、ジメチルシランジイルビス（４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド、ジメチ
ルシランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド、１，２−エタンジイル
ビス（インデニル）チタニウムジクロリド、１，２−エ
タンジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル）チタニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビ
ス（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジクロリド、シクロペンタジエニルチタニウムトリク
ロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウム
トリクロリド、インデニルチタニウムトリクロリド、
４，５，６，７−テトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロリド、ジメチルシランジイル（シクロペンタジエ
ニル）（ｔ−ブチルアミド）チタニウムジクロリド、メ
チルシランジイル（シクロペンタジエニル）（シクロド
デシルアミド）チタニウムジクロリド、ビス（シクロペ
ンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス（ｎ−ブチル
シクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス
（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジメチル、ビス（インデニル）チタニウムジメチル、ビ
ス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニ
ウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（インデニ
ル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウ
ムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメ
チルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、１，
２−エタンジイルビス（インデニル）チタニウムジメチ
ル、１，２−エタンジイルビス（４，５，６，７−テト
ラヒドロインデニル）チタニウムジメチル、１，２−エ
タンジイルビス（２，４−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジメチル、シクロペンタジエニルチタニ
ウムトリメチル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチ
タニウムトリメチル、インデニルチタニウムトリメチ
ル、４，５，６，７−テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリメチル、ジメチルシランジイル（シクロペンタジ
エニル）（ｔ−ブチルアミド）チタニウムジメチル、メ
チルシランジイル（シクロペンタジエニル）（シクロド
デシルアミド）チタニウムジメチルが好ましい。また、
これらのメタロセン系遷移金属化合物は単独で用いても
良いし、得られる重合体の物性を改良する等の目的に併
せ２種以上混合して使用しても良い。
ジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（メチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（エチル
シクロペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス
（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロ
リド、ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）
チタニウムジクロリド、ビス（１，２−ジメチルシクロ
ペンタジエニル）チタニウムジクロリド、ビス（インデ
ニル）チタニウムジクロリド、ビス（４，５，６，７−
テトラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド、ジメ
チルシランジイルビス（インデニル）チタニウムジクロ
リド、ジメチルシランジイルビス（４，５，６，７−テ
トラヒドロインデニル）チタニウムジクロリド、ジメチ
ルシランジイルビス（２，４−ジメチルシクロペンタジ
エニル）チタニウムジクロリド、１，２−エタンジイル
ビス（インデニル）チタニウムジクロリド、１，２−エ
タンジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデ
ニル）チタニウムジクロリド、１，２−エタンジイルビ
ス（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウ
ムジクロリド、シクロペンタジエニルチタニウムトリク
ロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウム
トリクロリド、インデニルチタニウムトリクロリド、
４，５，６，７−テトラヒドロインデニルチタニウムト
リクロリド、ジメチルシランジイル（シクロペンタジエ
ニル）（ｔ−ブチルアミド）チタニウムジクロリド、メ
チルシランジイル（シクロペンタジエニル）（シクロド
デシルアミド）チタニウムジクロリド、ビス（シクロペ
ンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス（ｎ−ブチル
シクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、ビス
（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタニウム
ジメチル、ビス（インデニル）チタニウムジメチル、ビ
ス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニ
ウムジメチル、ジメチルシランジイルビス（インデニ
ル）チタニウムジメチル、ジメチルシランジイルビス
（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタニウ
ムジメチル、ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメ
チルシクロペンタジエニル）チタニウムジメチル、１，
２−エタンジイルビス（インデニル）チタニウムジメチ
ル、１，２−エタンジイルビス（４，５，６，７−テト
ラヒドロインデニル）チタニウムジメチル、１，２−エ
タンジイルビス（２，４−ジメチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムジメチル、シクロペンタジエニルチタニ
ウムトリメチル、ペンタメチルシクロペンタジエニルチ
タニウムトリメチル、インデニルチタニウムトリメチ
ル、４，５，６，７−テトラヒドロインデニルチタニウ
ムトリメチル、ジメチルシランジイル（シクロペンタジ
エニル）（ｔ−ブチルアミド）チタニウムジメチル、メ
チルシランジイル（シクロペンタジエニル）（シクロド
デシルアミド）チタニウムジメチルが好ましい。また、
これらのメタロセン系遷移金属化合物は単独で用いても
良いし、得られる重合体の物性を改良する等の目的に併
せ２種以上混合して使用しても良い。
【００２４】成分［Ｃ］としては、（１）イオン交換性
層状化合物又は（２）層状構造を有しない無機珪酸塩、
即ち、非層状構造無機珪酸塩が用いられる。イオン交換
性層状化合物は、イオン結合等によって構成される面が
互いに弱い結合力で平行に積み重なった結晶構造をとる
化合物であり、含有するイオンが交換可能なものを言
う。大部分の粘土はイオン交換性層状化合物である。粘
土は通常粘土鉱物を主成分とする。これら、粘土、粘土
鉱物またはイオン交換性層状化合物は天然産のものに限
らず、人工合成物であってもよい。
層状化合物又は（２）層状構造を有しない無機珪酸塩、
即ち、非層状構造無機珪酸塩が用いられる。イオン交換
性層状化合物は、イオン結合等によって構成される面が
互いに弱い結合力で平行に積み重なった結晶構造をとる
化合物であり、含有するイオンが交換可能なものを言
う。大部分の粘土はイオン交換性層状化合物である。粘
土は通常粘土鉱物を主成分とする。これら、粘土、粘土
鉱物またはイオン交換性層状化合物は天然産のものに限
らず、人工合成物であってもよい。
【００２５】粘土、粘土鉱物の具体例としては、アロフ
ェン等のアロフェン族、ディッカイト、ナクライト、カ
オリナイト、アノーキサイト等のカオリン族、メタハロ
イサイト、ハロイサイト等のハロイサイト族、クリソタ
イル、リザルダイト、アンチゴライト等の蛇紋石族、モ
ンモリロナイト、ザウコナイト、バイデライト、ノント
ロナイト、サポナイト、ヘクトライト等のスメクタイ
ト、バーミキュライト等のバーミキュライト鉱物、イラ
イト、セリサイト、海緑石等の雲母鉱物、アタパルジャ
イト、セピオライト、パイゴルスカイト、ベントナイ
ト、木節粘土、ガイロメ粘土、ヒシンゲル石、パイロフ
ィライト、リョクデイ石群等が挙げられる。これらは混
合層を形成していてもよい。
ェン等のアロフェン族、ディッカイト、ナクライト、カ
オリナイト、アノーキサイト等のカオリン族、メタハロ
イサイト、ハロイサイト等のハロイサイト族、クリソタ
イル、リザルダイト、アンチゴライト等の蛇紋石族、モ
ンモリロナイト、ザウコナイト、バイデライト、ノント
ロナイト、サポナイト、ヘクトライト等のスメクタイ
ト、バーミキュライト等のバーミキュライト鉱物、イラ
イト、セリサイト、海緑石等の雲母鉱物、アタパルジャ
イト、セピオライト、パイゴルスカイト、ベントナイ
ト、木節粘土、ガイロメ粘土、ヒシンゲル石、パイロフ
ィライト、リョクデイ石群等が挙げられる。これらは混
合層を形成していてもよい。
【００２６】これらの中では、モンモリロナイト、ザウ
コナイト、バイデライト、ノントロナイト、サポナイ
ト、ヘクトライト、ベントナイト、テニオライト、雲母
等のスメクタイト族が好ましい。更にイオン交換性層状
化合物は、六万最密パッキング型、アンチモン型、Ｃｄ
Ｃｌ2 型、ＣｄＩ2 型等の層状の結晶構造を有するイオ
ン結晶性化合物等を例示することができる。このような
結晶構造を有するイオン交換性層状化合物の具体例とし
ては、α−Ｚｒ（ＨＡｓＯ4 ）2 ・Ｈ2 Ｏ、α−Ｚｒ
（ＨＰＯ4 ）2 、α−Ｚｒ（ＫＰＯ4 ）2 ・３Ｈ2 Ｏ、
α−Ｔｉ（ＨＰＯ4 ）2 、α−Ｔｉ（ＨＡｓＯ4 ）2 ・
Ｈ2 Ｏ、α−Ｓｎ（ＨＰＯ4 ）2 ・Ｈ2 Ｏ、γ−Ｚｒ
（ＨＰＯ4 ）2、γ−Ｔｉ（ＨＰＯ4 ）2 、γ−Ｔｉ
（ＮＨ4 ＰＯ4 ）2 ・Ｈ2 Ｏ等の多価金属の結晶性酸性
塩があげられる。これらは特に処理を行うことなくその
まま用いてもよいし、ボールミル、ふるいわけ、塩酸、
硫酸、リン酸等の無機酸、ギ酸、酢酸、安息香酸等の有
機酸、等との接触による酸処理等の処理を行った後に用
いてもよい。また単独で用いても、２種以上を混合して
用いてもよい。
コナイト、バイデライト、ノントロナイト、サポナイ
ト、ヘクトライト、ベントナイト、テニオライト、雲母
等のスメクタイト族が好ましい。更にイオン交換性層状
化合物は、六万最密パッキング型、アンチモン型、Ｃｄ
Ｃｌ2 型、ＣｄＩ2 型等の層状の結晶構造を有するイオ
ン結晶性化合物等を例示することができる。このような
結晶構造を有するイオン交換性層状化合物の具体例とし
ては、α−Ｚｒ（ＨＡｓＯ4 ）2 ・Ｈ2 Ｏ、α−Ｚｒ
（ＨＰＯ4 ）2 、α−Ｚｒ（ＫＰＯ4 ）2 ・３Ｈ2 Ｏ、
α−Ｔｉ（ＨＰＯ4 ）2 、α−Ｔｉ（ＨＡｓＯ4 ）2 ・
Ｈ2 Ｏ、α−Ｓｎ（ＨＰＯ4 ）2 ・Ｈ2 Ｏ、γ−Ｚｒ
（ＨＰＯ4 ）2、γ−Ｔｉ（ＨＰＯ4 ）2 、γ−Ｔｉ
（ＮＨ4 ＰＯ4 ）2 ・Ｈ2 Ｏ等の多価金属の結晶性酸性
塩があげられる。これらは特に処理を行うことなくその
まま用いてもよいし、ボールミル、ふるいわけ、塩酸、
硫酸、リン酸等の無機酸、ギ酸、酢酸、安息香酸等の有
機酸、等との接触による酸処理等の処理を行った後に用
いてもよい。また単独で用いても、２種以上を混合して
用いてもよい。
【００２７】非層状構造無機珪酸塩としてはゼオライ
ト、ケイソー土が挙げられる。上記のイオン交換性層状
化合物又はゼオライトはそのイオン交換性を利用して層
間等の陽イオンを別の陽イオンと置換、交換することが
出来る。具体的には層間に存在するＮａ+ 、Ｌｉ+ 等の
アルカリ金属を、他の陽イオンを持つ塩類、酸、アルカ
リ、有機化合物等で交換する。これらイオン交換の方法
は特に限定されず、一般的な方法を採用することができ
るが、一つの例としては、塩類、酸、アルカリまたは有
機化合物の水溶液に前記イオン交換性層状化合物又はゼ
オライトを加えて分散させ、所望の時間攪拌することに
より行われる。この際、塩類、酸、アルカリまたは有機
化合物の濃度、温度等を適切に選択することにより、あ
るいはイオン交換操作を複数回行うことなどによりイオ
ン交換量を所望の値にコントロールすることが出来る。
このとき用いる塩類としては、２〜１４族原子からなる
群より選ばれた少なくとも一種の原子を含む陽イオン
と、少なくとも一種の陰イオンとからなる化合物であ
る。このような塩類の好ましい化合物としては、ハロゲ
ン化物、無機酸塩、有機化合物塩等が挙げられる。ま
た、塩処理条件を適宜選択することによって、層構造中
の原子を交換することも可能である。
ト、ケイソー土が挙げられる。上記のイオン交換性層状
化合物又はゼオライトはそのイオン交換性を利用して層
間等の陽イオンを別の陽イオンと置換、交換することが
出来る。具体的には層間に存在するＮａ+ 、Ｌｉ+ 等の
アルカリ金属を、他の陽イオンを持つ塩類、酸、アルカ
リ、有機化合物等で交換する。これらイオン交換の方法
は特に限定されず、一般的な方法を採用することができ
るが、一つの例としては、塩類、酸、アルカリまたは有
機化合物の水溶液に前記イオン交換性層状化合物又はゼ
オライトを加えて分散させ、所望の時間攪拌することに
より行われる。この際、塩類、酸、アルカリまたは有機
化合物の濃度、温度等を適切に選択することにより、あ
るいはイオン交換操作を複数回行うことなどによりイオ
ン交換量を所望の値にコントロールすることが出来る。
このとき用いる塩類としては、２〜１４族原子からなる
群より選ばれた少なくとも一種の原子を含む陽イオン
と、少なくとも一種の陰イオンとからなる化合物であ
る。このような塩類の好ましい化合物としては、ハロゲ
ン化物、無機酸塩、有機化合物塩等が挙げられる。ま
た、塩処理条件を適宜選択することによって、層構造中
の原子を交換することも可能である。
【００２８】これらイオン交換性層状化合物あるいはゼ
オライトは、酸処理を行うことも可能である。この酸処
理では、層間等に存在するイオンがプロトンで置換させ
ることに加え、層構造からの陽イオンの溶出等により化
学組成を変化させることも可能である。このような酸処
理は、処理条件（酸濃度、温度）、酸の種類を適宜選択
することにより所望の酸処理イオン交換性層状化合物あ
るいはゼオライトを得ることができる。このような酸処
理に用いられる酸としては、特に限定されないが、好ま
しくは塩酸、硫酸、硝酸、酢酸あるいはシュウ酸であ
る。これらの酸は単独あるいは２種以上組み合わせて使
用することも可能であり、また、前記塩処理と組み合わ
せて行っても良い。
オライトは、酸処理を行うことも可能である。この酸処
理では、層間等に存在するイオンがプロトンで置換させ
ることに加え、層構造からの陽イオンの溶出等により化
学組成を変化させることも可能である。このような酸処
理は、処理条件（酸濃度、温度）、酸の種類を適宜選択
することにより所望の酸処理イオン交換性層状化合物あ
るいはゼオライトを得ることができる。このような酸処
理に用いられる酸としては、特に限定されないが、好ま
しくは塩酸、硫酸、硝酸、酢酸あるいはシュウ酸であ
る。これらの酸は単独あるいは２種以上組み合わせて使
用することも可能であり、また、前記塩処理と組み合わ
せて行っても良い。
【００２９】これらイオン交換性層状化合物あるいは非
層状構造無機珪酸塩を本触媒で使用する際には、使用す
る重合装置に合わせ、いかなる形状で使用してもかまわ
ないが、気相重合法、スラリー重合法等に適用する場合
には、平均粒径が５μｍから１００μｍの球状粒子に造
粒して使用することにより、触媒および得られるポリエ
チレンの嵩密度を高くすることが出来るのでプロセス運
転面で有利である。また、これらイオン交換性層状化合
物あるいは非層状構造無機珪酸塩は、メタロセン錯体と
反応させる前に乾燥させておくことが好ましい。
層状構造無機珪酸塩を本触媒で使用する際には、使用す
る重合装置に合わせ、いかなる形状で使用してもかまわ
ないが、気相重合法、スラリー重合法等に適用する場合
には、平均粒径が５μｍから１００μｍの球状粒子に造
粒して使用することにより、触媒および得られるポリエ
チレンの嵩密度を高くすることが出来るのでプロセス運
転面で有利である。また、これらイオン交換性層状化合
物あるいは非層状構造無機珪酸塩は、メタロセン錯体と
反応させる前に乾燥させておくことが好ましい。
【００３０】本発明において［Ｄ］成分として用いられ
る有機アルミニウム化合物としては、トリメチルアルミ
ニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリ−ｎ−
ヘキシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム、
ジエチルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアル
ミニウムハイドライド等のアルキルアルミニウムハイド
ライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジイソブチ
ルアルミニウムクロライド等のハロゲン含有アルキルア
ルミニウム、ジエチルアルミニウムメトキシド、ジイソ
ブチルアルミニウムメトキシド等のアルキルアルミニウ
ムアルコキシド、ジエチルアルミニウム（ジエチルアミ
ド）、ジイソブチルアルミニウム（ジエチルアミド）等
のアルキルアルミニウムアミドが挙げられる。これらの
中では、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリ−ｎ−
ヘキシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウムが
好ましい。
る有機アルミニウム化合物としては、トリメチルアルミ
ニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリ−ｎ−
ヘキシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム、
ジエチルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアル
ミニウムハイドライド等のアルキルアルミニウムハイド
ライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジイソブチ
ルアルミニウムクロライド等のハロゲン含有アルキルア
ルミニウム、ジエチルアルミニウムメトキシド、ジイソ
ブチルアルミニウムメトキシド等のアルキルアルミニウ
ムアルコキシド、ジエチルアルミニウム（ジエチルアミ
ド）、ジイソブチルアルミニウム（ジエチルアミド）等
のアルキルアルミニウムアミドが挙げられる。これらの
中では、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリ−ｎ−
ヘキシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウムが
好ましい。
【００３１】触媒の製造方法は特に限定されないが、例
えば以下の方法で製造することが可能である。不活性ガ
ス中、事前に乾燥した塩処理あるいは酸処理済みイオン
交換性層状化合物あるいは非層状構造無機珪酸塩を炭化
水素溶媒中に懸濁させ、これにメタロセン錯体を溶解し
た炭化水素溶液および必要に応じて有機アルミニウムを
加えて所定時間処理した後、濾過、洗浄することにより
得られる。
えば以下の方法で製造することが可能である。不活性ガ
ス中、事前に乾燥した塩処理あるいは酸処理済みイオン
交換性層状化合物あるいは非層状構造無機珪酸塩を炭化
水素溶媒中に懸濁させ、これにメタロセン錯体を溶解し
た炭化水素溶液および必要に応じて有機アルミニウムを
加えて所定時間処理した後、濾過、洗浄することにより
得られる。
【００３２】本触媒における［Ｅ］成分としてはα−オ
レフィン又は芳香族ビニルモノマーの重合体が用いら
れ、上述の触媒の存在下にα−オレフィン又は芳香族ビ
ニルモノマーを予備重合することによって形成される。
予備重合は通常、エチレンで行われるが、必要に応じて
他のオレフィン、例えばプロピレン、１−ブテン、４−
メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン等の
α−オレフィン、スチレン、α−メチルスチレン等の芳
香族ビニルモノマー、あるいはこれらの混合物を使用す
ることができる。
レフィン又は芳香族ビニルモノマーの重合体が用いら
れ、上述の触媒の存在下にα−オレフィン又は芳香族ビ
ニルモノマーを予備重合することによって形成される。
予備重合は通常、エチレンで行われるが、必要に応じて
他のオレフィン、例えばプロピレン、１−ブテン、４−
メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン等の
α−オレフィン、スチレン、α−メチルスチレン等の芳
香族ビニルモノマー、あるいはこれらの混合物を使用す
ることができる。
【００３３】本発明の触媒においては、［Ｅ］成分は予
備重合ポリマーとして該溶媒中に存在する。本発明の触
媒中に存在する予備重合ポリマーの量は、用いる［Ｃ］
成分、すなわちイオン交換性層状化合物あるいは非層状
構造無機珪酸塩１ｇに対して、０．０１〜１０００ｇで
あり、好ましくは０．１ｇから１００ｇ、さらに好まし
くは１ｇから５０ｇである。
備重合ポリマーとして該溶媒中に存在する。本発明の触
媒中に存在する予備重合ポリマーの量は、用いる［Ｃ］
成分、すなわちイオン交換性層状化合物あるいは非層状
構造無機珪酸塩１ｇに対して、０．０１〜１０００ｇで
あり、好ましくは０．１ｇから１００ｇ、さらに好まし
くは１ｇから５０ｇである。
【００３４】予備重合の方法は特に制限はなく、例え
ば、［Ａ］成分、［Ｂ］成分、［Ｃ］成分および［Ｄ］
成分を前記方法において処理後、エチレンを所定量重合
することにより製造することができる。この場合、メタ
ロセン系遷移金属成分である［Ａ］および［Ｂ］は同時
に添加しても良いし、［Ａ］成分のみで処理し予備重合
した後、［Ｂ］成分で処理、予備重合する方法、あるい
は［Ｂ］成分のみで処理し予備重合した後、［Ａ］成分
で処理、予備重合する方法、または［Ａ］成分を接触、
予備重合した後、［Ｂ］成分を接触し、そのままあるい
は溶媒を除去した後、乾燥して用いても良いし、［Ｂ］
成分を接触、予備重合した後、［Ａ］成分を接触し、そ
のままあるいは溶媒を除去した後、乾燥して用いても良
い。
ば、［Ａ］成分、［Ｂ］成分、［Ｃ］成分および［Ｄ］
成分を前記方法において処理後、エチレンを所定量重合
することにより製造することができる。この場合、メタ
ロセン系遷移金属成分である［Ａ］および［Ｂ］は同時
に添加しても良いし、［Ａ］成分のみで処理し予備重合
した後、［Ｂ］成分で処理、予備重合する方法、あるい
は［Ｂ］成分のみで処理し予備重合した後、［Ａ］成分
で処理、予備重合する方法、または［Ａ］成分を接触、
予備重合した後、［Ｂ］成分を接触し、そのままあるい
は溶媒を除去した後、乾燥して用いても良いし、［Ｂ］
成分を接触、予備重合した後、［Ａ］成分を接触し、そ
のままあるいは溶媒を除去した後、乾燥して用いても良
い。
【００３５】イオン交換性層状化合物あるいは非層状構
造無機珪酸塩とメタロセン系遷移金属化合物の接触に用
いる溶媒としては、不活性炭化水素、具体的にはペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン等の鎖状炭化水素、ベンゼン、
トルエン、キシレン等が好ましい。接触温度は特に限定
されないが、−２０℃から１５０℃の間で行うのが好ま
しい。
造無機珪酸塩とメタロセン系遷移金属化合物の接触に用
いる溶媒としては、不活性炭化水素、具体的にはペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン等の鎖状炭化水素、ベンゼン、
トルエン、キシレン等が好ましい。接触温度は特に限定
されないが、−２０℃から１５０℃の間で行うのが好ま
しい。
【００３６】イオン交換性層状化合物あるいは非層状構
造無機珪酸塩である［Ｃ］成分に対して使用するメタロ
セン系遷移金属化合物、［Ａ］成分および［Ｂ］成分の
量は、適宜選択されるが、好ましくは［Ｃ］成分１ｇに
対して、［Ａ］成分と［Ｂ］成分の合計量が１μｍｏｌ
〜１０００μｍｏｌの量で用いられる。また［Ａ］成分
に対する［Ｂ］成分の量は、予備重合あるいは本重合ポ
リマーの分子量、あるいは予備重合触媒の粉体性状（付
着性、帯電性、流動性等）等を考慮して決定されるが、
全体のメタロセン系遷移金属化合物に対して、［Ｂ］成
分は、好ましくは０．０１ｍｏｌ％から５０ｍｏｌ％、
さらに好ましくは、０．１ｍｏｌ％から２０ｍｏｌ％で
ある。
造無機珪酸塩である［Ｃ］成分に対して使用するメタロ
セン系遷移金属化合物、［Ａ］成分および［Ｂ］成分の
量は、適宜選択されるが、好ましくは［Ｃ］成分１ｇに
対して、［Ａ］成分と［Ｂ］成分の合計量が１μｍｏｌ
〜１０００μｍｏｌの量で用いられる。また［Ａ］成分
に対する［Ｂ］成分の量は、予備重合あるいは本重合ポ
リマーの分子量、あるいは予備重合触媒の粉体性状（付
着性、帯電性、流動性等）等を考慮して決定されるが、
全体のメタロセン系遷移金属化合物に対して、［Ｂ］成
分は、好ましくは０．０１ｍｏｌ％から５０ｍｏｌ％、
さらに好ましくは、０．１ｍｏｌ％から２０ｍｏｌ％で
ある。
【００３７】また、予備重合の方法は特に限定されない
が、通常、炭化水素溶媒中のスラリー重合にて行われ
る。この際に用いる炭化水素溶媒は、適宜選択される
が、例えば前述した接触の際に用いられる炭化水素溶媒
が好適に使用される。予備重合触媒は、予備重合終了後
のスラリーのまま使用しても良いし、必要に応じて洗浄
後、乾燥して粉体としたものを使用しても良い。この
際、乾燥条件は特に限定されないが、好ましくは減圧あ
るいは乾燥不活性ガス流通下、０℃〜１００℃の間で行
われる。
が、通常、炭化水素溶媒中のスラリー重合にて行われ
る。この際に用いる炭化水素溶媒は、適宜選択される
が、例えば前述した接触の際に用いられる炭化水素溶媒
が好適に使用される。予備重合触媒は、予備重合終了後
のスラリーのまま使用しても良いし、必要に応じて洗浄
後、乾燥して粉体としたものを使用しても良い。この
際、乾燥条件は特に限定されないが、好ましくは減圧あ
るいは乾燥不活性ガス流通下、０℃〜１００℃の間で行
われる。
【００３８】本発明の触媒はエチレンの重合に用いら
れ、コモノマーを含むことができる。用いるコモノマー
としては、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１
−ヘキセン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−
１−ペンテン、ビニルシクロヘキサン等のビニルシクロ
アルカン、エチリデンノルボルネン誘導体、スチレンあ
るいはスチレン誘導体等が挙げられる。重合プロセスは
特に限定されず、例えば、気相重合法、スラリー重合
法、溶液重合法、あるいは高圧重合法等に使用すること
ができるが、本触媒を用いた場合には、嵩密度が高く、
粒子形状の良好なポリエチレンが得られることから、気
相重合法およびスラリー重合法に対して好適に用いられ
る。
れ、コモノマーを含むことができる。用いるコモノマー
としては、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１
−ヘキセン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−
１−ペンテン、ビニルシクロヘキサン等のビニルシクロ
アルカン、エチリデンノルボルネン誘導体、スチレンあ
るいはスチレン誘導体等が挙げられる。重合プロセスは
特に限定されず、例えば、気相重合法、スラリー重合
法、溶液重合法、あるいは高圧重合法等に使用すること
ができるが、本触媒を用いた場合には、嵩密度が高く、
粒子形状の良好なポリエチレンが得られることから、気
相重合法およびスラリー重合法に対して好適に用いられ
る。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、粉体性状の良好な触媒
が得られ、あるいは得られる重合体の粉体性状に優れ、
嵩密度および分子量の高い重合体が得られる。
が得られ、あるいは得られる重合体の粉体性状に優れ、
嵩密度および分子量の高い重合体が得られる。
【００４０】
実施例１ 乾燥窒素流通下、８０℃で２時間乾燥した１０Ｌのオー
トクレーブにヘプタン３Ｌを加え、攪拌しながら３０℃
にコントロールした。事前に２００℃、２時間減圧乾燥
した亜鉛イオン交換型合成雲母の造粒品１５０ｇ（平均
粒径５８ミクロン）、さらにメタロセン錯体としてジメ
チルシランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロ
インデニル）ジルコニウムジクロリド、５．４７ｇの６
００ｍＬ、トルエン溶液、およびビスシクロペンタジエ
ニルチタニウムジクロリド、０．０６ｇのヘプタン溶
液、０．１Ｌを加え、窒素でおよそ０．５ｋｇｆ／ｃｍ
2 −Ｇ（ゲージ圧）に加圧した後、その温度で１０分間
接触した。接触終了後、トリエチルアルミニウムのヘプ
タン溶液（トリエチルアルミニウム、２．７ｇ相当）を
添加した後、６０℃まで昇温し、その温度でさらに１０
分間接触した。
トクレーブにヘプタン３Ｌを加え、攪拌しながら３０℃
にコントロールした。事前に２００℃、２時間減圧乾燥
した亜鉛イオン交換型合成雲母の造粒品１５０ｇ（平均
粒径５８ミクロン）、さらにメタロセン錯体としてジメ
チルシランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロ
インデニル）ジルコニウムジクロリド、５．４７ｇの６
００ｍＬ、トルエン溶液、およびビスシクロペンタジエ
ニルチタニウムジクロリド、０．０６ｇのヘプタン溶
液、０．１Ｌを加え、窒素でおよそ０．５ｋｇｆ／ｃｍ
2 −Ｇ（ゲージ圧）に加圧した後、その温度で１０分間
接触した。接触終了後、トリエチルアルミニウムのヘプ
タン溶液（トリエチルアルミニウム、２．７ｇ相当）を
添加した後、６０℃まで昇温し、その温度でさらに１０
分間接触した。
【００４１】接触後、内圧が０．２ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇ
になるまで窒素をパージした後、エチレンを９．５Ｌ／
ｍｉｎでフィードした。エチレンのフィードを開始する
と重合活性に応じて内部圧力が上昇するが、この内部圧
力が４．２ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇになったところで、エチ
レンのフィード速度を調整して圧力を４．２ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 −Ｇに保つようにコントロールした。エチレンの積
算フィード量が仕込み合成雲母に対しておよそ４倍のエ
チレン量になったところでエチレンのフィードを停止し
た後、オートクレーブを冷却しながら内部のエチレンを
パージして重合を停止した。
になるまで窒素をパージした後、エチレンを９．５Ｌ／
ｍｉｎでフィードした。エチレンのフィードを開始する
と重合活性に応じて内部圧力が上昇するが、この内部圧
力が４．２ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇになったところで、エチ
レンのフィード速度を調整して圧力を４．２ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 −Ｇに保つようにコントロールした。エチレンの積
算フィード量が仕込み合成雲母に対しておよそ４倍のエ
チレン量になったところでエチレンのフィードを停止し
た後、オートクレーブを冷却しながら内部のエチレンを
パージして重合を停止した。
【００４２】パージ後、内容物をオートクレーブ下部の
抜き出しラインより、窒素で充分置換された内容積１０
Ｌの振動式乾燥機にフィードした。静置、溶媒のデカン
ト後、減圧下、７０℃で２時間乾燥を行った。得られた
触媒の重量は、６５２ｇであり、原料の合成雲母に対し
て、４．３６倍の重量であった。この予備重合触媒中の
ポリエチレンのＭｗは１３８，０００であり、Ｍｗ／Ｍ
ｎは７．４０であり、触媒の嵩密度は０．３２１であっ
た。
抜き出しラインより、窒素で充分置換された内容積１０
Ｌの振動式乾燥機にフィードした。静置、溶媒のデカン
ト後、減圧下、７０℃で２時間乾燥を行った。得られた
触媒の重量は、６５２ｇであり、原料の合成雲母に対し
て、４．３６倍の重量であった。この予備重合触媒中の
ポリエチレンのＭｗは１３８，０００であり、Ｍｗ／Ｍ
ｎは７．４０であり、触媒の嵩密度は０．３２１であっ
た。
【００４３】比較例１ ビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロリドを添加
しなかった以外、実施例１と同様の方法で予備重合触媒
を製造した。得られた触媒の重量は、６７７ｇであり、
原料の合成雲母に対して、４．４９倍の重量であった。
この予備重合触媒中のポリエチレンのＭｗは６８，００
０であり、Ｍｗ／Ｍｎは５．２９であり、触媒の嵩密度
は０．２７１であった。
しなかった以外、実施例１と同様の方法で予備重合触媒
を製造した。得られた触媒の重量は、６７７ｇであり、
原料の合成雲母に対して、４．４９倍の重量であった。
この予備重合触媒中のポリエチレンのＭｗは６８，００
０であり、Ｍｗ／Ｍｎは５．２９であり、触媒の嵩密度
は０．２７１であった。
【００４４】実施例２ ビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロリドの使用
量を０．２９ｇに変更し、フィードエチレン量を３７２
Ｌに変更した以外、実施例１と同様の方法で予備重合触
媒を製造した。得られた触媒の重量は、４２１．３ｇで
あり、原料の合成雲母に対して、２．８４倍の重量であ
った。この予備重合触媒中のポリエチレンのＭｗは２０
８，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは９．１３であり、触媒
の嵩密度は０．４４０であった。
量を０．２９ｇに変更し、フィードエチレン量を３７２
Ｌに変更した以外、実施例１と同様の方法で予備重合触
媒を製造した。得られた触媒の重量は、４２１．３ｇで
あり、原料の合成雲母に対して、２．８４倍の重量であ
った。この予備重合触媒中のポリエチレンのＭｗは２０
８，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは９．１３であり、触媒
の嵩密度は０．４４０であった。
【００４５】実施例３ 乾燥窒素流通下、８０℃で２時間乾燥した１．５Ｌのオ
ートクレーブにヘプタン０．７００Ｌを加え、攪拌しな
がら３０℃にコントロールした。事前に２００℃、２時
間減圧乾燥した亜鉛イオン交換型合成雲母の造粒品２
４．０ｇ（平均粒径５８ミクロン）、さらにメタロセン
錯体としてビスシクロペンタジエニルジルコニウムジク
ロリド、０．８７ｇの９６ｍＬトルエン溶液、およびビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジクロリド、０．０
４６ｇのヘプタン溶液、５０ｍＬ溶液を加え、窒素でお
よそ０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇに加圧した後、その温度
で１０分間接触した。接触終了後、トリエチルアルミニ
ウムのヘプタン溶液（トリエチルアルミニウム、１．３
ｇ相当）を添加した後、６０℃まで昇温し、その温度で
さらに１０分間接触した。接触後、内圧が０．２ｋｇｆ
／ｃｍ2 −Ｇになるまで窒素をパージした後、エチレン
を０．６４Ｌ／ｍｉｎでフィードした。エチレンの積算
フィード量が仕込み合成雲母に対しておよそ４倍のエチ
レン量になったところでエチレンのフィードを停止した
後、オートクレーブを冷却しながら内部のエチレンをパ
ージして重合を停止した。
ートクレーブにヘプタン０．７００Ｌを加え、攪拌しな
がら３０℃にコントロールした。事前に２００℃、２時
間減圧乾燥した亜鉛イオン交換型合成雲母の造粒品２
４．０ｇ（平均粒径５８ミクロン）、さらにメタロセン
錯体としてビスシクロペンタジエニルジルコニウムジク
ロリド、０．８７ｇの９６ｍＬトルエン溶液、およびビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジクロリド、０．０
４６ｇのヘプタン溶液、５０ｍＬ溶液を加え、窒素でお
よそ０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇに加圧した後、その温度
で１０分間接触した。接触終了後、トリエチルアルミニ
ウムのヘプタン溶液（トリエチルアルミニウム、１．３
ｇ相当）を添加した後、６０℃まで昇温し、その温度で
さらに１０分間接触した。接触後、内圧が０．２ｋｇｆ
／ｃｍ2 −Ｇになるまで窒素をパージした後、エチレン
を０．６４Ｌ／ｍｉｎでフィードした。エチレンの積算
フィード量が仕込み合成雲母に対しておよそ４倍のエチ
レン量になったところでエチレンのフィードを停止した
後、オートクレーブを冷却しながら内部のエチレンをパ
ージして重合を停止した。
【００４６】パージ後、内容物をオートクレーブ下部の
抜き出しラインより窒素で充分置換された内容積２Ｌの
フラスコに抜き出した。静置、溶媒のデカント後、減圧
下、７０℃で２時間乾燥を行った。得られた触媒の重量
は、１１７．８ｇであり、原料の合成雲母に対して、
４．９１倍の重量であった。この予備重合触媒中のポリ
エチレンのＭｗは１２７，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは
５．６０であり、触媒の嵩密度は０．３２２であった。
抜き出しラインより窒素で充分置換された内容積２Ｌの
フラスコに抜き出した。静置、溶媒のデカント後、減圧
下、７０℃で２時間乾燥を行った。得られた触媒の重量
は、１１７．８ｇであり、原料の合成雲母に対して、
４．９１倍の重量であった。この予備重合触媒中のポリ
エチレンのＭｗは１２７，０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは
５．６０であり、触媒の嵩密度は０．３２２であった。
【００４７】比較例２ ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリドを添
加しなかった以外、実施例３と同様にして行った。得ら
れた触媒の重量は、１１８．６ｇであり、原料の合成雲
母に対して、４．９４倍の重量であった。この予備重合
触媒中のポリエチレンのＭｗは９２，０００であり、Ｍ
ｗ／Ｍｎは５．０４であり、触媒の嵩密度は０．３１５
であった。実施例１〜３、比較例１、２で得られた予備
重合触媒の評価結果を表１にまとめた。
加しなかった以外、実施例３と同様にして行った。得ら
れた触媒の重量は、１１８．６ｇであり、原料の合成雲
母に対して、４．９４倍の重量であった。この予備重合
触媒中のポリエチレンのＭｗは９２，０００であり、Ｍ
ｗ／Ｍｎは５．０４であり、触媒の嵩密度は０．３１５
であった。実施例１〜３、比較例１、２で得られた予備
重合触媒の評価結果を表１にまとめた。
【００４８】実施例４（予備重合触媒の重合評価） 事前に窒素流通下、１００℃で３０分間乾燥したステン
レス製、１．０Ｌのオートクレーブに室温でヘプタン５
００ｍＬ、１−ヘキセン７０ｍＬ、実施例１で製造した
予備重合触媒を粘土鉱物として０．０３ｇ相当の量
（０．１３ｇ）を導入した。温度とエチレンの圧力をそ
れぞれ６５℃および２２．０ｋｇｆ／ｃｍ2−Ｇまで上
げた。温度、圧力が安定したところで、トリエチルアル
ミニウムのヘプタン溶液（トリエチルアルミニウム５７
ｍｇ相当）を重合系に添加して重合を開始した。重合は
エチレン圧を２２．０ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇに保ったまま
１．０時間行った。重合終了後、反応系を冷却し、エチ
レンをパージした後、ポリエチレンのスラリーを抜き出
し、濾過した。得られたポリマーを１００℃で１２時間
乾燥して、２８．１ｇのエチレン／１−ヘキセン共重合
体を得た（実施例４−１）。結果を表２に示す。実施例
２および比較例１で製造した予備重合触媒も同様にして
重合を行ない、その結果を表２にまとめた（実施例４−
２、比較例４−１）。
レス製、１．０Ｌのオートクレーブに室温でヘプタン５
００ｍＬ、１−ヘキセン７０ｍＬ、実施例１で製造した
予備重合触媒を粘土鉱物として０．０３ｇ相当の量
（０．１３ｇ）を導入した。温度とエチレンの圧力をそ
れぞれ６５℃および２２．０ｋｇｆ／ｃｍ2−Ｇまで上
げた。温度、圧力が安定したところで、トリエチルアル
ミニウムのヘプタン溶液（トリエチルアルミニウム５７
ｍｇ相当）を重合系に添加して重合を開始した。重合は
エチレン圧を２２．０ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇに保ったまま
１．０時間行った。重合終了後、反応系を冷却し、エチ
レンをパージした後、ポリエチレンのスラリーを抜き出
し、濾過した。得られたポリマーを１００℃で１２時間
乾燥して、２８．１ｇのエチレン／１−ヘキセン共重合
体を得た（実施例４−１）。結果を表２に示す。実施例
２および比較例１で製造した予備重合触媒も同様にして
重合を行ない、その結果を表２にまとめた（実施例４−
２、比較例４−１）。
【００４９】実施例５（予備重合触媒の重合評価） 事前に窒素流通下、１００℃で３０分間乾燥したステン
レス製、１．０Ｌのオートクレーブに室温でヘプタン５
００ｍＬ、１−ヘキセン３０ｍＬ、実施例３で製造した
予備重合触媒を粘土鉱物として０．０８ｇ相当の量
（０．３９ｇ）を導入した。温度とエチレンの圧力をそ
れぞれ６５℃および７．０ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇまで上げ
た。温度、圧力が安定したところで、トリエチルアルミ
ニウムのヘプタン溶液（トリエチルアルミニウム２３ｍ
ｇ相当）を重合系に添加して重合を開始した。重合はエ
チレン圧を７．０ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇに保ったまま１．
５時間行った。重合終了後、反応系を冷却し、エチレン
をパージした後、ポリエチレンのスラリーを抜き出し、
濾過した。得られたポリマーを１００℃で１２時間乾燥
して、２５．８ｇのエチレン／１−ヘキセン共重合体を
得た（実施例５−３）。結果を表２に示す。比較例２で
製造した予備重合触媒も同様にして重合を行ない、その
結果を表２にまとめた（比較例５−２）。
レス製、１．０Ｌのオートクレーブに室温でヘプタン５
００ｍＬ、１−ヘキセン３０ｍＬ、実施例３で製造した
予備重合触媒を粘土鉱物として０．０８ｇ相当の量
（０．３９ｇ）を導入した。温度とエチレンの圧力をそ
れぞれ６５℃および７．０ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇまで上げ
た。温度、圧力が安定したところで、トリエチルアルミ
ニウムのヘプタン溶液（トリエチルアルミニウム２３ｍ
ｇ相当）を重合系に添加して重合を開始した。重合はエ
チレン圧を７．０ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇに保ったまま１．
５時間行った。重合終了後、反応系を冷却し、エチレン
をパージした後、ポリエチレンのスラリーを抜き出し、
濾過した。得られたポリマーを１００℃で１２時間乾燥
して、２５．８ｇのエチレン／１−ヘキセン共重合体を
得た（実施例５−３）。結果を表２に示す。比較例２で
製造した予備重合触媒も同様にして重合を行ない、その
結果を表２にまとめた（比較例５−２）。
【００５０】実施例６ 事前に窒素流通下、１００℃で３０分間乾燥したステン
レス製、１．０Ｌのオートクレーブに室温でヘプタン５
００ｍＬ、１−ヘキセン３０ｍＬを加え、３０℃に保っ
た。攪拌器を備えた２００ｍＬフラスコを窒素置換した
後、事前に２００℃、２時間減圧乾燥した亜鉛イオン交
換型合成雲母の造粒品２．０ｇ（平均粒径５８ミクロ
ン）、さらにメタロセン錯体として、ビス（ｎ−ブチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、６
４．６ｍｇおよびビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロリド、４．０ｍｇをトルエンに溶解させた錯体溶
液７０ｍＬを室温にて加えた。１０分間攪拌した後、ヘ
プタンを加えて全量を２００ｍＬとした後、この溶液の
４．０ｍＬ（合成雲母として８０ｍｇ相当）をピペット
で抜き取り、上記重合槽にフィードした。温度とエチレ
ンの圧力をそれぞれ６５℃および７．０ｋｇｆ／ｃｍ2
−Ｇまで上げた。温度、圧力が安定したところで、トリ
エチルアルミニウムのヘプタン溶液（トリエチルアルミ
ニウム２３ｍｇ相当）を重合系に添加して重合を開始し
た。重合はエチレン圧を７．０ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇに保
ったまま１．５時間行った。重合終了後、反応系を冷却
し、エチレンをパージした後、ポリエチレンのスラリー
を抜き出し、濾過した。得られたポリマーを１００℃で
１２時間乾燥して、３８．３ｇのエチレン／１−ヘキセ
ン共重合体を得た。結果を表３に示す。
レス製、１．０Ｌのオートクレーブに室温でヘプタン５
００ｍＬ、１−ヘキセン３０ｍＬを加え、３０℃に保っ
た。攪拌器を備えた２００ｍＬフラスコを窒素置換した
後、事前に２００℃、２時間減圧乾燥した亜鉛イオン交
換型合成雲母の造粒品２．０ｇ（平均粒径５８ミクロ
ン）、さらにメタロセン錯体として、ビス（ｎ−ブチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、６
４．６ｍｇおよびビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロリド、４．０ｍｇをトルエンに溶解させた錯体溶
液７０ｍＬを室温にて加えた。１０分間攪拌した後、ヘ
プタンを加えて全量を２００ｍＬとした後、この溶液の
４．０ｍＬ（合成雲母として８０ｍｇ相当）をピペット
で抜き取り、上記重合槽にフィードした。温度とエチレ
ンの圧力をそれぞれ６５℃および７．０ｋｇｆ／ｃｍ2
−Ｇまで上げた。温度、圧力が安定したところで、トリ
エチルアルミニウムのヘプタン溶液（トリエチルアルミ
ニウム２３ｍｇ相当）を重合系に添加して重合を開始し
た。重合はエチレン圧を７．０ｋｇｆ／ｃｍ2 −Ｇに保
ったまま１．５時間行った。重合終了後、反応系を冷却
し、エチレンをパージした後、ポリエチレンのスラリー
を抜き出し、濾過した。得られたポリマーを１００℃で
１２時間乾燥して、３８．３ｇのエチレン／１−ヘキセ
ン共重合体を得た。結果を表３に示す。
【００５１】比較例３ ビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロリドを使用
しない以外は、全く同一の条件で触媒調製および重合を
実施した。エチレン／１−ヘキセン共重合体の収量は４
７．４ｇであった。
しない以外は、全く同一の条件で触媒調製および重合を
実施した。エチレン／１−ヘキセン共重合体の収量は４
７．４ｇであった。
【００５２】
【表１】
【００５３】
【表２】
【００５４】
【表３】
【図１】本発明の理解を助けるためのフローチャートで
ある。
ある。
Claims (4)
- 【請求項１】 下記［Ａ］成分〜［Ｄ］成分を接触して
得られた生成物からなるエチレン重合用触媒。 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物 - 【請求項２】 下記［Ｅ］成分を含有する下記［Ａ］成
分〜［Ｄ］成分の接触生成物からなるエチレン重合用触
媒。 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物 ［Ｅ］上記［Ａ］成分〜［Ｄ］成分の接触生成物の存在
下にα−オレフィンを予備重合して得られたα−オレフ
ィン重合体、［Ｃ］成分１ｇあたり０．０１〜１０００
ｇ - 【請求項３】 下記［Ａ］成分〜［Ｄ］成分を接触して
得られた生成物からなるエチレン重合用触媒とエチレン
を接触させることを特徴とするエチレンの重合法。 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物 - 【請求項４】 下記［Ｅ］成分を含有する下記［Ａ］成
分〜［Ｄ］成分の接触生成物からなるエチレン重合用触
媒にエチレンを接触させることを特徴とするエチレンの
重合法。 ［Ａ］ジルコニウムあるいはハフニウムを含有するメタ
ロセン系遷移金属化合物 ［Ｂ］チタニウムを含有するメタロセン系遷移金属化合
物 ［Ｃ］イオン交換性層状化合物又は非層状構造無機珪酸
塩 ［Ｄ］有機アルミニウム化合物 ［Ｅ］上記［Ａ］成分〜［Ｄ］成分の接触生成物の存在
下にα−オレフィンを予備重合して得られたα−オレフ
ィン重合体、［Ｃ］成分１ｇあたり０．０１〜１０００
ｇ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20367796A JPH1045819A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | エチレン重合用触媒及びエチレンの重合法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20367796A JPH1045819A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | エチレン重合用触媒及びエチレンの重合法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1045819A true JPH1045819A (ja) | 1998-02-17 |
Family
ID=16478023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20367796A Pending JPH1045819A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | エチレン重合用触媒及びエチレンの重合法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1045819A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001316414A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-13 | Tosoh Corp | オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 |
| JP2001316415A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-13 | Tosoh Corp | オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 |
| JP2002194018A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-10 | Tosoh Corp | オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 |
| WO2003002616A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Japan Polychem Corporation | Catalyseur pour polymerisation d'olefines et procede correspondant |
| JP2003096125A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | 付加重合用触媒成分、付加重合用触媒および付加重合体の製造方法、並びにメタロセン系遷移金属化合物の用途 |
| JP2005206777A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Tosoh Corp | エチレン系重合体およびその製造方法 |
| JP2005256002A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Saudi Basic Industries Corp | オレフィン重合のための触媒組成物およびそれを用いた重合プロセス |
| JP2005272605A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Tosoh Corp | エチレン系樹脂組成物 |
| JP2015501855A (ja) * | 2011-11-24 | 2015-01-19 | サムスン トータル ペトロケミカルズ カンパニー リミテッド | オレフイン重合及び共重合用触媒及びこれを使用するオレフイン重合または共重合方法 |
| US11421051B2 (en) | 2017-12-18 | 2022-08-23 | Dow Global Technologies Llc | Zirconocene-titanocene catalyst system |
-
1996
- 1996-08-01 JP JP20367796A patent/JPH1045819A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001316414A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-13 | Tosoh Corp | オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 |
| JP2001316415A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-13 | Tosoh Corp | オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 |
| JP2002194018A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-10 | Tosoh Corp | オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 |
| WO2003002616A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Japan Polychem Corporation | Catalyseur pour polymerisation d'olefines et procede correspondant |
| US6943227B2 (en) | 2001-06-29 | 2005-09-13 | Japan Polypropylene Corporation | Catalyst for olefin polymerization and method of polymerization of olefin |
| JP2003096125A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | 付加重合用触媒成分、付加重合用触媒および付加重合体の製造方法、並びにメタロセン系遷移金属化合物の用途 |
| JP2005206777A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Tosoh Corp | エチレン系重合体およびその製造方法 |
| JP2005256002A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Saudi Basic Industries Corp | オレフィン重合のための触媒組成物およびそれを用いた重合プロセス |
| JP2005272605A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Tosoh Corp | エチレン系樹脂組成物 |
| JP2015501855A (ja) * | 2011-11-24 | 2015-01-19 | サムスン トータル ペトロケミカルズ カンパニー リミテッド | オレフイン重合及び共重合用触媒及びこれを使用するオレフイン重合または共重合方法 |
| US11421051B2 (en) | 2017-12-18 | 2022-08-23 | Dow Global Technologies Llc | Zirconocene-titanocene catalyst system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07224106A (ja) | オレフィン重合用触媒およびオレフィンの重合方法 | |
| JP2000072813A (ja) | オレフィン重合体の製造方法 | |
| JPH1045819A (ja) | エチレン重合用触媒及びエチレンの重合法 | |
| JP2000198812A (ja) | オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2001310921A (ja) | プロピレン／オレフィン・ブロック共重合体 | |
| JP2003105029A (ja) | オレフィン重合体及びその製造方法 | |
| JP3376091B2 (ja) | オレフィン重合用触媒およびオレフィンの重合方法 | |
| JPH11166011A (ja) | α−オレフィン重合用触媒成分、触媒およびα−オレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2974494B2 (ja) | オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JPH111508A (ja) | α−オレフィン重合用触媒成分、触媒およびα−オレフィン重合体の製造法 | |
| JPH07228621A (ja) | オレフィン重合用触媒およびこれを用いたオレフィンの重合方法 | |
| JP3836757B2 (ja) | オレフィンの重合方法 | |
| JP2004051715A (ja) | オレフィン重合用触媒及びポリオレフィンの製造方法 | |
| EP1373325B1 (en) | Latent metallocene catalyst systems for olefin polymerization | |
| JP4535573B2 (ja) | プロピレンブロック共重合体の製造方法 | |
| JP2000080117A (ja) | オレフィン重合用触媒成分の製造方法 | |
| JP3641535B2 (ja) | オレフィン重合用触媒およびオレフィンの重合方法 | |
| JP6360682B2 (ja) | オレフィン重合に用いる予備重合触媒成分の製造方法および当該予備重合触媒成分を用いたオレフィン重合体の製造方法 | |
| US20050026773A1 (en) | Latent metallocene catalyst systems for olefin polymerization | |
| JP2004059828A (ja) | オレフィン重合用触媒及びそれを用いるオレフィン重合体の製造方法 | |
| JPH0820606A (ja) | α‐オレフィン重合用触媒およびそれを用いたα‐オレフィン重合体の製造法 | |
| JP2002284808A (ja) | オレフィン重合用触媒及びポリオレフィンの製造方法 | |
| JP2002179723A (ja) | オレフィン重合用触媒及び該触媒を用いるオレフィンの重合方法 | |
| JPH11140111A (ja) | オレフィン重合用触媒及びこれを用いたオレフィン重合体の製造方法 | |
| JPH11106418A (ja) | オレフィン系単量体重合用触媒、オレフィン系重合体の製造方法及びスチレン系重合体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040305 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040810 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |