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JP3376091B2 - オレフィン重合用触媒およびオレフィンの重合方法 - Google Patents

オレフィン重合用触媒およびオレフィンの重合方法

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Publication number
JP3376091B2
JP3376091B2 JP10381694A JP10381694A JP3376091B2 JP 3376091 B2 JP3376091 B2 JP 3376091B2 JP 10381694 A JP10381694 A JP 10381694A JP 10381694 A JP10381694 A JP 10381694A JP 3376091 B2 JP3376091 B2 JP 3376091B2
Authority
JP
Japan
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zirconium
group
bis
cyclopentadienyl
tetraphenylborate
Prior art date
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Application number
JP10381694A
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JPH07309907A (ja
Inventor
禎徳 菅
弓人 上原
康夫 丸山
竹弘 寒河江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP10381694A priority Critical patent/JP3376091B2/ja
Publication of JPH07309907A publication Critical patent/JPH07309907A/ja
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Anticipated expiration legal-status Critical
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はオレフィン重合用触媒な
らびに該触媒を用いてオレフィン重合体を高い重合活性
で得る方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】オレフィンを(1)メタロセンおよび
(2)アルミノキサンからなる触媒の存在下に重合して
オレフィン重合体を製造することは知られている(特公
平4−12283号公報、特開昭60−35007号公
報等)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の触媒系は反応系に可溶性であることが多く、これを反
映して、スラリー重合あるいは気相重合で得られるオレ
フィン重合体は、粒子形状が不定形で嵩密度が小さく、
微粉が多い等粒子性状の極めて悪いものであり、製造工
程上の問題点を有している。
【0004】一方、これらの問題点を解消するために、
遷移金属化合物および有機アルミニウム化合物の一方あ
るいは両方をシリカ、アルミナ等の無機酸化物もしくは
有機物に担持させた触媒でオレフィンの重合を行う方法
も提案されている(特開昭60−35007号公報、同
61−31404号公報、同61−108610号公
報、同61−276805号公報、同61−29600
8号公報等)。しかし、これらの方法によって得られた
重合体は、微粉、粗粒が多く見られ、また、嵩密度も低
い等粒子性状の不良なものが多く、更には、固体成分あ
たりの重合活性が低い等の新たな問題点も有していた。
本発明者らは、これらの諸問題を解決するため、先に特
定の固体成分を用いる方法を提案した(特開平5−30
1917号公報)。しかし、この方法においても、固体
成分あたりの重合活性については、十分なものではなか
った。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、得られる
重合体の嵩密度等の粒子性状が良好で、遷移金属あたり
およびアルミニウムあたりだけでなく、固体成分あたり
の重合活性も十分に高い触媒を見いだすため鋭意検討し
た結果、本発明に到達し、上記目的を達成した。すなわ
ち本発明は、〔A〕メタロセン系遷移金属化合物、
〔B〕塩類処理と酸処理を行って得られる化学処理され
た粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物および
〔C〕有機アルミニウムからなることを特徴とするオレ
フィン重合用触媒および〔A〕メタロセン系遷移金属化
合物、〔B〕塩類処理と酸処理を行って得られる化学処
理された粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物
および〔C〕有機アルミニウムからなる触媒の存在下、
オレフィンを単独重合または共重合することを特徴とす
るオレフィン重合体の製造方法である。
【0006】以下本発明を詳細に説明する。本発明の触
媒に用いられる〔A〕成分であるメタロセン系遷移金属
化合物は、置換されていてもよい1個もしくは2個のシ
クロペンタジエニル系配位子すなわち置換基が結合して
縮合環を形成していてもよい1から2個のシクロペンタ
ジエニル環含有配位子と長周期表の3、4、5、6族の
遷移金属とからなる有機金属化合物、あるいはそれらの
カチオン型錯体である。かかるメタロセン系遷移金属化
合物として好ましいものは、下記一般式〔1〕もしくは
〔2〕で表される化合物である。
【0007】
【化1】 (CpR1 a 5-a p (CpR2 b 5-b q MR3 r …〔1〕 [(CpR1 a 5-a ) p (CpR2 b 5-b q MR3 r m n+[R4 ] …〔2〕 ここで、CpR1 a 5-a およびCpR2 b 5-b は、
シクロペンタジエニル(Cp)基の誘導体を示す。
【0008】〔1〕、〔2〕式中R1 、R2 は炭素数1
から20の置換されていてもよい炭化水素基、ケイ素含
有置換基、リン含有置換基、窒素含有置換基、酸素含有
置換基であり各々同一でも異なっていてもよい。具体的
には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル
基、イソペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル
基、p−トリル基、o−トリル基、m−トリル基等のア
リール基、フルオロメチル基、フルオロエチル基、フル
オロフェニル基、クロロメチル基、クロロエチル基、ク
ロロフェニル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、ブ
ロモフェニル基、ヨードメチル基、ヨードエチル基、ヨ
ードフェニル基等のハロ置換炭化水素基、トリメチルシ
リル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基等
のケイ素含有置換基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ
基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ、メ
チルフェノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基、p−ト
リルオキシ基、m−トリルオキシ基、o−トリルオキシ
基等のアリールオキシ基等があげられる。これらのうち
好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、トリ
メチルシリル基、メトキシ基、フェノキシ基等である。
【0009】また、R1 とR2 は、互いに結合して架橋
基を形成してもよい。具体的には、メチレン基、エチレ
ン基のようなアルキレン基、エチリデン基、プロピリデ
ン基、イソプロピリデン基、フェニルメチリデン基、ジ
フェニルメチリデン基のようなアルキリデン基、ジメチ
ルシリレン基、ジエチルシリレン基、ジプロピルシリレ
ン基、ジイソプロピルシリレン基、ジフェニルシリレン
基、メチルエチルシリレン基、メチルフェニルシリレン
基、メチルイソプロピルシリレン基、メチル−t−ブチ
ルシリレン基のようなケイ素含有架橋基、ジメチルゲル
ミレン基、ジエチルゲルミレン基、ジプロピルゲルミレ
ン基、ジイソプロピルゲルミレン基、ジフェニルゲルミ
レン基、メチルエチルゲルミレン基、メチルフェニルゲ
ルミレン基、メチルイソプロピルゲルミレン基、メチル
−t−ブチルゲルミレン基のようなゲルマニウム含有架
橋基等、アミノ基等、ホスフィニル基等があげられる。
【0010】さらに、R1 どうし、またはR2 どうしで
互いに結合して環を形成してもよい。具体的には、イン
デニル基、テトラヒドロインデニル基、フルオレニル
基、オクタヒドロフルオレニル基等が好ましくあげら
れ、これらは置換されていてもよい。R3 は炭素数1か
ら20の置換されてもよい炭化水素基、水素、ハロゲ
ン、ケイ素含有置換基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アミド基、またはチオアルコキシ基、S(O)S
5 、OR5 、NR5 t 、SiR5 、P(O)u 5 3
あり、sは0、1、2または3であり、tは0、1、2
または3であり、uは0、1、2または3であり、R5
は同一または異なっていてもよい水素、ハロゲン、ケイ
素含有基、ハロゲン置換基を有していてもよい炭素数が
1ないし20の炭化水素基である。
【0011】具体的には、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−
ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアル
キル基、フェニル基、p−トリル基、o−トリル基、m
−トリル基等のアリール基、フルオロメチル基、フルオ
ロエチル基、フルオロフェニル基、クロロメチル基、ク
ロロエチル基、クロロフェニル基、ブロモメチル基、ブ
ロモエチル基、ブロモフェニル基、ヨードメチル基、ヨ
ードエチル基、ヨードフェニル基等のハロ置換炭化水素
基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、トリメ
チルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリ
ル基等のケイ素含有置換基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブ
トキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキ
シ、メチルフェノキシ、ペンタメチルフェノキシ基、p
−トリルオキシ基、m−トリルオキシ基、o−トリルオ
キシ基等のアリールオキシ基、ジメチルアミド基、ジエ
チルアミド基、ジプロピルアミド基、ジイソプロピルア
ミド基、エチル−t−ブチルアミド基、ビス(トリメチ
ルシリル)アミド基等のアミド基、メチルチオアルコキ
シ基、エチルチオアルコキシ基、プロピルチオアルコキ
シ基、ブチルチオアルコキシ基、t−ブチルチオアルコ
キシ基、フェニルチオアルコキシ基等のチオアルコキシ
基があげられる。これらのうち好ましくは水素、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、フェニル基、塩素等のハロゲン、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ジメチルア
ミド基、メチルチオアルコキシ基があげられ、水素、メ
チル基、塩素が特に好ましい。
【0012】またR3 は、R1 もしくはR2 もしくはC
pと結合していてもよく、このような配位子の具体例と
して、CpH4 (CH2 n O−(1≦n≦5)、Cp
Me 4 (CH2 n O−(1≦n≦5)、CpH4 (M
2 Si)(t−Bu)N−、Cp(Me4 (Me2
i)(t−Bu)N−等(Cpはシクロペンタジエニル
基、Meはメチル、Buはブチル基を示す)があげられ
る。
【0013】さらに、R3 が相互に結合して二座配位子
を形成してもよい。このようなR3の具体例としては、
−OCH2 O−、−OCH2 CH2 O−、−O(o−C
6 4 )O−等があげられる。Mは周期率表第3、4、
5、6族の原子であり、具体的には、スカンジウム、イ
ットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオ
ジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テル
ビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツ
リウム、イッテルビウム、ルテチウム、アクチニウム、
トリウム、プロトアクチニウム、ウラン、チタニウム、
ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タン
タル、クロム、モリブデン、タングステンがあげられ
る。これらのうち、4族のチタニウム、ジルコニウム、
ハウニウムが好ましく用いられる。また、これらは混合
して用いてもよい。
【0014】Lは電気的に中性な配位子、mはその個数
で0以上の整数を示し、具体的にはジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、
アセトニトリルのようなニトリル類、ジメチルホルムア
ミドのようなアミド類、トリメチルホスフィンのような
ホスフィン類、トリメチルアミンのようなアミン類をあ
げることができる。好ましくはテトラヒドロフラン、ト
リメチルホスフィン、トリメチルアミンである。
【0015】〔R4 〕はカチオンを中和する1個または
2個以上のアニオンであり、具体的には、テトラフェニ
ルボレート、テトラ(p−トリル)ボレート、カルバド
デカボレート、ジカルバウンデカボレート、テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、テトラフルオロ
ボレート、ヘキサフルオロフォスフェート等をあげるこ
とができる。好ましくは、テトラフェニルボレート、テ
トラ(p−トリル)ボレート、テトラフルオロボレー
ト、ヘキサフルオロフォスフェートである。a、bは0
〜5の整数である。また、p、q、rは、Mの価数をV
とした時に、メタロセン系遷移金属化合物が式〔1〕の
場合には、p+q+r=Vを満たす負でない整数であ
り、メタロセン系遷移金属化合物が式〔2〕の場合に
は、p+q+r=V−nを満たす負でない整数である。
通常p、qは0〜3の整数で、好ましくは0又は1であ
る。rは0〜3の整数で好ましくは1又は2である。
【0016】本発明の触媒は、アイソタクチック重合
体、シンジオタクチック重合体およびアタクチック重合
体のいずれをも製造することができる。上述のメタロセ
ン系遷移金属化合物は、具体的には、ジルコニウムを例
にとれば、式〔1〕に相当するものとしては、ビス(メ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、ビス(メチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジメチル、ビス(エチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジメチル、ビス(メチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウム二水素化物、ビス(エチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、ビス(ジ
メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド、ビス(トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムジクロライド、ビス(テトラメチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(エチルテト
ラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロラ
イド、
【0017】ビス(インデニル)ジルコニウムジクロラ
イド、ビス(ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムジメチル、ビス(トリメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジメチル、ビス(テトラメチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス(エチル
テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメ
チル、ビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、ビス
(ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素
化物、ビス(トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウム二水素化物、ビス(エチルテトラメチルシクロペ
ンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、ビス(トリメ
チルシリルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチ
ル、ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウム二水素化物、ビス(トリフルオロメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ビス
(トリフルオロメチルシクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムジメチル、ビス(トリフルオロメチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウム二水素化物、イソプロピリデン
−ビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、イソ
プロピリデン−ビス(インデニル)ジルコニウムジメチ
ル、イソプロピリデン−ビス(インデニル)ジルコニウ
ム二水素化物、ペンタメチルシクロペンタジエニル(シ
クロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ペン
タメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジメチル、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素
化物、エチルテトラメチルシクロペンタジエニル(シク
ロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、イソプロ
ピリデン(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジ
ルコニウムジクロライド、イソプロピリデン(シクロペ
ンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジメチ
ル、ジメチルシリル(シクロペンタジエニル)(フルオ
レニル)ジルコニウムジメチル、イソプロピリデン(シ
クロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウム二
水素化物、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムジメチル、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムジエチル、ビス(シクロペンタジエニル)
【0018】ジルコニウムジプロピル、ビス(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジフェニル、メチルシクロ
ペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、エチルシクロペンタジエニル(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、メチルシク
ロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジメチル、エチルシクロペンタジエニル(シクロペン
タジエニル)ジルコニウムジメチル、メチルシクロペン
タジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水
素化物、エチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウム二水素化物、ジメチルシクロペン
タジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジク
ロライド、トリメチルシクロペンタジエニル(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、テトラメチ
ルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジル
コニウムジクロライド、ビス(ペンタメチルシクロペン
タジエニル)ジルコニウムジクロライド、テトラメチル
シクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロライド、インデニル(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシクロペンタ
ジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチ
ル、トリメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジメチル、テトラメチルシクロペ
ンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
メチル、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジメチル、エチルテトラメチルシクロペンタ
ジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチ
ル、インデニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジメチル、ジメチルシクロペンタジエニル(シクロペン
タジエニル)ジルコニウム二水素化物、トリメチルシク
ロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム二水素化物、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム二水素化物、インデニル(シクロペン
タジエニル)ジルコニウム二水素化物、トリメチルシリ
ルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジル
コニウムジメチル、トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化
物、トリフルオロメチルシクロペンタジエニル(シクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、トリフル
オロメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジメチル、トリフルオロメチルシクロ
ペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
二水素化物、ビス(シクロペンタジエニル)(トリメチ
ルシリル)(メチル)ジルコニウム、ビス(シクロペン
タジエニル)(トリフェニルシリル)(メチル)ジルコ
ニウム、ビス(シクロペンタジエニル)〔トリス(トリ
メチルシリル)シリル〕(メチル)ジルコニウム、ビス
(シクロペンタジエニル)〔ビス(メチルシリル)シリ
ル〕(メチル)ジルコニウム、ビス(シクロペンタジエ
ニル)(トリメチルシリル)(トリメチルシリルメチ
ル)ジルコニウム、ビス(シクロペンダジエニル)(ト
リメチルシリル)(ベンジル)ジルコニウム、メチレン
−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロラ
イド、エチレン−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロライド、イソプロピリデン−ビス(シクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチル
シリル−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
クロライド、メチレン−ビス(シクロペンタジエニル)
ジルコニウムジメチル、エチレン−ビス(シクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムジメチル、イソプロピリデン−
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリル−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジメチル、メチレン−ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム二水素化物、エチレン−ビス(シクロ
ペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、イソプロピ
リデン−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム二
水素化物、ジメチルシリル−ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム二水素化物、ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムビス(メタンスルホナト)、ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムビス(p−トル
エンスルホナト)、ビス(シクロペンタジエニル)ジル
コニウムビス(トリフルオロメタンスルホナト)、ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムトリフルオロメ
タンスルホナトクロライド、ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムビス(ベンゼンスルホナト)、ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムビス(ペンタフ
ルオロベンゼンスルホナト)、ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムベンゼンスルホナトクロライド、ビ
ス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(エトキシ)
トリフルオロメタンスルホナト、
【0019】ビス(テトラメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムビス(トリフルオロメタンスルホナ
ト)、ビス(インデニル)ジルコニウムビス(トリフル
オロメタンスルホナト)、エチレンビス(インデニル)
ジルコニウムビス(トリフルオロメタンスルホナト)、
イソプロピリデン−ビス(インデニル)ジルコニウムビ
ス(トルフルオロメタンスルホナト)、(第3級ブチル
アミド)ジメチル(テトラメチルシクロペンタジエニ
ル)シランジベンジルジルコニウム(第3級ブチルアミ
ド)ジメチル(2,3,4,5−テトラメチルシクロペ
ンタジエニル)シランジベンジルジルコニウム、インデ
ニルジルコニウムトリス(ジメチルアミド)、インデニ
ルジルコニウムトリス(ジエチルアミド)、インデニル
ジルコニウムトリス(ジ−n−プロピルアミド)、シク
ロペンタジエニルジルコニウムトリス(ジメチルアミ
ド)、メチルシクロペンタジエニルジルコニウムトリス
(ジメチルアミド)、(第3級ブチルアミド)(テトラ
メチルシクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイル
ジルコニウムジクロライド、(メチルアミド)−(テト
ラメチルシクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイ
ルジルコニウムジクロライド、
【0020】(エチルアミド)(テトラメチルシクロペ
ンタジエニル)メチレンジルコニウムジクロライド、
(第3級ブチルアミド)ジメチル−(テトラメチルシク
ロペンタジエニル)シランジルコニウムジクロライド、
(ベンジルアミド)ジメチル(テトラメチルシクロペン
タジエニル)シランジルコニウムジクロライド、(フェ
ニルホスフィド)ジメチル(テトラメチルシクロペンタ
ジエニル)シランジルコニウムジベンジル、(フェニル
アミド)ジメチル(テトラメチルシクロペンタジエニ
ル)シランジルコニウムジクロライド、(2−メトキシ
フェニルアミド)ジメチル(テトラメチルシクロペンタ
ジエニル)シランジルコニウムジクロライド、(4−フ
ルオロフェニルアミド)ジメチル(テトラメチルシクロ
ペンタジエニル)シランジルコニウムジクロライド、
((2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミ
ド)ジメチル(テトラメチルシクロペンタジエニル)ア
ミドジルコニウムジクロライド等である。
【0021】また、一般式〔2〕に相当するものとして
は、ビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
(クロライド)(テトラフェニルボレート)テトラヒド
ロフラン錯体、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボレート)
テトラヒドロフラン錯体、ビス(メチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(エチルシクロペ
ンタジエニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(メチルシ
クロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テト
ラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス
(エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリ
ド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、ビス(ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム(クロライド)(テトラフェニルボレート)テトラヒ
ドロフラン錯体、ビス(トリメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(テトラメチルシ
クロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス
(エチルテトラメチルシクロペンタジエニル)
【0022】ジルコニウム(クロライド)(テトラフェ
ニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(インデ
ニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(ジメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(トリ
メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、ビス(エチルテトラメチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(インデニル)ジ
ルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テト
ラヒドロフラン錯体、ビス(ジメチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(トリメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラ
フェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(エ
チルテトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、ビス(トリメチルシリル
シクロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス
(トリフルオロメチルシクロペンタジエニル)ジルコニ
ウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒド
ロフラン錯体、ビス(トリフルオロメチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニル
ボレート)テトラヒドロフラン錯体、イソプロピリデン
−ビス(インデニル)ジルコニウム(クロライド)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、イソ
プロピリデン−ビス(インデニル)ジルコニウム(メチ
ル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、イソプロピリデン−ビス(インデニル)ジルコニウ
ム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒド
ロフラン錯体、ペンタメチルシクロペンタジエニル(シ
クロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、エチ
ルテトラメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニル
ボレート)テトラヒドロフラン錯体、ペンタメチルシク
ロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、エチルテトラメチルシクロペンタジエニル
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ペン
タメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、エチルテトラメチルシク
ロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒド
ロフラン錯体、イソプロピリデン(シクロペンタジエニ
ル)(フルオレニル)ジルコニウム(クロライド)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、イソ
プロピリデン(シクロペンタジエニル)(フルオレニ
ル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、イソプロピリデン(シク
ロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウム(ヒ
ドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラ
ン錯体、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
(クロライド)(テトラフェニルボレート)テトラヒド
ロフラン錯体、ビス(シクロペンタジエニル)(メチ
ル)ジルコニウム(テトラフェニルボレート)テトラヒ
ドロフラン錯体、ビス(シクロペンタジエニル)(エチ
ル)ジルコニウム(テトラフェニルボレート)テトラヒ
ドロフラン錯体、ビス(シクロペンタジエニル)(プロ
ピル)ジルコニウム(テトラフェニルボレート)テトラ
ヒドロフラン錯体、ビス(シクロペンタジエニル)(フ
ェニル)ジルコニウム(テトラフェニルボレート)テト
ラヒドロフラン錯体、メチルシクロペンタジエニル(シ
クロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、エチ
ルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム(クロライド)(テトラフェニルボレート)テ
トラヒドロフラン錯体、ビス(エチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、メチルシクロペンタ
ジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチ
ル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、
【0023】エチルシクロペンタジエニル(シクロペン
タジエニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニル
ボレート)テトラヒドロフラン錯体、メチルシクロペン
タジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒ
ドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラ
ン錯体、エチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、ジメチルシクロペン
タジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(ク
ロライド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、トリメチルシクロペンタジエニル(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、テトラメチ
ルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム(クロライド)(テトラフェニルボレート)テ
トラヒドロフラン錯体、ビス(ペンタメチルシクロペン
タジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェ
ニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、インデニル
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)
【0024】(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、ジメチルシクロペンタジエニル(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、トリメチルシク
ロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、テトラメチルシクロペンタジエニル(シク
ロペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(ペン
タメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチ
ル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、シクロペンタジエニル(インデニル)ジルコニウム
(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、ジメチルシクロペンタジエニル(シクロペン
タジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、トリメチルシク
ロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒド
ロフラン錯体、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、インデニル(シクロペン
タジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、トリメチルシリ
ルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラ
ヒドロフラン錯体、トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリ
ド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、トリフルオロメチルシクロペンタジエニル(シクロ
ペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(シク
ロペンタジエニル)(トリメチルシリル)ジルコニウム
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
ビス(シクロペンタジエニル)(トリフェニルシリル)
ジルコニウム(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、ビス(シクロペンタジエニル)〔トリス
(トリメチルシリル)シリル〕ジルコニウム(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
【0025】ビス(シクロペンタジエニル)(トリメチ
ルシリルメチル)ジルコニウム(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、ビス(シクロペンタジエ
ニル)(ベンジル)ジルコニウム(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、メチレン−ビス(シク
ロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テト
ラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、エチレ
ン−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(クロ
ライド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラ
ン錯体、イソプロピリデン−ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、ジメチルシリル−ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
メチレン−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、エチレン−ビス(シクロペンタジエニル)ジ
ルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テト
ラヒドロフラン錯体、イソプロピリデン−ビス(シクロ
ペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェ
ニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ジメチルシリ
ル−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチ
ル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、メチレン−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニ
ウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒ
ドロフラン錯体、エチレン−ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、イソプロピリデン−ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
ジメチルシリル−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコ
ニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラ
ヒドロフラン錯体、ビス(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム(メタンスルホナト)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウム(p−トルエンスルホナト)(テト
ラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(トリフルオロ
メタンスルホナト)(テトラフェニルボレート)テトラ
ヒドロフラン錯体、ビス(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム(ベンゼンスルホナト)(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウム(ペンタフルオロベンゼンスルホ
ナト)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン
錯体、ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジル
コニウム(トリフルオロメタンスルホナト)(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、ビス(イン
デニル)ジルコニウム(トリフルオロメタンスルホナ
ト)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、エチレンビス(インデニル)ジルコニウム(トリフ
ルオロメタンスルホナト)(テトラフェニルボレート)
テトラヒドロフラン錯体、イソプロピリデン−ビス(イ
ンデニル)ジルコニウム(トリフルオロメタンスルホナ
ト)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体等である。
【0026】また、チタニウム化合物、ハフニウム化合
物等の他の第3、4、5、6族金属化合物についても、
上記と同様の化合物が挙げられる。更にこれらの化合物
の混合物を用いてもよい。本発明において、〔B〕成分
として、塩類処理と酸処理を行って得られる化学処理さ
れた粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物を用
いる。
【0027】ここで、粘土は、通常粘土鉱物を主成分と
して構成される。また、イオン交換性層状化合物は、イ
オン結合等によって構成される面が互いに弱い結合力で
平行に積み重なった結晶構造をとる化合物であり、含有
するイオンが交換可能なものをいう。大部分の粘土はイ
オン交換性層状化合物である。また、これら粘土、粘土
鉱物、イオン交換性層状化合物は天然産のものに限ら
ず、人工合成物であってよい。
【0028】粘土、粘土鉱物の具体例としては、アロフ
ェン等のアロフェン族、ディッカイト、ナクライト、カ
オリナイト、アノーキサイト等のカオリン族、メタハロ
イサイト、ハロイサイト等のハロイサイト族、クリソタ
イル、リザルダイト、アンチゴライト等の蛇紋石族、モ
ンモリロナイト、ザウコナイト、バイデライト、ノント
ロナイト、サポナイト、ヘクトライト等のスメクタイ
ト、バーミキュライト等のバーミキュライト鉱物、イラ
イト、セリサイト、海緑石等の雲母鉱物、アタパルジャ
イト、セピオライト、パリゴルスカイト、ベントナイ
ト、木節粘土、ガイロメ粘土、ヒシンゲル石、パイロフ
ィライト、リョクデイ石群等が挙げられる。これらは混
合層を形成していてもよい。〔B〕成分の具体例のうち
好ましくはディッカイト、ナクライト、カオリナイト、
アノーキサイト等のカオリン族、メタハロイサイト、ハ
ロイサイト等のハロイサイト族、クリソタイル、リザル
ダイト、アンチゴライト等の蛇紋石族、モンモリロナイ
ト、ザウコナイト、バイデライト、ノントロナイト、サ
ポナイト、ヘクトライト等のスメクタイト、バーミキュ
ライト等のバーミキュライト鉱物、イライト、セリサイ
ト、海緑石等の雲母鉱物があげられ、特に好ましくはモ
ンモリロナイト、ザウコナイト、バイデライト、ノント
ロナイト、サポナイト、ヘクトライト等のスメクタイト
があげられる。
【0029】イオン交換性層状化合物は、六方最密パッ
キング型、アンチモン型、CdCl 2 型、CdI2 型等
の層状の結晶構造を有するイオン結晶性化合物等例示す
ることができる。イオン交換性層状化合物の具体例とし
ては、α−Zr(HAsO4 2 ・H2O、α−Zr
(HPO4 2 、α−Zr(KPO4 2 ・3H2 O、
α−Ti(HPO4 2 、α−Ti(HAsO4 2
2 O、α−Sn(HPO4 2 ・H2 O、γ−Zr
(HPO4 2 、γ−Ti(HPO4 2 、γ−Ti
(NH4PO4 2 ・H2 O等の多価金属の結晶性酸性
塩があげられる。
【0030】これら、粘土、粘土鉱物またはイオン交換
性層状化合物を塩類処理と酸処理の化学処理することに
よって〔B〕成分を得る。塩類処理で用いられる塩類
は、Li,Na,K,Rb,Cs,Mg,Ca,Sr,
Ba,Fe,Al,NH4 の陽イオンとCl,I,PO
4 ,SO4 ,NO3,CO3 ,HCO3 ,C2 4 ,C
2 4 2 ,C6 5 7 の陰イオンからなる化合物か
ら選択される。
【0031】具体的には、LiCl,KCl,NaC
l,CaCl2 ,MgCl2 ,AlCl3 ,FeC
3 ,NH4 Cl,Na3 PO4 ,Na2 SO4 ,Na
2 4 2 NaHCO3 ,Na3 6 5 7 ,Na
NO3 ,Na2 2 4 ,(NH42 2 4 等があ
げられる。酸処理で用いられる酸は、好ましくは塩酸、
硫酸、硝酸、酢酸、シュウ酸から選択される。
【0032】処理に用いる塩類および酸は、2種以上で
あってもよい。塩類処理と酸処理の組合せ方法について
は、塩類処理を行った後、酸処理を行う方法、酸処理を
行った後、塩類処理を行う方法、および塩類処理と酸処
理を同時に行う方法がある。好ましくは塩類処理を行っ
た後、酸処理を行う方法があげられる。
【0033】塩類および酸による処理条件は、特には制
限されないが、塩類および酸濃度、処理温度、処理時間
を選択して、粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化
合物を構成している物質の少くとも一部を溶出する条件
で行うことが好ましい。また、塩類および酸は、一般的
には水溶液で用いられる。本発明では、上記塩類処理と
酸処理の化学処理が必須であるが、処理前、処理間、処
理後に粉砕や造粒等で形状制御を行ってもよい。また、
アルカリ処理や有機物処理等の他の化学処理を併用して
もよい。このようにして得られる〔B〕成分としては、
水銀圧入法で測定した半径20Å以上の細孔容積が0.
1cc/g以上、特には、0.3〜5cc/gのものが
好ましい。
【0034】〔B〕成分はそのまま用いても良いし、新
たに水を添加吸着させ、あるいは加熱脱水処理した後用
いても良い。また、単独で用いても、上記固体の2種類
以上を混合して用いても良い。また、本発明において
〔C〕成分として用いられる有機アルミニウム化合物の
例は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、トリプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミ
ニウム等のトリアルキルアルミニウム、ジエチルアルミ
ニウムモノクロライド、ジエチルアルミニウムメトキシ
ド等のハロゲンあるいはアルコキシ含有アルキルアルミ
ニウム、メチルアルミノキサン等のアルミノキサン等で
あり、このうち特にトリアルキルアルミニウムが好まし
い。〔A〕成分、〔B〕成分および〔C〕成分の3成分
を接触させて触媒とする。その接触方法は特に限定され
ないが、以下のような接触順序で接触させることができ
る。
【0035】〔A〕成分と〔B〕成分を接触させた後
に〔C〕成分を添加する。 〔A〕成分と〔C〕成分を接触させた後に〔B〕成分
を添加する。 〔B〕成分と〔C〕成分を接触させた後に〔A〕成分
を添加する。 そのほか、三成分を同時に接触してもよい。触媒各成分
の接触に際し、または接触の後にポリエチレン、ポリプ
ロピレン等の重合体、シリカ、アルミナ等の無機酸化物
の固体を共存させ、あるいは接触させてもよい。
【0036】接触は窒素等の不活性ガス中、ペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、トルエン、キシレン等の不活性炭
化水素溶媒中で行ってもよい。接触温度は、−20℃〜
溶媒の沸点の間で行い、特に室温から溶媒の沸点の間で
行うのが好ましい。触媒各成分の使用量は、〔B〕成分
1gあたり〔A〕成分が0.0001〜10mmol、
好ましくは0.001〜1mmolであり、〔C〕成分
が0.01〜10000mmol、好ましくは、0.1
〜100mmolである。また、〔A〕成分中の遷移金
属と〔C〕成分中のアルミニウムの原子比が1:0.0
1〜1000000、好ましくは0.1〜100000
である。
【0037】このようにして得られた触媒は、洗浄せず
に用いてもよく、また洗浄した後に用いてもよい。ま
た、必要に応じて新たに〔C〕成分を組合わせて用いて
もよい。この際に用いられる〔C〕成分の量は、〔A〕
成分中の遷移金属に対する〔C〕成分中のアルミニウム
の原子比で1:0〜10000になるように選ばれる。
【0038】重合の前に、エチレン、プロピレン、1−
ブテン、1−ヘキセン、1−オクテン、4−メチル−1
−ペンテン、3−メチル−1−ブテン、ビニルシクロア
ルカン、スチレン等のオレフィンを予備的に重合し、必
要に応じて洗浄したものを触媒成分として用いることも
できる。この予備的な重合は不活性溶媒中で穏和な条件
で行うことが好ましく、固体触媒1g当たり、0.01
〜1000g、好ましくは0.1〜100gの重合体が
生成するように行うことが望ましい。
【0039】重合に用いられるオレフィンとしては、エ
チレン、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、3−
メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ペンテン、4−
メチル−1−ペンテン、ビニルシクロアルカン、スチレ
ンあるいはこれらの誘導体等が挙げられる。また、重合
は単独重合のほか通常公知のランダム共重合やブロック
共重合にも好適に適用できる。重合反応は、ブタン、ペ
ンタン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、シクロヘキサ
ン等の不活性炭化水素や液化α−オレフィン等の溶媒存
在下、あるいは不存在下に行われる。温度は、−50℃
〜250℃であり、圧力は特に制限されないが、好まし
くは、常圧〜約2000kgf/cm2の範囲である。
また、重合系内に分子量調節剤として水素を存在させて
もよい。
【0040】
【実施例】次に実施例によって本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限りこれら
実施例によって制約を受けるものではない。なお、以下
の触媒合成工程および重合工程は、すべて精製窒素雰囲
気下で行った。また溶媒は、MS−4Aで脱水した後、
精製窒素でバブリングして脱気したものを用いた。
【0041】<実施例1> (1)粘土鉱物の化学処理 市販のモンモリロナイト(クニミネ工業社製、クニピア
F)40gを振動ボールミルで4時間粉砕した。500
ml4ツ口フラスコに粉砕モンモリロナイト19.9g
を入れ、MgCl2 ・6H2 O 20gを溶解させた脱
塩水100ml中に分散させ、撹拌下90℃で0.5時
間処理した。処理後固体成分を水洗した。この処理操作
をもう一度繰り返して、MgCl2 処理モンモリロナイ
トを得た。このものを乾燥した後、500ml4ツ口フ
ラスコに11.2g分取した。その後6.6%の塩酸水
溶液80mlに分散させて、撹拌しながら、還流下で2
時間処理した。処理後、液部が中性になるまで水洗し、
乾燥を行って、化学処理モンモリロナイトを得た。
【0042】(2)触媒の合成 100ml4ツ口フラスコに(1)で得た化学処理モン
モリロナイト(水分含量10.9重量%:150℃で1
時間の加熱脱水処理時の重量減量から求めた。以下同
様)2.27gを入れ、トルエン25mlに分散させて
スラリーとした。一方で100ml4ツ口フラスコにト
ルエン20mlおよびトリメチルアルミニウム25mm
olを加えた。このものを撹拌しながら、室温において
上記スラリーを全量10分間で滴下した。滴下後室温で
0.5時間反応させて、昇温を行った後100℃で1時
間反応させた。反応後上澄液を抜出し、固体成分をトル
エンで洗浄した。得られた固体成分にトルエン20ml
およびビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジク
ロライドのトルエン溶液(22.3μmol/ml)を
11ml添加して、室温で1時間接触させた。その後、
上澄液を抜出して、固体成分をトルエンで洗浄した。
【0043】(3)エチレン−ブテン共重合 2リットルオートクレーブにn−ヘキサン740ml、
トリエチルアルミニウム0.1mmolおよび1−ブテ
ン160mlを加え、70℃に昇温した。次いで(2)
で得られた固体成分を67mgエチレンとともに導入
し、全圧を25.5kg/cm2 に保って、70℃で1
時間重合を行った。1時間後エタノールを加えて重合を
停止させた。得られたエチレン−ブテン共重合体は19
1gであった。固体成分1gあたりの共重合体生成量は
2850gであった。
【0044】<実施例2> (1)触媒の合成 実施例1 (2)において、トリメチルアルミニウムに代
えて、トリエチルアルミニウム23mmolを用い、有
機アルミニウム化合物との反応を室温で2時間とした以
外は実施例1 (2)と同様にして固体成分を得た。
【0045】(2)エチレン−ブテン共重合 実施例2 (1)で得られた固体成分を51mg用い、ト
リメチルアルミニウムに代えてトリエチルアルミニウム
0.1mmolを用いた以外は、実施例1 (3)と同様
にして、エチレン−ブテン共重合を行った。得られたエ
チレン−ブテン共重合体は151gであった。固体成分
1gあたりの共重合体生成量は2960gであった。
【0046】<実施例3> (1)粘土鉱物の化学処理 市販のモンモリロナイト(クニミネ工業社製,クニピア
F)50gを500ml4ツ口フラスコに入れ、MgC
2 ・6H2 O 40gを溶解させた脱塩水300ml
を加えて、撹拌下90℃で1時間処理した。処理後固体
成分を水洗した。この処理操作をもう一度繰り返してM
gCl2 処理モンモリロナイトを得た。このものを乾燥
した後、振動ボールミルで4時間粉砕を行った。この粉
砕物20gを500ml4ツ口フラスコに入れ、11.
5%の塩酸水溶液70mlを加えて、撹拌しながら、還
流下で6時間処理した。処理後、液部が中性になるまで
水洗し、乾燥を行って、化学処理モンモリロナイトを得
た。
【0047】(2)触媒の合成 100ml4ツ口フラスコに実施例3 (1)で得た化学
処理モンモリロナイト(水分含量8.8重量%)3.1
gを入れ、トルエン25mlに分散させてスラリーとし
た。
【0048】一方で100ml4ツ口フラスコにトルエ
ン20mlおよびトリメチルアルミニウム28.6mm
olを加えた。これを撹拌しながら、室温において上記
スラリーを12分間で全量滴下した。滴下後、室温で
0.5時間反応させ、更に100℃で1時間反応させ
た。反応後上澄液を抜き出して、固体成分をトルエンで
洗浄した。得られた固体成分にトルエン30mlおよび
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ドのトルエン溶液(28.9μmol/ml)を7.5
ml添加して、室温で1時間接触させた。その後上澄液
を抜き出して固体成分をトルエンで洗浄した。
【0049】(3)エチレン−ブテン共重合 実施例3 (2)で得られた固体成分を95mg用いた以
外は、実施例1 (3)と同様にして、エチレン−ブテン
の共重合を行った。得られたエチレン−ブテン共重合体
は、160gであった。また、固体成分1gあたりの共
重合体生成量は1680gであった。
【0050】<比較例1> (1)粘土鉱物の化学処理 市販のモンモリロナイト(クニミネ工業社製、クニピア
F)38gを振動ボールミルで4時間粉砕した。500
ml4ツ口フラスコに粉砕モンモリロナイト38gを入
れ、11.5%の塩酸水溶液240mlを加えて、撹拌
しながら還流下で6時間処理した。処理後液部が中性に
なるまで水洗し、乾燥を行って化学処理モンモリロナイ
トを得た。
【0051】(2)触媒の合成 100ml4ツ口フラスコに比較例1 (1)で得た化学
処理モンモリロナイト(水分含量10.2重量%)3.
35gを入れ、トルエン25mlに分散させてスラリー
とした。一方で100ml4ツ口フラスコにトルエン2
5mlおよびトリメチルアルミニウム37.1mmol
を加えた。これを撹拌しながら、室温において上記スラ
リーを10分間で全量滴下した。滴下後、室温で0.5
時間、更に100℃で1時間反応させた。その後上澄液
を抜き出して固体成分をトルエンで洗浄した。得られた
固体成分にトルエン31mlおよびビス(シクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムジクロライドのトルエン溶液
(18.7μmol/ml)を15ml添加して室温で
1時間接触させた。その後上澄液を抜き出して固体成分
をトルエンで洗浄した。
【0052】(3)エチレン−ブテン共重合 比較例1 (2)で得られた固体成分を95mg用いた以
外は、実施例1 (3)と同様にしてエチレン−ブテンの
共重合を行った。得られたエチレン−ブテン共重合体
は、38gであった。このものの固体成分1gあたりの
共重合体生成量は、400gであった。
【0053】<比較例2> (1)触媒の合成 100ml4ツ口フラスコに実施例3 (1)でMgCl
2 処理後粉砕を行ったモンモリロナイト(水分含量1
3.9重量%)2.68gを入れ、トルエン20mlに
分散させてスラリーとした。一方で100ml4ツ口フ
ラスコにトルエン20mlおよびトリメチルアルミニウ
ム37.3mmolを加えた。これを撹拌しながら、室
温において上記スラリーを10分間で全量滴下した。滴
下後室温で0.5時間、更に100℃で1時間反応させ
た後、上澄液を抜き出して固体部をトルエンで洗浄し
た。得られた固体部にトルエン20mlおよびビス(シ
クロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライドのトル
エン溶液(28.9μmol/ml)を6.5ml添加
して室温で1時間接触させた。その後上澄液を抜き出し
て、固体成分をトルエンで洗浄した。
【0054】(3)エチレン−ブテン共重合 比較例1 (2)で得られた固体成分を95mg用いた以
外は、実施例1 (3)と同様にしてエチレン−ブテンの
共重合を行った。得られたエチレン−ブテン共重合体は
14gであった。また、固体成分1gあたりの共重合体
生成量は150gであった。
【0055】
【発明の効果】本発明の方法によれば、オレフィン重合
体を遷移金属あたりおよびAlあたりだけでなく、固体
成分あたりの重合活性でも極めて高く得ることができる
ため、得られた重合体から触媒残渣を除去する必要がな
く、工業的に極めて有用である。
フロントページの続き (72)発明者 寒河江 竹弘 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平5−301917(JP,A) 特開 平7−228621(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08F 4/60 - 4/70

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 〔A〕メタロセン系遷移金属化合物、
    〔B〕塩類処理と酸処理を行って得られた粘土、粘土鉱
    物またはイオン交換性層状化合物および〔C〕有機アル
    ミニウム化合物からなることを特徴とするオレフィン重
    合用触媒。
  2. 【請求項2】 〔A〕メタロセン系遷移金属化合物、
    〔B〕塩類処理と酸処理を行って得られた粘土、粘土鉱
    物またはイオン交換性層状化合物および〔C〕有機アル
    ミニウム化合物からなる触媒の存在下、オレフィンを単
    独重合または共重合することを特徴とするオレフィンの
    重合方法。
  3. 【請求項3】 〔B〕粘土、粘土鉱物またはイオン交換
    性層状化合物が塩類処理を行った後酸処理を行って得ら
    れたものであることを特徴とする請求項1に記載のオレ
    フィン重合用触媒。
  4. 【請求項4】 塩類処理に用いる塩類がLi,Na,
    K,Rb,Cs,Mg,Ca,Sr,Ba,Fe,A
    l,NH4 の陽イオンとCl,I,PO4 ,SO 4 ,N
    3 ,CO3 ,HCO3 ,C2 4 ,C2 4 2 ,C
    6 5 7 の陰イオンからなる化合物から選択して用い
    ることを特徴とする請求項1に記載のオレフィン重合用
    触媒。
  5. 【請求項5】 酸類処理に用いる酸として、塩酸、硫
    酸、硝酸、酢酸、シュウ酸から選択して用いることを特
    徴とする請求項1に記載のオレフィン重合用触媒。
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