JPH103643A - ディスク状磁気記録媒体 - Google Patents
ディスク状磁気記録媒体Info
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- JPH103643A JPH103643A JP15136596A JP15136596A JPH103643A JP H103643 A JPH103643 A JP H103643A JP 15136596 A JP15136596 A JP 15136596A JP 15136596 A JP15136596 A JP 15136596A JP H103643 A JPH103643 A JP H103643A
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- soft magnetic
- ferromagnetic layer
- magnetic
- ferromagnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁変換特性、特に高密度記録特性が格段に
改良されたディスク状磁気記録媒体を提供すること。 【解決手段】 非磁性支持体上に軟磁性層と強磁性六方
晶フェライト微粉末を結合剤中に分散してなる強磁性層
をこの順に設けたディスク状磁気記録媒体において、該
強磁性層の厚みが0.5μm以下であり、かつ該強磁性
層の任意の場所における光沢度の測定方向依存性が5%
以内であることを特徴とするディスク状磁気記録媒体。
改良されたディスク状磁気記録媒体を提供すること。 【解決手段】 非磁性支持体上に軟磁性層と強磁性六方
晶フェライト微粉末を結合剤中に分散してなる強磁性層
をこの順に設けたディスク状磁気記録媒体において、該
強磁性層の厚みが0.5μm以下であり、かつ該強磁性
層の任意の場所における光沢度の測定方向依存性が5%
以内であることを特徴とするディスク状磁気記録媒体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性層と軟磁性層を有
し、最上層に六方晶フェライト微粉末を含む高密度記録
用のディスク状磁気記録媒体に関するものである。
し、最上層に六方晶フェライト微粉末を含む高密度記録
用のディスク状磁気記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスクの分野において、Co変性
酸化鉄を用いた2MBのMF−2HDフロッピーディス
クがパーソナルコンピュータに標準搭載されようになっ
た。しかし扱うデータ容量が急激に増加している今日に
おいて、その容量は十分とは言えなくなり、フロッピー
ディスクの大容量化が望まれていた。
酸化鉄を用いた2MBのMF−2HDフロッピーディス
クがパーソナルコンピュータに標準搭載されようになっ
た。しかし扱うデータ容量が急激に増加している今日に
おいて、その容量は十分とは言えなくなり、フロッピー
ディスクの大容量化が望まれていた。
【0003】従来、磁気記録媒体には酸化鉄、Co変性
酸化鉄、CrO2 、強磁性金属粉末、六方晶系フェライ
ト粉末を結合剤中に分散した磁性層を非磁性支持体に塗
設したものが広く用いられる。この中でも強磁性金属微
粉末と六方晶系フェライト微粉末は高密度記録特性に優
れていることが知られている。高密度記録特性に優れる
強磁性金属微粉末を用いた大容量ディスクとしては10
MBのMF−2TD、21MBのMF−2SDまたは六
方晶フェライトを用いた大容量ディスクとしては4MB
のMF−2ED、21MBフロプティカルなどがある
が、容量、性能的に十分とは言えなかった。このような
状況に対し、高密度記録特性を向上させる試みが多くな
されている。
酸化鉄、CrO2 、強磁性金属粉末、六方晶系フェライ
ト粉末を結合剤中に分散した磁性層を非磁性支持体に塗
設したものが広く用いられる。この中でも強磁性金属微
粉末と六方晶系フェライト微粉末は高密度記録特性に優
れていることが知られている。高密度記録特性に優れる
強磁性金属微粉末を用いた大容量ディスクとしては10
MBのMF−2TD、21MBのMF−2SDまたは六
方晶フェライトを用いた大容量ディスクとしては4MB
のMF−2ED、21MBフロプティカルなどがある
が、容量、性能的に十分とは言えなかった。このような
状況に対し、高密度記録特性を向上させる試みが多くな
されている。
【0004】高密度記録特性に優れる磁性体として特開
昭61−217936号報、特開昭61−273735
号報には六方晶フェライト磁性体が提案されている。六
方晶フェライト磁性体は、その粒子サイズが小さいこ
と、形状が平板状でしかもその板面に垂直な方向に磁化
容易軸があること等から高密度記録用の磁気記録媒体に
用いる磁性体として有望視されている。
昭61−217936号報、特開昭61−273735
号報には六方晶フェライト磁性体が提案されている。六
方晶フェライト磁性体は、その粒子サイズが小さいこ
と、形状が平板状でしかもその板面に垂直な方向に磁化
容易軸があること等から高密度記録用の磁気記録媒体に
用いる磁性体として有望視されている。
【0005】そして、六方晶フェライト磁性体を面内垂
直方向に配向させることで、さらに自己減磁を小さくす
ることが特開平4−123312号報、特開昭62−2
08415号報に、さらには磁性層を二層以上設け、上
層に垂直配向した六方晶フェライトを用いた例が特開昭
60−212817号報、特開平1−251427号
報、特開平1−251424号報、特開平1−2514
26号報、特開昭59−129935号報、特開昭64
−79930号報、特開昭64−55732号報、特開
昭59−77628号報などで開示されている。しか
し、未だ十分な特性を得るに至っていない。
直方向に配向させることで、さらに自己減磁を小さくす
ることが特開平4−123312号報、特開昭62−2
08415号報に、さらには磁性層を二層以上設け、上
層に垂直配向した六方晶フェライトを用いた例が特開昭
60−212817号報、特開平1−251427号
報、特開平1−251424号報、特開平1−2514
26号報、特開昭59−129935号報、特開昭64
−79930号報、特開昭64−55732号報、特開
昭59−77628号報などで開示されている。しか
し、未だ十分な特性を得るに至っていない。
【0006】このような問題に対し下地層として抗磁力
が低く、透磁率の高い軟磁性の金属薄膜、または粒子塗
布膜を形成し、その上に六方晶フェライトを含む塗布層
を設ける試みが特開昭56−98718号報、特開昭5
9−94231号報、特開昭59−167843号報、
特開昭62−180522号報に示されている。しかし
今日要求される高密度記録に対しては既に十分な特性と
は言えなくなっている。
が低く、透磁率の高い軟磁性の金属薄膜、または粒子塗
布膜を形成し、その上に六方晶フェライトを含む塗布層
を設ける試みが特開昭56−98718号報、特開昭5
9−94231号報、特開昭59−167843号報、
特開昭62−180522号報に示されている。しかし
今日要求される高密度記録に対しては既に十分な特性と
は言えなくなっている。
【0007】一方、最近になり薄層磁性層と機能性非磁
性層からなるディスク状磁気記録媒体が開発され、10
0MBクラスのフロッピーディスクが登場している。こ
れらの特徴を示すものとして、特開平5−109061
にはHcが1400Oe以上で厚さ0.5μm以下の磁性
層と導電性粒子を含む非磁性層を有する構成が、特開平
5−290354には磁性層厚が0.5μm以下で、磁
性層厚の厚み変動を±15%以内とし、表面電気抵抗を
規定した構成が提案されている。
性層からなるディスク状磁気記録媒体が開発され、10
0MBクラスのフロッピーディスクが登場している。こ
れらの特徴を示すものとして、特開平5−109061
にはHcが1400Oe以上で厚さ0.5μm以下の磁性
層と導電性粒子を含む非磁性層を有する構成が、特開平
5−290354には磁性層厚が0.5μm以下で、磁
性層厚の厚み変動を±15%以内とし、表面電気抵抗を
規定した構成が提案されている。
【0008】しかしながら、急速なディスク状磁気記録
媒体の高密度化にともない、このような技術をもってし
ても満足な特性を得ることが難しくなってきていた。近
年、提案されてきた垂直磁気記録媒体として、下層に軟
磁性層(Hc のきわめて低い磁気ヘッドに最適な磁性体
を使用した磁性層)を設けその上に垂直磁化膜を設ける
ことにより磁力線の流路を最適なものとした高密度記録
用磁気記録媒体が知られている。
媒体の高密度化にともない、このような技術をもってし
ても満足な特性を得ることが難しくなってきていた。近
年、提案されてきた垂直磁気記録媒体として、下層に軟
磁性層(Hc のきわめて低い磁気ヘッドに最適な磁性体
を使用した磁性層)を設けその上に垂直磁化膜を設ける
ことにより磁力線の流路を最適なものとした高密度記録
用磁気記録媒体が知られている。
【0009】これまでの該垂直磁気記録媒体は、テープ
状媒体が主体で余り磁気ディスクに重きをおいた開発
は、行われていないのが現状である。軟磁性層と強磁性
層の重層構成におけるディスク状磁気記録媒体において
は、磁気的な配向度を測定することが困難であるという
問題がある。即ち、ディスク状磁気記録媒体における高
密度化を改善するため磁気的な配向度を簡明な手段で測
定でき、ひいては高密度化に寄与する該配向度を制御す
る手段が望まれていた。
状媒体が主体で余り磁気ディスクに重きをおいた開発
は、行われていないのが現状である。軟磁性層と強磁性
層の重層構成におけるディスク状磁気記録媒体において
は、磁気的な配向度を測定することが困難であるという
問題がある。即ち、ディスク状磁気記録媒体における高
密度化を改善するため磁気的な配向度を簡明な手段で測
定でき、ひいては高密度化に寄与する該配向度を制御す
る手段が望まれていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は電磁変換特
性、特に高密度記録特性が格段に改良されたディスク状
磁気記録媒体を提供することを目的としている。
性、特に高密度記録特性が格段に改良されたディスク状
磁気記録媒体を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者らは電磁変換特
性が良好なディスク状磁気記録媒体を得るために鋭意検
討した結果、以下のような媒体とすることで、本発明の
目的である優れた高密度記録特性が得られることを見い
だし、本発明に至ったものである。すなわち、非磁性支
持体上に軟磁性層と強磁性六方晶フェライト微粉末を結
合剤中に分散してなる強磁性層をこの順に設けたディス
ク状磁気記録媒体において、該強磁性層の厚みが0.5
μm以下であり、かつ該強磁性層の任意の場所における
光沢度の測定方向依存性が5%以内であることを特徴と
するディスク状磁気記録媒体により達成される。
性が良好なディスク状磁気記録媒体を得るために鋭意検
討した結果、以下のような媒体とすることで、本発明の
目的である優れた高密度記録特性が得られることを見い
だし、本発明に至ったものである。すなわち、非磁性支
持体上に軟磁性層と強磁性六方晶フェライト微粉末を結
合剤中に分散してなる強磁性層をこの順に設けたディス
ク状磁気記録媒体において、該強磁性層の厚みが0.5
μm以下であり、かつ該強磁性層の任意の場所における
光沢度の測定方向依存性が5%以内であることを特徴と
するディスク状磁気記録媒体により達成される。
【0012】そして前記強磁性層は垂直方向に磁気的に
配向されていると一層本発明の目的を有効に達成するこ
とができる。本発明の磁気記録媒体における軟磁性層は
Hc(抗磁力)が200Oe以下、好ましくは0.1以
上100Oe以下、Bs(飽和磁束密度)は1500G
以上で、好ましくは2000G以上5000G以下であ
る。Hcが上記値より大きいと下地層に記録磁化が残留
し磁性層内で磁化の位相ずれが発生し好ましくない。B
sが上記値より小さいと下地層を通る磁束が低下し好ま
しくない。なおここでのHcは長手および垂直方向での
高い方の値を用いる。
配向されていると一層本発明の目的を有効に達成するこ
とができる。本発明の磁気記録媒体における軟磁性層は
Hc(抗磁力)が200Oe以下、好ましくは0.1以
上100Oe以下、Bs(飽和磁束密度)は1500G
以上で、好ましくは2000G以上5000G以下であ
る。Hcが上記値より大きいと下地層に記録磁化が残留
し磁性層内で磁化の位相ずれが発生し好ましくない。B
sが上記値より小さいと下地層を通る磁束が低下し好ま
しくない。なおここでのHcは長手および垂直方向での
高い方の値を用いる。
【0013】また、本発明における光沢度の測定方向依
存性(以下、「光沢度差」ともいう)は、強磁性層の任
意の場所において5%以内であるが、該光沢度差はディ
ジタル光沢計(スガ試験機社製GK−45D型)を用い
て、ディスク半径の1/2の径の円周上を等間隔に8ヶ
所で、測定方向を45度毎に変化させ8方向から測定
し、最大値と最小値の差から求められる下記式のものを
指標として、この値が5%以内であれば、強磁性層の任
意の場所の2点の光沢度の差が5%以内になると考えて
差し支えない。
存性(以下、「光沢度差」ともいう)は、強磁性層の任
意の場所において5%以内であるが、該光沢度差はディ
ジタル光沢計(スガ試験機社製GK−45D型)を用い
て、ディスク半径の1/2の径の円周上を等間隔に8ヶ
所で、測定方向を45度毎に変化させ8方向から測定
し、最大値と最小値の差から求められる下記式のものを
指標として、この値が5%以内であれば、強磁性層の任
意の場所の2点の光沢度の差が5%以内になると考えて
差し支えない。
【0014】光沢度差(%)=最大値−最小値 本発明における光沢度差は、好ましくは0〜5%の範囲
である。 〔構成要件と効果の関係〕本発明がかかる効果をもたら
す理由は定かではないが、次のように考えられる。
である。 〔構成要件と効果の関係〕本発明がかかる効果をもたら
す理由は定かではないが、次のように考えられる。
【0015】短波長記録になると信号の記録深さが浅く
なる。強磁性層の下地層として軟磁性層を設けること
で、下地層がない場合に強磁性層下部に発生する磁極を
短絡させ、反磁界を低減させることができる。このよう
な下地層の効果を発揮させるためには上層厚みを記録波
長に合わせて薄くする必要がある。また、短波長記録で
記録深さが浅い時は表面粗さによる分離損失が大きな影
響を及ぼし、表面粗さが大きい場合はヘッドと媒体の距
離が大きくなり同様に下地層の効果がなくなるものと思
われる。
なる。強磁性層の下地層として軟磁性層を設けること
で、下地層がない場合に強磁性層下部に発生する磁極を
短絡させ、反磁界を低減させることができる。このよう
な下地層の効果を発揮させるためには上層厚みを記録波
長に合わせて薄くする必要がある。また、短波長記録で
記録深さが浅い時は表面粗さによる分離損失が大きな影
響を及ぼし、表面粗さが大きい場合はヘッドと媒体の距
離が大きくなり同様に下地層の効果がなくなるものと思
われる。
【0016】一方ディスク状磁気記録媒体ではディスク
一周に渡って一定の出力を得ることが必要であり、配向
度比を0.85以上とすることにより達成されることが
特開平5−109061号等に示されている。しかしな
がら最近の高密度記録では配向度比が0.85以上でも
一定の出力が得られない場合がある。その原因としては
定かではないが表面粗さが円周方向に均一でないこと等
が考えられる。特に本発明の場合は表面粗さが軟磁性層
の効果に影響を及ぼす。
一周に渡って一定の出力を得ることが必要であり、配向
度比を0.85以上とすることにより達成されることが
特開平5−109061号等に示されている。しかしな
がら最近の高密度記録では配向度比が0.85以上でも
一定の出力が得られない場合がある。その原因としては
定かではないが表面粗さが円周方向に均一でないこと等
が考えられる。特に本発明の場合は表面粗さが軟磁性層
の効果に影響を及ぼす。
【0017】光沢度は本来表面粗さの指標であるが、反
射光量を測定するため磁性体粒子の配向方向や凝集の影
響を受けると推定される。光沢度を任意の場所で測定方
向に依らず一定にすることで表面粗さが均一になるだけ
でなく磁性体粒子の配向や凝集の度合いが均一になり磁
気特性も均一になるため、ディスク一周に渡って一定な
出力が得られるようになると考えられる。
射光量を測定するため磁性体粒子の配向方向や凝集の影
響を受けると推定される。光沢度を任意の場所で測定方
向に依らず一定にすることで表面粗さが均一になるだけ
でなく磁性体粒子の配向や凝集の度合いが均一になり磁
気特性も均一になるため、ディスク一周に渡って一定な
出力が得られるようになると考えられる。
【0018】六方晶フェライトは板状であるため強磁性
層厚みが薄い場合は配向にかかわらず面内垂直方向に容
易軸を向ける傾向がある。強磁性層の配向方向は長手方
向、無配向、ランダム配向いずれでも本願の目的は達成
されるが、特に垂直方向に配向することで本願の目的と
する効果が顕著になり好ましい。本発明の磁気記録媒体
を得るためには、特に前記光沢度の測定方向依存性を5
%以内にするための方法としては種々の方法があるが特
に下記の方法が有効である。
層厚みが薄い場合は配向にかかわらず面内垂直方向に容
易軸を向ける傾向がある。強磁性層の配向方向は長手方
向、無配向、ランダム配向いずれでも本願の目的は達成
されるが、特に垂直方向に配向することで本願の目的と
する効果が顕著になり好ましい。本発明の磁気記録媒体
を得るためには、特に前記光沢度の測定方向依存性を5
%以内にするための方法としては種々の方法があるが特
に下記の方法が有効である。
【0019】例えば、 強磁性層が薄膜であっても平
滑な塗布面が得られる後述の同時重層塗布方式等の塗布
方法を採用すること、 磁性塗布液の製造に際し高負
荷の分散法を採用すること、 3000G以上の異極
対抗コバルト磁石を用い、磁性層の磁気配向を磁性層の
垂直方向に配向させると共に塗布乾燥に際し塗布速度、
乾燥風温度、乾燥風量を調整し磁石ゾーン内で塗膜を乾
燥させること、 上記やに最適な強磁性六方晶フ
ェライト微粉末、軟磁性層に使用する粉体の形状・サイ
ズ等を調整すること、 強磁性層及び軟磁性層に使用
される結合剤を選定すること、 分散剤を利用して強
磁性六方晶フェライトの分散性を高めること等が挙げら
れる。
滑な塗布面が得られる後述の同時重層塗布方式等の塗布
方法を採用すること、 磁性塗布液の製造に際し高負
荷の分散法を採用すること、 3000G以上の異極
対抗コバルト磁石を用い、磁性層の磁気配向を磁性層の
垂直方向に配向させると共に塗布乾燥に際し塗布速度、
乾燥風温度、乾燥風量を調整し磁石ゾーン内で塗膜を乾
燥させること、 上記やに最適な強磁性六方晶フ
ェライト微粉末、軟磁性層に使用する粉体の形状・サイ
ズ等を調整すること、 強磁性層及び軟磁性層に使用
される結合剤を選定すること、 分散剤を利用して強
磁性六方晶フェライトの分散性を高めること等が挙げら
れる。
【0020】上記方法は、下記において詳述される。 〔六方晶フェライト微粉末に関する記載〕本発明の強磁
性層に含まれる六方晶フェライト微粉末としては、バリ
ウムフェライト、ストロンチウムフェライト、鉛フェラ
イト、 カルシウムフェライトの各置換体、Co置換体等
がある。具体的にはマグネトプランバイト型のバリウム
フェライト及びストロンチウムフェライト、スピネルで
粒子表面を被覆したマグネトプランバイト型フェライ
ト、更に一部スピネル相を含有したマグネトプランバイ
ト型のバリウムフェライト及びストロンチウムフェライ
ト等が挙げられ、その他所定の原子以外にAl、Si、
S、Sc、Ti、V、Cr、Cu、Y、Mo、Rh、P
d、Ag、Sn、Sb、Te、Ba、Ta、W、Re、
Au、Hg、Pb、Bi、La、Ce、Pr、Nd、
P、Co、Mn、Zn、Ni、Sr、B、Ge、Nbな
どの原子を含んでもかまわない。一般にはCo−Ti、
Co−Ti−Zr、Co−Ti−Zn、Ni−Ti−Z
n、Nb−Zn−Co、SbーZn−Co、Nb−Zn
等の元素を添加した物を使用することができる。原料・
製法によっては特有の不純物を含有するものもある。
性層に含まれる六方晶フェライト微粉末としては、バリ
ウムフェライト、ストロンチウムフェライト、鉛フェラ
イト、 カルシウムフェライトの各置換体、Co置換体等
がある。具体的にはマグネトプランバイト型のバリウム
フェライト及びストロンチウムフェライト、スピネルで
粒子表面を被覆したマグネトプランバイト型フェライ
ト、更に一部スピネル相を含有したマグネトプランバイ
ト型のバリウムフェライト及びストロンチウムフェライ
ト等が挙げられ、その他所定の原子以外にAl、Si、
S、Sc、Ti、V、Cr、Cu、Y、Mo、Rh、P
d、Ag、Sn、Sb、Te、Ba、Ta、W、Re、
Au、Hg、Pb、Bi、La、Ce、Pr、Nd、
P、Co、Mn、Zn、Ni、Sr、B、Ge、Nbな
どの原子を含んでもかまわない。一般にはCo−Ti、
Co−Ti−Zr、Co−Ti−Zn、Ni−Ti−Z
n、Nb−Zn−Co、SbーZn−Co、Nb−Zn
等の元素を添加した物を使用することができる。原料・
製法によっては特有の不純物を含有するものもある。
【0021】粒子サイズは六角板径で10〜200nm、
好ましくは20〜100nmである。磁気抵抗ヘッドで再
生する場合は、低ノイズにする必要があり、板径は40
nm以下が好ましいが、10nm以下では熱揺らぎのため安
定な磁化が望めない。200nm以上ではノイズが高く、
いずれも高密度磁気記録には向かない。板状比(板径/
板厚)は1〜15が望ましい。好ましくは2〜7であ
る。板状比が小さいと強磁性層中の充填性は高くなり好
ましいが、十分な配向性が得られない。15より大きい
と粒子間のスタッキングによりノイズが大きくなる。こ
の粒子サイズ範囲のBET法による比表面積は10〜2
00m2 /gを示す。比表面積は概ね粒子板径と板厚か
らの算術計算値と符号する。結晶子サイズは50〜45
0Å、好ましくは100〜350Åである。粒子板径・
板厚の分布は通常狭いほど好ましい。数値化は困難であ
るが粒子TEM写真より500粒子を無作為に測定する
事で比較できる。分布は正規分布ではない場合が多い
が、計算して平均サイズに対する標準偏差で表すとσ/
平均サイズ=0.1〜2.0である。粒子サイズ分布を
シャープにするには粒子生成反応系をできるだけ均一に
すると共に、生成した粒子に分布改良処理を施すことも
行われている。たとえば酸溶液中で超微細粒子を選別的
に溶解する方法等も知られている。磁性体で測定される
抗磁力Hcは500Oe〜5000Oe程度まで作成でき
る。
好ましくは20〜100nmである。磁気抵抗ヘッドで再
生する場合は、低ノイズにする必要があり、板径は40
nm以下が好ましいが、10nm以下では熱揺らぎのため安
定な磁化が望めない。200nm以上ではノイズが高く、
いずれも高密度磁気記録には向かない。板状比(板径/
板厚)は1〜15が望ましい。好ましくは2〜7であ
る。板状比が小さいと強磁性層中の充填性は高くなり好
ましいが、十分な配向性が得られない。15より大きい
と粒子間のスタッキングによりノイズが大きくなる。こ
の粒子サイズ範囲のBET法による比表面積は10〜2
00m2 /gを示す。比表面積は概ね粒子板径と板厚か
らの算術計算値と符号する。結晶子サイズは50〜45
0Å、好ましくは100〜350Åである。粒子板径・
板厚の分布は通常狭いほど好ましい。数値化は困難であ
るが粒子TEM写真より500粒子を無作為に測定する
事で比較できる。分布は正規分布ではない場合が多い
が、計算して平均サイズに対する標準偏差で表すとσ/
平均サイズ=0.1〜2.0である。粒子サイズ分布を
シャープにするには粒子生成反応系をできるだけ均一に
すると共に、生成した粒子に分布改良処理を施すことも
行われている。たとえば酸溶液中で超微細粒子を選別的
に溶解する方法等も知られている。磁性体で測定される
抗磁力Hcは500Oe〜5000Oe程度まで作成でき
る。
【0022】Hcは高い方が高密度記録に有利である
が、記録ヘッドの能力で制限される。通常800Oeから
4000Oe程度であるが、好ましくは1500Oe以上、
3500Oe以下である。ヘッドの飽和磁化が1.4テス
ラを越える場合は、2000Oe以上にすることが好まし
い。Hcは粒子サイズ(板径・板厚)、含有元素の種類
と量、元素の置換サイト、粒子生成反応条件等により制
御できる。飽和磁化σsは40emu/g 〜80emu/g であ
る。σsは高い方が好ましいが微粒子になるほど小さく
なる傾向がある。σs改良のためマグネトプランバイト
フェライトにスピネルフェライトを複合すること、含有
元素の種類と添加量の選択等が良く知られている。また
W型六方晶フェライトを用いることも可能である。磁性
体を分散する際に磁性体粒子表面を分散媒、結合剤に合
った物質で処理することも行われている。表面処理剤は
無機化合物、有機化合物が使用される。主な化合物とし
てはSi、Al、P、等の酸化物または水酸化物、各種
シランカップリング剤、各種チタンカップリング剤が代
表例である。量は磁性体に対して0.1〜10重量%で
ある。磁性体のPHも分散に重要である。通常4〜12
程度で分散媒、ポリマーにより最適値があるが、媒体の
化学的安定性、保存性から6〜10程度が選択される。
磁性体に含まれる水分も分散に影響する。分散媒、結合
剤により最適値があるが通常0.01〜2.0重量%が
選ばれる。六方フェライトの製法としてはガラス結晶化
法・共沈法・水熱反応法等があるが、本発明は製法を選
ばない。
が、記録ヘッドの能力で制限される。通常800Oeから
4000Oe程度であるが、好ましくは1500Oe以上、
3500Oe以下である。ヘッドの飽和磁化が1.4テス
ラを越える場合は、2000Oe以上にすることが好まし
い。Hcは粒子サイズ(板径・板厚)、含有元素の種類
と量、元素の置換サイト、粒子生成反応条件等により制
御できる。飽和磁化σsは40emu/g 〜80emu/g であ
る。σsは高い方が好ましいが微粒子になるほど小さく
なる傾向がある。σs改良のためマグネトプランバイト
フェライトにスピネルフェライトを複合すること、含有
元素の種類と添加量の選択等が良く知られている。また
W型六方晶フェライトを用いることも可能である。磁性
体を分散する際に磁性体粒子表面を分散媒、結合剤に合
った物質で処理することも行われている。表面処理剤は
無機化合物、有機化合物が使用される。主な化合物とし
てはSi、Al、P、等の酸化物または水酸化物、各種
シランカップリング剤、各種チタンカップリング剤が代
表例である。量は磁性体に対して0.1〜10重量%で
ある。磁性体のPHも分散に重要である。通常4〜12
程度で分散媒、ポリマーにより最適値があるが、媒体の
化学的安定性、保存性から6〜10程度が選択される。
磁性体に含まれる水分も分散に影響する。分散媒、結合
剤により最適値があるが通常0.01〜2.0重量%が
選ばれる。六方フェライトの製法としてはガラス結晶化
法・共沈法・水熱反応法等があるが、本発明は製法を選
ばない。
【0023】〔軟磁性層に関する記載〕本発明の軟磁性
層に使用する軟磁性粉体としては、Fe粉、Ni粉、C
o粉、マグネタイト粉、パ−マロイ粉、センダスト粉、
Mn−Znフェライト粉、Ni−Znフェライト粉、C
u−Znフェライト粉などが挙げられる。これらの粉体
は針状、粒状、板状、いずれでもかまわないが、Hcを
小さくするためには粒状が好ましい。これらの軟磁性粉
体には所定の原子以外にAl、Si、S、Sc、Ti、
V、Cr、Cu、Y、Mo、Rh、Pd、Ag、Sn、
Sb、Te、Ba、Ta、W、Re、Au、Hg、P
b、Bi、La、Ce、Pr、Nd、P、Co、Mn、
Zn、Ni、Sr、B、Ge、Nbなどの原子を含んで
もかまわない。
層に使用する軟磁性粉体としては、Fe粉、Ni粉、C
o粉、マグネタイト粉、パ−マロイ粉、センダスト粉、
Mn−Znフェライト粉、Ni−Znフェライト粉、C
u−Znフェライト粉などが挙げられる。これらの粉体
は針状、粒状、板状、いずれでもかまわないが、Hcを
小さくするためには粒状が好ましい。これらの軟磁性粉
体には所定の原子以外にAl、Si、S、Sc、Ti、
V、Cr、Cu、Y、Mo、Rh、Pd、Ag、Sn、
Sb、Te、Ba、Ta、W、Re、Au、Hg、P
b、Bi、La、Ce、Pr、Nd、P、Co、Mn、
Zn、Ni、Sr、B、Ge、Nbなどの原子を含んで
もかまわない。
【0024】これらの軟磁性粉体の比表面積をSBET で
表せば10〜100m2 /gであり、好ましくは40〜
70m2 /gである。10m2 /g以下および100m
2 /g以上では良好な表面性得にくく好ましくない。平
均粒子径は0.01μm以上、1μm以下、かさ密度は
0.4以上、1.5以下、吸着水分は0.1%以上、2
%以下、DBP を用いた吸油量は5〜100ml/100g 、p
Hは3以上10以下が好ましい。これらの粉体の表面は
Al2 O3 、SiO2 、TiO2 、ZrO2 、Sn
O2 、Sb2 O3 、ZnOで表面処理することが好まし
い。特に分散性に好ましいのはAl2 O3 、SiO2 、
TiO2 、ZrO2 、であるが、更に好ましいのはAl
2 O3 、SiO2 、ZrO2 である。これらは組み合わ
せて使用しても良い。
表せば10〜100m2 /gであり、好ましくは40〜
70m2 /gである。10m2 /g以下および100m
2 /g以上では良好な表面性得にくく好ましくない。平
均粒子径は0.01μm以上、1μm以下、かさ密度は
0.4以上、1.5以下、吸着水分は0.1%以上、2
%以下、DBP を用いた吸油量は5〜100ml/100g 、p
Hは3以上10以下が好ましい。これらの粉体の表面は
Al2 O3 、SiO2 、TiO2 、ZrO2 、Sn
O2 、Sb2 O3 、ZnOで表面処理することが好まし
い。特に分散性に好ましいのはAl2 O3 、SiO2 、
TiO2 、ZrO2 、であるが、更に好ましいのはAl
2 O3 、SiO2 、ZrO2 である。これらは組み合わ
せて使用しても良い。
【0025】軟磁性層にカ−ボンブラックを混合させて
公知の効果である表面電気抵抗Rsを下げること、光透
過率を小さくすることができるとともに、所望のマイク
ロビッカース硬度を得る事ができる。また、下層にカー
ボンブラックを含ませることで潤滑剤貯蔵の効果をもた
らすことも可能である。カーボンブラックの種類はゴム
用ファ−ネス、ゴム用サ−マル、カラ−用ブラック、ア
セチレンブラック、等を用いることができる。
公知の効果である表面電気抵抗Rsを下げること、光透
過率を小さくすることができるとともに、所望のマイク
ロビッカース硬度を得る事ができる。また、下層にカー
ボンブラックを含ませることで潤滑剤貯蔵の効果をもた
らすことも可能である。カーボンブラックの種類はゴム
用ファ−ネス、ゴム用サ−マル、カラ−用ブラック、ア
セチレンブラック、等を用いることができる。
【0026】また軟磁性層には有機質粉末を目的に応じ
て、添加することもできる。例えば、アクリルスチレン
系樹脂粉末、ベンゾグアナミン樹脂粉末、メラミン系樹
脂粉末、フタロシアニン系顔料が挙げられるが、ポリオ
レフィン系樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリア
ミド系樹脂粉末、ポリイミド系樹脂粉末、ポリフッ化エ
チレン樹脂も使用することができる。その製法は特開昭
62−18564号、特開昭60−255827号に記
されているようなものが使用できる。
て、添加することもできる。例えば、アクリルスチレン
系樹脂粉末、ベンゾグアナミン樹脂粉末、メラミン系樹
脂粉末、フタロシアニン系顔料が挙げられるが、ポリオ
レフィン系樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリア
ミド系樹脂粉末、ポリイミド系樹脂粉末、ポリフッ化エ
チレン樹脂も使用することができる。その製法は特開昭
62−18564号、特開昭60−255827号に記
されているようなものが使用できる。
【0027】軟磁性層の結合剤樹脂、潤滑剤、分散剤、
添加剤、溶剤、分散方法その他は以下に記載する強磁性
層のそれが適用できる。特に、結合剤樹脂量、種類、添
加剤、分散剤の添加量、種類に関しては強磁性層に関す
る公知技術が適用できる。 〔結合剤に関する記載〕本発明の軟磁性層の結合剤、潤
滑剤、分散剤、添加剤、溶剤、分散方法その他は強磁性
層のそれが適用できる。特に、結合剤量、種類、添加
剤、分散剤の添加量、種類に関しては強磁性層に関する
公知技術が適用できる。
添加剤、溶剤、分散方法その他は以下に記載する強磁性
層のそれが適用できる。特に、結合剤樹脂量、種類、添
加剤、分散剤の添加量、種類に関しては強磁性層に関す
る公知技術が適用できる。 〔結合剤に関する記載〕本発明の軟磁性層の結合剤、潤
滑剤、分散剤、添加剤、溶剤、分散方法その他は強磁性
層のそれが適用できる。特に、結合剤量、種類、添加
剤、分散剤の添加量、種類に関しては強磁性層に関する
公知技術が適用できる。
【0028】本発明の強磁性層に使用される結合剤とし
ては従来公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹
脂やこれらの混合物が使用される。熱可塑性樹脂として
は、ガラス転移温度が−100〜150℃、数平均分子
量が1000〜200000、好ましくは10000〜
100000、重合度が約50〜1000程度のもので
ある。
ては従来公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹
脂やこれらの混合物が使用される。熱可塑性樹脂として
は、ガラス転移温度が−100〜150℃、数平均分子
量が1000〜200000、好ましくは10000〜
100000、重合度が約50〜1000程度のもので
ある。
【0029】このような例としては、塩化ビニル、酢酸
ビニル、ビニルアルコ−ル、マレイン酸、アクルリ酸、
アクリル酸エステル、塩化ビニリデン、アクリロニトリ
ル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、スチレン、
ブタジエン、エチレン、ビニルブチラ−ル、ビニルアセ
タ−ル、ビニルエ−テル、等を構成単位として含む重合
体または共重合体、ポリウレタン樹脂、各種ゴム系樹脂
がある。また、熱硬化性樹脂または反応型樹脂としては
フェノ−ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル
系反応樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、シリコ−ン樹脂、
エポキシ−ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂とイソシ
アネ−トプレポリマ−の混合物、ポリエステルポリオ−
ルとポリイソシアネ−トの混合物、ポリウレタンとポリ
イソシアネートの混合物等があげられる。これらの樹脂
については朝倉書店発行の「プラスチックハンドブッ
ク」に詳細に記載されている。また、公知の電子線硬化
型樹脂を各層に使用することも可能である。これらの例
とその製造方法については特開昭62−256219に
詳細に記載されている。以上の樹脂は単独または組合せ
て使用できるが、好ましいものとして塩化ビニル樹脂、
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル酢酸ビニル
ビニルアルコ−ル共重合体、塩化ビニル酢酸ビニル無水
マレイン酸共重合体、から選ばれる少なくとも1種とポ
リウレタン樹脂の組合せ、またはこれらにポリイソシア
ネ−トを組み合わせたものがあげられる。
ビニル、ビニルアルコ−ル、マレイン酸、アクルリ酸、
アクリル酸エステル、塩化ビニリデン、アクリロニトリ
ル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、スチレン、
ブタジエン、エチレン、ビニルブチラ−ル、ビニルアセ
タ−ル、ビニルエ−テル、等を構成単位として含む重合
体または共重合体、ポリウレタン樹脂、各種ゴム系樹脂
がある。また、熱硬化性樹脂または反応型樹脂としては
フェノ−ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル
系反応樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、シリコ−ン樹脂、
エポキシ−ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂とイソシ
アネ−トプレポリマ−の混合物、ポリエステルポリオ−
ルとポリイソシアネ−トの混合物、ポリウレタンとポリ
イソシアネートの混合物等があげられる。これらの樹脂
については朝倉書店発行の「プラスチックハンドブッ
ク」に詳細に記載されている。また、公知の電子線硬化
型樹脂を各層に使用することも可能である。これらの例
とその製造方法については特開昭62−256219に
詳細に記載されている。以上の樹脂は単独または組合せ
て使用できるが、好ましいものとして塩化ビニル樹脂、
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル酢酸ビニル
ビニルアルコ−ル共重合体、塩化ビニル酢酸ビニル無水
マレイン酸共重合体、から選ばれる少なくとも1種とポ
リウレタン樹脂の組合せ、またはこれらにポリイソシア
ネ−トを組み合わせたものがあげられる。
【0030】ポリウレタン樹脂の構造はポリエステルポ
リウレタン、ポリエ−テルポリウレタン、ポリエ−テル
ポリエステルポリウレタン、ポリカ−ボネ−トポリウレ
タン、ポリエステルポリカ−ボネ−トポリウレタン、ポ
リカプロラクトンポリウレタンなど公知のものが使用で
きる。ここに示したすべての結合剤について、より優れ
た分散性と耐久性を得るためには必要に応じ、COO
M、SO3 M、OSO3M、P=O(OM)2 、O−P
=O(OM)2 、(以上につきMは水素原子、またはア
ルカリ金属塩基)、OH、NR2 、N+ R3 (Rは炭化
水素基)、エポキシ基、SH、CN、などから選ばれる
少なくともひとつ以上の極性基を共重合または付加反応
で導入したものをもちいることが好ましい。このような
極性基の量は10-1〜10-8モル/gであり、好ましくは
10-2〜10-6モル/gである。
リウレタン、ポリエ−テルポリウレタン、ポリエ−テル
ポリエステルポリウレタン、ポリカ−ボネ−トポリウレ
タン、ポリエステルポリカ−ボネ−トポリウレタン、ポ
リカプロラクトンポリウレタンなど公知のものが使用で
きる。ここに示したすべての結合剤について、より優れ
た分散性と耐久性を得るためには必要に応じ、COO
M、SO3 M、OSO3M、P=O(OM)2 、O−P
=O(OM)2 、(以上につきMは水素原子、またはア
ルカリ金属塩基)、OH、NR2 、N+ R3 (Rは炭化
水素基)、エポキシ基、SH、CN、などから選ばれる
少なくともひとつ以上の極性基を共重合または付加反応
で導入したものをもちいることが好ましい。このような
極性基の量は10-1〜10-8モル/gであり、好ましくは
10-2〜10-6モル/gである。
【0031】本発明に用いられるこれらの結合剤の具体
的な例としてはユニオンカ−バイト社製VAGH、VY
HH、VMCH、VAGF、VAGD、VROH、VY
ES、VYNC,VMCC,XYHL,XYSG,PK
HH,PKHJ,PKHC,PKFE,日信化学工業社
製、MPR−TA、MPR−TA5,MPR−TAL,
MPR−TSN,MPR−TMF,MPR−TS、MP
R−TM、MPR−TAO、電気化学社製1000W、
DX80,DX81,DX82,DX83、100F
D、日本ゼオン社製MR−104、MR−105、MR
110、MR100、MR555、400X−110
A、日本ポリウレタン社製ニッポランN2301、N2
302、N2304、大日本インキ社製パンデックスT
−5105、T−R3080、T−5201、バ−ノッ
クD−400、D−210−80、クリスボン610
9,7209,東洋紡社製バイロンUR8200,UR
8300、UR−8700、RV530,RV280、
大日精化社製、ダイフェラミン4020,5020,5
100,5300,9020,9022、7020,三
菱化成社製、MX5004,三洋化成社製サンプレンS
P−150、旭化成社製サランF310,F210など
があげられる。
的な例としてはユニオンカ−バイト社製VAGH、VY
HH、VMCH、VAGF、VAGD、VROH、VY
ES、VYNC,VMCC,XYHL,XYSG,PK
HH,PKHJ,PKHC,PKFE,日信化学工業社
製、MPR−TA、MPR−TA5,MPR−TAL,
MPR−TSN,MPR−TMF,MPR−TS、MP
R−TM、MPR−TAO、電気化学社製1000W、
DX80,DX81,DX82,DX83、100F
D、日本ゼオン社製MR−104、MR−105、MR
110、MR100、MR555、400X−110
A、日本ポリウレタン社製ニッポランN2301、N2
302、N2304、大日本インキ社製パンデックスT
−5105、T−R3080、T−5201、バ−ノッ
クD−400、D−210−80、クリスボン610
9,7209,東洋紡社製バイロンUR8200,UR
8300、UR−8700、RV530,RV280、
大日精化社製、ダイフェラミン4020,5020,5
100,5300,9020,9022、7020,三
菱化成社製、MX5004,三洋化成社製サンプレンS
P−150、旭化成社製サランF310,F210など
があげられる。
【0032】本発明の軟磁性層、強磁性層に用いられる
結合剤は軟磁性粉体または六方晶フェライト微粉末に対
し、5〜50重量%の範囲、好ましくは10〜30重量
%の範囲で用いられる。塩化ビニル系樹脂を用いる場合
は5〜30重量%、ポリウレタン樹脂を用いる場合は2
〜20重量%、ポリイソシアネ−トは2〜20重量%の
範囲でこれらを組み合わせて用いることが好ましいが、
例えば、微量の脱塩素によりヘッド腐食が起こる場合
は、ポリウレタンのみまたはポリウレタンとイソシアネ
ートのみを使用することも可能である。本発明におい
て、ポリウレタンを用いる場合はガラス転移温度が−5
0〜150℃、好ましくは0℃〜100℃、破断伸びが
100〜2000%、破断応力は0.05〜10Kg/
cm2 、降伏点は0.05〜10Kg/cm2 が好まし
い。
結合剤は軟磁性粉体または六方晶フェライト微粉末に対
し、5〜50重量%の範囲、好ましくは10〜30重量
%の範囲で用いられる。塩化ビニル系樹脂を用いる場合
は5〜30重量%、ポリウレタン樹脂を用いる場合は2
〜20重量%、ポリイソシアネ−トは2〜20重量%の
範囲でこれらを組み合わせて用いることが好ましいが、
例えば、微量の脱塩素によりヘッド腐食が起こる場合
は、ポリウレタンのみまたはポリウレタンとイソシアネ
ートのみを使用することも可能である。本発明におい
て、ポリウレタンを用いる場合はガラス転移温度が−5
0〜150℃、好ましくは0℃〜100℃、破断伸びが
100〜2000%、破断応力は0.05〜10Kg/
cm2 、降伏点は0.05〜10Kg/cm2 が好まし
い。
【0033】本発明の磁気記録媒体は二層以上からな
る。従って、結合剤量、結合剤中に占める塩化ビニル系
樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネ−ト、あるい
はそれ以外の樹脂の量、強磁性層を形成する各樹脂の分
子量、極性基量、あるいは先に述べた樹脂の物理特性な
どを必要に応じ軟磁性層、強磁性層とで変えることはも
ちろん可能であり、むしろ各層で最適化すべきであり、
多層磁性層に関する公知技術を適用できる。例えば、各
層で結合剤量を変更する場合、強磁性層表面の擦傷を減
らすためには強磁性層の結合剤量を増量することが有効
であり、ヘッドに対するヘッドタッチを良好にするため
には、軟磁性層の結合剤量を多くして柔軟性を持たせる
ことができる。
る。従って、結合剤量、結合剤中に占める塩化ビニル系
樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネ−ト、あるい
はそれ以外の樹脂の量、強磁性層を形成する各樹脂の分
子量、極性基量、あるいは先に述べた樹脂の物理特性な
どを必要に応じ軟磁性層、強磁性層とで変えることはも
ちろん可能であり、むしろ各層で最適化すべきであり、
多層磁性層に関する公知技術を適用できる。例えば、各
層で結合剤量を変更する場合、強磁性層表面の擦傷を減
らすためには強磁性層の結合剤量を増量することが有効
であり、ヘッドに対するヘッドタッチを良好にするため
には、軟磁性層の結合剤量を多くして柔軟性を持たせる
ことができる。
【0034】本発明にもちいるポリイソシアネ−トとし
ては、トリレンジイソシアネ−ト、4,4’−ジフェニ
ルメタンジイソシアネ−ト、ヘキサメチレンジイソシア
ネ−ト、キシリレンジイソシアネ−ト、ナフチレン−
1,5−ジイソシアネ−ト、o−トルイジンジイソシア
ネ−ト、イソホロンジイソシアネ−ト、トリフェニルメ
タントリイソシアネ−ト等のイソシアネ−ト類、また、
これらのイソシアネ−ト類とポリアルコールとの生成
物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポ
リイソシアネ−ト等を使用することができる。これらの
イソシアネート類の市販されている商品名としては、日
本ポリウレタン社製、コロネートL、コロネ−トHL、
コロネ−ト2030、コロネ−ト2031、ミリオネ−
トMR、ミリオネ−トMTL、武田薬品社製、タケネ−
トD−102,タケネ−トD−110N、タケネ−トD
−200、タケネ−トD−202、住友バイエル社製、
デスモジュ−ルL、デスモジュ−ルIL、デスモジュ−
ルN、デスモジュ−ルHL、等がありこれらを単独また
は硬化反応性の差を利用して二つもしくはそれ以上の組
合せで各層とももちいることができる。
ては、トリレンジイソシアネ−ト、4,4’−ジフェニ
ルメタンジイソシアネ−ト、ヘキサメチレンジイソシア
ネ−ト、キシリレンジイソシアネ−ト、ナフチレン−
1,5−ジイソシアネ−ト、o−トルイジンジイソシア
ネ−ト、イソホロンジイソシアネ−ト、トリフェニルメ
タントリイソシアネ−ト等のイソシアネ−ト類、また、
これらのイソシアネ−ト類とポリアルコールとの生成
物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポ
リイソシアネ−ト等を使用することができる。これらの
イソシアネート類の市販されている商品名としては、日
本ポリウレタン社製、コロネートL、コロネ−トHL、
コロネ−ト2030、コロネ−ト2031、ミリオネ−
トMR、ミリオネ−トMTL、武田薬品社製、タケネ−
トD−102,タケネ−トD−110N、タケネ−トD
−200、タケネ−トD−202、住友バイエル社製、
デスモジュ−ルL、デスモジュ−ルIL、デスモジュ−
ルN、デスモジュ−ルHL、等がありこれらを単独また
は硬化反応性の差を利用して二つもしくはそれ以上の組
合せで各層とももちいることができる。
【0035】〔カーボンブラック、研磨剤に関する記
載〕本発明の軟磁性層、強磁性層に使用されるカ−ボン
ブラックはゴム用ファ−ネス、ゴム用サ−マル、カラ−
用ブラック、アセチレンブラック、等を用いることがで
きる。比表面積は5〜500m2 /g、DBP吸油量は
10〜400ml/100g、粒子径は5nm〜300
nm、pHは2〜10、含水率は0.1〜10%、タッ
プ密度は0.1〜1g/cc、が好ましい。本発明に用い
られるカ−ボンブラックの具体的な例としてはキャボッ
ト社製、BLACKPEARLS 2000、130
0、1000、900、905、800、700、VU
LCANXC−72、旭カ−ボン社製、#80、#6
0、#55、#50、#35、三菱化成工業社製、#2
400B、#2300、#900、#1000、#3
0、#40、#10B、コロンビアンカ−ボン社製、C
ONDUCTEX SC、RAVEN 150、50、
40、15、RAVEN−MT−P、日本EC社製、ケ
ッチェンブラックEC、などがあげられる。カ−ボンブ
ラックを分散剤などで表面処理したり、樹脂でグラフト
化して使用しても、表面の一部をグラファイト化したも
のを使用してもかまわない。また、カ−ボンブラックを
磁性塗料に添加する前にあらかじめ結合剤で分散しても
かまわない。これらのカ−ボンブラックは単独、または
組合せで使用することができる。カ−ボンブラックを使
用する場合は各磁性層の磁性体に対する量の0.1〜3
0重量%で用いることが好ましい。カ−ボンブラックは
層の帯電防止、摩擦係数低減、遮光性付与、膜強度向上
などの働きがあり、これらは用いるカ−ボンブラックに
より異なる。従って本発明に使用されるこれらのカ−ボ
ンブラックは強磁性層、軟磁性層でその種類、量、組合
せを変え、粒子サイズ、吸油量、電導度、pHなどの先
に示した諸特性をもとに目的に応じて使い分けることは
もちろん可能であり、むしろ各層で最適化すべきもので
ある。本発明で使用できるカ−ボンブラックは例えば
「カ−ボンブラック便覧」カ−ボンブラック協会編 を
参考にすることができる。
載〕本発明の軟磁性層、強磁性層に使用されるカ−ボン
ブラックはゴム用ファ−ネス、ゴム用サ−マル、カラ−
用ブラック、アセチレンブラック、等を用いることがで
きる。比表面積は5〜500m2 /g、DBP吸油量は
10〜400ml/100g、粒子径は5nm〜300
nm、pHは2〜10、含水率は0.1〜10%、タッ
プ密度は0.1〜1g/cc、が好ましい。本発明に用い
られるカ−ボンブラックの具体的な例としてはキャボッ
ト社製、BLACKPEARLS 2000、130
0、1000、900、905、800、700、VU
LCANXC−72、旭カ−ボン社製、#80、#6
0、#55、#50、#35、三菱化成工業社製、#2
400B、#2300、#900、#1000、#3
0、#40、#10B、コロンビアンカ−ボン社製、C
ONDUCTEX SC、RAVEN 150、50、
40、15、RAVEN−MT−P、日本EC社製、ケ
ッチェンブラックEC、などがあげられる。カ−ボンブ
ラックを分散剤などで表面処理したり、樹脂でグラフト
化して使用しても、表面の一部をグラファイト化したも
のを使用してもかまわない。また、カ−ボンブラックを
磁性塗料に添加する前にあらかじめ結合剤で分散しても
かまわない。これらのカ−ボンブラックは単独、または
組合せで使用することができる。カ−ボンブラックを使
用する場合は各磁性層の磁性体に対する量の0.1〜3
0重量%で用いることが好ましい。カ−ボンブラックは
層の帯電防止、摩擦係数低減、遮光性付与、膜強度向上
などの働きがあり、これらは用いるカ−ボンブラックに
より異なる。従って本発明に使用されるこれらのカ−ボ
ンブラックは強磁性層、軟磁性層でその種類、量、組合
せを変え、粒子サイズ、吸油量、電導度、pHなどの先
に示した諸特性をもとに目的に応じて使い分けることは
もちろん可能であり、むしろ各層で最適化すべきもので
ある。本発明で使用できるカ−ボンブラックは例えば
「カ−ボンブラック便覧」カ−ボンブラック協会編 を
参考にすることができる。
【0036】本発明の強磁性層に用いられる研磨剤とし
てはα化率90%以上のα−アルミナ、β−アルミナ、
炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、
コランダム、人造ダイアモンド、窒化珪素、炭化珪素チ
タン、カ−バイト、酸化チタン、二酸化珪素、窒化ホウ
素、など主としてモ−ス硬度6以上の公知の材料が単独
または組合せで使用される。また、これらの研磨剤どう
しの複合体(研磨剤を他の研磨剤で表面処理したもの)
を使用してもよい。これらの研磨剤には主成分以外の化
合物または元素が含まれる場合もあるが主成分が90%
以上であれば効果にかわりはない。これら研磨剤の粒子
サイズは0.01〜2μが好ましく、特に電磁変換特性
を高めるためには、その粒度分布が狭い方が好ましい。
また耐久性を向上させるには必要に応じて粒子サイズの
異なる研磨剤を組み合わせたり、単独の研磨剤でも粒径
分布を広くして同様の効果をもたせることも可能であ
る。タップ密度は0.3〜2g/cc、含水率は0.1〜5
%、pHは2〜11、比表面積は1〜30m2 /g、が
好ましい。本発明に用いられる研磨剤の形状は針状、球
状、サイコロ状、のいずれでも良いが、形状の一部に角
を有するものが研磨性が高く好ましい。具体的には住友
化学社製AKP−12、AKP−15、AKP−20、
AKP−30、AKP−50、HIT20、HIT−3
0、HIT−55、HIT60、HIT70、HIT8
0、HIT100、レイノルズ社製、ERC−DBM、
HP−DBM、HPS−DBM、不二見研磨剤社製、W
A10000、上村工業社製、UB20、日本化学工業
社製、G−5、クロメックスU2、クロメックスU1、
戸田工業社製、TF100、TF140、イビデン社
製、ベータランダムウルトラファイン、昭和鉱業社製、
B−3などが挙げられる。これらの研磨剤は必要に応じ
軟磁性層に添加することもできる。軟磁性層に添加する
ことで表面形状を制御したり、研磨剤の突出状態を制御
したりすることができる。これら強磁性層、軟磁性層の
添加する研磨剤の粒径、量はむろん最適値に設定すべき
ものである。
てはα化率90%以上のα−アルミナ、β−アルミナ、
炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、
コランダム、人造ダイアモンド、窒化珪素、炭化珪素チ
タン、カ−バイト、酸化チタン、二酸化珪素、窒化ホウ
素、など主としてモ−ス硬度6以上の公知の材料が単独
または組合せで使用される。また、これらの研磨剤どう
しの複合体(研磨剤を他の研磨剤で表面処理したもの)
を使用してもよい。これらの研磨剤には主成分以外の化
合物または元素が含まれる場合もあるが主成分が90%
以上であれば効果にかわりはない。これら研磨剤の粒子
サイズは0.01〜2μが好ましく、特に電磁変換特性
を高めるためには、その粒度分布が狭い方が好ましい。
また耐久性を向上させるには必要に応じて粒子サイズの
異なる研磨剤を組み合わせたり、単独の研磨剤でも粒径
分布を広くして同様の効果をもたせることも可能であ
る。タップ密度は0.3〜2g/cc、含水率は0.1〜5
%、pHは2〜11、比表面積は1〜30m2 /g、が
好ましい。本発明に用いられる研磨剤の形状は針状、球
状、サイコロ状、のいずれでも良いが、形状の一部に角
を有するものが研磨性が高く好ましい。具体的には住友
化学社製AKP−12、AKP−15、AKP−20、
AKP−30、AKP−50、HIT20、HIT−3
0、HIT−55、HIT60、HIT70、HIT8
0、HIT100、レイノルズ社製、ERC−DBM、
HP−DBM、HPS−DBM、不二見研磨剤社製、W
A10000、上村工業社製、UB20、日本化学工業
社製、G−5、クロメックスU2、クロメックスU1、
戸田工業社製、TF100、TF140、イビデン社
製、ベータランダムウルトラファイン、昭和鉱業社製、
B−3などが挙げられる。これらの研磨剤は必要に応じ
軟磁性層に添加することもできる。軟磁性層に添加する
ことで表面形状を制御したり、研磨剤の突出状態を制御
したりすることができる。これら強磁性層、軟磁性層の
添加する研磨剤の粒径、量はむろん最適値に設定すべき
ものである。
【0037】〔添加剤に関する説明〕本発明の強磁性層
と軟磁性層に使用される、添加剤としては潤滑効果、帯
電防止効果、分散効果、可塑効果、などをもつものが使
用される。二硫化モリブデン、二硫化タングステングラ
ファイト、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、シリコ−ンオイ
ル、極性基をもつシリコ−ン、脂肪酸変性シリコ−ン、
フッ素含有シリコ−ン、フッ素含有アルコ−ル、フッ素
含有エステル、ポリオレフィン、ポリグリコ−ル、アル
キル燐酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、アルキル
硫酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、ポリフェニル
エ−テル、フェニルホスホン酸、アミノキノン類、各種
シランカップリング剤、チタンカップリング剤、フッ素
含有アルキル硫酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、
炭素数10〜24の一塩基性脂肪酸(不飽和結合を含ん
でも、また分岐していてもかまわない)、および、これ
らの金属塩(Li、Na、K、Cuなど)または、炭素
数12〜22の一価、二価、三価、四価、五価、六価ア
ルコ−ル、(不飽和結合を含んでも、また分岐していて
もかまわない)、炭素数12〜22のアルコキシアルコ
−ル、炭素数10〜24の一塩基性脂肪酸(不飽和結合
を含んでも、また分岐していてもかまわない)と炭素数
2〜12の一価、二価、三価、四価、五価、六価アルコ
−ルのいずれか一つ(不飽和結合を含んでも、また分岐
していてもかまわない)とからなるモノ脂肪酸エステル
またはジ脂肪酸エステルまたはトリ脂肪酸エステル、ア
ルキレンオキシド重合物のモノアルキルエ−テルの脂肪
酸エステル、炭素数8〜22の脂肪酸アミド、炭素数8
〜22の脂肪族アミン、などが使用できる。
と軟磁性層に使用される、添加剤としては潤滑効果、帯
電防止効果、分散効果、可塑効果、などをもつものが使
用される。二硫化モリブデン、二硫化タングステングラ
ファイト、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、シリコ−ンオイ
ル、極性基をもつシリコ−ン、脂肪酸変性シリコ−ン、
フッ素含有シリコ−ン、フッ素含有アルコ−ル、フッ素
含有エステル、ポリオレフィン、ポリグリコ−ル、アル
キル燐酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、アルキル
硫酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、ポリフェニル
エ−テル、フェニルホスホン酸、アミノキノン類、各種
シランカップリング剤、チタンカップリング剤、フッ素
含有アルキル硫酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、
炭素数10〜24の一塩基性脂肪酸(不飽和結合を含ん
でも、また分岐していてもかまわない)、および、これ
らの金属塩(Li、Na、K、Cuなど)または、炭素
数12〜22の一価、二価、三価、四価、五価、六価ア
ルコ−ル、(不飽和結合を含んでも、また分岐していて
もかまわない)、炭素数12〜22のアルコキシアルコ
−ル、炭素数10〜24の一塩基性脂肪酸(不飽和結合
を含んでも、また分岐していてもかまわない)と炭素数
2〜12の一価、二価、三価、四価、五価、六価アルコ
−ルのいずれか一つ(不飽和結合を含んでも、また分岐
していてもかまわない)とからなるモノ脂肪酸エステル
またはジ脂肪酸エステルまたはトリ脂肪酸エステル、ア
ルキレンオキシド重合物のモノアルキルエ−テルの脂肪
酸エステル、炭素数8〜22の脂肪酸アミド、炭素数8
〜22の脂肪族アミン、などが使用できる。
【0038】これらの具体例としては脂肪酸では、カプ
リン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パル
ミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エラ
イジン酸、リノール酸、リノレン酸、イソステアリン
酸、などが挙げられる。エステル類ではブチルステアレ
ート、オクチルステアレート、アミルステアレート、イ
ソオクチルステアレート、ブチルミリステート、オクチ
ルミリステート、ブトキシエチルステアレート、ブトキ
シジエチルステアレート、2ーエチルヘキシルステアレ
ート、2ーオクチルドデシルパルミテート、2ーヘキシ
ルドデシルパルミテート、イソヘキサデシルステアレー
ト、オレイルオレエート、ドデシルステアレート、トリ
デシルステアレート、アルコール類ではオレイルアルコ
−ル、ステアリルアルコール、ラウリルアルコ−ル、な
どがあげられる。また、アルキレンオキサイド系、グリ
セリン系、グリシド−ル系、アルキルフェノ−ルエチレ
ンオキサイド付加体、等のノニオン界面活性剤、環状ア
ミン、エステルアミド、第四級アンモニウム塩類、ヒダ
ントイン誘導体、複素環類、ホスホニウムまたはスルホ
ニウム類、等のカチオン系界面活性剤、カルボン酸、ス
ルフォン酸、燐酸、硫酸エステル基、燐酸エステル基、
などの酸性基を含むアニオン界面活性剤、アミノ酸類、
アミノスルホン酸類、アミノアルコ−ルの硫酸または燐
酸エステル類、アルキルベダイン型、等の両性界面活性
剤等も使用できる。これらの界面活性剤については、
「界面活性剤便覧」(産業図書株式会社発行)に詳細に
記載されている。これらの潤滑剤、帯電防止剤等は必ず
しも100%純粋ではなく、主成分以外に異性体、未反
応物、副反応物、分解物、酸化物等の不純分が含まれて
もかまわない。これらの不純分は30重量%以下が好ま
しく、さらに好ましくは10重量%以下である。
リン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パル
ミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エラ
イジン酸、リノール酸、リノレン酸、イソステアリン
酸、などが挙げられる。エステル類ではブチルステアレ
ート、オクチルステアレート、アミルステアレート、イ
ソオクチルステアレート、ブチルミリステート、オクチ
ルミリステート、ブトキシエチルステアレート、ブトキ
シジエチルステアレート、2ーエチルヘキシルステアレ
ート、2ーオクチルドデシルパルミテート、2ーヘキシ
ルドデシルパルミテート、イソヘキサデシルステアレー
ト、オレイルオレエート、ドデシルステアレート、トリ
デシルステアレート、アルコール類ではオレイルアルコ
−ル、ステアリルアルコール、ラウリルアルコ−ル、な
どがあげられる。また、アルキレンオキサイド系、グリ
セリン系、グリシド−ル系、アルキルフェノ−ルエチレ
ンオキサイド付加体、等のノニオン界面活性剤、環状ア
ミン、エステルアミド、第四級アンモニウム塩類、ヒダ
ントイン誘導体、複素環類、ホスホニウムまたはスルホ
ニウム類、等のカチオン系界面活性剤、カルボン酸、ス
ルフォン酸、燐酸、硫酸エステル基、燐酸エステル基、
などの酸性基を含むアニオン界面活性剤、アミノ酸類、
アミノスルホン酸類、アミノアルコ−ルの硫酸または燐
酸エステル類、アルキルベダイン型、等の両性界面活性
剤等も使用できる。これらの界面活性剤については、
「界面活性剤便覧」(産業図書株式会社発行)に詳細に
記載されている。これらの潤滑剤、帯電防止剤等は必ず
しも100%純粋ではなく、主成分以外に異性体、未反
応物、副反応物、分解物、酸化物等の不純分が含まれて
もかまわない。これらの不純分は30重量%以下が好ま
しく、さらに好ましくは10重量%以下である。
【0039】本発明で使用されるこれらの潤滑剤、界面
活性剤は個々に異なる物理的作用を有するものであり、
その種類、量、および相乗的効果を生み出す潤滑剤の併
用比率は目的に応じ最適に定められるべきものである。
軟磁性層、強磁性層で融点の異なる脂肪酸を用い表面へ
のにじみ出しを制御する、沸点、融点や極性の異なるエ
ステル類を用い表面へのにじみ出しを制御する、界面活
性剤量を調節することで塗布の安定性を向上させる、潤
滑剤の添加量を中間層で多くして潤滑効果を向上させる
など考えられ、無論ここに示した例のみに限られるもの
ではない。一般には潤滑剤の総量として磁性体または軟
磁性粉体に対し、0.1重量%〜50重量%、好ましく
は2重量%〜25重量%の範囲で選択される。
活性剤は個々に異なる物理的作用を有するものであり、
その種類、量、および相乗的効果を生み出す潤滑剤の併
用比率は目的に応じ最適に定められるべきものである。
軟磁性層、強磁性層で融点の異なる脂肪酸を用い表面へ
のにじみ出しを制御する、沸点、融点や極性の異なるエ
ステル類を用い表面へのにじみ出しを制御する、界面活
性剤量を調節することで塗布の安定性を向上させる、潤
滑剤の添加量を中間層で多くして潤滑効果を向上させる
など考えられ、無論ここに示した例のみに限られるもの
ではない。一般には潤滑剤の総量として磁性体または軟
磁性粉体に対し、0.1重量%〜50重量%、好ましく
は2重量%〜25重量%の範囲で選択される。
【0040】また本発明で用いられる添加剤のすべてま
たはその一部は、磁性および非磁性塗料製造のどの工程
で添加してもかまわない、例えば、混練工程前に磁性体
と混合する場合、磁性体と結合剤と溶剤による混練工程
で添加する場合、分散工程で添加する場合、分散後に添
加する場合、塗布直前に添加する場合などがある。ま
た、目的に応じて強磁性層を塗布した後、同時または逐
次塗布で、添加剤の一部または全部を塗布することによ
り目的が達成される場合がある。また、目的によっては
カレンダ−した後、またはスリット終了後、強磁性層表
面に潤滑剤を塗布することもできる。
たはその一部は、磁性および非磁性塗料製造のどの工程
で添加してもかまわない、例えば、混練工程前に磁性体
と混合する場合、磁性体と結合剤と溶剤による混練工程
で添加する場合、分散工程で添加する場合、分散後に添
加する場合、塗布直前に添加する場合などがある。ま
た、目的に応じて強磁性層を塗布した後、同時または逐
次塗布で、添加剤の一部または全部を塗布することによ
り目的が達成される場合がある。また、目的によっては
カレンダ−した後、またはスリット終了後、強磁性層表
面に潤滑剤を塗布することもできる。
【0041】〔溶剤に関する記載〕本発明で用いられる
有機溶媒は任意の比率でアセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン、等
のケトン類、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、
ブタノ−ル、イソブチルアルコ−ル、イソプロピルアル
コール、メチルシクロヘキサノール、などのアルコ−ル
類、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イ
ソプロピル、乳酸エチル、酢酸グリコ−ル等のエステル
類、グリコ−ルジメチルエーテル、グリコールモノエチ
ルエーテル、ジオキサン、などのグリコールエーテル
系、ベンゼン、トルエン、キシレン、クレゾール、クロ
ルベンゼン、などの芳香族炭化水素類、メチレンクロラ
イド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホル
ム、エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン、等の
塩素化炭化水素類、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘ
キサン等のものが使用できる。これら有機溶媒は必ずし
も100%純粋ではなく、主成分以外に異性体、未反応
物、副反応物、分解物、酸化物、水分等の不純分が含ま
れてもかまわない。これらの不純分は30重量%以下が
好ましく、さらに好ましくは10重量%以下である。本
発明で用いる有機溶媒は強磁性層と軟磁性層でその種類
は同じでも構わないが、軟磁性層に表面張力の高い溶媒
(シクロヘキサノン、ジオキサンなど)を用い塗布の安
定性をあげることが好ましい、具体的には上層溶剤組成
の表面張力の算術平均値が下層溶剤組成の算術平均値を
下回らないことが肝要である。分散性を向上させるため
にはある程度極性が強い方が好ましく、溶剤組成の内、
誘電率が15以上の溶剤が50重量%以上含まれること
が好ましい。また、溶解パラメ−タは8〜11であるこ
とが好ましい。
有機溶媒は任意の比率でアセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン、等
のケトン類、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、
ブタノ−ル、イソブチルアルコ−ル、イソプロピルアル
コール、メチルシクロヘキサノール、などのアルコ−ル
類、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イ
ソプロピル、乳酸エチル、酢酸グリコ−ル等のエステル
類、グリコ−ルジメチルエーテル、グリコールモノエチ
ルエーテル、ジオキサン、などのグリコールエーテル
系、ベンゼン、トルエン、キシレン、クレゾール、クロ
ルベンゼン、などの芳香族炭化水素類、メチレンクロラ
イド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホル
ム、エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン、等の
塩素化炭化水素類、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘ
キサン等のものが使用できる。これら有機溶媒は必ずし
も100%純粋ではなく、主成分以外に異性体、未反応
物、副反応物、分解物、酸化物、水分等の不純分が含ま
れてもかまわない。これらの不純分は30重量%以下が
好ましく、さらに好ましくは10重量%以下である。本
発明で用いる有機溶媒は強磁性層と軟磁性層でその種類
は同じでも構わないが、軟磁性層に表面張力の高い溶媒
(シクロヘキサノン、ジオキサンなど)を用い塗布の安
定性をあげることが好ましい、具体的には上層溶剤組成
の表面張力の算術平均値が下層溶剤組成の算術平均値を
下回らないことが肝要である。分散性を向上させるため
にはある程度極性が強い方が好ましく、溶剤組成の内、
誘電率が15以上の溶剤が50重量%以上含まれること
が好ましい。また、溶解パラメ−タは8〜11であるこ
とが好ましい。
【0042】〔層構成に関する記載〕本発明の磁気記録
媒体の厚み構成は非磁性支持体が2〜100μm、好ま
しくは10〜80μm。非磁性可撓性支持体と軟磁性層
また強磁性層の間に密着性向上のための下塗り層を設け
てもかまわない。本下塗層厚みは0.01〜2μm、好
ましくは0.02〜0.5μmである。本願は通常支持
体両面に軟磁性層と強磁性層を設けてなる両面磁性層デ
ィスク状媒体であるが、片面のみに設けてもかまわな
い。この場合、帯電防止やカール補正などの効果を出す
ために軟磁性層、強磁性層側と反対側にバックコ−ト層
を設けてもかまわない。この厚みは0.1〜4μm、好
ましくは0.3〜2.0μmである。これらの下塗層、
バックコ−ト層は公知のものが使用できる。
媒体の厚み構成は非磁性支持体が2〜100μm、好ま
しくは10〜80μm。非磁性可撓性支持体と軟磁性層
また強磁性層の間に密着性向上のための下塗り層を設け
てもかまわない。本下塗層厚みは0.01〜2μm、好
ましくは0.02〜0.5μmである。本願は通常支持
体両面に軟磁性層と強磁性層を設けてなる両面磁性層デ
ィスク状媒体であるが、片面のみに設けてもかまわな
い。この場合、帯電防止やカール補正などの効果を出す
ために軟磁性層、強磁性層側と反対側にバックコ−ト層
を設けてもかまわない。この厚みは0.1〜4μm、好
ましくは0.3〜2.0μmである。これらの下塗層、
バックコ−ト層は公知のものが使用できる。
【0043】本発明の媒体の強磁性層の厚みは用いるヘ
ッドの飽和磁化量やヘッドギャップ長、記録信号の帯域
により最適化されるものであるが、一般には0.01μ
m以上0.5μm以下であり、好ましくは0.05μm
以上0.4μm以下、さらに好ましくは0.1μm〜
0.3μmである。強磁性層を異なる磁気特性を有する
2層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関
する構成が適用できる。
ッドの飽和磁化量やヘッドギャップ長、記録信号の帯域
により最適化されるものであるが、一般には0.01μ
m以上0.5μm以下であり、好ましくは0.05μm
以上0.4μm以下、さらに好ましくは0.1μm〜
0.3μmである。強磁性層を異なる磁気特性を有する
2層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関
する構成が適用できる。
【0044】本発明になる媒体の下地層である軟磁性層
の厚みは0.2μm以上5.0μm以下、好ましくは
0.5μm以上3.0μm以下、さらに好ましくは1.
0μm以上2.5μm以下である。 〔支持体に関する記載〕本発明に用いられる非磁性支持
体はポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタ
レート、等のポリエステル類、ポリオレフィン類、セル
ロ−ストリアセテ−ト、ポリカ−ボネ−ト、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスルフォン、
ポリアラミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾオキサゾ
−ルなどの公知のフィルムが使用できる。ポリエチレン
ナフタレ−ト、ポリアミドなどの高強度支持体を用いる
ことが好ましい。また必要に応じ、磁性面とベ−ス面の
表面粗さを変えるため特開平3−224127に示され
るような積層タイプの支持体を用いることもできる。こ
れらの支持体にはあらかじめコロナ放電処理、プラズマ
処理、易接着処理、熱処理、除塵処理、などをおこなっ
ても良い。また本発明の支持体としてアルミまたはガラ
ス基板を適用することも可能である。
の厚みは0.2μm以上5.0μm以下、好ましくは
0.5μm以上3.0μm以下、さらに好ましくは1.
0μm以上2.5μm以下である。 〔支持体に関する記載〕本発明に用いられる非磁性支持
体はポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタ
レート、等のポリエステル類、ポリオレフィン類、セル
ロ−ストリアセテ−ト、ポリカ−ボネ−ト、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスルフォン、
ポリアラミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾオキサゾ
−ルなどの公知のフィルムが使用できる。ポリエチレン
ナフタレ−ト、ポリアミドなどの高強度支持体を用いる
ことが好ましい。また必要に応じ、磁性面とベ−ス面の
表面粗さを変えるため特開平3−224127に示され
るような積層タイプの支持体を用いることもできる。こ
れらの支持体にはあらかじめコロナ放電処理、プラズマ
処理、易接着処理、熱処理、除塵処理、などをおこなっ
ても良い。また本発明の支持体としてアルミまたはガラ
ス基板を適用することも可能である。
【0045】本発明の目的を達成するには、非磁性支持
体としてWYKO社製TOPO−3Dのmirau法で
測定した中心面平均表面粗さはSRaは20nm以下、、
好ましくは10nm以下、さらに好ましくは5nm以下のも
のを使用する必要がある。これらの非磁性支持体は単に
中心面平均表面粗さが小さいだけではなく、0.5μm
以上の粗大突起がないことが好ましい。また表面の粗さ
形状は必要に応じて支持体に添加されるフィラ−の大き
さと量により自由にコントロ−ルされるものである。こ
れらのフィラ−としては一例としてはCa,Si、Ti
などの酸化物や炭酸塩の他、アクリル系などの有機微粉
末があげられる。
体としてWYKO社製TOPO−3Dのmirau法で
測定した中心面平均表面粗さはSRaは20nm以下、、
好ましくは10nm以下、さらに好ましくは5nm以下のも
のを使用する必要がある。これらの非磁性支持体は単に
中心面平均表面粗さが小さいだけではなく、0.5μm
以上の粗大突起がないことが好ましい。また表面の粗さ
形状は必要に応じて支持体に添加されるフィラ−の大き
さと量により自由にコントロ−ルされるものである。こ
れらのフィラ−としては一例としてはCa,Si、Ti
などの酸化物や炭酸塩の他、アクリル系などの有機微粉
末があげられる。
【0046】支持体の最大高さSRmax は1μm以下、
十点平均粗さSRz は0.5μm以下、中心面山高さは
SRp は0.5μm以下、中心面谷深さSRv は0.5
μm以下、中心面面積率SSr は10%以上、90%以
下、平均波長Sλa は5μm以上、300μm以下が好
ましい。所望の電磁変換特性と耐久性を得るため、これ
ら支持体の表面突起分布をフィラーにより任意にコント
ロールできるものであり、0.01μmから1μmの大
きさのもの各々を0.1mm2あたり0個から2000個
の範囲でコントロ−ルすることができる。
十点平均粗さSRz は0.5μm以下、中心面山高さは
SRp は0.5μm以下、中心面谷深さSRv は0.5
μm以下、中心面面積率SSr は10%以上、90%以
下、平均波長Sλa は5μm以上、300μm以下が好
ましい。所望の電磁変換特性と耐久性を得るため、これ
ら支持体の表面突起分布をフィラーにより任意にコント
ロールできるものであり、0.01μmから1μmの大
きさのもの各々を0.1mm2あたり0個から2000個
の範囲でコントロ−ルすることができる。
【0047】本発明に用いられる非磁性支持体のF−5
値は好ましくは5〜50Kg/mm 2 、また、支持体の
100℃30分での熱収縮率は好ましくは3%以下、さ
らに好ましくは1.5%以下、80℃30分での熱収縮
率は好ましくは1%以下、さらに好ましくは0.5%以
下である。破断強度は5〜100Kg/mm2 、弾性率
は100〜2000Kg/mm2 、が好ましい。温度膨
張係数は10-4〜10 -8/ ℃であり、好ましくは10-5
〜10-6/℃である。湿度膨張係数は10-4/RH%以下で
あり、好ましくは10-5/RH%以下である。これらの熱特
性、寸法特性、機械強度特性は支持体の面内各方向に対
し10%以内の差でほぼで等しいことが好ましい。
値は好ましくは5〜50Kg/mm 2 、また、支持体の
100℃30分での熱収縮率は好ましくは3%以下、さ
らに好ましくは1.5%以下、80℃30分での熱収縮
率は好ましくは1%以下、さらに好ましくは0.5%以
下である。破断強度は5〜100Kg/mm2 、弾性率
は100〜2000Kg/mm2 、が好ましい。温度膨
張係数は10-4〜10 -8/ ℃であり、好ましくは10-5
〜10-6/℃である。湿度膨張係数は10-4/RH%以下で
あり、好ましくは10-5/RH%以下である。これらの熱特
性、寸法特性、機械強度特性は支持体の面内各方向に対
し10%以内の差でほぼで等しいことが好ましい。
【0048】〔製法に関する記載〕本発明の磁気記録媒
体の磁性塗料を製造する工程は、少なくとも混練工程、
分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設
けた混合工程からなる。個々の工程はそれぞれ2段階以
上にわかれていてもかまわない。本発明に使用する磁性
体、軟磁性粉体、結合剤、カ−ボンブラック、研磨剤、
帯電防止剤、潤滑剤、溶剤などすべての原料はどの工程
の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々
の原料を2つ以上の工程で分割して添加してもかまわな
い。例えば、ポリウレタンを混練工程、分散工程、分散
後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよ
い。本発明の目的を達成するためには、従来の公知の製
造技術を一部の工程として用いることができる。混練工
程ではオープンニーダ、連続ニ−ダ、加圧ニ−ダ、エク
ストルーダなど強い混練力をもつものを使用することが
好ましい。ニ−ダを用いる場合は磁性体または軟磁性粉
体と結合剤のすべてまたはその一部(ただし全結合剤の
30重量%以上が好ましい)および磁性体100部に対
し15〜500部の範囲で混練処理される。これらの混
練処理の詳細については特願昭62−264722、特
願昭62−236872に記載されている。また、強磁
性層液および軟磁性層液を分散させるにはガラスビーズ
を用ることができるが、高比重の分散メディアであるジ
ルコニアビーズ、チタニアビーズ、スチールビーズが好
適である。これら分散メディアの粒径と充填率は最適化
して用いられる。分散機は公知のものを使用することが
できる。
体の磁性塗料を製造する工程は、少なくとも混練工程、
分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設
けた混合工程からなる。個々の工程はそれぞれ2段階以
上にわかれていてもかまわない。本発明に使用する磁性
体、軟磁性粉体、結合剤、カ−ボンブラック、研磨剤、
帯電防止剤、潤滑剤、溶剤などすべての原料はどの工程
の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々
の原料を2つ以上の工程で分割して添加してもかまわな
い。例えば、ポリウレタンを混練工程、分散工程、分散
後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよ
い。本発明の目的を達成するためには、従来の公知の製
造技術を一部の工程として用いることができる。混練工
程ではオープンニーダ、連続ニ−ダ、加圧ニ−ダ、エク
ストルーダなど強い混練力をもつものを使用することが
好ましい。ニ−ダを用いる場合は磁性体または軟磁性粉
体と結合剤のすべてまたはその一部(ただし全結合剤の
30重量%以上が好ましい)および磁性体100部に対
し15〜500部の範囲で混練処理される。これらの混
練処理の詳細については特願昭62−264722、特
願昭62−236872に記載されている。また、強磁
性層液および軟磁性層液を分散させるにはガラスビーズ
を用ることができるが、高比重の分散メディアであるジ
ルコニアビーズ、チタニアビーズ、スチールビーズが好
適である。これら分散メディアの粒径と充填率は最適化
して用いられる。分散機は公知のものを使用することが
できる。
【0049】本発明で重層構成の磁気記録媒体を塗布す
る場合、以下のような方式を用いることが好ましい。第
一に磁性塗料の塗布で一般的に用いられるグラビア塗
布、ロール塗布、ブレード塗布、エクストルージョン塗
布装置等により、まず下地層を塗布し、下地層がウェッ
ト状態のうちに特公平1−46186や特開昭60−2
38179,特開平2−265672に開示されている
支持体加圧型エクストルージョン塗布装置により上層を
塗布する方法。第二に特開昭63−88080、特開平
2−17971,特開平2−265672に開示されて
いるような塗布液通液スリットを二つ内蔵する一つの塗
布ヘッドにより上下層をほぼ同時に塗布する方法。第三
に特開平2−174965に開示されているバックアッ
プロール付きエクストルージョン塗布装置により上下層
をほぼ同時に塗布する方法である。なお、磁性粒子の凝
集による磁気記録媒体の電磁変換特性等の低下を防止す
るため、特開昭62−95174や特開平1−2369
68に開示されているような方法により塗布ヘッド内部
の塗布液にせん断を付与することが望ましい。さらに、
塗布液の粘度については、特願平1−312659に開
示されている数値範囲を満足する必要がある。本願の構
成を実現するには下地層を塗布し乾燥させたのち、その
上に強磁性層を設ける逐次重層塗布をもちいてもむろん
かまわず、本発明の効果が失われるものではない。ただ
し、塗布欠陥を少なくし、ドロップアウトなどの品質を
向上させるためには、前述の同時重層塗布を用いること
が好ましい。
る場合、以下のような方式を用いることが好ましい。第
一に磁性塗料の塗布で一般的に用いられるグラビア塗
布、ロール塗布、ブレード塗布、エクストルージョン塗
布装置等により、まず下地層を塗布し、下地層がウェッ
ト状態のうちに特公平1−46186や特開昭60−2
38179,特開平2−265672に開示されている
支持体加圧型エクストルージョン塗布装置により上層を
塗布する方法。第二に特開昭63−88080、特開平
2−17971,特開平2−265672に開示されて
いるような塗布液通液スリットを二つ内蔵する一つの塗
布ヘッドにより上下層をほぼ同時に塗布する方法。第三
に特開平2−174965に開示されているバックアッ
プロール付きエクストルージョン塗布装置により上下層
をほぼ同時に塗布する方法である。なお、磁性粒子の凝
集による磁気記録媒体の電磁変換特性等の低下を防止す
るため、特開昭62−95174や特開平1−2369
68に開示されているような方法により塗布ヘッド内部
の塗布液にせん断を付与することが望ましい。さらに、
塗布液の粘度については、特願平1−312659に開
示されている数値範囲を満足する必要がある。本願の構
成を実現するには下地層を塗布し乾燥させたのち、その
上に強磁性層を設ける逐次重層塗布をもちいてもむろん
かまわず、本発明の効果が失われるものではない。ただ
し、塗布欠陥を少なくし、ドロップアウトなどの品質を
向上させるためには、前述の同時重層塗布を用いること
が好ましい。
【0050】配向装置を用いず無配向でも十分に等方的
な配向性が得られることもあるが、コバルト磁石を斜め
に交互に配置する、ソレノイドで交流磁場を印加するな
ど公知のランダム配向装置を用いることが好ましい。等
方的な配向とは六方晶フェライトの場合は一般的に面内
および垂直方向の3次元ランダムになりやすいが、面内
2次元ランダムとすることも可能である。また異極対向
磁石など公知の方法を用い、垂直配向とすることで円周
方向に等方的な磁気特性を付与することもできる。特に
高密度記録を行う場合は垂直配向が好ましい。乾燥風の
温度、風量、塗布速度を制御することで塗膜の乾燥位置
を制御できるようにすることが好ましく、塗布速度は2
0m/分〜1000m/分、乾燥風の温度は60℃以上
が好ましい、また磁石ゾ−ンに入る前に適度の予備乾燥
を行なうこともできる。
な配向性が得られることもあるが、コバルト磁石を斜め
に交互に配置する、ソレノイドで交流磁場を印加するな
ど公知のランダム配向装置を用いることが好ましい。等
方的な配向とは六方晶フェライトの場合は一般的に面内
および垂直方向の3次元ランダムになりやすいが、面内
2次元ランダムとすることも可能である。また異極対向
磁石など公知の方法を用い、垂直配向とすることで円周
方向に等方的な磁気特性を付与することもできる。特に
高密度記録を行う場合は垂直配向が好ましい。乾燥風の
温度、風量、塗布速度を制御することで塗膜の乾燥位置
を制御できるようにすることが好ましく、塗布速度は2
0m/分〜1000m/分、乾燥風の温度は60℃以上
が好ましい、また磁石ゾ−ンに入る前に適度の予備乾燥
を行なうこともできる。
【0051】カレンダ処理ロ−ルとしてエポキシ、ポリ
イミド、ポリアミド、ポリイミドアミド等の耐熱性のあ
るプラスチックロ−ルまたは金属ロ−ルで処理するが、
特に両面磁性層とする場合は金属ロ−ル同志で処理する
ことが好ましい。処理温度は、好ましくは50℃以上、
さらに好ましくは100℃以上である。線圧力は好まし
くは200Kg/cm以上、さらに好ましくは300K
g/cm以上である。
イミド、ポリアミド、ポリイミドアミド等の耐熱性のあ
るプラスチックロ−ルまたは金属ロ−ルで処理するが、
特に両面磁性層とする場合は金属ロ−ル同志で処理する
ことが好ましい。処理温度は、好ましくは50℃以上、
さらに好ましくは100℃以上である。線圧力は好まし
くは200Kg/cm以上、さらに好ましくは300K
g/cm以上である。
【0052】〔物理特性に関する記載〕本発明になる磁
気記録媒体の強磁性層の飽和磁束密度Bsは、六方晶フ
ェライトを用いた場合は800G以上3000G以下で
ある。抗磁力HcおよびHrは1000Oe以上500
0Oe以下であるが、好ましくは1500Oe以上、3
000Oe以下である。抗磁力の分布は狭い方が好まし
く、SFDおよびSFDrは0.6以下が好ましい。角
形比は2次元ランダムの場合は0.55以上0.67以
下で、好ましくは0.58以上、0.64以下、3次元
ランダムの場合は0 .45以上、0.55以下が好まし
く、垂直配向の場合は垂直方向に0.6以上好ましくは
0.7以上、反磁界補正を行った場合は0.7以上好ま
しくは0.8以上である。2次元ランダム、3次元ラン
ダムとも配向度比は0.8以上が好ましい。2次元ラン
ダムの場合、垂直方向の角形比、Br、HcおよびHr
は面内方向の0.1〜0.5倍以内とすることが好まし
い。
気記録媒体の強磁性層の飽和磁束密度Bsは、六方晶フ
ェライトを用いた場合は800G以上3000G以下で
ある。抗磁力HcおよびHrは1000Oe以上500
0Oe以下であるが、好ましくは1500Oe以上、3
000Oe以下である。抗磁力の分布は狭い方が好まし
く、SFDおよびSFDrは0.6以下が好ましい。角
形比は2次元ランダムの場合は0.55以上0.67以
下で、好ましくは0.58以上、0.64以下、3次元
ランダムの場合は0 .45以上、0.55以下が好まし
く、垂直配向の場合は垂直方向に0.6以上好ましくは
0.7以上、反磁界補正を行った場合は0.7以上好ま
しくは0.8以上である。2次元ランダム、3次元ラン
ダムとも配向度比は0.8以上が好ましい。2次元ラン
ダムの場合、垂直方向の角形比、Br、HcおよびHr
は面内方向の0.1〜0.5倍以内とすることが好まし
い。
【0053】本発明の磁気記録媒体のヘッドに対する摩
擦係数は温度−10℃から40℃、湿度0%から95%
の範囲において0.5以下、好ましくは0.3以下、表
面固有抵抗は好ましくは磁性面104〜1012オ−ム
/sq 、帯電位は−500V から+500V 以内が好まし
い。強磁性層の0.5%伸びでの弾性率は面内各方向で
好ましくは100〜2000kg/mm2、破断強度は好ま
しくは1〜30Kg/cm2 、磁気記録媒体の弾性率は
面内各方向で好ましくは100〜1500Kg/m
m2 、残留のびは好ましくは0.5%以下、100℃以
下のあらゆる温度での熱収縮率は好ましくは1%以下、
さらに好ましくは0.5%以下、もっとも好ましくは
0.1%以下である。強磁性層のガラス転移温度( 11
0Hzで測定した動的粘弾性測定の損失弾性率の極大点)
は50℃以上120℃以下が好ましく、下層軟磁性層の
それは0℃〜100℃が好ましい。損失弾性率は1×1
08〜8×109dyne/m2 の範囲にあることが好
ましく、損失正接は0.2以下であることが好ましい。
損失正接が大きすぎると粘着故障が発生しやすい。これ
らの熱特性や機械特性は媒体の面内各方向で10%以内
でほぼ等しいことが好ましい。強磁性層中に含まれる残
留溶媒は好ましくは100mg/m2 以下、さらに好ましく
は10mg/m2 以下である。塗布層が有する空隙率は軟磁
性下層、強磁性層とも好ましくは30容量%以下、さら
に好ましくは20容量%以下である。空隙率は高出力を
果たすためには小さい方が好ましいが、目的によっては
ある値を確保した方が良い場合がある。例えば、繰り返
し用途が重視されるディスク媒体では空隙率が大きい方
が走行耐久性は好ましいことが多い。 強磁性層のTO
PO−3Dのmirau法で測定した中心面表面粗さR
aは10nm以下、好ましくは5nm以下、さらに好ましく
は3nm以下であるが、AFMによる評価で求めたRMS
表面粗さRRMS は2nm〜15nmの範囲にあることが好ま
しい。強磁性層の最大高さSRmax は0.5μm以下、
十点平均粗さSRzは0.3μm以下、中心面山高さS
Rp は0.3μm以下、中心面谷深さSRvは0.3μ
m以下、中心面面積率SSr は20%以上、80%以
下、平均波長Sλa は5μm以上、300μm以下が好
ましい。強磁性層の表面突起は0.01μmから1μm
の大きさのものを0個から2000個の範囲で任意に設
定し、摩擦係数を最適化することが好ましい。これらは
支持体のフィラ−による表面性のコントロ−ルや強磁性
層に添加する粉体の粒径と量、カレンダ処理のロ−ル表
面形状などで容易にコントロ−ルすることができる。
擦係数は温度−10℃から40℃、湿度0%から95%
の範囲において0.5以下、好ましくは0.3以下、表
面固有抵抗は好ましくは磁性面104〜1012オ−ム
/sq 、帯電位は−500V から+500V 以内が好まし
い。強磁性層の0.5%伸びでの弾性率は面内各方向で
好ましくは100〜2000kg/mm2、破断強度は好ま
しくは1〜30Kg/cm2 、磁気記録媒体の弾性率は
面内各方向で好ましくは100〜1500Kg/m
m2 、残留のびは好ましくは0.5%以下、100℃以
下のあらゆる温度での熱収縮率は好ましくは1%以下、
さらに好ましくは0.5%以下、もっとも好ましくは
0.1%以下である。強磁性層のガラス転移温度( 11
0Hzで測定した動的粘弾性測定の損失弾性率の極大点)
は50℃以上120℃以下が好ましく、下層軟磁性層の
それは0℃〜100℃が好ましい。損失弾性率は1×1
08〜8×109dyne/m2 の範囲にあることが好
ましく、損失正接は0.2以下であることが好ましい。
損失正接が大きすぎると粘着故障が発生しやすい。これ
らの熱特性や機械特性は媒体の面内各方向で10%以内
でほぼ等しいことが好ましい。強磁性層中に含まれる残
留溶媒は好ましくは100mg/m2 以下、さらに好ましく
は10mg/m2 以下である。塗布層が有する空隙率は軟磁
性下層、強磁性層とも好ましくは30容量%以下、さら
に好ましくは20容量%以下である。空隙率は高出力を
果たすためには小さい方が好ましいが、目的によっては
ある値を確保した方が良い場合がある。例えば、繰り返
し用途が重視されるディスク媒体では空隙率が大きい方
が走行耐久性は好ましいことが多い。 強磁性層のTO
PO−3Dのmirau法で測定した中心面表面粗さR
aは10nm以下、好ましくは5nm以下、さらに好ましく
は3nm以下であるが、AFMによる評価で求めたRMS
表面粗さRRMS は2nm〜15nmの範囲にあることが好ま
しい。強磁性層の最大高さSRmax は0.5μm以下、
十点平均粗さSRzは0.3μm以下、中心面山高さS
Rp は0.3μm以下、中心面谷深さSRvは0.3μ
m以下、中心面面積率SSr は20%以上、80%以
下、平均波長Sλa は5μm以上、300μm以下が好
ましい。強磁性層の表面突起は0.01μmから1μm
の大きさのものを0個から2000個の範囲で任意に設
定し、摩擦係数を最適化することが好ましい。これらは
支持体のフィラ−による表面性のコントロ−ルや強磁性
層に添加する粉体の粒径と量、カレンダ処理のロ−ル表
面形状などで容易にコントロ−ルすることができる。
【0054】カールは±3mm以内とすることが好まし
い。本発明の磁気記録媒体で軟磁性層と強磁性層を有す
る場合、目的に応じ軟磁性層と強磁性層でこれらの物理
特性を変えることができるのは容易に推定されることで
ある。例えば、強磁性層の弾性率を高くし走行耐久性を
向上させると同時に軟磁性層の弾性率を強磁性層より低
くして磁気記録媒体のヘッドへの当りを良くするなどで
ある。
い。本発明の磁気記録媒体で軟磁性層と強磁性層を有す
る場合、目的に応じ軟磁性層と強磁性層でこれらの物理
特性を変えることができるのは容易に推定されることで
ある。例えば、強磁性層の弾性率を高くし走行耐久性を
向上させると同時に軟磁性層の弾性率を強磁性層より低
くして磁気記録媒体のヘッドへの当りを良くするなどで
ある。
【0055】
〔実施例1〕 <塗料の作製> 磁性塗料 Y バリウムフェライト磁性粉 100部 対Baモル比組成:Fe9.10、Co0.20、Zn0.77 Hc2500Oe、比表面積50m2/g、σs 58emu/g 板径30nm、板状比3.5 塩化ビニル共重合体(−SO3 K含有) 12部 MR110(日本ゼオン社製) ポリウレタン(−SO3 Na含有):UR8200(東洋紡社製) 3部 フェニルホスホン酸 3部 α−アルミナ(平均粒径0.2μm):HIT55(住友化学社製) 10部 #50(旭カーボン社製) 5部 ブチルステアレート 10部 ブトキシエチルステアレート 5部 イソヘキサデシルステアレート 3部 ステアリン酸 2部 メチルエチルケトン 125部 シクロヘキサノン 125部 軟磁性塗料 Z 粒状マグネタイト粉 γ−Fe3 O4 80部 平均一次粒子径0.035μm、BET法による比表面積 40m2 /g Hc55Oe、pH 7、TiO2 含有量90重量%以上、 DBP吸油量27〜38ml/100g 、 表面処理剤Al2 O3 8重量% コンダクテックスSC−U(コロンビアンカーボン社製) 20部 MR110 12部 UR8200 5部 フェニルホスホン酸 3部 ブチルステアレート 10部 ブトキシエチルステアレート 5部 イソヘキサデシルステアレート 2部 ステアリン酸 3部 メチルエチルケトン/シクロヘキサノン(8/2混合溶剤) 250部 上記2つの塗料のそれぞれについて、各成分をニ−ダで
混練したのち、サンドミルをもちいて分散させた。得ら
れた分散液にポリイソシアネ−トを軟磁性層の塗布液に
は10部、強磁性層の塗布液には10部を加え、さらに
それぞれに酢酸ブチル40部を加え,1μmの平均孔径
を有するフィルターを用いて濾過し、軟磁性層形成用お
よび強磁性層形成用の塗布液をそれぞれ調製した。
混練したのち、サンドミルをもちいて分散させた。得ら
れた分散液にポリイソシアネ−トを軟磁性層の塗布液に
は10部、強磁性層の塗布液には10部を加え、さらに
それぞれに酢酸ブチル40部を加え,1μmの平均孔径
を有するフィルターを用いて濾過し、軟磁性層形成用お
よび強磁性層形成用の塗布液をそれぞれ調製した。
【0056】得られた軟磁性層塗布液を、乾燥後の厚さ
が1.5μmになるようにさらにその直後にその上に強
磁性層の厚さが0.2μmになるように、厚さ62μm
で中心線表面粗さが0.01μmのポリエチレンテレフ
タレ−ト支持体上に同時重層塗布をおこない、両層がま
だ湿潤状態にあるうちに6000Gの異極対向磁石の間
隙を通過させた後、40℃と80℃と100℃の乾燥ゾ
ーンを通過させて垂直配向処理を行った。乾燥後7段の
カレンダで温度90℃、線圧300Kg/cmにて処理
を行い、3.7吋に打ち抜き表面研磨処理施した後、ラ
イナーが内側に設置済の3.7吋のカートリッジ(米
Iomega社製 zip−diskカートリッジに入
れ、所定の機構部品を付加し、3.7吋フロッピーディ
スクを得た。
が1.5μmになるようにさらにその直後にその上に強
磁性層の厚さが0.2μmになるように、厚さ62μm
で中心線表面粗さが0.01μmのポリエチレンテレフ
タレ−ト支持体上に同時重層塗布をおこない、両層がま
だ湿潤状態にあるうちに6000Gの異極対向磁石の間
隙を通過させた後、40℃と80℃と100℃の乾燥ゾ
ーンを通過させて垂直配向処理を行った。乾燥後7段の
カレンダで温度90℃、線圧300Kg/cmにて処理
を行い、3.7吋に打ち抜き表面研磨処理施した後、ラ
イナーが内側に設置済の3.7吋のカートリッジ(米
Iomega社製 zip−diskカートリッジに入
れ、所定の機構部品を付加し、3.7吋フロッピーディ
スクを得た。
【0057】得られたサンプルのBaフェライト強磁性
層のHcは2650Oe、Bsは1300Gであった。
軟磁性層のHcは45Oe、Bsは2000Gであっ
た。 〔実施例2〕実施例1においてBaフェライト強磁性層
の厚みを0.5μmとした。 〔実施例3〕実施例1において、異極対向磁石として3
000Gのを使用した以外は、実施例1と同一の条件で
フロッピーディスクを得た。 〔実施例4〕実施例1において、軟磁性塗料の粒状マグ
ネタイトに代えてHcが210Oeの粒状マグネタイト
粉を用いた。 〔実施例5〕実施例1において軟磁性塗料のMR110
を16部、UR8200を7部、ポリイソシアネートを
13部とした。 〔比較例1〕実施例1においてBaフェライト強磁性層
の厚みを0.7μmとした。 〔比較例2〕実施例1において、2000Gの異極対向
磁石と3000Gのソレノイド磁石を用いた以外は、実
施例1と同一の条件でフロッピーディスクを得た。 〔比較例3〕実施例1において、軟磁性塗料の粒状マグ
ネタイトに代えてHcが270Oeの粒状マグネタイト
粉を用いた。 〔比較例4〕実施例1において軟磁性塗料のMR110
を18部、UR8200を8部、ポリイソシアネートを
15部とした。 〔比較例5〕実施例1において、軟磁性層の軟磁性粉体
である粒状マグネタイト粉に代えて非磁性粉体の酸化チ
タン(平均粒径0.35μm)とした。
層のHcは2650Oe、Bsは1300Gであった。
軟磁性層のHcは45Oe、Bsは2000Gであっ
た。 〔実施例2〕実施例1においてBaフェライト強磁性層
の厚みを0.5μmとした。 〔実施例3〕実施例1において、異極対向磁石として3
000Gのを使用した以外は、実施例1と同一の条件で
フロッピーディスクを得た。 〔実施例4〕実施例1において、軟磁性塗料の粒状マグ
ネタイトに代えてHcが210Oeの粒状マグネタイト
粉を用いた。 〔実施例5〕実施例1において軟磁性塗料のMR110
を16部、UR8200を7部、ポリイソシアネートを
13部とした。 〔比較例1〕実施例1においてBaフェライト強磁性層
の厚みを0.7μmとした。 〔比較例2〕実施例1において、2000Gの異極対向
磁石と3000Gのソレノイド磁石を用いた以外は、実
施例1と同一の条件でフロッピーディスクを得た。 〔比較例3〕実施例1において、軟磁性塗料の粒状マグ
ネタイトに代えてHcが270Oeの粒状マグネタイト
粉を用いた。 〔比較例4〕実施例1において軟磁性塗料のMR110
を18部、UR8200を8部、ポリイソシアネートを
15部とした。 〔比較例5〕実施例1において、軟磁性層の軟磁性粉体
である粒状マグネタイト粉に代えて非磁性粉体の酸化チ
タン(平均粒径0.35μm)とした。
【0058】〔実施例と比較例の対比〕各試料の評価結
果を表1に示す。
果を表1に示す。
【0059】
【表1】
【0060】本発明のディスク状媒体は、従来のディス
ク状媒体に比べ高密度記録での特性が格段に優れている
ことがわかる。 〔測定法に関する記載〕フロッピーディスクの各試料
は、下記の評価方法で測定した。 再生出力の測定:再生出力の測定は、国際電子工業社
(旧東京エンジニアリング)製のディスク試験装置とS
K606B型評価装置を用いギャップ長0.3μmのメ
タルインギャップヘッド用い、半径24.6mmの位置
において記録波長60KFCIで記録した後ヘッド増幅
機の再生出力をテクトロニクス社製オシロスコープ76
33型で測定した。再生出力は実施例−1の出力を10
0として相対値で示した。
ク状媒体に比べ高密度記録での特性が格段に優れている
ことがわかる。 〔測定法に関する記載〕フロッピーディスクの各試料
は、下記の評価方法で測定した。 再生出力の測定:再生出力の測定は、国際電子工業社
(旧東京エンジニアリング)製のディスク試験装置とS
K606B型評価装置を用いギャップ長0.3μmのメ
タルインギャップヘッド用い、半径24.6mmの位置
において記録波長60KFCIで記録した後ヘッド増幅
機の再生出力をテクトロニクス社製オシロスコープ76
33型で測定した。再生出力は実施例−1の出力を10
0として相対値で示した。
【0061】モジュレーション:再生出力の測定と同様
の条件、装置を使用し再生波形の1周における最大値V
MAX 、最小値VMIN を{(VMAX −VMIN ) /(VMAX
+VMIN )}×100(%)の式に代入して求めた。 磁気特性(Hc、Br/Bm、SFD、Hr(90
゜):振動試料型磁束計(東英工業社製)を用い、Hm
10KOeで測定した。
の条件、装置を使用し再生波形の1周における最大値V
MAX 、最小値VMIN を{(VMAX −VMIN ) /(VMAX
+VMIN )}×100(%)の式に代入して求めた。 磁気特性(Hc、Br/Bm、SFD、Hr(90
゜):振動試料型磁束計(東英工業社製)を用い、Hm
10KOeで測定した。
【0062】強磁性層の厚さ:層断面の切片試料を作成
して、走査型電子顕微鏡(日立製作所製、Sー700
型)による画像を撮影した断面写真から求めた。 光沢度差:ディジタル光沢計(スガ試験機社製GK−4
5D型)を用いて、前述のように測定方向を45度毎に
変化させ8方向から測定し、最大値と最小値の差を求め
た。
して、走査型電子顕微鏡(日立製作所製、Sー700
型)による画像を撮影した断面写真から求めた。 光沢度差:ディジタル光沢計(スガ試験機社製GK−4
5D型)を用いて、前述のように測定方向を45度毎に
変化させ8方向から測定し、最大値と最小値の差を求め
た。
Claims (3)
- 【請求項1】非磁性支持体上に軟磁性層と強磁性六方晶
フェライト微粉末を結合剤中に分散してなる強磁性層を
この順に設けたディスク状磁気記録媒体において、該強
磁性層の厚みが0.5μm以下であり、かつ該強磁性層
の任意の場所における光沢度の測定方向依存性が5%以
内であることを特徴とするディスク状磁気記録媒体。 - 【請求項2】前記強磁性層は垂直方向に磁気的に配向し
ている請求項1記載のディスク状磁気記録媒体。 - 【請求項3】前記軟磁性層はHc(抗磁力)が200O
e以下、Bs(飽和磁束密度)が1500G以上である
請求項1または2記載のディスク状磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15136596A JPH103643A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | ディスク状磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15136596A JPH103643A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | ディスク状磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH103643A true JPH103643A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15516957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15136596A Pending JPH103643A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | ディスク状磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH103643A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6657813B2 (en) * | 2000-02-28 | 2003-12-02 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording system |
EP1768112A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-28 | FUJIFILM Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
US11040112B2 (en) | 2015-10-28 | 2021-06-22 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids and lipid nanoparticle formulations for delivery of nucleic acids |
US11168051B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-11-09 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids and lipid nanoparticle formulations for delivery of nucleic acids |
US11357856B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-06-14 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids for delivery of active agents |
US11524932B2 (en) | 2017-08-17 | 2022-12-13 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids for use in lipid nanoparticle formulations |
US11542225B2 (en) | 2017-08-17 | 2023-01-03 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids for use in lipid nanoparticle formulations |
US11634379B2 (en) | 2014-06-25 | 2023-04-25 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids and lipid nanoparticle formulations for delivery of nucleic acids |
US11639329B2 (en) | 2017-08-16 | 2023-05-02 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids for use in lipid nanoparticle formulations |
US11820728B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-11-21 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Carbonyl lipids and lipid nanoparticle formulations for delivery of nucleic acids |
US11976019B2 (en) | 2020-07-16 | 2024-05-07 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Cationic lipids for use in lipid nanoparticles |
US12065396B2 (en) | 2017-08-17 | 2024-08-20 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids for use in lipid nanoparticle formulations |
US12129223B2 (en) | 2021-12-16 | 2024-10-29 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids for use in lipid nanoparticle formulations |
-
1996
- 1996-06-12 JP JP15136596A patent/JPH103643A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7088548B2 (en) | 2000-02-28 | 2006-08-08 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording system |
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US11648324B2 (en) | 2015-10-28 | 2023-05-16 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids and lipid nanoparticle formulations for delivery of nucleic acids |
US11712481B2 (en) | 2015-10-28 | 2023-08-01 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipid nanoparticle formulations |
US11357856B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-06-14 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids for delivery of active agents |
US11820728B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-11-21 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Carbonyl lipids and lipid nanoparticle formulations for delivery of nucleic acids |
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US11542225B2 (en) | 2017-08-17 | 2023-01-03 | Acuitas Therapeutics, Inc. | Lipids for use in lipid nanoparticle formulations |
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