JPH10111354A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
- Publication number
- JPH10111354A JPH10111354A JP8264193A JP26419396A JPH10111354A JP H10111354 A JPH10111354 A JP H10111354A JP 8264193 A JP8264193 A JP 8264193A JP 26419396 A JP26419396 A JP 26419396A JP H10111354 A JPH10111354 A JP H10111354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- amplitude
- frequency signal
- input
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 能動電子走査型パルスレーダ装置に用いる電
力増幅器を非線形領域で動作させたとき、入力レベルが
変動しても位相が変化することを防ぎ、サイドバンドを
効果的に抑圧する方法を提供する。 【解決手段】 非線形領域で動作する電力増幅器の前段
にリミタ又はリミティング増幅器を設けて電力増幅器の
入力レベルを一定にする。また、電力増幅器の少なくと
も最終段増幅素子に印加するバイアス電圧波形をパルス
状に成形して、出力高周波波形を所望のパルス状に成形
する。
力増幅器を非線形領域で動作させたとき、入力レベルが
変動しても位相が変化することを防ぎ、サイドバンドを
効果的に抑圧する方法を提供する。 【解決手段】 非線形領域で動作する電力増幅器の前段
にリミタ又はリミティング増幅器を設けて電力増幅器の
入力レベルを一定にする。また、電力増幅器の少なくと
も最終段増幅素子に印加するバイアス電圧波形をパルス
状に成形して、出力高周波波形を所望のパルス状に成形
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パルスレーダなど
の送信増幅器に用いる高周波増幅器を提供することを目
的とする。
の送信増幅器に用いる高周波増幅器を提供することを目
的とする。
【0002】
【従来の技術】能動電子走査型パルスレーダ装置の一例
を図4に示す。図4において、11はパルス変調機能を
有する高周波信号発生器(以下、パルス変調波生成回路
と称する)であり、このパルス変調波生成回路11から
出力されるパルス変調波はサイドバンド抑圧用のフィル
タ12によりサイドバンドの周波数帯が除去される。こ
のフィルタ12の出力は分配経路13によってn分配さ
れた後、移相器141〜14nで位相制御され、線形増
幅器151〜15nで線形増幅されてアンテナ素子16
1〜16nより放射される。
を図4に示す。図4において、11はパルス変調機能を
有する高周波信号発生器(以下、パルス変調波生成回路
と称する)であり、このパルス変調波生成回路11から
出力されるパルス変調波はサイドバンド抑圧用のフィル
タ12によりサイドバンドの周波数帯が除去される。こ
のフィルタ12の出力は分配経路13によってn分配さ
れた後、移相器141〜14nで位相制御され、線形増
幅器151〜15nで線形増幅されてアンテナ素子16
1〜16nより放射される。
【0003】また、増幅器には非線形のものを使用し、
その後ろでサイドバンド抑圧の機能を設けることも考え
られる。図5にその一例を示す。なお、図5において図
4と同一部分には同一符号を付し、重複する説明は省略
する。
その後ろでサイドバンド抑圧の機能を設けることも考え
られる。図5にその一例を示す。なお、図5において図
4と同一部分には同一符号を付し、重複する説明は省略
する。
【0004】図5において、n個の移相器141〜14
nによって位相制御されたパルス変調波は非線形増幅器
171〜17nで増幅され、サイドバンド抑圧用フィル
タ181〜18nによりサイドバンド周波数が除去され
て、アンテナ素子161〜16nより送出される。
nによって位相制御されたパルス変調波は非線形増幅器
171〜17nで増幅され、サイドバンド抑圧用フィル
タ181〜18nによりサイドバンド周波数が除去され
て、アンテナ素子161〜16nより送出される。
【0005】能動電子走査型パルスレーダ装置に用いる
複数の電力増幅器は、効率を高くするために、非線形領
域で動作させる場合が多い。このため分配器のばらつ
き、移相器のロスのばらつき、温度変化、周波数変動等
による入力電力レベルの変動があると、AM/PM特性
により位相変化が生じ、送信ビームの形成に悪影響を与
えていた。
複数の電力増幅器は、効率を高くするために、非線形領
域で動作させる場合が多い。このため分配器のばらつ
き、移相器のロスのばらつき、温度変化、周波数変動等
による入力電力レベルの変動があると、AM/PM特性
により位相変化が生じ、送信ビームの形成に悪影響を与
えていた。
【0006】ここで、AM/PM特性とは、増幅器を非
線形領域で動作中に入力信号レベルを変化させる(振幅
変調をする)と、通過位相が変化(位相変調を受ける)
する特性をいう。
線形領域で動作中に入力信号レベルを変化させる(振幅
変調をする)と、通過位相が変化(位相変調を受ける)
する特性をいう。
【0007】また、パルス変調信号を送信するレーダ装
置では、レーダの占有帯域外にパルス変調に伴うサイド
バンドが発生し、これが周辺の通信装置などへ電波干渉
妨害を与えることがある。この干渉を避けるため、従来
のレーダ装置では、サイドバンドの発生を低減する方法
としてパルス振幅波形成形が行われている。
置では、レーダの占有帯域外にパルス変調に伴うサイド
バンドが発生し、これが周辺の通信装置などへ電波干渉
妨害を与えることがある。この干渉を避けるため、従来
のレーダ装置では、サイドバンドの発生を低減する方法
としてパルス振幅波形成形が行われている。
【0008】図6はその一つの例であり、入力に振幅波
形を成形したパルス7を印加することにより出力パルス
変調波4の立上がりおよび立下がり速度を遅くしてサイ
ドバンドの発生レベルを下げている。しかしこの場合入
力のパルス振幅波形を維持したまま増幅するために増幅
器8を線形領域で動作させる必要があり、電力効率が悪
い。そこで効率の劣化を避けるために電力増幅器を非線
形領域で動作させると、図7のように、入力信号7にパ
ルス振幅波形成形を施しても、出力波形9のようにパル
ス変調波の波形エンベロープが変形してしまい、ふたた
びサイドバンドレベルが大きくなるという欠点があっ
た。
形を成形したパルス7を印加することにより出力パルス
変調波4の立上がりおよび立下がり速度を遅くしてサイ
ドバンドの発生レベルを下げている。しかしこの場合入
力のパルス振幅波形を維持したまま増幅するために増幅
器8を線形領域で動作させる必要があり、電力効率が悪
い。そこで効率の劣化を避けるために電力増幅器を非線
形領域で動作させると、図7のように、入力信号7にパ
ルス振幅波形成形を施しても、出力波形9のようにパル
ス変調波の波形エンベロープが変形してしまい、ふたた
びサイドバンドレベルが大きくなるという欠点があっ
た。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、電
力増幅器を非線形領域で動作させると入力レベル変動に
よって位相変化が生じ、送信ビームの形成に悪影響を及
ぼしたり、入力信号にパルス振幅波形成形を施しても、
パルス振幅波形が変わりサイドバンドレベルが大きくな
ってしまったりする欠点があった。
力増幅器を非線形領域で動作させると入力レベル変動に
よって位相変化が生じ、送信ビームの形成に悪影響を及
ぼしたり、入力信号にパルス振幅波形成形を施しても、
パルス振幅波形が変わりサイドバンドレベルが大きくな
ってしまったりする欠点があった。
【0010】本発明は上記の欠点を解決するためになさ
れたもので、電力増幅器を非線形領域で動作させたとき
に入力レベルが変動しても位相変化が起こるのを防ぎ、
サイドバンドを効果的に抑圧することを目的とする。
れたもので、電力増幅器を非線形領域で動作させたとき
に入力レベルが変動しても位相変化が起こるのを防ぎ、
サイドバンドを効果的に抑圧することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、能動電子走査型パルスレーダ装置に用いる複
数の送信増幅器において、入力高周波信号の振幅を一定
の値に制限するリミタを具備し、増幅器の少なくとも最
終段増幅素子に成形したパルス状のバイアス電圧を印加
し、出力高周波信号の振幅波形を所望のパルス状に成形
することを特徴とする。
本発明は、能動電子走査型パルスレーダ装置に用いる複
数の送信増幅器において、入力高周波信号の振幅を一定
の値に制限するリミタを具備し、増幅器の少なくとも最
終段増幅素子に成形したパルス状のバイアス電圧を印加
し、出力高周波信号の振幅波形を所望のパルス状に成形
することを特徴とする。
【0012】また、リミタの代わりに、入力された高周
波信号の振幅を増幅してかつ一定の振幅に制限するリミ
ティング増幅器を用いたことを特徴とする。
波信号の振幅を増幅してかつ一定の振幅に制限するリミ
ティング増幅器を用いたことを特徴とする。
【0013】また、送信増幅器をリミティング増幅器で
構成し、このリミティング増幅器に印加するパルス状の
バイアス電圧を制御することを特徴とする。
構成し、このリミティング増幅器に印加するパルス状の
バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【0014】また、増幅素子にガリウム砒素電界効果ト
ランジスタを使用したことを特徴とする。
ランジスタを使用したことを特徴とする。
【0015】また、増幅器を非線形領域で動作させるこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
【0016】このように構成された高周波増幅器では、
非線形領域で動作する電力増幅器の前段にリミタを設け
て入力レベルを一定にし、電力増幅器のAM/PM特性
による位相変化を防ぐ。
非線形領域で動作する電力増幅器の前段にリミタを設け
て入力レベルを一定にし、電力増幅器のAM/PM特性
による位相変化を防ぐ。
【0017】また、電力増幅器の少なくとも最終段増幅
素子に印加するバイアス電圧波形をパルス状に成形し
て、出力高周波信号波形をパルス状に成形しサイドバン
ドの発生を防ぐことにより、良好な性能の高周波増幅器
が実現できる。
素子に印加するバイアス電圧波形をパルス状に成形し
て、出力高周波信号波形をパルス状に成形しサイドバン
ドの発生を防ぐことにより、良好な性能の高周波増幅器
が実現できる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照して説明する。
参照して説明する。
【0019】本発明の実施の一形態を図1に示す。入力
高周波信号波形1をリミタ2によって入力変動を吸収し
一定レベルの信号として、非線形領域で動作する電力増
幅器3に入力する。電力増幅器3は複数の増幅素子を用
いているが、その中の少なくとも一つの増幅素子として
ガリウム砒素電界効果トランジスタを用いている。この
とき電力増幅器3に印加するバイアス電圧波形5は立上
がりおよび立下がり速度を遅くし、出力高周波信号波形
4の立上がりおよび立下がり速度を遅くしてサイドバン
ドの発生を防ぐことにより、良好な性能の高周波増幅器
を実現できる。この電力増幅器3を図5の171〜17
nのように多数個配置して能動電子走査型パルスレーダ
を形成する。
高周波信号波形1をリミタ2によって入力変動を吸収し
一定レベルの信号として、非線形領域で動作する電力増
幅器3に入力する。電力増幅器3は複数の増幅素子を用
いているが、その中の少なくとも一つの増幅素子として
ガリウム砒素電界効果トランジスタを用いている。この
とき電力増幅器3に印加するバイアス電圧波形5は立上
がりおよび立下がり速度を遅くし、出力高周波信号波形
4の立上がりおよび立下がり速度を遅くしてサイドバン
ドの発生を防ぐことにより、良好な性能の高周波増幅器
を実現できる。この電力増幅器3を図5の171〜17
nのように多数個配置して能動電子走査型パルスレーダ
を形成する。
【0020】これまでの説明では、非線形領域で動作す
る電力増幅器3の入力レベルを一定にするためにリミタ
2を用いる場合について述べた。しかし、リミタ2の代
わりに、入力した高周波信号の振幅を増幅し、かつ一定
の振幅に制限するリミティング増幅器6を用いても同様
の効果が得られる。
る電力増幅器3の入力レベルを一定にするためにリミタ
2を用いる場合について述べた。しかし、リミタ2の代
わりに、入力した高周波信号の振幅を増幅し、かつ一定
の振幅に制限するリミティング増幅器6を用いても同様
の効果が得られる。
【0021】本発明の他の実施形態について図2を参照
して説明する。
して説明する。
【0022】本発明をリミティング増幅器6と非線形領
域で動作する電力増幅器3に適用した場合の例を図2に
示す。リミタ2の代わりに、入力した高周波信号の振幅
を増幅し、かつ一定の振幅に制限するリミティング増幅
器6を用いている他は図1と同様である。
域で動作する電力増幅器3に適用した場合の例を図2に
示す。リミタ2の代わりに、入力した高周波信号の振幅
を増幅し、かつ一定の振幅に制限するリミティング増幅
器6を用いている他は図1と同様である。
【0023】さらに、本発明の他の実施形態について図
3を参照して説明する。図3に示すようにリミティング
増幅器6に供給するパルス状のバイアス電圧波形5のパ
ルスの立上がり立下がり速度を適切に制御して遅くし、
これにより出力高周波信号のパルス振幅波形4の立上が
り立下がり速度を適切に制御して遅くすることによって
も同様の効果が得られる。本発明をリミティング増幅器
6に適用した場合の一例を図3に示す。
3を参照して説明する。図3に示すようにリミティング
増幅器6に供給するパルス状のバイアス電圧波形5のパ
ルスの立上がり立下がり速度を適切に制御して遅くし、
これにより出力高周波信号のパルス振幅波形4の立上が
り立下がり速度を適切に制御して遅くすることによって
も同様の効果が得られる。本発明をリミティング増幅器
6に適用した場合の一例を図3に示す。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、入力レベル変動に対し
て位相変化が少なく、サイドバンド発生の少ない、良好
な性能の高周波増幅器が実現できる。
て位相変化が少なく、サイドバンド発生の少ない、良好
な性能の高周波増幅器が実現できる。
【図1】本発明の実施の一形態を説明する図である。
【図2】本発明の実施の他の一形態を説明する図であ
る。
る。
【図3】本発明の実施の他の一形態を説明する図であ
る。
る。
【図4】従来例を説明する図である。
【図5】従来例を説明する図である。
【図6】従来例を説明する図である。
【図7】従来例を説明する図である。
1…入力高周波信号波形 2…リミタ 3…非線形領域で動作する電力増幅器 4…出力高周波信号波形 5…バイアス電圧波形 6…リミティング増幅器 7…パルス振幅波形成形された入力高周波信号波形 8…線形領域で動作する増幅器 9…波形エンベロープが変形した出力高周波信号波形 11…パルス変調波生成回路 12…サイドバンド抑圧用フィルタ 13…分配経路 141〜14n…移相器 151〜15n…線形増幅器 161〜16n…アンテナ素子 171〜17n…非線形増幅器 181〜18n…サイドバンド抑圧用フィルタ
Claims (5)
- 【請求項1】 能動電子走査型パルスレーダ装置に用い
る複数の送信増幅器において、入力高周波信号の振幅を
一定の値に制限するリミタを具備し、増幅器の少なくと
も最終段増幅素子に成形したパルス状のバイアス電圧を
印加し、出力高周波信号の振幅波形を所望のパルス状に
成形することを特徴とする高周波増幅器。 - 【請求項2】 リミタの代わりに、入力された高周波信
号の振幅を増幅してかつ一定の振幅に制限するリミティ
ング増幅器を用いたことを特徴とする請求項1記載の高
周波増幅器。 - 【請求項3】 送信増幅器をリミティング増幅器で構成
し、このリミティング増幅器に印加するパルス状のバイ
アス電圧を制御することを特徴とする請求項1記載の高
周波増幅器。 - 【請求項4】 増幅素子にガリウム砒素電界効果トラン
ジスタを使用したことを特徴とする請求項1記載の高周
波増幅器。 - 【請求項5】 増幅器を非線形領域で動作させることを
特徴とする請求項1記載の高周波増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8264193A JPH10111354A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8264193A JPH10111354A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10111354A true JPH10111354A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17399779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8264193A Pending JPH10111354A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10111354A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1391996A3 (en) * | 2002-08-22 | 2005-11-23 | Nec Corporation | Amplitude limiting circuit and CDMA communication apparatus |
WO2017044657A1 (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | Flir Systems, Inc. | Automatic bias controller for a pulsed power amplifier |
-
1996
- 1996-10-04 JP JP8264193A patent/JPH10111354A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1391996A3 (en) * | 2002-08-22 | 2005-11-23 | Nec Corporation | Amplitude limiting circuit and CDMA communication apparatus |
US7369580B2 (en) | 2002-08-22 | 2008-05-06 | Nec Corporation | Amplitude limiting circuit and CDMA communication apparatus |
WO2017044657A1 (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | Flir Systems, Inc. | Automatic bias controller for a pulsed power amplifier |
US10454425B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-10-22 | Flir Systems, Inc. | Automatic bias controller for a pulsed power amplifier |
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