JPH0959767A - Ｐｂｎハースライナを用いた合金の成膜方法 - Google Patents
Ｐｂｎハースライナを用いた合金の成膜方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ−Ｃｕ等の合金膜を、大面積にわたって
均一に成膜する。 【解決手段】 ＰＢＮ（パイロリティック窒化ボロン）
からなるライナ本体の表面を導電性膜で被覆したハース
ライナ２１を用いて合金を電子ビーム蒸着する。
均一に成膜する。 【解決手段】 ＰＢＮ（パイロリティック窒化ボロン）
からなるライナ本体の表面を導電性膜で被覆したハース
ライナ２１を用いて合金を電子ビーム蒸着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はハースライナを用い
た合金の成膜方法に関する。
た合金の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学部品、電子部品等の基板に薄膜を形
成する成膜方式としては、電子ビームを蒸着材料に照射
して加熱し、これを蒸発させる電子ビーム蒸着が汎く用
いられている（「薄膜工学ハンドブック」オーム社発
行，ｐ１０１〜ｐ１０５，昭和５８年１２月１０日発
行）。電子ビーム蒸着の蒸発源として用いられる電子銃
は、一般には水冷された銅製のハース（るつぼ）を複数
個具えており、ハース内に直接蒸着材料を充填し、必要
に応じてハースを回転させて使用ハースを変更しなが
ら、電子ビームを蒸着材料に直接照射して蒸着すること
ができる。しかし一方において、直接ハース内に蒸着材
料を充填するのではなく、ハース内に収納されるハース
ライナと呼ばれる内容器を用い、このハースライナ内に
蒸着材料を充填して電子ビームを照射する場合が多い。
成する成膜方式としては、電子ビームを蒸着材料に照射
して加熱し、これを蒸発させる電子ビーム蒸着が汎く用
いられている（「薄膜工学ハンドブック」オーム社発
行，ｐ１０１〜ｐ１０５，昭和５８年１２月１０日発
行）。電子ビーム蒸着の蒸発源として用いられる電子銃
は、一般には水冷された銅製のハース（るつぼ）を複数
個具えており、ハース内に直接蒸着材料を充填し、必要
に応じてハースを回転させて使用ハースを変更しなが
ら、電子ビームを蒸着材料に直接照射して蒸着すること
ができる。しかし一方において、直接ハース内に蒸着材
料を充填するのではなく、ハース内に収納されるハース
ライナと呼ばれる内容器を用い、このハースライナ内に
蒸着材料を充填して電子ビームを照射する場合が多い。
【０００３】ハースライナを用いると、以下のような利
点が得られる。 （１） 蒸着材料に蒸発源の掃除をするとき、小部品で
あるハースライナを外部に取り出して掃除できるので、
掃除が容易である。 （２） 同一の電子銃で異なる蒸着材料を蒸着するとき
でも、ハースライナのみのを交換すればよく、これによ
り蒸着時の汚染を十分に防止できる。
点が得られる。 （１） 蒸着材料に蒸発源の掃除をするとき、小部品で
あるハースライナを外部に取り出して掃除できるので、
掃除が容易である。 （２） 同一の電子銃で異なる蒸着材料を蒸着するとき
でも、ハースライナのみのを交換すればよく、これによ
り蒸着時の汚染を十分に防止できる。
【０００４】ハースライナとしては、炭素製のＣハース
ライナなどが知られている。しかしながら、Ｃハースラ
イナ等の従来の素材で作成されたハースライナでは、非
反応性に乏しく、例えばＣハースライナを用いてアルミ
ニウムを電子ビーム蒸着すると、炭素とアルミニウムが
反応して炭化アルミニウム（Ａｌ4Ｃ3）を生じ、得られ
るアルミニウム薄膜の結晶性、純度を低下させる。
ライナなどが知られている。しかしながら、Ｃハースラ
イナ等の従来の素材で作成されたハースライナでは、非
反応性に乏しく、例えばＣハースライナを用いてアルミ
ニウムを電子ビーム蒸着すると、炭素とアルミニウムが
反応して炭化アルミニウム（Ａｌ4Ｃ3）を生じ、得られ
るアルミニウム薄膜の結晶性、純度を低下させる。
【０００５】また、従来のＣハースライナの蒸着物質に
電子ビームを照射させると、ハースライナ内の蒸着物質
の全てが溶融するのではなく、電子ビームが照射された
極く近傍しか溶融しないため基板上に形成される成膜の
膜厚分布が取りにくいという問題があった。そのため、
再現性に限界があり、また、大面積基板への均一膜厚の
薄膜形成が困難であった。さらに、アルミニウムのよう
に濡れる物質を電子ビーム蒸着すると、アルミニウムが
ハースライナ内壁に沿って這上り、溶融状態の視察を困
難にしたり、溶け跡の状態が悪いという問題もあった。
電子ビームを照射させると、ハースライナ内の蒸着物質
の全てが溶融するのではなく、電子ビームが照射された
極く近傍しか溶融しないため基板上に形成される成膜の
膜厚分布が取りにくいという問題があった。そのため、
再現性に限界があり、また、大面積基板への均一膜厚の
薄膜形成が困難であった。さらに、アルミニウムのよう
に濡れる物質を電子ビーム蒸着すると、アルミニウムが
ハースライナ内壁に沿って這上り、溶融状態の視察を困
難にしたり、溶け跡の状態が悪いという問題もあった。
【０００６】また、電子ビーム蒸着により、合金薄膜を
成膜することも行なわれている。この合金の成膜の際の
最大の問題点は、合金成分の蒸発速度が均一でない点に
あり、例えばＡｌ−Ｃｕ合金ではＡｌの蒸発速度が大き
い。そのため従来のハースライナを用いてＡｌ−Ｃｕ合
金を電子ビーム蒸着すると、電子ビームが照射される狭
い範囲でＣｕ量が徐々に増加し、ある程度の深さまで蒸
着を進めると、Ｃｕ量が大きく増加し、規格範囲の成膜
を得られなくなる。そのため、蒸着を中断せざるを得
ず、残余のＡｌ−Ｃｕ合金が無駄となる。
成膜することも行なわれている。この合金の成膜の際の
最大の問題点は、合金成分の蒸発速度が均一でない点に
あり、例えばＡｌ−Ｃｕ合金ではＡｌの蒸発速度が大き
い。そのため従来のハースライナを用いてＡｌ−Ｃｕ合
金を電子ビーム蒸着すると、電子ビームが照射される狭
い範囲でＣｕ量が徐々に増加し、ある程度の深さまで蒸
着を進めると、Ｃｕ量が大きく増加し、規格範囲の成膜
を得られなくなる。そのため、蒸着を中断せざるを得
ず、残余のＡｌ−Ｃｕ合金が無駄となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ハースライ
ナを用いて合金の成膜における問題点を解決することを
目的とする。
ナを用いて合金の成膜における問題点を解決することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の合金の成膜方法
は、ＰＢＮからなるハースライナ本体の表面を導電性膜
で被覆した電子ビーム蒸着用ＰＢＮハースライナ内に合
金ないしは合金の成分金属を収納し、該ハースライナ内
に電子ビームを照射して蒸着し合金を成膜することを特
徴とする。
は、ＰＢＮからなるハースライナ本体の表面を導電性膜
で被覆した電子ビーム蒸着用ＰＢＮハースライナ内に合
金ないしは合金の成分金属を収納し、該ハースライナ内
に電子ビームを照射して蒸着し合金を成膜することを特
徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のＰＢＮハースラ
イナ２１をハース１１内に配設した状態で示す実施例で
あり、図２は、このＰＢＮハースライナ２１の拡大断面
図である。冷却水１３で冷却された銅製のハース１１内
にＰＢＮハースライナ２１が収納されている。ＰＢＮハ
ースライナ２１は、ＰＢＮからなるＰＢＮライナ本体２
３に導電性膜２５が被覆されており、その底部がハース
１１に接触して冷却水１３により冷却されている。
イナ２１をハース１１内に配設した状態で示す実施例で
あり、図２は、このＰＢＮハースライナ２１の拡大断面
図である。冷却水１３で冷却された銅製のハース１１内
にＰＢＮハースライナ２１が収納されている。ＰＢＮハ
ースライナ２１は、ＰＢＮからなるＰＢＮライナ本体２
３に導電性膜２５が被覆されており、その底部がハース
１１に接触して冷却水１３により冷却されている。
【００１０】ＰＢＮ（Ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ Ｂｏｒｏｎ
Ｎｉｔｒｉｄｅ：パイロリティック窒化ボロン）は、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ：化学的気相成長法）を利用した熱分解法に
より製造できる。ＰＢＮは絶縁性である。ＰＢＮハース
ライナ２１の表面には導電性膜２５が施されており、こ
のＰＢＮハースライナ２１には、蒸着材料としてのＡｌ
−Ｃｕ等の合金３１が充填されている。電子銃から電子
ビームを合金３１の表面に照射して電子を投入すると、
導電性膜２５を通してＰＢＮライナ本体２３に電流が流
れ、ＰＢＮライナ本体２３自体が赤熱し、内部の合金３
１が蒸発可能な温度になる。このとき、ＰＢＮハースラ
イナ２３内の合金は全体的に溶融しており、液面全体か
ら合金３１が蒸発し、広い面積にわたって膜厚分布を得
ることができる。すなわち、大面積の基板に対して均一
に成膜することができる。また、同一の面積の基板につ
いて従来のハースライナと比較すれば、再現性がより良
好となる。
Ｎｉｔｒｉｄｅ：パイロリティック窒化ボロン）は、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ：化学的気相成長法）を利用した熱分解法に
より製造できる。ＰＢＮは絶縁性である。ＰＢＮハース
ライナ２１の表面には導電性膜２５が施されており、こ
のＰＢＮハースライナ２１には、蒸着材料としてのＡｌ
−Ｃｕ等の合金３１が充填されている。電子銃から電子
ビームを合金３１の表面に照射して電子を投入すると、
導電性膜２５を通してＰＢＮライナ本体２３に電流が流
れ、ＰＢＮライナ本体２３自体が赤熱し、内部の合金３
１が蒸発可能な温度になる。このとき、ＰＢＮハースラ
イナ２３内の合金は全体的に溶融しており、液面全体か
ら合金３１が蒸発し、広い面積にわたって膜厚分布を得
ることができる。すなわち、大面積の基板に対して均一
に成膜することができる。また、同一の面積の基板につ
いて従来のハースライナと比較すれば、再現性がより良
好となる。
【００１１】仮りに、導電性膜２５が施されていないＰ
ＢＮライナ本体２３に直接合金３１を充填して電子ビー
ムを照射したとすると、ＰＢＮライナ本体２３自体は絶
縁体であるため電子の逃げ場がなく、チャージアップを
起こす。そこで本発明では、ＰＢＮライナ本体２３を導
電性膜２５で被覆し、チャージアップを防止した。電子
は、導電性膜２５を通ってハース１１からリークするこ
とができる。
ＢＮライナ本体２３に直接合金３１を充填して電子ビー
ムを照射したとすると、ＰＢＮライナ本体２３自体は絶
縁体であるため電子の逃げ場がなく、チャージアップを
起こす。そこで本発明では、ＰＢＮライナ本体２３を導
電性膜２５で被覆し、チャージアップを防止した。電子
は、導電性膜２５を通ってハース１１からリークするこ
とができる。
【００１２】また、ＰＢＮは溶融金属と非常に反応しに
くく、高純度の合金を成膜することができる。導電性膜
２５の材料、形成方法は問わないが、ＰＢＮの特性を生
かす意味から溶融金属と反応しにくいものが好ましい。
このような導電性膜２５の代表例としては、ＰＧ膜があ
る。ここでＰＧ膜とはｐｙｒｏｌｙｔｉｃ Ｇｒａｐｈ
ｉｔｅ（ピロリティック グラファイト）を指し、ＰＢ
Ｎと同様の手法で製造できる。ＰＢＮは熱分解法を利用
して作成されるため、ＰＢＮライナ本体２３は、微視的
に見ると図４に示すような一種の積層膜構造を有し、積
層膜の面方向と厚さ方向とでは異方性を有する。
くく、高純度の合金を成膜することができる。導電性膜
２５の材料、形成方法は問わないが、ＰＢＮの特性を生
かす意味から溶融金属と反応しにくいものが好ましい。
このような導電性膜２５の代表例としては、ＰＧ膜があ
る。ここでＰＧ膜とはｐｙｒｏｌｙｔｉｃ Ｇｒａｐｈ
ｉｔｅ（ピロリティック グラファイト）を指し、ＰＢ
Ｎと同様の手法で製造できる。ＰＢＮは熱分解法を利用
して作成されるため、ＰＢＮライナ本体２３は、微視的
に見ると図４に示すような一種の積層膜構造を有し、積
層膜の面方向と厚さ方向とでは異方性を有する。
【００１３】ＰＢＮのもつ熱伝導特性により面方向熱伝
導が大きく、ＰＢＮハースライナ２１の温度分布が均一
となる。一方、厚さ方向の熱伝導度は面方向に比べてか
なり小さく保温性に優れ、小さな電子ビームパワーで効
率的に蒸着を行なうことができる。また、Ａｌのように
漏れやすい金属でも、ＰＢＮハースライナ２１の内壁面
を這上ることがなく、溶融状態の視察の障害となった
り、蒸着処理後にも掃除の面倒などがない。
導が大きく、ＰＢＮハースライナ２１の温度分布が均一
となる。一方、厚さ方向の熱伝導度は面方向に比べてか
なり小さく保温性に優れ、小さな電子ビームパワーで効
率的に蒸着を行なうことができる。また、Ａｌのように
漏れやすい金属でも、ＰＢＮハースライナ２１の内壁面
を這上ることがなく、溶融状態の視察の障害となった
り、蒸着処理後にも掃除の面倒などがない。
【００１４】しかし一方において、ＰＢＮは積層構造で
あるが故の問題点もある。図３に示すように、容器状の
ＰＢＮライナ本体２３の開口部端面２３ａでは、積層構
造の末端が露出しており、層間から異物が浸入してＰＢ
Ｎの積層構造が損傷を受けやすい。図１，２の本発明の
実施例では、この開口部端面２３ａを導電性膜２５で被
覆保護し、上記損傷を防止している。
あるが故の問題点もある。図３に示すように、容器状の
ＰＢＮライナ本体２３の開口部端面２３ａでは、積層構
造の末端が露出しており、層間から異物が浸入してＰＢ
Ｎの積層構造が損傷を受けやすい。図１，２の本発明の
実施例では、この開口部端面２３ａを導電性膜２５で被
覆保護し、上記損傷を防止している。
【００１５】図４は本発明のＰＢＮハースライナの他の
実施例を示す断面図であり、導電性膜２５の形成位置が
異なるだけである。導電性膜２５′は、容器状のＰＢＮ
ライナ本体２３の開口部端面２３ａを被覆して保護して
いる。電子ビームにより合金３１に電子が投入される
と、図１、図２の実施例のようにシース１１にリークす
ることはできないが、導電子膜２５′が存在することに
より、反射電子、２次電子、熱電子などの形でリーク
し、合金３１に電子が蓄積してチャージアップを起こす
ことがない。
実施例を示す断面図であり、導電性膜２５の形成位置が
異なるだけである。導電性膜２５′は、容器状のＰＢＮ
ライナ本体２３の開口部端面２３ａを被覆して保護して
いる。電子ビームにより合金３１に電子が投入される
と、図１、図２の実施例のようにシース１１にリークす
ることはできないが、導電子膜２５′が存在することに
より、反射電子、２次電子、熱電子などの形でリーク
し、合金３１に電子が蓄積してチャージアップを起こす
ことがない。
【００１６】金属の中でも合金は、均一組成の膜を安定
して蒸着することが困難であるとされている。しかし、
本発明のＰＢＮハースライナを用いれば、均一な組成の
合金膜を成膜することができる。
して蒸着することが困難であるとされている。しかし、
本発明のＰＢＮハースライナを用いれば、均一な組成の
合金膜を成膜することができる。
【００１７】以下の合金の蒸着について、Ａｌ−Ｃｕ合
金の場合を中心とし、図１と図２に沿って説明する。Ａ
ｌ−Ｃｕ等の合金３１をＰＢＮハースライナ２１内に装
入して電子ビームを投入すると、ＰＢＮライナ本体２３
自体の赤熱により、合金３１全体が溶融し、この溶融合
金３１は表面と底部との間で対流する。Ａｌ−Ｃｕ合金
ではＡｌの蒸発速度の方が大きい。そこでもし全体溶融
・対流が生ぜず、表面部の狭い範囲での蒸発が順次下部
に向かって繰返されていくと、徐々にＡｌ濃度が減少し
Ｃｕ濃度が増加し、ついには目的とする許容規格組成の
成膜が困難となり、比較的早くこの状態に達する。
金の場合を中心とし、図１と図２に沿って説明する。Ａ
ｌ−Ｃｕ等の合金３１をＰＢＮハースライナ２１内に装
入して電子ビームを投入すると、ＰＢＮライナ本体２３
自体の赤熱により、合金３１全体が溶融し、この溶融合
金３１は表面と底部との間で対流する。Ａｌ−Ｃｕ合金
ではＡｌの蒸発速度の方が大きい。そこでもし全体溶融
・対流が生ぜず、表面部の狭い範囲での蒸発が順次下部
に向かって繰返されていくと、徐々にＡｌ濃度が減少し
Ｃｕ濃度が増加し、ついには目的とする許容規格組成の
成膜が困難となり、比較的早くこの状態に達する。
【００１８】これに対して本発明では、前述のようにＡ
ｌ−Ｃｕ合金の全体が溶解し、しかも対流するので、合
金３１の表面層でＡｌがＣｕに比べて大量に蒸発したと
しても、対流による均一混合より合金３１の全体量で組
成が変動する。全体量で見れば、Ｃｕに対して過剰に蒸
発したＡｌは小さな割合である。したがって長期にわた
って、許容範囲のＡｌ／Ｃｕ比率を保つことができる。
ｌ−Ｃｕ合金の全体が溶解し、しかも対流するので、合
金３１の表面層でＡｌがＣｕに比べて大量に蒸発したと
しても、対流による均一混合より合金３１の全体量で組
成が変動する。全体量で見れば、Ｃｕに対して過剰に蒸
発したＡｌは小さな割合である。したがって長期にわた
って、許容範囲のＡｌ／Ｃｕ比率を保つことができる。
【００１９】また、Ａｌ−Ｃｕ等の合金の場合は、成分
の蒸発速度が違うことから、いずれは成分バランスをく
ずすため、ハースライナに充填した合金のすべてを使い
切ることはできない。したがって、この残存蒸着材料の
処理が問題となる。既に説明したように、従来技術で
は、残存蒸着材料の表面部はＣｕ量が非常に多く、一
方、底部はハース１１の冷却水１３に冷却されているた
め蒸発せず本来のＡｌ−Ｃｕ比が保たれており、組成的
に異なる。このような残存蒸着材料は再使用できず、破
棄するしかない。
の蒸発速度が違うことから、いずれは成分バランスをく
ずすため、ハースライナに充填した合金のすべてを使い
切ることはできない。したがって、この残存蒸着材料の
処理が問題となる。既に説明したように、従来技術で
は、残存蒸着材料の表面部はＣｕ量が非常に多く、一
方、底部はハース１１の冷却水１３に冷却されているた
め蒸発せず本来のＡｌ−Ｃｕ比が保たれており、組成的
に異なる。このような残存蒸着材料は再使用できず、破
棄するしかない。
【００２０】一方本件発明では、常に対流による混合均
一化が繰り返されているので、残存蒸着材料（合金）は
均一組成である。この組成は、経験的に或いは測定して
求めることができるので、初期濃度となる割合で、例え
ばＡｌ，Ｃｕを追加すれば、残存蒸着材料を再使用でき
る。蒸着に先立って、この再生蒸着材料の全体を溶解さ
せ対流により均一化すれば初期状態に戻る。このこと
は、追加する蒸着材料（合金）の組成を適宜変化させる
ことにより、成膜開始時のＰＢＮハースライナ内の合金
（蒸着材料）の組成を任意に調整できるということであ
る。
一化が繰り返されているので、残存蒸着材料（合金）は
均一組成である。この組成は、経験的に或いは測定して
求めることができるので、初期濃度となる割合で、例え
ばＡｌ，Ｃｕを追加すれば、残存蒸着材料を再使用でき
る。蒸着に先立って、この再生蒸着材料の全体を溶解さ
せ対流により均一化すれば初期状態に戻る。このこと
は、追加する蒸着材料（合金）の組成を適宜変化させる
ことにより、成膜開始時のＰＢＮハースライナ内の合金
（蒸着材料）の組成を任意に調整できるということであ
る。
【００２１】さらに、本発明のハースライナを用いるこ
とにより、２以上の純金属を組み合わせて、合金をＰＢ
Ｎハースライナ内で作り出すことが可能である。その組
成は、ＰＢＮハースライナ内に装入する各金属の質量に
よって自由に調整できる。
とにより、２以上の純金属を組み合わせて、合金をＰＢ
Ｎハースライナ内で作り出すことが可能である。その組
成は、ＰＢＮハースライナ内に装入する各金属の質量に
よって自由に調整できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ＰＢＮハースライナを
用いることにより以下の作用効果が得られる。 （１） 液面全面から金属が蒸発するので、広い面積に
わたって膜厚分布を得ることができ、再現性の改善、大
面積基板に対する均一成膜が可能となる。 （２） 溶融金属との反応性が低いため、高純度の合金
膜を成膜することができる。 （３） 面方向と厚さ方向で異方性を有するため、保温
性に優れ、小さな電子ビームパワーで蒸着でき、Ａｌの
ように濡れやすい金属でも這上りがない。 （４） 全体溶融し、常に対流して均一化しているもの
を蒸発するので、長期間にわたり均一組成の合金膜を形
成でき、停止後の残存合金の再利用ができ、ハースライ
ナでの合金の調整も可能である。
用いることにより以下の作用効果が得られる。 （１） 液面全面から金属が蒸発するので、広い面積に
わたって膜厚分布を得ることができ、再現性の改善、大
面積基板に対する均一成膜が可能となる。 （２） 溶融金属との反応性が低いため、高純度の合金
膜を成膜することができる。 （３） 面方向と厚さ方向で異方性を有するため、保温
性に優れ、小さな電子ビームパワーで蒸着でき、Ａｌの
ように濡れやすい金属でも這上りがない。 （４） 全体溶融し、常に対流して均一化しているもの
を蒸発するので、長期間にわたり均一組成の合金膜を形
成でき、停止後の残存合金の再利用ができ、ハースライ
ナでの合金の調整も可能である。
【図１】本発明の実施例のＰＢＮハースライナをハース
内にセットした状態を示す断面図である。
内にセットした状態を示す断面図である。
【図２】図１のＰＢＮハースライナの断面図である。
【図３】ＰＢＮハースライナが積層構造を有することを
模式説明図である。
模式説明図である。
【図４】本発明のＰＢＮハースライナの他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
１１ ハース １３ 冷却水 ２１ ＰＢＮハースライナ ２３ ＰＢＮライナ本体 ２５，２５′ 導電性膜 ３１ 合金
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年２月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】ＰＢＮ（Ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ Ｂｏｒｏｎ
Ｎｉｔｒｉｄｅ：パイロリティック窒化ボロン）は、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ：化学的気相成長法）を利用した熱分解法に
より製造できる。ＰＢＮは絶縁性である。ＰＢＮハース
ライナ２１の表面には導電性膜２５が施されており、こ
のＰＢＮハースライナ２１には、蒸着材料としてのＡｌ
−Ｃｕ等の合金３１が充填されている。電子銃から電子
ビームを合金３１の表面に照射して電子を投入すると、
導電性膜２５を通してＰＢＮライナ２１に電流が流れ、
ＰＢＮライナ２１自体が赤熱し、内部の合金３１が蒸発
可能な温度になる。このとき、ＰＢＮハースライナ２１
内の合金は全体的に溶融しており、液面全体から合金３
１が蒸発し、広い面積にわたって膜厚分布を得ることが
できる。すなわち、大面積の基板に対して均一に成膜す
ることができる。また、同一の面積の基板について従来
のハースライナと比較すれば、再現性がより良好とな
る。
Ｎｉｔｒｉｄｅ：パイロリティック窒化ボロン）は、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ：化学的気相成長法）を利用した熱分解法に
より製造できる。ＰＢＮは絶縁性である。ＰＢＮハース
ライナ２１の表面には導電性膜２５が施されており、こ
のＰＢＮハースライナ２１には、蒸着材料としてのＡｌ
−Ｃｕ等の合金３１が充填されている。電子銃から電子
ビームを合金３１の表面に照射して電子を投入すると、
導電性膜２５を通してＰＢＮライナ２１に電流が流れ、
ＰＢＮライナ２１自体が赤熱し、内部の合金３１が蒸発
可能な温度になる。このとき、ＰＢＮハースライナ２１
内の合金は全体的に溶融しており、液面全体から合金３
１が蒸発し、広い面積にわたって膜厚分布を得ることが
できる。すなわち、大面積の基板に対して均一に成膜す
ることができる。また、同一の面積の基板について従来
のハースライナと比較すれば、再現性がより良好とな
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】また、ＰＢＮは溶融金属と非常に反応しに
くく、高純度の合金を成膜することができる。導電性膜
２５の材料、形成方法は問わないが、ＰＢＮの特性を生
かす意味から溶融金属と反応しにくいものが好ましい。
このような導電性膜２５の代表例としては、ＰＧ膜があ
る。ここでＰＧ膜とはｐｙｒｏｌｙｔｉｃ Ｇｒａｐｈ
ｉｔｅ（パイロリティック グラファイト）を指し、Ｐ
ＢＮと同様の手法で製造できる。ＰＢＮは熱分解法を利
用して作成されるため、ＰＢＮライナ本体２３は、微視
的に見ると図３に示すような一種の積層膜構造を有し、
積層膜の面方向と厚さ方向とでは異方性を有する。
くく、高純度の合金を成膜することができる。導電性膜
２５の材料、形成方法は問わないが、ＰＢＮの特性を生
かす意味から溶融金属と反応しにくいものが好ましい。
このような導電性膜２５の代表例としては、ＰＧ膜があ
る。ここでＰＧ膜とはｐｙｒｏｌｙｔｉｃ Ｇｒａｐｈ
ｉｔｅ（パイロリティック グラファイト）を指し、Ｐ
ＢＮと同様の手法で製造できる。ＰＢＮは熱分解法を利
用して作成されるため、ＰＢＮライナ本体２３は、微視
的に見ると図３に示すような一種の積層膜構造を有し、
積層膜の面方向と厚さ方向とでは異方性を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】図４は本発明のＰＢＮハースライナの他の
実施例を示す断面図であり、導電性膜２５の形成位置が
異なるだけである。導電性膜２５′は、容器状のＰＢＮ
ライナ本体２３の開口部端面２３ａを被覆して保護して
いる。電子ビームにより合金３１に電子が投入される
と、図１、図２の実施例のようにハース１１にリークす
ることはできないが、導電性膜２５′が存在することに
より、反射電子、２次電子、熱電子などの形でリーク
し、合金３１に電子が蓄積してチャージアップを起こす
ことがない。
実施例を示す断面図であり、導電性膜２５の形成位置が
異なるだけである。導電性膜２５′は、容器状のＰＢＮ
ライナ本体２３の開口部端面２３ａを被覆して保護して
いる。電子ビームにより合金３１に電子が投入される
と、図１、図２の実施例のようにハース１１にリークす
ることはできないが、導電性膜２５′が存在することに
より、反射電子、２次電子、熱電子などの形でリーク
し、合金３１に電子が蓄積してチャージアップを起こす
ことがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】以下の合金の蒸着について、Ａｌ−Ｃｕ合
金の場合を中心とし、図１と図２に沿って説明する。Ａ
ｌ−Ｃｕ等の合金３１をＰＢＮハースライナ２１内に装
入して電子ビームを投入すると、ＰＢＮライナ２１自体
の赤熱により、合金３１全体が溶融し、この溶融合金３
１は表面と底部との間で対流する。Ａｌ−Ｃｕ合金では
Ａｌの蒸発速度の方が大きい。そこでもし全体溶融・対
流が生ぜず、表面部の狭い範囲での蒸発が順次下部に向
かって繰返されていくと、徐々にＡｌ濃度が減少しＣｕ
濃度が増加し、ついには目的とする許容規格組成の成膜
が困難となり、比較的早くこの状態に達する。
金の場合を中心とし、図１と図２に沿って説明する。Ａ
ｌ−Ｃｕ等の合金３１をＰＢＮハースライナ２１内に装
入して電子ビームを投入すると、ＰＢＮライナ２１自体
の赤熱により、合金３１全体が溶融し、この溶融合金３
１は表面と底部との間で対流する。Ａｌ−Ｃｕ合金では
Ａｌの蒸発速度の方が大きい。そこでもし全体溶融・対
流が生ぜず、表面部の狭い範囲での蒸発が順次下部に向
かって繰返されていくと、徐々にＡｌ濃度が減少しＣｕ
濃度が増加し、ついには目的とする許容規格組成の成膜
が困難となり、比較的早くこの状態に達する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (1)
- 【請求項１】 ＰＢＮからなるハースライナ本体の表面
を導電性膜で被覆した電子ビーム蒸着用ＰＢＮハースラ
イナ内に合金ないしは合金の成分金属を収納し、該ハー
スライナ内に電子ビームを照射して蒸着し合金を成膜す
ることを特徴とする合金の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23929695A JPH0959767A (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | Ｐｂｎハースライナを用いた合金の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23929695A JPH0959767A (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | Ｐｂｎハースライナを用いた合金の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0959767A true JPH0959767A (ja) | 1997-03-04 |
Family
ID=17042628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23929695A Pending JPH0959767A (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | Ｐｂｎハースライナを用いた合金の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0959767A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1105830C (zh) * | 1996-07-10 | 2003-04-16 | 松下电器产业株式会社 | 旋转式压缩机 |
| JP2006104554A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｐｂｎ容器及びｐｂｎ容器の製造方法 |
-
1995
- 1995-08-24 JP JP23929695A patent/JPH0959767A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1105830C (zh) * | 1996-07-10 | 2003-04-16 | 松下电器产业株式会社 | 旋转式压缩机 |
| JP2006104554A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｐｂｎ容器及びｐｂｎ容器の製造方法 |
| JP4607535B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2011-01-05 | 信越化学工業株式会社 | Ｐｂｎ容器及びｐｂｎ容器の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040224 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050517 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050927 |