JPS59203644A - 蒸発源用るつぼ - Google Patents
蒸発源用るつぼInfo
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- JPS59203644A JPS59203644A JP7950383A JP7950383A JPS59203644A JP S59203644 A JPS59203644 A JP S59203644A JP 7950383 A JP7950383 A JP 7950383A JP 7950383 A JP7950383 A JP 7950383A JP S59203644 A JPS59203644 A JP S59203644A
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- Japan
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- crucible
- evaporation
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 19
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は真空蒸着、クラスターイオンビーム蒸着等（
こおいて用いられる蒸発源用るつぼに関するものである
。
こおいて用いられる蒸発源用るつぼに関するものである
。
従来、常温固体状の物質を加熱蒸発せしめて被蒸着材上
に蒸窟して薄膜形成を行なう真空蒸着。
に蒸窟して薄膜形成を行なう真空蒸着。
クラスターイオンビーム蒸着等において、常温固体状の
物質を加熱蒸発させるためのるつぼとしては黒鉛からな
るものが一般的であった。
物質を加熱蒸発させるためのるつぼとしては黒鉛からな
るものが一般的であった。
ところか、黒鉛からなるるつぼを用いてニッケル（Ｎｉ
）、シリコン（Ｓｌ）等の物質を蒸着しようとする場合
、蒸着物質か黒鉛と反応してるつほが破損するという欠
点があり、寸たるつぼ本体を上記物質と反応を起こさな
い材質例えばマグネシア等で構成した場合（こけ、マグ
ネシアが絶縁性であるため加熱方法として電子＠宗法を
用いることができないという欠点も有し一〇いた。
）、シリコン（Ｓｌ）等の物質を蒸着しようとする場合
、蒸着物質か黒鉛と反応してるつほが破損するという欠
点があり、寸たるつぼ本体を上記物質と反応を起こさな
い材質例えばマグネシア等で構成した場合（こけ、マグ
ネシアが絶縁性であるため加熱方法として電子＠宗法を
用いることができないという欠点も有し一〇いた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、るつぼ本体は蒸着物質と反応を起
こさない材料で桟成し、本体外面は電子衝撃法を用□い
て加熱してもチャージアップを起こすことがないように
、導電性材料で被覆を行なうことにより、各種物質を高
渦で蒸発させる二とが可能なるつほを提供することを目
的としている。
めになされたもので、るつぼ本体は蒸着物質と反応を起
こさない材料で桟成し、本体外面は電子衝撃法を用□い
て加熱してもチャージアップを起こすことがないように
、導電性材料で被覆を行なうことにより、各種物質を高
渦で蒸発させる二とが可能なるつほを提供することを目
的としている。
図はこの発明の一実施例になるクラスクーイオンビーム
蒸着用るつほの構成を示す縦断面図で、ｆりはるつぼ本
体、（２）はるつぼ本体（１）を被覆する本体被覆材、
＋３＋は試料の出し入れ時に除去されるるつぼ用ふた、
（４）はるつぼ用ふた（３）の外面を被覆するふたｗ、
覆材、（５）は蒸着物質、（６）は蒸発物質（５）の蒸
気が噴出するノズルである。
蒸着用るつほの構成を示す縦断面図で、ｆりはるつぼ本
体、（２）はるつぼ本体（１）を被覆する本体被覆材、
＋３＋は試料の出し入れ時に除去されるるつぼ用ふた、
（４）はるつぼ用ふた（３）の外面を被覆するふたｗ、
覆材、（５）は蒸着物質、（６）は蒸発物質（５）の蒸
気が噴出するノズルである。
この実施例では図示のように、るつは本体＋１＋および
るつぼ用ふた（３）をそれぞれ導電性の％’ｉ−ｕｖ材
（２）。
るつぼ用ふた（３）をそれぞれ導電性の％’ｉ−ｕｖ材
（２）。
（４）で被＋１７している。この場合るつぼ本体ｆｌ）
およびるつぼ用ふた（３）は蒸着物質と反応を起こしＧ
こくい材料、例えばジルコニア、マグネシアなどを用い
、被覆材＋２１ 、 ＋４＋に（・は黒鉛などを用いる
。このような構成にしで、ｉＪ−けば′Ｅ圧子勧撃（・
二よってるつ１・圧を力ａ熱し、てもナヤージアップを
起こすことはな（、寸だ、るつぼの、′］爪）ｊ’ｌ−
が」１列、して、蒸発物質（６）の蒸グ（、がノズル（
６）からづ（出しているＩ′ｊ、ｊＪも、類７υ物５−
１５）とるつＩＡ本体（ｌｉｊ’＋・よびるつ（・了用
ふた（宏り反応を起こすこともン、ｒい。
およびるつぼ用ふた（３）は蒸着物質と反応を起こしＧ
こくい材料、例えばジルコニア、マグネシアなどを用い
、被覆材＋２１ 、 ＋４＋に（・は黒鉛などを用いる
。このような構成にしで、ｉＪ−けば′Ｅ圧子勧撃（・
二よってるつ１・圧を力ａ熱し、てもナヤージアップを
起こすことはな（、寸だ、るつぼの、′］爪）ｊ’ｌ−
が」１列、して、蒸発物質（６）の蒸グ（、がノズル（
６）からづ（出しているＩ′ｊ、ｊＪも、類７υ物５−
１５）とるつＩＡ本体（ｌｉｊ’＋・よびるつ（・了用
ふた（宏り反応を起こすこともン、ｒい。
２−お、上記宸飾例でけ１］〉楔材として黒鉛をるつぼ
外面にコーティングした場合を示したが、被覆材として
はタングステン、タンタル、モリブデン。
外面にコーティングした場合を示したが、被覆材として
はタングステン、タンタル、モリブデン。
ニオブなどの高融点金属を用いてもよく、また被覆方法
としてもシート状のものをるつぼに巻きつける方法、ま
たは容器状に形成された被覆材の中へるつぼを設置する
方法などを用いてもよい。また、上記実施例ではクラス
ターイオンビーム蒸着用のるつぼの場合を示したが、通
常の真空蒸着やイオンブレーティング用のるつほにもこ
の発明は適用できる。
としてもシート状のものをるつぼに巻きつける方法、ま
たは容器状に形成された被覆材の中へるつぼを設置する
方法などを用いてもよい。また、上記実施例ではクラス
ターイオンビーム蒸着用のるつぼの場合を示したが、通
常の真空蒸着やイオンブレーティング用のるつほにもこ
の発明は適用できる。
以上説明したように、この発明になる蒸発源用るつぼで
は、るつは本体をその内部に収容する蒸着物質と反応を
起こさない材料で構成し、るつぼ外表面を導電性の被色
材で覆ったので、電子衝撃加熱方法を用いてもチャージ
アップを生じることなく加熱が可能で、各種物質の蒸着
を、生成蒸着膜への不純物の混入を伴なうことなく行な
うことができる。また、るつぼが蒸着物質と反応して破
損することもなく、るつぼの信頼性が向上する。
は、るつは本体をその内部に収容する蒸着物質と反応を
起こさない材料で構成し、るつぼ外表面を導電性の被色
材で覆ったので、電子衝撃加熱方法を用いてもチャージ
アップを生じることなく加熱が可能で、各種物質の蒸着
を、生成蒸着膜への不純物の混入を伴なうことなく行な
うことができる。また、るつぼが蒸着物質と反応して破
損することもなく、るつぼの信頼性が向上する。
図はこの発明の一実施例になるクラスターイオンビーム
蒸着用るつほの構成を示す縦断面図である。 図において、（１）はるつぼ本体、（２］は本体被覆材
、（３）はるつば用ふた、（４）はふた用被覆材、（５
）は蒸着物質、（６）はノズルである。 代理人 大岩増雄
蒸着用るつほの構成を示す縦断面図である。 図において、（１）はるつぼ本体、（２］は本体被覆材
、（３）はるつば用ふた、（４）はふた用被覆材、（５
）は蒸着物質、（６）はノズルである。 代理人 大岩増雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋＋） るつぼ本体は内部に収容する蒸発物質と反応
しにくい材料で構成され、上記るつぼ本体の外表面が導
電性材料からなる被覆材で汐われていることを特徴とす
る蒸発源用るつぼ。 （２） るつぼ本体がジルコニア、マグネシアなどの
セラミックからなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の蒸発源用るつぼ。 （３） 被侵材が黒鉛からなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載の蒸発源用るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7950383A JPS59203644A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 蒸発源用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7950383A JPS59203644A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 蒸発源用るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59203644A true JPS59203644A (ja) | 1984-11-17 |
Family
ID=13691731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7950383A Pending JPS59203644A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 蒸発源用るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59203644A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202768U (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | ||
| JPS6389963U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-10 | ||
| JPS63119665U (ja) * | 1986-09-11 | 1988-08-02 |
-
1983
- 1983-05-06 JP JP7950383A patent/JPS59203644A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202768U (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | ||
| JPS63119665U (ja) * | 1986-09-11 | 1988-08-02 | ||
| JPS6389963U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-10 |
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