JPH0940684A

JPH0940684A - 新規ホスフィン−ホスフィナイト化合物およびそれを用いた４−［（ｒ）−１’−ホルミルエチル］アゼチジン−２−オン誘導体の製造方法

Info

Publication number: JPH0940684A
Application number: JP7210215A
Authority: JP
Inventors: Takao Saito; 隆夫斉藤; Akifumi Yoshida; 昭文吉田; Kazuhiko Matsumura; 和彦松村; Takashi Miura; 孝志三浦; Hidenori Kumobayashi; 秀徳雲林
Original assignee: Takasago International Corp; Takasago Perfumery Industry Co
Current assignee: Takasago International Corp
Priority date: 1995-07-27
Filing date: 1995-07-27
Publication date: 1997-02-10
Anticipated expiration: 2015-07-27
Also published as: EP0755937B1; JP3830180B2; DE69624417D1; DE69624417T2; US5824822A; EP0755937A1

Abstract

(57)【要約】【構成】次の一般式（１）【化１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は同一または異なって、フェニル
基；低級アルキル、低級アルコキシ、フェニル、ハロゲ
ン、ハロゲン置換低級アルキル、低級アルキル置換フェ
ニル、トリ低級アルキルシリル、シクロペンチル、３,
４−メチレンジオキシ若しくは３,４−エチレンジオキ
シで置換されたフェニル基；ナフチル基または低級アル
キル、低級アルコキシ若しくはハロゲンで置換されたナ
フチル基を示す）で表されるホスフィン−ホスフィナイ
ト化合物およびそれを用いた４−［（Ｒ）−１'−ホル
ミルエチル］アゼチジン−２−オン誘導体の製造方法。【効果】本発明の新規ホスフィン−ホスフィナイト化
合物（１）は、遷移金属化合物とともにあるいは化合物
（１）と遷移金属化合物とからなる錯体を用いることに
より、不斉ヒドロホルミル化反応等の触媒として有利に
利用できる。また、それらを触媒として用いることに
より高位置選択的かつ高立体選択的にカルバペネム系抗
菌剤の重要中間体或いはその前駆体を容易に合成でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は新規なホスフィン−ホス
フィナイト化合物及びそれを用いた光学活性アルデヒド
化合物の製造法に関し、さらに詳細には、ロジウム化合
物とともに用いることにより、不斉ヒドロホルミル化反
応における有用な触媒として利用出来るホスフィン−ホ
スフィナイト化合物およびそれを用いた抗生物質中間体
として有用な４−［（Ｒ）−１'−ホルミルエチル］ア
ゼチジン−２−オン誘導体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、多くの遷移金属錯体が有機合
成反応の触媒として使用されており、特に、貴金属錯体
は安定で取り扱いが容易であるため、高価であるにも関
わらずこれを触媒として使用する多くの合成研究がなさ
れ、これまでの手法では到底不可能とされていた有機合
成反応を可能にしている。

【０００３】特に、ロジウム、ルテニウム等の遷移金属
に光学活性な第三級ホスフィンを配位させた錯体は、不
斉合成反応の優れた触媒として知られており、更にこれ
らの性能を高めるために、多種多様なる特殊な構造のホ
スフィン化合物が開発されてきた（日本化学会編、化学
総説３２「有機金属の化学」、２３７〜２３８頁、昭和
５７年）。

【０００４】その中でも、遷移金属−ホスフィン錯体を
用いる不斉ヒドロホルミル化反応に注目してみると、ジ
ャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー、第４６
巻、第４４２２頁（J. Org. Chem., 46, 4422 (1981)）
には、光学活性な２,３−ｏ−ジイソプロピリデン−
２,３−ジヒドロキシ−１,４−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）ブタン（以下、「ＤＩＯＰ」と略す）を配位子と
するロジウム錯体を用いる反応が、また、ブルテン・オ
ブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン、第５２
巻、第２６０５頁（Bull. Chem. Soc. Jpn., 52, 2605
(1976)）には光学活性な二座ホスフィン（ＤＩＯＰ等）
を配位子とするロジウム錯体を用いる反応が、更に、テ
トラヘドロン・アシメトリイ、第１０巻、第６９３頁
（TetrahedronAsymmetry, 10, 693 (1990)）にはＤＩＯ
Ｐ等を配位子とするロジウム錯体を用いるアセトアミド
アクリル酸メチルの触媒的不斉ヒドロホルミル化反応等
が知られている。

【０００５】一方、光学活性な第三級ホスファイトを配
位子とする錯体触媒としては、テトラヘドロン・アシメ
トリイ、第３巻、第５８３頁（Tetrahedron Asymmetry,
3,583 (1992)）に光学活性なビナフチル骨格を有する
ビス（トリアリールホスファイト）が記載されており、
これを配位子とするロジウム錯体を用いる酢酸ビニルの
不斉ヒドロホルミル化反応が報告されている。

【０００６】また、最近、ＢＩＮＡＰＨＯＳというビナ
フチル骨格を持ちながらＣ₂キラリティーを持たない非
対称な構造を有する配位子がオレフィンの不斉ヒドロホ
ルミル化反応において有用であることが報告されている
（坂井ら、J. Am. Chem. Soc., 115、7033 (1993)）。

【０００７】このように、不斉合成のための触媒は種々
知られているが、更に得られる目的化合物により高い選
択性が要求される場合があり、このような要求に適合し
た触媒の開発が求められている。

【０００８】特に医薬の分野においては高い選択性が要
求され、例えば、近年活発に開発が行われているカルバ
ペネム系抗性物質の重要中間体である次の一般式（３）

【化８】（式中、Ｒ³は水素原子または水酸基の保護基を示す）
で表される４−［（Ｒ）−１'−ホルミルエチル］アゼ
チジン−２−オン誘導体の製造方法として、次の一般式

【化９】（式中、Ｒ⁵、Ｒ⁵'は同一または異なって、水素原子、
低級アルキル基または低級アルコキシ基を示し、Ｒ⁴、
Ｒ⁴'、Ｒ⁶及びＲ⁶'はそれぞれ同一または異なって、水
素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン
原子を示すか、またはＲ⁴とＲ⁵、Ｒ⁴'とＲ⁵'でそれぞれ
環を形成してもよい。Ｒ⁷、Ｒ⁸は同一または異なっ
て、低級アルキル基、ハロゲン原子または低級アルコキ
シ基で置換されてもよいフェニル基を示し、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰
は同一または異なって、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基またはハロゲン原子で置換されてもよいフェニル基
を示すか、Ｒ⁹とＲ¹⁰で２価の炭化水素基を形成しても
よい）で表されるホスフィン化合物とロジウム等より選
ばれる金属化合物を触媒として４−ビニルアゼチジン−
２−オン化合物をヒドロホルミル化する方法が特開平６
−３１６５６０号公報に報告されている。

【０００９】しかしながら、次の反応式に示す様にホル
ミル基のつく位置選択性に起因する副生成物であるノル
マル体（ｎ−体）がかなり生成すると同時に、不斉収率
に影響を与えるホルミル基のつく向きの選択性による目
的物質（（Ｒ）−体、すなわちβ−体）以外のα−体
（（Ｓ）−体）も生成することが知られている。この
ため、この位置選択性と不斉収率とをあわせて満足さ
せ、目的とする物質を収率良く得ることが望まれてい
た。

【００１０】

【化１０】（式中、Ｒ³'はｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基を示
す）

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、不斉ヒ
ドロホルミル化反応の触媒として、特殊なホスフィン化
合物が多数開発されているが、対象とする基質によって
は選択性、反応転化率、触媒活性、不斉収率などの面で
充分に満足できない場合があり、従来の触媒に比べてよ
り高い位置選択性、不斉収率を与える新規ホスフィン配
位子の開発が望まれていた。特に、カルバペネム系抗
性物質の重要中間体として利用価値の高いβ−配置のメ
チル基を有する化合物（３）を高い選択性で、効率的に
製造する方法が望まれていた。

【００１２】本発明は、これらの要望を満足せしめ、よ
り高い性能を有する触媒を提供することを課題とするも
のである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意研究を行った結果、次の一般式（１）

【化１１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は同一または異なって、フェニル
基；低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、
ハロゲン原子、ハロゲン置換低級アルキル基、低級アル
キル置換フェニル基、トリ低級アルキルシリル基、シク
ロペンチル基、３,４−メチレンジオキシ基若しくは３,
４−エチレンジオキシ基で置換されたフェニル基；ナフ
チル基または低級アルキル基、低級アルコキシ基若しく
はハロゲン原子で置換されたナフチル基を示す）で表さ
れるホスフィン−ホスフィナイト化合物が、ヒドロホル
ミル化反応において、優れた選択性に寄与するものであ
ること、およびこのものを利用することにより次の一般
式（２）

【化１２】（式中、Ｒ³は前記した意味を有する）で表される４−
アリールアゼチジン−２−オン化合物のヒドロホルミル
化反応において、ホルミル基のつく位置選択性及びホル
ミル基のつく向きの選択性（不斉収率）の両者を満足せ
しめつつ、β−配置のメチル基を有する化合物（３）を
得ることができることを見出し、本発明を完成した。

【００１４】すなわち、本発明の目的は前記式（１）で
表される新規なホスフィン−ホスフィナイト化合物を提
供することである。また、本発明の別の目的は、上記ホ
スフィン−ホスフィナイト化合物（１）を利用する、不
斉ヒドロホルミル化合物の製造法、特にβ−配置のメチ
ル基を有する４−［（Ｒ）−１'−ホルミルエチル］ア
ゼチジン−２−オン誘導体（３）を高い選択性で、効率
的に製造する方法を提供するものである。

【００１５】本発明のホスフィン−ホスフィナイト化合
物（１）は、例えば次の反応式に従い、１,１'−ビナフ
トール（II）にトリフラート等を反応させて水酸基を活
性化した後、式（III）で示されるジアリールホスフィ
ンオキサイドと反応させてモノホスフィニル化させ、加
水分解をして化合物（IV）とし、そのホスフィンオキシ
ド部分を還元して２−ジアリールホスフィノ−２'−ヒ
ドロキシ−１,１'−ビナフチル（V）とし、更に式（V
I）で示されるハロゲノジアリールホスフィンと反応さ
せることにより得られる。

【００１６】

【化１３】（式中、Ｒ¹及びＲ²は前記した意味を有し、Ｘはハロゲ
ン原子を示す）

【００１７】より具体的に、Ｒ¹及びＲ²がともにフェニ
ル基であるホスフィン−ホスフィナイト化合物（１'）
を例に挙げて、反応工程をより詳しく説明すれば次の通
りである。

【００１８】

【化１４】（反応式中、ＴｆはＣＦ₃ＳＯ₂基を示し、Ｐｈはフェニ
ル基を示し、Ａｃはアセチル基を示し、ＤＰＰＰは１,
３−ジフェニルホスフィノプロパンを示し、ｉ−Ｐｒは
イソプロピル基を示し、Ｅｔはエチル基を示し、ＤＭＳ
Ｏはジメチルスルホキシドを示し、ＴＨＦはテトラヒド
ロフランを示す）

【００１９】すなわち、テトラヘドロン・レターズ、第
３１巻、第６３２１〜６３２４頁（Tetrahedron Lett.,
31, 6321-6324 (1990)）に記載された方法に準じ、１,
１'−ビナフトール（II）を塩化メチレン溶媒中、ピリ
ジンの存在下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物
（Ｔｆ₂Ｏ）と反応させてジトリフラート化合物（VII）
とし、得られたジトリフラート化合物（VII）をジメチ
ルスルホキシド（ＤＭＳＯ）の混合溶媒中、酢酸パラジ
ウム、１,３−ジフェニルホスフィノプロパン（ＤＰＰ
Ｐ）、ジイソプロピルエチルアミン（ｉ−Ｐｒ₂ＮＥ
ｔ）の存在下ジフェニルホスフィンオキサイド（III'）
と反応させてモノホスフィニル化することにより化合物
（VIII）を得る。

【００２０】この化合物（VIII）を水素化リチウム一水
和物（ＬｉＯＨ・Ｈ₂Ｏ）の存在下に反応させてトリフ
ラート部分を加水分解して化合物（IV'）とし、更にこ
の化合物（IV'）をＮ,Ｎ−ジメチルアニリン及びトリク
ロロシラン（ＨＳｉＣｌ₃）の存在下にホスフィンオキ
シド部分を還元して２−ジフェニルホスフィノ−２'−
ヒドロキシ−１,１'−ビナフチル（V'）とした後、トリ
エチルアミンの存在下クロロジフェニルホスフィン（V
I'）と反応させれば、本発明のホスフィン−ホスフィナ
イト化合物（１'）（Ｒ¹＝Ｒ²＝フェニル基）が得られ
る。

【００２１】ここで、原料として１,１'−ビナフトール
の（Ｒ）−体を用いれば（Ｒ）−体のホスフィン−ホス
フィナイト化合物が得られ、（Ｓ）−体を用いれば
（Ｓ）−体のホスフィン−ホスフィナイト化合物が得ら
れる。

【００２２】同様に、ジアリールホスフィンオキサイド
（III）及び／またはハロゲノジアリールホスフィン（V
I）を代えることにより、Ｒ¹及び／またはＲ²がフェニ
ル基以外の対応するホスフィン−ホスホナイト化合物
（１）も得られる。

【００２３】かくして得られるホスフィン−ホスフィナ
イト化合物（１）のＲ¹及びＲ²は、同一であっても、ま
た異なっていても良く、フェニル基；低級アルキル基、
低級アルコキシ基、フェニル基、ハロゲン原子、ハロゲ
ン置換低級アルキル基、低級アルキル置換フェニル基、
トリ低級アルキルシリル基、シクロペンチル基、３,４
−メチレンジオキシ基若しくは３,４−エチレンジオキ
シ基で置換されたフェニル基；ナフチル基あるいは低級
アルキル基、低級アルコキシ基若しくはハロゲン原子で
置換されたナフチル基から選ばれる。このうち、ナフ
チル基としては、１−ナフチル基、２−ナフチル基が挙
げられ、特に２−ナフチル基が好ましい。

【００２４】フェニル基またはナフチル基に置換する低
級アルキル基の例としては、炭素数１〜４個の低級アル
キル基、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、特
にメチル基が好ましい。

【００２５】この低級アルキルが置換したフェニル基の
好ましい具体例としては、ｏ−トリル基、ｍ−トリル
基、ｐ−トリル基、３,５−ジメチルフェニル基、メシ
チル基、３,５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル基、
３,５−ジエチルフェニル基が挙げられ、特に３,５−ジ
メチルフェニル基が好ましく、また、低級アルキル基が
置換したナフチル基の好ましい具体例としては、６−メ
チル−２−ナフチル基、６−エチル−２−ナフチル基、
６−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ナフチル基等が挙げられ
る。これらのうち、特に３,５−ジメチルフェニル基お
よび６−メチル−２−ナフチル基が好ましい。

【００２６】また、上記フェニル基またはナフチル基に
置換する低級アルコキシ基の例としては、炭素数１〜４
個の低級アルコキシ基、具体的にはメトキシ基、エトキ
シ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ基等が挙げられ、特にメトキシ基が好ま
しい。

【００２７】この低級アルコキシ基が置換したフェニル
基の好ましい具体例としては、ｐ−メトキシフェニル
基、ｍ−メトキシフェニル基、３,５−ジメトキシフェ
ニル基等が挙げられ、また、低級アルコキシ基が置換し
たナフチル基の好ましい具体例としては、６−メトキシ
−２−ナフチル基、６−エトキシ−２−ナフチル基、６
−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−ナフチル基等が挙げられ
る。これらのうち、特に３,５−ジメトキシフェニル基
及び６−メトキシ−２−ナフチル基が好ましい。

【００２８】更に、フェニル基またはナフチル基に置換
するハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子が挙げられ、特にフッ素原子が好ま
しい。

【００２９】このハロゲン原子が置換したフェニル基の
好ましい具体例としては、ｐ−フルオロフェニル基、
３,５−ジフルオロフェニル基、ｐ−クロロフェニル
基、３,５−ジクロロフェニル基、ｐ−ブロモフェニル
基、３,５−ジブロモフェニル基等が挙げられ、また、
ハロゲン原子が置換したナフチル基の好ましい具体例と
しては、６−フルオロ−２−ナフチル基、６−クロロ−
２−ナフチル基、６−ブロモ−２−ナフチル基等が挙げ
られる。これらのうち、特に３,５−ジフルオロフェニ
ル基および６−フルオロ−２−ナフチル基が好ましい。

【００３０】フェニル基に置換するハロゲン原子置換低
級アルキル基の例としては、モノフルオロメチル基、ジ
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基等が挙げら
れ、特にトリフルオロメチル基が好ましい。このハロ
ゲン置換低級アルキル基で置換されたフェニル基の好ま
しい具体例としては、ｐ−トリフルオロメチルフェニル
基、３,５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル基等が
挙げられ、特に３,５−ジ（トリフルオロメチル）フェ
ニル基が好ましい。

【００３１】また、フェニル基に置換する低級アルキル
基置換フェニル基としては、ｏ−トリル基、ｍ−トリル
基、ｐ−トリル基、３,５−ジメチルフェニル基、メシ
チル基、３,５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル基、
３,５−ジエチルフェニル基、２,４,６−トリメチルフ
ェニル基等が挙げられ、３,５−ジメチルフェニル基、
２,４,６−トリメチルフェニル基が好ましい。この低
級アルキル置換フェニル基の置換したフェニル基の好ま
しい具体例としては、ｐ−（２,４,６−トリメチルフェ
ニル）フェニル基、ｐ−（３,５−ジメチルフェニル）
フェニル基、ｐ−（２,４−ジメチルフェニル）フェニ
ル基等が挙げられ、特にｐ−（３,５−ジメチルフェニ
ル）フェニル基、ｐ−（２,４,６−トリメチルフェニ
ル）フェニル基が好ましい。

【００３２】フェニル基に置換するトリ低級アルキルシ
リル基の例としては、低級アルキル基が炭素数１〜４個
のアルキル基であるトリ低級アルキルシリル基、具体的
にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイ
ソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル
基が挙げられ、特にトリメチルシリル基が好ましい。こ
のトリ低級アルキルシリル基が置換したフェニル基の好
ましい具体例としては、３,５−ジ（トリメチルシリ
ル）フェニル基、３,５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルジメチ
ルシリル）フェニル基、３,５−ジ（トリイソプロピル
シリル）フェニル基等が挙げられ、特に３,５−ジ（ト
リメチルシリル）フェニル基が好ましい。

【００３３】次に、好ましいホスフィン−ホスフィナイ
ト化合物（１）の例をＲ¹およびＲ² の組合せとして次の
表１に示すが、本発明化合物がこれらに限定されるもの
ではないことはいうまでもない。

【００３４】

【表１】

【００３５】上記表１に示した組合せのうちでも、
Ｒ¹、Ｒ²がそれぞれ２−ナフチル、ｐ−フルオロフェニ
ルの化合物、２−ナフチル、ｐ−トリフルオロメチルフ
ェニルの化合物、２−ナフチル、３,５−ジフルオロフ
ェニルの組合せの化合物が特に好ましい。

【００３６】本発明のホスフィン−ホスフィナイト化合
物（１）は反応触媒、特に不斉ヒドロホルミル化反応触
媒として非常に有用であり、周期率表第８族に代表され
る遷移金属化合物とともに、あるいは化合物（１）と遷
移金属化合物とから得られる錯体を触媒として用いるこ
とができ、目的化合物の立体配置によってその（Ｒ）−
体、（Ｓ）−体を適宜選択して使用することができる。

【００３７】以下に、上述のホスフィン−ホスフィナイ
ト化合物（１）の不斉ホルミル化触媒としての利用につ
いて前記の一般式（２）で表される４−ビニルアゼチジ
ン−２−オン化合物をヒドロホルミル化し、医薬中間体
として重要な前記した４−［（Ｒ）−１'−ホルミルエ
チル］アゼチジン−２−オン誘導体を製造する方法を例
にとり説明する。

【００３８】すなわち、光学活性な４−［（Ｒ）−１'
−ホルミルエチル］アゼチジン−２−オン誘導体（３）
は、下式に従い、４−ビニルアゼチジン−２−オン化合
物（２）をホスフィン−ホスフィナイト化合物（１）の
（Ｒ）−体及びロジウム化合物の存在下、不斉ヒドロホ
ルミル化することにより選択的にかつ効率良く製造する
ことができる。

【００３９】

【化１５】（式中、Ｒ³は前記と同じ意味を示す）

【００４０】出発原料である４−ビニルアゼチジン−２
−オン化合物（２）は、例えばLiebig Ann. Chem., 539
-560 (1974) に記載の方法で合成することが出来る。す
なわち、後記の反応式に従い、式（IX）で表される４−
アセトキシアゼチジン−２−オン誘導体に、アセトン−
水、メタノール、水−メタノールなどの可溶性溶媒中、
ベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ｐ−トルエンスルフ
ィン酸ナトリウムあるいはこれに対応するカリウム塩、
リチウム塩を反応させて式（X）で表される化合物に誘
導する。次いで、この化合物（X）に、J. C. S. Chem.
Commn., 1980, 736-738 に記載の方法に従い、有機ビ
ニル化合物、例えば、塩化ビニルマグネシウム、臭化ビ
ニルマグネシウム、ヨウ化ビニルマグネシウム、ジビニ
ルマグネシウム、ビニルリチウム、塩化ビニル亜鉛、ジ
ビニル亜鉛などのビニル化剤を反応させることによって
容易に４−ビニルアゼチジン−２−オン化合物（２）を
得ることが出来る。

【化１６】（式中、Ｒ³は前記と同様の意味を有し、Ａｒはハロゲ
ン原子あるいは低級アルキル基などで置換されてもよい
フェニル基を示す）

【００４１】このようにして得られる４−ビニルアゼチ
ジン−２−オン化合物（２）のＲ³は、水素原子または
水酸基の保護基を示すが、この水酸基の保護基としては
通常の保護基でよく、例えば、トリ低級アルキルシリル
基、ジフェニル低級アルキルシリル基、トリフェニルシ
リル基、低級アルキルカルボニル基、ベンジル基、ベン
ゾイル基などが挙げられるが、トリ低級アルキルシリル
基、ジフェニル低級アルキルシリル基が好ましい。

【００４２】水酸基の保護基であるトリ低級アルキルシ
リル基としては、炭素数１〜６個のアルキル基が置換し
たもの、すなわちｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、
ジメチルテキシルシリル基、トリエチルシリル基、トリ
イソプロピルシリル基、トリメチルシリル基などが挙げ
られ、さらには炭素数１〜４個のアルキル基が置換した
ものが好ましく、この中でも特にｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリル基が好ましい。ジフェニル低級アルキルシ
リル基としては、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基
などが挙げられる。

【００４３】前記不斉ヒドロホルミル化反応において配
位子として用いるホスフィン−ホスフィナイト化合物
（１）としては、前述のものが挙げられ、目的化合物で
ある４−［（Ｒ）−１'−ホルミルエチル］アゼチジン
−２−オン誘導体（３）を得るためには立体配置が
（Ｒ）−体であるホスフィン−ホスフィナイト化合物
（１）を用いることが必要である。

【００４４】不斉ヒドロホルミル化反応でのホスフィン
−ホスフィナイト化合物（１）の（Ｒ）−体は、基質で
ある４−ビニルアゼチジン−２−オン化合物（２）に対
して０.０００５〜１０モル％、好ましくは０.００１〜
５モル％用いることができる。

【００４５】また、もう１つの触媒成分であるロジウム
化合物としては、特に限定されず、前述のホスフィン−
ホスフィナイト化合物（１）の（Ｒ）−体と錯体を形成
することが可能な化合物であればよく、具体的には次の
一般式（４）〜（６）で表わされる化合物が挙げられ、
特に化合物（４）が好ましい。

【００４６】［Ｒｈ（Ｌ）Ｘ］₂ （４）［Ｒｈ（Ｍ）（ａｃａｃ）］（５）［Ｒｈ（ＣＯ）₂Ｙ］₂ （６）［式中、Ｌは１,５−シクロオクタジエン（以下、「Ｃ
ＯＤ」と略す）またはノルボルナジエン（以下、「ＮＢ
Ｄ」と略す）を、Ｘはハロゲン原子またはアセチルオキ
シ基を示し、ａｃａｃはアセチルアセトナトを示し、Ｍ
はＣＯＤ、ＮＢＤまたは（ＣＯ）₂を、Ｙはハロゲン原
子を示す］

【００４７】上記ロジウム化合物のうち、式（４）の
［Ｒｈ（Ｌ）Ｘ］₂としては、［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃ
ｌ］₂、［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｂｒ］₂、［Ｒｈ（ＣＯＤ）
Ｉ］₂、［Ｒｈ（ＣＯＤ）ＯＡｃ］₂（式中、Ａｃはアセ
チル基を示す）、［Ｒｈ（ＮＢＤ）Ｃｌ］₂、［Ｒｈ
（ＮＢＤ）Ｂｒ］₂、［Ｒｈ（ＮＢＤ）Ｉ］₂、［Ｒｈ
（ＮＢＤ）ＯＡｃ］₂等が挙げられ、特に［Ｒｈ（ＣＯ
Ｄ）Ｃｌ］₂が好ましい。また、式（５）の［Ｒｈ
（Ｍ）（ａｃａｃ）］としては［Ｒｈ（ＣＯＤ）（ａｃ
ａｃ）］、［Ｒｈ（ＮＢＤ）（ａｃａｃ）］、［Ｒｈ
（ＣＯ）₂（ａｃａｃ）］が挙げられ、特に［Ｒｈ（Ｃ
Ｏ）₂（ａｃａｃ）］が好ましい。更に、式（６）の
［Ｒｈ（ＣＯ）₂Ｙ］₂としては、［Ｒｈ（ＣＯ）₂Ｃ
ｌ］₂、［Ｒｈ（ＣＯ）₂Ｂｒ］₂、［Ｒｈ（ＣＯ）₂Ｉ］
₂が挙げられ、特に［Ｒｈ（ＣＯ）₂Ｃｌ］₂が好まし
い。

【００４８】ロジウム化合物は、用いるホスフィン−ホ
スフィナイト化合物の量の１／４倍モル量から等モル
量、好ましくは１／３〜１／２倍モル量使用することが
できる。

【００４９】本反応に使用される溶媒としては、反応に
悪影響を及ぼさないものであれば、いずれも用いること
ができ、特に炭化水素類が好ましく、具体的にはヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デカ
ン、シクロヘキサン、シクロペンタン、ベンゼン、トル
エン、キシレン、メシチレン等を挙げることができる。
このほか、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、アセト
ン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酪
酸ブチル、安息香酸ブチル等のエステル類等を用いるこ
とができる。これらの溶媒は単独あるいは２種以上混合
して用いることが出来る。

【００５０】また一般にヒドロホルミル化反応では、触
媒活性を高めるために、反応系内に水を共存させる方法
が好まれるが、本発明においても反応時に水を共存させ
ることができる。水の添加量に特に制限は無いが、極
端に少量では効果が薄く、極端に多量に用いても効果は
頭打ちとなる。よって触媒としての水の添加量は、基
質に対して重量比で０.００１〜１倍量、好ましくは０.
０１〜０.１倍量の範囲で添加すれば反応速度が増大す
る。

【００５１】本発明の方法では、触媒活性や位置選択性
および立体選択性を改良する目的で、水以外にも種々の
添加物を添加することができる。このような添加物と
して、隣化合物、即ち、トリエチルホスフィンオキシ
ド、トリブチルホスフィンオキシド等のトリアルキルホ
スフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、
トリエチルホスファイト、トリブチルホスファイト等の
トリアルキルホスファイト、トリフェニルホスファイ
ト、あるいは、酢酸、プロピオン酸、ピバリン酸等のカ
ルボン酸類等が挙げられる。これらの添加物はロジウ
ム化合物に対して等モル量から１０倍モル量、好ましく
は２〜４倍モル量添加することができる。

【００５２】本発明のヒドロホルミル化反応において、
反応温度は−２０℃〜２５０℃、好ましくは１０℃〜１
５０℃の範囲がよい。反応温度は、生成するアルデヒ
ドの熱安定性の面からは低いほうがよく、反応速度の面
からは高い方が望ましい。また、反応時間は１〜４８時
間、好ましくは６〜１５時間で行うことができる。

【００５３】本発明のヒドロホルミル化反応は、通常の
ヒドロホルミル化のように一酸化炭素及び水素の存在下
で行われるが、反応圧力は、５〜２００ａｔｍ、好まし
くは２０〜１５０ａｔｍの範囲で行うことができる。
また、一酸化炭素と水素の混合モル比は、一酸化炭素／
水素の比で１０〜０.１、好ましくは４〜０.２５の範囲
である。また、一酸化炭素と水素の混合モル比がこの
ような割合を保持している限り、反応に不活性な他のガ
スで希釈することができる。希釈ガスとしては、メタ
ン、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素等を単独あ
るいは複数で用いることができる。

【００５４】前述の通り、本反応はホスフィン−ホスフ
ィナイト化合物（１）の（Ｒ）−体及びロジウム化合物
の存在下に行われるが、このホスフィン−ホスフィナイ
ト化合物（１）の（Ｒ）−体とロジウム化合物とからあ
らかじめ錯体を調製し、この錯体の存在下に反応を行う
こともできる。すなわち、ホスフィン−ホスフィナイ
ト化合物（１）の（Ｒ）−体及びロジウム化合物をそれ
ぞれ別個に加えても、ホスフィン−ホスフィナイト化合
物（１）の（Ｒ）−体及びロジウム化合物から得られる
錯体を加えても、本発明のヒドロホルミル化反応におい
ては反応系において同様な作用が発揮されるものであ
る。

【００５５】ホスフィン−ホスフィナイト化合物（１）
の（Ｒ）−体及びロジウム化合物よりなる錯体は、ホス
フィン−ホスフィナイト化合物（１）の（Ｒ）−体及び
ロジウム化合物をモル比で１：１〜４：１の割合とし、
これを塩化メチレン、トルエン、ベンゼン、ヘキサン、
ペンタン等の適当な溶媒中、反応温度１０〜２５℃で反
応させることにより容易に得ることができる。

【００５６】このホスフィン−ホスフィナイト化合物
（１）の（Ｒ）−体及びロジウム化合物よりなる錯体を
用いて本発明のヒドロホルミル化反応を行う場合、該錯
体の添加量は基質に対して０.０００５〜１０モル％、
好ましくは０.００１〜５モル％が良い。その他の反応
条件は前述の通りである。

【００５７】本発明のヒドロホルミル化反応によれば、
従来法において問題となったｎ−体やα−体等の副生成
物が生成しにくく、目的化合物であるβ−体を（β−体
／α−体／ｎ−体）中の比で約７０％の高い選択性をも
って合成することができる。

【００５８】このようにして得られる４−［（Ｒ）−
１'−ホルミルエチル］アゼチジン−２−オン誘導体
（３）は、通常の酸化反応、例えばジョーンズ（Ｊｏｎ
ｅｓ）酸化などにより酸化することにより、容易にホル
ミル基がカルボキシル基に変換され、最終的にカルバペ
ネム系抗生物質に誘導される有用な中間体である。

【００５９】

【実施例】以下に実施例、応用例を挙げ本発明を詳細に
説明するが、本発明はこれらによってなんら限定される
ものではない。なお、各実施例における物性の測定に用
いた装置は次の通りである。核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：ＡＭ−４００（ブル
ッカー社製、４００ＭＨｚ）内部標準物質 ¹Ｈ−ＮＭＲ：テトラメチルシラン³¹ Ｐ−ＮＭＲ：８５％リン酸高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）：日立−Ｌ−
６０００（株式会社日立製作所製）

【００６０】実施例１（Ｒ）−２−ジ（３,５−ジメチルフェニル）ホスフィ
ノ−２'−ジフェニルホスフィノキシ−１,１'−ビナフ
タレンの合成（１）ジ（３,５−ジメチルフェニル）ホスフィンオキ
サイドの合成滴下漏斗と還流冷却器と温度計を備えた５００ｍｌの４
つ口フラスコにマグネシウム６.５７ｇ（０.２７０ｍ
ｏｌ）をとり、窒素置換した後テトラヒドロフラン２
０ｍｌを加え、少量のヨウ素と１,２−ジブロモエタン
を加えてマグネシウムの活性化を行った後、５−ブロモ
−ｍ−キシレン５０.００ｇ（０.２７０ｍｏｌ）のテ
トラヒドロフラン（１６０ｍｌ）溶液を２５〜３０℃で
１時間３０分かけて滴下した。滴下終了後、４０℃に
て３０分攪拌し、次いで２５〜３０℃で亜リン酸ジエチ
ル１２.４４ｇ（０.０９０ｍｏｌ）のテトラヒドロフ
ラン（１５ｍｌ）溶液を滴下し、室温で１５時間攪拌し
た。

【００６１】反応終了後、溶液を炭酸カリウム３７.３
４ｇ（０.２７０ｍｏｌ）／水（４６ｍｌ）中に０℃で
加え、３０分室温で攪拌した後にろ過し、残渣をエタノ
ール（１５０ｍｌ×２）で洗浄した。得られたろ液の
溶媒を減圧下留去し、残渣にクロロホルム（２００ｍ
ｌ）とモレキュラーシーブ４Ａを加え、２時間撹拌した
後ろ過した。得られたろ液の溶媒を減圧下留去し、白
色結晶の標題化合物を１７.７０ｇ得た。収率７６％。

【００６２】³¹Ｐ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,ＣＤＣｌ₃,
δ,ｐｐｍ）：２４.９（ｄ,Ｊ＝４９８Ｈｚ）

【００６３】（２）（Ｒ）−２,２'−ビス（トリフルオ
ロメタンスルホニルオキシ）−１,１'−ビナフチルの合
成窒素気流下、（Ｒ）−１,１'−ビ−２−ナフトール１
１５.３２ｇ（０.４０３ｍｏｌ）の塩化メチレン（６０
０ｍｌ）懸濁液に室温でピリジン７９.６ｇ（１.０１ｍ
ｏｌ）を加えた。この溶液に０〜５℃でトリフルオロ
メタンスルホン酸無水物２５０.００ｇ（０.８８６ｍ
ｏｌ）を滴下した。滴下終了後、室温で１５時間攪拌
した。反応終了後、溶媒を減圧下留去し、残渣を５％
塩酸水（１２５０ｍｌ）／ジエチルエーテル（１８００
ｍｌ）に加え３０分撹拌した後分液し、水層をジエチル
エーテル（５００ｍｌ×２）で抽出した。得られた有
機層を水（１０００ｍｌ×２）、飽和食塩水（１０００
ｍｌ）で洗浄した後硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
溶媒を留去した。残渣をヘキサンから再結晶して標題
化合物を２１６.３５ｇ得た。収率９８％。

【００６４】（３）（Ｒ）−２−ジ（３,５−ジメチル
フェニル）ホスフィニル−２'−トリフルオロメタンス
ルホニルオキシ−１,１'−ビナフチルの合成還流冷却器と温度計を備えた１００ｍｌの３つ口フラス
コに、（Ｒ）−２,２'−ビス（トリフルオロメタンスル
ホニルオキシ）−１,１'−ビナフチル５.００ｇ（９.
０８ｍｏｌ）、ジ（３,５−ジメチルフェニル）ホスフ
ィンオキサイド３.０５ｇ（１１.８１ｍｍｏｌ）、酢酸
パラジウム２０３.９ｍｇ（０.９０８ｍｍｏｌ）、１,
３−ジフェニルホスフィノプロパン３７４.６ｍｇ
（０.９０８ｍｍｏｌ）を加え、容器内を窒素で置換し
た後、ジメチルスルホキシド５０ｍｌを加えた。室温
で１５分撹拌した後、ジイソプロピルエチルアミン２.
３５ｇ（１８.１７ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で１５
時間加熱撹拌した。

【００６５】反応終了後、反応液をジエチルエーテル
（１００ｍｌ）／５％塩酸水（１００ｍｌ）中に注ぎ込
み、１時間３０分撹拌した後分液し、水層をジエチルエ
ーテル（１００ｍｌ×２）で抽出した。得られた有機
層を水（１００ｍｌ×２）、飽和食塩水（１００ｍｌ）
で洗浄した後硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を
留去した。残渣をヘキサン／酢酸エチル（容量比２/１
〜１/１）を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで精製することにより標題化合物を５.０２
ｇ得た。収率８４％。

【００６６】³¹Ｐ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,ＣＤＣｌ₃,
δ,ｐｐｍ）：２９.５（ｍ）

【００６７】（４）（Ｒ）−２−ジ（３,５−ジメチル
フェニル）ホスフィニル−２'−ヒドロキシ−１,１'−
ビナフチルの合成１００ｍｌのフラスコ中、（Ｒ）−２−ジ（３,５−ジ
メチルフェニル）ホスフィニル−２'−トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ−１,１'−ビナフチル５.００ｇ
（７.５９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（４５ｍ
ｌ）に溶解し、水（１５ｍｌ）、水酸化リチウム一水和
物１.６０ｇ（３７.９６ｍｍｏｌ）を加え、室温で１
５時間撹拌した後溶媒を留去した。残渣にトルエン
（２０ｍｌ）と５％塩酸水（４０ｍｌ）を加えて３０分
撹拌し、析出してきた固体をろ取することにより標題化
合物を３.１０ｇ得た。収率７８％。

【００６８】³¹Ｐ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,ＣＤＣｌ₃,
δ,ｐｐｍ）：３１.２（ｍ）

【００６９】（５）（Ｒ）−２−ジ（３,５−ジメチル
フェニル）ホスフィノ−２'−ヒドロキシ−１,１'−ビ
ナフチルの合成窒素気流下、還流冷却器と温度計を備えた１００ｍｌの
３つ口フラスコ中、（Ｒ）−２−ジ（３,５−ジメチル
フェニル）ホスフィニル−２'−ヒドロキシ−１,１'−
ビナフチル８００ｍｇ（５.７０ｍｍｏｌ）のトルエ
ン（１６ｍｌ）溶液に、室温でＮ,Ｎ'−ジメチルアニリ
ン１.６２ｇ（１３.３７ｍｍｏｌ）とトリクロロシラ
ン１.６５ｇ（１２.１５ｍｍｏｌ）を加えた。この混
合溶液を１００℃で１７時間撹拌した。

【００７０】反応終了後、反応液を室温まで戻した後、
２５％水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）を注意深く
加え、１時間室温で撹拌した後分液した。水層は更に
ジエチルエーテル（２０ｍｌ×２）で抽出した。得ら
れた有機層を５％塩酸水（５０ｍｌ×２）、水（５０ｍ
ｌ×２）、飽和食塩水（５０ｍｌ）の順で洗浄した後に
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。残渣を
ベンゼンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製することにより標題化合物を６７０ｍｇ
得た。収率８６％。

【００７１】³¹Ｐ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,ＣＤＣｌ₃,
δ,ｐｐｍ）：−１１.８（ｍ）

【００７２】（６）（Ｒ）−２−ジ（３,５−ジメチル
フェニル）ホスフィノ−２'−ジフェニルホスフィノキ
シ−１,１'−ビナフチルの合成窒素気流下、３０ｍｌのフラスコ中、（Ｒ）−２−ジ
（３,５−ジメチルフェニル）ホスフィノ−２'−ヒドロ
キシ−１,１'−ビナフチル５００ｍｇ（０.９７９ｍｍ
ｏｌ）のテトラヒドロフラン（５ｍｌ）溶液にトリエチ
ルアミン１０８.９ｍｇ（１.０７７ｍｍｏｌ）を加え
１５分間撹拌した。次いで０℃でクロロジフェニルホ
スフィン２３７.７ｍｇ（１.０７７ｍｍｏｌ）を加え
た後、室温で１時間撹拌した。反応終了後、溶媒を留
去し、残渣をベンゼン／ジエチルエーテル（容量比５／
１）を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製することにより標題化合物を６７０ｍｇ得
た。収率９９％。

【００７３】³¹Ｐ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,ＣＤＣｌ₃,
δ,ｐｐｍ）：−１２.０（ｍ）, １１１.４（ｄ, Ｊ＝
７Ｈｚ）

【００７４】実施例２〜２１実施例１（３）のジ（３,５−ジメチルフェニル）ホス
フィンオキサイドの代わりに一般式Ｒ¹ ₂Ｐ（Ｏ）Ｈで表
わされる表２または表３の各化合物を用い、実施例１
（６）のクロロジフェニルホスフィンの代わりに一般式
Ｒ² ₂ＰＣｌで表わされる表２または表３の各化合物を用
いた他は、実施例（２）〜（６）と同様にして表２およ
び表３のようなホスフィン−ホスフィナイト化合物
（１）をそれぞれ得た。尚、表２および表３には各実
施例におけるＲ¹、Ｒ²および得られたホスフィン−ホス
フィナイト化合物（１）のＮＭＲスペクトルのみを示し
た。

【００７５】

【表２】

【００７６】

【表３】

【００７７】実施例２２（３Ｓ,４Ｒ）−３−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ）エチル−４−（（Ｒ）−１'−
ホルミルエチル）−アゼチジン−２−オンの合成：［Ｒ
ｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］₂ １.９ｍｇ（７.８μｍｏｌ）、
（Ｒ）−２−ジ（３,５−ジメチルフェニル）ホスフィ
ノ−２'−ジフェニルホスフィノキシ−１,１'−ビナフ
チル１３.６ｍｇ（１９.５８μｍｏｌ）、（１Ｒ,３
Ｓ,４Ｒ）−ビニルアゼチジン−２−オン１.００ｇ
（３.９２ｍｍｏｌ）を１００ｍｌのオートクレーブに
とり、窒素で充分に容器内を置換した後に、ｎ−デカン
２ｍｌを加えた。これに一酸化炭素２５ａｔｍを加圧
し次いで水素を総圧力が５０ａｔｍになるように加圧し
た。この後、湯浴にて６０℃に加熱し、激しく攪拌し
ながら４８時間反応せしめた。室温まで放置した後、
過剰の一酸化炭素と水素を排出した。

【００７８】反応溶液をＨＰＬＣ（高速液体クロマトグ
ラフィー）にて分析したところ、（３Ｓ,４Ｒ）−３−
（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル−４−（（Ｒ）−１'−ホルミルエチル）−
アゼチジン−２−オン（β−体）、（３Ｓ,４Ｒ）−３
−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル−４−（（Ｓ）−１'−ホルミルエチル）−
アゼチジン−２−オン（α−体）および（３Ｓ,４Ｒ）
−３−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ）エチル−４−（２−ホルミルエチル）−アゼチ
ジン−２−オン（ｎ−体）の選択比が（β−体／α−
体）で（９５／５）、（β−体＋α−体／ｎ−体）で
（７２／２８）、すなわち、（β−体／α−体／ｎ−
体）で（６８.４／３.６／２８）であることがわかっ
た。反応混合物からｎ−デカンを減圧にて留去した
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製
することによりβ−体とα−体の混合物（β−体／α−
体＝９５／５）を７６５ｍｇ得た。収率６８％。

【００７９】尚、（β−体／α−体）の比および（β−
体＋α−体／ｎ−体）の比は¹Ｈ−ＮＭＲのアルデヒド
プロトンの積分比およびＨＰＬＣ（Ｃｏｓｍｏｓｉｌ
５Ｃ１８−ＭＳ, 溶離液：アセトニトリル／水＝６５／
３５、流速; ０.５ｍｌ／ｍｉｎ、検出器; Ｓｈｏｄｅ
ｘＲＩＳＥ−５１）によって決定した。

【００８０】（β−体）¹ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ,ＣＤＣｌ₃,δ,ｐｐｍ）：
０.０７（ｓ,３Ｈ）, ０.０８（ｓ,３Ｈ）, ０.８８
（ｓ,９Ｈ）, １.２２（ｄ,Ｊ＝７.３Ｈｚ,３Ｈ）, １.
２４（ｄ,Ｊ＝６.３Ｈｚ）, ２.６８（ｍ,１Ｈ）,３.９
４（ｄｄ,Ｊ＝５.４,２.４Ｈｚ,１Ｈ）, ４.２０（ｍ,
１Ｈ）,５.９８（ｓ,１Ｈ）, ９.８１（ｄ,Ｊ＝１.１Ｈ
ｚ,１Ｈ）

【００８１】比較例１〜３（Ｒ）−２−ジ（３,５−ジメチルフェニル）ホスフィ
ノ−２'−ジフェニルホスフィノキシ−１,１'−ビナフ
チルの代わりに次の一般式（Ａ）,（Ｂ）および（Ｃ）
で表わされるホスフィン化合物を用いた他は実施例２２
と同様にして反応を行った。その結果、得られたβ−
体、α−体およびｎ−体の比は表４の通りであった。

【００８２】

【化１７】

【００８３】

【表４】

【００８４】表４からわかるように、各比較例と比べて
実施例２２では（β−体＋α−体／ｎ−体）の比が改善
され、それと同時に（β−体／α−体）の比も良く、そ
の結果、（β−体／α−体／ｎ−体）のβ−体が、比較
例においては約５０あるいはそれ以下であるのに対し、
本発明の実施例２２では６８.４でありかなり改善され
ている。また、収率においても実施例２２では比較例
３の約２倍である。したがって、本発明のホスフィン−
ホスフィナイト化合物は、４−ビニルアゼチジン−２−
オン化合物（２）の選択的ヒドロホルミル化反応におけ
る触媒として、特異的にその効果のあることがわかっ
た。

【００８５】実施例２３〜４２ホスフィン−ホスフィナイト化合物である（Ｒ）−２−
ジ（３,５−ジメチルフェニル）ホスフィノ−２'−ジフ
ェニルホスフィノキシ−１,１'−ビナフチルの代わりに
表５〜７の各ホスフィン−ホスフィナイト化合物を用
い、ロジウム化合物である［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］₂の
代わりに表５〜７の各ロジウム化合物を用い、その他溶
媒、基質／Ｒｈ化合物のモル比（Ｓ／Ｃ）、配位子／Ｒ
ｈ化合物のモル比（Ｌ／Ｒｈ）および反応時間を表５〜
７のようにした他は、実施例２２と同様にして反応を行
った。この結果を表５〜７に示した。尚、表中のＭｅ
はメチル基を示す。

【００８６】

【表５】

【００８７】

【表６】

【００８８】

【表７】

【００８９】

【発明の効果】本発明の新規ホスフィン−ホスフィナイ
ト化合物（１）は、遷移金属化合物とともにあるいはそ
れらから得られる錯体を用いることにより、不斉ヒドロ
ホルミル化反応等の触媒として非常に有用であり、ま
た、それらを触媒として用いることにより高位置選択的
かつ高立体選択的にカルバペネム系抗菌剤の重要中間体
或いはその前駆体を容易に合成できる。以上

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三浦孝志神奈川県平塚市西八幡１丁目４番11号高砂香料工業株式会社総合研究所内 (72)発明者雲林秀徳神奈川県平塚市西八幡１丁目４番11号高砂香料工業株式会社総合研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】次の一般式（１）【化１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は同一または異なって、フェニル
基；低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、
ハロゲン原子、ハロゲン置換低級アルキル基、低級アル
キル置換フェニル基、トリ低級アルキルシリル基、シク
ロペンチル基、３,４−メチレンジオキシ基若しくは３,
４−エチレンジオキシ基で置換されたフェニル基；ナフ
チル基または低級アルキル基、低級アルコキシ基若しく
はハロゲン原子で置換されたナフチル基を示す）で表さ
れるホスフィン−ホスフィナイト化合物。
【請求項２】次の一般式（１）【化２】（式中、Ｒ¹及びＲ²は同一または異なって、フェニル
基；低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、
ハロゲン原子、ハロゲン置換低級アルキル基、低級アル
キル置換フェニル基、トリ低級アルキルシリル基、シク
ロペンチル基、３,４−メチレンジオキシ基若しくは３,
４−エチレンジオキシ基で置換されたフェニル基；ナフ
チル基または低級アルキル基、低級アルコキシ基若しく
はハロゲン原子で置換されたナフチル基を示す）で表さ
れるホスフィン−ホスフィナイト化合物の（Ｒ）−体と
ロジウム化合物との存在下、次の一般式（２）【化３】（式中、Ｒ³は水素原子または水酸基の保護基を示す）
で表される４−ビニルアゼチジン−２−オン化合物をヒ
ドロホルミル化することを特徴とする次の一般式（３）【化４】（式中、Ｒ³は前記と同様の意味を有する）で表される
４−［（Ｒ）−１'−ホルミルエチル］アゼチジン−２
−オン誘導体の製造方法。
【請求項３】次の一般式（１）【化５】（式中、Ｒ¹及びＲ²は同一または異なって、フェニル
基；低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、
ハロゲン原子、ハロゲン置換低級アルキル基、低級アル
キル置換フェニル基、トリ低級アルキルシリル基、シク
ロペンチル基、３,４−メチレンジオキシ基若しくは３,
４−エチレンジオキシ基で置換されたフェニル基；ナフ
チル基または低級アルキル基、低級アルコキシ基若しく
はハロゲン原子で置換されたナフチル基を示す）で表さ
れるホスフィン−ホスフィナイト化合物の（Ｒ）−体及
びロジウム化合物よりなる錯体の存在下、次の一般式
（２）【化６】（式中、Ｒ³は水素原子または水酸基の保護基を示す）
で表される４−ビニルアゼチジン−２−オン化合物をヒ
ドロホルミル化することを特徴とする次の一般式（３）【化７】（式中、Ｒ³は前記と同様の意味を有する）で表される
４−［（Ｒ）−１'−ホルミルエチル］アゼチジン−２
−オン誘導体の製造方法。