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JPH09270325A - 電子部品 - Google Patents

電子部品

Info

Publication number
JPH09270325A
JPH09270325A JP8103700A JP10370096A JPH09270325A JP H09270325 A JPH09270325 A JP H09270325A JP 8103700 A JP8103700 A JP 8103700A JP 10370096 A JP10370096 A JP 10370096A JP H09270325 A JPH09270325 A JP H09270325A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
conductor
component according
pattern
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8103700A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Seto
一弘 瀬戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokin Corp filed Critical Tokin Corp
Priority to JP8103700A priority Critical patent/JPH09270325A/ja
Priority to EP97105278A priority patent/EP0798851A1/en
Priority to KR1019970011021A priority patent/KR100282010B1/ko
Priority to US08/826,094 priority patent/US6392297B2/en
Priority to CN97109663A priority patent/CN1172413A/zh
Publication of JPH09270325A publication Critical patent/JPH09270325A/ja
Priority to US09/298,437 priority patent/US6376912B1/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/09—Filters comprising mutual inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H1/0007—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of radio frequency interference filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 製造が容易であるとともに、小型化され、且
つ所望する特性を備えた信頼性の高い電子部品を提供す
る。 【解決手段】 電子部品は、絶縁基板１１と、前記絶縁
基板１１上に複数の絶縁樹脂層１２ａ〜１２ｄと複数の
導体パターン層１３ａ〜１３ｃとを交互に積層形成する
ことによって、夫々少なくとも１層の導体ラインからな
る第１導体ラインと第２の導体ラインが夫々形成された
積層体と、前記第１の導体ラインの両端部に接続される
とともに前記積層体と前記絶縁基板の側面に渡って互い
に異なる部分を覆うように夫々形成された第１及び第２
の外部電極端子部と、前記第２の導体ラインの一端に接
続され、前記積層体と前記絶縁基板の側面の前記第１及
び第２の外部電極端子部とは異なる位置の部分を覆うよ
うに形成された第３の外部電極端子部とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品に関し、
詳しくは、インダクタ（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）、電気
抵抗素子（Ｒ）、薄膜ＥＭＩフィルタ、コモンモードチ
ョークコイル、カレントセンサ、信号用トランス、及び
これらを一つの部品に構成した複合電子部品等の表面実
装部品もしくはリード部品である電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、特開平４−１６７５９６号公報
（引例１と呼ぶ）に示されている多層配線基板が知られ
ている。この種の多層配線基板は、図１２に示すよう
に、シリコン、アルミナ等を主成分とするセラミック基
板５１の表面に、Ｃｕを主成分とする導体配線層５２が
設けられている。そして、全表面にベンゾシクロブテン
樹脂（ＢＣＢ）からなる絶縁樹脂層５３をコーティング
した後、この表面にフォトレジストによりパターンを形
成しＢＣＢからなる絶縁樹脂層５３をエッチングするこ
とによって、ビアホール５４を形成する。ビアホール形
成後、全表面にＣｕスパッタ膜を形成し、エッチングす
るか、あるいは、全表面にＣｒ、Ｔｉスパッタ膜を形成
した後、Ｃｕスパッタ膜あるいはめっきＣｕ、Ａｕ、Ａ
ｌ箔を形成することによって導体配線層５５が得られ
る。
【０００３】一方、特開平３−２０１４１７号公報（引
例２と呼ぶには、）図１３に示されるような電子部品が
提案されている。この電子部品は、アルミナ等の絶縁基
板１０１上に、ポリイミド樹脂からなる絶縁樹脂層１０
２およびスパッタ法によって形成されたＴｉ、Ｔｉ−Ａ
ｇ、Ａｇからなる内部導体パターン１０３、１０４を交
互に積層させ、絶縁樹脂層１０２の端部を取り除くこと
によって最上部の導体パターン１０４の端部を露出させ
た高周波コイル１００を形成している。
【０００４】尚、実際には、さらに導体パターン１０４
の端部に接続するように端子下地部を本体側面に形成
し、その上を覆うように本体の上面端部から側面を介し
て下面端部に至る導体層を設けて、外部電極端子部を形
成することが行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、引例１
のものは、多層配線基盤であって、回路素子としての電
子部品ではないし、複数の回路素子構成を有する電子部
品でもない。
【０００６】一方、引例２のような電子部品を製造する
場合、比較的大寸法の絶縁基板上の互いに異なる場所
に、複数の電子部品のための絶縁層および導体層を交互
に積層して、一枚の絶縁基板の上に複数の電子部品を形
成し、その後、絶縁基板を切断して、各電子部品を切り
出すことが行われる。しかしながら、絶縁基板として、
アルミナ等の高硬度の材料を用いているので、切断工程
において切断コストが高く、また、絶縁基板のチッピン
グが発生し、不良率が高く歩留まりが悪いという問題が
あった。
【０００７】また、導体パターン層間の絶縁樹脂表面
に、下地の導電パターンの凹凸が反映され、次に積層さ
れる導体パターンが波打ち、所望する特性が得られない
という問題も生じた。
【０００８】さらに、上記電子部品において、絶縁樹脂
層と電極端子部との隙間から空気の水分（湿気）が侵入
し、導体パターンを腐食させ、特性を変化させるために
品質を著しく劣化させるという欠点を有した。
【０００９】そこで、本発明の技術的課題は、製造が容
易であるとともに、小型化され、且つ所望する特性を備
えた信頼性の高い電子部品を提供することにある。
【００１０】また、本発明のもう一つの技術的課題は、
前記電子部品からなるローパスフィルタと、コモンモー
ドチョークコイルと、トランスフォーマーと、インダク
タンス、キャパシタンス、及び電気抵抗の内の少なくと
も一つを備えた回路素子とを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁基
板と、前記絶縁基板上に複数の絶縁樹脂層と複数の導体
パターンとを交互に積層することによって、少なくとも
１導体層からなる第１導体ラインと第２の導体ラインが
夫々形成された積層体と、前記第１の導体ラインの両端
部に接続されるとともに前記積層体と前記絶縁基板の側
面に渡って互いに異なる部分を覆うように夫々形成され
た第１及び第２の外部電極端子部と、前記第２の導体ラ
インの一端に接続され、前記積層体と前記絶縁基板の側
面上で前記第１及び第２の外部電極端子部とは異なる位
置の部分を覆うように形成された第３の外部電極端子部
とを備え、前記第１の導体ラインと前記第２の導体ライ
ンは、互いに、磁気的且つ電気容量的結合を有している
ことを特徴とする電子部品が得られる。
【００１２】前記絶縁基板は、ビッカース硬度が６００
〜１０００である快削性を有する材料から構成するのが
最適である。
【００１３】前記絶縁樹脂層指しては、その少なくとも
一層は、実質的にベンゾシクロブテンからなることが好
ましい。
【００１４】本発明の一つの態様によれば、前記絶縁樹
脂層の内の最上部の層は、下層の導体パターンに至る切
欠部又は貫通孔からなる電極取り出し部と、前記電極取
り出し部を封じる下地パターンとを備え、前記下地パタ
ーンは、前記第１、第２、及び第３の外部電極端子部の
対応する一つのに接続された電子部品がえられる。
【００１５】前記導体パターンは、導電金属膜からなる
下地層と前記下地層上に電解めっきによって形成された
Ｃｕめっき膜からなることが好ましい。
【００１６】この場合、前記下地層は、スパッタにより
形成されたＴｉ又はＣｒ膜からなるのが好ましい。
【００１７】また、本発明の一つの態様によれば、前記
絶縁樹脂層の最上層の上に保護樹脂層を備えていること
を特徴とする電子部品が得られる。
【００１８】前記第１、第２、及び第３の外部電極端子
部は、前記導体パターンと接続するように形成された導
電樹脂層と、前記導電性樹脂層を覆う金属めっき膜とで
構成されるのが好ましい。
【００１９】この場合、前記導電樹脂層は、Ｎｉ粉末を
樹脂に混合したものから実質的になるのが好ましい。
【００２０】また、前記金属めっき膜は、拡散防止膜
と、前記拡散防止膜上に形成された半田膜又は錫膜から
なる外部接続膜とを備えていることが好ましい。
【００２１】この場合、前記拡散防止膜は、スルファミ
ン酸Ｎｉ浴から電解バレルめっきによって形成されたＮ
ｉめっき膜であり、前記外部接続膜は、アルカノールス
ルホン酸半田浴から電解バレルめっきによって形成され
た半田めっき膜であるのが好ましい。
【００２２】前記外部接続膜の他のこのましい例として
は、は、フェノールスルホン酸半田浴から夫々電解バレ
ルめっきによって形成された半田めっき膜があげられ
る。
【００２３】前記した本発明の電子部品の一例として
は、前記第１の導体ラインおよび前記第２の導体ライン
が異なる導体層で周回したパターンを有していることを
特徴とするローパスフィルタが挙げられる。
【００２４】更に、前記した本発明の電子部品の他の例
としては、前記第２の導体ラインの他端に接続され前記
積層体と前記絶縁基板の側面に渡って前記第１ないし第
３の外部電極端子部と異なる部分に形成された第４の外
部電極端子を備え、前記第１及び第２の導体ラインが異
なる導体層で同じ回数周回したパターンを有しており、
前記第１及び第３の外部電極端子の一対、及び前記第２
及び第４の外部接続端子の一対を夫々入力端子及び出力
端子対としたことを特徴とするコモンモードチョークコ
イルが挙げられる。
【００２５】更に、前記した本発明の電子部品の他の例
としては、前記第２の導体ラインの他端に接続され前記
積層体と前記絶縁基板の側面に渡って前記第１ないし第
３の外部電極端子部と異なる部分に形成された第４の外
部電極端子を備え、前記第１及び第２の導体ラインが異
なる導体層で周回したパターンを有しており、前記第１
及び第２の外部電極端子の一対、及び前記第３及び第４
の外部接続端子の一対を夫々入力端子及び出力端子対と
したことを特徴とするトランスフォーマーが挙げられ
る。
【００２６】本発明によれば、さらに、インダクタン
ス、キャパシタンス、及び電気抵抗の内の少なくとも一
つを備えた回路素子も得られる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【００２８】図１は本発明の第１の実施の形態による電
子部品を示す斜視図である。図１に示すように、電子部
品１０は、ここでは、ＥＭＩフィルタを示しているが、
電子部品本体１と、電子部品本体１の長さ方向両端と中
央部との夫々の側面に、上面端部から側面を介して下面
端部に至るまで形成された外部電極端子部２、２、２を
備えている。
【００２９】図２は、図１のフィルタ本体１の構造を示
すために、絶縁基板１１と、その上に形成される導体お
よび絶縁体からなる各層を別けて示したの斜視図であ
る。図２に示すように、電子部品本体１は、セラミック
ス基板１１上に、絶縁樹脂層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、
１２ｄ及び導体パターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３
ｄを交互に形成積層することによって形成されている。
【００３０】なお、フィルタのコイルの巻回数を増加す
るためには、１３ｃ´で示す導体層と共に絶縁層をさら
に介在させた構成とすればよい。
【００３１】セラミックス基板１１は、快削性を有する
セラミックスであるマセライト（三井鉱山マテリアル社
製の商品名）を用いた。尚、その諸特性をアルミナと対
比して下記表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】また、絶縁樹脂層１２ａ、１２ｂ、１２
ｃ、１２ｄは、紫外線感光性のベンゾシクロブテン樹脂
（ＢＣＢ）を用いている。 なお、絶縁樹脂層として、
ＢＣＢを用いることによって、絶縁樹脂層の平坦性が良
好に確保されるので、表面が凹凸なく平坦な積層体を得
ることができ、電気的特性良好となる。
【００３４】図３乃至図５は、図２における各絶縁樹脂
層及び各導体パターンを形成する方法を模式的に示した
図である。
【００３５】図３を参照して、セラミックス基板（図示
せず）をアセトン、メタノール等で洗浄した後、必要な
らば、図３（ａ）に示すように、逆スパッタを行って洗
浄し、その上に、スパッタ法によって、Ｔｉ膜及びその
上に形成したＣｕ膜からなる下地層３をスパッタ形成す
る。図３（ｂ）は下地層３を一面に形成した絶縁樹脂層
１２ａを示している。図３（ｂ）において、Ｔｉ膜は、
厚さ０．０５μｍ、Ｃｕ膜は、厚さ０．２５〜０．３μ
ｍである。
【００３６】次に図４（ａ）に示すように、レジスト４
を塗布した後、図３（ｄ）に示すように、ホトリソグラ
フィを用いて、マスク５を介して、露光し、現像して、
図４（ａ）に示すレジストのパターン４´を得る。
【００３７】次に、図３（ｃ）に示すものをＨ2 ＳＯ4
で表面処理した後、図４（ｂ）に示すように、電解Ｃｕ
めっきによって、電解Ｃｕめっき層６を得る。
【００３８】次に、レジストのパターン４´を剥離し
て、図４（ｃ）に示す形状の中間導体パターン７を得
る。
【００３９】次に、図４（ｃ）に示す中間導体パターン
７に対してウエットエッチング（ドライエッチングでも
可）を施し、電解Ｃｕめっき層６の間に露出している下
地層３の部分を除去し、ＨＣｌで洗浄して図４（ｄ）に
示すように、絶縁樹脂層１２ａ上に形成された孤立パタ
ーン１３を得る。尚、エッチングによって、電解Ｃｕめ
っき層６の上面も若干エッチングされるが、下地めっき
層３よりも厚いので、導体パターンが失われることはな
い。
【００４０】得られた導体パターン１３は、下地層３の
パターンと、電解Ｃｕめっき層６のパターンとからな
り、厚さ約３〜５μｍ、幅約３０μｍで、洗浄、フォト
リソグラフィ、エッチング、洗浄工程等において、製作
プロセス中に不具合は発生しなかった。
【００４１】図５は、樹脂絶縁層を形成する方法を模式
的に示す図である。図５を参照して、図４（ｄ）に示す
絶縁層１２ａ上に形成された導体パターン１３ａを覆う
ように、図５（ａ）に示すように、スピンコーティング
によって、紫外線感光性ＢＣＢ樹脂を塗布して、絶縁樹
脂層８を得る。次に、図５（ｂ）に示すように、フォト
リソグラフィを用い、マスク９を介して露光して、図５
（ｃ）に示すように、絶縁樹脂層８に貫通孔１４を形成
する。尚、貫通孔１４は、絶縁樹脂層８の上部に形成さ
れる導体と電気的コンタクトを得るためのものであるか
ら、全ての導体パターン１３上に設ける必要のないこと
はいうまでもない。
【００４２】次に、窒素雰囲気中で２１０℃、３０分ハ
ーフキュアすることで、図５（ｄ）に示す絶縁樹脂層１
２ｂを得る。
【００４３】図２における他の導体層１３ｂ、１３ｃ、
１３ｄも図３及び図４に示した工程と同様にして得られ
る。また、絶縁層１２ｂ、１２ｃ、１２ｄも、図５に示
した工程と同様に得られる。
【００４４】大寸法の絶縁基板のうえの異なる場所に対
して、図３および４に示す導体パターンの形成と、図５
に示す絶縁層形成の工程を交互に繰り返すことによっ
て、図６に示すように、絶縁基板の上に複数個の電子部
品本体１を形成したものが得られる。
【００４５】次に、図７を用いて、図６の電子部品本体
１に外部電極端子部を形成する工程について述べる。先
ず、各電子部品本体１を切り出す前に、電子部品本体１
の上面は導体パターンが露出した形となっているので、
この上に、ＢＣＢからなる絶縁樹脂１２ｅで外周面を覆
うとともに、貫通孔からなる電極取り出し部１６を上記
したものと同様な方法にて形成する。更に、電極取り出
し部１６を導電性の金属、例えば、Ｃｕで封じて電極取
り出しパターン１７を形成する。更に、電極取り出しパ
ターン１７に覆われていない表面層に例えばポリイミド
からなる保護層１２ｆを設ける。保護層１２ｆとして
は、各用途に応じて、表２に示すような材料を用いるこ
とができる。
【００４６】
【表２】
【００４７】これらが複数個形成された図６のセラミッ
ク基板をダイシングソ−によって、一点鎖線で示す線に
沿って切断することにより、個々に切り離された電子部
品本体１を得た。図６では、その一つを実線で示した。
【００４８】次に、電子部品本体１を５％ＨＣｌで処理
した後、Ｎｉ粉を含むエポキシ樹脂等からなるＮｉ導電
ペーストを、電極取り出しパターン１７の端部から側面
を通って電子部品本体１の下面に至るように塗布して熱
硬化させた。次に、めっき前処理として、ＫＯＨ、Ｈ2
ＳＯ4 の夫々の水溶液で長音波洗浄した後、スルファミ
ン酸Ｎｉ浴から電解バレルめっき法にてＮｉめっき膜１
８を下地層として形成した。ここで、Ｎｉは、電解マイ
グレーションに優れており、半田等の内部への拡散を防
止する。次に、この下地層上に、アルカノールスルホン
酸半田浴から夫々電解バレルめっきによって、外部接続
膜として半田めっき膜１９を形成した。アルカノールス
ルホン酸半田浴は、キレート剤を含まないので絶縁樹脂
劣化を防止できる。尚、半田めっき膜は、フェノールス
ルホン酸を含むめっき浴からも形成することができる。
さらに、半田めっき膜以外にも錫めっき膜を形成しても
よい。
【００４９】このような端子構造では、端子取出し用電
極１７と絶縁樹脂層との界面において、端子取出し用電
極１７の方が絶縁樹脂層１２の上に存在するので、両界
面間の剥離が生じにくく、外部からの水分の侵入を効果
的に防止することができる。
【００５０】図８は本発明の第２の実施の形態による電
子部品の端子構造の他の例を示す図である。図８では、
ＥＭＩフィルタ及びＬＣＲ部品等に用いられる３端子構
成を示している。外部取り出しパターン１７は、上から
２層目の導体パターン１３に接続されており、保護膜は
図では省略されている。
【００５１】図９は、本発明の第３の実施の形態によコ
モンモードチョークコイルの導体パターン層１３ａ〜１
３ｄのみを模式的に示した。これらの導体パターン層１
３ａ〜１３ｄは、実際には、図２にと同様に、絶縁樹脂
層を介して夫々積層されて形成されるが、絶縁樹脂層
は、図示を省略した。図９においては、各導体パターン
層１３ａ〜１３ｄの端部パターン１５ａ、１５ｂ、１５
ｃ、１５ｄは絶縁樹脂層の切欠部を介して互いに重ね合
わされ接続される。また、下部導体パターン層１３ａの
導体パターン２１の端部は、直上の導体パターン層１３
ｂの中央部導体パターン２３を介してさらにその上の導
体パターン層１３ｃの引き出し用導体パターン２５の端
部と接続されるので、導体パターンの端部１５ｂ、１５
ｄは、周回した一つの導体ラインの両端部となる。一
方、導体パターン層１３ｂの周回した導体パターン２４
は、その上の導体パターン層１３ｃの引き出し用導体パ
ターン２６の端部に接続されるので、導体パターンの端
部１５ａ、１５ｃはもう一つの周回した導体ラインの両
端部となる。これらの導体ラインはその周回数が等しく
なるように、構成されている。
【００５２】図１０は図９の電子部品の端子部の構造を
示している。図１０では、４端子構成を示している。外
部取り出しパターン１７は、上から１層目の導体パター
ン１３に接続されており、保護膜は図では省略されてい
る。
【００５３】図１１は、本発明の第４の実施の形態によ
るトランスフォーマーの導体パターン層１３ａ〜１３ｄ
を示している。これらの導体パターン層１３ａ〜１３ｄ
は、図２と同様に、絶縁樹脂層を介して夫々積層され
る。図１１においては、各導体パターン層１３ａ〜１３
ｄの端部パターン１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄは、
絶縁樹脂層の切欠部を介して互いに重ね合わされ接続さ
れる。また、最も下部の導体パターン層１３ａの周回し
た導体パターン１７の端部は、直上の導体パターン層１
３ｂの引き出し用導体パターン２８の端部と接続される
ので、導体パターンの端部１５ａ、１５ｂは、一つの周
回した導体ラインの両端部となる。一方、導体パターン
層１３ｃの周回した導体パターン３０の端部は、その下
の導体パターン層１３ｂのもう一つの引き出し用導体パ
ターン２９に接続されるので、導体パターンの端部１５
ｃ、１５ｄはもう一つの周回した導体ラインの両端部と
なる。これらの導体ラインは、周回比（巻線比）が１：
ｎとなるように構成されている。
【００５４】尚、図９のコモンモードチョークコイルお
よび図１１のトランスフォーマーにおいて、各導体パタ
ーン層は、図３および４で説明した方法で形成される。
また、図示を省略した絶縁樹脂層は、図５で説明した方
法で形成される。さらに、いずれの端子構造も、図１０
の端子構造が採用される。
【００５５】また、いずれも、図６と同様に、大寸法絶
縁基板１１上に複数同時に形成され、個々に切出された
後に、端子構造を付加される。切出しは、絶縁基板とし
て快削性の良い例えばビッカーす硬度１００〜１０００
の材料を用いることによって、容易に行うことができ、
コストを低減できる。
【００５６】上の本発明の実施の形態として、ローパス
フィルター、コモンモードチョークコイル、トランスフ
ォーマーについて示したが、単に、インダクター、キャ
パシター、及び電気抵抗素子としても実現できること
は、上の説明から、容易に理解されるところであろう。
【００５７】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、製造が容易であるとともに、小型化され、且つ所望
する特性を備えた信頼性の高い電子部品を提供すること
ができる。
【００５８】また、本発明によれば、前記電子部品から
なるローパスフィルタと、コモンモードチョークコイル
と、トランスフォーマーと、インダクタンス、キャパシ
タンス、及び電気抵抗の内の少なくとも一つを備えた回
路素子とを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による電子部品の一例とし
てローパスフィルターを示す斜視図である。
【図２】図１の電子部品の本体１の絶縁樹脂層と導体パ
ターン層の積層体の各層を模式的に分離して示した斜視
図である。
【図３】絶縁樹脂層の上に導体パターンを形成する工程
を順に示す図である。
【図４】図３に引き続く導体パターンを形成する工程を
順に示す図である。
【図５】導体パターン上に絶縁樹脂層を形成する工程を
順に示す図である。
【図６】図１の電子部品について大寸法絶縁基板の上に
積層体形成後、電子部品本体を切出す前の状態を示す斜
視図である。
【図７】図６の状態からから切出された電子部品本体１
に形成される端子構造を示す断面図である。
【図８】本発明による電子部品の３端子構造で用いられ
る端子構造の他の例を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による電子部品であ
るコモンモードチョークコイルの導体パターンの各層を
積層順に示す斜視図である。
【図１０】図９のコモンモードチョークコイルの端子構
造を示す部分断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態による電子部品で
あるトランスフォーマーの導体パターンの各層を積層順
に示す斜視図である。
【図１２】従来の多層配線基板を示す断面図である。
【図１３】従来の電子部品を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 電子部品本体 ２ 外部電極端子 ３ 下地層 ４ レジスト ５ マスク ４´ パターン ６ 電解Ｃｕめっき層 ７ 中間導体パターン ８ 絶縁樹脂層 １０ 電子部品 １１ セラミックス基板 １２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ 絶
縁樹脂層 １３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、 導体パタ
ーン層 １４ 貫通孔 １６ 電極取り出し部 １７ 電極取り出しパターン １８ 下地層 １９ 外部接続膜（半田めっき膜） ２２ 保護層

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁基板と、前記絶縁基板上に複数の絶
    縁樹脂層と複数の導体パターンとを交互に積層すること
    によって、少なくとも１導体層からなる第１導体ライン
    と第２の導体ラインが夫々形成された積層体と、 前記第１の導体ラインの両端部に接続されるとともに前
    記積層体と前記絶縁基板の側面に渡って互いに異なる部
    分を覆うように夫々形成された第１及び第２の外部電極
    端子部と、 前記第２の導体ラインの一端に接続され、前記積層体と
    前記絶縁基板の側面上で前記第１及び第２の外部電極端
    子部とは異なる位置の部分を覆うように形成された第３
    の外部電極端子部とを備え、前記第１の導体ラインと前
    記第２の導体ラインは、互いに、磁気的且つ電気容量的
    結合を有していることを特徴とする電子部品。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の電子部品において、前記
    絶縁基板は、ビッカース硬度が６００〜１０００である
    快削性を有する材料からなることを特徴とする電子部
    品。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の電子部品において、前記
    絶縁樹脂層の内の少なくとも一層は、実質的にベンゾシ
    クロブテンからなることを特徴とする電子部品。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の電子
    部品において、前記絶縁樹脂層の内の最上部の層は、下
    層の導体パターンに至る切欠部又は貫通孔からなる電極
    取り出し部と、前記電極取り出し部を封じる下地パター
    ンとを備え、前記下地パターンは、前記第１、第２、及
    び第３の外部電極端子部の対応する一つのに接続されて
    いることを特徴とする電子部品。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４の内のいずれかに記載の
    電子部品において、前記導体パターンは、導電金属膜か
    らなる下地層と前記下地層上に電解めっきによって形成
    されたＣｕめっき膜からなるであることを特徴とする電
    子部品。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の電子部品において、前記
    下地層は、スパッタにより形成されたＴｉ又はＣｒ膜か
    らなることを特徴とする電子部品。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６の内のいずれかに記載の
    電子部品において、前記絶縁樹脂層の最上層の上に保護
    樹脂層を備えていることを特徴とする電子部品。
  8. 【請求項８】 請求項１記載の電子部品において、前記
    第１、第２、及び第３の外部電極端子部は、前記導体パ
    ターンと接続するように形成された導電樹脂層と、前記
    導電性樹脂層を覆う金属めっき膜とを備えていることを
    特徴とする電子部品。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の電子部品において、前記
    導電樹脂層は、Ｎｉ粉末を樹脂に混合したものから実質
    的になることを特徴とする電子部品。
  10. 【請求項１０】 請求項８記載の電子部品において、前
    記金属めっき膜は、拡散防止膜と、前記拡散防止膜上に
    形成された半田膜又は錫膜からなる外部接続膜とを備え
    ていることを特徴とする電子部品。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の電子部品において、
    前記拡散防止膜は、スルファミン酸Ｎｉ浴から電解バレ
    ルめっきによって形成されたＮｉめっき膜であり、前記
    外部接続膜は、アルカノールスルホン酸半田浴から電解
    バレルめっきによって形成された半田めっき膜であるこ
    とを特徴とする電子部品。
  12. 【請求項１２】 請求項１０記載の電子部品において、
    前記外部接続膜は、フェノールスルホン酸半田浴から夫
    々電解バレルめっきによって形成された半田めっき膜で
    あることを特徴とする電子部品。
  13. 【請求項１３】 請求項１乃至１２の内のいずれかに記
    載の電子部品からなり、前記第１の導体ラインおよび前
    記第２の導体ラインが異なる導体層で周回したパターン
    を有していることを特徴とするローパスフィルタ。
  14. 【請求項１４】 請求項１乃至１２の内のいずれかに記
    載の電子部品からなり、更に、前記第２の導体ラインの
    他端に接続され前記積層体と前記絶縁基板の側面に渡っ
    て前記第１ないし第３の外部電極端子部と異なる部分に
    形成された第４の外部電極端子を備え、前記第１及び第
    ２の導体ラインが異なる導体層で同じ回数周回したパタ
    ーンを有しており、前記第１及び第３の外部電極端子の
    一対、及び前記第２及び第４の外部接続端子の一対を夫
    々入力端子及び出力端子対としたことを特徴とするコモ
    ンモードチョークコイル。
  15. 【請求項１５】 請求項１乃至１２の内のいずれかに記
    載の電子部品からなり、更に、前記第２の導体ラインの
    他端に接続され前記積層体と前記絶縁基板の側面に渡っ
    て前記第１ないし第３の外部電極端子部と異なる部分に
    形成された第４の外部電極端子を備え、前記第１及び第
    ２の導体ラインが異なる導体層で周回したパターンを有
    しており、前記第１及び第２の外部電極端子の一対、及
    び前記第３及び第４の外部接続端子の一対を夫々入力端
    子及び出力端子対としたことを特徴とするトランスフォ
    ーマー。
  16. 【請求項１６】 請求項１乃至１２の内のいずれかに記
    載の電子部品からなり、インダクタンス、キャパシタン
    ス、及び電気抵抗の内の少なくとも一つを備えたことを
    特徴とする回路素子。
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