JPH09270338A - 電子部品 - Google Patents
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- JPH09270338A JPH09270338A JP10370496A JP10370496A JPH09270338A JP H09270338 A JPH09270338 A JP H09270338A JP 10370496 A JP10370496 A JP 10370496A JP 10370496 A JP10370496 A JP 10370496A JP H09270338 A JPH09270338 A JP H09270338A
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大容量のキャパシタンス素子とＬ値の精度の
高いインダクタを合わせ持つ小型且つ安価な複合電子部
品を提供すること。 【解決手段】 強誘電体セラミックス基板１Ａ上に銀パ
ラジウムから成る所望の導電パターン２を形成してキャ
パシタンス３を形成した厚膜積層体５を焼成後、更にそ
の上部に薄膜コイル部７を設け、チップの両端部に端子
電極１１、１１を形成して成る。薄膜コイル部７は、Ｃ
ｕから成るコイル導体を用いて周回状に形成した薄膜コ
イル１３とベンゾシクロブテン樹脂から成る絶縁樹脂層
１５を積層した構成を有している。
高いインダクタを合わせ持つ小型且つ安価な複合電子部
品を提供すること。 【解決手段】 強誘電体セラミックス基板１Ａ上に銀パ
ラジウムから成る所望の導電パターン２を形成してキャ
パシタンス３を形成した厚膜積層体５を焼成後、更にそ
の上部に薄膜コイル部７を設け、チップの両端部に端子
電極１１、１１を形成して成る。薄膜コイル部７は、Ｃ
ｕから成るコイル導体を用いて周回状に形成した薄膜コ
イル１３とベンゾシクロブテン樹脂から成る絶縁樹脂層
１５を積層した構成を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品に関し、
より詳しくは、インダクタ（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）等
の素子を一つの部品に構成した複合電子部品に関する。
より詳しくは、インダクタ（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）等
の素子を一つの部品に構成した複合電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】かかる従来の複合電子部品の例として、
厚膜積層構造を利用したものが知られている。
厚膜積層構造を利用したものが知られている。
【０００３】即ち、このような従来の複合電子部品は、
例えば、図９に示すように、強誘電体（高ε）セラミッ
クス基板７１Ａ上に銀パラジウム（ＡｇＰｄ）から成る
所望の導電パターン７２をスクリーン印刷により形成す
る工程を繰り返してキャパシタンス７３を形成し、更に
その上部に、同様に強誘電体セラミックス基板７１Ｂ上
にＡｇＰｄから成る周回導電パターン７４をスクリーン
印刷により形成する工程を繰り返してインダクタ７５を
形成した厚膜積層体７７を焼成した後、厚膜積層体７７
の両端部に銀（Ａｇ）ペーストを塗り焼き付けた焼付Ａ
ｇ層７９、７９の上にＮｉ層８１、８１を無電界メッキ
により形成し、更にその上層に半田層８３、８３を形成
して端子電極８５、８５を構成して成る。
例えば、図９に示すように、強誘電体（高ε）セラミッ
クス基板７１Ａ上に銀パラジウム（ＡｇＰｄ）から成る
所望の導電パターン７２をスクリーン印刷により形成す
る工程を繰り返してキャパシタンス７３を形成し、更に
その上部に、同様に強誘電体セラミックス基板７１Ｂ上
にＡｇＰｄから成る周回導電パターン７４をスクリーン
印刷により形成する工程を繰り返してインダクタ７５を
形成した厚膜積層体７７を焼成した後、厚膜積層体７７
の両端部に銀（Ａｇ）ペーストを塗り焼き付けた焼付Ａ
ｇ層７９、７９の上にＮｉ層８１、８１を無電界メッキ
により形成し、更にその上層に半田層８３、８３を形成
して端子電極８５、８５を構成して成る。
【０００４】また、従来の他の複合電子部品は、例え
ば、図１０に示すように、強誘電体セラミックス基板８
７上に銀パラジウム（ＡｇＰｄ）から成る所望の導電パ
ターン７２をスクリーン印刷により形成する工程を繰り
返してキャパシタンス７３を形成した第１の厚膜積層体
８９と、更にその上部に、例えば、低温ガラスアルミナ
セラミックスのような非磁性・非強誘電体セラミックス
基板９１上にＡｇＰｄから成る周回導電パターン９２を
スクリーン印刷により形成する工程を繰り返してインダ
クタ９３を形成した第２の厚膜積層体９５を一体的に設
け、これら第１及び第２の厚膜積層体８９及び９５を焼
成した後、両端部に、上述した図９の従来例と同様に焼
付Ａｇ層７９、７９、Ｎｉ層８１、８１及び半田層８
３、８３を形成して端子電極８５、８５を構成して成
る。
ば、図１０に示すように、強誘電体セラミックス基板８
７上に銀パラジウム（ＡｇＰｄ）から成る所望の導電パ
ターン７２をスクリーン印刷により形成する工程を繰り
返してキャパシタンス７３を形成した第１の厚膜積層体
８９と、更にその上部に、例えば、低温ガラスアルミナ
セラミックスのような非磁性・非強誘電体セラミックス
基板９１上にＡｇＰｄから成る周回導電パターン９２を
スクリーン印刷により形成する工程を繰り返してインダ
クタ９３を形成した第２の厚膜積層体９５を一体的に設
け、これら第１及び第２の厚膜積層体８９及び９５を焼
成した後、両端部に、上述した図９の従来例と同様に焼
付Ａｇ層７９、７９、Ｎｉ層８１、８１及び半田層８
３、８３を形成して端子電極８５、８５を構成して成
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示すような厚膜積層構造を利用し強誘電体セラミックス
内にキャパシタンスとインダクタを埋設した複合電子部
品では、大容量のキャパシタンスは得られるものの、精
密なコイルパターンの形成が困難なため、リアクタンス
の精度の高いインダクタを形成するのが困難であった。
即ち、厚膜積層体７７を焼成した後の収縮率が強誘電体
セラミックス基板７１ＡとＡｇＰｄから成る周回導電パ
ターン７４とでは異なるので、スクリーン印刷工程にお
けるスクリーンメッシュの伸びの問題とも相俟って、印
刷したコイルパターンにずれが生じて、所望のリアクタ
ンス精度を出せないという問題があった。また、印刷し
たパターンにずれが生じるため、キャパシタンスの精度
上も問題があり、この精度を出そうとすると、ＡｇＰｄ
から成る導電パターン７２を印刷した強誘電体セラミッ
クス基板７１Ａ相互の位置合わせが大変になり、製造工
程における煩雑さを免れなかった。
示すような厚膜積層構造を利用し強誘電体セラミックス
内にキャパシタンスとインダクタを埋設した複合電子部
品では、大容量のキャパシタンスは得られるものの、精
密なコイルパターンの形成が困難なため、リアクタンス
の精度の高いインダクタを形成するのが困難であった。
即ち、厚膜積層体７７を焼成した後の収縮率が強誘電体
セラミックス基板７１ＡとＡｇＰｄから成る周回導電パ
ターン７４とでは異なるので、スクリーン印刷工程にお
けるスクリーンメッシュの伸びの問題とも相俟って、印
刷したコイルパターンにずれが生じて、所望のリアクタ
ンス精度を出せないという問題があった。また、印刷し
たパターンにずれが生じるため、キャパシタンスの精度
上も問題があり、この精度を出そうとすると、ＡｇＰｄ
から成る導電パターン７２を印刷した強誘電体セラミッ
クス基板７１Ａ相互の位置合わせが大変になり、製造工
程における煩雑さを免れなかった。
【０００６】更に、強誘電体セラミックス内にキャパシ
タンスだけでなくインダクタ（コイル）まで作ってしま
うと、浮遊容量が生じてしまうという問題があった。
タンスだけでなくインダクタ（コイル）まで作ってしま
うと、浮遊容量が生じてしまうという問題があった。
【０００７】図１０に示した複合電子部品では、低温ガ
ラスアルミナセラミックスのような非磁性・非強誘電体
セラミックス内にインダクタ（コイル）を作るので、上
記のような浮遊容量の問題を減ずることはできるが、や
はり焼成後の収縮率やスクリーンメッシュの伸びの問題
から、リアクタンス精度を出すのは困難であり、また、
やはりキャパシタンスの精度を出すための位置合わせの
煩雑さを免れない。更に、低温ガラスアルミナセラミッ
クスが高価なことから、安価な複合電子部品を得ること
が困難であった。
ラスアルミナセラミックスのような非磁性・非強誘電体
セラミックス内にインダクタ（コイル）を作るので、上
記のような浮遊容量の問題を減ずることはできるが、や
はり焼成後の収縮率やスクリーンメッシュの伸びの問題
から、リアクタンス精度を出すのは困難であり、また、
やはりキャパシタンスの精度を出すための位置合わせの
煩雑さを免れない。更に、低温ガラスアルミナセラミッ
クスが高価なことから、安価な複合電子部品を得ること
が困難であった。
【０００８】そこで、本発明の技術的課題は、小型且つ
安価な上に薄型化が可能な複合電子部品を提供すること
にある。
安価な上に薄型化が可能な複合電子部品を提供すること
にある。
【０００９】本発明の他の技術的課題は、大容量のキャ
パシタンス素子とＬ値の精度の高いインダクタを合わせ
持つ小型且つ安価な複合電子部品を提供することにあ
る。
パシタンス素子とＬ値の精度の高いインダクタを合わせ
持つ小型且つ安価な複合電子部品を提供することにあ
る。
【００１０】本発明の更に他の技術的課題は、比較的大
きなＬ値を持つインダクタを含む小型且つ安価な複合電
子部品を提供することにある。
きなＬ値を持つインダクタを含む小型且つ安価な複合電
子部品を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、強誘電
体と導体とを積層して内部に少なくとも１つのキャパシ
タンスを形成した厚膜積層体を焼成の後、前記厚膜積層
体上に導体パターンと絶縁樹脂とを積層したインダクタ
を設け、該インダクタを前記キャパシタンスと電気的に
接続したことを特徴とする電子部品が得られる。
体と導体とを積層して内部に少なくとも１つのキャパシ
タンスを形成した厚膜積層体を焼成の後、前記厚膜積層
体上に導体パターンと絶縁樹脂とを積層したインダクタ
を設け、該インダクタを前記キャパシタンスと電気的に
接続したことを特徴とする電子部品が得られる。
【００１２】また、本発明によれば、前記絶縁樹脂にベ
ンゾシクロブテン樹脂を用いたことを特徴とする電子部
品が得られる。
ンゾシクロブテン樹脂を用いたことを特徴とする電子部
品が得られる。
【００１３】また、本発明によれば、更に、前記導体パ
ターンの一部に接続されるように形成された端子電極を
備え、該端子電極が前記キャパシタンスと電気的に接続
されていることを特徴とする電子部品が得られる。
ターンの一部に接続されるように形成された端子電極を
備え、該端子電極が前記キャパシタンスと電気的に接続
されていることを特徴とする電子部品が得られる。
【００１４】また、本発明によれば、前記端子電極は、
前記導体パターンに電気的に接続された下地電極と、該
下地電極を覆う表面電極とを備え、前記表面電極は、Ｎ
ｉ膜と、前記Ｎｉ膜上に形成された貴金属膜とを備えて
いることを特徴とする電子部品が得られる。
前記導体パターンに電気的に接続された下地電極と、該
下地電極を覆う表面電極とを備え、前記表面電極は、Ｎ
ｉ膜と、前記Ｎｉ膜上に形成された貴金属膜とを備えて
いることを特徴とする電子部品が得られる。
【００１５】更に、本発明によれば、磁性体と導体とを
積層して内部に少なくとも１つのインダクタを形成して
焼成の後、前記厚膜積層体上に導体パターンと誘電体層
を積層したキャパシタンスを設け、該キャパシタンスを
前記インダクタと電気的に接続したことを特徴とする電
子部品が得られる。
積層して内部に少なくとも１つのインダクタを形成して
焼成の後、前記厚膜積層体上に導体パターンと誘電体層
を積層したキャパシタンスを設け、該キャパシタンスを
前記インダクタと電気的に接続したことを特徴とする電
子部品が得られる。
【００１６】また、本発明によれば、前記誘電体層にベ
ンゾシクロブテン樹脂を用いたことを特徴とする電子部
品が得られる。
ンゾシクロブテン樹脂を用いたことを特徴とする電子部
品が得られる。
【００１７】また、本発明によれば、更に、前記導体パ
ターンの一部に接続されるように形成された端子電極を
備え、該端子電極が前記インダクタと電気的に接続され
ていることを特徴とする電子部品が得られる。
ターンの一部に接続されるように形成された端子電極を
備え、該端子電極が前記インダクタと電気的に接続され
ていることを特徴とする電子部品が得られる。
【００１８】また、本発明によれば、前記端子電極は、
前記導体パターンに電気的に接続された下地電極と、該
下地電極を覆う表面電極とを備え、前記表面電極は、Ｎ
ｉ膜と、前記Ｎｉ膜上に形成された貴金属膜とを備えて
いることを特徴とする電子部品が得られる。
前記導体パターンに電気的に接続された下地電極と、該
下地電極を覆う表面電極とを備え、前記表面電極は、Ｎ
ｉ膜と、前記Ｎｉ膜上に形成された貴金属膜とを備えて
いることを特徴とする電子部品が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２０】図１は本発明の第１の実施形態による複合
電子部品の概略構成を示す断面図である。図１を参照し
て、本実施形態に係る複合電子部品は、強誘電体（高
ε）セラミックス基板１Ａ上に銀パラジウム（ＡｇＰ
ｄ）から成る所望の導電パターン２をスクリーン印刷に
より形成する工程を繰り返してキャパシタンス３を形成
した厚膜積層体５を焼成後、更にその上部に薄膜コイル
部７を設け、耐熱樹脂９をコーティングしたチップの両
端部に端子電極１１、１１を形成して成る。
電子部品の概略構成を示す断面図である。図１を参照し
て、本実施形態に係る複合電子部品は、強誘電体（高
ε）セラミックス基板１Ａ上に銀パラジウム（ＡｇＰ
ｄ）から成る所望の導電パターン２をスクリーン印刷に
より形成する工程を繰り返してキャパシタンス３を形成
した厚膜積層体５を焼成後、更にその上部に薄膜コイル
部７を設け、耐熱樹脂９をコーティングしたチップの両
端部に端子電極１１、１１を形成して成る。
【００２１】図２は、図１に示した複合電子部品の構成
を模式的に示す断面図である。
を模式的に示す断面図である。
【００２２】薄膜コイル部７は、図２に示すように、Ｃ
ｕから成るコイル導体を用いて周回状に形成した薄膜コ
イル１３とポリイミドから成る絶縁樹脂層１５を積層し
た構成を有している。また、端子電極１１、１１は、Ａ
ｇをスパッタにより形成した端子下地電極１１Ａ、１１
Ａの上にＮｉ層１１Ｂ、１１Ｂをメッキにより設け、更
に半田層１１Ｃ、１１Ｃを形成したものである。
ｕから成るコイル導体を用いて周回状に形成した薄膜コ
イル１３とポリイミドから成る絶縁樹脂層１５を積層し
た構成を有している。また、端子電極１１、１１は、Ａ
ｇをスパッタにより形成した端子下地電極１１Ａ、１１
Ａの上にＮｉ層１１Ｂ、１１Ｂをメッキにより設け、更
に半田層１１Ｃ、１１Ｃを形成したものである。
【００２３】本実施形態に係る複合電子部品では、大容
量のキャパシタンスが得られる上に、薄膜コイル部７に
精密なコイルパターンの形成が可能なため、リアクタン
スの精度の高いインダクタも得られる。また、強誘電体
セラミックス内にはキャパシタンス３だけを作り、薄膜
コイル１３はポリイミドから成る絶縁樹脂層１５と積層
した構成で薄膜コイル部７に設けたので、図８に示した
従来の複合電子部品のように浮遊容量が生じてしまうと
いう問題は無い。
量のキャパシタンスが得られる上に、薄膜コイル部７に
精密なコイルパターンの形成が可能なため、リアクタン
スの精度の高いインダクタも得られる。また、強誘電体
セラミックス内にはキャパシタンス３だけを作り、薄膜
コイル１３はポリイミドから成る絶縁樹脂層１５と積層
した構成で薄膜コイル部７に設けたので、図８に示した
従来の複合電子部品のように浮遊容量が生じてしまうと
いう問題は無い。
【００２４】従って、小型且つ安価な上に大容量のキャ
パシタンス素子とＬ値の精度の高いインダクタを合わせ
持つ複合電子部品を提供し得る。
パシタンス素子とＬ値の精度の高いインダクタを合わせ
持つ複合電子部品を提供し得る。
【００２５】尚、上記実施形態では、薄膜コイル部７に
薄膜コイル１３を設けているが、インダクタの他に抵抗
体層をも形成して良いのは勿論である。
薄膜コイル１３を設けているが、インダクタの他に抵抗
体層をも形成して良いのは勿論である。
【００２６】次に、本発明の第２の実施形態に係る複合
電子部品について図面を参照して説明する。
電子部品について図面を参照して説明する。
【００２７】本第２の実施形態に係る複合電子部品の基
本的構成は、図１に示した第１の実施形態と略同様であ
る。本第２の実施形態の複合電子部品では、薄膜コイル
部７の絶縁樹脂層１５にベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）
樹脂を用いた点に大きな特徴がある。
本的構成は、図１に示した第１の実施形態と略同様であ
る。本第２の実施形態の複合電子部品では、薄膜コイル
部７の絶縁樹脂層１５にベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）
樹脂を用いた点に大きな特徴がある。
【００２８】また、図１に示した第１の実施形態におけ
る端子電極１１、１１の代わりに、導電性樹脂とメッキ
電極を用いた端子電極を採用している。
る端子電極１１、１１の代わりに、導電性樹脂とメッキ
電極を用いた端子電極を採用している。
【００２９】ここで、まず、本第２の実施形態における
薄膜コイル部７の構成方法について説明する。
薄膜コイル部７の構成方法について説明する。
【００３０】図３及び図４は本第２の実施形態における
薄膜コイル部７のＣｕ導体層である導体パターン１２を
形成する工程を示す図である。
薄膜コイル部７のＣｕ導体層である導体パターン１２を
形成する工程を示す図である。
【００３１】図３を参照して、まず、図３（ａ）に示す
ように、紫外線硬化性のＢＣＢからなる絶縁層４２ａを
紫外線硬化させた後、脱脂、洗浄の後、第１のエッチン
グ、洗浄を介して第２のエッチングを施し、純水洗浄の
後、触媒付与後純水洗浄を２回行い、無電解Ｃｕめっき
浴に浸漬した。無電解Ｃｕめっき浴は、ワールドメタル
社製の銅イオン補給剤（ＭＣＵ−ＡＨＳ）１２５ｍｌ／
Ｌ、還元剤及び錯化剤（ＭＣＵ−ＢＨＳ）１２５ｍｌ／
Ｌ、純水７００ｍｌ／Ｌの組成を有している。無電解Ｃ
ｕめっき後、純水で洗浄して、酸化防止処理をし、純粋
洗浄の後アルコール洗浄を行い、乾燥した。
ように、紫外線硬化性のＢＣＢからなる絶縁層４２ａを
紫外線硬化させた後、脱脂、洗浄の後、第１のエッチン
グ、洗浄を介して第２のエッチングを施し、純水洗浄の
後、触媒付与後純水洗浄を２回行い、無電解Ｃｕめっき
浴に浸漬した。無電解Ｃｕめっき浴は、ワールドメタル
社製の銅イオン補給剤（ＭＣＵ−ＡＨＳ）１２５ｍｌ／
Ｌ、還元剤及び錯化剤（ＭＣＵ−ＢＨＳ）１２５ｍｌ／
Ｌ、純水７００ｍｌ／Ｌの組成を有している。無電解Ｃ
ｕめっき後、純水で洗浄して、酸化防止処理をし、純粋
洗浄の後アルコール洗浄を行い、乾燥した。
【００３２】図３（ｂ）は無電解Ｃｕめっき層４３を一
面に形成した絶縁層を示している。図３（ｂ）におい
て、無電解Ｃｕめっき層４３は厚さ１μｍである。
面に形成した絶縁層を示している。図３（ｂ）におい
て、無電解Ｃｕめっき層４３は厚さ１μｍである。
【００３３】次に図３（ｃ）に示すように、レジスト５
４を塗布した後、図３（ｄ）に示すように、フォトリソ
グラフィを用いて、マスク５５を介して、露光し、現像
して、図４（ａ）に示すレジストのパターン５４´を得
た。
４を塗布した後、図３（ｄ）に示すように、フォトリソ
グラフィを用いて、マスク５５を介して、露光し、現像
して、図４（ａ）に示すレジストのパターン５４´を得
た。
【００３４】次に、図４（ｂ）に示すように、電解Ｃｕ
めっきによって、電解Ｃｕめっき層５６を得た。電解Ｃ
ｕめっきは、表面処理の後に行った。次に、レジストの
パターン５４´を剥離して、図４（ｃ）に示す形状の全
導体パターン５７を得た。
めっきによって、電解Ｃｕめっき層５６を得た。電解Ｃ
ｕめっきは、表面処理の後に行った。次に、レジストの
パターン５４´を剥離して、図４（ｃ）に示す形状の全
導体パターン５７を得た。
【００３５】次に、図４（ｃ）に示す全導体パターン５
７中の無電解Ｃｕメッキ層４３の露出部分ををウエット
エッチングで除去しい、ＨＣｌで洗浄して図４（ｄ）に
示すように、絶縁層４２ａ上に形成された孤立パターン
６３を得た。尚、エッチングによって、電解Ｃｕメッキ
層５６の表面も若干エッチングされるが、無電解Ｃｕめ
っき層４３´よりも厚いので、導体パターンが失われる
ことはない。
７中の無電解Ｃｕメッキ層４３の露出部分ををウエット
エッチングで除去しい、ＨＣｌで洗浄して図４（ｄ）に
示すように、絶縁層４２ａ上に形成された孤立パターン
６３を得た。尚、エッチングによって、電解Ｃｕメッキ
層５６の表面も若干エッチングされるが、無電解Ｃｕめ
っき層４３´よりも厚いので、導体パターンが失われる
ことはない。
【００３６】得られた導体パターン６３は、無電解Ｃｕ
めっき層４３´のパターンと、電解Ｃｕめっき層５６の
パターンとからなり、厚さ約３〜５μｍ、幅約３０μｍ
で、洗浄、フォトリソグラフィ、エッチング、洗浄工程
等において、製作プロセス中に不具合は発生しなかっ
た。
めっき層４３´のパターンと、電解Ｃｕめっき層５６の
パターンとからなり、厚さ約３〜５μｍ、幅約３０μｍ
で、洗浄、フォトリソグラフィ、エッチング、洗浄工程
等において、製作プロセス中に不具合は発生しなかっ
た。
【００３７】図５は、図１に示す薄膜コイル部７の絶縁
樹脂層１５を形成する工程を示す図である。図５を参照
して、図４（ｄ）に示す絶縁層４２ａ上に形成された導
体パターン６３を覆うように、図５（ａ）に示すよう
に、スピンコーティングによって、紫外線硬化型ＢＣＢ
樹脂を塗布して、絶縁層５８を得た。次に、図５（ｂ）
に示すように、フォトリソグラフィを用い、マスク５９
を介して露光して、図５（ｃ）に示すように、絶縁層５
８に貫通孔６１を形成した。尚、貫通孔６１は、絶縁層
５８の上部に形成される導体と電気的コンタクトを得る
ためのものであり、必ずしも、全ての導体パターン６３
上に設けなくても良い。
樹脂層１５を形成する工程を示す図である。図５を参照
して、図４（ｄ）に示す絶縁層４２ａ上に形成された導
体パターン６３を覆うように、図５（ａ）に示すよう
に、スピンコーティングによって、紫外線硬化型ＢＣＢ
樹脂を塗布して、絶縁層５８を得た。次に、図５（ｂ）
に示すように、フォトリソグラフィを用い、マスク５９
を介して露光して、図５（ｃ）に示すように、絶縁層５
８に貫通孔６１を形成した。尚、貫通孔６１は、絶縁層
５８の上部に形成される導体と電気的コンタクトを得る
ためのものであり、必ずしも、全ての導体パターン６３
上に設けなくても良い。
【００３８】次に、窒素雰囲気中で２１０℃、３０分ハ
ーフキュアすることで、図５（ｄ）に示す絶縁層６２ｂ
を得た。
ーフキュアすることで、図５（ｄ）に示す絶縁層６２ｂ
を得た。
【００３９】本実施形態に係る複合電子部品では、薄膜
コイル部７の絶縁樹脂層１５にＢＣＢ樹脂を用いたの
で、絶縁樹脂層による導電パターンの凹凸の平坦化に極
めて優れ、これにより、その上に積層される導電パター
ンの波打ちが無く高い寸法精度の導電パターンを形成で
きる。また、導電パターンの波打ちが無くなるので、上
記第１の実施形態に比べても、その分、薄膜コイル部７
のより薄膜化が可能となる。更に、導電パターンの波打
ちが無く高い寸法精度の導電パターンを形成できるの
で、薄膜コイル部７にＬ値の精度の高いインダクタを設
けることが可能となる。
コイル部７の絶縁樹脂層１５にＢＣＢ樹脂を用いたの
で、絶縁樹脂層による導電パターンの凹凸の平坦化に極
めて優れ、これにより、その上に積層される導電パター
ンの波打ちが無く高い寸法精度の導電パターンを形成で
きる。また、導電パターンの波打ちが無くなるので、上
記第１の実施形態に比べても、その分、薄膜コイル部７
のより薄膜化が可能となる。更に、導電パターンの波打
ちが無く高い寸法精度の導電パターンを形成できるの
で、薄膜コイル部７にＬ値の精度の高いインダクタを設
けることが可能となる。
【００４０】更に、Ｃｕマイグレーションの心配が無い
ＢＣＢ樹脂を用いたことから、導電パターンに低抵抗且
つ電解メッキ可能で更にウエットエッチングが容易であ
るＣｕパターンを選定でき、低コストの複合電子部品を
提供することができる。
ＢＣＢ樹脂を用いたことから、導電パターンに低抵抗且
つ電解メッキ可能で更にウエットエッチングが容易であ
るＣｕパターンを選定でき、低コストの複合電子部品を
提供することができる。
【００４１】次に、本第２の実施形態における端子電極
の構成について、図６を用いて説明する。
の構成について、図６を用いて説明する。
【００４２】端子電極３８、３８（図６では一方のみ図
示）は、ガラスエポキシ等の絶縁基板１０内の導体パタ
ーン２に電気的に接続された下地電極と、この下地電極
を覆う表面電極を備え、表面電極は、無電解Ｎｉめっき
膜と、その上に形成された貴金属膜とを備えている。
示）は、ガラスエポキシ等の絶縁基板１０内の導体パタ
ーン２に電気的に接続された下地電極と、この下地電極
を覆う表面電極を備え、表面電極は、無電解Ｎｉめっき
膜と、その上に形成された貴金属膜とを備えている。
【００４３】即ち、図６を参照すると、絶縁基板１０上
には導体パターン２の配線端部４０が形成され、この配
線端部４０は、絶縁樹脂からなる絶縁層４２と導体から
なる導体パターン４３とを交互に積層して形成されてい
る。端子電極３８は、この積層体から成る配線端部４０
の上側端部に電極部４４とそれの一部を含めて下面端部
を覆うように、導電性樹脂から成る下地電極４５とを形
成し、さらに、電極部４４と下地電極４５とを覆うよう
に、無電解Ｎｉめっき膜４６を形成し、さらにそれを覆
うように無電解パラジウムめっき膜４７を形成してな
る。
には導体パターン２の配線端部４０が形成され、この配
線端部４０は、絶縁樹脂からなる絶縁層４２と導体から
なる導体パターン４３とを交互に積層して形成されてい
る。端子電極３８は、この積層体から成る配線端部４０
の上側端部に電極部４４とそれの一部を含めて下面端部
を覆うように、導電性樹脂から成る下地電極４５とを形
成し、さらに、電極部４４と下地電極４５とを覆うよう
に、無電解Ｎｉめっき膜４６を形成し、さらにそれを覆
うように無電解パラジウムめっき膜４７を形成してな
る。
【００４４】尚、下地電極４５は、導電性の金属粉を樹
脂に混入させて、塗布し、硬化させたものからなる。
脂に混入させて、塗布し、硬化させたものからなる。
【００４５】本第２の実施形態において得られた複合電
子部品において、端子電極３８、３８のはがれはなく、
従来技術と同等の信頼性を備えていた。
子部品において、端子電極３８、３８のはがれはなく、
従来技術と同等の信頼性を備えていた。
【００４６】本第２の実施形態によれば、端子電極３
８、３８の部分に半田を使用しないので、Ｐｂ等の廃液
処理の必要がなく、環境汚染の問題を生じない。
８、３８の部分に半田を使用しないので、Ｐｂ等の廃液
処理の必要がなく、環境汚染の問題を生じない。
【００４７】次に、本発明の第３の実施形態に係る複合
電子部品について説明する。
電子部品について説明する。
【００４８】図７は本発明の第３の実施形態による複合
電子部品の概略構成を示す断面図である。図７を参照し
て、本実施形態に係る複合電子部品は、Ｎｉ−Ｚｎ系フ
ェライトから成る磁性体基板２１Ａ上に銀（Ａｇ）又は
銀パラジウム（ＡｇＰｄ）から成る周回状に形成した導
電パターン２２をスクリーン印刷により形成する工程を
繰り返してインダクタ２３を形成した厚膜積層体２５を
焼成後、更にその上部に薄膜キャパシタンス部２７を設
け、耐熱樹脂２９をコーティングしたチップの両端部に
端子電極３１、３１を形成して成る。
電子部品の概略構成を示す断面図である。図７を参照し
て、本実施形態に係る複合電子部品は、Ｎｉ−Ｚｎ系フ
ェライトから成る磁性体基板２１Ａ上に銀（Ａｇ）又は
銀パラジウム（ＡｇＰｄ）から成る周回状に形成した導
電パターン２２をスクリーン印刷により形成する工程を
繰り返してインダクタ２３を形成した厚膜積層体２５を
焼成後、更にその上部に薄膜キャパシタンス部２７を設
け、耐熱樹脂２９をコーティングしたチップの両端部に
端子電極３１、３１を形成して成る。
【００４９】図８は、図７に示した複合電子部品の構成
を模式的に示す断面図である。
を模式的に示す断面図である。
【００５０】薄膜キャパシタンス部２７は、図８に示す
ように、Ｃｕから成るキャパシタ用内部電極３３、３３
とポリイミドから成る誘電体層３５を積層したキャパシ
タンス３６を有している。尚、端子電極３１、３１の構
成は、上述した第１の実施形態における端子電極１１、
１１と同様である。
ように、Ｃｕから成るキャパシタ用内部電極３３、３３
とポリイミドから成る誘電体層３５を積層したキャパシ
タンス３６を有している。尚、端子電極３１、３１の構
成は、上述した第１の実施形態における端子電極１１、
１１と同様である。
【００５１】本実施形態に係る複合電子部品では、比較
的大きなＬ値を持つインダクタを含む小型且つ安価な複
合電子部品を提供し得る。
的大きなＬ値を持つインダクタを含む小型且つ安価な複
合電子部品を提供し得る。
【００５２】尚、上記実施形態では、厚膜積層体２５に
インダクタ２３を設けているが、インダクタに代えてト
ランスを形成しても良い。また、薄膜キャパシタンス部
２７には、キャパシタンス３６の他に抵抗体層をも形成
して良いのは勿論である。
インダクタ２３を設けているが、インダクタに代えてト
ランスを形成しても良い。また、薄膜キャパシタンス部
２７には、キャパシタンス３６の他に抵抗体層をも形成
して良いのは勿論である。
【００５３】次に、本発明の第４の実施形態に係る複合
電子部品について説明する。
電子部品について説明する。
【００５４】本第４の実施形態に係る複合電子部品の基
本的構成は、図７に示した第３の実施形態と略同様であ
る。本第４の実施形態の複合電子部品では、薄膜キャパ
シタンス部２７の誘電体層３５にベンゾシクロブテン
（ＢＣＢ）樹脂を用いた点が特徴である。また、図７に
示した第３の実施形態における端子電極３１、３１の代
わりに、図６に示した第２の実施形態におけるのと同様
に、導電性樹脂とメッキ電極を用いた端子電極を採用し
ている。
本的構成は、図７に示した第３の実施形態と略同様であ
る。本第４の実施形態の複合電子部品では、薄膜キャパ
シタンス部２７の誘電体層３５にベンゾシクロブテン
（ＢＣＢ）樹脂を用いた点が特徴である。また、図７に
示した第３の実施形態における端子電極３１、３１の代
わりに、図６に示した第２の実施形態におけるのと同様
に、導電性樹脂とメッキ電極を用いた端子電極を採用し
ている。
【００５５】まず、本第４の実施形態における薄膜キャ
パシタンス部２７を構成するには、Ｃｕから成るキャパ
シタ用内部電極３３、３３を、図３及び図４に示した導
体パターン１２を形成する工程と略同様の工程で形成す
る。
パシタンス部２７を構成するには、Ｃｕから成るキャパ
シタ用内部電極３３、３３を、図３及び図４に示した導
体パターン１２を形成する工程と略同様の工程で形成す
る。
【００５６】また、誘電体層３５は、図５に示した絶縁
樹脂層１５を形成する工程と略同様の工程で形成する。
樹脂層１５を形成する工程と略同様の工程で形成する。
【００５７】本実施形態に係る複合電子部品では、薄膜
キャパシタンス部２７の誘電体層３５にＢＣＢ樹脂を用
いたので、誘電体層による導電パターンの凹凸の平坦化
に極めて優れ、これにより、その上に積層される導電パ
ターンの波打ちが無く高い寸法精度の導電パターンを形
成できる。また、導電パターンの波打ちが無くなるの
で、上記第３の実施形態に比べても、その分、薄膜キャ
パシタンス部２７のより薄膜化が可能となる。更に、導
電パターンの波打ちが無く高い寸法精度の導電パターン
を形成できるので、誘電体層３５を挟んだキャパシタ用
内部電極３３、３３相互の位置ずれも無くなり、キャパ
シタンス３６の精度を高めることができる。
キャパシタンス部２７の誘電体層３５にＢＣＢ樹脂を用
いたので、誘電体層による導電パターンの凹凸の平坦化
に極めて優れ、これにより、その上に積層される導電パ
ターンの波打ちが無く高い寸法精度の導電パターンを形
成できる。また、導電パターンの波打ちが無くなるの
で、上記第３の実施形態に比べても、その分、薄膜キャ
パシタンス部２７のより薄膜化が可能となる。更に、導
電パターンの波打ちが無く高い寸法精度の導電パターン
を形成できるので、誘電体層３５を挟んだキャパシタ用
内部電極３３、３３相互の位置ずれも無くなり、キャパ
シタンス３６の精度を高めることができる。
【００５８】更に、Ｃｕマイグレーションの心配が無い
ＢＣＢ樹脂を用いたことから、導電パターンに低抵抗且
つ電解メッキ可能で更にウエットエッチングが容易であ
るＣｕパターンを選定でき、低コストの複合電子部品を
提供することができる。
ＢＣＢ樹脂を用いたことから、導電パターンに低抵抗且
つ電解メッキ可能で更にウエットエッチングが容易であ
るＣｕパターンを選定でき、低コストの複合電子部品を
提供することができる。
【００５９】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１記載の
発明によれば、小型且つ安価な上に大容量のキャパシタ
ンス素子とＬ値の精度の高いインダクタを合わせ持つ複
合電子部品を提供し得る。
発明によれば、小型且つ安価な上に大容量のキャパシタ
ンス素子とＬ値の精度の高いインダクタを合わせ持つ複
合電子部品を提供し得る。
【００６０】また、請求項２記載の発明によれば、前記
絶縁体層にＢＣＢ樹脂を用いているので、更にＬ値の精
度の高いインダクタを設けることが可能となり、更に、
ＢＣＢ樹脂を用いたことから、導電パターンに低抵抗且
つ電解メッキ可能で更にウエットエッチングが容易であ
るＣｕパターンを選定でき、低コストの複合電子部品を
提供することができる。従って、大容量のキャパシタン
ス素子とＬ値の精度の高いインダクタを合わせ持つ小型
・薄型の複合電子部品を低コストで提供し得る。
絶縁体層にＢＣＢ樹脂を用いているので、更にＬ値の精
度の高いインダクタを設けることが可能となり、更に、
ＢＣＢ樹脂を用いたことから、導電パターンに低抵抗且
つ電解メッキ可能で更にウエットエッチングが容易であ
るＣｕパターンを選定でき、低コストの複合電子部品を
提供することができる。従って、大容量のキャパシタン
ス素子とＬ値の精度の高いインダクタを合わせ持つ小型
・薄型の複合電子部品を低コストで提供し得る。
【００６１】更に、請求項３乃至４記載の発明によれ
ば、大容量のキャパシタンス素子とＬ値の精度の高いイ
ンダクタを合わせ持つ上に、製造に際し環境汚染の問題
の無い複合電子部品を提供し得る。
ば、大容量のキャパシタンス素子とＬ値の精度の高いイ
ンダクタを合わせ持つ上に、製造に際し環境汚染の問題
の無い複合電子部品を提供し得る。
【００６２】また、請求項５記載の発明によれば、比較
的大きなＬ値を持つインダクタを含む小型且つ安価な複
合電子部品を提供することができる。
的大きなＬ値を持つインダクタを含む小型且つ安価な複
合電子部品を提供することができる。
【００６３】また、請求項６記載の発明によれば、前記
誘電体層にＢＣＢ樹脂を用いているので、比較的大きな
Ｌ値を持つインダクタを含む小型・薄型の複合電子部品
を低コストで提供し得る。
誘電体層にＢＣＢ樹脂を用いているので、比較的大きな
Ｌ値を持つインダクタを含む小型・薄型の複合電子部品
を低コストで提供し得る。
【００６４】更に、請求項７乃至８記載の発明によれ
ば、比較的大きなＬ値を持つインダクタを含む上に、製
造に際し環境汚染の問題の無い複合電子部品を提供し得
る。
ば、比較的大きなＬ値を持つインダクタを含む上に、製
造に際し環境汚染の問題の無い複合電子部品を提供し得
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態による複合電子部品
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図２】図１に示した複合電子部品の構成を示す図であ
る。
る。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は図１に
示した複合電子部品の薄膜コイル部の導体層を形成する
工程を順に示す断面図である。
示した複合電子部品の薄膜コイル部の導体層を形成する
工程を順に示す断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は図１に
示した複合電子部品の薄膜コイル部の導体層を形成する
工程を順に示す断面図である。
示した複合電子部品の薄膜コイル部の導体層を形成する
工程を順に示す断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は図１に
示した複合電子部品の薄膜コイル部の絶縁層を形成する
工程を順に示す断面図である。
示した複合電子部品の薄膜コイル部の絶縁層を形成する
工程を順に示す断面図である。
【図６】図１の電子部品本体への端子電極形成方法の説
明に供せられる図である。
明に供せられる図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態による複合電子部品
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図８】図７に示した複合電子部品の構成を示す図であ
る。
る。
【図９】従来の厚膜積層構造を利用し強誘電体セラミッ
クス内にキャパシタンスとインダクタを埋設した複合電
子部品を示す図である。
クス内にキャパシタンスとインダクタを埋設した複合電
子部品を示す図である。
【図１０】従来のキャパシタンスを埋設した強誘電体セ
ラミックスの厚膜積層体の上部に非磁性・非強誘電体セ
ラミックス内にインダクタを埋設した厚膜積層体を重ね
た複合電子部品を示す図である。
ラミックスの厚膜積層体の上部に非磁性・非強誘電体セ
ラミックス内にインダクタを埋設した厚膜積層体を重ね
た複合電子部品を示す図である。
１Ａ 強誘電体セラミックス基板 ２ 導電パターン ３ キャパシタンス ５ 厚膜積層体 ７ 薄膜コイル部 ９ 耐熱樹脂 １１ 端子電極 １３ 薄膜コイル １５ 絶縁樹脂層 １１Ａ 端子下地電極 １１Ｂ Ｎｉ層 １１Ｃ 半田層 ２１Ａ 磁性体基板 ２２ 導電パターン ２３ インダクタ ２５ 厚膜積層体 ２７ 薄膜キャパシタンス部 ２９ 耐熱樹脂 ３１ 端子電極 ３３ キャパシタ用内部電極 ３５ 誘電体層 ３６ キャパシタンス
Claims (8)
- 【請求項１】 強誘電体と導体とを積層して内部に少な
くとも１つのキャパシタンスを形成した厚膜積層体を焼
成の後、前記厚膜積層体上に導体パターンと絶縁樹脂と
を積層したインダクタを設け、該インダクタを前記キャ
パシタンスと電気的に接続したことを特徴とする電子部
品。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子部品において、前記
絶縁樹脂にベンゾシクロブテン樹脂を用いたことを特徴
とする電子部品。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子部品において、更
に、前記導体パターンの一部に接続されるように形成さ
れた端子電極を備え、該端子電極が前記キャパシタンス
と電気的に接続されていることを特徴とする電子部品。 - 【請求項４】 請求項３記載の電子部品において、前記
端子電極は、前記導体パターンに電気的に接続された下
地電極と、該下地電極を覆う表面電極とを備え、前記表
面電極は、Ｎｉ膜と、前記Ｎｉ膜上に形成された貴金属
膜とを備えていることを特徴とする電子部品。 - 【請求項５】 磁性体と導体とを積層して内部に少なく
とも１つのインダクタを形成して焼成の後、前記厚膜積
層体上に導体パターンと誘電体層を積層したキャパシタ
ンスを設け、該キャパシタンスを前記インダクタと電気
的に接続したことを特徴とする電子部品。 - 【請求項６】 請求項５記載の電子部品において、前記
誘電体層にベンゾシクロブテン樹脂を用いたことを特徴
とする電子部品。 - 【請求項７】 請求項５記載の電子部品において、更
に、前記導体パターンの一部に接続されるように形成さ
れた端子電極を備え、該端子電極が前記インダクタと電
気的に接続されていることを特徴とする電子部品。 - 【請求項８】 請求項７記載の電子部品において、前記
端子電極は、前記導体パターンに電気的に接続された下
地電極と、該下地電極を覆う表面電極とを備え、前記表
面電極は、Ｎｉ膜と、前記Ｎｉ膜上に形成された貴金属
膜とを備えていることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10370496A JPH09270338A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10370496A JPH09270338A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270338A true JPH09270338A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=14361144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10370496A Pending JPH09270338A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270338A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000035042A1 (en) * | 1998-12-11 | 2000-06-15 | Paratek Microwave, Inc. | Electrically tunable filters with dielectric varactors |
| JP2004087959A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | 複合キャパシタ |
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1996
- 1996-03-29 JP JP10370496A patent/JPH09270338A/ja active Pending
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