JPH09270330A

JPH09270330A - 電子部品

Info

Publication number: JPH09270330A
Application number: JP10369996A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Seto; 一弘瀬戸
Original assignee: Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 1996-03-29
Filing date: 1996-03-29
Publication date: 1997-10-14

Abstract

(57)【要約】【課題】例えば，ノイズフィルタにおいて，別段に回
路構成等を設けなくとも減衰特性を簡単な構成で安価に
広帯域化することができる電子部品を提供すること。【解決手段】電子部品において，絶縁基板１１と，前
記絶縁基板１１上に，導体パターン１３ａ〜ｄと絶縁樹
脂層１２ａ〜ｄとを交互に積層して形成した積層体１５
と，前記導体パターン１３〜ｄに電気接続されるととも
に前記絶縁基板１１と前記積層体１５とに渡って，前記
導体パターン１３〜ｄに電気接続されるように形成され
た外部電極端子部とを備えた電子部品において，前記導
体パターン１３ａ〜ｄは，前記絶縁層又は前記基板上に
形成された下地層と，前記下地層上に形成された導電性
の金属からなる導電膜と，前記下地層及び前記導電膜と
の間又は，前記導電膜上に，形成されたＮｉを含む金属
又は合金からなる磁性膜とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，チップ部品等の電
子部品に関し，詳しくは，ＬＣＲ素子，薄膜ＥＭＩフィ
ルタ，コモンモードチョークコイル，信号用トランス，
カレントセンサ，複合部品等の表面実装部品，リード部
品等の電子部品及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来，図１０に示される電子部品が知ら
れている（特開平３−２０１４１７号公報参照）。この
電子部品は，絶縁基板１０１上に，ポリイミド樹脂から
なる絶縁樹脂層１０２およびスパッタ法によって形成さ
れたＴｉ，Ｔｉ−Ａｇ，Ａｇからなる内部導体パターン
１０３，１０４を交互に積層させ，絶縁樹脂層１０２の
端部を取り除くことによって最上部の導体パターン１０
４の端部を，露出させて電子部品１００を形成してい
る。

【０００３】尚，導体パターン１０４の端部に接続する
ように端子下地部を電子部品１００の側面に形成し，こ
の端子下地を覆うように，電子部品本体の上面端部か
ら，側面を介して下面端部に至る外部電極端子部を形成
して用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記電
子部品をノイズフィルタとして使用した場合におい
て，，小型化されるにしたがって，所望する減衰特性を
備えた周波数帯域幅が狭くなるという不具合を生じた。

【０００５】この欠点を補うためには，別の回路素子を
設ければ良いのであるが，回路段数が増大し，構成が複
雑となり，構成が簡素で製造が容易であるという小型で
ある利点を損なうという欠点を生じた。

【０００６】そこで，本発明の技術的課題は，例えば，
ノイズフィルタにおいて，別段に回路構成等を設けなく
とも減衰特性を簡単な構成で安価に広帯域化することが
できる電子部品を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば，絶縁基
板と，前記絶縁基板上に，導体パターンと絶縁層とを交
互に積層して形成した積層体と，前記導体パターンに電
気接続されるとともに前記絶縁基板と前記積層体とに渡
って前記導体パターンに電気接続されるように形成され
た外部電極端子部とを備えた電子部品において，前記導
体パターンは，少なくともその一部に磁性膜を備えてい
ることを特徴とする電子部品が得られる。

【０００８】また，本発明によれば，前記電子部品にお
いて，前記磁性膜は，強磁性を備えた金属又は合金から
なることを特徴とする電子部品が得られる。

【０００９】また，本発明によれば，前記いずれかの電
子部品において，前記導体パターンは，前記絶縁基板又
は前記絶縁層上に形成された下地層と前記下地層の上部
に形成された導電層とを備えていることを特徴とする電
子部品が得られる。

【００１０】また，本発明によれば，前記いずれかの電
子部品において，前記磁性膜は，前記下地層と前記導電
層との間に介在して設けられていることを特徴とする電
子部品が得られる。

【００１１】また，本発明によれば，前記いずれかの電
子部品において，前記磁性膜は，前記導電層上に設けら
れていることを特徴とする電子部品が得られる。

【００１２】また，本発明によれば，前記いずれかの電
子部品において，前記導体層は，Ｃｕ，Ａｌ，又はそれ
らの合金からなることを特徴とする電子部品が得られ
る。

【００１３】また，本発明によれば，前記いずれかの電
子部品において，前記磁性膜は，Ｎｉを含む金属または
合金からなることを特徴とする電子部品が得られる。こ
こで，本発明において，Ｎｉを含む金属又は合金とし
て，Ｎｉ，ＦｅＮｉなどが例示できるがこれらに限定さ
れるものではない。

【００１４】また，本発明によれば，前記いずれかの電
子部品において，前記下地層は，Ｔｉ，又はＣｒからな
ることを特徴とする電子部品が得られる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１６】図１は本発明の実施の形態による電子部品
を示す斜視図である。図１を参照すると，本発明の実施
の形態による電子部品１０は，ノイズフィルタであり，
電子部品本体１と，電子部品本体１の両端面及び側面部
の一部を覆うように形成された３個の外部電極端子部
２，２，及び２を備えている。

【００１７】図２は，図１の電子部品本体を示す分解組
立斜視図である。また，図３は，図２の電子部品本体の
完成図である。

【００１８】図２及び図３を参照すると，電子部品本体
１は，快削性を備えたセラミックス材料からなる絶縁性
基板１１上に，絶縁層としてベンゾシクロブテン樹脂
（ＢＣＢ）からなる絶縁樹脂層１２ａを同じ材料からな
る絶縁樹脂層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，及び１２ｄと導
体パターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，及び１３ｄとを交
互に積層して積層体１５形成することによって得られて
いる。絶縁樹脂層１２ａ〜ｄには，貫通穴若しくは切欠
き１４が設けられている。また，導体パターン１３ｃの
代わりに導体パターン１３ｃ´を用いても良い。ここ
で，絶縁樹脂として，ＢＣＢを用いているが，ポリイミ
ドを使用することができる。さらに，導体パターンは，
下地層としてＴｉ膜又はＣｒ膜を形成し，その上にＮｉ
又はＦｅＮｉ合金膜からなる磁性膜及び導電膜として電
解Ｃｕめっき膜をこの順又は逆の順に重合わせて形成し
てなる。

【００１９】図４及び図５は図２の導体パターンを形成
する方法の一例を模式的に示す断面図である。まず，図
４（ａ）に示すように，絶縁基板を有機洗浄後，紫外線
感光性のＢＣＢからなる絶縁樹脂層１２ａを塗布して，
紫外線感光させ，キュアリングの後，図４（ｂ）に示す
ように，逆スパッタで表面を洗浄し，続いて導体パター
ンの下地層３ａとしてＴｉ膜を形成し，さらに，その上
に図４（ｃ）に示すように，磁性膜３ｂとしてＮｉ膜３
ｂをスパッタ法によって形成した。ここで，第１の実施
の形態においては，下地層３ａとしてＴｉ膜を使用して
いるが，Ｃｒ膜でも良い。また，磁性膜３ｂであるＮｉ
膜は，無電解めっき法または電解めっき法によっても形
成することができる。

【００２０】次に図４（ｄ）に示すように，レジスト４
を塗布した後，図４（ｅ）に示すように，フォトトリソ
グラフィを用いて，マスク５を介して，露光し，現像し
て，図５（ａ）に示すレジストのパターン４´を得た。

【００２１】次に，図５（ｂ）に示すように，電解Ｃｕ
めっきによって，電解Ｃｕめっき層６を得る。電解Ｃｕ
めっきは，表面処理の後に行った。次に，レジストのパ
ターン４´を剥離して，図５（ｃ）に示す形状の中間導
体パターン７を得た。次に，図５（ｃ）に示す中間導体
パターン７中のＮｉ膜及びＴｉ膜に，希硫酸及びフッ化
水素酸によるウエットエッチング（ドライエッチングも
可）を施し，図５（ｄ）に示すように，絶縁樹脂層１２
ａ上に形成された孤立した導電パターン１３ａを得た。

【００２２】得られた導体パターン１３ａは，下地層３
ａである厚さ約０．０５μｍのＴｉ膜と，磁性膜３ｂで
ある厚さ約０．２５〜０．３μｍのＮｉ膜と，電解Ｃｕ
めっき層からなる導電膜６のパターンとからなり，厚さ
約３〜５μｍ，幅約３０μｍで，洗浄，フォトリソグラ
フィ，エッチング，洗浄工程等において，製作プロセス
中に不具合は発生しなかった。尚，上記において，絶縁
基板１１上に，絶縁樹脂層１２ａを介して，導体パター
ン１３ａを形成したが，絶縁基板１１上にも，図４
（ｂ）〜（ｅ）及び図５（ａ）〜（ｄ）の絶縁樹脂層１
２ａを絶縁基板１１とすることで同様に直接導体パター
ンを形成することができる。

【００２３】図６は，図２に示す絶縁樹脂層を形成する
方法を模式的に示す断面図である。図６を参照して，図
５（ｄ）に示す絶縁層１２ａ上に形成された導体パター
ン１３ａを覆うように，図６（ａ）に示すように，スピ
ンコーティングによって，紫外線感光型ＢＣＢ樹脂を塗
布して，絶縁樹脂層８を得た。次に，図６（ｂ）に示す
ように，フォトリソグラフィを用い，マスク９を介して
露光して，図６（ｃ）に示すように，絶縁層８に貫通孔
１４を形成した。尚，貫通孔１４は，絶縁樹脂層８の上
部に形成される導体と電気的コンタクトを得るためのも
のであり，必ずしも，全ての導体パターン１３ａ上に設
ける必要のないことはいうまでもない。次に，加熱して
ハーフキュアすることで，図６（ｄ）に示す絶縁樹脂層
１２ｂを得た。

【００２４】また，図２における他の導体パターン１３
ｂ，１３ｃ，１３ｄも図４及び図５に示した工程と同様
にして得られる。また，絶縁樹脂層１２ｂ，１２ｃ，１
２ｄも，図６に示した工程と同様に得られる。

【００２５】図３に示す電子部品本体１０の引出電極部
２２を覆うとともに絶縁基板１１の側面を横断して下面
に至るまで，エポキシ樹脂にＮｉ粉を混合した導電性ペ
ーストを塗布，乾燥硬化後，電解バレルめっきにより，
Ｎｉめっき膜，更に，その上に半田めっき膜を形成し
て，図１に示す電子部品の外部電極端子部２が形成さ
れ，電子部品１が完成される。

【００２６】図７及び図８は，図２の導体パターンを形
成する方法の他の例を模式的に示す断面図である。ま
ず，図７（ａ）に示すように，絶縁基板を有機洗浄後，
紫外線感光性のＢＣＢからなる絶縁樹脂層１２ａを塗布
して，紫外線感光させ，キュアリングの後，図７（ｂ）
に示すように，逆スパッタの表面洗浄，続いて下地層３
ａとしてＴｉ膜を形成する。ここで，下地層３ａとして
Ｔｉ膜を使用しているが，Ｃｒ膜でも良い。

【００２７】次に図７（ｃ）に示すように，レジスト４
を塗布した後，図７（ｄ）に示すように，フォトリソグ
ラフィを用いて，マスク５を介して，露光し，現像し
て，図８（ａ）に示すレジストのパターン４´を得た。

【００２８】次に，図８（ｂ）に示すように，電解Ｃｕ
めっきによって，電解Ｃｕめっき膜からなる導電膜６を
得る。更に，電解Ｃｕめっき膜の導電膜６上にＦｅＮｉ
合金層からなる磁性層３ｂを電解ＦｅＮｉ合金めっきに
よって形成する。ここで，本発明の第２の実施の形態に
おいて，磁性層３ｂとしてＦｅＮｉ合金層を用いたが，
電解Ｎｉめっき膜も使用することができる。

【００２９】次に，レジストのパターン４´を剥離し
て，図８（ｃ）に示す形状の中間導体パターン７を得
た。次に，図５（ｃ）に示す中間導体パターン７中のＴ
ｉ膜に，フッ化水素酸によるウエットエッチング（ドラ
イエッチングも可）を施し，図５（ｄ）に示すように，
絶縁樹脂層１２ａ上に形成された孤立した導電パターン
１３ａを得た。

【００３０】得られた導体パターン１３ａは，下地層３
ａである厚さ約０．０５μｍのＴｉ膜と，電解Ｃｕめっ
き膜からなる導電膜６のパターンと，この上に形成され
たＦｅＮｉ合金めっき膜からなる磁性膜３ｂからなり，
厚さ約３〜５μｍ，幅約３０μｍで，洗浄，フォトリソ
グラフィ，エッチング，洗浄工程等において，製作プロ
セス中に不具合は発生しなかった。尚，上記において，
絶縁基板１１上に，絶縁樹脂層１２ａを介して，導体パ
ターン１３ａを形成したが，絶縁基板１１上にも，図８
（ｂ）〜（ｄ）及び図９（ａ）〜（ｄ）の絶縁樹脂層１
２ａを絶縁基板１１とすることで同様に直接導体パター
ンを形成することができる。

【００３１】図１０は，図２に示す絶縁樹脂層を形成す
る方法の他の例を模式的に示す断面図である。図１０を
参照して，図９（ｄ）に示す絶縁層１２ａ上に形成され
た導体パターン１３ａを覆うように，図１０（ａ）に示
すように，スピンコーティングによって，紫外線感光性
ＢＣＢ樹脂を塗布して，絶縁樹脂層８を得た。次に，図
１０（ｂ）に示すように，フォトリソグラフィを用い，
マスク９を介して露光して，図１０（ｃ）に示すよう
に，絶縁樹脂層８に貫通孔１４を形成した。尚，貫通孔
１４は，絶縁樹脂層８の上部に形成される導体と電気的
コンタクトを得るためのものであり，必ずしも，全ての
導体パターン１３ａ上に設ける必要のないことはいうま
でもない。次に，加熱してハーフキュアすることで，図
１０（ｄ）に示す絶縁樹脂層１２ｂを得た。

【００３２】また，図２における他の導体パターン１３
ｂ，１３ｃ，１３ｄも図８及び図９に示した工程と同様
にして得られる。また，絶縁樹脂層１２ｂ，１２ｃ，１
２ｄも，図１０に示した工程と同様に得られる。

【００３３】以上説明したように，本発明の実施の形態
においては，導体パターンの下地層の上層又は導電膜上
に強磁性体からなる磁性膜を形成することで，所望する
周波数帯域において，この導体パターンを流れる電流に
おいて，磁性膜の面方向の磁界によるμ''（損失）特性
が増大するように，適宜材料を選択すれば，広帯域減衰
特性のフィルタ素子を形成する等の機能を呈する。

【００３４】尚，本発明の実施の形態において，電子部
品として３端子を備えたローパスフィルタを例示した
が，２端子を備えたＬＣＲ素子，４端子を備えたコモン
モードチョークコイル，トランス，カレントセンサ等の
電子部品も，絶縁樹脂層及び導体パターンの形状を変え
るだけで同様の工程で製造することができる。

【００３５】また，本発明の実施の形態において，電子
部品としてチップ型のものを示したが，外部電極端子部
にリード線を半田付等によって，設ければ，リード部品
を構成できることは，言うまでもない。

【００３６】

【発明の効果】以上，説明したように，本発明において
は，例えば，ノイズフィルタにおいて，別段に回路構成
等を設けなくとも減衰特性を簡単な構成で安価に広帯域
化することができる電子部品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態による電子部品を示す斜視
図である。

【図２】図１の電子部品本体を示す分解組立斜視図であ
る。

【図３】図２の電子部品本体の完成した状態を示す斜視
図である。

【図４】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）及び（ｅ）は
図２の導体パターンを形成する工程を順に示す断面図で
ある。

【図５】（ａ），（ｂ），（ｃ），及び（ｄ）は図２の
導体パターンを形成する方法の一例を模式的に示す断面
図である。

【図６】（ａ），（ｂ），（ｃ），及び（ｄ）は図２の
絶縁樹脂層を形成する方法の一例を模式的に示す断面図
である。

【図７】（ａ），（ｂ），（ｃ），及び（ｄ）は図２の
導体パターンを形成する方法の他の例を模式的に示す断
面図である。

【図８】（ａ），（ｂ），（ｃ），及び（ｄ）は図２の
導体パターンを形成する方法の他の例を模式的に示す断
面図である。

【図９】（ａ），（ｂ），（ｃ），及び（ｄ）は図２の
絶縁樹脂層を形成する方法の他の例を模式的に示す断面
図である。

【図１０】従来の電子部品の一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１電子部品２外部電極端子部３ａ下地層３ｂ磁性膜４レジスト４´ パターン５マスク６導電膜７中間導体パターン８絶縁樹脂層９マスク１０電子部品本体１１絶縁基板１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ絶縁樹脂層１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｃ´，及び１３ｄ導
体パターン１４貫通穴又は切欠き１５積層体２２引出電極部１００電子部品１０１絶縁基板１０２絶縁樹脂層１０３，１０４内部導体パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板と，前記絶縁基板上に，導体パ
ターンと絶縁層とを交互に積層して形成した積層体と，
前記導体パターンに電気接続されるとともに前記絶縁基
板と前記積層体とに渡って前記導体パターンに電気接続
されるように形成された外部電極端子部とを備えた電子
部品において，前記導体パターンは，少なくともその一
部に磁性膜を備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】請求項１記載の電子部品において，前記
磁性膜は，強磁性を備えた金属又は合金からなることを
特徴とする電子部品。
【請求項３】請求項１又は２記載の電子部品におい
て，前記導体パターンは，前記絶縁基板又は前記絶縁層
上に形成された下地層と前記下地層の上部に形成された
導電層とを備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項４】請求項１乃至３の内のいずれかに記載の
電子部品において，前記磁性膜は，前記下地層と前記導
電層との間に介在して設けられていることを特徴とする
電子部品。
【請求項５】請求項１乃至３の内のいずれかに記載の
電子部品において，前記磁性膜は，前記導電層上に設け
られていることを特徴とする電子部品。
【請求項６】請求項１乃至５の内のいずれかに記載の
電子部品において，前記導体層は，Ｃｕ，Ａｌ，又はそ
れらの合金からなることを特徴とする電子部品。
【請求項７】請求項１乃至６の内のいずれかに記載の
電子部品において，前記磁性膜は，Ｎｉを含む金属また
は合金からなることを特徴とする電子部品。
【請求項８】請求項１乃至７の内のいずれかに記載の
電子部品において，前記下地層は，Ｔｉ，又はＣｒから
なることを特徴とする電子部品。