JPH09246416A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップと略同サイズに形成した半導体
装置の熱放散性を向上させ、半導体装置の信頼性を高め
るとともに、発熱量の大きな半導体チップの搭載を可能
にする。 【解決手段】 半導体チップの電極端子８が形成された
面の内側領域に、一端が外部接続端子１４に接続され、
他端が前記電極端子８と電気的に接続される配線パター
ン１８が絶縁性フィルム１７に支持されて形成された配
線パターンフィルムが前記電極端子８を露出して接着さ
れ、前記配線パターン１８と前記電極端子８とが電気的
に接続されて成る半導体装置において、前記配線パター
ンフィルムの前記外部接続端子１４が設けられた領域の
内側領域に前記絶縁性フィルム１７に支持された導体層
３２が設けられ、該導体層３２に接続されて金属バンプ
３０が設けられたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップと略同
サイズに形成した半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップを封止して形成する半導体
装置には、半導体チップと略同サイズに形成した製品が
ある。図９、１０はこのような半導体装置（Chip Size
Package)の従来例を示す。図９は半導体装置を実装面側
から見た平面図、図１０は半導体チップ上での外部接続
端子の支持構造等を示す断面図である。なお、この従来
例で示す半導体装置は半導体チップ１０の周側面に保護
用の金属リング１２を装着した製品である。

【０００３】半導体チップ１０の面上には電極端子８が
形成されており、これらの電極端子８と電気的に接続し
て外部接続端子１４が設けられている。図９に示す従来
例では外部接続端子１４は半導体装置の実装面の周縁部
に配置されている。

【０００４】外部接続端子１４は接着層１５を介して半
導体チップ１０上に接着した配線パターンフィルム１６
に支持される。配線パターンフィルム１６は絶縁性フィ
ルム１７の片面上に所定の配線パターン１８を形成し、
配線パターン１８の一端に外部接続端子１４を接合して
形成される。１９は配線パターンフィルム１６の外面を
保護するソルダレジストである。配線パターン１８の他
端側は絶縁性フィルム１７の周縁から延出するリード２
０として形成され、リード２０は表面電極８にボンディ
ングされる。これによって、電極端子８と外部接続端子
１４とが電気的に接続される。リード２０をボンディン
グした後、樹脂材１５ａを塗布しリード２０のボンディ
ング部を封止する。こうして、図９に示すような、配線
パターンフィルム１６の外面に外部接続端子１４が配置
された半導体装置が得られる。樹脂材１５ａは半導体チ
ップ１０と保護用の金属リング１２との間に充填されて
いる。

【０００５】上述した半導体装置では外部接続端子１４
と半導体チップ１０の電極端子８とを電気的に接続する
ため、配線パターンフィルム１６の絶縁性フィルム１７
の縁部からリード６を延出させ、リード端部を電極端子
８にボンディングしているが、図１１に示すようにワイ
ヤボンディング法によって外部接続端子１４と電極端子
８とを電気的に接続することも可能である。この場合に
は、リード他端側を絶縁性フィルムの周縁から延出させ
る必要はない。図１１で２２は絶縁性フィルム１７の縁
部に設けたワイヤボンディング用のパッド部である。パ
ッド部２２は配線パターン１８を介して外部接続端子１
４と電気的に接続し、パッド部２２と電極端子８との間
をワイヤ２４によって接続することにより電極端子８と
外部端子１４とが電気的に接続される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な半導体チップ１０と略同サイズの半導体装置を実装し
た際の問題として、これらの半導体装置がきわめて小型
であることから、その表面積が小さく、実装時における
半導体装置からの熱放散が十分でないことにより発熱量
の大きな半導体チップの搭載に適さないという問題があ
った。

【０００７】上記の半導体装置を実装基板に実装した際
の半導体装置からの熱の放散は、外部接続端子１４を介
して実装基板側に放散される系統と、半導体装置の外面
から放散される系統がある。しかしながら、従来の半導
体装置に配置されている外部接続端子１４は実装面の周
縁部に配置されているのみであり、外部接続端子１４を
介しての熱放散が十分とはいえない。また、半導体装置
の本体からの熱放散を高めるため半導体装置の外面に放
熱フィンを取り付けることも可能であるが、放熱フィン
を設けると半導体装置の小型化が阻害されるという問題
がある。

【０００８】本発明はこのように、半導体チップと略同
サイズに形成された半導体装置において問題とされてい
る熱放散についての問題を解消すべくなされたもので、
半導体装置の熱放散性を改善することによって半導体装
置の信頼性を高めるとともに、発熱量の大きな半導体チ
ップの搭載を可能にしてさらに取り扱いやすい半導体装
置を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体チップの
電極端子が形成された面の内側領域に、一端が外部接続
端子に接続され、他端が前記電極端子と電気的に接続さ
れる配線パターンが絶縁性フィルムに支持されて形成さ
れた配線パターンフィルムが前記電極端子を露出して接
着され、前記配線パターンと前記電極端子とが電気的に
接続されて成る半導体装置において、前記配線パターン
フィルムの前記外部接続端子が設けられた領域の内側領
域に前記絶縁性フィルムに支持された導体層が設けら
れ、該導体層に接続されて金属バンプが設けられたこと
を特徴とする。また、前記導体層が、前記金属バンプが
形成された領域にわたって一面に形成されたことを特徴
とする。また、前記配線パターンフィルムは前記外部接
続端子および金属バンプを除き前記配線パターンおよび
前記導体層の外面が絶縁層によって被覆されたことを特
徴とする。また、前記外部接続端子および金属バンプ
は、前記絶縁層に設けた前記配線パターンおよび導体層
にまで通じる接合孔部分に形成されたはんだボールであ
ることを特徴とする。また、前記配線パターンフィルム
は、絶縁性フィルムを外面として半導体チップに接着さ
れ、前記絶縁性フィルムに設けた前記配線パターンおよ
び導体層にまで通じる接続孔にめっき金属が盛り上げら
れて前記外部接続端子および金属バンプが形成されたこ
とを特徴とする。また、前記配線パターンフィルムの配
線パターンが絶縁性フィルムの縁部から延出して形成さ
れたリードと、半導体チップの電極端子とが直接ボンデ
ィングされて接合されたことを特徴とする。また、前記
配線パターンフィルムに形成された配線パターンと前記
半導体チップの電極端子とがワイヤボンディングによっ
て接続されたことを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて説明する。図１は本発明に係る半導体装置の一実
施形態について、半導体装置を実装面側から見た平面図
である。本実施形態の半導体装置は実装面の周縁部に半
導体素子１０の電極端子８と電気的に接続される外部接
続端子１４を配置するとともに、これらの外部接続端子
１４を配置した領域の内側に熱放散用の金属バンプ３０
を配置することを特徴とする。図１でＡ部分がこの金属
バンプ３０を配置した領域である。金属バンプ３０は実
装基板に半導体装置を実装した際に、実装基板側に有効
に熱を放散させる目的で設けるものである。したがっ
て、金属バンプ３０は外部接続端子１４のように半導体
チップ１０の電極端子８と電気的に接続する必要はな
い。

【００１１】図２に本実施形態の半導体装置を実装基板
２６に実装した状態の断面図を示す。半導体装置は半導
体チップ１０の電極端子８を形成した面に接着層１５を
介して配線パターンフィルム１６を接着し、絶縁性フィ
ルム１７の縁部から延出したリード２０を電極端子８に
ボンディングして成る。外部接続端子１４は配線パター
ン１８およびリード２０を介して電極端子８に電気的に
接続される。これら配線パターンフィルム１６の基本的
な構成は従来例と同様である。

【００１２】前述したように、外部接続端子１４を配置
した内側の領域には、金属バンプ３０を形成するが、こ
れらの金属バンプ３０は絶縁性フィルム１７によって支
持された導体層３２に接合して設けられる。本実施形態
では金属バンプ３０を形成した領域の全体にわたって導
体層３２を一面に形成し、この面形成した導体層３２に
金属バンプ３０を接合している。このように導体層３２
を面形成しているのは、半導体チップ１０からの熱を効
果的に金属バンプ３０に伝導させ、金属バンプ３０を介
して効率的な熱放散を可能にするためである。なお、金
属バンプ３０を接合する導体層３２を一体に面形成せ
ず、各金属バンプ３０ごとあるいは複数の金属バンプ３
０ごとに島状に形成することも可能である。

【００１３】実装基板２６には半導体装置の外部接続端
子１４と金属バンプ３０の配置位置に対応して接続パッ
ド２８を形成し、外部接続端子１４および金属バンプ３
０を実装基板の接続パッド２８に接合することによって
実装する。図示例の実装基板２６は基板内に放熱板を兼
ねる接地層２７を２層に形成したものである。金属バン
プ３０を接続する接続パッド２８は接地層２７と実装基
板内部に設けた内層接続ビア２９により接続する。ま
た、金属層に接地層、電源層としての作用をもたせ、金
属バンプ３０に接地用外部接続端子または電源用外部接
続端子としての作用をもたせてもよい。

【００１４】図３は本実施形態の半導体装置についての
熱放散性の効果を測定した結果を示す。この測定では接
地層を２層設けた実装基板を使用し、半導体装置として
は上記実施形態で示した半導体チップ１０の周側面に金
属リング１２を装着したものを使用した。図３でグラフ
ａは金属バンプ３０を設けた本実施形態の半導体装置を
搭載した場合、グラフｂは金属バンプ３０を設けていな
い従来の半導体装置を搭載した場合についての測定結果
である。

【００１５】この測定結果は、金属バンプ３０を設けた
ことによって、熱抵抗が改善されたことを示す。本実施
形態の半導体装置はきわめて小型であるため、熱抵抗の
改善はそれほど顕著ではないが、一定程度改善を見込む
ことができる。

【００１６】本実施形態の半導体装置は外部接続端子１
４および金属バンプ３０を設けた配線パターンフィルム
１６を接着層１５により半導体チップ１０に接着して形
成する。以下では、この金属バンプ３０を有する配線パ
ターンフィルム１６の製法について説明する。

【００１７】図４は配線パターン１８およびリード２０
を構成する導体の主要な構成部分に銅を使用する配線パ
ターンフィルム１６の製造工程を示す。図４(a) は配線
パターンフィルム１６の支持体として用いるポリイミド
フィルム等の絶縁性フィルム４０を示す。この絶縁性フ
ィルム４０は片面に接着剤を被着したフィルムで、ま
ず、これにパンチングを施して窓４２をあけた後、絶縁
性フィルム４０の片面に銅箔４４を接着する（図４(b)
）。窓４２は半導体チップ１０の電極端子８に接合す
るリード２０を形成する部分で、半導体チップ１０に絶
縁性フィルムを接着した状態で電極端子８の上方を開口
する位置に設ける。

【００１８】次いで、銅箔４４をエッチングし、配線パ
ターン１８、リード２０、導体層３２等を形成する。こ
れらの配線パターン１８、導体層３２等を形成する方法
は、いわゆるフォトリソグラフィ法による。すなわち、
銅箔４４の表面にレジスト４５を塗布し、パターニング
して銅箔４４を除去する部分のみ露出させたレジストパ
ターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして
銅箔４４をエッチングすることによって形成する（図４
(c) ）。

【００１９】銅箔４４をエッチングした後、レジスト４
５を除去する（図４(d) ）。これにより、絶縁性フィル
ム４０上に配線パターン１８、配線パターンの一端に外
部接続端子１４を接合するためのランド１８ａ、配線パ
ターンの他端が窓４２に延出して形成されたリード２
０、導体層３２が形成される。リード６は図のように、
窓４２の部分で絶縁性フィルム４０にかけ渡すようにし
て支持される。

【００２０】次に、配線パターン１８および導体層３２
を設けた絶縁性フィルム４０の表面に保護用の絶縁層、
たとえばソルダレジスト４６を塗布し、このソルダレジ
スト４６をパターニングして外部接続端子１４を接合す
るランド１８ａと導体層３２上で金属バンプ３０を接合
する部位のソルダレジスト４６を除去してランド１８ａ
と導体層３２を露出させる。図４(e) はソルダレジスト
４６をパターニングしてソルダレジスト４６に外部接続
端子１４と金属バンプ３０を接合するための接合孔４８
を形成した状態である。

【００２１】次いで、金めっきを施し、リード２０の外
表面および接合孔４８内の銅箔表面に金めっき層５０を
設ける。この金めっきによりリード２０は銅層の表面が
金めっき層５０によって被覆されたものとなる（図４
(f))。前記ランド１８ａおよび導体層３２に接合孔４８
部分からはんだボールを接合して、外部接続端子１４と
熱放散用の金属バンプ３０とするが、半導体装置の製造
工程では上記段階の配線パターンフィルム１６を半導体
チップ１０に接着した後、はんだボールを接合する。図
４(f）の配線パターンフィルム１６で絶縁性フィルム４
０は図２での絶縁性フィルム１７に相当し、ソルダレジ
スト４６はソルダレジスト１９に相当する。

【００２２】図５は上記方法によって得られた配線パタ
ーンフィルム１６を用いて半導体装置を製造する方法を
示す。すなわち、外部接続端子１４と金属バンプ３０を
形成する面を外面として配線パターンフィルム１６を半
導体チップ１０に接着する（図５(a))。絶縁性フィルム
４０は半導体チップ１０に形成された電極端子８の内側
の領域に弾性作用をもつ接着層１５を介して接着する。
リード２０は電極端子８の上方に延出して支持される。

【００２３】この状態で、リード２０の上方からボンデ
ィングツール５２を突き降ろし、半導体チップ１０の電
極端子８にリード２０の先端部をボンディングする（図
５(b))。ボンディングツール５２はリード２０を突き切
った後、そのままリード２０を曲げて電極端子８に接合
する。ボンディングツール５２による接合は超音波を併
用した熱圧着によるものである。リード２０を電極端子
８に接合した後、リード２０とボンディング部、電極端
子８の露出部分を樹脂材１５ａによって封止する（図５
(c))。

【００２４】最後に、配線パターンフィルム１６のラン
ド１８ａ、接合孔４８にはんだボールを接合し、外部接
続端子１４と金属バンプ３０を形成する。こうして、金
属バンプ３０を有する半導体装置が得られる（図５
(d))。なお、外部接続端子１４、金属バンプ３０として
ははんだボールに限らず金属球体の表面にはんだめっき
を施した接続端子等を使用することもできる。

【００２５】図６は配線パターンフィルム１６を作成す
る他の製造工程を示す。本方法では絶縁性フィルム４０
の片面に銅箔４４を被着した片面銅張り絶縁性フィルム
６０を用いる（図６(a))。まず、この片面銅張り絶縁性
フィルム６０の銅箔４４上に配線パターン１８（ランド
１８ａを含む）とリード２０と導体層６２を形成するた
めの金めっきを施す。そのため、銅箔４４上にレジスト
４５を塗布し、銅箔４４上で配線パターン１８、リード
２０および導体層６２を形成する部位のみを露出させた
レジストパターンを形成する（図６(b))。

【００２６】この状態で、露出した銅箔４４に金めっき
を施し、銅箔４４上に金めっき層６４を形成する（図６
(c))。図６(d) はレジスト４５を除去して銅箔４４上に
金めっき層６４が所定のパターンで形成された状態を示
す。次に、外部接続端子１４および金属バンプ３０を形
成するための接続孔６６を絶縁性フィルム４０を孔あけ
して形成する。接続孔６６は配線パターン１８に接続す
る外部接続端子１４を形成する部位（ランド１８ａ）と
導体層６２に接続する金属バンプ３０を形成する部位に
合わせて孔形成する。接続孔６６はレーザ光や化学エッ
チングを利用して形成することができる。図６(e) に接
続孔６６を形成した状態を示す。

【００２７】外部接続端子１４および金属バンプ３０は
接続孔６６内に電解めっきを施して形成する。銅箔４４
は絶縁性フィルム４０の全面に被着形成されているか
ら、銅箔４４をめっき給電層とする電解めっきによりニ
ッケルめっき等の所要のめっきを施すことができる。

【００２８】図６(f) は電解めっきにより接続孔６６内
にめっきを施し、バンプ状に外部接続端子１４を形成し
た状態を示す。絶縁性フィルム４０にはリード２０を半
導体チップ１０の電極端子８にボンディングするための
窓４２を形成する。この窓形成はレーザ光または化学エ
ッチングを利用して行うことができる。

【００２９】次に、銅箔４４のみを選択的に除去するエ
ッチング液を使用して銅箔４４をエッチングする。図６
(f) は銅箔４４をエッチングした後の状態である。絶縁
性フィルム４０の中央部の導体層６２、配線パターン１
８、窓４２部分のリード２０が絶縁性フィルム４０に支
持されて形成される。なお、本実施形態では上述したよ
うに前述した製造方法とは異なり外部接続端子１４は配
線パターンフィルム１６の製造工程の段階で設けられ
る。

【００３０】上記工程でリード２０は金めっき層６４に
被着していた銅箔４４をエッチングにより除去して残る
部分であり、金めっき層６４そのものによって形成され
る。したがって、金めっき層６４を形成する際には、リ
ード２０として所要の強度等が得られるようにめっき厚
等を適宜設定しておく必要がある。

【００３１】上記製造工程により得られた配線パターン
フィルム１６も前述した製造工程によって得られた配線
パターンフィルム１６と同様に、絶縁性フィルム４０に
形成された配線パターン１８と導体層６２とに外部接続
端子１４と金属バンプ３０を形成して成るものであり、
絶縁性フィルム４０の縁部からリード２０を窓４２内に
延出させて形成したものである。この配線パターンフィ
ルム１６を用いて半導体装置を作成する方法は前述した
実施形態と同様である。すなわち、半導体チップ１０に
配線パターンフィルム１６を位置合わせして配線パター
ンフィルム１６を接着層を介して接着し、ボンディング
ツールを用いてリード２０を半導体チップ１０の電極端
子８にボンディングすることによって得られる。なお、
本実施形態での配線パターンフィルム１６は配線パター
ン１８と導体層６２を形成した面を半導体チップ１０へ
の接着面とし、絶縁性フィルム４０が外面側になる。

【００３２】図７に上記工程によって得られた配線パタ
ーンフィルム１６を用いて作成した半導体装置を示す。
外部接続端子１４を配置した内側の領域に金属バンプ３
０が形成され、外部接続端子１４は配線パターン１８、
リード２０を介して電極端子８と電気的に接続し、金属
バンプ３０は導体層６２に接続している。導体層６２は
本実施形態では銅箔４４と金めっき層６４の２層構成と
なっている。本実施形態の半導体装置は外部接続端子１
４と金属バンプ３０をめっき金属を盛り上げて形成され
ることが特徴である。

【００３３】なお、上述した配線パターンフィルム１６
の製造工程は、ともに絶縁性フィルム４０からリード２
０を外方に延出させ、ボンディングツールによってリー
ド２０を突き切りしながら半導体チップ１０の電極端子
８にボンディングする配線パターンフィルム１６を形成
する方法である。図１１に示すようなワイヤボンディン
グ法によって半導体チップ１０の電極端子８と外部接続
端子１４とを接続する方法の場合は、絶縁性フィルム４
０の縁部からリード２０を延出させず、絶縁性フィルム
４０の縁部にワイヤボンディング用のボンディング部を
形成するようにすればよい。

【００３４】この場合の配線パターンフィルムの製造方
法も上述した２つの製造方法と基本的には同様である。
すなわち、絶縁性フィルム４０の縁部にボンディング部
を設けるには、第１の方法では絶縁性フィルム４０の縁
部にボンディング部を形成するよう銅箔４４をエッチン
グして加工し、第２の方法ではボンディング部に合わせ
て金めっき層６４をパターン形成して同様に加工すれば
よい。そして、半導体チップ１０に配線パターンフィル
ムを接着した後、配線パターンフィルムのボンディング
部と半導体チップ１０の電極端子８とをワイヤボンディ
ングすることにより外部接続端子１４と電極端子８とを
電気的に接続することができる。

【００３５】上述した配線パターンフィルムは外部接続
端子１４に加えて金属バンプ３０を形成した点で従来の
配線パターンフィルムとは構成が異なるが、配線パター
ンフィルムの製造方法そのものは外部接続端子１４のみ
を形成した配線パターンフィルムの製造方法と基本的な
工程が異なるものではなく、外部接続端子１４を形成す
る工程ど同工程で金属バンプ３０を形成することができ
る。したがって、外部接続端子１４を形成する製造工程
をとくに変更することなく適用できるという利点もあ
る。

【００３６】なお、上述した各実施形態では図９に示す
ように実装面の周縁に外部接続端子１４を配置した例に
ついて説明したが、半導体装置の実装面に金属バンプ３
０を設置して半導体装置の熱放散性を向上させる方法は
外部接続端子１４の配置にとくに限定されるものではな
い。たとえば、図８に示すように、半導体チップ１０と
略同サイズに形成する半導体装置には対向する２辺に沿
って外部接続端子１４を設置する製品があるが、このよ
うな半導体装置の場合も実装面の空きスペース（対向す
る２辺間）に金属バンプ３０を設置することによって、
半導体装置の熱放散性を有効に向上させることができ
る。

【００３７】

【発明の効果】本発明に係る半導体装置は、上述したよ
うに、外部接続端子の他に熱放散性を改善するための金
属バンプを備えていることから、半導体チップと略同サ
イズに形成して熱放散性に優れた半導体装置として提供
することができ、半導体装置の信頼性を向上させ、発熱
量の大きな半導体チップの搭載を可能にする等の著効を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置の実装面側の平面図で
ある。

【図２】本発明に係る半導体装置を実装した状態の断面
図である。

【図３】接地層を有する実装基板に半導体装置を実装し
た場合の熱放散性の測定結果を示すグラフである。

【図４】半導体装置の製造に使用する配線パターンフィ
ルムの製造方法を示す説明図である。

【図５】配線パターンフィルムを用いて半導体装置を製
造する方法を示す説明図である。

【図６】半導体装置の製造に使用する配線パターンフィ
ルムの他の製造方法を示す説明図である。

【図７】配線パターンフィルムを用いて形成した半導体
装置の断面図である。

【図８】半導体装置での金属バンプの他の配置例を示す
説明図である。

【図９】従来の半導体装置を実装面側から見た平面図で
ある。

【図１０】従来の半導体装置での外部接続端子等の支持
方法を示す断面図である。

【図１１】外部接続端子と電極端子とをワイヤボンディ
ング法によって接続した半導体装置の要部を示す断面図
である。

【符号の説明】

１０ 半導体チップ １２ リング １４ 外部接続端子 １５ 接着層 １６ 配線パターンフィルム １７ 絶縁性フィルム １８ 配線パターン １９ ソルダレジスト ２０ リード ２６ 実装基板 ２７ 接地層 ２８ 接続パッド ２９ 内層接続ビア ３０ 金属バンプ ３２ 導体層 ４０ 絶縁性フィルム ４２ 窓 ４４ 銅箔 ４５ レジスト ４６ ソルダレジスト ４８ 接合孔 ５０ 金めっき層 ５２ ボンディングツール ６０ 片面銅張りフィルム ６２ 導体層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップの電極端子が形成された面
   の内側領域に、一端が外部接続端子に接続され、他端が
   前記電極端子と電気的に接続される配線パターンが絶縁
   性フィルムに支持されて形成された配線パターンフィル
   ムが前記電極端子を露出して接着され、前記配線パター
   ンと前記電極端子とが電気的に接続されて成る半導体装
   置において、 前記配線パターンフィルムの前記外部接続端子が設けら
   れた領域の内側領域に前記絶縁性フィルムに支持された
   導体層が設けられ、 該導体層に接続されて金属バンプが設けられたことを特
   徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記導体層が、前記金属バンプが形成さ
   れた領域にわたって一面に形成されたことを特徴とする
   請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記配線パターンフィルムは前記外部接
   続端子および金属バンプを除き前記配線パターンおよび
   前記導体層の外面が絶縁層によって被覆されたことを特
   徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記外部接続端子および金属バンプは、
   前記絶縁層に設けた前記配線パターンおよび導体層にま
   で通じる接合孔部分に形成されたはんだボールであるこ
   とを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記配線パターンフィルムは、絶縁性フ
   ィルムを外面として半導体チップに接着され、前記絶縁
   性フィルムに設けた前記配線パターンおよび導体層にま
   で通じる接続孔にめっき金属が盛り上げられて前記外部
   接続端子および金属バンプが形成されたことを特徴とす
   る請求項１または２記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記配線パターンフィルムの配線パター
   ンが絶縁性フィルムの縁部から延出して形成されたリー
   ドと、半導体チップの電極端子とが直接ボンディングさ
   れて接合されたことを特徴とする請求項１、２、３、４
   または５記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記配線パターンフィルムに形成された
   配線パターンと前記半導体チップの電極端子とがワイヤ
   ボンディングによって接続されたことを特徴とする請求
   項１、２、３、４または５記載の半導体装置。