JPH0878471A - 半導体パッケ−ジ - Google Patents
半導体パッケ−ジInfo
- Publication number
- JPH0878471A JPH0878471A JP6206619A JP20661994A JPH0878471A JP H0878471 A JPH0878471 A JP H0878471A JP 6206619 A JP6206619 A JP 6206619A JP 20661994 A JP20661994 A JP 20661994A JP H0878471 A JPH0878471 A JP H0878471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- support ring
- semiconductor element
- tcp
- semiconductor package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アウタリ−ドの曲りがなく、取扱いが容易な
半導体パッケ−ジ(TCP)を提供する。 【構成】 サポ−トリング11aと、このサポ−トリン
グ11aに設けられ一端部をこのサポ−トリング11a
の内側に突出させたリ−ド15と、このリ−ド15の上
記サポ−トリング11aの内側に突出した一端部に接続
された半導体素子と、上記サポ−トリング11aに設け
られ、上記各リ−ド15の他端部に連続して形成される
と共に千鳥状に配設された電極パッド17とを具備す
る。
半導体パッケ−ジ(TCP)を提供する。 【構成】 サポ−トリング11aと、このサポ−トリン
グ11aに設けられ一端部をこのサポ−トリング11a
の内側に突出させたリ−ド15と、このリ−ド15の上
記サポ−トリング11aの内側に突出した一端部に接続
された半導体素子と、上記サポ−トリング11aに設け
られ、上記各リ−ド15の他端部に連続して形成される
と共に千鳥状に配設された電極パッド17とを具備す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、TAB(Tape Autom
ated Bonding)技術を利用した半導体パッケ−ジに関す
るものである。
ated Bonding)技術を利用した半導体パッケ−ジに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】最近のLSIの多端子狭ピッチ化に対応
する半導体パッケ−ジとして、従来のプラスチックパッ
ケ−ジよりもさらに多端子狭ピッチ化を図ることができ
るTCP(Tape Carrier Package:テ−プキャリアパッ
ケ−ジ)が登場している。
する半導体パッケ−ジとして、従来のプラスチックパッ
ケ−ジよりもさらに多端子狭ピッチ化を図ることができ
るTCP(Tape Carrier Package:テ−プキャリアパッ
ケ−ジ)が登場している。
【0003】このTCPは、TAB(Tape Automated B
onding)の技術を用いて製造されるものである。TAB
の技術では、従来のプラスチックパッケ−ジの製造と異
なり、表面に所定パタ−ンのリ−ドが形成されてなる長
尺シネフィルム状のキャリアテ−プ(「フィルムキャリ
ア」とも言う)を用いる。
onding)の技術を用いて製造されるものである。TAB
の技術では、従来のプラスチックパッケ−ジの製造と異
なり、表面に所定パタ−ンのリ−ドが形成されてなる長
尺シネフィルム状のキャリアテ−プ(「フィルムキャリ
ア」とも言う)を用いる。
【0004】この技術により上記TCPを製造するに
は、まず上記キャリアテ−プのインナ−リ−ドに半導体
素子を接続する。ついで、このキャリアテ−プを上記半
導体素子とともに所定の形状に打ち抜くと共に、外方に
突出したアウタリ−ドを外部端子の形(例えばガルウイ
ング状)に折り曲げてフォ−ミングする。このような工
程により、図9(a)に示すTCP1が完成する。
は、まず上記キャリアテ−プのインナ−リ−ドに半導体
素子を接続する。ついで、このキャリアテ−プを上記半
導体素子とともに所定の形状に打ち抜くと共に、外方に
突出したアウタリ−ドを外部端子の形(例えばガルウイ
ング状)に折り曲げてフォ−ミングする。このような工
程により、図9(a)に示すTCP1が完成する。
【0005】すなわち、このTCP1は、上記打ち抜か
れたキャリアテ−プからなるサポ−トリング2を具備
し、このサポ−トリング2の外側に上記ガルウイング状
のアウタリ−ド3aを突出させ、内側(デバイスホ−ル
内)に上記半導体素子4が接続されてなるインナ−リ−
ド3bを突出させている。
れたキャリアテ−プからなるサポ−トリング2を具備
し、このサポ−トリング2の外側に上記ガルウイング状
のアウタリ−ド3aを突出させ、内側(デバイスホ−ル
内)に上記半導体素子4が接続されてなるインナ−リ−
ド3bを突出させている。
【0006】このようなTCP1によれば、従来のQF
P等のプラスチックパッケ−ジでは実現できなかった3
50ピン以上の多端子化が実現できると共に、従来のQ
FPに比べ、厚さが1/3で、かつ重さが1/2の半導
体パッケ−ジが得られる。
P等のプラスチックパッケ−ジでは実現できなかった3
50ピン以上の多端子化が実現できると共に、従来のQ
FPに比べ、厚さが1/3で、かつ重さが1/2の半導
体パッケ−ジが得られる。
【0007】一方、このTCP1をプリント基板上に表
面実装する方法としては以下に説明する方法がある。第
1に、一括リフロ−ハンダ付けによる方法である。
面実装する方法としては以下に説明する方法がある。第
1に、一括リフロ−ハンダ付けによる方法である。
【0008】この方法は、まず、同図(a)に5で示す
プリント基板に設けられた配線パタ−ン6上にハンダペ
−スト7を印刷供給する。ついで、上記TCP1を、こ
のTCP1の上記アウタリ−ド3aの先端を上記配線パ
ッド6上のハンダペ−スト7に接触させた状態で搭載す
る。
プリント基板に設けられた配線パタ−ン6上にハンダペ
−スト7を印刷供給する。ついで、上記TCP1を、こ
のTCP1の上記アウタリ−ド3aの先端を上記配線パ
ッド6上のハンダペ−スト7に接触させた状態で搭載す
る。
【0009】ついで、このプリント基板5をリフロ−炉
(加熱炉)内に挿入する。このことで、上記配線パタ−
ン6上に供給されたハンダペ−スト7を再溶融させ、上
記TCP1のすべてのアウタリ−ド3aを一括的に上記
配線パタ−ン上にハンダ付けする。このことで、上記T
CP1は同図(b)に示すように上記基板5に表面実装
される。
(加熱炉)内に挿入する。このことで、上記配線パタ−
ン6上に供給されたハンダペ−スト7を再溶融させ、上
記TCP1のすべてのアウタリ−ド3aを一括的に上記
配線パタ−ン上にハンダ付けする。このことで、上記T
CP1は同図(b)に示すように上記基板5に表面実装
される。
【0010】第2に、個別ハンダ付けによる方法であ
る。この方法では、上記リフロ−ハンダ付けと異なり、
上記アウタリ−ドを上記電極パッドに押し付けるボンデ
ィングツ−ルを用いる。すなわち、このボンディングツ
−ルを用いて上記TCP1のアウタリ−ド3aを上記配
線パタ−ン6に対して加圧すると共に加熱する。
る。この方法では、上記リフロ−ハンダ付けと異なり、
上記アウタリ−ドを上記電極パッドに押し付けるボンデ
ィングツ−ルを用いる。すなわち、このボンディングツ
−ルを用いて上記TCP1のアウタリ−ド3aを上記配
線パタ−ン6に対して加圧すると共に加熱する。
【0011】このことで、上記配線パタ−ン6上のハン
ダ材7を溶融させ、上記アウタリ−ド3aと配線パタ−
ン6とのハンダ付けを行う。このことで、上記TCP1
は、上記基板5に表面実装される。
ダ材7を溶融させ、上記アウタリ−ド3aと配線パタ−
ン6とのハンダ付けを行う。このことで、上記TCP1
は、上記基板5に表面実装される。
【0012】
【発明が解決しようする課題】ところで、上記TCP1
のアウタリ−ド3aは、上記キャリアテ−プの表面に被
着された銅箔を所定のパタ−ンでエッチング加工するこ
とで形成されたものである。したがって、このアウタリ
−ド3aの幅は例えば150μm、厚さは35μmと非
常に微細なものとなっている。
のアウタリ−ド3aは、上記キャリアテ−プの表面に被
着された銅箔を所定のパタ−ンでエッチング加工するこ
とで形成されたものである。したがって、このアウタリ
−ド3aの幅は例えば150μm、厚さは35μmと非
常に微細なものとなっている。
【0013】このためTCP1のアウタリ−ド3aは、
非常に変形しやすく、このアウタリ−ド3aをガルウイ
ング状に成形する際や、搬送の際、プリント基板5上に
載置する際に容易に変形してしまうということがある。
非常に変形しやすく、このアウタリ−ド3aをガルウイ
ング状に成形する際や、搬送の際、プリント基板5上に
載置する際に容易に変形してしまうということがある。
【0014】このため、このアウタリ−ド3aを成形し
た際や上記プリント基板5に装着する直前に上記アウタ
リ−ド3aの曲りを検査し、曲りのあるアウタリ−ド3
aを有するTCP1の装着を未然に防止する必要があっ
た。
た際や上記プリント基板5に装着する直前に上記アウタ
リ−ド3aの曲りを検査し、曲りのあるアウタリ−ド3
aを有するTCP1の装着を未然に防止する必要があっ
た。
【0015】また、上記プリント基板5に上記TCP1
を装着した後においても上記アウタリ−ド3aの変形を
防止する必要があるから、上記アウタリ−ド3aを接着
剤でコ−トするなどの保護措置が必要であった。
を装着した後においても上記アウタリ−ド3aの変形を
防止する必要があるから、上記アウタリ−ド3aを接着
剤でコ−トするなどの保護措置が必要であった。
【0016】したがって、上記TCP1は、前述したよ
うに薄型、軽量で、多端子化が図れる半導体パッケ−ジ
ではあるが、取扱いが非常に難しいという問題があっ
た。この発明は、このような事情に鑑みて成されたもの
で、取扱いが容易で、アウタリ−ドの曲りがない半導体
パッケ−ジ(TCP)を提供することを目的とするもの
である。
うに薄型、軽量で、多端子化が図れる半導体パッケ−ジ
ではあるが、取扱いが非常に難しいという問題があっ
た。この発明は、このような事情に鑑みて成されたもの
で、取扱いが容易で、アウタリ−ドの曲りがない半導体
パッケ−ジ(TCP)を提供することを目的とするもの
である。
【0017】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の手段
は、フィルム材料からなるサポ−トリングと、このサポ
−トリングに設けられ、一端部をこのサポ−トリングの
内側に突出させたリ−ドと、このリ−ドの上記サポ−ト
リングの内側に突出した一端部側に接続された半導体素
子と、上記サポ−トリングに設けられ、上記各リ−ドの
他端部側に形成された電極パッドとを具備することを特
徴とする半導体パッケ−ジである。
は、フィルム材料からなるサポ−トリングと、このサポ
−トリングに設けられ、一端部をこのサポ−トリングの
内側に突出させたリ−ドと、このリ−ドの上記サポ−ト
リングの内側に突出した一端部側に接続された半導体素
子と、上記サポ−トリングに設けられ、上記各リ−ドの
他端部側に形成された電極パッドとを具備することを特
徴とする半導体パッケ−ジである。
【0018】第2の手段は、フィルム材料からなるサポ
−トリングと、このサポ−トリングに設けられ、一端部
をこのサポ−トリングの内側に突出させたリ−ドと、上
記リ−ドの一端部側に接続された半導体素子と、上記サ
ポ−トリング上に設けられ、上記各リ−ドの他端部側と
接続された電極パッドと、この電極パッド上に突設され
た突起電極とを具備することを特徴とする半導体パッケ
−ジである。
−トリングと、このサポ−トリングに設けられ、一端部
をこのサポ−トリングの内側に突出させたリ−ドと、上
記リ−ドの一端部側に接続された半導体素子と、上記サ
ポ−トリング上に設けられ、上記各リ−ドの他端部側と
接続された電極パッドと、この電極パッド上に突設され
た突起電極とを具備することを特徴とする半導体パッケ
−ジである。
【0019】第3の手段は、上記第1あるいは第2の手
段の半導体パッケ−ジにおいて、上記電極パッドは、千
鳥状に配設されていることを特徴とするものである。第
4の手段は、第2の手段の半導体パッケ−ジにおいて、
上記突起電極は、微小金属体を上記電極パッドに固着す
ることで形成されていることを特徴とするものである。
段の半導体パッケ−ジにおいて、上記電極パッドは、千
鳥状に配設されていることを特徴とするものである。第
4の手段は、第2の手段の半導体パッケ−ジにおいて、
上記突起電極は、微小金属体を上記電極パッドに固着す
ることで形成されていることを特徴とするものである。
【0020】
【作用】このような半導体パッケ−ジによれば、サポ−
トリングから外方に突出するアウタリ−ドを具備せず、
このサポ−トリング上に形成された電極パッドを用いて
基板等に表面実装を行うことができる。
トリングから外方に突出するアウタリ−ドを具備せず、
このサポ−トリング上に形成された電極パッドを用いて
基板等に表面実装を行うことができる。
【0021】したがって、アウタリ−ドがない分、この
半導体パッケ−ジを小形化することができる。また、ア
ウタリ−ドを具備しないから、当然アウタリ−ドの変形
の問題は生じない。
半導体パッケ−ジを小形化することができる。また、ア
ウタリ−ドを具備しないから、当然アウタリ−ドの変形
の問題は生じない。
【0022】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。最初に、キャリアテ−プの構成について図1
(a)、(b)を参照して説明する。
説明する。最初に、キャリアテ−プの構成について図1
(a)、(b)を参照して説明する。
【0023】図中11はキャリアテ−プである。このキ
ャリアテ−プ11は、幅方向両側部にスプロケットホ−
ル12a…が形成されてなる長尺シネフィルム状のベ−
スフィルム12を具備する。このベ−スフィルム12は
絶縁材料により形成された薄肉の可撓性フィルムであ
る。
ャリアテ−プ11は、幅方向両側部にスプロケットホ−
ル12a…が形成されてなる長尺シネフィルム状のベ−
スフィルム12を具備する。このベ−スフィルム12は
絶縁材料により形成された薄肉の可撓性フィルムであ
る。
【0024】このベ−スフィルム12の幅方向中央部に
は、同図には一つしか図示しないが、このベ−スフィル
ムの長手方向に沿って所定間隔で複数個のデバイスホ−
ル13…が設けられている。
は、同図には一つしか図示しないが、このベ−スフィル
ムの長手方向に沿って所定間隔で複数個のデバイスホ−
ル13…が設けられている。
【0025】また、このキャリアテ−プ11の表面に
は、上記デバイスホ−ル13を囲む複数本のリ−ド15
が形成されている。このリ−ド15は、例えば上記ベ−
スフィルム12上に被着された導電箔(銅箔)を所定の
パタ−ンでエッチング加工することで成形されたもの
で、非常に微細なものである。
は、上記デバイスホ−ル13を囲む複数本のリ−ド15
が形成されている。このリ−ド15は、例えば上記ベ−
スフィルム12上に被着された導電箔(銅箔)を所定の
パタ−ンでエッチング加工することで成形されたもの
で、非常に微細なものである。
【0026】このリ−ド15は、一端部15aを上記デ
バイスホ−ル13内に突出させた状態でこのベ−スフィ
ルム上に形成されている。そして、このリ−ドの他端側
15bは、上記デバイスホ−ルから外方に向かって次第
に隣り合うリ−ドとのピッチが広がるように放射状に延
出されている。
バイスホ−ル13内に突出させた状態でこのベ−スフィ
ルム上に形成されている。そして、このリ−ドの他端側
15bは、上記デバイスホ−ルから外方に向かって次第
に隣り合うリ−ドとのピッチが広がるように放射状に延
出されている。
【0027】すなわち、上記リ−ド15の一端部15a
は、例えば、幅50μm、隣り合うリ−ド15の一端部
15aとのピッチ100μmで形成されている。また、
同じリ−ド15の他端側15bの最外端部ではそのピッ
チpが300μmとなるように形成されている。
は、例えば、幅50μm、隣り合うリ−ド15の一端部
15aとのピッチ100μmで形成されている。また、
同じリ−ド15の他端側15bの最外端部ではそのピッ
チpが300μmとなるように形成されている。
【0028】また、各リ−ド15の最外端部には、図に
17で示す電極パッドが一体的に形成されている。この
電極パッド17は、一辺300μmの矩形状のもので、
上記リ−ド15のエッチング加工と同じ方法で同時に形
成される。
17で示す電極パッドが一体的に形成されている。この
電極パッド17は、一辺300μmの矩形状のもので、
上記リ−ド15のエッチング加工と同じ方法で同時に形
成される。
【0029】そして、隣り合う各リ−ド15に設けられ
た各電極パッド17は、このリ−ド15の導出方向に互
い違いになるように形成され、千鳥状に配設されてい
る。したがって、隣り合う電極パッド17どうしの配設
ピッチは、上記リ−ド15の他端側15bの最外端部の
ピッチpの2倍(2p)となっている。
た各電極パッド17は、このリ−ド15の導出方向に互
い違いになるように形成され、千鳥状に配設されてい
る。したがって、隣り合う電極パッド17どうしの配設
ピッチは、上記リ−ド15の他端側15bの最外端部の
ピッチpの2倍(2p)となっている。
【0030】また、上記リ−ド15の中途部は、図に斜
線で示したレジスト18によって覆われている。このレ
ジスト18は、各リ−ド15を保護すると共に各リ−ド
15間の絶縁を行うものである。
線で示したレジスト18によって覆われている。このレ
ジスト18は、各リ−ド15を保護すると共に各リ−ド
15間の絶縁を行うものである。
【0031】次に、このキャリアテ−プ11を用いた半
導体パッケ−ジ(TCP:Tape Carrier package)の製
造について説明する。このキャリアテ−プ11は、図示
しないリ−ルに巻回収納された状態で、まずインナ−リ
−ドボンディング装置に取り付けられる。このインナ−
リ−ドボンディング装置は、このキャリアテ−プ11に
半導体素子をインナ−リ−ドボンディングする装置であ
る。
導体パッケ−ジ(TCP:Tape Carrier package)の製
造について説明する。このキャリアテ−プ11は、図示
しないリ−ルに巻回収納された状態で、まずインナ−リ
−ドボンディング装置に取り付けられる。このインナ−
リ−ドボンディング装置は、このキャリアテ−プ11に
半導体素子をインナ−リ−ドボンディングする装置であ
る。
【0032】このインナ−リ−ドボンディング装置は、
上記リ−ルからキャリアテ−プ11を順次繰出し、図2
に示すように略水平に張設した状態で間欠的に送り駆動
する。そして、このキャリアテ−プ11に形成されたデ
バイスホ−ル3を図にAで示すボンディング位置に停止
させる。
上記リ−ルからキャリアテ−プ11を順次繰出し、図2
に示すように略水平に張設した状態で間欠的に送り駆動
する。そして、このキャリアテ−プ11に形成されたデ
バイスホ−ル3を図にAで示すボンディング位置に停止
させる。
【0033】このボンディング位置Aの下方にはボンデ
ィングステ−ジ19が設けられている。このボンディン
グステ−ジ19は、上記キャリアテ−プ1の下側で図に
20で示す半導体素子を保持し、この半導体素子20に
設けられた図示しない突起電極21を上記デバイスホ−
ル13内に突出したリ−ド先端部15aに対向させる。
ィングステ−ジ19が設けられている。このボンディン
グステ−ジ19は、上記キャリアテ−プ1の下側で図に
20で示す半導体素子を保持し、この半導体素子20に
設けられた図示しない突起電極21を上記デバイスホ−
ル13内に突出したリ−ド先端部15aに対向させる。
【0034】また、このボンディング位置Aの上方に
は、ボンディング機構22が設けられている。このボン
ディング機構22は図に示すようなボンディングツ−ル
23を具備し、このボンディングツ−ル23を下降駆動
することで、上記リ−ド15の一端部15aを上記半導
体素子20の突起電極21に対して加圧および加熱す
る。
は、ボンディング機構22が設けられている。このボン
ディング機構22は図に示すようなボンディングツ−ル
23を具備し、このボンディングツ−ル23を下降駆動
することで、上記リ−ド15の一端部15aを上記半導
体素子20の突起電極21に対して加圧および加熱す
る。
【0035】このことで、上記リ−ド先端部15aは上
記半導体素子20の突起電極21に接合され、上記半導
体素子20は、図3に示すように上記キャリアテ−プ1
1に搭載される。
記半導体素子20の突起電極21に接合され、上記半導
体素子20は、図3に示すように上記キャリアテ−プ1
1に搭載される。
【0036】インナ−リ−ドボンディングが終了したな
らば、上記千鳥状に配設された電極パッド17…を用い
て電気テストが行われる。この電気テストは、上記各電
極パッドに図に二点鎖線で示すような通電ピン25を当
接させることで行う。
らば、上記千鳥状に配設された電極パッド17…を用い
て電気テストが行われる。この電気テストは、上記各電
極パッドに図に二点鎖線で示すような通電ピン25を当
接させることで行う。
【0037】このような電気テストにより、上記半導体
素子20の作動を確認すると共に上記リ−ド先端部15
aと上記半導体素子20との接続状態の良否を検出す
る。この電気テストが終了したならば、上記キャリアテ
−プ11はさらに送り駆動され、上記半導体素子20が
搭載されてなるデバイスホ−ル13を図示しない樹脂封
止装置に対向させる。
素子20の作動を確認すると共に上記リ−ド先端部15
aと上記半導体素子20との接続状態の良否を検出す
る。この電気テストが終了したならば、上記キャリアテ
−プ11はさらに送り駆動され、上記半導体素子20が
搭載されてなるデバイスホ−ル13を図示しない樹脂封
止装置に対向させる。
【0038】この樹脂封止装置は、図3に示すように、
上記半導体素子20の上面および上記リ−ド先端部15
aを覆うように封止用樹脂26を塗布することで樹脂封
止を行う。
上記半導体素子20の上面および上記リ−ド先端部15
aを覆うように封止用樹脂26を塗布することで樹脂封
止を行う。
【0039】塗布された封止用樹脂26は、例えば熱硬
化性樹脂であり、このキャリアテ−プ11を図示しない
加熱炉内を通過させることで、硬化させられる。つい
で、このキャリアテ−プ11は、打ち抜き装置に移送さ
れ、図1に示す一点鎖線に沿って切断され、打ち抜かれ
る。
化性樹脂であり、このキャリアテ−プ11を図示しない
加熱炉内を通過させることで、硬化させられる。つい
で、このキャリアテ−プ11は、打ち抜き装置に移送さ
れ、図1に示す一点鎖線に沿って切断され、打ち抜かれ
る。
【0040】従来のTCP製造工程であると、上記キャ
リアテ−プを打ち抜く際に、従来例の項で述べたよう
に、同時にアウタリ−ドを打ち抜き、このアウタリ−ド
の成形を行うのであるが、この発明のTCPの場合に
は、アウタリ−ドを有しないので、そのような工程は必
要ない。
リアテ−プを打ち抜く際に、従来例の項で述べたよう
に、同時にアウタリ−ドを打ち抜き、このアウタリ−ド
の成形を行うのであるが、この発明のTCPの場合に
は、アウタリ−ドを有しないので、そのような工程は必
要ない。
【0041】このような工程により、図4(a)、
(b)に示す半導体パッケ−ジ(TCP)28が完成す
る。なお、このキャリアテ−プ11を打ち抜いて製造さ
れた矩形状のフィルム片は、一般的に「サポ−トリン
グ」と称される。
(b)に示す半導体パッケ−ジ(TCP)28が完成す
る。なお、このキャリアテ−プ11を打ち抜いて製造さ
れた矩形状のフィルム片は、一般的に「サポ−トリン
グ」と称される。
【0042】次に、このTCP28を基板に実装する工
程について説明する。なお、この工程は、従来はアウタ
リ−ドボンディング装置で行われていたが、このTCP
はアウタリ−ドを具備しない。したがって、このTCP
を実装する装置を、単に実装装置と称することとする。
程について説明する。なお、この工程は、従来はアウタ
リ−ドボンディング装置で行われていたが、このTCP
はアウタリ−ドを具備しない。したがって、このTCP
を実装する装置を、単に実装装置と称することとする。
【0043】なお、上記TCP28が搭載される基板と
しては、通常のプリント基板の他、例えばPGA等のセ
ラミックパッケ−ジに用いる多層セラミック基板や、液
晶パネルに用いる透明回路基板等が対象となる。
しては、通常のプリント基板の他、例えばPGA等のセ
ラミックパッケ−ジに用いる多層セラミック基板や、液
晶パネルに用いる透明回路基板等が対象となる。
【0044】上記TCP28は、上記基板に実装される
前に、バンプ形成装置によって、上記電極パッド17上
に、バンプ29(突起電極)が形成される。このバンプ
29はハンダ材からなるものであり、例えば転写バンプ
方式により形成される。
前に、バンプ形成装置によって、上記電極パッド17上
に、バンプ29(突起電極)が形成される。このバンプ
29はハンダ材からなるものであり、例えば転写バンプ
方式により形成される。
【0045】ついで、この実装装置は、同図に示すよう
に上記TCP28を反転させ、上記半導体素子20の裏
面を吸着ノズル30で吸着保持し、このTCP28を図
に31で示す基板に対向させる。この基板31上には、
上記TCP28の各電極パッド17に対応する配線パタ
−ン32が形成されている。
に上記TCP28を反転させ、上記半導体素子20の裏
面を吸着ノズル30で吸着保持し、このTCP28を図
に31で示す基板に対向させる。この基板31上には、
上記TCP28の各電極パッド17に対応する配線パタ
−ン32が形成されている。
【0046】ついで、上記吸着ノズル19を下降駆動す
ることで、上記バンプ29を上記基板30の配線パタ−
ン31に当接させ、このTCP28を上記基板30上に
載置する。
ることで、上記バンプ29を上記基板30の配線パタ−
ン31に当接させ、このTCP28を上記基板30上に
載置する。
【0047】なお、このとき、このTCP28を上記基
板30上に接着剤で接着するようにしても良い。TCP
28が搭載されたならば、この基板30をリフロ−炉内
に挿入する。このことで、上記電極パッド17に形成さ
れたバンプ29は溶融し、この電極パッド17は、上記
基板30の配線パタ−ン31にハンダ付けされる。
板30上に接着剤で接着するようにしても良い。TCP
28が搭載されたならば、この基板30をリフロ−炉内
に挿入する。このことで、上記電極パッド17に形成さ
れたバンプ29は溶融し、この電極パッド17は、上記
基板30の配線パタ−ン31にハンダ付けされる。
【0048】このような工程により、このTCP28の
実装は終了する。このような構成によれば、以下に説明
する効果がある。第1に、取扱いの容易なTCP28を
得ることができる効果がある。
実装は終了する。このような構成によれば、以下に説明
する効果がある。第1に、取扱いの容易なTCP28を
得ることができる効果がある。
【0049】すなわち、この発明のTCP28は従来の
TCPと異なりアウタリ−ドを具備しないから、このア
ウタリ−ドを保護したり、曲りを検査したりする必要性
がない。
TCPと異なりアウタリ−ドを具備しないから、このア
ウタリ−ドを保護したり、曲りを検査したりする必要性
がない。
【0050】したがって、プラスチックパッケ−ジと比
較して薄形、軽量化および多端子化を図ることができる
と共に、取扱いの容易な半導体パッケ−ジを得ることが
できる。
較して薄形、軽量化および多端子化を図ることができる
と共に、取扱いの容易な半導体パッケ−ジを得ることが
できる。
【0051】第2に、TCPを小形化でき、実装に必要
な面積を小さくすることができる。すなわち、このTC
P28は、従来のTCPと異なりアウタリ−ドを具備し
ないので、このアウタリ−ドが存在しない分このTCP
28の外形を小さくすることができる。
な面積を小さくすることができる。すなわち、このTC
P28は、従来のTCPと異なりアウタリ−ドを具備し
ないので、このアウタリ−ドが存在しない分このTCP
28の外形を小さくすることができる。
【0052】したがって、このTCP28を実装するの
に必要な基板31上の面積(実装面積)を小さくするこ
とができるから、より高密度な実装を行える効果があ
る。第3に、より良好な実装を行うことができる効果が
ある。
に必要な基板31上の面積(実装面積)を小さくするこ
とができるから、より高密度な実装を行える効果があ
る。第3に、より良好な実装を行うことができる効果が
ある。
【0053】すなわち、このTCP28では、上記各リ
−ド15の最外端にこのリ−ド15の幅と比較して大な
る電極パッド17を設けると共に、これら電極パッド1
7を千鳥状に配置することで隣り合う電極パッド17ど
うしのピッチを大きくとるようにした。
−ド15の最外端にこのリ−ド15の幅と比較して大な
る電極パッド17を設けると共に、これら電極パッド1
7を千鳥状に配置することで隣り合う電極パッド17ど
うしのピッチを大きくとるようにした。
【0054】このような電極パッド17を用いて、上記
基板31に形成された配線パタ−ン32との接続を行う
ことで、隣り合う電極パッド17間や隣り合う配線パタ
−ン32間にハンダブリッジやショ−ト等の不良が生じ
るのを少なくすることができ、より良好な実装を行うこ
とができる効果がある。
基板31に形成された配線パタ−ン32との接続を行う
ことで、隣り合う電極パッド17間や隣り合う配線パタ
−ン32間にハンダブリッジやショ−ト等の不良が生じ
るのを少なくすることができ、より良好な実装を行うこ
とができる効果がある。
【0055】第3に、製造装置が簡略化する効果があ
る。すなわち、上記キャリアテ−プ11を打ち抜く際
に、従来例のようにアウタリ−ドを折り曲げ、フォ−ミ
ングする必要がないから、そのための装置が不要になり
製造装置が簡略化する。また、アウタリ−ドの曲りをを
検査する装置等も不要になる。
る。すなわち、上記キャリアテ−プ11を打ち抜く際
に、従来例のようにアウタリ−ドを折り曲げ、フォ−ミ
ングする必要がないから、そのための装置が不要になり
製造装置が簡略化する。また、アウタリ−ドの曲りをを
検査する装置等も不要になる。
【0056】さらに、このTCP28の搬送時において
も、上記アウタリ−ドの曲りを気にしなくても良いか
ら、搬送設備の構成を容易化することができる。なお、
この発明は、上記一実施例に限定されるものではなく、
発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。
も、上記アウタリ−ドの曲りを気にしなくても良いか
ら、搬送設備の構成を容易化することができる。なお、
この発明は、上記一実施例に限定されるものではなく、
発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。
【0057】例えば、図に示すように、上記サポ−トリ
ング11aの表面に、図に34で示す金属板を非導電性
接着剤35を用いて接着し、このサポ−トリング11a
の補強を行うようにしても良い。
ング11aの表面に、図に34で示す金属板を非導電性
接着剤35を用いて接着し、このサポ−トリング11a
の補強を行うようにしても良い。
【0058】このような構成によれば、上記一実施例と
同様の効果を得ることができる他、リフロ−炉内でのT
CP28の反りが防止できるので、より良好で安定した
リフロ−ハンダ付けを行える効果がある。
同様の効果を得ることができる他、リフロ−炉内でのT
CP28の反りが防止できるので、より良好で安定した
リフロ−ハンダ付けを行える効果がある。
【0059】また、図に示すように、上記サポ−トリン
グ11aの外形を上記半導体素子20と略同じ大きさに
形成するようにしても良い。このような構成であっても
上記一実施例と同様の効果を得ることができると共に、
アウタリ−ドが不要であるから、このTCP28´の大
きさを上記半導体素子20と略同じ大きさとすることが
でき、かつ、このTCP28´をフリップチップ式に上
記基板31に実装することができる効果がある。
グ11aの外形を上記半導体素子20と略同じ大きさに
形成するようにしても良い。このような構成であっても
上記一実施例と同様の効果を得ることができると共に、
アウタリ−ドが不要であるから、このTCP28´の大
きさを上記半導体素子20と略同じ大きさとすることが
でき、かつ、このTCP28´をフリップチップ式に上
記基板31に実装することができる効果がある。
【0060】さらに、上記一実施例では、上記電極パッ
ド17上にハンダ材からなるバンプ(突起電極)29を
形成していたが、これに限定されるものではなく、図8
(a)に示すように、上記電極パッド17に微小金属球
36を固着することで突起電極を形成しても良い。
ド17上にハンダ材からなるバンプ(突起電極)29を
形成していたが、これに限定されるものではなく、図8
(a)に示すように、上記電極パッド17に微小金属球
36を固着することで突起電極を形成しても良い。
【0061】このような突起電極によれば、上記金属球
36が上記配線パタ−ン32の表面に当接することで電
気的な接続を確実に得ることができる効果がある。ま
た、同図(b)に示すように、このような突起電極を設
けず、単に上記電極パッド28上に図に37で示すハン
ダペ−ストを印刷し、このハンダペ−ストを用いて上記
電極パッド17と上記基板31の配線パタ−ン32との
ハンダ付けを行うようにしても良い。
36が上記配線パタ−ン32の表面に当接することで電
気的な接続を確実に得ることができる効果がある。ま
た、同図(b)に示すように、このような突起電極を設
けず、単に上記電極パッド28上に図に37で示すハン
ダペ−ストを印刷し、このハンダペ−ストを用いて上記
電極パッド17と上記基板31の配線パタ−ン32との
ハンダ付けを行うようにしても良い。
【0062】このような構成によれば、上記電極パッド
17の間隔が広いのでハンダペ−ストの印刷を良好に行
うことができると共に、ハンダブリッジ等の接続不良が
生じることも少ない。
17の間隔が広いのでハンダペ−ストの印刷を良好に行
うことができると共に、ハンダブリッジ等の接続不良が
生じることも少ない。
【0063】
【発明の効果】以上述べたように、この発明の第1の構
成は、フィルム材料からなるサポ−トリングと、このサ
ポ−トリングに設けられ、一端部をこのサポ−トリング
の内側に突出させたリ−ドと、このリ−ドの上記サポ−
トリングの内側に突出した一端部側に接続された半導体
素子と、上記サポ−トリングに設けられ、上記各リ−ド
の他端部側に形成された電極パッドとを具備することを
特徴とする半導体パッケ−ジである。
成は、フィルム材料からなるサポ−トリングと、このサ
ポ−トリングに設けられ、一端部をこのサポ−トリング
の内側に突出させたリ−ドと、このリ−ドの上記サポ−
トリングの内側に突出した一端部側に接続された半導体
素子と、上記サポ−トリングに設けられ、上記各リ−ド
の他端部側に形成された電極パッドとを具備することを
特徴とする半導体パッケ−ジである。
【0064】第2の構成は、フィルム材料からなるサポ
−トリングと、このサポ−トリングに設けられ、一端部
をこのサポ−トリングの内側に突出させたリ−ドと、上
記リ−ドの一端部側に接続された半導体素子と、上記サ
ポ−トリングの表面に設けられ、上記各リ−ドの他端部
側と接続された電極パッドと、この電極パッド上に突設
された突起電極とを具備することを特徴とする半導体パ
ッケ−ジである。
−トリングと、このサポ−トリングに設けられ、一端部
をこのサポ−トリングの内側に突出させたリ−ドと、上
記リ−ドの一端部側に接続された半導体素子と、上記サ
ポ−トリングの表面に設けられ、上記各リ−ドの他端部
側と接続された電極パッドと、この電極パッド上に突設
された突起電極とを具備することを特徴とする半導体パ
ッケ−ジである。
【0065】第3の構成は、上記第1あるいは第2の構
成の半導体パッケ−ジにおいて、上記電極パッドは、千
鳥状に配設されていることを特徴とするものである。第
4の構成は、第2の構成の半導体パッケ−ジにおいて、
上記突起電極は、微小金属体を上記電極パッドに固着す
ることで形成されていることを特徴とするものである。
成の半導体パッケ−ジにおいて、上記電極パッドは、千
鳥状に配設されていることを特徴とするものである。第
4の構成は、第2の構成の半導体パッケ−ジにおいて、
上記突起電極は、微小金属体を上記電極パッドに固着す
ることで形成されていることを特徴とするものである。
【0066】このような構成によれば、フィルム材料か
らなるサポ−トリングに形成した微細なリ−ドを具備す
るものであるから、薄形、軽量、多端子化を図れると共
に、アウタリ−ドを具備するものでないから、取扱いの
容易な半導体パッケ−ジを得ることができる。
らなるサポ−トリングに形成した微細なリ−ドを具備す
るものであるから、薄形、軽量、多端子化を図れると共
に、アウタリ−ドを具備するものでないから、取扱いの
容易な半導体パッケ−ジを得ることができる。
【0067】さらに、千鳥状に配設された電極パッドを
用いて基板等との接続を行うことができるから、接続間
隔を広くとることができ、不良の少ない接続を行うこと
ができる効果がある。
用いて基板等との接続を行うことができるから、接続間
隔を広くとることができ、不良の少ない接続を行うこと
ができる効果がある。
【0068】また、突起電極として、微小金属体を電極
に固着することで形成されたものを用いることで、この
電極パッドの基板等との接続を確実に行うことができる
効果がある。
に固着することで形成されたものを用いることで、この
電極パッドの基板等との接続を確実に行うことができる
効果がある。
【図1】この発明の一実施例を示すキャリアテ−プの平
面図および縦断面図。
面図および縦断面図。
【図2】同じく、インナ−リ−ドボンディング工程を示
す正面図。
す正面図。
【図3】同じく、検査工程を示す正面図。
【図4】同じく、半導体パッケ−ジの上面図および縦断
面図。
面図。
【図5】同じく、半導体パッケ−ジの基板への装着工程
を示す縦断面図。
を示す縦断面図。
【図6】他の実施例を示す縦断面図。
【図7】他の実施例を示す縦断面図。
【図8】他の実施例を示す拡大縦断面図。
【図9】従来例の半導体パッケ−ジの実装工程を示す縦
断面図。
断面図。
11…キャリアテ−プ、15…リ−ド、17…電極パッ
ド、20…半導体素子、28…TCP(半導体パッケ−
ジ)。
ド、20…半導体素子、28…TCP(半導体パッケ−
ジ)。
フロントページの続き (72)発明者 池水 守彦 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (72)発明者 中嶋 宣行 神奈川県川崎市川崎区日進町7番地1 東 芝電子エンジニアリング株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 フィルム材料からなるサポ−トリング
と、 このサポ−トリングに設けられ、一端部をこのサポ−ト
リングの内側に突出させたリ−ドと、 このリ−ドの上記サポ−トリングの内側に突出した一端
部側に接続された半導体素子と、 上記サポ−トリングに設けられ、上記各リ−ドの他端部
側に形成された電極パッドとを具備することを特徴とす
る半導体パッケ−ジ - 【請求項2】 フィルム材料からなるサポ−トリング
と、 このサポ−トリングに設けられ、一端部をこのサポ−ト
リングの内側に突出させたリ−ドと、 上記リ−ドの一端部側に接続された半導体素子と、 上記サポ−トリング上に設けられ、上記各リ−ドの他端
部側と接続された電極パッドと、 この電極パッド上に突設された突起電極とを具備するこ
とを特徴とする半導体パッケ−ジ。 - 【請求項3】 請求項1あるいは請求項2記載の半導体
パッケ−ジにおいて、 上記電極パッドは、 千鳥状に配設されていることを特徴とする半導体パッケ
−ジ。 - 【請求項4】 請求項2記載の半導体パッケ−ジにおい
て、 上記突起電極は、 微小金属体を上記電極パッドに固着することで形成され
ていることを特徴とする半導体パッケ−ジ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6206619A JPH0878471A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体パッケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6206619A JPH0878471A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体パッケ−ジ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0878471A true JPH0878471A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16526381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6206619A Pending JPH0878471A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体パッケ−ジ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0878471A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7106408B2 (en) | 2001-02-28 | 2006-09-12 | Hitachi, Ltd. | Display device |
JP2010123910A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-06-03 | Renesas Electronics Corp | Tcp型半導体装置及びそのテスト方法 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6206619A patent/JPH0878471A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7106408B2 (en) | 2001-02-28 | 2006-09-12 | Hitachi, Ltd. | Display device |
US7206055B2 (en) | 2001-02-28 | 2007-04-17 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
US7352427B2 (en) | 2001-02-28 | 2008-04-01 | Hitachi, Ltd. | Display device |
US8300035B2 (en) | 2001-02-28 | 2012-10-30 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device |
JP2010123910A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-06-03 | Renesas Electronics Corp | Tcp型半導体装置及びそのテスト方法 |
US8890561B2 (en) | 2008-10-21 | 2014-11-18 | Renesas Electronics Corporation | TCP-type semiconductor device and method of testing thereof |
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