JPH08124701A - チップ型抵抗器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 セラミック基板の両側面に樹脂系の側面電極
層を形成してなるチップ型抵抗器において、側面電極層
部での導通不良を低減して信頼性の高いチップ型抵抗器
及びその製造方法を提供すること。 【構成】 絶縁基板の側面に電極層を有するチップ型抵
抗器において、樹脂ペーストにより形成された前記側面
電極層と、前記絶縁基板の表面に樹脂材料により形成さ
れた保護層とが一部積層して形成されたことを特徴とす
る。絶縁基板の側面に電極層を有するチップ型抵抗器の
製造方法において、複数の縦溝及び横溝により１個のチ
ップ型抵抗器に相当する単位領域に区画された絶縁基板
の各単位領域毎に保護膜形成用の樹脂材料を塗布し半硬
化させる工程と、前記縦溝に沿ってブレイクした棒状片
の長手方向に沿う両端部のそれぞれに側面電極層形成用
のメタルレジン系導電ペーストを塗布する工程と、前記
半硬化させた樹脂保護膜と前記塗布された導電ペースト
を同時に硬化させる工程と、を具備することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チップ型抵抗器及びそ
の製造方法に関し、詳しくは、樹脂より形成された側面
電極を有するチップ型抵抗器及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来のチップ型抵抗器の一般的な構成を
図３に示す。セラミック基板１の表面の両端に表面電極
層２が形成され、この表面電極層２間に跨って抵抗体層
３が形成され、この抵抗体層３に抵抗値調整の切り欠き
状のトリミング溝４が形成された後、保護層５で覆われ
ている。一方、前記セラミック基板１の裏面には、その
両端に裏面電極層６が形成されており、この裏面電極層
６と前記表面電極層２とを接続する側面電極層７が形成
されており、更にこれら電極層２、６、７はメッキ層８
で覆われている。

【０００３】従来のチップ型抵抗器の製造は、未焼成セ
ラミックシートの表面に、複数の縦横溝を格子状となる
ように設けた後、焼成して図４（ａ）に示すような、表
面に縦横溝１ａ、１ｂ、で区画される単位領域Ａ毎に、
図４（ｂ）に示すように、表面電極層２及び抵抗体層３
をこれらの電極層を跨ぐように形成する一方、前記セラ
ミック基板１の裏面に該セラミック基板１を挟んで前記
表面電極層２と対向する位置に裏面電極層６を形成し、
前記抵抗体層３をトリミングして抵抗値調整した後に、
前記抵抗体層３を覆う保護層５を形成し、次に図４
（ｃ）に示すように、前記縦溝１ａに沿ってブレイクし
て前記セラミック基板１を複数の棒状片１’とし、図４
（ｄ）に示すように、前記棒状片１’の長手方向両側面
１’ａ、１’ｂに側面電極層７を形成し、その後、前記
棒状片１’を横溝１ｂに沿ってブレイクすることにより
チップ状とする方法により行われている。

【０００４】一般に、前記棒状片１’の長手方向両側面
１’ａ、１’ｂに側面電極層７を形成する方法として
は、銀、パラジウム等の金属粒子をガラスペーストに混
入したメタルグレーズ系導電ペーストを印刷しこれを焼
成することによりガラス系の電極層を形成する方法が採
られている。しかし、前記側面電極層７は抵抗体層３の
抵抗値調整後に８００℃以上の高温焼成により形成され
るため、前記抵抗体層３中の金属成分の酸化状態等が変
化して抵抗体層３の抵抗値が調整値から僅かにずれると
いう問題がある。この問題は近年益々電子部品の高精度
化が要求される中、チップ型抵抗器における解決課題の
一つとなっている。そこで、前述の問題に対応すべく、
最近前記側面電極層７をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
に銀、パラジウム等の金属粒子を混入させたメタルレジ
ン系導電ペーストを印刷しこれを加熱することにより硬
化させて形成する樹脂系の電極層が用いられている。こ
のような樹脂系の電極層は２００℃前後の比較的低温で
形成できるので前述の抵抗値のズレを少しでも低減する
ことが可能になる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
樹脂系の側面電極層を用いると、樹脂中の金属粒子の配
合比が高くなり過ぎると金属粒子がセラミック基板１と
の密着性を低下させるためにセラミック基板１と側面電
極層７との間に隙間が生じたり、側面電極層７の剥離又
は脱落が生じたりするという問題がある。

【０００６】一方、樹脂中の金属粒子の配合比を低くす
るとセラミック基板１との密着性は改善されるものの、
側面電極層７の表面に半田付け等による実装強度を高め
るために設けられるニッケル、半田等のメッキ層８との
密着性が低下し、メッキ層８が均一に形成できなかった
り、メッキ層８が形成されても剥離が生じてしまうとい
う問題がある。

【０００７】本発明は、セラミック基板の両側面に樹脂
系の側面電極層を形成してなるチップ型抵抗器におい
て、側面電極層での導通不良を低減して信頼性の高いチ
ップ型抵抗器及びその製造方法を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前述の従来の課題を解決
するために、本願の請求項１に記載の発明は、絶縁基板
の側面に電極層を有するチップ型抵抗器において、樹脂
ペーストにより形成された前記側面電極層と、前記絶縁
基板の表面に樹脂材料により形成された保護層とが一部
積層して形成されたことを特徴とする。

【０００９】一方本願の請求項２に記載した発明は、絶
縁基板の側面に電極層を有するチップ型抵抗器の製造方
法において、複数の縦溝及び横溝により１個のチップ型
抵抗器に相当する単位領域に区画された絶縁基板の各単
位領域毎に保護膜形成用の樹脂材料を塗布し半硬化させ
る工程と、前記縦溝に沿ってブレイクした棒状片の長手
方向に沿う両端部のそれぞれに側面電極層形成用のメタ
ルレジン系導電ペーストを塗布する工程と、前記半硬化
させた樹脂保護膜と前記塗布された導電ペーストを同時
に硬化させる工程と、を具備することを特徴とする。

【００１０】

【発明の作用及び効果】絶縁基板の側面に電極層を有す
るチップ型抵抗器において、樹脂ペースト用いて形成さ
れた前記側面の電極層と、前記絶縁基板の表面に樹脂よ
り形成された保護層とが一部積層して形成されたことに
より、側面電極層が接触する面積が増大する。それによ
り、側面電極層に用いられる樹脂ペーストに金属粒子の
配合比が高いものが使用された場合でも、側面電極層の
固着力が増大しセラミック基板との間に隙間が生じた
り、側面電極層が剥離及び脱落が生じることを防止でき
るという効果を有する。

【００１１】一方、絶縁基板の側面に電極層を有するチ
ップ型抵抗器の製造方法において、複数の縦溝及び横溝
により１個のチップ型抵抗器に相当する単位領域に区画
された絶縁基板の各単位領域毎に保護膜をなす樹脂材料
を塗布し半硬化させる工程と、前記縦溝に沿ってブレイ
クした棒状片の長手方向に沿う両端部のそれぞれに側面
電極層をなすメタルレジン系導電ペーストを塗布する工
程と、前記半硬化させた樹脂保護膜と前記塗布された導
電ペーストを同時に硬化させる工程とを具備することに
より、半硬化状態の樹脂保護膜と硬化前の樹脂側面電極
層が積層され、保護膜を形成する樹脂と側面電極層を形
成する樹脂との界面部分で略一体化した状態で硬化する
ので、保護膜と側面電極層の積層部分での側面電極層の
結合力が向上する。それにより、側面電極層を形成する
導電性樹脂ペーストに金属粒子の配合比が高いものが使
用された場合であっても、セラミック基板との間に隙間
が生じたり、剥離及び脱落が生じたりすることを防止
し、且つメッキ層との密着性の高い側面電極層を有する
チップ型抵抗器が製造できるという効果を有する。

【００１２】

【実施例】以下、図１（ａ）に示す本発明のチップ型抵
抗器を製造手順を追って説明する。未焼成セラミックシ
ートの表面に、複数の縦横溝を格子状となるように設け
た後、焼成して表面に縦横溝１ａ、１ｂ、で区画された
単位領域Ａが複数形成されたセラミック基板１を得る。
（図２（ａ）） この単位領域Ａは１チップのチップ型
抵抗器のセラミック基板と外形寸法が略等しい。次に前
記セラミック基板１表面の各単位領域Ａ毎に銀を含むメ
タルグレーズ系導電ペーストを印刷しこれを焼成するこ
とにより表面電極層２を形成し、そして前記表面電極層
２間を橋絡するように酸化ルテニウムを含むペーストを
印刷しこれを焼成することにより抵抗体層３を形成す
る。一方、前記セラミック基板１の裏面に該セラミック
基板１を挟んで前記表面電極層２と対向する位置に銀を
含むメタルグレーズ系導電ペーストを印刷しこれを焼成
することにより裏面電極層６を形成する。次に、前記抵
抗体層３のトリミング領域を覆うように硼硅酸鉛ガラス
を含むガラスグレーズ系ペーストを印刷しこれを焼成す
ることにより第１保護層５ａを形成した後に、抵抗体層
３をレーザートリミングして抵抗値調整する。

【００１３】次に、前記第１保護層５ａとトリミング溝
４を含む抵抗体層３と、表面電極層２の一部を覆うよう
に第２保護層５ｂを形成するエポキシ系樹脂を印刷しこ
れを加熱することにより半硬化させる。（図２（ｂ））
次に公知の方法で前記縦溝１ａに沿ってブレイクして
前記セラミック基板１を複数の棒状片１’とする。（図
２（ｃ）） 次に前記棒状片１’の長手方向両側面１’
ａ、１’ｂに公知の方法で前記第２保護層５ｂに一部重
なり、且つ裏面電極層６の全てを覆うように銀を含むメ
タルレジン系導電ペーストを塗布し、前記半硬化状態の
第２保護層５ｂと同時に硬化させて側面電極層７を形成
する。（図２（ｄ））そして、前記棒状片１’を横溝１
ｂに沿ってブレイクし、各電極層２、６、７を覆うニッ
ケル、半田よりなるメッキ層８を形成してチップ型抵抗
器とする。

【００１４】以上のように、樹脂系の保護層を半硬化さ
せた状態で樹脂系の側面電極層を一部積層するように塗
布し同時に硬化させるので、樹脂系の側面電極層を用い
る樹脂中の金属粒子の配合比を高くしても、半田付け等
によるチップ型抵抗器の実装強度を高めるために側面電
極層上に設けられるニッケル、半田等のメッキ層との密
着性を低下させずにセラミック基板と側面電極層との密
着性を向上させることが可能になる。

【００１５】そして、従来の製造方法や用いられる装置
を大幅に変更することなく、プロセスの一部と条件の変
更で簡単に製造することが可能になる。また、第１保護
層に用いられるガラスグレーズ系ペーストはレーザーに
よりトリミングされる際に、レーザー光の吸収が良いよ
うに不透明であるのが良く、特に緑色系又は黒色系であ
ればなお良い。

【００１６】一方、図１（ｂ）に示すチップ型抵抗器
は、保護層５が３層からなっている点で図１（ａ）のチ
ップ型抵抗器と異なっており、第１保護層５ａは抵抗体
層３のトリミング領域を覆うように硼硅酸鉛ガラスを含
むガラスグレーズ系ペーストを印刷しこれを焼成するこ
とにより形成され、その後抵抗体層３をレーザートリミ
ングして抵抗値調整する。次に、前記第１保護層５ａと
トリミング溝４を含む抵抗体層３を覆うようにエポキシ
系樹脂を塗布しこれを加熱することにより硬化させて第
２保護層５ｂを形成する。尚、第２保護層５ｂに用いら
れるエポキシ系樹脂はトリミング溝４に流れ込み易いよ
うに比較的粘度の低いものを用いる。そして、第２保護
層５ｂと抵抗体層３及び表面電極層２の一部を覆うよう
に耐湿、耐温特性に優れる比較的粘度の高いエポキシ系
樹脂を塗布しこれを加熱することにより半硬化させる。
この後の工程は図１（ａ）のチップ型抵抗器と同じなの
で省略する。

【００１７】以上のように、保護層を３層にしたことに
より本願の特有の効果に加えて、粘度の低い樹脂を用い
た第２保護層によりトリミング溝を確実に封止すると共
に、これより粘度の高い樹脂を用いた第３保護層により
抵抗体層を確実に積層することで、抵抗体層、従ってチ
ップ型抵抗器、の耐湿、耐温特性を向上させることが可
能となる。

【００１８】前述の実施例において、表面電極層及び裏
面電極層を形成するためのメタルグレーズ系導電ペース
トに含まれる金属成分は特に銀に限定されるものではな
く、パラジウムや銀とパラジウムが一緒に含まれている
ものでもよい。そして、側面電極層を形成するためのメ
タルレジン系導電ペーストは調整後の抵抗体層の抵抗値
を変化させることのない硬化に要する温度が４００℃以
下のものであれば良く、ペーストに含まれる金属粒子は
銀だけでなく、ニッケルやそれらを混合させたものでも
良く、ペーストを形成する樹脂成分はフェノール系や、
ポリイミド系でも良い。

【００１９】また、保護層に用いる樹脂は特にエポキシ
系に限定されるものではなく、調整後の抵抗体層の抵抗
値を変化させることのない硬化に要する温度が４００℃
以下のものであれば良く、フェノール系や、ポリイミド
系の樹脂を用いても良い。更に、保護層と側面電極層の
形成に用いられる樹脂成分は、同じエポキシ系成分同士
でなくても良く、エポキシ系、フェノール系、ポリイミ
ド系のそれぞれで異なる組み合わせでも良い。

【００２０】尚、本発明は前述の実施例に記載の内容の
材料、構造等に特に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ型抵抗器の構造を示す断面図

【図２】本発明のチップ型抵抗器の製造方法を説明する
説明図

【図３】従来のチップ型抵抗器の構造を示す断面図

【図４】従来のチップ型抵抗器の製造方法を説明する説
明図

【符号の説明】

１・・・・セラミック基板 ２・・・・表面電極層 ３・・・・抵抗体層 ４・・・・トリミング溝 ５・・・・保護層 ６・・・・裏面電極層 ７・・・・側面電極層 ８・・・・メッキ層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板の側面に電極層を有するチップ
   型抵抗器において、樹脂ペーストにより形成された前記
   側面電極層と、前記絶縁基板の表面に樹脂材料により形
   成された保護層とが一部積層して形成されたことを特徴
   とするチップ型抵抗器。
2. 【請求項２】 絶縁基板の側面に電極層を有するチップ
   型抵抗器の製造方法において、 複数の縦溝及び横溝により１個のチップ型抵抗器に相当
   する単位領域に区画された絶縁基板の各単位領域毎に保
   護膜形成用の樹脂材料を塗布し半硬化させる工程と、 前記縦溝に沿ってブレイクした棒状片の長手方向に沿う
   両端部のそれぞれに側面電極層形成用のメタルレジン系
   導電ペーストを塗布する工程と、 前記半硬化させた樹脂保護膜と前記塗布された導電ペー
   ストを同時に硬化させる工程と、 を具備することを特徴とするチップ型抵抗器の製造方
   法。