JPH06104089A - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
- Publication number
- JPH06104089A JPH06104089A JP4253349A JP25334992A JPH06104089A JP H06104089 A JPH06104089 A JP H06104089A JP 4253349 A JP4253349 A JP 4253349A JP 25334992 A JP25334992 A JP 25334992A JP H06104089 A JPH06104089 A JP H06104089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- thin film
- emitting device
- film light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- 239000011734 sodium Substances 0.000 abstract description 37
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 abstract description 16
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ナトリウム NaがITO 透明電極に拡散せず特性に優れ
る薄膜発光素子を得る。 【構成】ガラス電極１とITO 透明電極２の間に酸化タンタル
Ta2O5 遮蔽層９を設ける。
る薄膜発光素子を得る。 【構成】ガラス電極１とITO 透明電極２の間に酸化タンタル
Ta2O5 遮蔽層９を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜発光素子の遮蔽層
に係り、特にナトリウム Naの拡散遮蔽層に関する。
に係り、特にナトリウム Naの拡散遮蔽層に関する。
【０００２】
【従来の技術】Mnを発光中心とする蛍光体である発光層
の両面を絶縁層を介して透明電極(ITO) と金属電極で挟
んだ二重絶縁型の薄膜エレクトロルミネセントディスプ
レイ（以下薄膜発光素子と称する）は、高輝度発光，高
解像度，大容量表示化が可能であることから、薄型表示
用のディスプレイパネルとして注目されている。
の両面を絶縁層を介して透明電極(ITO) と金属電極で挟
んだ二重絶縁型の薄膜エレクトロルミネセントディスプ
レイ（以下薄膜発光素子と称する）は、高輝度発光，高
解像度，大容量表示化が可能であることから、薄型表示
用のディスプレイパネルとして注目されている。
【０００３】図７は従来の二重絶縁型の薄膜発光素子を
示す要部破断斜視図である。ガラス基板１上に第一の電
極であるITO 透明電極２、その上にSiO2やSi3N4 からな
る第一の絶縁層３、発光層４、第一の絶縁層と同様の材
料からなる第二の絶縁層５、第二の電極であるAl電極６
から薄膜発光素子が構成される。この様な薄膜発光素子
の発光層は硫化亜鉛ＺｎＳ膜を母材として、その中に少
量の発光中心Ｍｎを添加した材料で構成される。薄膜発
光素子は、実用的な輝度（100cd/m2) を得るために発光
層中の発光中心Ｍｎには最適濃度( 硫化亜鉛に対し0.4
〜0.6wt% ) が存在する。この様な薄膜発光素子の発光
層の製造方法は、真空蒸着法，スパッタリング法，ALE
法などにより作製されておりこののち硫化亜鉛ＺｎＳ中
に添加したマンガンＭｎを分散させるために高温でアニ
ールされる。
示す要部破断斜視図である。ガラス基板１上に第一の電
極であるITO 透明電極２、その上にSiO2やSi3N4 からな
る第一の絶縁層３、発光層４、第一の絶縁層と同様の材
料からなる第二の絶縁層５、第二の電極であるAl電極６
から薄膜発光素子が構成される。この様な薄膜発光素子
の発光層は硫化亜鉛ＺｎＳ膜を母材として、その中に少
量の発光中心Ｍｎを添加した材料で構成される。薄膜発
光素子は、実用的な輝度（100cd/m2) を得るために発光
層中の発光中心Ｍｎには最適濃度( 硫化亜鉛に対し0.4
〜0.6wt% ) が存在する。この様な薄膜発光素子の発光
層の製造方法は、真空蒸着法，スパッタリング法，ALE
法などにより作製されておりこののち硫化亜鉛ＺｎＳ中
に添加したマンガンＭｎを分散させるために高温でアニ
ールされる。
【０００４】図８は従来の異なる二重絶縁型の薄膜発光
素子を示す要部破断断面図である。この薄膜発光素子に
おいては外気の水分が発光層に進入して素子の寿命を低
下させるのを防止するために、封止ガラス７を介してシリ
コンオイル ８が注入される。
素子を示す要部破断断面図である。この薄膜発光素子に
おいては外気の水分が発光層に進入して素子の寿命を低
下させるのを防止するために、封止ガラス７を介してシリ
コンオイル ８が注入される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の薄膜発光素子においてはガラス基板がソーダガ
ラスである場合においてはナトリウム Naがソーダガラスより
ITO 透明電極に拡散し、ITO 透明電極の製法如何によっ
てはITO 透明電極の電気抵抗が増大して薄膜発光素子の
特性を低下させるという問題があった。
な従来の薄膜発光素子においてはガラス基板がソーダガ
ラスである場合においてはナトリウム Naがソーダガラスより
ITO 透明電極に拡散し、ITO 透明電極の製法如何によっ
てはITO 透明電極の電気抵抗が増大して薄膜発光素子の
特性を低下させるという問題があった。
【０００６】ナトリウム Naの拡散を防ぐために従来はガラス
基板と透明電極の間にシリカ SiO2等の遮蔽層を設けること
が行われ単純マトリックス駆動の液晶ディスプレィ等で有効に
用いられるが薄膜発光素子の場合においては処理温度が
高い工程が含まれ有効ではなかった。この発明は上述の
点に鑑みてなされ、その目的は高温の熱処理においても
ナトリウム Naが拡散しない遮蔽層を用いることにより、特性
に優れる薄膜発光素子を提供することにある。
基板と透明電極の間にシリカ SiO2等の遮蔽層を設けること
が行われ単純マトリックス駆動の液晶ディスプレィ等で有効に
用いられるが薄膜発光素子の場合においては処理温度が
高い工程が含まれ有効ではなかった。この発明は上述の
点に鑑みてなされ、その目的は高温の熱処理においても
ナトリウム Naが拡散しない遮蔽層を用いることにより、特性
に優れる薄膜発光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば透明基板であるソーダガラスと、遮蔽層と、第一
の電極であるITO 透明電極と、第一の絶縁層と、発光層
と、第二の絶縁層と、第二の電極を有し、透明基板上に
遮蔽層、第一の電極、第一の絶縁層、発光層、第二の絶
縁層、第二の電極が順次積層され、遮蔽層は酸化タンタルTa
2O5 であるとすることにより達成される。
よれば透明基板であるソーダガラスと、遮蔽層と、第一
の電極であるITO 透明電極と、第一の絶縁層と、発光層
と、第二の絶縁層と、第二の電極を有し、透明基板上に
遮蔽層、第一の電極、第一の絶縁層、発光層、第二の絶
縁層、第二の電極が順次積層され、遮蔽層は酸化タンタルTa
2O5 であるとすることにより達成される。
【０００８】
【作用】酸化タンタルTa2O5 からなる遮蔽層を用いると、薄
膜発光素子の高温処理においてもナトリウム Naの拡散を防止
することができる。
膜発光素子の高温処理においてもナトリウム Naの拡散を防止
することができる。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の実施例に係る薄膜発光素子
を示す断面図である。ソーダガラス基板１の上にRFマグ
ネトロンスパッタリング法によりTa2O5 焼結たーゲット
を用い、スパッタガスとして酸素O2、アルゴンArを用い
Ta2O5 遮蔽層９を膜厚100 nm形成した。次いで同一の真
空装置内でITO 透明電極２を形成し、以下第一の絶縁層
（Al2O3)３を形成し熱処理を行った。表１に熱処理温度
を示す。
を示す断面図である。ソーダガラス基板１の上にRFマグ
ネトロンスパッタリング法によりTa2O5 焼結たーゲット
を用い、スパッタガスとして酸素O2、アルゴンArを用い
Ta2O5 遮蔽層９を膜厚100 nm形成した。次いで同一の真
空装置内でITO 透明電極２を形成し、以下第一の絶縁層
（Al2O3)３を形成し熱処理を行った。表１に熱処理温度
を示す。
【００１０】
【表１】 保持時間は 1ｈ、 冷却は100 ℃/ ｈの速度で行った。
【００１１】ソーダガラス中のナトリウムNaの拡散は熱
処理温度及び時間に依存する。ナトリウムNa拡散の度合
いはイオンマイクロアナライザＩＭＡを用い酸素スパッ
タリングにより断面方向の拡散プロフィールを調べた。
表２に結果が示される。第一の絶縁層であるアルミナAl
2O3 絶縁層中におけるNaのレベルによって優劣を判定し
た。
処理温度及び時間に依存する。ナトリウムNa拡散の度合
いはイオンマイクロアナライザＩＭＡを用い酸素スパッ
タリングにより断面方向の拡散プロフィールを調べた。
表２に結果が示される。第一の絶縁層であるアルミナAl
2O3 絶縁層中におけるNaのレベルによって優劣を判定し
た。
【００１２】
【表２】 図２はアニール温度550 ℃としたときの従来の薄膜発光
素子の元素の拡散ナトリウムプロフィールを示す線図で
ある。
素子の元素の拡散ナトリウムプロフィールを示す線図で
ある。
【００１３】図３はアニール温度550 ℃としたときのこ
の発明の実施例に係る薄膜発光素子の元素の拡散プロフ
ィールを示す線図である。従来の薄膜発光素子では第一
の絶縁層であるアルミナAl2O3 絶縁層中でのナトリウムNaの
レベルが高くなっている。ソーダガラス基板中のナトリ
ウムNaが素子中を拡散していることが明らかである。こ
れに対し酸化タンタルTa2O5 遮蔽層を用いた薄膜発光素子は
Naは酸化タンタルTa2O5 遮蔽層９で拡散阻害を受け酸化タン
タルTa2O5層でNaの濃度が高くなっている。
の発明の実施例に係る薄膜発光素子の元素の拡散プロフ
ィールを示す線図である。従来の薄膜発光素子では第一
の絶縁層であるアルミナAl2O3 絶縁層中でのナトリウムNaの
レベルが高くなっている。ソーダガラス基板中のナトリ
ウムNaが素子中を拡散していることが明らかである。こ
れに対し酸化タンタルTa2O5 遮蔽層を用いた薄膜発光素子は
Naは酸化タンタルTa2O5 遮蔽層９で拡散阻害を受け酸化タン
タルTa2O5層でNaの濃度が高くなっている。
【００１４】次にアルミナAl2O3 遮蔽層の効果を検討し
た。アルミナAl2O3 遮蔽層はアルミナAl2O3 焼結ターゲ
ットを用いたO2/Ar ガスによるRFマグネトロンスパッタ
リングにより100nm 形成した。表３に結果が示される。
アルミナAl2O3 遮蔽層は熱処理温度350 ℃から550 ℃ま
でいずれもNaの遮蔽効果がないことがわかる。さらにシ
リカSiO2絶縁層にて同様の実験を行った結果も併記され
る。シリカSiO2層はSiO2( 石英) ターゲット、O2/Ar ガ
スを用いたマグネトロンスパッタリングにより同様に10
0nm 形成した。シリカSiO2層においては熱処理温度350
℃まではある程度Naの遮蔽効果が確認されたが、450 ℃
以上においては効果がない。以上の結果酸化タンタルTa
2O5 層の遮蔽効果が優れていることがわかる。
た。アルミナAl2O3 遮蔽層はアルミナAl2O3 焼結ターゲ
ットを用いたO2/Ar ガスによるRFマグネトロンスパッタ
リングにより100nm 形成した。表３に結果が示される。
アルミナAl2O3 遮蔽層は熱処理温度350 ℃から550 ℃ま
でいずれもNaの遮蔽効果がないことがわかる。さらにシ
リカSiO2絶縁層にて同様の実験を行った結果も併記され
る。シリカSiO2層はSiO2( 石英) ターゲット、O2/Ar ガ
スを用いたマグネトロンスパッタリングにより同様に10
0nm 形成した。シリカSiO2層においては熱処理温度350
℃まではある程度Naの遮蔽効果が確認されたが、450 ℃
以上においては効果がない。以上の結果酸化タンタルTa
2O5 層の遮蔽効果が優れていることがわかる。
【００１５】
【表３】 図４はアルミナAl2O3 遮蔽層を用いた薄膜発光素子の元
素分布を示す線図である。 図５はシリカSiO2遮蔽層を
用いた薄膜発光素子の元素分布を示す線図である。アニ
ール温度は共に550 ℃である。スパッタで成膜されたア
ルミナAl2O3 層はナトリウムNaの遮蔽効果がない。
素分布を示す線図である。 図５はシリカSiO2遮蔽層を
用いた薄膜発光素子の元素分布を示す線図である。アニ
ール温度は共に550 ℃である。スパッタで成膜されたア
ルミナAl2O3 層はナトリウムNaの遮蔽効果がない。
【００１６】次に薄膜発光素子のＩＴＯ透明電極につき
その熱処理前後の抵抗値を検討した。酸化タンタルTa2O
5 を遮蔽層として用いる場合に熱処理前後の抵抗値の変
化が観測された。処理温度450 ℃、550 ℃である。図６
はノンアルカリガラス基板を用いて酸化タンタルTa2O5
遮蔽層を設けた薄膜発光素子の元素分布を示す線図であ
る。熱処理温度550 ℃に於けるIMA の結果である。ナトリウ
ム Naの拡散は認められない。従って酸化タンタルTa2O5
中の酸素が熱処理によりITO 透明電極中に移動し、ITO
透明電極中のキャリア密度を低下させたためであると考
えられる。
その熱処理前後の抵抗値を検討した。酸化タンタルTa2O
5 を遮蔽層として用いる場合に熱処理前後の抵抗値の変
化が観測された。処理温度450 ℃、550 ℃である。図６
はノンアルカリガラス基板を用いて酸化タンタルTa2O5
遮蔽層を設けた薄膜発光素子の元素分布を示す線図であ
る。熱処理温度550 ℃に於けるIMA の結果である。ナトリウ
ム Naの拡散は認められない。従って酸化タンタルTa2O5
中の酸素が熱処理によりITO 透明電極中に移動し、ITO
透明電極中のキャリア密度を低下させたためであると考
えられる。
【００１７】このITO 透明電極 の抵抗上昇を抑制する
ために前記シリかカSiO2及びアルミナAl2O3 を酸化タン
タルTa2O5 の上に20nmの厚さに形成しさらにITO 透明電
極を形成しITO 透明電極 の抵抗変化を調べた。この結
果、熱処理温度550 ℃においてもITO 透明電極 の抵抗
上昇は抑制されることがわかった。以上の結果ITO 透明
電極 成膜工程以後の処理温度が350 ℃まではソーダガ
ラス基板とITO 透明電極との間に酸化タンタルTa2O5 遮蔽層
を設けることにより基板中のナトリウムNaの拡散を抑制
することができる。また処理温度が550 ℃程度まではソ
ーダガラス基板上に設けた酸化タンタルTa2O5 遮蔽層と
ITO 透明電極の間にシリカSiO2層あるいはアルミナAl2O
3 層を設けることによりナトリウムNaの拡散及び酸化タ
ンタルTa2O5 遮蔽層とITO 透明電極の相互作用を抑制す
ることが可能となる。
ために前記シリかカSiO2及びアルミナAl2O3 を酸化タン
タルTa2O5 の上に20nmの厚さに形成しさらにITO 透明電
極を形成しITO 透明電極 の抵抗変化を調べた。この結
果、熱処理温度550 ℃においてもITO 透明電極 の抵抗
上昇は抑制されることがわかった。以上の結果ITO 透明
電極 成膜工程以後の処理温度が350 ℃まではソーダガ
ラス基板とITO 透明電極との間に酸化タンタルTa2O5 遮蔽層
を設けることにより基板中のナトリウムNaの拡散を抑制
することができる。また処理温度が550 ℃程度まではソ
ーダガラス基板上に設けた酸化タンタルTa2O5 遮蔽層と
ITO 透明電極の間にシリカSiO2層あるいはアルミナAl2O
3 層を設けることによりナトリウムNaの拡散及び酸化タ
ンタルTa2O5 遮蔽層とITO 透明電極の相互作用を抑制す
ることが可能となる。
【００１８】
【発明の効果】この発明によれば透明基板であるソーダ
ガラスと、遮蔽層と、第一の電極であるITO 透明電極
と、第一の絶縁層と、発光層と、第二の絶縁層と、第二
の電極を有し、透明基板上に遮蔽層、第一の電極、第一
の絶縁層、発光層、第二の絶縁層、第二の電極が順次積
層され、遮蔽層は酸化タンタルTa2O5 であるとするので、高
温の熱処理温度においてもナトリウムNaがITO 透明電極
に拡散せず特性に優れる薄膜発光素子が得られる。
ガラスと、遮蔽層と、第一の電極であるITO 透明電極
と、第一の絶縁層と、発光層と、第二の絶縁層と、第二
の電極を有し、透明基板上に遮蔽層、第一の電極、第一
の絶縁層、発光層、第二の絶縁層、第二の電極が順次積
層され、遮蔽層は酸化タンタルTa2O5 であるとするので、高
温の熱処理温度においてもナトリウムNaがITO 透明電極
に拡散せず特性に優れる薄膜発光素子が得られる。
【図１】この発明の実施例に係る薄膜発光素子を示す断
面図
面図
【図２】アニール温度550 ℃としたときの従来の薄膜発
光素子の元素の拡散プロフィールを示す線図
光素子の元素の拡散プロフィールを示す線図
【図３】アニール温度550 ℃としたときのこの発明の実
施例に係る薄膜発光素子の元素の拡散プロフィールを示
す線図
施例に係る薄膜発光素子の元素の拡散プロフィールを示
す線図
【図４】アルミナAl2O3 遮蔽層を用いた薄膜発光素子の
元素分布を示す線図
元素分布を示す線図
【図５】シリカSiO2遮蔽層を用いた薄膜発光素子の元素
分布を示す線図
分布を示す線図
【図６】ノンアルカリガラス基板を用いて酸化タンタル
Ta2O5 遮蔽層を設けた薄膜発光素子の元素分布を示す線
図
Ta2O5 遮蔽層を設けた薄膜発光素子の元素分布を示す線
図
【図７】従来の二重絶縁型の薄膜発光素子を示す要部破
断斜視図
断斜視図
【図８】従来の異なる二重絶縁型の薄膜発光素子を示す
要部破断断面図
要部破断断面図
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第一の絶縁層 ４ 発光層 ５ 第二の絶縁層 ６ Ａｌ電極 ７ 封止ガラス ８ シリコンオイル ９ 遮蔽層
Claims (4)
- 【請求項１】透明基板であるソーダガラスと、遮蔽層
と、第一の電極であるITO 透明電極と、第一の絶縁層
と、発光層と、第二の絶縁層と、第二の電極を有し、 透明基板上に遮蔽層、第一の電極、第一の絶縁層、発光
層、第二の絶縁層、第二の電極が順次積層され、 遮蔽層は酸化タンタルTa2O5 であることを特徴とする薄膜発
光素子。 - 【請求項２】請求項１記載の薄膜発光素子において、遮
蔽層は酸化タンタルTa2O 5 層とシリカ SiO2層からなることを特
徴とする薄膜発光素子。 - 【請求項３】請求項１記載の薄膜発光素子において、遮
蔽層は酸化タンタルTa2O 5 層とアルミナAl2O3 層からなることを
特徴とする薄膜発光素子。 - 【請求項４】請求項１記載の薄膜発光素子において、第
一の絶縁層はアルミナAl 2O3 層であることを特徴とする薄膜
発光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253349A JPH06104089A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 薄膜発光素子 |
| US08/121,862 US5476727A (en) | 1992-09-24 | 1993-09-17 | Thin film electroluminescence display element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253349A JPH06104089A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104089A true JPH06104089A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17250095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4253349A Pending JPH06104089A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 薄膜発光素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5476727A (ja) |
| JP (1) | JPH06104089A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0697378A3 (en) * | 1994-08-17 | 1996-09-18 | Corning Inc | Control of the migration of alkali metal ions |
| KR20010044357A (ko) * | 2001-02-12 | 2001-06-05 | 유재수 | 유기발광소자의 보조양극 형성 방법 및 그에 의한유기발광소자 |
| JP2006511045A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | 厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイ用のバリア層 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
| KR0164457B1 (ko) * | 1995-01-20 | 1999-04-15 | 김은영 | 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR0165867B1 (ko) * | 1995-01-21 | 1999-04-15 | 김은영 | 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| US5981092A (en) * | 1996-03-25 | 1999-11-09 | Tdk Corporation | Organic El device |
| KR100240432B1 (ko) * | 1996-05-22 | 2000-01-15 | 이주현 | 교류 분말 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법 및 소자 구조 |
| FI20060288A0 (fi) * | 2006-03-27 | 2006-03-27 | Abr Innova Oy | Pinnoitusmenetelmä |
| WO2008096456A1 (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-14 | Central Japan Railway Company | 光触媒薄膜、光触媒薄膜の形成方法及び光触媒薄膜被覆製品 |
| US20110094781A1 (en) * | 2008-06-30 | 2011-04-28 | Tadahiro Ohmi | Electronic device having a glass substrate containing sodium and method of manufacturing the same |
| JP2010258368A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Tohoku Univ | 電子装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861763A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | 武笠 均 | 触感知器消化装置 |
| JPS60182692A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
| US4693906A (en) * | 1985-12-27 | 1987-09-15 | Quantex Corporation | Dielectric for electroluminescent devices, and methods for making |
| DE3788134T2 (de) * | 1986-09-19 | 1994-03-10 | Komatsu Mfg Co Ltd | Dünnfilmanordnung. |
| JPH01320796A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5019002A (en) * | 1989-07-12 | 1991-05-28 | Honeywell, Inc. | Method of manufacturing flat panel backplanes including electrostatic discharge prevention and displays made thereby |
| JP3047256B2 (ja) * | 1991-06-13 | 2000-05-29 | 株式会社豊田中央研究所 | 誘電体薄膜 |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP4253349A patent/JPH06104089A/ja active Pending
-
1993
- 1993-09-17 US US08/121,862 patent/US5476727A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0697378A3 (en) * | 1994-08-17 | 1996-09-18 | Corning Inc | Control of the migration of alkali metal ions |
| KR20010044357A (ko) * | 2001-02-12 | 2001-06-05 | 유재수 | 유기발광소자의 보조양극 형성 방법 및 그에 의한유기발광소자 |
| JP2006511045A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | 厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイ用のバリア層 |
| JP2010171027A (ja) * | 2002-12-20 | 2010-08-05 | Ifire Ip Corp | 厚膜誘電性エレクトロルミネッセンスディスプレイ用のバリア層 |
| US7989088B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-08-02 | Ifire Ip Corporation | Barrier layer for thick film dielectric electroluminescent displays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5476727A (en) | 1995-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06104089A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPH0614548B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2793102B2 (ja) | Ｅｌ素子 | |
| US4947081A (en) | Dual insulation oxynitride blocking thin film electroluminescence display device | |
| US4683044A (en) | Method of manufacturing an electroluminescent panel without any adverse influence on an underlying layer | |
| JP2686170B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH02306583A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造法 | |
| JPS5986194A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JP3750199B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP3218069B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2679322B2 (ja) | ２重絶縁薄膜エレクトロルミネセンス装置の製造方法 | |
| JPS6047718B2 (ja) | 薄膜発光素子の製造方法 | |
| JPH03112089A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH05226075A (ja) | 酸化物透明導電膜を有する電子素子 | |
| JPH02306593A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造法 | |
| KR930005763B1 (ko) | 얇은막 el 표시소자 | |
| JPH05347187A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2000268638A (ja) | 透明導電膜及び電界放出形表示素子 | |
| JPH02306589A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造法 | |
| JP3487618B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3349221B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JPH0532877B2 (ja) | ||
| JPS61264698A (ja) | Ｅｌ発光層の形成方法 | |
| JPH01206596A (ja) | 薄膜形エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPH02306585A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |