JPH02306593A - 薄膜ｅｌ素子の製造法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造法Info
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- JPH02306593A JPH02306593A JP1128419A JP12841989A JPH02306593A JP H02306593 A JPH02306593 A JP H02306593A JP 1128419 A JP1128419 A JP 1128419A JP 12841989 A JP12841989 A JP 12841989A JP H02306593 A JPH02306593 A JP H02306593A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光輝度を向上させた薄膜ＥＬ素子の製造法
に関する。
に関する。
従来、透明導電膜、必要に応じ第１の絶縁層。
発光層、第２の絶縁層及び導電膜を順次積層してなる薄
膜ＥＬ素子において該薄膜Ｅ Ｌ素子の発光輝度を向上
させるために通常、その製造工程において、一般的には
発光層の形成後基板を真空下、５００〜６００℃で１〜
２時間時間別熱する熱処理が行われている（日経エレク
トロニクス１９７９年４月号）。
膜ＥＬ素子において該薄膜Ｅ Ｌ素子の発光輝度を向上
させるために通常、その製造工程において、一般的には
発光層の形成後基板を真空下、５００〜６００℃で１〜
２時間時間別熱する熱処理が行われている（日経エレク
トロニクス１９７９年４月号）。
［発明が解決しようとする課題〕
前記従来の”；ＩＩＪＪ、ＥＴ、素子において発光層と
してＭｎを少量添加したＺｎＳ発光層を用いたものであ
って第１及び第２の絶縁層を有するものが、現在、最も
高い発光輝度を示すものとされている。
してＭｎを少量添加したＺｎＳ発光層を用いたものであ
って第１及び第２の絶縁層を有するものが、現在、最も
高い発光輝度を示すものとされている。
しかし、この薄膜ＥＬ素子においても、フレー１３周波
数が数十Ｈｚである線順次走査による発光時の輝度は２
０〜３０フートランバートであり、０ＲＴ（カソード・
レイ・デユープ）などと比べると実用的なディスプレイ
パネルとするしこは、未だ、発光輝度が不充分である。
数が数十Ｈｚである線順次走査による発光時の輝度は２
０〜３０フートランバートであり、０ＲＴ（カソード・
レイ・デユープ）などと比べると実用的なディスプレイ
パネルとするしこは、未だ、発光輝度が不充分である。
本発明は、透光性基材上に、透明導電膜、発光層及び導
電膜を順次積層し、これらの層間のうちいずれか一つの
層間に絶縁層を形成する薄膜Ｆ： １．。
電膜を順次積層し、これらの層間のうちいずれか一つの
層間に絶縁層を形成する薄膜Ｆ： １．。
素子の製造法において、上記発光層を形成した後上記導
電膜を形成する前の基板を酸素を含む雰囲気中、２’５
０℃を超える温度で熱処理する工程を含むことを特徴と
する薄膜ＥＬ素子の製造法に関する。
電膜を形成する前の基板を酸素を含む雰囲気中、２’５
０℃を超える温度で熱処理する工程を含むことを特徴と
する薄膜ＥＬ素子の製造法に関する。
本発明における透光性基材としてはガラス板等が使用さ
れる。
れる。
透明導電膜は、ＳｎＯ，、、Ｉｎ２Ｏ３、インジウムス
ズオキサイド（工Ｔ○）等からなり、電子ビーム蒸着法
、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法。
ズオキサイド（工Ｔ○）等からなり、電子ビーム蒸着法
、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法。
ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｊｏｎ）法、プラズマＣＶＤ法等によって形成され
る。
ｉｔｊｏｎ）法、プラズマＣＶＤ法等によって形成され
る。
発光層は、Ｍｎ、Ｔｂ等の発光中心を含むＺｎＳ、’−
ＣａＳ−、’ Ｓｒ”Ｓ、Ｚｎ５ｅ等のＶＩ’Ｂ族元素
を含む母体からなる螢光体からなり、電子ビーム蒸着法
、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法２Ｍ○ＣＶ Ｄ
（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶ Ｄ ）法、 Ａ
ＬＥ （Ａｔ。
ＣａＳ−、’ Ｓｒ”Ｓ、Ｚｎ５ｅ等のＶＩ’Ｂ族元素
を含む母体からなる螢光体からなり、電子ビーム蒸着法
、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法２Ｍ○ＣＶ Ｄ
（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶ Ｄ ）法、 Ａ
ＬＥ （Ａｔ。
ｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｅｐｉｔａｘｙ）法等で形成され
る。
る。
もう一つの導電膜は、透明導電膜と同様のものでもよく
、アルミニウム、クロム、金等の金属からなるものであ
ってもよい。
、アルミニウム、クロム、金等の金属からなるものであ
ってもよい。
前記絶縁層は、Ｔａ２０９．Ｙ２Ｏ，、ＳｊＯ，、。
Ａ Ｑ２０３．’Ｓ ｉ、Ｎ４． Ａ Ｑ Ｎ、 Ｓ
ｒ ］’ ｉ ０Ｊ笠からなり、これらの層を２周基−
１１積層して絶縁層としてもよい。これらの層の形成方
法は、透明導電膜の形成方法と同様である。
ｒ ］’ ｉ ０Ｊ笠からなり、これらの層を２周基−
１１積層して絶縁層としてもよい。これらの層の形成方
法は、透明導電膜の形成方法と同様である。
本発明において、絶縁層は、前記透明導電膜と前記発光
層の間又は前記発光層と前記導電膜の間のうちいずれか
一方に積層される。
層の間又は前記発光層と前記導電膜の間のうちいずれか
一方に積層される。
本発明において、透明導電膜、第１の絶縁層。
発光層、第２の絶縁層及び導電膜（背面電極）が、この
順序で、基材上に顯次形成される。ただし、第１及び第
２の絶縁層のうちどちらか一つが形成される。また、発
光層を形成後前記と同様のＭｉ層を積層し、さらに発光
層を形成してもよい。。
順序で、基材上に顯次形成される。ただし、第１及び第
２の絶縁層のうちどちらか一つが形成される。また、発
光層を形成後前記と同様のＭｉ層を積層し、さらに発光
層を形成してもよい。。
本発明においては、これらの工程中介光層の形成後背面
電極を形成する前までに少なくとも１回基板を酸素を含
む雰囲気中、２５０℃を超える温度で熱処理する。この
基板は、発光層を形成した後のものでもよいが、第２の
絶縁層の少なくとも一部を形成した後のものが好ましい
。また、この場合、前記熱処理前に形成されている第２
の絶縁層の少なくとも一部が酸化物からなるものである
のが好ましい。
電極を形成する前までに少なくとも１回基板を酸素を含
む雰囲気中、２５０℃を超える温度で熱処理する。この
基板は、発光層を形成した後のものでもよいが、第２の
絶縁層の少なくとも一部を形成した後のものが好ましい
。また、この場合、前記熱処理前に形成されている第２
の絶縁層の少なくとも一部が酸化物からなるものである
のが好ましい。
酸素を含む雰囲気としては、酸素分圧が全圧を１気圧と
したとき、１トール（Ｔｏｒｒ）乃至１気圧である気体
が好ましく、全圧が１気圧を超えてもそれ未満であって
も酸素分圧が１ト一ル以上あればよい。酸素以外に含ま
れる気体としては、窒素ガス等の不活性ガスなどがある
。酸素を含む雰囲気として、空気を使用してもよい。ま
た、熱処理温度は、高い方が短時間で処理がすむので好
ましいが、高すぎると基材等が劣化しやすくなるので６
５０℃以下が好ましい このような処理によって酸素が発光層に導入され、発光
層のＶＩＢ族元素の欠陥を埋めるためと考えられ、発光
輝度が向上する。
したとき、１トール（Ｔｏｒｒ）乃至１気圧である気体
が好ましく、全圧が１気圧を超えてもそれ未満であって
も酸素分圧が１ト一ル以上あればよい。酸素以外に含ま
れる気体としては、窒素ガス等の不活性ガスなどがある
。酸素を含む雰囲気として、空気を使用してもよい。ま
た、熱処理温度は、高い方が短時間で処理がすむので好
ましいが、高すぎると基材等が劣化しやすくなるので６
５０℃以下が好ましい このような処理によって酸素が発光層に導入され、発光
層のＶＩＢ族元素の欠陥を埋めるためと考えられ、発光
輝度が向上する。
本発明において、発光層を形成した後で、真空下又は不
活性ガス雰囲気中で２００〜６５０℃で加熱処理をして
もよい。
活性ガス雰囲気中で２００〜６５０℃で加熱処理をして
もよい。
本発明を図面を用いて説明する。第１図は本発明により
得られる薄膜ＥＬ素子の−・例を示す断面図であり、基
板１の上に透明導電膜（透明電極）２、発光層３．絶縁
層の第１Ｍ４．絶縁層の第２層５及びもう一つの導電膜
（背面電極）６をこの順に積層して作製したものである
。
得られる薄膜ＥＬ素子の−・例を示す断面図であり、基
板１の上に透明導電膜（透明電極）２、発光層３．絶縁
層の第１Ｍ４．絶縁層の第２層５及びもう一つの導電膜
（背面電極）６をこの順に積層して作製したものである
。
実施例１
第１図に示すような構造の薄膜ＥＬ素子を作成した。
基材１としてのコーニング社＃７０５９ガラス（１００
Ｘ７５ｍｍ２、厚さ１．１ｍｍ）上にＩＴ○膜をスパッ
タリング法で形成し、これをエツチングして透明導電膜
２としてのストライプ状ＩＴＯ透明電極（膜厚０ 、２
μｍ 、幅０ ’、 １５ ｍｍ 、電極間隔０．１
ｍｍ）３２０本を形成した。この上に、発光層３として
電子ビーム蒸着法でマンガン付活硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍ
ｎ）層０．５ μｍ の厚さに形成した。ついで、絶縁
層の第１層４としてＡｆ１２’０３膜をスパッタリング
法で０．０５μｍの厚さに形成した。この後、空気で１
気圧に設定された炉の中で基板を５５０℃で１時間、加
熱処理した。次いで、絶縁層の第２層５としてＡΩ２０
．膜をスパッタリング法で０．２５μｍの厚さに形成し
た。
Ｘ７５ｍｍ２、厚さ１．１ｍｍ）上にＩＴ○膜をスパッ
タリング法で形成し、これをエツチングして透明導電膜
２としてのストライプ状ＩＴＯ透明電極（膜厚０ 、２
μｍ 、幅０ ’、 １５ ｍｍ 、電極間隔０．１
ｍｍ）３２０本を形成した。この上に、発光層３として
電子ビーム蒸着法でマンガン付活硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍ
ｎ）層０．５ μｍ の厚さに形成した。ついで、絶縁
層の第１層４としてＡｆ１２’０３膜をスパッタリング
法で０．０５μｍの厚さに形成した。この後、空気で１
気圧に設定された炉の中で基板を５５０℃で１時間、加
熱処理した。次いで、絶縁層の第２層５としてＡΩ２０
．膜をスパッタリング法で０．２５μｍの厚さに形成し
た。
最後に、抵抗加熱蒸着法でＡＱ層を形成し、エツチング
して導電膜６としてのストライプ状ＡＱの背面電極（膜
厚０．２ μｍ、輻０，１５ｎ＋ｎ＋、電極間隔０．１
ｍｍ）を２００本、ＩＴＯ透明電極と直交するように形
成した。得られた薄膜ＥＬ素子を試料Ａとした。
して導電膜６としてのストライプ状ＡＱの背面電極（膜
厚０．２ μｍ、輻０，１５ｎ＋ｎ＋、電極間隔０．１
ｍｍ）を２００本、ＩＴＯ透明電極と直交するように形
成した。得られた薄膜ＥＬ素子を試料Ａとした。
比較例１
実施例１において、空気中５５０℃で１時間の加熱処理
をしないこと以外は、実施例１に準じて、薄膜Ｅ Ｌ素
子を得た。得られた薄膜Ｅｒ、素子を試料Ｂとした。
をしないこと以外は、実施例１に準じて、薄膜Ｅ Ｌ素
子を得た。得られた薄膜Ｅｒ、素子を試料Ｂとした。
前記で得られた試料Ａ及び試料Ｂをそれぞれフレーム周
波数６０ Ｉ−１ｚの線順次走査によって発光表示させ
たところ、試料Ａの輝度は、試料Ｂの輝度の約１．６倍
であった。
波数６０ Ｉ−１ｚの線順次走査によって発光表示させ
たところ、試料Ａの輝度は、試料Ｂの輝度の約１．６倍
であった。
本発明によれば発光輝度の大きな薄膜ＥＬ素子を容易に
得ることができる。
得ることができる。
第１図は本発明に係る薄膜ＥＬ素子の一例を示す断面図
である。 １・・・基材、２・・・透明導電膜、３・・発光層、４
絶縁膜の第１層、５・・・絶縁膜の第２層、６・・・
もう一つの導電膜（背面電極）。
である。 １・・・基材、２・・・透明導電膜、３・・発光層、４
絶縁膜の第１層、５・・・絶縁膜の第２層、６・・・
もう一つの導電膜（背面電極）。
Claims (1)
- １．透光性基材上に、透明導電膜、発光層及び導電膜
を順次積層し、これらの層間のうちいずれか一つの層間
に絶縁層を形成する薄膜ＥＬ素子の製造法において、上
記発光層を形成した後上記導電膜を形成する前の基板を
酸素を含む雰囲気中、２５０℃を超える温度で熱処理す
る工程を含むことを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128419A JPH02306593A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128419A JPH02306593A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306593A true JPH02306593A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14984296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1128419A Pending JPH02306593A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 薄膜ｅｌ素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306593A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100514232B1 (ko) * | 2002-10-30 | 2005-09-09 | 에이엔 에스 주식회사 | 유기 또는 고분자 박막층을 포함하는 장수명 소자의제조방법과, 그 방법으로 제조된 장수명 소자 및디스플레이 |
| KR100546594B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2006-01-26 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 리페어 장치 및 방법 |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1128419A patent/JPH02306593A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100514232B1 (ko) * | 2002-10-30 | 2005-09-09 | 에이엔 에스 주식회사 | 유기 또는 고분자 박막층을 포함하는 장수명 소자의제조방법과, 그 방법으로 제조된 장수명 소자 및디스플레이 |
| KR100546594B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2006-01-26 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 리페어 장치 및 방법 |
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