JPH0536872A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPH0536872A JPH0536872A JP19338191A JP19338191A JPH0536872A JP H0536872 A JPH0536872 A JP H0536872A JP 19338191 A JP19338191 A JP 19338191A JP 19338191 A JP19338191 A JP 19338191A JP H0536872 A JPH0536872 A JP H0536872A
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-
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-
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-
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】
【構成】金属配線基板に於いて、パワー系の半導体素子
をマウントする部分のみ樹脂絶縁層を除去した構造を有
している。 【効果】金属配線基板のパワートランジスタのマウント
ランド部の絶縁層を除去し金属基板に直接マウントする
ので熱抵抗を従来の１／２以下に出来るという効果を有
する。
をマウントする部分のみ樹脂絶縁層を除去した構造を有
している。 【効果】金属配線基板のパワートランジスタのマウント
ランド部の絶縁層を除去し金属基板に直接マウントする
ので熱抵抗を従来の１／２以下に出来るという効果を有
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路に関し、特
に金属基板を用いた配線基板の構造に関する。
に金属基板を用いた配線基板の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の混成集積回路は図３に示す
ように金属基板１上にエポキシ樹脂等による絶縁層２を
介して銅箔３を接着しこの銅箔をエッチング法を用いて
所望の回路パターンを形成する。回路パターンにはワイ
ヤボンディング性を向上させるためにニッケルメッキ４
が施される。次に配線基板上の部品搭載ランド部にはん
だペーストをスクリーン印刷法により供給しパワートラ
ンジスタ７をマウントしリフローによりはんだ接続す
る。
ように金属基板１上にエポキシ樹脂等による絶縁層２を
介して銅箔３を接着しこの銅箔をエッチング法を用いて
所望の回路パターンを形成する。回路パターンにはワイ
ヤボンディング性を向上させるためにニッケルメッキ４
が施される。次に配線基板上の部品搭載ランド部にはん
だペーストをスクリーン印刷法により供給しパワートラ
ンジスタ７をマウントしリフローによりはんだ接続す
る。
【０００３】次に小信号系トランジスタ９を銀ペースト
８を用いてマウントを行ない銀ペーストを加熱硬化させ
た後ペレット側電極と基板側電極をアルミニウム線１０
を用いてワイヤボンディングし接続する。更にペレット
上を樹脂１１でコーティングし外部端子１２を半田接続
して形成されていた。
８を用いてマウントを行ない銀ペーストを加熱硬化させ
た後ペレット側電極と基板側電極をアルミニウム線１０
を用いてワイヤボンディングし接続する。更にペレット
上を樹脂１１でコーティングし外部端子１２を半田接続
して形成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の混成集積回
路では金属基板と回路パターンの間の絶縁層にエポキ
シ，ポリイミド等の樹脂を用いているため熱抵抗を小さ
くするのに限界があった。
路では金属基板と回路パターンの間の絶縁層にエポキ
シ，ポリイミド等の樹脂を用いているため熱抵抗を小さ
くするのに限界があった。
【０００５】本発明の目的は、熱抵抗を小さくすること
ができる混成集積回路を提供することにある。
ができる混成集積回路を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の混成集積回路は
金属配線基板に於いてパワー系の半導体素子をマウント
する部分のみ樹脂絶縁層を除去した構造を有している。
金属配線基板に於いてパワー系の半導体素子をマウント
する部分のみ樹脂絶縁層を除去した構造を有している。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の混成集積回路の断面図で
ある。鉄又はアルミニウムの金属基板１のエポキシ樹脂
の絶縁層２を介して銅箔３を接着する。次に銅箔３をエ
ッチングし回路パターンを形成した後パワートランジス
タを搭載する部分の絶縁層をミーリング加工により除去
し基板及び回路パターンに銅を１〜２μｍ，ニッケルを
１０μｍのメッキを施す。
る。図１は本発明の一実施例の混成集積回路の断面図で
ある。鉄又はアルミニウムの金属基板１のエポキシ樹脂
の絶縁層２を介して銅箔３を接着する。次に銅箔３をエ
ッチングし回路パターンを形成した後パワートランジス
タを搭載する部分の絶縁層をミーリング加工により除去
し基板及び回路パターンに銅を１〜２μｍ，ニッケルを
１０μｍのメッキを施す。
【０００８】次に、表裏面にメタライジ処理した窒化ア
ルミニウム基板６に予めパワートランジスタ７をはんだ
５で接続したものを基板にはんだ５でマウントしリフロ
ーして接続する。
ルミニウム基板６に予めパワートランジスタ７をはんだ
５で接続したものを基板にはんだ５でマウントしリフロ
ーして接続する。
【０００９】次に、銀ペースト８を用いて小信号トラン
ジスタ９をマウントし銀ペーストを１５０℃で２時間キ
ュアを行なう。次にアルミニウム線１０を用いてワイヤ
ボンディングを行ないペレット表面部を樹脂１１でコー
ティングし外部端子１２を半田付けして成る。
ジスタ９をマウントし銀ペーストを１５０℃で２時間キ
ュアを行なう。次にアルミニウム線１０を用いてワイヤ
ボンディングを行ないペレット表面部を樹脂１１でコー
ティングし外部端子１２を半田付けして成る。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例の断面図であ
る。半導体素子と金属基板との絶縁が不要な場合で半導
体素子１３を金属基板１にはんだ５でマウントした例で
ある。
る。半導体素子と金属基板との絶縁が不要な場合で半導
体素子１３を金属基板１にはんだ５でマウントした例で
ある。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は金属配線基
板のパワートランジスタのマウントランド部の絶縁層を
除去し金属基板に直接マウントするので熱抵抗を従来の
１／２以下に出来るという効果を有する。
板のパワートランジスタのマウントランド部の絶縁層を
除去し金属基板に直接マウントするので熱抵抗を従来の
１／２以下に出来るという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の断面図である。
【図３】従来例の断面図である。
１ 金属基板 ２ 絶縁層 ３ 銅箔 ４ ニッケルメッキ ５ はんだ ６ 窒化アルミニウム ７ パワートランジスタ ８ 銀ペースト ９ 小信号トランジスタ １０ アルミニウム線 １１ コーティング樹脂 １２ 外部端子 １３ 半導体素子
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 金属基板に樹脂絶縁層を介して銅箔から
なる回路パターンを形成した配線基板を用いた混成集積
回路に於いて、前記配線基板の半導体素子をマウントす
る部分の樹脂絶縁層を除去した事を特徴とした混成集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19338191A JPH0536872A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19338191A JPH0536872A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536872A true JPH0536872A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16306982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19338191A Pending JPH0536872A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536872A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661343A (en) * | 1994-03-16 | 1997-08-26 | Hitachi, Ltd. | Power hybrid integrated circuit apparatus |
| JP2022534582A (ja) * | 2019-06-28 | 2022-08-02 | 維沃移動通信有限公司 | 光学モジュール及び移動端末 |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP19338191A patent/JPH0536872A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661343A (en) * | 1994-03-16 | 1997-08-26 | Hitachi, Ltd. | Power hybrid integrated circuit apparatus |
| JP2022534582A (ja) * | 2019-06-28 | 2022-08-02 | 維沃移動通信有限公司 | 光学モジュール及び移動端末 |
| US11881046B2 (en) | 2019-06-28 | 2024-01-23 | Vivo Mobile Communication Co., Ltd. | Optical module and mobile terminal |
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