JPH05182521A - Ｂｚｔ焼結体の製造方法 - Google Patents
Ｂｚｔ焼結体の製造方法Info
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- JPH05182521A JPH05182521A JP3360473A JP36047391A JPH05182521A JP H05182521 A JPH05182521 A JP H05182521A JP 3360473 A JP3360473 A JP 3360473A JP 36047391 A JP36047391 A JP 36047391A JP H05182521 A JPH05182521 A JP H05182521A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電率およびＱ値の高いＢＺＴ焼結体を、特
性劣化の心配なく、歩留りよく簡単に製造することので
きる方法を提供する。 【構成】 Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物
を焼成して焼結させるようにするＢＺＴ焼結体の製造方
法において、前記仮焼物にＺｎＴａ2 Ｏ6 を添加して焼
成するようにすることを特徴とするＢＺＴ焼結体の製造
方法。
性劣化の心配なく、歩留りよく簡単に製造することので
きる方法を提供する。 【構成】 Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物
を焼成して焼結させるようにするＢＺＴ焼結体の製造方
法において、前記仮焼物にＺｎＴａ2 Ｏ6 を添加して焼
成するようにすることを特徴とするＢＺＴ焼結体の製造
方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波誘電体共振器
などに使われるＢＺＴ焼結体の製造方法に関する。
などに使われるＢＺＴ焼結体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１ＧHz以上のマイクロ波領域において高
い誘電率と高いＱ値を有する誘電体材料は高周波誘電体
と呼ばれており、この高周波誘電体の性能向上に関する
研究が活発に行われている。その結果、特性の優れた高
周波誘電体が見いだされている。
い誘電率と高いＱ値を有する誘電体材料は高周波誘電体
と呼ばれており、この高周波誘電体の性能向上に関する
研究が活発に行われている。その結果、特性の優れた高
周波誘電体が見いだされている。
【０００３】中でも、Ａ3 ＢＣ2 Ｏ9 の組成式であらわ
されるペロブスカイト型結晶構造を有するセラミックス
は優れた高周波誘電体であり、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 で
あらわされペロブスカイト型結晶構造を有する焼結体
（ＢＺＴ焼結体）は実用にも供されている。このＢＺＴ
焼結体は、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物
の粉末を成形し焼成して焼結させることで得られる。
されるペロブスカイト型結晶構造を有するセラミックス
は優れた高周波誘電体であり、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 で
あらわされペロブスカイト型結晶構造を有する焼結体
（ＢＺＴ焼結体）は実用にも供されている。このＢＺＴ
焼結体は、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物
の粉末を成形し焼成して焼結させることで得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｂａ3
ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物の粉末は焼結性が低くて緻密な
ＢＺＴ焼結体が得ることが難しい。密度の低いＢＺＴ焼
結体だとＢＺＴ本来の高誘電率・高Ｑ値特性が発現しな
い。普通、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物の粉末を１５
５０℃の焼成温度で４〜５時間ほど焼成しても、密度は
せいぜい（理論値の）８０％どまりである。密度の高い
ＢＺＴ焼結体を歩留りよく製造することができないので
ある。
ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物の粉末は焼結性が低くて緻密な
ＢＺＴ焼結体が得ることが難しい。密度の低いＢＺＴ焼
結体だとＢＺＴ本来の高誘電率・高Ｑ値特性が発現しな
い。普通、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物の粉末を１５
５０℃の焼成温度で４〜５時間ほど焼成しても、密度は
せいぜい（理論値の）８０％どまりである。密度の高い
ＢＺＴ焼結体を歩留りよく製造することができないので
ある。
【０００５】セラミック系高周波誘電体の場合、仮焼物
に焼結助剤を添加すれば焼結性が改善される。しかし、
焼結助剤の添加は、焼結性の改善という点では確かに有
効なのであるが、セラミックの基本組成の面からは不純
物が存在する形になるために他の特性を顕著に優れたも
のとするという点では好ましくない。この発明は、上記
事情に鑑み、密度の高いＢＺＴ焼結体を、本来の優れた
特性の発現を妨げる恐れもなく、しかも、歩留りよく簡
単に製造することのできる方法を提供することを課題と
する。
に焼結助剤を添加すれば焼結性が改善される。しかし、
焼結助剤の添加は、焼結性の改善という点では確かに有
効なのであるが、セラミックの基本組成の面からは不純
物が存在する形になるために他の特性を顕著に優れたも
のとするという点では好ましくない。この発明は、上記
事情に鑑み、密度の高いＢＺＴ焼結体を、本来の優れた
特性の発現を妨げる恐れもなく、しかも、歩留りよく簡
単に製造することのできる方法を提供することを課題と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、この発明にかかるＢＺＴ焼結体の製造方法では、Ｂ
ａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物にＺｎＴａ2
Ｏ6 を添加して焼成するようにしている。以下、この発
明によるＢＺＴ焼結体の製造を具体的に説明する。
め、この発明にかかるＢＺＴ焼結体の製造方法では、Ｂ
ａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物にＺｎＴａ2
Ｏ6 を添加して焼成するようにしている。以下、この発
明によるＢＺＴ焼結体の製造を具体的に説明する。
【０００７】まず、主材料であるＢａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9
であらわされる仮焼物の作成工程を説明する。 ＢＺＴの化学量論比に従いＢａ成分、Ｚｎ成分およ
びＴａ成分を含む出発原料を計量する。 Ｂａ成分としては、例えば、ＢａＣＯ3 粉末が使われ
る。Ｚｎ成分としては、例えば、ＺｎＯ粉末が使われ
る。Ｔａ成分としては、例えば、Ｔａ2 Ｏ5 粉末が使わ
れる。
であらわされる仮焼物の作成工程を説明する。 ＢＺＴの化学量論比に従いＢａ成分、Ｚｎ成分およ
びＴａ成分を含む出発原料を計量する。 Ｂａ成分としては、例えば、ＢａＣＯ3 粉末が使われ
る。Ｚｎ成分としては、例えば、ＺｎＯ粉末が使われ
る。Ｔａ成分としては、例えば、Ｔａ2 Ｏ5 粉末が使わ
れる。
【０００８】 上記出発原料を、ボールミルにより重
量比で数倍の純水中で十分に混合してから空気中で乾燥
する。 乾燥後の混合粉末を金型を用いて成形した後、得ら
れた成形体を８００〜１２００℃の空気中で３〜２０時
間仮焼してから冷却し、その後、回転式ボールミルを用
いて粉砕し微粉末化する。Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼
物の粉末は、普通、平均粒径２μｍ以下程度のものにす
る。
量比で数倍の純水中で十分に混合してから空気中で乾燥
する。 乾燥後の混合粉末を金型を用いて成形した後、得ら
れた成形体を８００〜１２００℃の空気中で３〜２０時
間仮焼してから冷却し、その後、回転式ボールミルを用
いて粉砕し微粉末化する。Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼
物の粉末は、普通、平均粒径２μｍ以下程度のものにす
る。
【０００９】これで、主材料であるＢａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ
9 の仮焼物の粉末が出来上がることになる。つぎに、主
材料に添加される副材料のＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末の作成
工程を説明する。 ＺｎＴａ2 Ｏ6 の化学量論比に従いＺｎ成分および
Ｔａ成分を含む出発原料を計量する。
9 の仮焼物の粉末が出来上がることになる。つぎに、主
材料に添加される副材料のＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末の作成
工程を説明する。 ＺｎＴａ2 Ｏ6 の化学量論比に従いＺｎ成分および
Ｔａ成分を含む出発原料を計量する。
【００１０】Ｚｎ成分としては、例えば、ＺｎＯ粉末が
使われる。Ｔａ成分としては、例えば、Ｔａ2 Ｏ5 粉末
が使われる。 ＺｎＴａ2 Ｏ6 作成用の出発原料を、ボールミルに
より重量比で２〜３倍の純水中で十分に混合してから空
気中で乾燥する。 乾燥後の混合粉末を金型を用いて成形したあと、得
られた成形体を９５０〜１１５０℃程度の温度で空気中
において１８〜３０時間ほど焼成してから冷却し、その
後、振動ミルで粉砕し粉末化するようにする。副材料の
ＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末は、普通、平均粒径２μｍ以下程
度のものにする。
使われる。Ｔａ成分としては、例えば、Ｔａ2 Ｏ5 粉末
が使われる。 ＺｎＴａ2 Ｏ6 作成用の出発原料を、ボールミルに
より重量比で２〜３倍の純水中で十分に混合してから空
気中で乾燥する。 乾燥後の混合粉末を金型を用いて成形したあと、得
られた成形体を９５０〜１１５０℃程度の温度で空気中
において１８〜３０時間ほど焼成してから冷却し、その
後、振動ミルで粉砕し粉末化するようにする。副材料の
ＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末は、普通、平均粒径２μｍ以下程
度のものにする。
【００１１】これで、主材料に添加する副材料たるＺｎ
Ｔａ2 Ｏ6 の粉末が出来上がることになる。続いて、こ
のようして得た主・副材料のセラミック粉末を用いて焼
結体を得るまでの工程を説明する。 Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物の粉末
とＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末を重量比で１．５倍程度の純水
中でボールミルを用いて十分に混合してから空気中で乾
燥する。
Ｔａ2 Ｏ6 の粉末が出来上がることになる。続いて、こ
のようして得た主・副材料のセラミック粉末を用いて焼
結体を得るまでの工程を説明する。 Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物の粉末
とＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末を重量比で１．５倍程度の純水
中でボールミルを用いて十分に混合してから空気中で乾
燥する。
【００１２】 乾燥後の混合粉末に適当量の有機系バ
インダーを添加し金型で成形した後、作成した成形体を
本焼成する。有機系バインダーの添加量は混合粉末１０
０wt％に対し０．０１〜０．０６wt％程度であり、バイ
ンダーの種類としては、例えば、ポリビニルアルコール
などがある。 本焼成では、普通、１５００〜１５５０℃で３〜５時間
程度の時間の熱処理に続いて、１４００〜１４５０℃の
温度まで下げて５０〜１２０時間、アニールのための熱
処理を行うようにする。
インダーを添加し金型で成形した後、作成した成形体を
本焼成する。有機系バインダーの添加量は混合粉末１０
０wt％に対し０．０１〜０．０６wt％程度であり、バイ
ンダーの種類としては、例えば、ポリビニルアルコール
などがある。 本焼成では、普通、１５００〜１５５０℃で３〜５時間
程度の時間の熱処理に続いて、１４００〜１４５０℃の
温度まで下げて５０〜１２０時間、アニールのための熱
処理を行うようにする。
【００１３】ＺｎＴａ2 Ｏ6 の添加量に関しては、普
通、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物１００wt％に対しＺ
ｎＴａ2 Ｏ6 の粉末を、普通、０．０１〜２wt％の範
囲、好ましくは０．８wt％の範囲で添加するようにす
る。より好ましくは０．２〜０．４wt％の範囲だあり、
この範囲ではＱ値が２万を越えるものが得られる。０．
０１wt％未満では十分な添加効果が得にくくなる傾向が
みられ、２wt％を越えるとＱ値が十分でなくなる傾向が
みられる。
通、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物１００wt％に対しＺ
ｎＴａ2 Ｏ6 の粉末を、普通、０．０１〜２wt％の範
囲、好ましくは０．８wt％の範囲で添加するようにす
る。より好ましくは０．２〜０．４wt％の範囲だあり、
この範囲ではＱ値が２万を越えるものが得られる。０．
０１wt％未満では十分な添加効果が得にくくなる傾向が
みられ、２wt％を越えるとＱ値が十分でなくなる傾向が
みられる。
【００１４】この発明の方法で得られるＢＺＴ焼結体
は、おおよそ以下の程度の性能のものである。 比誘電率：２８．５前後・・・１０ＧHzにおいて Ｑ値：７０００〜２００００・・・１０ＧHzにおいて 共振周波数の温度係数τf ・・・５ｐｐｍ／℃前後 密度：約９９％・・・完全焼結体の理論密度を１００％
とする
は、おおよそ以下の程度の性能のものである。 比誘電率：２８．５前後・・・１０ＧHzにおいて Ｑ値：７０００〜２００００・・・１０ＧHzにおいて 共振周波数の温度係数τf ・・・５ｐｐｍ／℃前後 密度：約９９％・・・完全焼結体の理論密度を１００％
とする
【００１５】
【作用】この発明のＢＺＴ焼結体の製造方法では、主材
料たるＢａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 に添加されるＺｎＴａ2 Ｏ
6 が焼結性を高めるため、高密度のＢＺＴ焼結体が確実
に得られる。そのままでは焼結し難いＢａ3 ＺｎＴａ2
Ｏ9 の仮焼物の粉末を歩留りよく高密度の焼結体とする
ことができるのである。つまり、ＺｎＴａ2 Ｏ6 は焼結
助剤の役割を果たすのである。
料たるＢａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 に添加されるＺｎＴａ2 Ｏ
6 が焼結性を高めるため、高密度のＢＺＴ焼結体が確実
に得られる。そのままでは焼結し難いＢａ3 ＺｎＴａ2
Ｏ9 の仮焼物の粉末を歩留りよく高密度の焼結体とする
ことができるのである。つまり、ＺｎＴａ2 Ｏ6 は焼結
助剤の役割を果たすのである。
【００１６】焼結性向上の効能があるＺｎＴａ2 Ｏ
6 は、勿論ＢＺＴとは異なる化合物であるが、ＢＺＴに
含まれる元素以外の元素を含まないため、不純物的要素
が極めて薄く、他の特性への悪影響が実質的には無く、
得られたＢＺＴ焼結体では、重要性能である誘電率、Ｑ
値および共振周波数の温度係数に関しては、適正なＢＺ
Ｔが本来もつ優れた特性となっている。例えば、Ｑ値に
関しては２万程度のものが容易に得られる。市販のＢＺ
Ｔ焼結体のＱ値は、普通、１万に達しない程度である。
6 は、勿論ＢＺＴとは異なる化合物であるが、ＢＺＴに
含まれる元素以外の元素を含まないため、不純物的要素
が極めて薄く、他の特性への悪影響が実質的には無く、
得られたＢＺＴ焼結体では、重要性能である誘電率、Ｑ
値および共振周波数の温度係数に関しては、適正なＢＺ
Ｔが本来もつ優れた特性となっている。例えば、Ｑ値に
関しては２万程度のものが容易に得られる。市販のＢＺ
Ｔ焼結体のＱ値は、普通、１万に達しない程度である。
【００１７】それに、副材料であるＺｎＴａ2 Ｏ6 は、
主原料と同じ出発原料を用い同じような工程で得られる
し、ＺｎＴａ2 Ｏ6 を添加した後は従来と同じような工
程を実行するだけであるから、この発明の実施は極めて
容易であり、優れたＢＺＴ焼結体が簡単に得られること
になる。
主原料と同じ出発原料を用い同じような工程で得られる
し、ＺｎＴａ2 Ｏ6 を添加した後は従来と同じような工
程を実行するだけであるから、この発明の実施は極めて
容易であり、優れたＢＺＴ焼結体が簡単に得られること
になる。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。この発
明は以下の実施例に限らないことは言うまでもない。 −実施例１− まず、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物の粉末を以下のよ
うにして作成した。
明は以下の実施例に限らないことは言うまでもない。 −実施例１− まず、Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物の粉末を以下のよ
うにして作成した。
【００１９】出発原料であるＢａＣＯ3 粉末、ＺｎＯ粉
末およびＴａ2 Ｏ5 粉末をＢＺＴの化学量論比に従って
計量し、樹脂製のボールミルにより重量比で２倍の純水
中で十分に混合してから空気中で乾燥した。乾燥後の混
合粉末を金型を用いて成形したあと、成形体を１０００
℃の空気中で１８時間仮焼してから冷却し、その後、回
転式ボールミルで粉砕して粉末化することによりＢａ3
ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物の粉末を得た。得
られた粉末の平均粒径は約１μｍであった。
末およびＴａ2 Ｏ5 粉末をＢＺＴの化学量論比に従って
計量し、樹脂製のボールミルにより重量比で２倍の純水
中で十分に混合してから空気中で乾燥した。乾燥後の混
合粉末を金型を用いて成形したあと、成形体を１０００
℃の空気中で１８時間仮焼してから冷却し、その後、回
転式ボールミルで粉砕して粉末化することによりＢａ3
ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物の粉末を得た。得
られた粉末の平均粒径は約１μｍであった。
【００２０】一方、ＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末を以下のよう
にして作成した。出発原料であるＺｎＯ粉末とＴａ2 Ｏ
5 粉末をＺｎＴａ2 Ｏ6 の化学量論比に従って計量し、
樹脂製のボールミルにより重量比で２倍の純水中で十分
に混合してから空気中で乾燥した。乾燥後の混合粉末を
金型を用いて成形したあと、成形体を１１５０℃の空気
中で２４時間焼成してから冷却し、その後、振動ミルで
粉砕することによりＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末を得た。得ら
れた粉末の平均粒径は約１μｍであった。
にして作成した。出発原料であるＺｎＯ粉末とＴａ2 Ｏ
5 粉末をＺｎＴａ2 Ｏ6 の化学量論比に従って計量し、
樹脂製のボールミルにより重量比で２倍の純水中で十分
に混合してから空気中で乾燥した。乾燥後の混合粉末を
金型を用いて成形したあと、成形体を１１５０℃の空気
中で２４時間焼成してから冷却し、その後、振動ミルで
粉砕することによりＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末を得た。得ら
れた粉末の平均粒径は約１μｍであった。
【００２１】このようして得た主材料であるＢａ3 Ｚｎ
Ｔａ2 Ｏ9 の仮焼物の粉末と副材料であるＺｎＴａ2 Ｏ
6 の粉末を、仮焼物１００wt％に対しＺｎＴａ2 Ｏ6 を
０．３wt％で配合して重量比で１．５倍の純水中で樹脂
製のボールミルを用いて十分に混合してから空気中で乾
燥した。乾燥後の混合粉末に０．０６wt％の有機系バイ
ンダーであるポリビニルアルコールを添加し金型で成形
した後、作成した成形体を本焼成する。なお、成形体の
寸法は直径１４ｍｍで高さ６ｍｍとした。本焼成では、
１５５０℃で５時間、ついで、１４００℃で８０時間の
アニールのための熱処理を行い、ＢＺＴ焼結体を得た。
Ｔａ2 Ｏ9 の仮焼物の粉末と副材料であるＺｎＴａ2 Ｏ
6 の粉末を、仮焼物１００wt％に対しＺｎＴａ2 Ｏ6 を
０．３wt％で配合して重量比で１．５倍の純水中で樹脂
製のボールミルを用いて十分に混合してから空気中で乾
燥した。乾燥後の混合粉末に０．０６wt％の有機系バイ
ンダーであるポリビニルアルコールを添加し金型で成形
した後、作成した成形体を本焼成する。なお、成形体の
寸法は直径１４ｍｍで高さ６ｍｍとした。本焼成では、
１５５０℃で５時間、ついで、１４００℃で８０時間の
アニールのための熱処理を行い、ＢＺＴ焼結体を得た。
【００２２】−実施例２− Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物１００wt％に対し、Ｚｎ
Ｔａ2 Ｏ6 を０．５wtの配合量で添加した他は、実施例
１と同様にしてＢＺＴ焼結体を得た。 −実施例３− Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物１００wt％に対し、Ｚｎ
Ｔａ2 Ｏ6 を０．８wtの配合量で添加した他は、実施例
１と同様にしてＢＺＴ焼結体を得た。
Ｔａ2 Ｏ6 を０．５wtの配合量で添加した他は、実施例
１と同様にしてＢＺＴ焼結体を得た。 −実施例３− Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物１００wt％に対し、Ｚｎ
Ｔａ2 Ｏ6 を０．８wtの配合量で添加した他は、実施例
１と同様にしてＢＺＴ焼結体を得た。
【００２３】−実施例４− Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 の仮焼物１００wt％に対し、Ｚｎ
Ｔａ2 Ｏ6 を１．０wtの配合量で添加した他は、実施例
１と同様にしてＢＺＴ焼結体を得た。 −比較例１− ＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末を添加しなかった他は、実施例１
と同様にしてＢＺＴ焼結体を得た。
Ｔａ2 Ｏ6 を１．０wtの配合量で添加した他は、実施例
１と同様にしてＢＺＴ焼結体を得た。 −比較例１− ＺｎＴａ2 Ｏ6 の粉末を添加しなかった他は、実施例１
と同様にしてＢＺＴ焼結体を得た。
【００２４】実施例、比較例のＢＺＴ焼結体について、
比誘電率、Ｑ値、共振周波数の温度係数および密度を測
定した。測定結果を表１に示す。なお、Ｑ値は円柱共振
法に従って測定した。測定周波数は７ＧHzであり、Ｑ×
ｆ＝一定の関係を利用して１０ＧHzにおけるＱ値を算出
するようにした。ＢＺＴ焼結体より直径１２、高さ５ｍ
ｍの試料を得て、共振器を構成した。供試の共振器を挟
む金属板には純銅板（直径４４ｍｍ 、厚み２ｍｍ）を
使い、実効導電率σｅは銅の直流導電率σｏの８０％
（σｅ＝０．８×σｏ）とした。なお、測定に用いたア
ナライザは（ヒューレットパッカード社製 ８７２０
Ａ）を用いた。
比誘電率、Ｑ値、共振周波数の温度係数および密度を測
定した。測定結果を表１に示す。なお、Ｑ値は円柱共振
法に従って測定した。測定周波数は７ＧHzであり、Ｑ×
ｆ＝一定の関係を利用して１０ＧHzにおけるＱ値を算出
するようにした。ＢＺＴ焼結体より直径１２、高さ５ｍ
ｍの試料を得て、共振器を構成した。供試の共振器を挟
む金属板には純銅板（直径４４ｍｍ 、厚み２ｍｍ）を
使い、実効導電率σｅは銅の直流導電率σｏの８０％
（σｅ＝０．８×σｏ）とした。なお、測定に用いたア
ナライザは（ヒューレットパッカード社製 ８７２０
Ａ）を用いた。
【００２５】円柱共振法の場合、高周波誘電体の誘電率
に基づいてＴＥモードの誘電体共振器を設計作成し、作
成した共振器を直径の４倍程度の直径を有する銅板で挟
んでネットワークアナライザにより共振器の共振周波数
および半値幅を測定する。この時のネットワークアナラ
イザの測定値から直接算出されるＱ値には銅板による損
失が誤差分が含まれている。銅板の表面抵抗による損失
が誤差分として含まれるのである。
に基づいてＴＥモードの誘電体共振器を設計作成し、作
成した共振器を直径の４倍程度の直径を有する銅板で挟
んでネットワークアナライザにより共振器の共振周波数
および半値幅を測定する。この時のネットワークアナラ
イザの測定値から直接算出されるＱ値には銅板による損
失が誤差分が含まれている。銅板の表面抵抗による損失
が誤差分として含まれるのである。
【００２６】高周波誘電体自身のみのＱ値を出すために
は銅板での損失に起因する誤差分を除く必要がある。た
だ、周波数が１０ＧHzと高い場合には高周波電流は銅板
の表面だけを流れるため銅の直流導電率σｏをそのまま
適用して銅板での損失を算出しても正しい値とはなら
ず、マイクロ波領域における実効導電率σｅを求め、こ
れを適用する必要がある。実効導電率は同一の材料から
作成したＴＥ011 モードの共振器およびＴＥ013 モード
の共振器における共振周波数およびネットワークアナラ
イザで直に得られたＱ値の差に基づいて表面抵抗を求
め、この結果から実効導電率σｅ／銅の直流導電率σｏ
の比率を求める。この場合、この比率が０．８なのであ
る。得られた結果より銅板の表面抵抗によるＱ値を求
め、直に得たＱ値から、求めた銅板の表面抵抗によるＱ
値を差し引く補正演算を施し、最終的にＢＺＴ焼結体の
Ｑ値を得るようにする。
は銅板での損失に起因する誤差分を除く必要がある。た
だ、周波数が１０ＧHzと高い場合には高周波電流は銅板
の表面だけを流れるため銅の直流導電率σｏをそのまま
適用して銅板での損失を算出しても正しい値とはなら
ず、マイクロ波領域における実効導電率σｅを求め、こ
れを適用する必要がある。実効導電率は同一の材料から
作成したＴＥ011 モードの共振器およびＴＥ013 モード
の共振器における共振周波数およびネットワークアナラ
イザで直に得られたＱ値の差に基づいて表面抵抗を求
め、この結果から実効導電率σｅ／銅の直流導電率σｏ
の比率を求める。この場合、この比率が０．８なのであ
る。得られた結果より銅板の表面抵抗によるＱ値を求
め、直に得たＱ値から、求めた銅板の表面抵抗によるＱ
値を差し引く補正演算を施し、最終的にＢＺＴ焼結体の
Ｑ値を得るようにする。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１にみるように、比較例では焼結しない
ような仮焼物であっても、この発明によれば、ＺｎＴａ
2 Ｏ6 の添加だけで、比誘電率、Ｑ値、共振周波数の温
度係数および密度がいずれも十分なＢＺＴ焼結体が簡単
に得られるようになることが良く分かる。
ような仮焼物であっても、この発明によれば、ＺｎＴａ
2 Ｏ6 の添加だけで、比誘電率、Ｑ値、共振周波数の温
度係数および密度がいずれも十分なＢＺＴ焼結体が簡単
に得られるようになることが良く分かる。
【００２９】
【発明の効果】この発明のＢＺＴ焼結体の製造方法で
は、主材料たるＢａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 に添加されるＺｎ
Ｔａ2 Ｏ6 が焼結性を高めるため、高密度のＢＺＴ焼結
体を歩留りよく得ることが出来るだけでなく、この焼結
性向上の効能があるＺｎＴａ2 Ｏ6 はＱ値の低下を招く
ような不純物的性格が極めて薄く、得られたＢＺＴ焼結
体では適正なＢＺＴが本来もつ優れた特性となってお
り、しかも、ＺｎＴａ2 Ｏ6 は主原料と同じ出発原料を
用い同じような工程で得られるし、ＺｎＴａ2 Ｏ6 の添
加後は従来と同じような工程を実行するだけであるた
め、優れたＢＺＴ焼結体が簡単に得られることになる。
は、主材料たるＢａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 に添加されるＺｎ
Ｔａ2 Ｏ6 が焼結性を高めるため、高密度のＢＺＴ焼結
体を歩留りよく得ることが出来るだけでなく、この焼結
性向上の効能があるＺｎＴａ2 Ｏ6 はＱ値の低下を招く
ような不純物的性格が極めて薄く、得られたＢＺＴ焼結
体では適正なＢＺＴが本来もつ優れた特性となってお
り、しかも、ＺｎＴａ2 Ｏ6 は主原料と同じ出発原料を
用い同じような工程で得られるし、ＺｎＴａ2 Ｏ6 の添
加後は従来と同じような工程を実行するだけであるた
め、優れたＢＺＴ焼結体が簡単に得られることになる。
【００３０】ＺｎＴａ2 Ｏ6 の添加量がＢａ3 ＺｎＴａ
2 Ｏ9 の仮焼物１００wt％に対し０．０１〜２wt％であ
れば、ＺｎＴａ2 Ｏ6 添加効果が適切な状態で確実に生
じるようになる。
2 Ｏ9 の仮焼物１００wt％に対し０．０１〜２wt％であ
れば、ＺｎＴａ2 Ｏ6 添加効果が適切な状態で確実に生
じるようになる。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｂａ3 ＺｎＴａ2 Ｏ9 であらわされる仮
焼物を焼成して焼結させるようにするＢＺＴ焼結体の製
造方法において、前記仮焼物にＺｎＴａ2 Ｏ6 を添加し
て焼成するようにすることを特徴とするＢＺＴ焼結体の
製造方法。 - 【請求項２】 ＺｎＴａ2 Ｏ6 の添加量がＢａ3 ＺｎＴ
ａ2 Ｏ9 であらわされる仮焼物１００wt％に対し０．０
１〜２wt％である請求項１記載のＢＺＴ焼結体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3360473A JPH05182521A (ja) | 1991-12-31 | 1991-12-31 | Ｂｚｔ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3360473A JPH05182521A (ja) | 1991-12-31 | 1991-12-31 | Ｂｚｔ焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182521A true JPH05182521A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18469557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3360473A Pending JPH05182521A (ja) | 1991-12-31 | 1991-12-31 | Ｂｚｔ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182521A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4896147A (en) * | 1986-09-10 | 1990-01-23 | Tokyo Electric Co., Ltd. | Display device for displaying characters of different character sizes |
| KR100360974B1 (ko) * | 2000-08-24 | 2002-11-23 | 주식회사 아모텍 | 유전체 세라믹 조성물의 제조방법 |
| CN112979311A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-06-18 | 昆明理工大学 | 一种超低温烧结制备纳米晶a4b2o9型钽酸盐陶瓷及其方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03210704A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-13 | Nikko Co | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
-
1991
- 1991-12-31 JP JP3360473A patent/JPH05182521A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03210704A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-13 | Nikko Co | 高周波誘電体用焼結体の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4896147A (en) * | 1986-09-10 | 1990-01-23 | Tokyo Electric Co., Ltd. | Display device for displaying characters of different character sizes |
| KR100360974B1 (ko) * | 2000-08-24 | 2002-11-23 | 주식회사 아모텍 | 유전체 세라믹 조성물의 제조방법 |
| CN112979311A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-06-18 | 昆明理工大学 | 一种超低温烧结制备纳米晶a4b2o9型钽酸盐陶瓷及其方法 |
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