JPH0514600A - 原稿読み取り装置 - Google Patents
原稿読み取り装置Info
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- JPH0514600A JPH0514600A JP3157932A JP15793291A JPH0514600A JP H0514600 A JPH0514600 A JP H0514600A JP 3157932 A JP3157932 A JP 3157932A JP 15793291 A JP15793291 A JP 15793291A JP H0514600 A JPH0514600 A JP H0514600A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】読み取りの精度及び感度を向上させた原稿読み
取り装置を提供する。 【構成】本発明の原稿読み取り装置は光源１と、所定の
間隔で直線状に配列された複数個のレンズ２と、各レン
ズ２に１対１に対応するように直線状に配列された多数
の光電変換素子３ａを有する複数個の半導体チップ３
と、各半導体チップ３間に配された遮光板４とで構成し
た。原稿５からの反射光はレンズ２によって複数のブロ
ックに分割されるとともに縮小された状態で半導体チッ
プ３に照射されるため、各半導体チップ３の形状は長さ
の短い小型のものとなり、切り出し部と該切り出し部近
傍の光電変換素子３ａとの距離を長くすることができ
る。その結果、切り出し部近傍の光電変換素子３ａに切
り出し時の応力が付加されて歪みを生ずることは無くな
り、原稿読み取り精度及び感度を高いものとなすことが
できる。
取り装置を提供する。 【構成】本発明の原稿読み取り装置は光源１と、所定の
間隔で直線状に配列された複数個のレンズ２と、各レン
ズ２に１対１に対応するように直線状に配列された多数
の光電変換素子３ａを有する複数個の半導体チップ３
と、各半導体チップ３間に配された遮光板４とで構成し
た。原稿５からの反射光はレンズ２によって複数のブロ
ックに分割されるとともに縮小された状態で半導体チッ
プ３に照射されるため、各半導体チップ３の形状は長さ
の短い小型のものとなり、切り出し部と該切り出し部近
傍の光電変換素子３ａとの距離を長くすることができ
る。その結果、切り出し部近傍の光電変換素子３ａに切
り出し時の応力が付加されて歪みを生ずることは無くな
り、原稿読み取り精度及び感度を高いものとなすことが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ等に用い
られる密着型の原稿読み取り装置に関するものである。
られる密着型の原稿読み取り装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、密着型イメージセンサ等の原稿読み
取り装置の開発が活発に行われている。
取り装置の開発が活発に行われている。
【０００３】かかる従来の原稿読み取り装置は通常、図
５に示すように蛍光灯等から成る光源１１と正立等倍光
学系のロッドレンズアレイ１２と多数の光電変換素子１
３ａを有する半導体チップ１３とにより構成されてお
り、光源１１が原稿１５に投光し、その反射光をロッド
レンズアレイ１２を介して半導体チップ１３の各光電変
換素子１３ａ上に照射させるとともに各光電変換素子１
３ａに照射された光に対応する光電変換を起こさせるこ
とによって、原稿１５の画像を読み取るようになってい
る。
５に示すように蛍光灯等から成る光源１１と正立等倍光
学系のロッドレンズアレイ１２と多数の光電変換素子１
３ａを有する半導体チップ１３とにより構成されてお
り、光源１１が原稿１５に投光し、その反射光をロッド
レンズアレイ１２を介して半導体チップ１３の各光電変
換素子１３ａ上に照射させるとともに各光電変換素子１
３ａに照射された光に対応する光電変換を起こさせるこ
とによって、原稿１５の画像を読み取るようになってい
る。
【０００４】
【従来技術の問題点】しかしながらこの従来の原稿読み
取り装置においては原稿１５からの反射光を半導体チッ
プ１３上の光電変換素子１３ａに照射するロッドレンズ
アレイ１２が正立等倍光学系であり、原稿１５からの反
射光をそのまま等倍で光電変換素子１３ａに照射するた
め半導体チップ１３上の光電変換素子１３ａは所定間隔
で原稿１５と実質的に同一の長さ（例えばＡ４サイズの
場合は２１６ｍｍ）に直線状に配列することが必要とな
り、光電変換素子１３ａの配列が極めて長尺なものとな
る欠点を有していた。
取り装置においては原稿１５からの反射光を半導体チッ
プ１３上の光電変換素子１３ａに照射するロッドレンズ
アレイ１２が正立等倍光学系であり、原稿１５からの反
射光をそのまま等倍で光電変換素子１３ａに照射するた
め半導体チップ１３上の光電変換素子１３ａは所定間隔
で原稿１５と実質的に同一の長さ（例えばＡ４サイズの
場合は２１６ｍｍ）に直線状に配列することが必要とな
り、光電変換素子１３ａの配列が極めて長尺なものとな
る欠点を有していた。
【０００５】また前記光電変換素子１３ａを所定の間隔
で配列させた長尺の半導体チップ１３は現在の半導体製
造技術においてその製造が極めて困難であることから通
常一般には一定寸法の半導体基板から長さが短い良品の
半導体チップ１３を切り出し、該長さの短い半導体チッ
プ１３を複数個直線状に配列することによって光電変換
素子１３ａを原稿１５と実質的に同一の長さに配列させ
ている。
で配列させた長尺の半導体チップ１３は現在の半導体製
造技術においてその製造が極めて困難であることから通
常一般には一定寸法の半導体基板から長さが短い良品の
半導体チップ１３を切り出し、該長さの短い半導体チッ
プ１３を複数個直線状に配列することによって光電変換
素子１３ａを原稿１５と実質的に同一の長さに配列させ
ている。
【０００６】しかしながら半導体基板から良品の半導体
チップ１３を切り出す際、半導体チップ１３上にはその
全域に亘って多数の光電変換素子１３ａが形成されてい
るため、切り出し時の応力が切り出し部近傍の光電変換
素子１３ａに付加されて歪みを発生させ、その結果、光
電変換素子１３ａに正確な光電変換を起こさせることが
できなくなって原稿の読み取り精度が低下するという欠
点を有していた。
チップ１３を切り出す際、半導体チップ１３上にはその
全域に亘って多数の光電変換素子１３ａが形成されてい
るため、切り出し時の応力が切り出し部近傍の光電変換
素子１３ａに付加されて歪みを発生させ、その結果、光
電変換素子１３ａに正確な光電変換を起こさせることが
できなくなって原稿の読み取り精度が低下するという欠
点を有していた。
【０００７】尚、上記欠点を解消するために半導体チッ
プ１３上に形成されている各光電変換素子１３ａの面積
を狭くし、半導体チップ切り出し部と切り出し部に近接
する光電変換素子１３ａとの距離を長くしておくことが
考えられる。
プ１３上に形成されている各光電変換素子１３ａの面積
を狭くし、半導体チップ切り出し部と切り出し部に近接
する光電変換素子１３ａとの距離を長くしておくことが
考えられる。
【０００８】しかしながら各光電変換素子１３ａの面積
を狭くすると各光電変換素子１３ａにおける変換電気量
が小となり、原稿読み取りの感度が低下してしまうとい
う欠点を誘発してしまう。
を狭くすると各光電変換素子１３ａにおける変換電気量
が小となり、原稿読み取りの感度が低下してしまうとい
う欠点を誘発してしまう。
【０００９】
【問題点を解決するための手段】本発明の原稿読み取り
装置は、光源と、所定の間隔で直線状に配列された複数
個のレンズと、各レンズに１対１に対応するように直線
状に配列された多数の光電変換素子を有する複数個の半
導体チップと、各半導体チップ間に配された遮光板とか
ら成ることを特徴とする。
装置は、光源と、所定の間隔で直線状に配列された複数
個のレンズと、各レンズに１対１に対応するように直線
状に配列された多数の光電変換素子を有する複数個の半
導体チップと、各半導体チップ間に配された遮光板とか
ら成ることを特徴とする。
【００１０】また本発明の原稿読み取り装置は、隣接す
る２個のレンズ間に各レンズから等距離となる位置で、
且つレンズの配列方向と平行に光源を配したことを特徴
とする。
る２個のレンズ間に各レンズから等距離となる位置で、
且つレンズの配列方向と平行に光源を配したことを特徴
とする。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１２】図１は本発明の原稿読み取り装置の一実施
例を示す分解斜視図、図２は図１の原稿読み取り装置を
Ｒ方向から見た側面図であり、図中の１は光源、２はレ
ンズ、３は多数の光電変換素子３ａを有する半導体チッ
プ、４は遮光板、５は原稿である。
例を示す分解斜視図、図２は図１の原稿読み取り装置を
Ｒ方向から見た側面図であり、図中の１は光源、２はレ
ンズ、３は多数の光電変換素子３ａを有する半導体チッ
プ、４は遮光板、５は原稿である。
【００１３】前記光源１は発光ダイオードや蛍光灯等か
ら成り、原稿５の斜め下方に原稿５に対し平行となるよ
うに配置されている。
ら成り、原稿５の斜め下方に原稿５に対し平行となるよ
うに配置されている。
【００１４】前記光源１は原稿５の下面に対し斜めに投
光し、その反射光を光電変換素子３ａに照射することに
よって原稿５の画像情報を光電変換素子３ａに伝達させ
る作用を為す。
光し、その反射光を光電変換素子３ａに照射することに
よって原稿５の画像情報を光電変換素子３ａに伝達させ
る作用を為す。
【００１５】また前記光源１が投光する原稿５の下方に
は複数個のレンズ２が原稿５から所定の距離Ｘを隔てた
位置に所定の隣接距離Ｙをもって直線状に配されてお
り、該各レンズ２は原稿５で反射する光源１の光をＡ〜
Ｈのブロックに分割するとともに各分割したブロックの
反射光を半導体チップ３上の光電変換素子３ａに縮小照
射させる作用を為す。
は複数個のレンズ２が原稿５から所定の距離Ｘを隔てた
位置に所定の隣接距離Ｙをもって直線状に配されてお
り、該各レンズ２は原稿５で反射する光源１の光をＡ〜
Ｈのブロックに分割するとともに各分割したブロックの
反射光を半導体チップ３上の光電変換素子３ａに縮小照
射させる作用を為す。
【００１６】尚、前記レンズ２はガラス、樹脂等の透明
凸状体から成り、例えば焦点距離（ｆ．ｌ．）がｆ．
ｌ．＝３．４２９ｍｍのものが好適に使用される。
凸状体から成り、例えば焦点距離（ｆ．ｌ．）がｆ．
ｌ．＝３．４２９ｍｍのものが好適に使用される。
【００１７】また前記レンズ２は従来の如き高価なロッ
ドレンズアレイを使用するのでなく、極めて安価な透明
凸状体を使用することから製品としての原稿読み取り装
置を安価なものとなすことができる。
ドレンズアレイを使用するのでなく、極めて安価な透明
凸状体を使用することから製品としての原稿読み取り装
置を安価なものとなすことができる。
【００１８】前記直線状に配されたレンズ２の下方には
また上面に多数の光電変換素子３ａを有する半導体チッ
プ３が所定の距離Ｚを隔ててレンズ２と１対１に対応す
る数だけ直線状に配されている。
また上面に多数の光電変換素子３ａを有する半導体チッ
プ３が所定の距離Ｚを隔ててレンズ２と１対１に対応す
る数だけ直線状に配されている。
【００１９】前記各半導体チップ３の上面に形成された
光電変換素子３ａはレンズ２を介して照射される原稿５
における反射光を所定の電気信号に変換する作用を為
し、これによって原稿５の画像情報が電気信号に変換さ
れる。
光電変換素子３ａはレンズ２を介して照射される原稿５
における反射光を所定の電気信号に変換する作用を為
し、これによって原稿５の画像情報が電気信号に変換さ
れる。
【００２０】尚、この場合、原稿５からの反射光はレン
ズ２によってＡ〜Ｈのブロックに分割されるとともに縮
小されたものとなっているため、上面に光電変換素子３
ａを有する半導体チップ３はその各々の形状が長さの短
いものであってよく、また、各半導体チップ３はその一
端を接触させて直線状に長尺に配列する必要もない。従
って、従来の如き光電変換素子３ａを原稿５と実質的に
同一長さとするように複数個の半導体チップ３を直線状
に長尺に配列する必要もない。
ズ２によってＡ〜Ｈのブロックに分割されるとともに縮
小されたものとなっているため、上面に光電変換素子３
ａを有する半導体チップ３はその各々の形状が長さの短
いものであってよく、また、各半導体チップ３はその一
端を接触させて直線状に長尺に配列する必要もない。従
って、従来の如き光電変換素子３ａを原稿５と実質的に
同一長さとするように複数個の半導体チップ３を直線状
に長尺に配列する必要もない。
【００２１】また同時に上面に光電変換素子３ａを有す
る半導体チップ３は全ての光電変換素子３ａの均一とす
るためにその一端を接触させて直線状に配列させる必要
がないことから、半導体基板の切り出しによって上面に
多数の光電変換素子３ａを有する半導体チップ３を得る
際、切り出し部と該切り出し部近傍の光電変換素子３ａ
との距離を長くすることができ、その結果、切り出し部
近傍の光電変換素子３ａに切り出し時の応力が付加され
て歪みを発生することはほとんど無く、これによって光
電変換素子３ａに正確な光電変換を起こさせて原稿５の
読み取り精度を大幅に向上させることもできる。
る半導体チップ３は全ての光電変換素子３ａの均一とす
るためにその一端を接触させて直線状に配列させる必要
がないことから、半導体基板の切り出しによって上面に
多数の光電変換素子３ａを有する半導体チップ３を得る
際、切り出し部と該切り出し部近傍の光電変換素子３ａ
との距離を長くすることができ、その結果、切り出し部
近傍の光電変換素子３ａに切り出し時の応力が付加され
て歪みを発生することはほとんど無く、これによって光
電変換素子３ａに正確な光電変換を起こさせて原稿５の
読み取り精度を大幅に向上させることもできる。
【００２２】更には半導体チップ３上の光電変換素子３
ａに照射される原稿５からの反射光はレンズ２によって
縮小されているため、光電変換素子３ａの面積を狭くし
てもその変換電気量を大と成すことができ、その結果、
原稿読み取りの感度を高いものとなすことができる。
ａに照射される原稿５からの反射光はレンズ２によって
縮小されているため、光電変換素子３ａの面積を狭くし
てもその変換電気量を大と成すことができ、その結果、
原稿読み取りの感度を高いものとなすことができる。
【００２３】尚、前記上面に多数の光電変換素子３ａを
有する半導体チップ３は、ガラスやセラミック等の絶縁
基板上に接着材を介して固定されており、各半導体チッ
プ３の各電極は基板上に形成した外部駆動回路に接続さ
れるアルミニウムや金等から成る導体パターンにボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続されている。
有する半導体チップ３は、ガラスやセラミック等の絶縁
基板上に接着材を介して固定されており、各半導体チッ
プ３の各電極は基板上に形成した外部駆動回路に接続さ
れるアルミニウムや金等から成る導体パターンにボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続されている。
【００２４】また前記半導体チップ３の隣接間には遮光
板４が配されており、該遮光板４は各々の半導体チップ
３に不要な光が照射されて各半導体チップ３の光電変換
素子３ａに不必要な光電変換が行われるのを有効に防止
する作用を為し、これによって各半導体チップ３の光電
変換素子３ａには原稿５の画像情報に対応した正確な光
電変換を行わせることが可能となる。
板４が配されており、該遮光板４は各々の半導体チップ
３に不要な光が照射されて各半導体チップ３の光電変換
素子３ａに不必要な光電変換が行われるのを有効に防止
する作用を為し、これによって各半導体チップ３の光電
変換素子３ａには原稿５の画像情報に対応した正確な光
電変換を行わせることが可能となる。
【００２５】尚、前記遮光板４は光を遮断するものであ
れば如何なる材料より成ってもよい。
れば如何なる材料より成ってもよい。
【００２６】かくして上述した原稿読み取り装置は光源
１が原稿５に投光し、その反射光をレンズ２を介して半
導体チップ３の上面に形成された光電変換素子３ａに照
射させ、各光電変換素子３ａに照射させた光に対応する
光電変換を起こさせることによって原稿読み取り装置と
して機能する。
１が原稿５に投光し、その反射光をレンズ２を介して半
導体チップ３の上面に形成された光電変換素子３ａに照
射させ、各光電変換素子３ａに照射させた光に対応する
光電変換を起こさせることによって原稿読み取り装置と
して機能する。
【００２７】尚、上述した原稿読み取り装置においては
レンズ２が凸状を成しているため、図４に示す如く、原
稿５からの反射光がレンズ２にθの角度で入射すると、
θの値が大きくなるに伴ってレンズ２を透過した反射光
の光量が低減されてむらを生じ、これに伴って半導体チ
ップ３上の光電変換素子３ａにおける原稿５の画像情報
の読み取り精度が低下してしまう恐れがある。
レンズ２が凸状を成しているため、図４に示す如く、原
稿５からの反射光がレンズ２にθの角度で入射すると、
θの値が大きくなるに伴ってレンズ２を透過した反射光
の光量が低減されてむらを生じ、これに伴って半導体チ
ップ３上の光電変換素子３ａにおける原稿５の画像情報
の読み取り精度が低下してしまう恐れがある。
【００２８】しかしながら、この場合、隣接する２個の
レンズ２間に各レンズ２から等距離となる位置で、且つ
レンズ２の配列方向と平行に光源１を配することで上述
の問題を解消することができる。
レンズ２間に各レンズ２から等距離となる位置で、且つ
レンズ２の配列方向と平行に光源１を配することで上述
の問題を解消することができる。
【００２９】即ち、図５に示すように隣接するレンズ２
間に各々のレンズ２から等距離となる位置に光源１を配
すれば光源１の光量が多い部分に対応する原稿５からの
反射光はレンズ２に大きなθの角度で入射され、また光
源１の光量が少ない部分に対応する原稿５からの反射光
はレンズ２に小さなθの角度で入射されることとなり、
その結果、レンズ２に入射される反射光の入射角度によ
って発生する光量むらはレンズ２に入射する反射光の光
量で相補的に打ち消し合い、これによって半導体チップ
３上面の光電変換素子３ａには実質的に均一な光が照射
され、各光電変換素子３ａに正確な光電変換を起こさせ
て原稿の画像情報の読み取り精度を向上させることが可
能となる。
間に各々のレンズ２から等距離となる位置に光源１を配
すれば光源１の光量が多い部分に対応する原稿５からの
反射光はレンズ２に大きなθの角度で入射され、また光
源１の光量が少ない部分に対応する原稿５からの反射光
はレンズ２に小さなθの角度で入射されることとなり、
その結果、レンズ２に入射される反射光の入射角度によ
って発生する光量むらはレンズ２に入射する反射光の光
量で相補的に打ち消し合い、これによって半導体チップ
３上面の光電変換素子３ａには実質的に均一な光が照射
され、各光電変換素子３ａに正確な光電変換を起こさせ
て原稿の画像情報の読み取り精度を向上させることが可
能となる。
【００３０】尚、本発明においては原稿５とレンズ２の
距離及びレンズ２と半導体チップ３の距離を可変するこ
とによって原稿５の読み取り画素密度を可変することが
でき、例えば、レンズ２の焦点距離（ｆ．ｌ．）をｆ．
ｌ．＝３．４２９ｍｍとしたとき、原稿５とレンズ２の
距離Ｘを１２ｍｍ、レンズ２と半導体チップ３の距離Ｚ
を４．８ｍｍとすれば原稿５の読み取り画素密度は８ｄ
ｏｔ／ｍｍとなり、また原稿５とレンズ２の距離Ｘを
７．７１５ｍｍ、レンズ２と半導体チップ３の距離Ｚを
６．１７２ｍｍとすれば原稿５の読み取り画素密度は１
６ｄｏｔ／ｍｍとなる。従って、同一のレンズ、同一の
半導体チップをそのまま用い、原稿とレンズの距離、レ
ンズと半導体チップの距離を変えることによって原稿の
読み取り画素密度を所定の任意の値に変更選択すること
が可能となる。
距離及びレンズ２と半導体チップ３の距離を可変するこ
とによって原稿５の読み取り画素密度を可変することが
でき、例えば、レンズ２の焦点距離（ｆ．ｌ．）をｆ．
ｌ．＝３．４２９ｍｍとしたとき、原稿５とレンズ２の
距離Ｘを１２ｍｍ、レンズ２と半導体チップ３の距離Ｚ
を４．８ｍｍとすれば原稿５の読み取り画素密度は８ｄ
ｏｔ／ｍｍとなり、また原稿５とレンズ２の距離Ｘを
７．７１５ｍｍ、レンズ２と半導体チップ３の距離Ｚを
６．１７２ｍｍとすれば原稿５の読み取り画素密度は１
６ｄｏｔ／ｍｍとなる。従って、同一のレンズ、同一の
半導体チップをそのまま用い、原稿とレンズの距離、レ
ンズと半導体チップの距離を変えることによって原稿の
読み取り画素密度を所定の任意の値に変更選択すること
が可能となる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の原稿読み取り装置は、光源と、
所定の間隔で直線状に配列された複数個のレンズと、各
レンズに１対１に対応するように直線状に配列された多
数の光電変換素子を有する複数個の半導体チップと、各
半導体チップ間に配された遮光板とで形成したことか
ら、原稿からの反射光はレンズによって複数のブロック
に分割されるとともに縮小された状態で上面に光電変換
素子を有する半導体チップに照射されるため各半導体チ
ップはその各々の形状が長さの短い小型のものであって
よく、また各半導体チップはその一端を接触させて直線
状に長尺に配列する必要もない。
所定の間隔で直線状に配列された複数個のレンズと、各
レンズに１対１に対応するように直線状に配列された多
数の光電変換素子を有する複数個の半導体チップと、各
半導体チップ間に配された遮光板とで形成したことか
ら、原稿からの反射光はレンズによって複数のブロック
に分割されるとともに縮小された状態で上面に光電変換
素子を有する半導体チップに照射されるため各半導体チ
ップはその各々の形状が長さの短い小型のものであって
よく、また各半導体チップはその一端を接触させて直線
状に長尺に配列する必要もない。
【００３２】また各半導体チップの上面に形成された光
電変換素子に照射される原稿からの反射光はレンズによ
って縮小されているため、光電変換素子の面積を狭くし
てもその変換電気量を大と成すことができ、その結果、
原稿読み取りの感度を高いものとなすことができる。
電変換素子に照射される原稿からの反射光はレンズによ
って縮小されているため、光電変換素子の面積を狭くし
てもその変換電気量を大と成すことができ、その結果、
原稿読み取りの感度を高いものとなすことができる。
【００３３】更には、半導体チップの上面に形成された
光電変換素子は狭い面積であっても変換電気量が大であ
ることから光電変換素子の面積を狭くした場合、半導体
基板の切り出しによって上面に多数の光電変換素子を有
する半導体チップを得る際、切り出し部と該切り出し部
近傍の光電変換素子との距離が長くなり、その結果、切
り出し部近傍の光電変換素子に切り出し時の応力が付加
されて歪みを発生することはほとんど無く、これによっ
てすべての光電変換素子に正確な光電変換を起こさせて
原稿の読み取り精度を大幅に向上させることもできる。
光電変換素子は狭い面積であっても変換電気量が大であ
ることから光電変換素子の面積を狭くした場合、半導体
基板の切り出しによって上面に多数の光電変換素子を有
する半導体チップを得る際、切り出し部と該切り出し部
近傍の光電変換素子との距離が長くなり、その結果、切
り出し部近傍の光電変換素子に切り出し時の応力が付加
されて歪みを発生することはほとんど無く、これによっ
てすべての光電変換素子に正確な光電変換を起こさせて
原稿の読み取り精度を大幅に向上させることもできる。
【００３４】また更には前記半導体チップの隣接間に遮
光板が配されていることから各々の半導体チップに不要
な光が照射されて該半導体チップの上面に形成した光電
変換素子に不必要な光電変換が行われるのを有効に防止
することができ、これによって各半導体チップの光電変
換素子には原稿の画像情報に対応した正確な光電変換を
行わせることも可能となる。
光板が配されていることから各々の半導体チップに不要
な光が照射されて該半導体チップの上面に形成した光電
変換素子に不必要な光電変換が行われるのを有効に防止
することができ、これによって各半導体チップの光電変
換素子には原稿の画像情報に対応した正確な光電変換を
行わせることも可能となる。
【００３５】更にまた本発明の原稿読み取り装置におい
ては高価なロッドレンズアレイを使用しないことから装
置全体を安価となすこともできる。
ては高価なロッドレンズアレイを使用しないことから装
置全体を安価となすこともできる。
【図１】本発明の原稿読み取り装置の構成を示す分解斜
視図である。
視図である。
【図２】図１のＲ方向から見た側面図である。
【図３】レンズに入射される光の入射角度に対する光量
の関係を示した線図である。
の関係を示した線図である。
【図４】光源とレンズとを所定位置に配置した際のレン
ズを通過する光の光量を示した線図である。
ズを通過する光の光量を示した線図である。
【図５】従来例の原稿読み取り装置の構成を示す分解斜
視図である。
視図である。
１・・・・光源
２・・・・レンズ
３・・・・半導体チップ
３ａ・・・光電変換素子
４・・・・遮光板
５・・・・原稿
Claims (2)
- 【請求項１】 光源と、所定の間隔で直線状に配列され
た複数個のレンズと、各レンズに１対１に対応するよう
に直線状に配列された多数の光電変換素子を有する複数
個の半導体チップと、各半導体チップ間に配された遮光
板とから成る原稿読み取り装置。 - 【請求項２】 隣接する２個のレンズ間に各レンズから
等距離となる位置で、且つレンズの配列方向と平行に光
源を配したことを特徴とする請求項１記載の原稿読み取
り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157932A JPH0514600A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 原稿読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157932A JPH0514600A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 原稿読み取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514600A true JPH0514600A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15660631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3157932A Pending JPH0514600A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 原稿読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514600A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009011153A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corporation | 画像読取装置 |
| WO2009122483A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 三菱電機株式会社 | 画像読取装置 |
| DE102012100726A1 (de) | 2011-12-20 | 2013-06-20 | Mitsubishi Electric Corp. | Bildlesevorrichtung |
| US9264572B2 (en) | 2011-10-25 | 2016-02-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Image reading device |
| WO2022130736A1 (ja) | 2020-12-15 | 2022-06-23 | 株式会社ヴィーネックス | 光学ラインセンサ |
| WO2023238480A1 (ja) | 2022-06-08 | 2023-12-14 | 株式会社ヴィーネックス | 光学ラインセンサ |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3157932A patent/JPH0514600A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012235538A (ja) * | 2007-07-13 | 2012-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 画像読取装置 |
| US8482813B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-07-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Image-scanning device |
| JPWO2009011153A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2010-09-16 | 三菱電機株式会社 | 画像読取装置 |
| WO2009011153A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corporation | 画像読取装置 |
| EP2166743A4 (en) * | 2007-07-13 | 2012-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | IMAGE SCANNING DEVICE |
| JPWO2009122483A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-07-28 | 三菱電機株式会社 | 画像読取装置 |
| US8228566B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-07-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Image reading apparatus |
| WO2009122483A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 三菱電機株式会社 | 画像読取装置 |
| US9264572B2 (en) | 2011-10-25 | 2016-02-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Image reading device |
| DE102012100726A1 (de) | 2011-12-20 | 2013-06-20 | Mitsubishi Electric Corp. | Bildlesevorrichtung |
| US8711442B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-04-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Image reading apparatus |
| WO2022130736A1 (ja) | 2020-12-15 | 2022-06-23 | 株式会社ヴィーネックス | 光学ラインセンサ |
| KR20230106677A (ko) | 2020-12-15 | 2023-07-13 | 가부시키가이샤 비넥스 | 광학 라인 센서 |
| WO2023238480A1 (ja) | 2022-06-08 | 2023-12-14 | 株式会社ヴィーネックス | 光学ラインセンサ |
| KR20250005338A (ko) | 2022-06-08 | 2025-01-09 | 가부시키가이샤 비넥스 | 광학 라인 센서 |
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