JPH04364724A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH04364724A JPH04364724A JP14025191A JP14025191A JPH04364724A JP H04364724 A JPH04364724 A JP H04364724A JP 14025191 A JP14025191 A JP 14025191A JP 14025191 A JP14025191 A JP 14025191A JP H04364724 A JPH04364724 A JP H04364724A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に係り、特に、下地とのエンクローチメントの防
止、配線の酸化防止を図り、且つ、配線の応力を緩和し
た半導体装置及びその製造方法に関する。
造方法に係り、特に、下地とのエンクローチメントの防
止、配線の酸化防止を図り、且つ、配線の応力を緩和し
た半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の配線として、アルミ
ニウム、或いは、その合金が一般的に用いられている。 近年、半導体装置の高集積化が進み、３次元構造を有す
る半導体装置が広く製造されている。この３次元構造を
有する半導体装置の製造工程では、通常、第１配線形成
工程後にトランジスタを形成するが、このトランジスタ
形成工程は、８００〜９００℃程度の高温熱処理を行う
必要がある。このため、この半導体装置には、融点の低
いアルミニウム配線やアルミニウム合金からなる配線を
使用することができないという問題があった。
ニウム、或いは、その合金が一般的に用いられている。 近年、半導体装置の高集積化が進み、３次元構造を有す
る半導体装置が広く製造されている。この３次元構造を
有する半導体装置の製造工程では、通常、第１配線形成
工程後にトランジスタを形成するが、このトランジスタ
形成工程は、８００〜９００℃程度の高温熱処理を行う
必要がある。このため、この半導体装置には、融点の低
いアルミニウム配線やアルミニウム合金からなる配線を
使用することができないという問題があった。
【０００３】そこで、この問題を解決するため、前記３
次元構造を有する半導体装置には、アルミニウムやアル
ミニウム合金の代わりに、例えば、タングステン（Ｗ）
等のような高融点金属を用いた配線が使用されている。
次元構造を有する半導体装置には、アルミニウムやアル
ミニウム合金の代わりに、例えば、タングステン（Ｗ）
等のような高融点金属を用いた配線が使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記高
融点金属は、酸化され易く、配線の信頼性に支障を来す
という問題があった。また、この高融点金属をコンタク
ト孔の埋め込み配線として用いる場合は、一般的に当該
高融点金属をＨ２ をソースガスとしてＣＶＤ法で形成
するため、例えば、シリコン基板上に高融点金属として
Ｗ膜を形成する場合、反応初期において、２ＷＦ６ ＋
３Ｓｉ→２Ｗ＋３ＳｉＦ４ （１）の
反応が生じる。そして、その後、Ｗ膜がシリコン基板上
にある程度以上形成されると、Ｗ膜自身が触媒となり、 ＷＦ６ ＋３Ｈ２ →Ｗ＋６ＨＦ
（２）の反応が生じ、Ｗ膜を形成する。こ
のため、ＷＦ６ が下地のシリコンと反応し、エンクロ
ーチメントが発生易いという問題があった。そして、前
記コンタクト孔の埋め込みに前記高融点金属１種のみを
使用すると、この部分に強い応力が発生するという問題
があった。
融点金属は、酸化され易く、配線の信頼性に支障を来す
という問題があった。また、この高融点金属をコンタク
ト孔の埋め込み配線として用いる場合は、一般的に当該
高融点金属をＨ２ をソースガスとしてＣＶＤ法で形成
するため、例えば、シリコン基板上に高融点金属として
Ｗ膜を形成する場合、反応初期において、２ＷＦ６ ＋
３Ｓｉ→２Ｗ＋３ＳｉＦ４ （１）の
反応が生じる。そして、その後、Ｗ膜がシリコン基板上
にある程度以上形成されると、Ｗ膜自身が触媒となり、 ＷＦ６ ＋３Ｈ２ →Ｗ＋６ＨＦ
（２）の反応が生じ、Ｗ膜を形成する。こ
のため、ＷＦ６ が下地のシリコンと反応し、エンクロ
ーチメントが発生易いという問題があった。そして、前
記コンタクト孔の埋め込みに前記高融点金属１種のみを
使用すると、この部分に強い応力が発生するという問題
があった。
【０００５】そこで本発明は、このような問題を解決す
るためになされたものであり、高温熱処理に対しても安
定した性能を有し、下地とのエンクローチメントの防止
、配線の酸化防止を図り、且つ、配線の応力を緩和した
半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
るためになされたものであり、高温熱処理に対しても安
定した性能を有し、下地とのエンクローチメントの防止
、配線の酸化防止を図り、且つ、配線の応力を緩和した
半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、半導体基板上に絶縁膜を介して配線を形成
した半導体装置において、前記配線は、高融点金属ナイ
トライド、高融点金属及び高融点金属ナイトライドから
なる三層構造を有することを特徴とする半導体装置を提
供するものである。
に本発明は、半導体基板上に絶縁膜を介して配線を形成
した半導体装置において、前記配線は、高融点金属ナイ
トライド、高融点金属及び高融点金属ナイトライドから
なる三層構造を有することを特徴とする半導体装置を提
供するものである。
【０００７】そして、前記絶縁膜は、前記配線と半導体
基板とを接続するコンタクト孔を有し、当該コンタクト
孔は、前記高融点金属ナイトライドと前記高融点金属と
が埋め込まれてなり、当該高融点金属ナイトライド層は
、当該コンタクト孔の側壁及び前記半導体基板との導通
部に形成されてなることを特徴とする半導体装置を提供
するものである。
基板とを接続するコンタクト孔を有し、当該コンタクト
孔は、前記高融点金属ナイトライドと前記高融点金属と
が埋め込まれてなり、当該高融点金属ナイトライド層は
、当該コンタクト孔の側壁及び前記半導体基板との導通
部に形成されてなることを特徴とする半導体装置を提供
するものである。
【０００８】また、半導体基板上の絶縁膜にコンタクト
孔を開口する第１工程と、反応性スパッタリング法によ
り高融点金属ナイトライド層を形成する第２工程と、高
融点金属層を形成する第３工程と、選択的にコンタクト
孔以外の領域の高融点金属層を不活性化する第４工程と
、高融点金属層を形成する第５工程と、反応性スパッタ
リング法により高融点金属ナイトライド層を形成する第
６工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造
方法を提供するものである。
孔を開口する第１工程と、反応性スパッタリング法によ
り高融点金属ナイトライド層を形成する第２工程と、高
融点金属層を形成する第３工程と、選択的にコンタクト
孔以外の領域の高融点金属層を不活性化する第４工程と
、高融点金属層を形成する第５工程と、反応性スパッタ
リング法により高融点金属ナイトライド層を形成する第
６工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造
方法を提供するものである。
【０００９】
【作用】請求項１記載の半導体装置によれば、配線を高
融点金属ナイトライド、高融点金属及び高融点金属ナイ
トライドからなる三層構造としたことで、当該高融点金
属層の上下に形成された高融点金属ナイトライド層がバ
リアメタルとして働き、その還元能力により当該高融点
金属が自然酸化膜等により酸化されることを防ぐことが
できる。また、前記高融点金属ナイトライド層は、高融
点金属層に比べてストレスが小さいため、配線全体のス
トレスを緩和することができる。従って、配線の酸化を
防止し、配線の断線がなく、半導体装置の信頼性を向上
することができる。
融点金属ナイトライド、高融点金属及び高融点金属ナイ
トライドからなる三層構造としたことで、当該高融点金
属層の上下に形成された高融点金属ナイトライド層がバ
リアメタルとして働き、その還元能力により当該高融点
金属が自然酸化膜等により酸化されることを防ぐことが
できる。また、前記高融点金属ナイトライド層は、高融
点金属層に比べてストレスが小さいため、配線全体のス
トレスを緩和することができる。従って、配線の酸化を
防止し、配線の断線がなく、半導体装置の信頼性を向上
することができる。
【００１０】そして、請求項２記載の半導体装置によれ
ば、コンタクト孔に前記高融点金属ナイトライドと前記
高融点金属とを、当該コンタクト孔の側壁及び前記半導
体基板との導通部に前記高融点金属ナイトライド層が形
成された状態となるように埋め込むことで、前記利点に
加え、当該高融点金属層が直接シリコン基板に接触する
ことがないため、前記反応式（１）のように、ＷＦ６
が下地のシリコンと反応することがない結果、エンクロ
ーチメントが発生することがない。このため、当該コン
タクト孔の導通部における界面構造の劣化及び電気特性
の劣化を防止することができる。また、当該高融点金属
層が直接絶縁膜（ＳｉＯ２ 膜）と接触することもない
ので、当該高融点金属が酸化されることもない。
ば、コンタクト孔に前記高融点金属ナイトライドと前記
高融点金属とを、当該コンタクト孔の側壁及び前記半導
体基板との導通部に前記高融点金属ナイトライド層が形
成された状態となるように埋め込むことで、前記利点に
加え、当該高融点金属層が直接シリコン基板に接触する
ことがないため、前記反応式（１）のように、ＷＦ６
が下地のシリコンと反応することがない結果、エンクロ
ーチメントが発生することがない。このため、当該コン
タクト孔の導通部における界面構造の劣化及び電気特性
の劣化を防止することができる。また、当該高融点金属
層が直接絶縁膜（ＳｉＯ２ 膜）と接触することもない
ので、当該高融点金属が酸化されることもない。
【００１１】また、請求項３記載の半導体装置の製造方
法によれば、反応性スパッタリング法により高融点金属
ナイトライド層を形成することで、下地のシリコンと当
該高融点金属ナイトライド層とが反応することがない。 また、その後、高融点金属層を形成することで、当該高
融点金属層が直接下地のシリコンや絶縁膜に接触するの
を防ぐことができる。そして、選択的にコンタクト孔以
外の領域の高融点金属層を不活性化することで、この部
分の高融点金属層の反応性を低下することができるため
、次の工程で高融点金属を形成する際に、コンタクト孔
のみに当該高融点金属を形成する（コンタクト孔を埋め
込む）ことができる。そして、さらにこの上に、反応性
スパッタリング法により高融点金属ナイトライド層を形
成することで、当該高融点金属層が酸化されることがな
い。従って、下地とのエンクローチメントの防止、配線
の酸化防止を図り、配線の応力を緩和した半導体装置を
製造することができる。
法によれば、反応性スパッタリング法により高融点金属
ナイトライド層を形成することで、下地のシリコンと当
該高融点金属ナイトライド層とが反応することがない。 また、その後、高融点金属層を形成することで、当該高
融点金属層が直接下地のシリコンや絶縁膜に接触するの
を防ぐことができる。そして、選択的にコンタクト孔以
外の領域の高融点金属層を不活性化することで、この部
分の高融点金属層の反応性を低下することができるため
、次の工程で高融点金属を形成する際に、コンタクト孔
のみに当該高融点金属を形成する（コンタクト孔を埋め
込む）ことができる。そして、さらにこの上に、反応性
スパッタリング法により高融点金属ナイトライド層を形
成することで、当該高融点金属層が酸化されることがな
い。従って、下地とのエンクローチメントの防止、配線
の酸化防止を図り、配線の応力を緩和した半導体装置を
製造することができる。
【００１２】
【実施例】次に本発明の一実施例について、図面に基づ
いて説明する。図１ないし図８は、本発明に係る半導体
装置の製造工程を示す部分断面図である。図１に示す工
程では、半導体基板１上に絶縁膜２としてＳｉＯ２ 膜
を形成し、これにコンタクト孔を開口する。その後、反
応性スパッタリング法により、半導体基板１の全面に高
融点金属ナイトライド層３として、ＷＮ層を３００Å程
度の膜厚で形成する。即ち、絶縁膜２上、コンタクト孔
の導通部及び側壁に前記高融点金属ナイトライド層３を
形成する。この時、Ａｒガス：Ｎ２ ガス＝２：３の割
合で供給した。このように、反応性スパッタリング法に
より高融点金属ナイトライド層３を形成することで、半
導体基板１と高融点金属ナイトライド層３との反応を防
止することができる。
いて説明する。図１ないし図８は、本発明に係る半導体
装置の製造工程を示す部分断面図である。図１に示す工
程では、半導体基板１上に絶縁膜２としてＳｉＯ２ 膜
を形成し、これにコンタクト孔を開口する。その後、反
応性スパッタリング法により、半導体基板１の全面に高
融点金属ナイトライド層３として、ＷＮ層を３００Å程
度の膜厚で形成する。即ち、絶縁膜２上、コンタクト孔
の導通部及び側壁に前記高融点金属ナイトライド層３を
形成する。この時、Ａｒガス：Ｎ２ ガス＝２：３の割
合で供給した。このように、反応性スパッタリング法に
より高融点金属ナイトライド層３を形成することで、半
導体基板１と高融点金属ナイトライド層３との反応を防
止することができる。
【００１３】次いで、図２に示す工程では、図１に示す
工程で得た高融点金属ナイトライド層３の全面に、スパ
ッタリング法により、Ａｒ雰囲気で、高融点金属層４と
してＷ層を５００Å程度の膜厚で形成する。このように
、高融点金属層４が直接半導体基板１と接触することが
ないので、後の工程における熱処理においてもＷｓｉ２
の反応が生じることがない。
工程で得た高融点金属ナイトライド層３の全面に、スパ
ッタリング法により、Ａｒ雰囲気で、高融点金属層４と
してＷ層を５００Å程度の膜厚で形成する。このように
、高融点金属層４が直接半導体基板１と接触することが
ないので、後の工程における熱処理においてもＷｓｉ２
の反応が生じることがない。
【００１４】次に、図３に示す工程では、図２に示す工
程で得た高融点金属層４の全面にＢ２ Ｏ３ （ホウソ
ガラス）層５をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成した後、２０
０〜３００℃の低温でリフローさせ、コンタクト孔にＢ
２ Ｏ３ を埋め込む。このＢ２ Ｏ３ は、低温生成
ガラスであるため、２００〜３００℃の低温で十分にリ
フローさせることができる。
程で得た高融点金属層４の全面にＢ２ Ｏ３ （ホウソ
ガラス）層５をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成した後、２０
０〜３００℃の低温でリフローさせ、コンタクト孔にＢ
２ Ｏ３ を埋め込む。このＢ２ Ｏ３ は、低温生成
ガラスであるため、２００〜３００℃の低温で十分にリ
フローさせることができる。
【００１５】次いで、図４に示す工程では、図３に示す
工程で得たＢ２ Ｏ３ 層５をＢＣｌ３ を用いたドラ
イエッチングによりエッチバックし、コンタクト孔に埋
め込まれたＢ２ Ｏ３ 以外のＢ２ Ｏ３ 層５を除去
し、前記図２に示す工程で得た高融点金属層４を再び露
出する。次に、図５に示す工程では、Ｏ２ を用いて、
図４に示す工程で得た半導体基板１上の高融点金属層４
を不活性化し、不活性化された高融点金属層６を形成す
る。
工程で得たＢ２ Ｏ３ 層５をＢＣｌ３ を用いたドラ
イエッチングによりエッチバックし、コンタクト孔に埋
め込まれたＢ２ Ｏ３ 以外のＢ２ Ｏ３ 層５を除去
し、前記図２に示す工程で得た高融点金属層４を再び露
出する。次に、図５に示す工程では、Ｏ２ を用いて、
図４に示す工程で得た半導体基板１上の高融点金属層４
を不活性化し、不活性化された高融点金属層６を形成す
る。
【００１６】次いで、図６に示す工程では、コンタクト
孔に埋め込まれているＢ２ Ｏ３ 層５を希酢酸溶液に
より除去する。次いで、図７に示す工程では、ＣＶＤに
より、図６に示す工程で得た半導体基板１に高融点金属
層７としてＷ層を形成する。この時、不活性化された高
融点金属層６は、反応が行われないため、高融点金属層
７は、コンタクト孔内にのみ形成される。
孔に埋め込まれているＢ２ Ｏ３ 層５を希酢酸溶液に
より除去する。次いで、図７に示す工程では、ＣＶＤに
より、図６に示す工程で得た半導体基板１に高融点金属
層７としてＷ層を形成する。この時、不活性化された高
融点金属層６は、反応が行われないため、高融点金属層
７は、コンタクト孔内にのみ形成される。
【００１７】次に、図８に示す工程では、図７に示す工
程で得た半導体基板１を希ＮＨ４ ＯＨを用いて表面処
理し、不活性化された高融点金属層６を除去する。その
後、反応性スパッタリング法により、高融点金属ナイト
ライド層８として、ＷＮ層を５００Å程度の膜厚で形成
する。この時、Ａｒガス：Ｎ２ ガス＝２：３の割合で
供給した。このようにして、高融点ナイトライド層３、
高融点金属層４、高融点ナイトライド層３の三層構造を
有する配線層（埋め込み配線及び配線）を形成した。こ
のように、高融点金属層４を高融点ナイトライド層３及
び８で挟んだ構造を有するため、高融点金属層４の酸化
を防止することができる。また、高融点ナイトライド層
３及び８は、高融点金属層４に比べ、ストレスが小さい
ので、配線の応力も緩和された。
程で得た半導体基板１を希ＮＨ４ ＯＨを用いて表面処
理し、不活性化された高融点金属層６を除去する。その
後、反応性スパッタリング法により、高融点金属ナイト
ライド層８として、ＷＮ層を５００Å程度の膜厚で形成
する。この時、Ａｒガス：Ｎ２ ガス＝２：３の割合で
供給した。このようにして、高融点ナイトライド層３、
高融点金属層４、高融点ナイトライド層３の三層構造を
有する配線層（埋め込み配線及び配線）を形成した。こ
のように、高融点金属層４を高融点ナイトライド層３及
び８で挟んだ構造を有するため、高融点金属層４の酸化
を防止することができる。また、高融点ナイトライド層
３及び８は、高融点金属層４に比べ、ストレスが小さい
ので、配線の応力も緩和された。
【００１８】その後、パターニングして配線等、必要な
素子を形成し、半導体装置を完成し、高温熱処理に対し
ても安定した性能を有し、下地とのエンクローチメント
の防止、配線の酸化防止を図り、且つ、配線の応力を緩
和した半導体装置を得た。尚、本実施例では、高融点金
属ナイトライド層としてＷＮ層を形成したが、これに限
らず、ＭｏＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ等、他の高融点金属ナイ
トライド層を用いても同様の効果を得ることができる。
素子を形成し、半導体装置を完成し、高温熱処理に対し
ても安定した性能を有し、下地とのエンクローチメント
の防止、配線の酸化防止を図り、且つ、配線の応力を緩
和した半導体装置を得た。尚、本実施例では、高融点金
属ナイトライド層としてＷＮ層を形成したが、これに限
らず、ＭｏＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ等、他の高融点金属ナイ
トライド層を用いても同様の効果を得ることができる。
【００１９】また、高融点金属層としてＷ層を形成した
が、これに限らず、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ等、他の高融点金
属層を用いても同様の効果を得ることができることは、
勿論である。そして、前記高融点金属ナイトライド層を
構成する高融点金属と、前記高融点金属層に使用した高
融点金属とは、一致してもしなくてもよい。
が、これに限らず、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ等、他の高融点金
属層を用いても同様の効果を得ることができることは、
勿論である。そして、前記高融点金属ナイトライド層を
構成する高融点金属と、前記高融点金属層に使用した高
融点金属とは、一致してもしなくてもよい。
【００２０】また、図２に示す工程では、スパッタリン
グ法により高融点金属層を形成したが、この方法に限ら
ず、ＣＶＤ等、他の方法で形成してもよい。そして、図
３に示す工程では、Ｂ２ Ｏ３ 層を形成したが、これ
に限らず、レジストや、他の低温生成ガラス等を形成し
てもよい。また、図４に示す工程では、ドライエッチン
グによりＢ２ Ｏ３ 層をエッチバックしたが、希酢酸
等を用いたウエットエッチングによりエッチバックを行
ってもよい。
グ法により高融点金属層を形成したが、この方法に限ら
ず、ＣＶＤ等、他の方法で形成してもよい。そして、図
３に示す工程では、Ｂ２ Ｏ３ 層を形成したが、これ
に限らず、レジストや、他の低温生成ガラス等を形成し
てもよい。また、図４に示す工程では、ドライエッチン
グによりＢ２ Ｏ３ 層をエッチバックしたが、希酢酸
等を用いたウエットエッチングによりエッチバックを行
ってもよい。
【００２１】そして、図５に示す工程では、Ｏ２ を用
いて高融点金属層を不活性化したが、これに限らず、高
融点金属層を不活性化することが可能であれば、Ｎ２
、ＮＯ等、他のガスを用いてもよい。尚、上下の高融点
ナイトライド層、高融点金属層の膜厚は、所望により決
定してよい。
いて高融点金属層を不活性化したが、これに限らず、高
融点金属層を不活性化することが可能であれば、Ｎ２
、ＮＯ等、他のガスを用いてもよい。尚、上下の高融点
ナイトライド層、高融点金属層の膜厚は、所望により決
定してよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、配線を高融点金属ナイトライド、高融点金
属及び高融点金属ナイトライドからなる三層構造とした
ことで、当該高融点金属層の上下に形成された高融点金
属ナイトライド層がバリアメタルとして働くため、当該
高融点金属が酸化するのを防ぐことができる。また、前
記高融点金属ナイトライド層は、高融点金属層に比べて
ストレスが小さいため、配線全体のストレスを緩和する
。従って、配線の酸化を防止し、配線の断線がなく、半
導体装置の信頼性を向上することができる。
明によれば、配線を高融点金属ナイトライド、高融点金
属及び高融点金属ナイトライドからなる三層構造とした
ことで、当該高融点金属層の上下に形成された高融点金
属ナイトライド層がバリアメタルとして働くため、当該
高融点金属が酸化するのを防ぐことができる。また、前
記高融点金属ナイトライド層は、高融点金属層に比べて
ストレスが小さいため、配線全体のストレスを緩和する
。従って、配線の酸化を防止し、配線の断線がなく、半
導体装置の信頼性を向上することができる。
【００２３】そして、請求項２記載の半導体装置によれ
ば、コンタクト孔に前記高融点金属ナイトライドと前記
高融点金属とを、当該コンタクト孔の側壁及び前記半導
体基板との導通部に前記高融点金属ナイトライド層が形
成された状態となるように埋め込むことで、前記効果に
加え、当該高融点金属層が直接シリコン基板に接触する
ことがないため、エンクローチメントの発生を阻止し、
当該コンタクト孔の導通部における界面構造の劣化及び
電気特性の劣化を防止することができる。
ば、コンタクト孔に前記高融点金属ナイトライドと前記
高融点金属とを、当該コンタクト孔の側壁及び前記半導
体基板との導通部に前記高融点金属ナイトライド層が形
成された状態となるように埋め込むことで、前記効果に
加え、当該高融点金属層が直接シリコン基板に接触する
ことがないため、エンクローチメントの発生を阻止し、
当該コンタクト孔の導通部における界面構造の劣化及び
電気特性の劣化を防止することができる。
【００２４】また、請求項３記載の半導体装置の製造方
法によれば、下地とのエンクローチメントの発生がなく
、配線の酸化を防止し、且つ、配線の応力を緩和し、配
線の安定性を向上した、信頼性の高い半導体装置を簡単
に製造することができる。
法によれば、下地とのエンクローチメントの発生がなく
、配線の酸化を防止し、且つ、配線の応力を緩和し、配
線の安定性を向上した、信頼性の高い半導体装置を簡単
に製造することができる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る半導体装置の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る半導体装置の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る半導体装置の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る半導体装置の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図８】本発明の実施例に係る半導体装置の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
１ 半導体基板
２ 絶縁膜
３ 高融点金属ナイトライド層
４ 高融点金属層
５ Ｂ２ Ｏ３ 層
６ 不活性化された高融点金属層７ 高融
点金属層 ８ 高融点金属ナイトライド層
点金属層 ８ 高融点金属ナイトライド層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁膜を介して配線を
形成した半導体装置において、前記配線は、高融点金属
ナイトライド、高融点金属及び高融点金属ナイトライド
からなる三層構造を有することを特徴とする半導体装置
。 - 【請求項２】 前記絶縁膜は、前記配線と半導体基板
とを接続するコンタクト孔を有し、当該コンタクト孔は
、前記高融点金属ナイトライドと前記高融点金属とが埋
め込まれてなり、当該高融点金属ナイトライド層は、当
該コンタクト孔の側壁及び前記半導体基板との導通部に
形成されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項３】 半導体基板上の絶縁膜にコンタクト孔
を開口する第１工程と、反応性スパッタリング法により
高融点金属ナイトライド層を形成する第２工程と、高融
点金属層を形成する第３工程と、選択的にコンタクト孔
以外の領域の高融点金属層を不活性化する第４工程と、
高融点金属層を形成する第５工程と、反応性スパッタリ
ング法により高融点金属ナイトライド層を形成する第６
工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14025191A JPH04364724A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14025191A JPH04364724A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364724A true JPH04364724A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=15264434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14025191A Pending JPH04364724A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364724A (ja) |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP14025191A patent/JPH04364724A/ja active Pending
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