JPH0322428A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0322428A JPH0322428A JP15772889A JP15772889A JPH0322428A JP H0322428 A JPH0322428 A JP H0322428A JP 15772889 A JP15772889 A JP 15772889A JP 15772889 A JP15772889 A JP 15772889A JP H0322428 A JPH0322428 A JP H0322428A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- chemical
- substrate
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- semiconductor device
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
上に薬液を滴下し、薬液との化学反応によって半導体基
板を加工する半導体装置の製造装置に関する。
上に薬液を滴下し、薬液との化学反応によって半導体基
板を加工する半導体装置の製造装置に関する。
従来、この種の半導体装置の製造装置は、半導体基板を
回転させ、当該基板上で薬液滴下口を半径方向に移動さ
せて薬液を滴下する際、薬液滴下口は移動区間を等速で
移動する構造となっていた。
回転させ、当該基板上で薬液滴下口を半径方向に移動さ
せて薬液を滴下する際、薬液滴下口は移動区間を等速で
移動する構造となっていた。
上述した従来の半導体装置の製造装置は、薬液滴下口が
移動区間を等速で移動する構造となっているので、回転
する半導体基板の外周部と中央部では、滴下口の移動中
当該基板面内で薬液の広がる量が異なり、当該基板表ｕ
１１と薬液との化学反応の進行において均一性を害し、
当該基板の加工精度を低下させるという欠点がある。
移動区間を等速で移動する構造となっているので、回転
する半導体基板の外周部と中央部では、滴下口の移動中
当該基板面内で薬液の広がる量が異なり、当該基板表ｕ
１１と薬液との化学反応の進行において均一性を害し、
当該基板の加工精度を低下させるという欠点がある。
本発明は、半導体基板上を移動する薬液滴下口より薬液
を滴下し、当該基板を回転させて薬液を広げ、当該基板
の加工を行う半導体装置の製造装置において、前記薬液
滴下口の移動速度を制御玉する手段を有する半導体装置
の製造装置である。
を滴下し、当該基板を回転させて薬液を広げ、当該基板
の加工を行う半導体装置の製造装置において、前記薬液
滴下口の移動速度を制御玉する手段を有する半導体装置
の製造装置である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
半導体基板１は吸着部４に吸着され、動力部５により回
転する。薬液滴下口２はＡ方向（半径方向）に直線移動
するが、移動区間内で速度制御ユニット３により、任意
に速度及び加速度の制御が可能で非等速に移動する。
転する。薬液滴下口２はＡ方向（半径方向）に直線移動
するが、移動区間内で速度制御ユニット３により、任意
に速度及び加速度の制御が可能で非等速に移動する。
これにより、半導体基板ｌの表面の外周部と中央部とで
薬液の滴下される量が均一化でき、化学反応の進行にお
ける当該基板面内でのばらつきが低減し、半導体基板の
加工精度を向上させることができる。
薬液の滴下される量が均一化でき、化学反応の進行にお
ける当該基板面内でのばらつきが低減し、半導体基板の
加工精度を向上させることができる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
この実施例では、薬液滴下口２及び６という様に複数の
滴下口を設け、それぞれＡ，Ｂ方向に移動できる。そし
て、おのおのの薬液滴下口２及び６に接続される速度制
御ユニット３及び７で移動速度を制御し、第１の実施例
と同様の効果を得られる事はもちろん、薬液滴下時間の
短縮を図れるという利点を有する。
滴下口を設け、それぞれＡ，Ｂ方向に移動できる。そし
て、おのおのの薬液滴下口２及び６に接続される速度制
御ユニット３及び７で移動速度を制御し、第１の実施例
と同様の効果を得られる事はもちろん、薬液滴下時間の
短縮を図れるという利点を有する。
以上説明したように本発明は、回転している半導体基板
上を移動する薬液滴下口が、任意に設定した速度及び加
速度で非等速に移動することにより、半導体基板表面と
薬液との化学反応の進行を均一化でき、当該基板の加工
精度を向上できる効果がある。
上を移動する薬液滴下口が、任意に設定した速度及び加
速度で非等速に移動することにより、半導体基板表面と
薬液との化学反応の進行を均一化でき、当該基板の加工
精度を向上できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２，６・・・・・・薬液滴
下口、３，７・・・・・・速度制御ユニット、４・・・
・・・吸着部、５・・・・・・動力部。
本発明の第２の実施例を示す断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２，６・・・・・・薬液滴
下口、３，７・・・・・・速度制御ユニット、４・・・
・・・吸着部、５・・・・・・動力部。
Claims (1)
- 半導体基板上を移動する薬液滴下口より薬液を滴下し、
当該基板を回転させて薬液を広げ、当該基板の加工を行
う半導体装置の製造装置において、前記薬液滴下口の移
動速度を制御する手段を有することを特徴とする半導体
装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15772889A JPH0322428A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15772889A JPH0322428A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322428A true JPH0322428A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15656066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15772889A Pending JPH0322428A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322428A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5718763A (en) * | 1994-04-04 | 1998-02-17 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus for a rectangular substrate |
| WO1998057757A1 (en) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Massachusetts Institute Of Technology | High efficiency photoresist coating |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| JP2007207810A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置及びウェーハの枚葉式エッチング方法 |
| DE19928570B4 (de) * | 1998-06-25 | 2008-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen |
| US8815111B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-08-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
| US9576808B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-02-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US9620393B2 (en) | 2010-09-29 | 2017-04-11 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| US9640382B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-05-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59103344A (ja) * | 1983-09-19 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | 液体スプレー装置 |
| JPS6476724A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Hitachi Ltd | High pressure jet cleaning apparatus |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15772889A patent/JPH0322428A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59103344A (ja) * | 1983-09-19 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | 液体スプレー装置 |
| JPS6476724A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Hitachi Ltd | High pressure jet cleaning apparatus |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853803A (en) * | 1994-04-04 | 1998-12-29 | Tokyo Electron Limited | Resist processing method and apparatus |
| US5718763A (en) * | 1994-04-04 | 1998-02-17 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus for a rectangular substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6191053B1 (en) | 1997-06-16 | 2001-02-20 | Silicon Valley Group, Inc. | High efficiency photoresist coating |
| WO1998057757A1 (en) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Massachusetts Institute Of Technology | High efficiency photoresist coating |
| DE19928570B4 (de) * | 1998-06-25 | 2008-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen |
| JP2007207810A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置及びウェーハの枚葉式エッチング方法 |
| US8815111B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-08-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
| US10332758B2 (en) | 2010-09-28 | 2019-06-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
| US9620393B2 (en) | 2010-09-29 | 2017-04-11 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| US9576808B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-02-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US9640382B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-05-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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