JPH02141759A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02141759A JPH02141759A JP29671588A JP29671588A JPH02141759A JP H02141759 A JPH02141759 A JP H02141759A JP 29671588 A JP29671588 A JP 29671588A JP 29671588 A JP29671588 A JP 29671588A JP H02141759 A JPH02141759 A JP H02141759A
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- Japan
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- silicon substrate
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 25
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- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 2
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- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に係り、特にフォトレジ
スＩｆ現像する為の製造装置に関する。
スＩｆ現像する為の製造装置に関する。
従来のこの糧の７オトレジス）を現像する為の製造装置
は、シリコン基板を毎分２０回回転度で回転させながら
、シリコン基板上方に位置するノズルから、現像液を滴
下する装置であって、同現像液滴下時には、同ノズルが
シリコン基板の直径方向を単に一定速度で走査するもの
であった。
は、シリコン基板を毎分２０回回転度で回転させながら
、シリコン基板上方に位置するノズルから、現像液を滴
下する装置であって、同現像液滴下時には、同ノズルが
シリコン基板の直径方向を単に一定速度で走査するもの
であった。
しかしながら前述した従来の７オトレジストを現像する
為の製造装置では、現像後の２オドレジストのパターン
寸法ではシリコン基板の中央部と外周部とで差を生ずる
という欠点がある。
為の製造装置では、現像後の２オドレジストのパターン
寸法ではシリコン基板の中央部と外周部とで差を生ずる
という欠点がある。
この鳳因は、現像液滴下時に、現像液を滴下する為のノ
ズルが一定の滴下量で、かつシリコン基板の直径方向を
一定速度で走査する為、シリコン基板上の単位面積あた
りの現像液の滴下量がシリコン基板の中央部で大となり
、外周部で小となる為である。即ち、現像時に供給され
る現像液量がシリコン基板中央部と外周部とで異なる為
、フォトレジストと現像液との反応速度に差を生じ、そ
の結果シリコン基板上のフォトレジストのパターン寸法
が中央部と外周部で相異し、例えばポジ型フォトレジス
トの場合はパターン寸法が中央部で小、外周部で大とな
る。
ズルが一定の滴下量で、かつシリコン基板の直径方向を
一定速度で走査する為、シリコン基板上の単位面積あた
りの現像液の滴下量がシリコン基板の中央部で大となり
、外周部で小となる為である。即ち、現像時に供給され
る現像液量がシリコン基板中央部と外周部とで異なる為
、フォトレジストと現像液との反応速度に差を生じ、そ
の結果シリコン基板上のフォトレジストのパターン寸法
が中央部と外周部で相異し、例えばポジ型フォトレジス
トの場合はパターン寸法が中央部で小、外周部で大とな
る。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、半導体基板の主
面上どこでも均一に現像液が注がれるようにした半導体
装置の製造装置全提供することにある０ 〔問題点を解決するための手段・〕 本発明の構成は、半導体基板の主表面上に、ノズルから
現像液を滴下する半導体装置の製造装置において、前記
主面上の単位面積あたりの前記現像液の滴下量が略一定
になるように前記ノズルを走査する手段を有することを
特徴とする。
面上どこでも均一に現像液が注がれるようにした半導体
装置の製造装置全提供することにある０ 〔問題点を解決するための手段・〕 本発明の構成は、半導体基板の主表面上に、ノズルから
現像液を滴下する半導体装置の製造装置において、前記
主面上の単位面積あたりの前記現像液の滴下量が略一定
になるように前記ノズルを走査する手段を有することを
特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の製造装ｇ１を示す側面
図である。同図において、本実施例の製造装置は、現像
液を滴下する為のノズル１が、シリコン基板２の直径方
向上を平行に走査し、かつその走査速度がシリコン基板
２の中心からの距離に略反比例する手段を有する。現像
液全滴下する為のノズルｌは、現像液の滴下中に、シリ
コン基板２の直径方向上をシリコン基板２の一端から他
端壕で走査し、かつ同ノズルの走査速度は、第４図に示
すように、シリコン基板２の中心４からの距離に反比例
する。即ち走査速度は基板端５に近づくにつけ、小とな
る。ここで、現像液の滴下量は一定である。
図である。同図において、本実施例の製造装置は、現像
液を滴下する為のノズル１が、シリコン基板２の直径方
向上を平行に走査し、かつその走査速度がシリコン基板
２の中心からの距離に略反比例する手段を有する。現像
液全滴下する為のノズルｌは、現像液の滴下中に、シリ
コン基板２の直径方向上をシリコン基板２の一端から他
端壕で走査し、かつ同ノズルの走査速度は、第４図に示
すように、シリコン基板２の中心４からの距離に反比例
する。即ち走査速度は基板端５に近づくにつけ、小とな
る。ここで、現像液の滴下量は一定である。
第２図は本発明の第２の実施例の製造装置を示す側面図
である。同図において、本実施例の製造装置は、現像液
′ｔ−滴下する為の滴下口３ｔ−シリコン基板２の直径
方向上に複数配列し、かつ同滴下口同±３の間隔がシリ
コン基板２の中心からの距離に略反比例する手段を有す
る。第５因はシリコン基板２の中心４からの距離と、現
像液を滴下する為の滴下口３０間隔６との関係を示した
特性図である。
である。同図において、本実施例の製造装置は、現像液
′ｔ−滴下する為の滴下口３ｔ−シリコン基板２の直径
方向上に複数配列し、かつ同滴下口同±３の間隔がシリ
コン基板２の中心からの距離に略反比例する手段を有す
る。第５因はシリコン基板２の中心４からの距離と、現
像液を滴下する為の滴下口３０間隔６との関係を示した
特性図である。
本実施例では、ノズルｌが運動する為の機構及び同制御
部が必要でない為、全体の構造が単純であるという利点
がある。
部が必要でない為、全体の構造が単純であるという利点
がある。
第３図は本発明の第３の実施例の製造装置を示す側面図
である。同図において、本実施例の製造装置は、現像液
を滴下する為のノズルｌがシリコン基板２の直径方向上
を一定速度で走査し、かつノズル１から滴下される滴下
量がシリコン基板２の中心からの距離に略正比例する手
段を有する。
である。同図において、本実施例の製造装置は、現像液
を滴下する為のノズルｌがシリコン基板２の直径方向上
を一定速度で走査し、かつノズル１から滴下される滴下
量がシリコン基板２の中心からの距離に略正比例する手
段を有する。
第６図に示すように、ノズルｌのシリコン基板２の中心
からの距離と、滴下流量との関係が正比例している。
からの距離と、滴下流量との関係が正比例している。
以上本発明の半導体装置の製造装置は現像液を半導体基
板上に滴下する時に、同滴下量が基板上のすべての点で
均一になる様にした次の３つの実施例を含む。
板上に滴下する時に、同滴下量が基板上のすべての点で
均一になる様にした次の３つの実施例を含む。
（：）現像液を滴下する為のノズルが、半導体基板の直
径方向上を走査し、かつその走査速度が基板の中心から
ノズルまでの距離に略反比例する手段。
径方向上を走査し、かつその走査速度が基板の中心から
ノズルまでの距離に略反比例する手段。
（１） 現像液を滴下する為の滴下口が、基板の直径
方向上に複数配列され、かつ同滴下口の間隔がシリコン
基板の中心からの距離に略反比例する手段。
方向上に複数配列され、かつ同滴下口の間隔がシリコン
基板の中心からの距離に略反比例する手段。
（Ｉｌｌ） 現像液を滴下する為のノズルが基板の直
径方向上を一定速度で走査し、かつノズルから滴下され
る現像液量が、基板の中心からノズルまでの距離に略正
比例する手段。
径方向上を一定速度で走査し、かつノズルから滴下され
る現像液量が、基板の中心からノズルまでの距離に略正
比例する手段。
以上説明した様に、本発明は、現像液の半導体基板への
滴下量が、主面上のすべての点で均一となる為、基板上
に形成されたフォトレジストのパターン寸法のばらつ＊
’ｅ低減することが出来る効果がある。
滴下量が、主面上のすべての点で均一となる為、基板上
に形成されたフォトレジストのパターン寸法のばらつ＊
’ｅ低減することが出来る効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体装置の製造装置
を示す側面図、第２図は本発明の第２の実施例の半導体
装置の製造装置金示す側面図、第３図は本発明の第３の
実施例の半導体装置の製造装置を示す側面図、第４図は
第１図の製造装置の動作を示す特性図、第５図は第２図
の製造装置の動作を示す特性図、第６図は第３図の製造
装置の動作を示す特性図である。 １・・・・・・ノズル、２・・・・・・シリコン基板、
３・・・・・・滴下口、４・・・・・・シリコン基板の
中心、５・・・・・・シリコン基板端、６・・・・・・
滴下口間隔。 をＩＩ￥］ ＝＝＝＝＝チー ？、 ２０ ノ 榮３７ 茅４−回 Ｖ−！； 図 第２投１
を示す側面図、第２図は本発明の第２の実施例の半導体
装置の製造装置金示す側面図、第３図は本発明の第３の
実施例の半導体装置の製造装置を示す側面図、第４図は
第１図の製造装置の動作を示す特性図、第５図は第２図
の製造装置の動作を示す特性図、第６図は第３図の製造
装置の動作を示す特性図である。 １・・・・・・ノズル、２・・・・・・シリコン基板、
３・・・・・・滴下口、４・・・・・・シリコン基板の
中心、５・・・・・・シリコン基板端、６・・・・・・
滴下口間隔。 をＩＩ￥］ ＝＝＝＝＝チー ？、 ２０ ノ 榮３７ 茅４−回 Ｖ−！； 図 第２投１
Claims (1)
- 半導体基板の主面上に、ノズルから現像液を滴下する半
導体装置の製造装置において、前記主面上の単位面積あ
たりの前記現像液の滴下量が略一定になるように前記ノ
ズルを走査する手段を有することを特徴とする半導体装
置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29671588A JPH02141759A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29671588A JPH02141759A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02141759A true JPH02141759A (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=17837149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29671588A Pending JPH02141759A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02141759A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6076979A (en) * | 1997-07-25 | 2000-06-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for supplying developing solution onto substrate |
| US6089762A (en) * | 1997-04-28 | 2000-07-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Developing apparatus, developing method and substrate processing apparatus |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29671588A patent/JPH02141759A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6089762A (en) * | 1997-04-28 | 2000-07-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Developing apparatus, developing method and substrate processing apparatus |
| US6076979A (en) * | 1997-07-25 | 2000-06-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for supplying developing solution onto substrate |
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