JPS62286225A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS62286225A JPS62286225A JP12994286A JP12994286A JPS62286225A JP S62286225 A JPS62286225 A JP S62286225A JP 12994286 A JP12994286 A JP 12994286A JP 12994286 A JP12994286 A JP 12994286A JP S62286225 A JPS62286225 A JP S62286225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- pores
- photoresist
- dispenser sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造工程で用いられるフォトレジストの
塗布装置に関するものである。
塗布装置に関するものである。
［従来の技術］
従来の半導体製造工程で用いられるフォトレジストの塗
布方法は、通常、第４図、第５図に示すようにスピンチ
ャック５に吸着させたウェハー４表面にノズル１からフ
ォトレジストを滴下させ、該ウェハー４をカップ３内に
て矢印６方向に低速回転させて遠心力を作用させフォト
レジストをウェハー４の表面に飛散させ、次いで高速回
転の下に目的の膜厚にて７４トレジストをウェハー表面
に塗布していた。
布方法は、通常、第４図、第５図に示すようにスピンチ
ャック５に吸着させたウェハー４表面にノズル１からフ
ォトレジストを滴下させ、該ウェハー４をカップ３内に
て矢印６方向に低速回転させて遠心力を作用させフォト
レジストをウェハー４の表面に飛散させ、次いで高速回
転の下に目的の膜厚にて７４トレジストをウェハー表面
に塗布していた。
従来、遠心力を利用してウェハー表面にフォトレジスト
を塗布するものであるから、細径のノズル１を１木或い
は２本をウェハー中心の真上に設置している。
を塗布するものであるから、細径のノズル１を１木或い
は２本をウェハー中心の真上に設置している。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来のフォトレジストの塗布方法ではウェハー
表面の凹凸が非常に大きい場合、おるいはウェハー表面
性状がレジストの濡れ性を極度に大きくしている場合、
もしくは、その両方が同時に存在しているような状況下
にてはレジストが周辺部へと広がりにくいために、ウェ
ハーを回転状態にしても、ウェハーの一部でレジストの
塗れていない領域をつくってしまうという欠点がおった
。
表面の凹凸が非常に大きい場合、おるいはウェハー表面
性状がレジストの濡れ性を極度に大きくしている場合、
もしくは、その両方が同時に存在しているような状況下
にてはレジストが周辺部へと広がりにくいために、ウェ
ハーを回転状態にしても、ウェハーの一部でレジストの
塗れていない領域をつくってしまうという欠点がおった
。
本発明の目的は上記欠点を解消して、ウェハーの全面に
レジスト塗布を容易に行う塗布装置を提供することにあ
る。
レジスト塗布を容易に行う塗布装置を提供することにあ
る。
［問題点を解決するための手段］
本発明はウェハーの外形を象った塗布領域内に複数のレ
ジスト滴下口を配列したことを特徴とする半導体製造装
置である。
ジスト滴下口を配列したことを特徴とする半導体製造装
置である。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図に示すように実施例では、ろう斗状の外殻７に傘
状のレジスト分散板８を組み合せその内部を中空とし、
その下面７ａの外形をウェハー４とほぼ同じ大きざとし
、レジスト分散板８の全面に亘って複数の小孔（滴下口
）９，９・・・を配列したものである。
状のレジスト分散板８を組み合せその内部を中空とし、
その下面７ａの外形をウェハー４とほぼ同じ大きざとし
、レジスト分散板８の全面に亘って複数の小孔（滴下口
）９，９・・・を配列したものである。
第２図は本発明の他の実施例を示すもので、外縁２ａの
外形がウェハー４とほぼ同じ大きざで必る枠型２により
細径のノズル１，１・・・を複数本束ねて設置したもの
でおる。
外形がウェハー４とほぼ同じ大きざで必る枠型２により
細径のノズル１，１・・・を複数本束ねて設置したもの
でおる。
したがって、第２図の実施例では複数個のノズル１から
同時にレジストがウェハー表面に滴下され、第１図の実
施例ではレジストがレジスト分散板８で分散されて複数
の小孔９からウェハー上に滴下され、本発明によれば、
第３図に示すようにフォトレジスト１０．１０・・・が
ウェハー４表面の全面に亘って滴下されて低速及び高速
回転により所望の膜厚に塗布されることとなる。
同時にレジストがウェハー表面に滴下され、第１図の実
施例ではレジストがレジスト分散板８で分散されて複数
の小孔９からウェハー上に滴下され、本発明によれば、
第３図に示すようにフォトレジスト１０．１０・・・が
ウェハー４表面の全面に亘って滴下されて低速及び高速
回転により所望の膜厚に塗布されることとなる。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明はウェハー全面に同時にまん
べんなくフォトレジストを滴下することにより、ウェハ
ーパターンの激しい凹凸や表面性状のためにフォトレジ
ストが広がりにくい状況にある場合でも、容易にウェハ
ー全面をまんべんなくフォトレジストで覆うことができ
る効果がある。
べんなくフォトレジストを滴下することにより、ウェハ
ーパターンの激しい凹凸や表面性状のためにフォトレジ
ストが広がりにくい状況にある場合でも、容易にウェハ
ー全面をまんべんなくフォトレジストで覆うことができ
る効果がある。
第１図、第２図は本発明の半導体製造装置の縦断面図、
第３図はウェハー上のレジスト滴下位置を示す図、第４
図、第５図は従来の）ｔトレジスト塗布装置の縦断面図
でおる。 １・・・ノズル ２・・・枠型３・・・カッ
プ ４・・・ウェハー５・・・真空チャック
６・・・回転７・・・ろう斗状外殻 ８・・
・レジスト分散板９・・・小孔 １０・・
・滴下したレジスト第２図 第３図
第３図はウェハー上のレジスト滴下位置を示す図、第４
図、第５図は従来の）ｔトレジスト塗布装置の縦断面図
でおる。 １・・・ノズル ２・・・枠型３・・・カッ
プ ４・・・ウェハー５・・・真空チャック
６・・・回転７・・・ろう斗状外殻 ８・・
・レジスト分散板９・・・小孔 １０・・
・滴下したレジスト第２図 第３図
Claims (1)
- （１）ウェハーの外形を象った塗布領域内に複数のレジ
スト滴下口を配列したことを特徴とする半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12994286A JPS62286225A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12994286A JPS62286225A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286225A true JPS62286225A (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=15022243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12994286A Pending JPS62286225A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286225A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02295108A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| KR100272848B1 (ko) * | 1996-08-13 | 2000-12-01 | 니시히라 순지 | 화학증착장치 |
| WO2001066260A3 (en) * | 2000-03-09 | 2002-03-21 | Advanced Micro Devices Inc | Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP12994286A patent/JPS62286225A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02295108A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| KR100272848B1 (ko) * | 1996-08-13 | 2000-12-01 | 니시히라 순지 | 화학증착장치 |
| WO2001066260A3 (en) * | 2000-03-09 | 2002-03-21 | Advanced Micro Devices Inc | Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer |
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