JPS593430A - ホトレジスト膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１，１発明の技術分野 本発明はホトレジスト膜形成方法、詳しくはマスクの形
成工程において作成されるホトレジスト膜を、従来のス
ピンコード（回転塗布）によることなく近接（プロキシ
ミティ）方法で形成する方法に関する。、 （２）技術の背景 ウェハ等の露光に用いるマスクは、マスク基板例えばガ
ラス基板上にクロム（Ｃｒ）の薄膜と低反射膜とを１１
着し、これらの膜（以下クロム薄膜という）をバターニ
ングすることによって形成される。かかるバターニング
においては、クロム薄膜全面上にホトレジスト剤を塗布
してホトレジスト膜（以下レジスト膜という）を形成し
、このレジスト膜をバターニングした後にクロム薄膜を
エツチングする。

前記したレジスト膜の形成には、第１図に模式的に示さ
れるスピン型レジストコーターを用い、ガラス基板１枚
ずつにレジストをコートする工程が実施される。同図に
おいて、１はモータ、２はモータｌに取り付けられた真
空チャック、３はガラス基板を示し、ガラス基板３は真
空チャック２によって強固に保持される。真空チャック
２はモータ１の回転により高速回転をなし、それに伴っ
てガラス基板３も高速回転する。

ここで液状のレジスト剤をガラス基ｔｌ！ｉｉ３の中央
部分に滴下すると、レジスト剤はガラス基板３の回転に
よって輪状に外方に拡がってガラス基板３上に平均的に
塗布される。かかるスビンコート法は簡単な装置による
レジスト剤の塗布を可能にするため現在多用される技術
である。

（３）従来技術と問題点 上記従来技術においては、高速回転しているガラス基板
上に液状のレジスト剤を塗布するのであるが、レジスト
剤が最初滴下されたときその若干量は弾き飛ばされるこ
とがある。滴下されるレジスト剤の量はガラス基板の面
積とレジスト膜の膜厚とを計算して定められるのである
から、その量の若干が上記の如くに弾き飛ばされると、
形成されるレジスト膜の膜厚にバラツキを生しる結果と
なる。

加えて、レジスト膜の膜厚を厳密に測定したところ、ガ
ラス基板の中央部分上に比べ、その周縁部分上でレジス
ト膜の膜厚が薄いこと、すなわち、ガラス基板全面にわ
たってレジスト膜の膜厚が厳密には均一でないことが観
測された。

最近の集積回路の高密化の傾向の下に、マスクのパター
ンは微細化の方向にあるが、それの形成に用いられるマ
スクの製作に不可欠なレジスト膜の膜厚が前記の如きも
のであると、マスクパターンの微細化に支障が生じる。

（４）発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、マスク基板上へのレジ
スト剤の塗布において、当該基板の全面にわたって均一
な膜厚のレジスト＋＋ｐを形成する方法を提供するにあ
る。

（５）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、２枚のマスク基板を
レジスト膜の形成される面が互いに近接し対面した状態
に配置し、ボトレジス１−刑を一方のマスク基板の間に
滴下し、２枚のマスク基板を互いに逆方向に回転せしめ
ることを特徴とするホトレジスト膜形成方法を提供する
ことによって達成される。

（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面によって詳述する。

第２図には２枚のマスク基板（ガラス基板）が近接して
配置された状態にある。なお同図以下において、第１図
に示されたものと同じ部分は同一符号を付して示す。２
枚のガラス基板３は本発明の実施例においては、レジス
ト剤が塗布される面（表面）が互いに相手方に向いた状
態で、その間に１００〜５００μｍの間隔を置いて配置
され、レジスト剤は一方のガラス基板３の上に滴下され
る。

次いで、ガラス基板３をそれぞれ図に矢印で　示ず如く
逆方向に高速回転させる。すると、レジスト剤は、従来
のスピンコード法による場合の如く輪状に拡がるだけで
なく、この拡がりにおいて、他の部分よりも厚目のレジ
スト刑は、２枚のガラス基板３の間の間隔が前記のオー
ダーの狭いものであるので、ガラス基板の間ですり合さ
れて拡げられることになり、全体的に均一してレジスト
剤が塗布されることになる。

２枚のガラス基板を第２図に示す如く反対方向に回転せ
しめるには第３図に示す装置を用いる。

同図において、４はガラス基板３を収納するカセット、
５はカセット４と下方のモータ１が固定される台、６は
レールで、このレールに沿って上方のモータ１とレジス
ト剤容器７が図に矢印ｌ、■で示す如くに移動可能であ
り、８はレジスト剤用のフィルタを示す。

操作においては、図示しないチャック手段を用いてカセ
ット４から１枚のガラス基板３を下方に位置する（」二
向きの）チャック２上に配置する。

次いで、上方のモータ１とレジスト剤容器７を、それら
がそれぞれカセット４と下方チャック２の上のガラス基
板３の中央上部に来る如く移動する。

ここで、上方のチャック２はガラス基Ｍｊ、１を吸着保
持し、レジスト剤容器７からは所定の量のレジスト剤が
フィルタ８を経て下方のガラス基板３上に滴下される。

次いで、上方のモータ１とレジスト容器７は右に図示の
位置まで移動し、上下のモータｌは前記した如く反対方
向に回転し、上下のガラス基板を第２図に示す如く互い
に逆方向に高速回転し、上下のガラス基板３の相手方に
向いた面上に前記した如くレジスト剤が塗布される。第
３図から明らかな如く、装置の操作はすべて自動化する
ことが可能である。

（７）発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明の方法によるとき
は、きわめて簡単な装置を用いマスク基板上にレジスト
膜が均一に形成され、しかもレジスト膜の塗布工程は自
動化することが可能であり、マスクパターンの微細化の
みならず、半導体装置の製造歩留りの向上に寄与する効
果大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のスピンコード法に用いる装置の模式的斜
視図、第２図は本発明の方法を実施する際における２枚
のガラス基板の配置を示す斜視図、第３図は本発明の方
法を実施するための装置の正面配置図である。 ■−モータ、２−真空チャンク、３− ガラス基板、４−カセット、５一台、 ６−　レール、７−　レジスト剤容器、８−　フィルタ 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上にホトレジスト膜を塗布形成する方法において、
   ２枚の基板をレジスト膜の形成される面が互いに近接し
   対面した状態に配置し、ホトレジスト剤を一方の基板の
   上に滴下し、２枚の基板を互いに逆方向に回転せしめる
   ことを特徴とするホトレジスト膜形成方法。