JPS5978342A - レジスト膜の現像方法 - Google Patents
レジスト膜の現像方法Info
- Publication number
- JPS5978342A JPS5978342A JP19025082A JP19025082A JPS5978342A JP S5978342 A JPS5978342 A JP S5978342A JP 19025082 A JP19025082 A JP 19025082A JP 19025082 A JP19025082 A JP 19025082A JP S5978342 A JPS5978342 A JP S5978342A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- resist film
- substrate
- film
- resist
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発す４の技術分野
本発明はレジスト膜の現像方法に係り、特にレジスト膜
現像液の滴Ｔ力法の改善に１甘るものである。
現像液の滴Ｔ力法の改善に１甘るものである。
（ｂ） 技術の力負
精密微細加」°技術、特に半導体集積回路の製造工程で
は、基板にトジストを塗布し、これを露光訃よひ現像し
一〇パターンニングすることが頗菓に行なわれている。
は、基板にトジストを塗布し、これを露光訃よひ現像し
一〇パターンニングすることが頗菓に行なわれている。
同時に経済性と冒速化による特性の向上を目的としてパ
ターンの高集積化が進行しそのためホトプロセスの過稈
で、均一かつ平滑な膜を形成することと同時に現像作業
時における現像むらをなくずことか要求心れ−Ｃい４゜
（ｃ）従来技術と問題点 従来のし・シスト膜現像力法に−，）いて図面を参照し
て説明１°る。第１図り従来のレジスト膜の現像方法に
使用する現像装置の槻略相成図１′あり同図において、
ｌＶｉレジスト現像液を酪１］−するノスル。
ターンの高集積化が進行しそのためホトプロセスの過稈
で、均一かつ平滑な膜を形成することと同時に現像作業
時における現像むらをなくずことか要求心れ−Ｃい４゜
（ｃ）従来技術と問題点 従来のし・シスト膜現像力法に−，）いて図面を参照し
て説明１°る。第１図り従来のレジスト膜の現像方法に
使用する現像装置の槻略相成図１′あり同図において、
ｌＶｉレジスト現像液を酪１］−するノスル。
２は基板３土に塗布されたレジスト膜てあり、前記ノス
ル１は基＆３の回転中心の」一方に位１ｍシ。
ル１は基＆３の回転中心の」一方に位１ｍシ。
ノズルアーム４によって保持さＩ′している。４１ｄ［
Ｊ記基板３を載せる＊置台、５は恥、一台の下山１に配
？′を訟れた真空チャンク、６は訃ｐ室チャック５及び
東置台４を回転さ七る駆０１モーター、７は現使装置本
体の側壁、８は飛散された現像液をυ１除するための排
気孔である。
Ｊ記基板３を載せる＊置台、５は恥、一台の下山１に配
？′を訟れた真空チャンク、６は訃ｐ室チャック５及び
東置台４を回転さ七る駆０１モーター、７は現使装置本
体の側壁、８は飛散された現像液をυ１除するための排
気孔である。
上記従来の現像装置を用いてレジスト膜を現像する場合
、ｉ動モーター６を停止し／む状態−ζ祇置台４上に所
定のレジスト膜２が塗布された基板３ヲ＃、、 ｙ’チ
ャック５にて吸養［占ｊ足し、林いて駆動モークーロに
より前記奔＆３を所定の速度に回転しつつ、第２図Ｋ
ｙ＋ｉニー、１よう基鈑３の回転中心上のＡに位ＩＰ、
Ｉ＋するノズル１をノズルアーム４によって。
、ｉ動モーター６を停止し／む状態−ζ祇置台４上に所
定のレジスト膜２が塗布された基板３ヲ＃、、 ｙ’チ
ャック５にて吸養［占ｊ足し、林いて駆動モークーロに
より前記奔＆３を所定の速度に回転しつつ、第２図Ｋ
ｙ＋ｉニー、１よう基鈑３の回転中心上のＡに位ＩＰ、
Ｉ＋するノズル１をノズルアーム４によって。
基＆Ｎ縁部上のＢと前記Ａ圃を往彷沖させながら。
１１ｉｊ言−ノズルｌよりトジスト膜２本１する。ｌメ
、杉に３土に現有、液を満−１−シて該レジスト１１央
２を所定時間現像した彷、満十を停止して前記ノズルア
ーム４を基４４＜ Ｊ−ｉｒ１＋外）ｃ ニ移ｕｒシ７
次イーｃｆｉ”、ｂ ：ｓ １ｆＬｌノｍ像液を飛散除
去して乾燥し、微細／、−パターンが形成される。向飛
散された現像液は側壁７（第１図）をった−でυトタ孔
８（第１図）によつ゛Ｃ排除きれる しかし々から子連した従来の現像方法におい−（は、レ
ジスト＠２を有する基せＩ３の中心部（！：周縁部との
表面積用によって基板中心から現色か坦み。
、杉に３土に現有、液を満−１−シて該レジスト１１央
２を所定時間現像した彷、満十を停止して前記ノズルア
ーム４を基４４＜ Ｊ−ｉｒ１＋外）ｃ ニ移ｕｒシ７
次イーｃｆｉ”、ｂ ：ｓ １ｆＬｌノｍ像液を飛散除
去して乾燥し、微細／、−パターンが形成される。向飛
散された現像液は側壁７（第１図）をった−でυトタ孔
８（第１図）によつ゛Ｃ排除きれる しかし々から子連した従来の現像方法におい−（は、レ
ジスト＠２を有する基せＩ３の中心部（！：周縁部との
表面積用によって基板中心から現色か坦み。
基板周縁部脣で辺、像を行なうさ、第３図（８）に示す
ような基板周縁部の基板５上の摸好なレジストパターン
２１に対１．て基板中心部のレジストパターン２２は図
示したように月−が現像となり不拘−々膜減りによって
基板３全イオの均一・な現像が難かしいという問題かＩ
・−）た、 （ｄ） 発明の目的 木発り１の目的けかかる問題点を解泊（７て均＝−で安
定しまたレジスト膜の現像方法の提供にある。
ような基板周縁部の基板５上の摸好なレジストパターン
２１に対１．て基板中心部のレジストパターン２２は図
示したように月−が現像となり不拘−々膜減りによって
基板３全イオの均一・な現像が難かしいという問題かＩ
・−）た、 （ｄ） 発明の目的 木発り１の目的けかかる問題点を解泊（７て均＝−で安
定しまたレジスト膜の現像方法の提供にある。
（ｌ−）発明の構成
木発ＦＪＩは基板上に塗布さノ１だし・シスト膜の現像
方法であって、前記基板を回転しつつ、現像液部−１−
ｐｒ調調整可能ソノフル複数個ｒζ１ダ１」［、てなる
ノズルアームを前記基板の回転中心よりｎ′１」縁部に
向って往復＋Ｖ ｊ＃７１ 戊は静１）−ぜ１．めて、
駄ノス゛ルよｌ〕現像液を基板十に剥土してＩＮ＋Ｊ記
レジスト膜を現像する１゛程が含１れてなるこ吉を特徴
とする１゜（ｆ＋ 発明の実施例 以下本発８ＩＪの実施例しこ一゛いて図面をイ雰照して
説明する。第４図は木発１ｙ］の一実施例Ｑ）レジスト
膜の覗１像方法を実施するための現像装置の概略構成図
、第５図は木発す］の一実施例の１／シスト膜の現像方
法を説明Ｊ−るための模式的平面［２′ｌマ″ある５、
尚前回と同等の部分については同符号を付している。
方法であって、前記基板を回転しつつ、現像液部−１−
ｐｒ調調整可能ソノフル複数個ｒζ１ダ１」［、てなる
ノズルアームを前記基板の回転中心よりｎ′１」縁部に
向って往復＋Ｖ ｊ＃７１ 戊は静１）−ぜ１．めて、
駄ノス゛ルよｌ〕現像液を基板十に剥土してＩＮ＋Ｊ記
レジスト膜を現像する１゛程が含１れてなるこ吉を特徴
とする１゜（ｆ＋ 発明の実施例 以下本発８ＩＪの実施例しこ一゛いて図面をイ雰照して
説明する。第４図は木発１ｙ］の一実施例Ｑ）レジスト
膜の覗１像方法を実施するための現像装置の概略構成図
、第５図は木発す］の一実施例の１／シスト膜の現像方
法を説明Ｊ−るための模式的平面［２′ｌマ″ある５、
尚前回と同等の部分については同符号を付している。
第４図において！ｉＷｋ個のノズルたとえ＃′ｆ４個の
ノズル１１・１２・１３・１４が図示したように所定位
置に配列され、又第５図に示すように各ノズルに対応し
た現像液滴下匍読整器１１１・１２１・１３１・１４１
が各現像＃供給管１１２・１２２・１３２・１４２によ
って連結されている。かかる構造の現像装置を用いて第
５図に示すように回転する基板３上に塗布されたレジス
ト族２を現像する場合、基板を５００〜１０１０００ｒ
ｐ口）転（２つつ、基板表ｉＩ］Ｊ積との関係によって
各ノズル１１・１２・１３・１４を所望位置に。
ノズル１１・１２・１３・１４が図示したように所定位
置に配列され、又第５図に示すように各ノズルに対応し
た現像液滴下匍読整器１１１・１２１・１３１・１４１
が各現像＃供給管１１２・１２２・１３２・１４２によ
って連結されている。かかる構造の現像装置を用いて第
５図に示すように回転する基板３上に塗布されたレジス
ト族２を現像する場合、基板を５００〜１０１０００ｒ
ｐ口）転（２つつ、基板表ｉＩ］Ｊ積との関係によって
各ノズル１１・１２・１３・１４を所望位置に。
ノズルアーム４によって保持しｒ ｉｌ’Ｊ述した方法
と同様にＡ−Ｂ間を該ノズルアーム４によって往復運動
、稜、は必要に応じて静止して現像を行うが。
と同様にＡ−Ｂ間を該ノズルアーム４によって往復運動
、稜、は必要に応じて静止して現像を行うが。
現像状態によって各ノズルよ＃）滴下う°る現像液の量
を各ノズルに配設された前記調整器］１１・１２１・１
３１・１４］によって更に微調整してレジスト膜２の現
像を行えｄ第３図（ａｌに示した良好なレジストパター
ン２１が基板上全体に形成ｎＪ能となる。
を各ノズルに配設された前記調整器］１１・１２１・１
３１・１４］によって更に微調整してレジスト膜２の現
像を行えｄ第３図（ａｌに示した良好なレジストパター
ン２１が基板上全体に形成ｎＪ能となる。
（ｇ） 発明の幼果
以上説明し、たごとく本発明の一実施例によれ幻、適止
なレスル配タリと各ノズルよりの規仰液泗−ト引の微調
整によって、均一で安定したレジスト膜の現像方法７５
ｆｌｊＪ能々なり、 ｆ；イ１品新品の収得率１０１上
なと信頼性、Ｓ−悄同士に大きな効ηビを１１．るζさ
ができる。面木実施例１４本発す］の一実施例としてろ
けたものであり本発すＪの転Ｉｊ１１を制限するものて
ｃ・」ない。
なレスル配タリと各ノズルよりの規仰液泗−ト引の微調
整によって、均一で安定したレジスト膜の現像方法７５
ｆｌｊＪ能々なり、 ｆ；イ１品新品の収得率１０１上
なと信頼性、Ｓ−悄同士に大きな効ηビを１１．るζさ
ができる。面木実施例１４本発す］の一実施例としてろ
けたものであり本発すＪの転Ｉｊ１１を制限するものて
ｃ・」ない。
４．１而の匍即な脱明
第１図は従来のレジスト１挽の現伽ノｉ法に使用１“る
現像装ｈ”の柿、略横ｉｙ図、第２］ン々１目従来のト
シスト膜の現像方法を説明−Ｊるだ２１′）の棹へ（４
，（平面図第３図Ｖｉ現像状態を説明する要部拡〕…「
面図、第４図は本発すＪの一実施例のレジスト膜の現像
方法を実施するための嗜、仰装りの概略構成図、第５回
目本発明の一実施例のレジスト膜の現像方法を説明する
だめの模式的平ｍｉ図で；ｔ−・る。図において１１１
・１２１３・１４はノズル、２にルシフト膜。
現像装ｈ”の柿、略横ｉｙ図、第２］ン々１目従来のト
シスト膜の現像方法を説明−Ｊるだ２１′）の棹へ（４
，（平面図第３図Ｖｉ現像状態を説明する要部拡〕…「
面図、第４図は本発すＪの一実施例のレジスト膜の現像
方法を実施するための嗜、仰装りの概略構成図、第５回
目本発明の一実施例のレジスト膜の現像方法を説明する
だめの模式的平ｍｉ図で；ｔ−・る。図において１１１
・１２１３・１４はノズル、２にルシフト膜。
３は基板、 １１１−１２１−１３１ ・１４１ ＆
ま現像液滴］・亀調整器を示す。
ま現像液滴］・亀調整器を示す。
第１図
第２図
第３図
ｊ
第４図
第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に塗４Ｊキれたレジスト膜の現像方法であって、
現像液滴Ｖ−量軸調整可能ノスルを複数個配列してなる
ノズルアームを前記基板の回転中心より同級部に向って
往復運動、ψは靜止七しめて。 該ノスルより現像液を基板上に滴下してｅＩＪ記レジし
］・膜を現像する工程が含まれてなることを特徴とする
レジスト膜の現像方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19025082A JPS5978342A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | レジスト膜の現像方法 |
| US06/545,329 US4564280A (en) | 1982-10-28 | 1983-10-25 | Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm |
| EP83306538A EP0110558B1 (en) | 1982-10-28 | 1983-10-27 | Method and apparatus for use in developing resist film |
| DE8383306538T DE3369204D1 (en) | 1982-10-28 | 1983-10-27 | Method and apparatus for use in developing resist film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19025082A JPS5978342A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | レジスト膜の現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978342A true JPS5978342A (ja) | 1984-05-07 |
| JPH0462069B2 JPH0462069B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=16255004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19025082A Granted JPS5978342A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | レジスト膜の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978342A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60179957A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Hitachi Ltd | 光ディスクのスピン現像方法及び装置 |
| US5374312A (en) * | 1991-01-23 | 1994-12-20 | Tokyo Electron Limited | Liquid coating system |
| JP2018022915A (ja) * | 2013-08-05 | 2018-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51132972A (en) * | 1975-04-28 | 1976-11-18 | Ibm | Method of etching |
| JPS54102123A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS56110933A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Developing method |
| JPS5817444A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | フオトレジスト現像装置 |
-
1982
- 1982-10-28 JP JP19025082A patent/JPS5978342A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51132972A (en) * | 1975-04-28 | 1976-11-18 | Ibm | Method of etching |
| JPS54102123A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS56110933A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Developing method |
| JPS5817444A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | フオトレジスト現像装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60179957A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Hitachi Ltd | 光ディスクのスピン現像方法及び装置 |
| US5374312A (en) * | 1991-01-23 | 1994-12-20 | Tokyo Electron Limited | Liquid coating system |
| JP2018022915A (ja) * | 2013-08-05 | 2018-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462069B2 (ja) | 1992-10-05 |
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