JPS59103344A - 液体スプレー装置 - Google Patents
液体スプレー装置Info
- Publication number
- JPS59103344A JPS59103344A JP17112083A JP17112083A JPS59103344A JP S59103344 A JPS59103344 A JP S59103344A JP 17112083 A JP17112083 A JP 17112083A JP 17112083 A JP17112083 A JP 17112083A JP S59103344 A JPS59103344 A JP S59103344A
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- JP
- Japan
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- etchant
- wafer
- etching
- spray equipment
- liquid spray
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title description 4
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は1例えばアルミニウムやポリシリコンの微小
パターンエツチングに好適なスプレーエツチング装置に
関するものである。
パターンエツチングに好適なスプレーエツチング装置に
関するものである。
従来1例えば半導体ウェハを多数連続的にエッチ処理す
るために、該ウェハをベルトコンベアで移送しながらそ
の上からエッチ液を液圧で散布してスプレーエツチング
を実施することは知られている。しかし、この方法には
、ウェハ面上に滞溜するエッチ液の膜厚が不均一である
ためエッチむらが発生すること、また、液圧によるエッ
チ液散布方式であるため微小パターンのエツチングが困
難であることなどの問題点がある。
るために、該ウェハをベルトコンベアで移送しながらそ
の上からエッチ液を液圧で散布してスプレーエツチング
を実施することは知られている。しかし、この方法には
、ウェハ面上に滞溜するエッチ液の膜厚が不均一である
ためエッチむらが発生すること、また、液圧によるエッ
チ液散布方式であるため微小パターンのエツチングが困
難であることなどの問題点がある。
この発明は、上記の問題点を解決した新規なスプレーエ
ツチング装置を提供することを目的とするものである。
ツチング装置を提供することを目的とするものである。
次に、添付図面に示す一実施例についてこの発明の詳細
な説明する。
な説明する。
第1a及び第1b図には、この発明を実施するためのエ
ツチング装置の90°異なる面からみた側面図が示され
ている。これらの図において、機枠10上には、対向し
た一対の支持部材12.14により回転自在に保持され
た回転部材16.18が配置され、これら回転部材16
.18には同軸的に延長する連結部材22により噴射ノ
ズル20が下向きに取付けられている。噴射ノズル20
には加圧された状態でエッチ液EHが供給されており、
このエッチ液EHはある方向には大きなθ1の角度で、
それと直角な方向には小さなθ2の角度で符号24に示
すようにノズル先端から噴出される。すなわち、第2図
に拡大して示すようにエッチ液噴射24は断面が楕円状
になるように行われる。このような形状の噴射を実行す
るためにはノズル先端の構造を工夫すればよく、そのよ
うにすることは当業者に自明のことであろう。なお、上
記のような構成においては、エッチ液噴射24を発生す
る。噴射ノズル20が第1b図に示すようにある角度W
で首ふり運動しうろことは明らかである。−例として、
角度Wは90°、θ1は80〜90°、θ2は10〜3
0°とすることができる。
ツチング装置の90°異なる面からみた側面図が示され
ている。これらの図において、機枠10上には、対向し
た一対の支持部材12.14により回転自在に保持され
た回転部材16.18が配置され、これら回転部材16
.18には同軸的に延長する連結部材22により噴射ノ
ズル20が下向きに取付けられている。噴射ノズル20
には加圧された状態でエッチ液EHが供給されており、
このエッチ液EHはある方向には大きなθ1の角度で、
それと直角な方向には小さなθ2の角度で符号24に示
すようにノズル先端から噴出される。すなわち、第2図
に拡大して示すようにエッチ液噴射24は断面が楕円状
になるように行われる。このような形状の噴射を実行す
るためにはノズル先端の構造を工夫すればよく、そのよ
うにすることは当業者に自明のことであろう。なお、上
記のような構成においては、エッチ液噴射24を発生す
る。噴射ノズル20が第1b図に示すようにある角度W
で首ふり運動しうろことは明らかである。−例として、
角度Wは90°、θ1は80〜90°、θ2は10〜3
0°とすることができる。
噴射ノズル20の直下には、回転式ウェハ保持具26に
より水平に保持された半導体ウェハ28が配置されてい
る。ウェハ28はエッチ液噴射24との関係では平面的
に第2図に示すように配置され、保持具26によりR方
向に回転される。このときの回転速度はエッチ液の滞溜
を可能にするものである。エッチ液噴射’24はノズル
20の首ふり運動によりXI、X2の方向に周期的に移
動し、ウェハ面を走査する。ノズル20とウェハ28と
の離間距離は例えば90〜100 figである。
より水平に保持された半導体ウェハ28が配置されてい
る。ウェハ28はエッチ液噴射24との関係では平面的
に第2図に示すように配置され、保持具26によりR方
向に回転される。このときの回転速度はエッチ液の滞溜
を可能にするものである。エッチ液噴射’24はノズル
20の首ふり運動によりXI、X2の方向に周期的に移
動し、ウェハ面を走査する。ノズル20とウェハ28と
の離間距離は例えば90〜100 figである。
被エツチ面を走査するためにはエッチ液噴射ノズルを首
ふり運動させたり、往復動させたりする手段をとること
ができる。
ふり運動させたり、往復動させたりする手段をとること
ができる。
この発明によると、被エツチ面の回転運動とエッチ液噴
射の走査動作とが巧みに組合されるので被エツチ面にお
けるエッチ液分布がエッチ処理期間中不均一のまま維持
されることがなく、むらのないシャープな選択エツチン
グを行うことができる。すなわち、エッチ処理期間中被
エツチ面においては、ある部分が断面楕円状のエッチ液
噴射にされているが残りの部分にはエッチ液が滞溜して
おり、滞溜エッチ液がエッチ液噴射によった1こかれて
振動する状態においてエツチングが進行し、しかもこの
ようなエツチングが被エツチ面の回転と走査により被エ
ツチ面全体に一様になされるのである。
射の走査動作とが巧みに組合されるので被エツチ面にお
けるエッチ液分布がエッチ処理期間中不均一のまま維持
されることがなく、むらのないシャープな選択エツチン
グを行うことができる。すなわち、エッチ処理期間中被
エツチ面においては、ある部分が断面楕円状のエッチ液
噴射にされているが残りの部分にはエッチ液が滞溜して
おり、滞溜エッチ液がエッチ液噴射によった1こかれて
振動する状態においてエツチングが進行し、しかもこの
ようなエツチングが被エツチ面の回転と走査により被エ
ツチ面全体に一様になされるのである。
上記したこの発明によるエツチング装置はウェハ28上
面に被着され1こアルミニウム膜やポリシリコン層を選
択エッチするのに好適であるが、用途はそれに限定され
ない。
面に被着され1こアルミニウム膜やポリシリコン層を選
択エッチするのに好適であるが、用途はそれに限定され
ない。
第13及び第1b図は、この発明の一実施例によるスプ
レーエツチング装置を示すそれぞれ側面図、 第2図は、上記装置の動作を説明するためのウェハ上面
図である。 符号の説明 10・・・機枠、12.14・・・支持部材、16.1
8・・・回転部材、20・・・噴射ノズル、22・・・
連結部材、24・・・エッチ液噴射、26・・・回転式
ウェハ保持具、28・・・ウェハ。 鎖1図 と40 (!9
レーエツチング装置を示すそれぞれ側面図、 第2図は、上記装置の動作を説明するためのウェハ上面
図である。 符号の説明 10・・・機枠、12.14・・・支持部材、16.1
8・・・回転部材、20・・・噴射ノズル、22・・・
連結部材、24・・・エッチ液噴射、26・・・回転式
ウェハ保持具、28・・・ウェハ。 鎖1図 と40 (!9
Claims (1)
- 1、 ウェハを保持しかつ回転可能なウェハ保持部と、
上記ウェハ保持部上に位置し上記ウェハ保持部に保持さ
れるウェハ表面にエッチ液を噴射する噴射ノズルとを有
することを特徴とするスプレーエツチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17112083A JPS59103344A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 液体スプレー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17112083A JPS59103344A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 液体スプレー装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11307276A Division JPS6016099B2 (ja) | 1976-09-22 | 1976-09-22 | スプレ−エツチング法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33272989A Division JPH02191328A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | ウエハへの液体供給方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59103344A true JPS59103344A (ja) | 1984-06-14 |
JPS647494B2 JPS647494B2 (ja) | 1989-02-09 |
Family
ID=15917347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17112083A Granted JPS59103344A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 液体スプレー装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59103344A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61121335A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Rohm Co Ltd | ウエハの研削面の処理方法 |
JPH0322428A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
US5127984A (en) * | 1991-05-02 | 1992-07-07 | Avantek, Inc. | Rapid wafer thinning process |
KR19990027227A (ko) * | 1997-09-29 | 1999-04-15 | 윤종용 | 반도체소자 제조공정의 텅스텐막 식각액 조성물과 이를 이용한 텅스텐막 제거방법 |
KR100641950B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2006-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택플러그 형성방법 |
JP2008047637A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Fujikura Ltd | ウェハのウェット処理方法及びウェハのエッチング装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7159818B2 (ja) | 2018-11-28 | 2022-10-25 | オムロン株式会社 | 制御装置および通信システム |
JP7143762B2 (ja) | 2018-12-28 | 2022-09-29 | オムロン株式会社 | コントローラシステム、制御装置および制御プログラム |
JP7103214B2 (ja) | 2018-12-28 | 2022-07-20 | オムロン株式会社 | サポート装置および支援プログラム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5019840A (ja) * | 1973-06-20 | 1975-03-03 | ||
JPS5034159A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-04-02 | ||
JPS5067576A (ja) * | 1973-10-15 | 1975-06-06 |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP17112083A patent/JPS59103344A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5034159A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-04-02 | ||
JPS5019840A (ja) * | 1973-06-20 | 1975-03-03 | ||
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS61121335A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Rohm Co Ltd | ウエハの研削面の処理方法 |
JPH0322428A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
US5127984A (en) * | 1991-05-02 | 1992-07-07 | Avantek, Inc. | Rapid wafer thinning process |
KR19990027227A (ko) * | 1997-09-29 | 1999-04-15 | 윤종용 | 반도체소자 제조공정의 텅스텐막 식각액 조성물과 이를 이용한 텅스텐막 제거방법 |
KR100641950B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2006-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택플러그 형성방법 |
JP2008047637A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Fujikura Ltd | ウェハのウェット処理方法及びウェハのエッチング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS647494B2 (ja) | 1989-02-09 |
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