JPH0294401A - ガラス封止型サーミスタ素子 - Google Patents
ガラス封止型サーミスタ素子Info
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- JPH0294401A JPH0294401A JP24559288A JP24559288A JPH0294401A JP H0294401 A JPH0294401 A JP H0294401A JP 24559288 A JP24559288 A JP 24559288A JP 24559288 A JP24559288 A JP 24559288A JP H0294401 A JPH0294401 A JP H0294401A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ガラス封止型サーミスタ素子に関するもので
ある。さらに詳しくいえは、本発明は、例えば自動車排
気ガス温度検出センサなと、高温で耐湿性か要求される
雰囲気で用いられる温度検出センサなどとして好適な、
耐湿性に優れるガラス封止型サーミスタ素子に関するも
のである。
ある。さらに詳しくいえは、本発明は、例えば自動車排
気ガス温度検出センサなと、高温で耐湿性か要求される
雰囲気で用いられる温度検出センサなどとして好適な、
耐湿性に優れるガラス封止型サーミスタ素子に関するも
のである。
従来の技術
従来、サーミスタ素子は、その感温抵抗体の電気抵抗の
温度依存性を利用して、温度測定や温度制御用などの温
度センサとして、多くの分野において広く用いられてい
るが、近年、機器の電子制御化が進むに伴い、厳しい条
件下での使用においても信頼の高いものか要求されるよ
うになってきている。例えば自動車排気ガス温度検出セ
ンサや石油・ガス燃焼制御用センサなとに用いられるサ
ーミスタ素子は高温に耐えうるものが要求され、特に自
動車排気ガス温度検出センサ用には、さらに耐湿性に優
れたものが要求される。
温度依存性を利用して、温度測定や温度制御用などの温
度センサとして、多くの分野において広く用いられてい
るが、近年、機器の電子制御化が進むに伴い、厳しい条
件下での使用においても信頼の高いものか要求されるよ
うになってきている。例えば自動車排気ガス温度検出セ
ンサや石油・ガス燃焼制御用センサなとに用いられるサ
ーミスタ素子は高温に耐えうるものが要求され、特に自
動車排気ガス温度検出センサ用には、さらに耐湿性に優
れたものが要求される。
ところで、該サーミスタ素子には、ガラス封止型や薄膜
型などがあり、このうちガラス封止型サーミスタ素子は
、それぞれにリード線が接続された一対の電極を有する
サーミスタチップがガラス中に封止された構造を有して
いる。
型などがあり、このうちガラス封止型サーミスタ素子は
、それぞれにリード線が接続された一対の電極を有する
サーミスタチップがガラス中に封止された構造を有して
いる。
このようなガラス封止型サーミスタ素子においては、サ
ーミスタチップ、封止ガラス、リード線などの構成部材
の材質を、それぞれ適宜選択して、それらの熱膨張率を
ほぼ一致させ、熱的に安定であるとともに、高温での使
用に耐えるサーミスタ素子を作製することが試みられて
いる。このようなものとしては、例えばサーミスタチッ
プに酸化物焼結体を、耐熱リート線にコバール線を、封
止ガラスにホウケイ酸ガラスを用いたものが知られてい
る。また、最近では、高耐熱性のものとして、リード線
に耐熱金属をめっきしたコバール線を用い、かつ封止ガ
ラスにホウケイ酸ガラスを用いたガラス封止型サーミス
タや(特開昭60−124803号公報)、リード線に
42Ni−Fea金のようなコバルトを含まない材料を
用い、かつ封止ガラスとして、該リード線と熱膨張率の
近似したガラスを用いたガラス封入サーミスタ(特開昭
61−46002号公報)などが提案されている。
ーミスタチップ、封止ガラス、リード線などの構成部材
の材質を、それぞれ適宜選択して、それらの熱膨張率を
ほぼ一致させ、熱的に安定であるとともに、高温での使
用に耐えるサーミスタ素子を作製することが試みられて
いる。このようなものとしては、例えばサーミスタチッ
プに酸化物焼結体を、耐熱リート線にコバール線を、封
止ガラスにホウケイ酸ガラスを用いたものが知られてい
る。また、最近では、高耐熱性のものとして、リード線
に耐熱金属をめっきしたコバール線を用い、かつ封止ガ
ラスにホウケイ酸ガラスを用いたガラス封止型サーミス
タや(特開昭60−124803号公報)、リード線に
42Ni−Fea金のようなコバルトを含まない材料を
用い、かつ封止ガラスとして、該リード線と熱膨張率の
近似したガラスを用いたガラス封入サーミスタ(特開昭
61−46002号公報)などが提案されている。
しかしなから、このようなガラス封止型サーミスタ素子
においては、高温使用における劣化を抑制する効果は有
しているものの、封止ガラスと、リード線、特に白金な
との耐熱金属をめっきしたリード線やNi−Fe系合金
から成るリード線との濡れ性が悪くて、密着封止が十分
でなく、耐湿性に劣るのを免れないという欠点かある。
においては、高温使用における劣化を抑制する効果は有
しているものの、封止ガラスと、リード線、特に白金な
との耐熱金属をめっきしたリード線やNi−Fe系合金
から成るリード線との濡れ性が悪くて、密着封止が十分
でなく、耐湿性に劣るのを免れないという欠点かある。
発明か解決しようとする課題
本発明は、このような事情のもとで、耐湿性に優れたガ
ラス封止型サーミスタ素子を提供することを目的として
なされtこものである。
ラス封止型サーミスタ素子を提供することを目的として
なされtこものである。
課題を解決するための手段
本発明者らは耐湿性に優れたガラス封止型サーミスタ素
子を開発するために鋭意研究を重ねた結果、リード線と
して鉄系合金から成る耐熱リード線を用いたガラス封止
型サーミスタ素子の封止ガラスに鉄の酸化物を含有させ
ることにより、ガラスとリード線との界面で鉄の拡散反
応か促進され、その結果ガラスとリード線との濡れ性か
向上して優れた密着性か得られ、前記目的を達成しうろ
ことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに
至った。
子を開発するために鋭意研究を重ねた結果、リード線と
して鉄系合金から成る耐熱リード線を用いたガラス封止
型サーミスタ素子の封止ガラスに鉄の酸化物を含有させ
ることにより、ガラスとリード線との界面で鉄の拡散反
応か促進され、その結果ガラスとリード線との濡れ性か
向上して優れた密着性か得られ、前記目的を達成しうろ
ことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに
至った。
すなわち、本発明は、サーミスタチップの両側に一対の
電極層を設け、該電極層のそれぞれに鉄系合金から成る
耐熱リード線を接続し、ガラスで封止して成るガラス封
止型サーミスタ素子において、該ガラスか鉄の酸化物を
含有するガラスであることを特徴とするガラス封止型サ
ーミスタ素子を提供するものである。
電極層を設け、該電極層のそれぞれに鉄系合金から成る
耐熱リード線を接続し、ガラスで封止して成るガラス封
止型サーミスタ素子において、該ガラスか鉄の酸化物を
含有するガラスであることを特徴とするガラス封止型サ
ーミスタ素子を提供するものである。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明のサーミスタ素子において用いられるサーミスタ
チップの材料については、特に制限はなく、従来サーミ
スタ材料として慣用されているもの、例えばMnO□−
NiO系、八〇20.− TiJ系、2rO,系、AQ
20.− Cr2O,系、Fe2O3系、スピネル系、
SiC系なとを用いることができるが、特に炭化物、窒
化物、ホウ化物及びケイ化物の中から選はれた少なくと
も1種を含有する焼結体が好ましく用いられる。
チップの材料については、特に制限はなく、従来サーミ
スタ材料として慣用されているもの、例えばMnO□−
NiO系、八〇20.− TiJ系、2rO,系、AQ
20.− Cr2O,系、Fe2O3系、スピネル系、
SiC系なとを用いることができるが、特に炭化物、窒
化物、ホウ化物及びケイ化物の中から選はれた少なくと
も1種を含有する焼結体が好ましく用いられる。
このようなサーミスタ材料の中で、特に熱膨張率か30
X I O−’−90X l O−’deg−’、好
ましくはsox l O−’−7Qx l O−’de
g−’の範囲にあるものか好適である。この熱膨張率か
前記範囲を逸脱すると、高温用サーミスタ素子に適した
リード線や封止ガラスの材料を選定するのか困難となり
好ましくない。
X I O−’−90X l O−’deg−’、好
ましくはsox l O−’−7Qx l O−’de
g−’の範囲にあるものか好適である。この熱膨張率か
前記範囲を逸脱すると、高温用サーミスタ素子に適した
リード線や封止ガラスの材料を選定するのか困難となり
好ましくない。
該炭化物としては、例えばSiC,BtL−TiC,2
rC−Mo2C,NbC,Cr3C2などか、窒化物と
しては、例えばBN、 TiN、 NbN、 Cr2N
などが、ホウ化物としては、例えはCrB12rB、
MoB%WBなどか、ケイ化物としては、例えはMoS
i2、(rsi2、TiSi2、WSi、なとか挙げら
れる。
rC−Mo2C,NbC,Cr3C2などか、窒化物と
しては、例えばBN、 TiN、 NbN、 Cr2N
などが、ホウ化物としては、例えはCrB12rB、
MoB%WBなどか、ケイ化物としては、例えはMoS
i2、(rsi2、TiSi2、WSi、なとか挙げら
れる。
これらの炭化物、窒化物、ホウ化物及びケイ化物の中か
ら選ばれた少なくとも1(ffiを含有する焼結体は、
高温域での8定数の安定化や不活性カス中での高温封止
の点で有利である。
ら選ばれた少なくとも1(ffiを含有する焼結体は、
高温域での8定数の安定化や不活性カス中での高温封止
の点で有利である。
このような材料としては、例えばArL203− Si
C系At20.−84C系、^Q20H−SiC−JC
系、At203− B、C−BN系、Al120.−(
TiN、 NbN)系、At203− TiSi!系な
ど、Al120.を含有するものを挙げることかできる
。
C系At20.−84C系、^Q20H−SiC−JC
系、At203− B、C−BN系、Al120.−(
TiN、 NbN)系、At203− TiSi!系な
ど、Al120.を含有するものを挙げることかできる
。
これらの材料においては、該AhOsの含有量が50〜
95重量%の範囲にあるものが好ましい。
95重量%の範囲にあるものが好ましい。
また、SiCを含有する場合、その含有量は50重量%
以下が好ましく、50重量%を超えるとガラス封止の際
に、発泡が多く生じるおそれがある。
以下が好ましく、50重量%を超えるとガラス封止の際
に、発泡が多く生じるおそれがある。
このような材料の中で、焼成温度、熱膨張率、B定数、
電気抵抗値コントロール性なとの点から、酸化アルミニ
ウムと炭化ケイ素若しくは炭化ホウ素とを含有する焼結
体、又は酸化アルミニウムと炭化ケイ素と炭化ホウ素と
を含有する焼結体であって、酸化アルミニウム、炭化ケ
イ素及び炭化ホウ素の含有量をそれぞれX重量%、1重
量%及び2重量%とじた場合(ただし、X十y 十z=
1110)、酸化アルミニウム、炭化ケイ素及び炭化
ホウ素の組成(1% V% りか、第1図に示されるよ
うなA(100,0、O)、B(0,0,100)及び
C(0,100、O)を頂点とする三元組成図において
、A、B及びD(50,50、O)によって囲まれ、か
つA点及びB点全含まない領域、好ましくはE(95,
0,5)、F(S、0.95)、D(50,50%O)
、G(95,5、′0)によって囲まれた領域、より好
ましくは、E(95,0,5)、■(50,0,50)
、D(50,50,0)、G(95,5,0)によって
囲まれた領域、特に好ましくはE(95,0,5)、1
(80,0,20)、J(65,35,0)、G(95
,5,0)によって囲まれた領域にあるものが好適であ
る。
電気抵抗値コントロール性なとの点から、酸化アルミニ
ウムと炭化ケイ素若しくは炭化ホウ素とを含有する焼結
体、又は酸化アルミニウムと炭化ケイ素と炭化ホウ素と
を含有する焼結体であって、酸化アルミニウム、炭化ケ
イ素及び炭化ホウ素の含有量をそれぞれX重量%、1重
量%及び2重量%とじた場合(ただし、X十y 十z=
1110)、酸化アルミニウム、炭化ケイ素及び炭化
ホウ素の組成(1% V% りか、第1図に示されるよ
うなA(100,0、O)、B(0,0,100)及び
C(0,100、O)を頂点とする三元組成図において
、A、B及びD(50,50、O)によって囲まれ、か
つA点及びB点全含まない領域、好ましくはE(95,
0,5)、F(S、0.95)、D(50,50%O)
、G(95,5、′0)によって囲まれた領域、より好
ましくは、E(95,0,5)、■(50,0,50)
、D(50,50,0)、G(95,5,0)によって
囲まれた領域、特に好ましくはE(95,0,5)、1
(80,0,20)、J(65,35,0)、G(95
,5,0)によって囲まれた領域にあるものが好適であ
る。
該第1図の三元組成図において、A(+00.0.0)
点、すなわち酸化アルミニウム含有量が100重量%と
なると高温でも高抵抗となり、またB(0,0,100
)点、すなわち炭化ホウ素の含有量か100重量%とな
ると焼結体を形成するのか困難となる。
点、すなわち酸化アルミニウム含有量が100重量%と
なると高温でも高抵抗となり、またB(0,0,100
)点、すなわち炭化ホウ素の含有量か100重量%とな
ると焼結体を形成するのか困難となる。
方、BD線より下の領域の組成においては、サーミスタ
素子とした場合のB定数か大きくなり、かつ焼結体を形
成しにくい上にガラス封止の際に発泡か多く生じるおそ
れがある。
素子とした場合のB定数か大きくなり、かつ焼結体を形
成しにくい上にガラス封止の際に発泡か多く生じるおそ
れがある。
そして、EG線以下の領域の組成では、炭化ホウ素や炭
化ケイ素を含有させることにより、所望の抵抗値を得る
ことができるし、FD線以上の領域の組成では焼結性が
向上し、良好なサーミスタチップを得ることができる。
化ケイ素を含有させることにより、所望の抵抗値を得る
ことができるし、FD線以上の領域の組成では焼結性が
向上し、良好なサーミスタチップを得ることができる。
さらに、HD線以上の領域の組成では、A Q 20’
xの含有量か50重量%以上となると焼結性がより一層
良好となる。
xの含有量か50重量%以上となると焼結性がより一層
良好となる。
このような場合、炭化ホウ素や炭化ケイ素の添加効果の
1つとして、酸化アルミニウムの抵抗を低下させること
を挙げることができる。そして、この抵抗低下の効果は
EHDGで囲まれた領域内で発現し、この領域内で炭化
ホウ素や炭化ケイ素の含有量が増加するに伴い抵抗値が
漸減する。しかしながら、HD線を超えると抵抗変化は
飽和し、抵抗値はほとんど変化しなくなる。
1つとして、酸化アルミニウムの抵抗を低下させること
を挙げることができる。そして、この抵抗低下の効果は
EHDGで囲まれた領域内で発現し、この領域内で炭化
ホウ素や炭化ケイ素の含有量が増加するに伴い抵抗値が
漸減する。しかしながら、HD線を超えると抵抗変化は
飽和し、抵抗値はほとんど変化しなくなる。
このため、HFDで囲まれる領域内では、通常の場合は
サーミスタとして使用可能であるか、用いる原料によっ
ては抵抗値が低すぎサーミスタとして使用できないこと
がある。したがって、原料により制約を受けないこと、
そして、添加量によって所望の抵抗値に制御しうるとい
う点で、特にIIDHD線以上域にあることが好ましい
。
サーミスタとして使用可能であるか、用いる原料によっ
ては抵抗値が低すぎサーミスタとして使用できないこと
がある。したがって、原料により制約を受けないこと、
そして、添加量によって所望の抵抗値に制御しうるとい
う点で、特にIIDHD線以上域にあることが好ましい
。
より詳しく説明すると、原料の炭化ケイ素には、フリー
の炭素及びケイ素の外に、酸素、アルミニウム、鉄、チ
タンなどが含有されるが、炭化ケイ素の純度が99重量
%程度以上のものでは、飽和抵抗値かlO4Ω・cm程
度以上となり、HDFで囲まれた領域内で使用可能であ
る。これに対し前記純度未満のものでは、HD線より下
の領域において抵抗値が小さくなる。また、原料炭化ホ
ウ素には、酸素、窒素、鉄などが不純物として含有され
るか、純度99%程度以上のものは、10’Ω・cm以
上の飽和抵抗値をもち、I(F Dで囲まれる領域内で
使用可能である。これに対し、前記純度未満のものでは
、HD線より下の領域で抵抗値か小さくなる。
の炭素及びケイ素の外に、酸素、アルミニウム、鉄、チ
タンなどが含有されるが、炭化ケイ素の純度が99重量
%程度以上のものでは、飽和抵抗値かlO4Ω・cm程
度以上となり、HDFで囲まれた領域内で使用可能であ
る。これに対し前記純度未満のものでは、HD線より下
の領域において抵抗値が小さくなる。また、原料炭化ホ
ウ素には、酸素、窒素、鉄などが不純物として含有され
るか、純度99%程度以上のものは、10’Ω・cm以
上の飽和抵抗値をもち、I(F Dで囲まれる領域内で
使用可能である。これに対し、前記純度未満のものでは
、HD線より下の領域で抵抗値か小さくなる。
なお、このEIJGで囲まれる領域において、K(90
,0,10)、L(85,0,I5)、M(80,20
,0)及びN(7G、 30.0)で囲まれる領域は、
より好ましい抵抗値を得ることができるので、この領域
の組成の焼結体か特に好適である。
,0,10)、L(85,0,I5)、M(80,20
,0)及びN(7G、 30.0)で囲まれる領域は、
より好ましい抵抗値を得ることができるので、この領域
の組成の焼結体か特に好適である。
このような焼結体における酸化アルミニウム、炭化ケイ
素及び炭化ホウ素は、それぞれ化学式+vQ2o、、S
iC及びB、Cで示されるものであり、それらの平均グ
レイン粒径は、それぞれ通常0.1〜lopm、0.1
−15μm及び0.1=15.umの範囲にある。また
、該酸化アルミニウム、炭化ケイ素及び炭化ホウ素は、
いずれも化学量論的にその組成を多生はずれてもよい。
素及び炭化ホウ素は、それぞれ化学式+vQ2o、、S
iC及びB、Cで示されるものであり、それらの平均グ
レイン粒径は、それぞれ通常0.1〜lopm、0.1
−15μm及び0.1=15.umの範囲にある。また
、該酸化アルミニウム、炭化ケイ素及び炭化ホウ素は、
いずれも化学量論的にその組成を多生はずれてもよい。
さらに、該焼結体においては、前記炭化ケイ素や炭化ホ
ウ素の一部か、焼成中に酸化ケイ素や酸化ホウ素のよう
な酸化物に変化していてもよい。
ウ素の一部か、焼成中に酸化ケイ素や酸化ホウ素のよう
な酸化物に変化していてもよい。
このような焼結体は、例えば所要量の酸化アルミニウム
粉末と炭化ケイ素粉末や炭化ホウ素粉末トヲ、エタノー
ル、アセトンなどの溶媒を用い、必要ならばさらに分散
剤などを用いて、ボールミルなとにより湿式混合したの
ち、この混合物を室温で加圧成形し、次いでこの成形体
を、酸化性又は非酸化性雰囲気中において、例えば常圧
焼結法、ホットプレス(IP)焼結法、熱間静水圧([
+IP)法などにより焼結したのち、放冷することによ
って製造することができる。
粉末と炭化ケイ素粉末や炭化ホウ素粉末トヲ、エタノー
ル、アセトンなどの溶媒を用い、必要ならばさらに分散
剤などを用いて、ボールミルなとにより湿式混合したの
ち、この混合物を室温で加圧成形し、次いでこの成形体
を、酸化性又は非酸化性雰囲気中において、例えば常圧
焼結法、ホットプレス(IP)焼結法、熱間静水圧([
+IP)法などにより焼結したのち、放冷することによ
って製造することができる。
面記湿式混合する際に用いる溶媒の使用量は、通常原料
粉末に対し、100〜120重量%の範囲で選はれる。
粉末に対し、100〜120重量%の範囲で選はれる。
また、酸化アルミニウム粉末としては、一般に平均粒径
0.1〜5μmで、かつ純度995重量%以上のものが
用いられ、炭化ケイ素粉末としては、一般に平均粒径0
.5〜5μmで、かつ純度98重量%以上のものが用い
られる。さらに、炭化ホウ素粉末としては、一般に平均
粒径0.5〜5μmで、かつ純度97重量%以上のもの
か用い・られる。
0.1〜5μmで、かつ純度995重量%以上のものが
用いられ、炭化ケイ素粉末としては、一般に平均粒径0
.5〜5μmで、かつ純度98重量%以上のものが用い
られる。さらに、炭化ホウ素粉末としては、一般に平均
粒径0.5〜5μmで、かつ純度97重量%以上のもの
か用い・られる。
加圧成形の際の圧力は、50F1−2000&g/ c
m2程度で十分である。また、焼結時の非酸化性雰囲気
としては、例えは窒素、アルゴン、ヘリウムなとの不活
性カス、水素、−酸化炭素、各種炭化水素など、あるい
はこれらの混合ガス雰囲気、さらには真空なと、種々の
ものを挙げることかでさる。
m2程度で十分である。また、焼結時の非酸化性雰囲気
としては、例えは窒素、アルゴン、ヘリウムなとの不活
性カス、水素、−酸化炭素、各種炭化水素など、あるい
はこれらの混合ガス雰囲気、さらには真空なと、種々の
ものを挙げることかでさる。
常圧焼結法の場合は大気圧下でよく、焼結温度は通常1
600〜1900°C1好ましくは1750〜1800
°Cの範囲で選はれる。この温度か1600°C未満で
は長時間焼結しても十分なち密性が得られないし、19
00℃を超えると酸化アルミニウムと炭化ケイ素や炭゛
化ホウ素との相互反応が激しくなる傾向が生じる。
600〜1900°C1好ましくは1750〜1800
°Cの範囲で選はれる。この温度か1600°C未満で
は長時間焼結しても十分なち密性が得られないし、19
00℃を超えると酸化アルミニウムと炭化ケイ素や炭゛
化ホウ素との相互反応が激しくなる傾向が生じる。
焼結時間は、通常0.5〜2時間程度であり、例えは1
750°Cの焼結温度では1時間程度で十分である。
750°Cの焼結温度では1時間程度で十分である。
方、HP焼結法においては、通常プレス圧力は150−
2SOky/ cm2の範囲、温度は1500−180
0°C1好ましくは1650〜1750℃の範囲で選ば
れる。この温度が1500°C未満ではら密な焼結体が
得られにくいし、1800°Cを超えると酸化アルミニ
ウムと炭化ケイ素や炭化ホウ素との相互反応が激しくな
る傾向か生しる。焼結時間は、通常1〜3時間程度で十
分である。
2SOky/ cm2の範囲、温度は1500−180
0°C1好ましくは1650〜1750℃の範囲で選ば
れる。この温度が1500°C未満ではら密な焼結体が
得られにくいし、1800°Cを超えると酸化アルミニ
ウムと炭化ケイ素や炭化ホウ素との相互反応が激しくな
る傾向か生しる。焼結時間は、通常1〜3時間程度で十
分である。
さらに、HI P焼結法においては、摩粉粉末の成形体
を、酸化性あるいは非酸化性雰囲気中(例えは、120
0°Cまでは真空中、その後はアルゴン雰囲気中なとか
好ましい)で予備焼結しI;のち、HIP炉内でこの予
備焼結体を焼結するといった方法が用いられる。予備焼
結の温度は、通常1400〜1650°Cの範囲で選ば
れ、また、焼結時間は、通常1〜3時間程度で十分であ
る。さらに、焼結は、通常焼結温度1300〜1500
°C1焼結時間1〜5時間、圧力100G −1500
kg/ cm”の条件において、酸素雰囲気中又はアル
ゴンなとの不活性ガス雰囲気中で行われる。この際、室
温で酸素ガスやアルゴンガスなど300〜400kg/
cm2程度まで加圧し、その後前記のように、加熱によ
り圧力をかけるのか有利である。
を、酸化性あるいは非酸化性雰囲気中(例えは、120
0°Cまでは真空中、その後はアルゴン雰囲気中なとか
好ましい)で予備焼結しI;のち、HIP炉内でこの予
備焼結体を焼結するといった方法が用いられる。予備焼
結の温度は、通常1400〜1650°Cの範囲で選ば
れ、また、焼結時間は、通常1〜3時間程度で十分であ
る。さらに、焼結は、通常焼結温度1300〜1500
°C1焼結時間1〜5時間、圧力100G −1500
kg/ cm”の条件において、酸素雰囲気中又はアル
ゴンなとの不活性ガス雰囲気中で行われる。この際、室
温で酸素ガスやアルゴンガスなど300〜400kg/
cm2程度まで加圧し、その後前記のように、加熱によ
り圧力をかけるのか有利である。
このようにして得られた焼結体は、熱膨張係数が通常5
0xlO−’−80xlO−’/℃の範囲にあり、かつ
抵抗値か500°Cの温度において102〜10’Ω・
cm程度であって、400〜800℃の範囲の温度にお
いて使用あるいは保存しても抵抗値の変化はほとんどな
く、さらに、B値は通常50〜4800Cの温度におい
て1000〜5000にの範囲にあるなと、好ましい特
性を有することから、本発明のサーミスタ素子における
サーミスタチンプの14科として好適である。
0xlO−’−80xlO−’/℃の範囲にあり、かつ
抵抗値か500°Cの温度において102〜10’Ω・
cm程度であって、400〜800℃の範囲の温度にお
いて使用あるいは保存しても抵抗値の変化はほとんどな
く、さらに、B値は通常50〜4800Cの温度におい
て1000〜5000にの範囲にあるなと、好ましい特
性を有することから、本発明のサーミスタ素子における
サーミスタチンプの14科として好適である。
本発明のサーミスタ素子に用いられるサーミスタチンプ
の寸法は、通常縦0.5〜l 、 Omm、横0.5〜
l 、 Ornmの範囲で選ばれる。
の寸法は、通常縦0.5〜l 、 Omm、横0.5〜
l 、 Ornmの範囲で選ばれる。
本発明のサーミスタ素子においては、通常、該サーミス
タチップの両側に一対の電極層が設けられているが、こ
の電極層については特に制限はなく、従来サーミスタ素
子に慣用されている導電性材料から成る電極あるいは導
電性材料を含有する電極の中から任意のものを選択して
用いることができる。面記導電性材料としては、公知の
導電性物質、例えばAu、 A(%Pt、 Pd、 W
、 Cu%Ni%Mo。
タチップの両側に一対の電極層が設けられているが、こ
の電極層については特に制限はなく、従来サーミスタ素
子に慣用されている導電性材料から成る電極あるいは導
電性材料を含有する電極の中から任意のものを選択して
用いることができる。面記導電性材料としては、公知の
導電性物質、例えばAu、 A(%Pt、 Pd、 W
、 Cu%Ni%Mo。
A1、Fe、 Ti、 MUなど、あるいはt’t−A
u%Pd−Au。
u%Pd−Au。
1’l−f’d−A11、Pd−A!、F’t−Pd−
A(、Fe−Ni−Co。
A(、Fe−Ni−Co。
Fe −Ni%No −Meなとの合金などいずれも使
用可能である。これらの導電性材料を、気相めっき、液
相めっき、溶射、あるいは箔にしてロウ付などにより電
極層とすればよい。また、これらの導電性材料を、バイ
ンダ及び溶剤、さらに好ましくはこれらに適当な酸化物
を加え混合して導電性ペースi・を作製し、この導電性
ペーストをサーミスタチップに塗布して焼成し、電極層
とするいわゆる厚膜法により形成してもよい。なお、該
ペーストとしては、ガラス分を含有しないガラスフリッ
トレスのものを用いるのが好ましい。ガラス7リソト入
すのものを用いると、接続の際に発泡か生じやすく、接
続性や密着性が悪くなるおそれかある。このような電極
層の厚さは、通常5〜50μmの範囲で選ばれる。
用可能である。これらの導電性材料を、気相めっき、液
相めっき、溶射、あるいは箔にしてロウ付などにより電
極層とすればよい。また、これらの導電性材料を、バイ
ンダ及び溶剤、さらに好ましくはこれらに適当な酸化物
を加え混合して導電性ペースi・を作製し、この導電性
ペーストをサーミスタチップに塗布して焼成し、電極層
とするいわゆる厚膜法により形成してもよい。なお、該
ペーストとしては、ガラス分を含有しないガラスフリッ
トレスのものを用いるのが好ましい。ガラス7リソト入
すのものを用いると、接続の際に発泡か生じやすく、接
続性や密着性が悪くなるおそれかある。このような電極
層の厚さは、通常5〜50μmの範囲で選ばれる。
本発明のサーミスタ素子においては前記したようにして
得られた一対の電極層のそれぞれに、耐熱リード線が接
続されているが、この耐熱リード線は鉄系合金、例えば
Fe−層系合金、Fe −Cr系合金又はFe−Cr−
Ni系合金等で形成することが重要である。このような
鉄系合金としては、従来サーミスタ素子における耐熱リ
ード線として慣用されているもの、例えば29重量%N
i−17重量%Co −残Feの組成を有するコバール
合金や41〜43重量%Ni−残Feの組成を有する4
270イa金などから成るものを用いることができるか
、これらの中で熱膨張率や封止ガラスとの密着性なとの
点からコバール合金から成るものが好適である。
得られた一対の電極層のそれぞれに、耐熱リード線が接
続されているが、この耐熱リード線は鉄系合金、例えば
Fe−層系合金、Fe −Cr系合金又はFe−Cr−
Ni系合金等で形成することが重要である。このような
鉄系合金としては、従来サーミスタ素子における耐熱リ
ード線として慣用されているもの、例えば29重量%N
i−17重量%Co −残Feの組成を有するコバール
合金や41〜43重量%Ni−残Feの組成を有する4
270イa金などから成るものを用いることができるか
、これらの中で熱膨張率や封止ガラスとの密着性なとの
点からコバール合金から成るものが好適である。
該コバール合金は熱膨張特性か硬質ガラスのそれとよく
一致しており、硬質ガラス、セラミ7りのハーメチンク
シール材として用いられる合金である。また、42アロ
イ合金は硬質又は軟質ガラス封着材料としてトランジス
タ、ダイオードのリード線、ICのリードフレーム、リ
ードスイッチ用のリードなど、種々のハーメチノクンー
ルとしてf更用されている。
一致しており、硬質ガラス、セラミ7りのハーメチンク
シール材として用いられる合金である。また、42アロ
イ合金は硬質又は軟質ガラス封着材料としてトランジス
タ、ダイオードのリード線、ICのリードフレーム、リ
ードスイッチ用のリードなど、種々のハーメチノクンー
ルとしてf更用されている。
本発明においては、このような鉄系合金から成る耐熱リ
ード線を接続したサーミスタチップ類を、鉄の酸化物を
含有するガラスで封止することが必要である。
ード線を接続したサーミスタチップ類を、鉄の酸化物を
含有するガラスで封止することが必要である。
鉄の酸化物の含有量は通常0.1〜I Ovj%、好ま
しくは1〜5v1%の範囲内で選ばれる。この含有量が
これよりも少なすぎると効果が得られにくいし、また、
これよりも多すぎると電気抵抗性の低下を免れない。
しくは1〜5v1%の範囲内で選ばれる。この含有量が
これよりも少なすぎると効果が得られにくいし、また、
これよりも多すぎると電気抵抗性の低下を免れない。
このように前記サーミスタチップをガラス中に封止する
際、封止ガラスとリード線との界面でFeの拡散反応が
促進されて、該ガラスとリード線との濡れ性が向上し密
着性が良好となり、ガラス封止型に優れた素子が得られ
るものと推定される。
際、封止ガラスとリード線との界面でFeの拡散反応が
促進されて、該ガラスとリード線との濡れ性が向上し密
着性が良好となり、ガラス封止型に優れた素子が得られ
るものと推定される。
前記耐熱リード線としては、通常直径か0.2〜0.5
mmで、長さが20〜100mmの範囲にあるものが用
いられ、また、このリード線を該電極層に接続する方法
としては、例えば金ベーストなとの導電性ペーストを用
い、電気的に接触させて接続する方法、溶接による方法
、超音波ポンターによる方法など、任意の方法を用いる
ことができる。
mmで、長さが20〜100mmの範囲にあるものが用
いられ、また、このリード線を該電極層に接続する方法
としては、例えば金ベーストなとの導電性ペーストを用
い、電気的に接触させて接続する方法、溶接による方法
、超音波ポンターによる方法など、任意の方法を用いる
ことができる。
導電性ペーストを用いる場合は、製造か容易となり、素
子へのタメージの小さい点で好ましいが、この場合、ペ
ーストは導TL性粒子と溶剤と必要に応じバインダとを
含有し、前記と同様な理由からガラス分を含有しないガ
ラスフリ/トレスのものを用いるのが好ましい。なお、
導電性ペーストは、前記の電極層に用いたものと同しペ
ーストを用いてもよい。
子へのタメージの小さい点で好ましいが、この場合、ペ
ーストは導TL性粒子と溶剤と必要に応じバインダとを
含有し、前記と同様な理由からガラス分を含有しないガ
ラスフリ/トレスのものを用いるのが好ましい。なお、
導電性ペーストは、前記の電極層に用いたものと同しペ
ーストを用いてもよい。
また、スポ/ト溶接の方法としては、リード線を溶接す
るのに十分な時間内に、融着温度に達するように電流を
流す方法や、サーミスタ素子全体を炉の中に置き、融着
温度にする方法なと、公知の方法(特公昭+2−190
61号公報参照)を用いることができる。さらに超音波
ボンダーによる方法とし丁は、従来使用されている公知
の方法を用いることができる。
るのに十分な時間内に、融着温度に達するように電流を
流す方法や、サーミスタ素子全体を炉の中に置き、融着
温度にする方法なと、公知の方法(特公昭+2−190
61号公報参照)を用いることができる。さらに超音波
ボンダーによる方法とし丁は、従来使用されている公知
の方法を用いることができる。
本発明のサーミスタ素子に用いるガラスとしては、従来
ガラス封止型サーミスタ素子に慣用されているものを用
いることができるが、特にホウケイ酸ガラスが好ましい
。さらに、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分は
高温での絶縁抵抗値を低下させるおそれがあるため、そ
の含有量は1重量%以下であることが好ましい。
ガラス封止型サーミスタ素子に慣用されているものを用
いることができるが、特にホウケイ酸ガラスが好ましい
。さらに、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分は
高温での絶縁抵抗値を低下させるおそれがあるため、そ
の含有量は1重量%以下であることが好ましい。
このようなホウケイ酸ガラスの中でも、ガラス転移温度
が500℃以上、好ましくは500〜700 ’Cの範
囲にあり、かつ作業温度が1200°C以下、好ましく
は800−1100℃の範囲にあるものか、安定したサ
ーミスタ特性を有する素子を得るのに特に有利である。
が500℃以上、好ましくは500〜700 ’Cの範
囲にあり、かつ作業温度が1200°C以下、好ましく
は800−1100℃の範囲にあるものか、安定したサ
ーミスタ特性を有する素子を得るのに特に有利である。
次に本発明のガラス封止型サーミスタ素子の好適な製造
方法の1例について説明すると、まず、炭化物、窒化物
、ホウ化物、ケイ化物の1種以上を含み、かつ熱膨張率
が30X 10−’ 〜90X l[l−’del−’
程度の焼結体から成る直径3インチ程度、厚さ0.5m
m程度のウェハを作製したのち、このウェハの両面に、
電極層を形成し、次いてこの電極層か形成されたウェハ
を、ダイ/レグソーなとにより辺0.’lSrnm程度
の正方形に切断し、チップ化する。
方法の1例について説明すると、まず、炭化物、窒化物
、ホウ化物、ケイ化物の1種以上を含み、かつ熱膨張率
が30X 10−’ 〜90X l[l−’del−’
程度の焼結体から成る直径3インチ程度、厚さ0.5m
m程度のウェハを作製したのち、このウェハの両面に、
電極層を形成し、次いてこの電極層か形成されたウェハ
を、ダイ/レグソーなとにより辺0.’lSrnm程度
の正方形に切断し、チップ化する。
次に、このようにして得られたチップに、あらかじめ少
なくとも封止ガラスとの接触部か表面酸化処理された直
径0.2〜[1,5mm5長さ20〜ioomm程度の
鉄系合金、好ましくはコバール合金から成る耐熱リード
線を、前記の方法により接続したのち、このチップを直
径1.5〜2.5mm、長さ5mm程度の好ましくはホ
ウケイ酸ガラスから成るガラス管に挿入して、アルゴン
ガス雰囲気などの不活性雰囲気中で、800〜1000
°C程度の温度において封止し、さらに必要に応し、5
00〜750 ’Oの範囲の温度において、10〜10
0時間程度エージングを行うことにより、本発明のガラ
ス封止型サーミスタ素子を得ることができる。
なくとも封止ガラスとの接触部か表面酸化処理された直
径0.2〜[1,5mm5長さ20〜ioomm程度の
鉄系合金、好ましくはコバール合金から成る耐熱リード
線を、前記の方法により接続したのち、このチップを直
径1.5〜2.5mm、長さ5mm程度の好ましくはホ
ウケイ酸ガラスから成るガラス管に挿入して、アルゴン
ガス雰囲気などの不活性雰囲気中で、800〜1000
°C程度の温度において封止し、さらに必要に応し、5
00〜750 ’Oの範囲の温度において、10〜10
0時間程度エージングを行うことにより、本発明のガラ
ス封止型サーミスタ素子を得ることができる。
第2図は本発明のガラス封止型サーミスタ素子を85°
C−85%R1(で使用した時の使用時間と抵抗変化率
との関係を示すグラフである。ここで抵抗変化率−ΔR
/RoxlOO(ΔRは抵抗値の変化、Lは始めの抵抗
値である。)これから本発明のものがされ°めて安定な
抵抗変化率を示すことが分る。
C−85%R1(で使用した時の使用時間と抵抗変化率
との関係を示すグラフである。ここで抵抗変化率−ΔR
/RoxlOO(ΔRは抵抗値の変化、Lは始めの抵抗
値である。)これから本発明のものがされ°めて安定な
抵抗変化率を示すことが分る。
このようにして作製された本発明のガラス封止型サーミ
スタ素子の構造を添付図面に従って説明すると、第3図
は本発明のガラス封止型サーミスタ素子の1例の断面図
であって、サーミスタチップlの両面に、一対の電極層
4が設けられ、この電極層4のそれぞれに耐熱リード線
3が接続され、さらにリード線の一部を除く全体がガラ
ス2中に封止された構造を示している。
スタ素子の構造を添付図面に従って説明すると、第3図
は本発明のガラス封止型サーミスタ素子の1例の断面図
であって、サーミスタチップlの両面に、一対の電極層
4が設けられ、この電極層4のそれぞれに耐熱リード線
3が接続され、さらにリード線の一部を除く全体がガラ
ス2中に封止された構造を示している。
実施例
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
実施例1〜4、比較例1.2
^(1,0,4309、It、C709、M(CO30
、5g及びy2o、 0.59をボールミルで20時時
間式混合し、乾燥造粒し、直径3インチに成形したのら
、アルゴン雰囲気中、焼成温度1600°C、プレス圧
200kg/cm2の条件下で1時間ホットプレス焼結
して厚さ0.5mm及び直径3インチのの複合焼結体を
作製し Iこ 。
、5g及びy2o、 0.59をボールミルで20時時
間式混合し、乾燥造粒し、直径3インチに成形したのら
、アルゴン雰囲気中、焼成温度1600°C、プレス圧
200kg/cm2の条件下で1時間ホットプレス焼結
して厚さ0.5mm及び直径3インチのの複合焼結体を
作製し Iこ 。
このようにして得た複合焼結体の両面に、N1無電解め
っきにより厚さ1.5μmのN1電極層を形成してウェ
ハとした。次いで、このウェハを、外周スライシングマ
シンによりダイアモンドブレードにて一部0.l5mm
の正方形に切断加工し、サーミスタチップを得た。
っきにより厚さ1.5μmのN1電極層を形成してウェ
ハとした。次いで、このウェハを、外周スライシングマ
シンによりダイアモンドブレードにて一部0.l5mm
の正方形に切断加工し、サーミスタチップを得た。
続いて、このチンプに、直径0.25mm、長さ65r
amのコバール合金製リード線を下記に示す条件にてパ
ラレルギャップ溶接法により接続した。
amのコバール合金製リード線を下記に示す条件にてパ
ラレルギャップ溶接法により接続した。
(パラレルギャンブ溶接条件)
交流電圧 0.7V
時 間 30m5ec
次に、このようにして得られたものを、第1表に示した
組成(重量%)から成るホウケイ酸ガラス製の直径2
、5 mm、長さ4mmの管に挿入し、アルゴン雰囲気
中800〜1000°Cで封止したの6、これをエージ
ング旭理して、図に示されるようなガラス封止型サーミ
スタ素子を作製した。
組成(重量%)から成るホウケイ酸ガラス製の直径2
、5 mm、長さ4mmの管に挿入し、アルゴン雰囲気
中800〜1000°Cで封止したの6、これをエージ
ング旭理して、図に示されるようなガラス封止型サーミ
スタ素子を作製した。
このものについて、以下に示す方法により、耐湿性を求
めた。その結果を第2表に示す。
めた。その結果を第2表に示す。
耐湿性
サンプルを85℃、90%RH雰囲気下に1000時間
保持し、抵抗変化率を次式により求めた。
保持し、抵抗変化率を次式により求めた。
抵抗変化率(%)=ΔR/RoX100(ΔRは抵抗値
の変化、Roは始めの抵抗値である。)第 表 第 1 表 この表から分かるように本発明のガラス封止型サーミス
タ素子は、耐湿性が極めて優れている。
の変化、Roは始めの抵抗値である。)第 表 第 1 表 この表から分かるように本発明のガラス封止型サーミス
タ素子は、耐湿性が極めて優れている。
発明の効果
本発明のガラス封止型サーミスタ素子は、耐湿性に優れ
た特徴を有し、特に耐高温性サーミスタ素子は、高温で
、かつ耐湿性が要求された雰囲気で用いられる温度検出
センサ、例えは自動車排気ガス温度検出センサなどとし
て、好適lこ用いられる。
た特徴を有し、特に耐高温性サーミスタ素子は、高温で
、かつ耐湿性が要求された雰囲気で用いられる温度検出
センサ、例えは自動車排気ガス温度検出センサなどとし
て、好適lこ用いられる。
第1図は本発明のガラス封止型サーミスタ素子に用いら
れるサーミスタ材料の好ましい組成を表す三元組成図、
第2図は本発明及び比較用のガラス封止型サーミスタ素
子を85°C−85%RHで使用した時の使用時間と抵
抗変化率との関係を示すグラフ、第3図は本発明のガラ
ス封止型サーミスタ素子の1例の断面図である。図中符
号lはサーミスタチップ、2は封止ガラス、3は耐熱り
一ト線、4は電極層である。 第2 1CfY1 図
れるサーミスタ材料の好ましい組成を表す三元組成図、
第2図は本発明及び比較用のガラス封止型サーミスタ素
子を85°C−85%RHで使用した時の使用時間と抵
抗変化率との関係を示すグラフ、第3図は本発明のガラ
ス封止型サーミスタ素子の1例の断面図である。図中符
号lはサーミスタチップ、2は封止ガラス、3は耐熱り
一ト線、4は電極層である。 第2 1CfY1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 サーミスタチップの両側に一対の電極層を設け、該
電極層のそれぞれに鉄系合金から成る耐熱リード線を接
続し、ガラスで封止して成るガラス封止型サーミスタ素
子において、該ガラスが鉄の酸化物を含有するガラスで
あることを特徴とするガラス封止型サーミスタ素子。 2 ガラス中の鉄の酸化物の含有量が0.1ないし10
重量%の範囲である請求項1記載のガラス封止型サーミ
スタ素子。 3 サーミスタ素子が高耐熱性のものである請求項1又
は2記載のガラス封止型サーミスタ素子。 4 サーミスタチップが炭化物、窒化物、ホウ化物、ケ
イ化物の中から選ばれた少なくとも1種を含有する焼結
体から成るものである請求項1ないし3のいずれかに記
載のガラス封止型サーミスタ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24559288A JPH0294401A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | ガラス封止型サーミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24559288A JPH0294401A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | ガラス封止型サーミスタ素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0294401A true JPH0294401A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17136022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24559288A Pending JPH0294401A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | ガラス封止型サーミスタ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0294401A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62189701A (ja) * | 1986-02-15 | 1987-08-19 | 宝工業株式会社 | 炭化硅素焼結体サ−ミスタ |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24559288A patent/JPH0294401A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62189701A (ja) * | 1986-02-15 | 1987-08-19 | 宝工業株式会社 | 炭化硅素焼結体サ−ミスタ |
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