JPH023020A - 液晶ディスプレイとその製造方法 - Google Patents
液晶ディスプレイとその製造方法Info
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- JPH023020A JPH023020A JP15276088A JP15276088A JPH023020A JP H023020 A JPH023020 A JP H023020A JP 15276088 A JP15276088 A JP 15276088A JP 15276088 A JP15276088 A JP 15276088A JP H023020 A JPH023020 A JP H023020A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶ディスプレイに関し、特に表示情報量の多
いマトリクス型液晶ディスプレイに関する。
いマトリクス型液晶ディスプレイに関する。
(:従来の技術〕
従来のマトリクス型液晶ディスプレイは、第6図の従来
の単純マトリクス液晶ディスプレイを示す模式図に示す
ように、信号電極1.走査電極2に電圧を印加し、液晶
の容量3を用いて電荷の保持を行ない、液晶自体の光学
特性を変化させていた。
の単純マトリクス液晶ディスプレイを示す模式図に示す
ように、信号電極1.走査電極2に電圧を印加し、液晶
の容量3を用いて電荷の保持を行ない、液晶自体の光学
特性を変化させていた。
丘述した従来の単純マトリクス型液晶ディスプレイは液
晶自体の電気的に不完全な容量を用いて電荷を保持させ
るため選択点と半選択点のコントラストが、表示容量が
多くなるに従い低下するという欠点があった。
晶自体の電気的に不完全な容量を用いて電荷を保持させ
るため選択点と半選択点のコントラストが、表示容量が
多くなるに従い低下するという欠点があった。
二のような表示品質の低下を防ぐため、各種のアクティ
ブマトリクス型液晶ディスプレイが製造されるようにな
った。アクティブマトリクス型液晶ディスプレイの1例
として薄膜トランジスタを用いたものについて第7図の
アクティブマトリクス型液晶ディスプレイを示す模式図
を用いて説明する。これは薄膜トランジスタ12を用い
ているため走査電極2が選択されたとき、信号電極1と
共通電極13間に電圧が印加され液晶の容量3に電圧が
印加されるが、走査電極2が選択されないときは、信号
電極1にかかる電圧は液晶の容量3に影響を与えないた
め、液晶の容量3が電気的に不完全でもスタティクな動
作と同じになる。このためコントラストの低下はほとん
どなくなり表示品質の高い液晶ディスプレイを製造でき
る。
ブマトリクス型液晶ディスプレイが製造されるようにな
った。アクティブマトリクス型液晶ディスプレイの1例
として薄膜トランジスタを用いたものについて第7図の
アクティブマトリクス型液晶ディスプレイを示す模式図
を用いて説明する。これは薄膜トランジスタ12を用い
ているため走査電極2が選択されたとき、信号電極1と
共通電極13間に電圧が印加され液晶の容量3に電圧が
印加されるが、走査電極2が選択されないときは、信号
電極1にかかる電圧は液晶の容量3に影響を与えないた
め、液晶の容量3が電気的に不完全でもスタティクな動
作と同じになる。このためコントラストの低下はほとん
どなくなり表示品質の高い液晶ディスプレイを製造でき
る。
しかしながら、アクティブマトリクス型液晶ディスプレ
イの製造工程は複雑なため、価格が高いという重大な欠
点がある。
イの製造工程は複雑なため、価格が高いという重大な欠
点がある。
本発明にかかる液晶ディスプレイは列状の走査電極より
なる第1の基板と行状の信号電極よりなる第2の基板と
を挾持対向させて固定し、これら第1の基板と第2の基
板との間に液晶を注入してなる液晶ディスプレイにおい
て、走査電極と信号電極にはさまれた液晶の静電容量よ
りも大きい蓄積容量を前記液晶の静電容量を並列に具備
している。
なる第1の基板と行状の信号電極よりなる第2の基板と
を挾持対向させて固定し、これら第1の基板と第2の基
板との間に液晶を注入してなる液晶ディスプレイにおい
て、走査電極と信号電極にはさまれた液晶の静電容量よ
りも大きい蓄積容量を前記液晶の静電容量を並列に具備
している。
本発明の液晶ディスプレイの製造方法は、透明絶縁基板
上に行状の信号電極を形成する工程と、この信号電極の
端子部分を除いて絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜
上に列状の走査電極を形成して第1の基板とする工程と
、この第1の基板を行状の信号電極を形成した第2の基
板と挾持対向させて固定するとともに第1の基板の信号
電極の端子部分と第2の基板の信号電極の端子部分を異
方導電性フィルムにて電気的に接続する工程とを少なく
とも含んでいる。
上に行状の信号電極を形成する工程と、この信号電極の
端子部分を除いて絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜
上に列状の走査電極を形成して第1の基板とする工程と
、この第1の基板を行状の信号電極を形成した第2の基
板と挾持対向させて固定するとともに第1の基板の信号
電極の端子部分と第2の基板の信号電極の端子部分を異
方導電性フィルムにて電気的に接続する工程とを少なく
とも含んでいる。
更に本発明の液晶ディスプレイの製造方法は、透明プラ
スチック基板上に行状の信号電極を形成する工程と、信
号電極行方向の半分を覆う絶縁膜を形成する工程と、該
絶縁膜上に列状の走査電極を形成する工程と、行状の信
号電極方向と直角に透明プラスチック基板を折り曲げて
行状の信号電極と列状の走査電極を挾持対向させて固定
する工程とを少なくとも含んでいる。
スチック基板上に行状の信号電極を形成する工程と、信
号電極行方向の半分を覆う絶縁膜を形成する工程と、該
絶縁膜上に列状の走査電極を形成する工程と、行状の信
号電極方向と直角に透明プラスチック基板を折り曲げて
行状の信号電極と列状の走査電極を挾持対向させて固定
する工程とを少なくとも含んでいる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の液晶ディスプレイの一実施例を示す模
式図、第4図は本発明にかかる液晶ディスプレイの製造
方法により製造した液晶ディスプレイの断面を示す模式
図である。第1の基板5および第2の基板7にアルゴン
スパッタ法により透明導電膜0.1μmを形成しフォト
レジスト法を用い行状の信号電極1を形成する。次に第
1の基板の端子部分を除いて絶縁膜6としてアルゴンス
パッタ法により二酸化硅素を0.5μm形成した上にア
ルゴンスパッタ法により透明溝tli0.1μmを形成
し、フォトレジスト法を用い列状の走査電極2を形成し
た。第1の基板5、第2の基板7に配向処理を施した後
シール材8で第1の基板5と第2の基板7を10μmの
間隔で挾持対向させて固定するとともに異方導電性フィ
ルム10を用いて第1の基板5と第2の基板7とを電気
的に接続した後、液晶を注入して液晶ディスプレイを形
成した。表示面積は160mmX192mm、表示画素
は400X640のOA用反射型モノクロディスプレイ
とした。蓄積容量4は液晶容量3の約10倍であった。
式図、第4図は本発明にかかる液晶ディスプレイの製造
方法により製造した液晶ディスプレイの断面を示す模式
図である。第1の基板5および第2の基板7にアルゴン
スパッタ法により透明導電膜0.1μmを形成しフォト
レジスト法を用い行状の信号電極1を形成する。次に第
1の基板の端子部分を除いて絶縁膜6としてアルゴンス
パッタ法により二酸化硅素を0.5μm形成した上にア
ルゴンスパッタ法により透明溝tli0.1μmを形成
し、フォトレジスト法を用い列状の走査電極2を形成し
た。第1の基板5、第2の基板7に配向処理を施した後
シール材8で第1の基板5と第2の基板7を10μmの
間隔で挾持対向させて固定するとともに異方導電性フィ
ルム10を用いて第1の基板5と第2の基板7とを電気
的に接続した後、液晶を注入して液晶ディスプレイを形
成した。表示面積は160mmX192mm、表示画素
は400X640のOA用反射型モノクロディスプレイ
とした。蓄積容量4は液晶容量3の約10倍であった。
このようにして製造した液晶ディスプレイはコントラス
トが20:1以上とアクティブマトリクスと同等の表示
性能を示した。また単純マトリクスと比較してやや工程
は増えるものの液晶ティスプレィの価格としては同等の
価格におさえることができた。
トが20:1以上とアクティブマトリクスと同等の表示
性能を示した。また単純マトリクスと比較してやや工程
は増えるものの液晶ティスプレィの価格としては同等の
価格におさえることができた。
本実施例では用いなかったが第2図や第3図に本実施例
の応用例を示す模式図のような液晶容量3と並列に液晶
容量3よりも大きい蓄積容量4を構成しても本実施例と
同様の効果を示すことは言うまでもない。
の応用例を示す模式図のような液晶容量3と並列に液晶
容量3よりも大きい蓄積容量4を構成しても本実施例と
同様の効果を示すことは言うまでもない。
第5図は本発明にかかる他の液晶ディスプレイの製造方
法により製造した液晶ディスプレイの断面を示す模式図
である。
法により製造した液晶ディスプレイの断面を示す模式図
である。
透明プラスチック基板11としてポリエステルファルを
用いアルゴンスパッタ法により透明導電膜0.1μmを
形成しフォトレジスト法を用い行状の信号電極1を形成
した。次に行状の信号電極方向の半分を覆うように絶縁
膜6としてアルゴンスパッタ法により二酸化硅素を0.
5μm形成した上にアルゴンスパッタ法により透明導電
極0.1μmを形成しフォトレジスト法を用い列状の走
査電極2を形成した。透明プラスチック基板11に配向
処理を施した後行状の信号電極方向と直角に透明プラス
チック基板11を折り曲げ行状の信号電極1と列状の走
査電極2を10μmの間隔でシール材8を用いて挾持対
向させて固定した後、液晶を注入し液晶ディスプレイを
形成した。表示面積は48mmX 48mm、表示画素
数は240X240のカード型ディスプレイに用いた。
用いアルゴンスパッタ法により透明導電膜0.1μmを
形成しフォトレジスト法を用い行状の信号電極1を形成
した。次に行状の信号電極方向の半分を覆うように絶縁
膜6としてアルゴンスパッタ法により二酸化硅素を0.
5μm形成した上にアルゴンスパッタ法により透明導電
極0.1μmを形成しフォトレジスト法を用い列状の走
査電極2を形成した。透明プラスチック基板11に配向
処理を施した後行状の信号電極方向と直角に透明プラス
チック基板11を折り曲げ行状の信号電極1と列状の走
査電極2を10μmの間隔でシール材8を用いて挾持対
向させて固定した後、液晶を注入し液晶ディスプレイを
形成した。表示面積は48mmX 48mm、表示画素
数は240X240のカード型ディスプレイに用いた。
蓄積容量4は液晶容量3の約10倍であった。このよう
にして製造した液晶ディスプレイはコントラスが15:
1以上と良好な表示性能を示した。トータルコストは単
純マトリクスとほぼ同等であった。なおプラスチック基
板上に薄膜トランジスタを形成した例は現在ないのでコ
ントラストが15:1以上得られた。
にして製造した液晶ディスプレイはコントラスが15:
1以上と良好な表示性能を示した。トータルコストは単
純マトリクスとほぼ同等であった。なおプラスチック基
板上に薄膜トランジスタを形成した例は現在ないのでコ
ントラストが15:1以上得られた。
以上、説明したように本発明は液晶容量3と並列に液晶
容量3よりも大きい蓄積容量4を持つため従来の単純マ
トリクス型液晶ディスプレイのような液晶自体の電気的
に不完全な容量に比ベコントラスト等表示性が優れてい
る。またアクティブ型液晶ティスプレィの製造方法に比
較して工程数が少ないため表示性能が高く価格の安い液
晶ディスプレイを提供できる効果がある。
容量3よりも大きい蓄積容量4を持つため従来の単純マ
トリクス型液晶ディスプレイのような液晶自体の電気的
に不完全な容量に比ベコントラスト等表示性が優れてい
る。またアクティブ型液晶ティスプレィの製造方法に比
較して工程数が少ないため表示性能が高く価格の安い液
晶ディスプレイを提供できる効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、列状の走査電極よりなる第1の基板と行状の信号電
極よりなる第2の基板とを挾持対向させて固定し、前記
第1の基板と前記第2の基板との間に液晶を注入してな
る液晶ディスプレイにおいて、走査電極と信号電極には
さまれた液晶の静電容量よりも大きい蓄積容量を前記液
晶の静電容量と並列に具備してなることを特徴とする液
晶ディスプレイ。 2、透明絶縁基板上に行状の信号電極を形成する工程と
、前記信号電極の端子部分を除いて絶縁膜を形成する工
程と、前記絶縁膜上に列状の走査電極を形成し第1の基
板とする工程と、該第1の基板と行状の信号電極を形成
した第2の基板とを挾持対向させて固定するとともに前
記第1の基板の信号電極の端子部分と前記第2の基板の
信号電極の端子部分とを異方導電性フィルムにて電気的
に接続する工程とを少なくとも含むことを特徴とする液
晶ディスプレイの製造方法。 3、透明プラスチック基板上に行状の信号電極を形成す
る工程と、前記行状の信号電極方向の半分を覆う絶縁膜
を形成する工程と、該絶縁膜上に列状の走査電極を形成
する工程と、前記行状の信号電極方向と直角に透明プラ
スチック基板を折り曲げて、前記行状の信号電極と前記
列状の走査電極を挾持対向させて固定する工程とを少な
くとも含むことを特徴とする液晶ディスプレイの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15276088A JPH023020A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 液晶ディスプレイとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15276088A JPH023020A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 液晶ディスプレイとその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH023020A true JPH023020A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15547552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15276088A Pending JPH023020A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 液晶ディスプレイとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH023020A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9763489B2 (en) | 2012-02-22 | 2017-09-19 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US9810591B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-07 | Nike, Inc. | System and method of analyzing athletic activity |
US9924760B2 (en) | 2011-02-17 | 2018-03-27 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10070680B2 (en) | 2008-06-13 | 2018-09-11 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10151648B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-11 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10182744B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-01-22 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10314361B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-06-11 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10327672B2 (en) | 2013-02-01 | 2019-06-25 | Nike, Inc. | System and method for analyzing athletic activity |
US10357078B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-07-23 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10398189B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-09-03 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10926133B2 (en) | 2013-02-01 | 2021-02-23 | Nike, Inc. | System and method for analyzing athletic activity |
US11006690B2 (en) | 2013-02-01 | 2021-05-18 | Nike, Inc. | System and method for analyzing athletic activity |
US12225980B2 (en) | 2023-06-29 | 2025-02-18 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15276088A patent/JPH023020A/ja active Pending
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US11026469B2 (en) | 2008-06-13 | 2021-06-08 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10912490B2 (en) | 2008-06-13 | 2021-02-09 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
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US10408693B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-09-10 | Nike, Inc. | System and method for analyzing athletic activity |
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US9924760B2 (en) | 2011-02-17 | 2018-03-27 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US11109635B2 (en) | 2011-02-17 | 2021-09-07 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US11071345B2 (en) | 2012-02-22 | 2021-07-27 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US9763489B2 (en) | 2012-02-22 | 2017-09-19 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10151648B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-11 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
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US11793264B2 (en) | 2012-02-22 | 2023-10-24 | Nike, Inc. | Footwear having sensor system |
US10926133B2 (en) | 2013-02-01 | 2021-02-23 | Nike, Inc. | System and method for analyzing athletic activity |
US11006690B2 (en) | 2013-02-01 | 2021-05-18 | Nike, Inc. | System and method for analyzing athletic activity |
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