JPH01317167A

JPH01317167A - 薄膜形成用酸化ジルコニウム焼結体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH01317167A
Application number: JP1035078A
Authority: JP
Inventors: Fukuo Oizumi; 大泉　福男; Kinichiro Kamimura; 上村　金一郎; Katsuo Minoya; 美濃谷　克夫; Akiyoshi Kato; 加藤　明美; Tsutomu Uema; 上間　力
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 1988-03-15
Filing date: 1989-02-16
Publication date: 1989-12-21
Also published as: DE3908322C2; DE3908322A1; GB2216546B; CA1331272C; GB2216546A; US5106794A; GB8905574D0

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野〕本発明は、薄膜形成用酸化ジルコニウム焼結体及びその
製造方法に関する。更に詳しくは蒸着法又はスパッタリ
ング法なとにおいて使用される高純度酸化ジルコニウム
焼結体及びその製造方法に関するものである。

蒸着法又はスパッタリング法などによって成膜された酸
化ジルコニウム（Ｚ　ｒ、　０２　）薄膜は透明性、１
ｔ１°ｉ硬度、高屈折率、高耐瑠境性等の諸特性を有し
、透明保護膜や反射防止膜などの光学的な用途で広く用
いられている。

［従来の技術］Ｚ　ｒ　’　０２には９００−１．２００°Ｃに容積変
化を伴う相変態（単斜晶・−一正方品）か存在するため
、純粋なＺ　ｒ　Ｏ２の高密度焼結体を簡便に寄ること
は困難であった。ずなわち、従来Ｚ　ｒ　Ｏ２焼結体を
得るためにＣａｂ、ＭｇＯ又はＹ２Ｏ３なとの安定化剤
を３ｍｏ１％以上添加して結晶を正方品に安定化させ、
］４００°Ｃ以上の温度で焼結し、安定化（又は部分安
定化）酸化ジルコニウム焼結体が１１すられていた。し
かし、この焼結体は安定化剤を多く含み、純度が低いた
めに、これを蒸右用蒸発源又はスパッタリング用ターゲ
ッ！・とじて用い成膜して得られたＺ　ｒ　Ｏ２膜は、
透明性、高屈折率等の光学膜としての特性の点て優れた
ものではなかった。

ｉ′Δｉ純度の真密度（Ｘ線密度、１１１斜晶系５．８
３ｇ　／　ｃｍ３　）に近いＺ　ｒ　Ｏ２焼結体の製造
方法はこれまでに数例発表されている［例えば　Ａ、Ｃ
，Ｄ。

ＣｈａｋｌａｄｃｒａｎｄＶ、Ｔ、Ｂａｋｃｒ、Ａｍ、
Ｃｃｒａ＋ｎ、Ｓｏｃ、Ｂｕｌｌ、。

４４．２５８−５９　　（１９０５）；　Ｇ、に、Ｂａ
ｎ５ａｌ　　ａｎｄ　　Ａ、Ｉｌ、ｌ１ｃｕｌｅｒ。

Ｊ、Ａｍ、Ｃｃｒａｍ、Ｓｏｃ、、　　５８．７０−７
７　　（１９７５）；Ｉｌ、Ｊ、ＧａｒｒｃｔＬａｎｄ
ｌ？、ｌ？ｕｈ、Ａｍ、Ｃｃｒａｍ、Ｓｏｃ、Ｂｕｌｌ
、、４７，５７８−　７９（１９［ｉ８）　　　；　　
Ｍ、Ｙｏｓｌ＋］ｍｕｒａ　　ａｎｄ　　Ｓ、Ｓｏｍｉ
ｙａ、　　１ｌ）ｊｄ、、５９，２４６（１，９８０）
　、村瀬、加藤、平野、窯業協会誌９１，５６１−１ｉ
４（Ｎ１８３）］か、これらの方法はホットプレス、反
応ポットプレス、真空焼結後の再酸化、水熱条件下でＺ
ｒと水とを反応させる方法、Ｚ　ｒ　ＯＣＩ　２の加水
分解による超微粒子を原料とする方法など複利なプロセ
スを経るものであり、焼結体の製造コストは非常に高価
なものとなる。また、これらの方法によれば、１１）ら
れる焼結体には応力が残留するので、その製造過程で焼
結体に割れが生じやすくなり、薄膜形成用の大きな焼結
体が得られず、更に焼結体を蒸若用蒸発源又はスパッタ
リング用ターゲットとして用いた場合にも割れか生じや
すいという問題かある。そこで、高純度のＺ　ｒ　Ｏ２
膜を得るために用いる焼結体として、従来、密度が４．
９ｇ／ｃ■ｔ”以下（−膜面に４．０〜４，５ｇ／ｃｍ
３）の焼結体か従来用いられていた。しかしなから、こ
の焼結体を電子ビーム（以後ＥＢと称す）等のエネルギ
ービーム照射型蒸着法の蒸発源として用いた場合には、
ビームパワーを大きくするとビームを照射したところが
大きく窪みやすく蒸発源の表面に凹凸ができ、均質な成
膜がてぎないという欠点があり、抵抗加熱型蒸着法の蒸
発源あるいはスパッタリング法のターゲットに用いた場
合には、密度の低い焼結体に多く含まれる吸管ガスのた
めに均質な成膜が困難であるという欠点がある。更に、
この焼結体は薄膜形成用焼結体として寿命か短く生産性
が低いものである。

［発明か解決しようとする課題］本発明は上記の従来技術の欠点に鑑みてなされたもので
あり、その１］的は蒸希又はスパッタリングなどによる
Ｚ　ｒ　Ｏ２薄膜形成に最適に用いることのできるＺ　
ｒ　０２焼結体及びその製造方法を提ＩＪ（することに
ある。

［課題を解決するための手段］本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討をｊ−
ｒっだ結果、Ｚ　ｒ　Ｏ２は高い焼結性を示すので、こ
の焼結性を薄膜形成用焼結体として最適な密度となるよ
うに弱めることにより、寄られる焼１１一体は高純度で
かつ薄膜形成用焼結体として最適な密度を有するものと
なることを見出たし本発明を完成するに至った。すなわ
ち本発明は、密度か４　、　９　ｇ／　ｃｍ３を越え、
その純度か不可避的に含まれる酸化ハフニウムを含めて
９９．０重量％以］二である薄膜１［３成用ＺｒＯ３焼
結体である。以下その詳細について説明する。

本発明のＺ　ｒ　０２焼結体は、その密度が４．９ｇ／
ｃｌｌ１３を越えるものである。そのため、これをＥＢ
等のエネルギービーム照射型の蒸着法の蒸発源として用
いた場合には、ビームの照射による蒸発源表面の大きな
凹凸及び蒸発源の割れか生じることかなくなり、均質な
蒸着膜が得られるようになる。また、この焼結体は吸着
ガスか少ないので、抵抗加熱型蒸着用蒸発源またはスパ
ッタリング用ターゲットとじて用いた場合にも、均質な
膜を安定して得ることかできるようになる。更に上記密
度を有することにより、本発明の焼結体は蒸発源または
ターゲットとじての寿命が長くなり、４１王産性か高く
なる。密度か５．３ｇ／ｃｍ３を越えるものは、焼結体
中に残留応力が存在するために焼結体の製造中あるいは
使用中に割れが生ずるおそれかあるので好ましくは４．
９〜５．３ｇ／ａｍ３である。なお、密度か４．９ｇ／
Ｃｍ”以下の焼結体を蒸発源またはターゲットとじて用
いて？１１られるＺ　ｒ　Ｏ２薄膜の膜質は不均質なも
のとなる。

また、本発明の焼結体は多量の安定化剤を含まず、その
純度は不ｉ−Ｊ避的に含まれる酸化ハフニウムをなめて
９９．０重量％以上である。従って、この焼結体を用い
て成膜して得られたＺ　ｒ　Ｏ２膜は透明性、間層折率
等の光学膜としての特性の点て優れたものとなる。本発
明の焼結体か多量の安定化剤を必要としない理由は、本
発明のＺ　ｒ　Ｏ２焼結体は焼結性が適度に弱められ、
Ｚ　ｒ　Ｏ２の相変態にともなう容積変化に対応し得る
ボアなどが焼結体内に存在するためであり、焼結体の結
晶を安定化せしめる必要がないからである。更に、本発
明の焼結体にはＣａＯが５０ｐｐ１１以上２０００ｐｐ
ｍ以下含まれていてもよく、このＣａＯは焼結体の焼結
性を適度に弱めるものである。しかしなから、ＣａＯの
含有量か２０００ｐｐｍを越える場合、その製造中ある
いは使用中に割れの生ずるおそれかある。

また上記したとおり、本発明のＺ　ｒ　０２焼結体は、
その焼結性が適度に弱められ、残留応力がほとんど存在
しないので、蒸着用蒸発源またはスパッタリング用ター
ゲットとじて要求される、焼結体表面の最大面積を有す
る面の面積が２０ｃｎＹ以上、焼結体の最短辺の長さが
５　ｍｍ以上の大きさとしても、その製造中あるいは使
用中に割れの生じることかなくなる。

以上の理由から本発明の薄膜形成用Ｚ　ｒ　Ｏ２焼結体
は、薄膜形成用焼結体としての寿命が長く、所望の大き
さのものとなり、その使用の際に、ビームの照射による
表面の荒れ、割れなどが生じないためにＥＢ蒸着用蒸発
源として好ましく用いることができ、焼結体中に吸着ガ
スが少ないことから抵抗加熱蒸る用蒸発源あるいはスパ
ッタリング用ターゲットとじて好ましく用いることがで
きる。

また、本発明者らは、上記の薄膜形成用の高純度Ｚ　ｒ
　Ｏ２焼結体の製造方法について鋭意検討を行なった結
果、原料となるＺ　ｒ　Ｏ２粉末の粒度を調整すること
あるいは原料粉末にＣａＯを添加することにより、Ｚ　
ｒ、　０２の高い焼結性が適度に弱められ、かつ密度４
　、　９　ｇ　／　ｅｎ＋３を越える焼結体が簡便に１
１１られることを見出たした。すなわち本発明の焼結体
の製造方法は、二次粒子径が］０７１　ｍ以上４　Ｑ　
Ｉｔ　ｍ末？−？−である粒子を３０重量％以上、ｌ　
ｌ１ｍ未満である粒子を２重量％以上含み、純度か不可
避的に含まれる酸化ハフニウムを含めて９９．０重量％
以上であるＺ　ｒ　Ｏ２粉末、酸化カルシウム（Ｃａ　
Ｏ）を５０　ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以］この範囲で
含有し、純度が不可避的に含まれる酸化ハフニウムを含
めて９９．０重量％以上であるＺ　ｒ　Ｏ２粉末または
上記のように粒度分布を調整し、ＣａＯを添加したＺ　
ｒ　０２粉末を、室温で成型した後、焼結することを特
徴とする特許形成用Ｚ　ｒ　Ｏ２焼結体の製造方法であ
る。

本発明の製造方／Ｉ！：において、原料粉末として用い
られるＺｒＯ２粉末の純度は、不可避的に含まれる酸化
ハフニウムを含めて９９．０重量％以上である。

原料粉末の製造方法は特に問わないが、粒度分布を調整
する場合には、簡便さ、コストの点から水酸化ジルコニ
ウム（Ｚ　ｒ　Ｏ−ｘ　Ｈ２０）を仮焼して製造するこ
とが好ましい。

原料粉末を前述した粒度分布とすることにより、粉末中
に多く含まれる粗粒が焼結性を弱め、それとともに若］
ゝ含まれる微粉が適度な焼結性を保ち、Ｚ　ｒ　Ｏ２の
焼結性か適度に弱められ、本発明の薄膜形成用焼結体か
得られるようになる。

また原料粉末にＣａＯを添加する方法において、ＣａＯ
は焼結性阻害剤として作用する。このときのＣａＯの添
加量は５０　ｐｐｍ以上、２０００　ｐｐｍ以下である
。粒度分／ｌｉを前述のように調整した場合にはＣａＯ
は添加してもしなくても良いが、粒度分布を調整しない
場合、ＣａＯの５０　ｐｐｍ未満の添加では、上記の焼
結性の改善の効果か認められない。一方、ＣａＯは酸化
ジルコニウム活量を１１方晶で安定化させる作用かあり
、これを多く含むと、焼結温度より冷却する際に通常の
＋１１゜斜晶への相変態温度（９００〜１２００°Ｃ）
での相変態が進行せす、過冷却現象を起こし、通常の温
度より低い温度で度胆を１゛ヒう相変態を一挙に起こす
ために、ＣａＯの添加か２０００ｐｐｍを越える場合、
１′、ノられる焼結体には細かい割れが入りやすくなる
。

次に、上記原料粉末を室温で成型するが、この成型は例
えば、金型プレス等で成形した成形体を静水圧プレスす
る方法、金型プレスを省いて直接静水圧プレスする方法
なとが採用される。成型の際に静水圧プレスを採用する
ことにより、焼結時の反り、密度むらか防止され、かつ
焼結体の密度を上げることかでき、更に焼結時間も短縮
され不必要な粒成長を抑えることかできる。また、静水
圧プレスにおける圧力は８００　ｋｇ　／　ｃｎＹ以上
とすることが好ましく、金型プレスを併用する場合、そ
の圧力は１．　（）　Ｏｋｇ　／　ｃＪ以上とすること
が好ましい。

以上の成型により得られた成形体を焼結することにより
、本発明の焼結体が得られる。この焼結温度は１．００
０　’Ｃ以上であれば特に制限されないが、１４００°
Ｃを越える場合焼結が進行しすぎ焼結体の相変態にとも
なう容積変化のために焼結体に割れが生じることがある
ので１４００　’Ｃ以下とすることが好ましい。一方、
焼結温度が１０００℃未ｌ＋５−の場合、焼結かほとん
ど進ます崩れやすくなる。また、焼結温度における保持
時間は１時間以上とすることか好ましい。

上記り法により焼結体を製造することにより、密度か４
　、９　ｇ／　ｃｕｔ”を越える本発明の焼結体の製造
がｉｉＪ能となるか、密度が高すぎると焼結体は熱ショ
ックに弱くなる傾向にあるので、焼結体南瓜は５　、　
３　ｚ　／　ｃｍ”以下に調整することか好ましい。な
お、この調整は焼結温度を変えることにより適宜イーｉ
なうことができる。

以上の方法により、焼結性の弱められた本発明の薄膜形
成用Ｚ　ｒ　Ｏ２焼結体を簡便に１１することかできる
。

［実施例］以下、実施例により更に本発明の詳細な説明するか、本
発明は何らこれらに限定されるものではない。

実施例１Ｚ　ｒ　Ｏ２粉末として、純度：９９．９重量％（Ｚｒ０２＋ＩＩＩ’０２）粒度
分布（沈降法により測定、重量％）１μｍ未満　　　　
　　　　８％１　ｌｔ　ｒｎ　〜］　ＯＩｔ　ｍ未満　　２３％１　
０　　μ　＋ｕ　　−４０μ　ｒｎ　　未　！ｈＹ１：
　　　　　５　１　　％４０μｍ以１’：］、８％のものを使用し、Ｚ　ｒ　Ｏ２粉末１００重量部に対し
て２重量部のワックスを添加したものを成型原料として
用いた。

上記原料５１．０ｇを金型に入れ、面圧力２００ｋｇ　
／　ｃｎｆで予備成型した後、静水圧プレスにより２０
００ｋｇ／ｃｎ〒の圧力で成シ（ソし、密度３．コ８ｇ
／ｃｍ３の成型体を得た。この成型体を脱ワックスした
後、焼結炉に入れ、１２５０°Ｃの湿度で６時間焼結し
た。？Ｉｊられた焼結体の大きさは６．５膜ｍ　Ｘ　６
　、　５　ｃｍ　Ｘ　２　、　３　ｃｍ、密度５．１５
ｇ／ｃ＋ｎ３であった。

この焼結体を６　、　　Ｏｃｍ　Ｘ　６　、　　Ｏｃｍ
　Ｘ　２　、　　Ｏｃｍに乾式で加工した後、ＥＢ蒸着
用蒸発源として使用した結束、蒸発源の割れおよび表面
の凸凹かない滑らかな溶融面となり、均質なＺ　ｒ　Ｏ
２膜が安定して７＋、７られた。

実施例２実施例１と同一の成型原料６０００ｇを直接静水圧プレ
ス用ゴム型に充填して静水圧プレスを行い、密度３．１
５ｇ・／ｃＩｌ１３の成型体を得た。この成型体を実施
例１と同一の条件で脱ワツクス、焼結したｉ、１ｌＩＪ
、大ぎさ３２．８ｃ＋ｎＸ　１０．　９ｃｍＸ−，３、
４ｃｍ、密度４．９４ｇ／ｃｍ”の焼結体が得られ、実
施例１と同様にＥＢ蒸盾用蒸発源として使用した結果、
何ら問題なく使用できた。

実施例３実施例１と同一の成型原料１．０２０　ｇを２０ｃｍφ
の金型を用いて予備成型した後、実施例１と同様に静水
圧プレス、脱ワ・ソクス、焼結を行い大きさ１５．７ｃ
ｍφ×屹　９９　ｃａｎ”　、密度５．２２ｇ　／　ｃ
ｍ　　の焼ｉ１！１体を１４７だ。これを１５．２４ｃ
＋ｎφＸ　０　、　６　’−３５ｃｍ””に加工した後
、銅板と接合してスパッタリング用ターゲットとじて供
した結果、同ら問題なく使用でき、均質なＺ　ｒ　Ｏ２
１１！ｑか安定して得られた。

実施例４Ｚ　ｒ　Ｏ２粉末として、純度二９９．９重量％（ＺｒＯ＋ＩＩｆＯ２）ＣａＯ：
１０ｐｐｍ以下粒度分布（沈降法により測定、重量％）ｌ　７Ｚ　１１
１未満　　　　　：　１６％ｌ　μｍ　〜１０１ｔ　ｍ
未！ｂＶｉ二　５１％１０μｍ〜４０μｒｎ未満・　３
３％４０　Ｉｔ　ｔｎ以上　　　　　・　　０％のちのを使
用し、Ｚ　ｒ　Ｏ２粉末１００重量部に対して２重量部
のワックスを添加したものを成型原料として用いた。

上記原料５２０ｇを実施例１と同様の方法で成型し、脱
ワツクス後、焼結炉に入れ、１２２０°Ｃの温度で６時
間焼結した。得られた焼結体の太きさは６　、　６　ｃ
ｍ　Ｘ　６　、　６　ｃｍ　Ｘ　２　、　３５　ｃｍ　
％密度４、　９８　ｇ／ｃｍ３テあった。

この焼結体を実施例１と同様に加工し、ＥＢ蒸着用蒸発
源として使用したところ何ら問題なく使用できた。

実施例５１　ｒ　Ｏ２粉末として、純度　９９．８重量％（Ｚ　ｒ　Ｏ＋Ｉｆ　Ｉ’　０２
　）ＣａＯ：５００ｐｐｍ拉度分（１１（沈降法により測定、重量％）１０　μｍ
未ｌｌ′ｌ′ｄ：９８％１０μｍ以上　　　　　　　　２９６のしのを使用した以外は実施例１と同様の方法で大きさ
６．４５ｅｍＸ６．４５ｃｍＸ２．２８ｃｍの焼結体を
１１１だ。得られた焼結体の密度は５，２７ｇ／ｃｍ３
であった。また、この焼結体は蒸着用蒸発源とし−ご使
用したところ何ら間ｊＸｆＵなく使用できた。

実施例６Ｚ　ｒ　Ｏ２粉末として、純＋ｍ＋’Ｊ’１．８重量％（７，ｒＯ２＋ｎｒｏ２）
ＣａＯ：２０００＋）ｐ＋ｎ粒度分（１１（沈降法によりδ１１１定、重量％）１０
　μｍ未満　　　　　＝　８７％１０μｒｎ以上　　　　　：　１３％人のものを使用し
た以外は実施例３と同様の方法で成型、脱ワツクスを行
ない、１２９０°Ｃで６時間焼結し、大きさ１．５．７
ｃｍφ×１．　、　０１　ａｍ”の焼結体を？１ノた。

１１すられた焼結体の密度は４．９２ｇ／ｃｍ”で、割
れのないものであった。また、この焼結体をスパッタリ
ング用ターゲットとじて使用したところ何ら問題なく使
用できた。

実施例７Ｚ　ｒ　Ｏ２粉末として、純度：９９．２重量％（Ｚｒ０２　”ＩＩＩ”０２　）
Ｃａ　　○　　４　００　ｐｐｍ粒度分布（沈降法により測定、重量％）１μｒｎ未満　
　　　　　　　５％１μｍ〜１０μｍ未満：　５８％１０　Ｉｔ　ｍ　−４０μｍ未満・　３５％４０　（ｔ
　ｍ以上　　　　　　　　２％のちのを使用し、ＺｒＯ
２粉末１００重量部に対して２正量部のワックスを添加
したものを成型原料として用いた。

」二足原料３２］Ｏｇを直接静水圧プレスにより２００
０ｋｇ／ｃｎイの圧力で成型し、密度３．１６ｇ　／　
０ｍ３の成型体を７Ｂｌた。この成型体を脱ワツクスし
た後、焼結炉に入れ、１２４０℃の温度で６”１１’　
ｌｉ’ｌｌ　（、’ｌ’６　Ｎ＋’ｊし、大きさ］、３
．４ｃｍＸ　３９．８ｃｍＸ１、　、　２　ｃｍ、密度
４．　９１　ｇ／ｃ＋ｎ”の焼結体を胃た。

この（３’を粘体には割れか認められなかった。

次にこの焼結体を１２．７ｃｍＸ３８．１帥×０　、　
５　ａｍに乾式−Ｃ加工した後、水冷用銅板と接合し、
スパッタリング用ターゲットとじて供した結果、１ｊＩ
■ら間ｊ趙なく使用できた。

比ｌ咬例１１　ｒ　Ｏ２粉末として、市販の純度　９９．８重量％（Ｚｒｏ２→１１■′０２）Ｃａ
　Ｏ：　１０ｐｐｍ以下拉度分布（沈降法により＆ｌ１１定、重量９６）１　ｌ
ｔ　ｒｎ未満　　　　　：４２９６１　ｌｔ　ｍ　−５
ｌｔ　ｍ未満　　４８％５　ｆｔ　ｍ　−１０ｆｔ　ｍ
未満：　　７％１０　ｌｔ　ｍ以上　　　　　　　　３
９６のちのを使用した以外は実施例］と同様の条件で成
型から焼結まで行なった結果、焼結体に無数の割れか生
じ、薄膜形成用焼結体として使用に耐えなかった。その
ため、焼結温度を１２００　’Ｃに変更して焼結を行な
ったところ、大ぎさ７．’５ｃｍＸ７　、　５　ｃｍ　
Ｘ　２　、　６　ｃｍ、密度３．４２　ｇ／ｃｍ３の焼
結体が１１？られた。

この焼結体を６　、　　Ｏｃｍ　Ｘ　６　、　　Ｏａｍ
　Ｘ　２　、　　Ｏｃｍに乾式加工し、ＥＢ蒸希用蒸発
源として使用したところ、蒸発源表面に凸凹および蒸発
源に割れが生じ、安定した膜質のＺ　ｒ　Ｏ２膜が寄ら
れながった。

比較例２Ｚ　ｒ　Ｏ２粉末として、純度＋９９．５重量％（Ｚｒ０２＋ＩＩｆ’０２）Ｃａ
Ｏ：３０００ｐｐｍ粒度分布（沈降法により；４１す定、正量％）１０μｍ
未満　　　　　二　９８％１０μｍ以上　　　　　　　　２％のちのを使用した以外は実施例１と同様の方法で成型か
ら焼結まで行なった。その結果、得られた焼結体には無
数の割れが生した。

［発明の効果］以」一連へたとおり、本発明の焼結体は蒸着法あるいは
スパッタリンク法などにょるＺ　ｒ　Ｏ２薄膜形成に最
適に用いられるものである。この焼結体−２〇　　− を用いることにより、生産性良く均質で光学膜としての
特性に優れたＺ　ｒ’　０２薄膜が得られる。また、こ
の焼結体は寿命は長いものである。

更に本発明の製造方法によれば本発明の焼結体を簡低に
製造することができる。

特ル′１出願人　　東ソー株式会社

Claims

【特許請求の範囲】（１）密度が４．９ｇ／ｃｍ＾３を越え、その純度が不
可避的に含まれる酸化ハフニウムを含めて９９．０重量％以上であることを特徴とする薄膜形成用
酸化ジルコニウム焼結体。（２）酸化カルシウム（ＣａＯ）を５０ｐｐｍ以上２０
００ｐｐｍ以下含有することを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の薄膜形成用酸化ジルコニウム焼結体。（３）焼結体表面の最大面積を有する面の面積が２０ｃ
ｍ＾２以上であり、焼結体の最短辺の長さが５ｍｍ以上
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項に記載の薄膜形成用酸化ジルコニウム焼結体。（４）二次粒子径が１０μｍ以上４０μｍ未満である粒
子を３０重量％以上、１μｍ未満である粒子を２重量％
以上含み、純度が不可避的に含まれる酸化ハフニウムを
含めて９９．０重量％以上である酸化ジルコニウム粉末
を、室温で成型した後、焼結することを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第３項に記載の薄膜形成用酸化
ジルコニウム焼結体の製造方法。（５）酸化カルシウム（ＣａＯ）を５０ｐｐｍ以上２０
００ｐｐｍ以下の範囲で含有し、純度が不可避的に含ま
れる酸化ハフニウムを含めて９９．０量％以上である酸化ジルコニウム粉末を、室温
で成形した後、焼結することを特徴とする特許請求の範
囲第１項ないし第３項に記載の薄膜形成用酸化ジルコニ
ウム焼結体の製造方法。（６）二次粒子径が１０μｍ以上４０μｍ未満である粒
子を３０重量％以上、１μｍ未満である粒子を２重量％
以上、酸化カルシウム（ＣａＯ）を５０ｐｐｍ以上２０
００ｐｐｍ以下の範囲で含有し、純度が不可避的に含ま
れる酸化ハフニウムを含めて９９．０重量％以上である
酸化ジルコニウム粉末を、室温で成型した後、焼結する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項に
記載の薄膜形成用酸化ジルコニウム焼結体の製造方法。