JPH05286762A - 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法 - Google Patents
固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法Info
- Publication number
- JPH05286762A JPH05286762A JP4091153A JP9115392A JPH05286762A JP H05286762 A JPH05286762 A JP H05286762A JP 4091153 A JP4091153 A JP 4091153A JP 9115392 A JP9115392 A JP 9115392A JP H05286762 A JPH05286762 A JP H05286762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- added
- powder
- specific surface
- ion
- surface area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 12
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Inorganic materials [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 11
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 2
- 229910009527 YF3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 29
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 12
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 10
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 LiF fluorides Chemical class 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種レーザ発光元素を添加し、良質の光学的
特性を有する透明YAGセラミックスを比較的簡単に製
造する手段を見出す。 【構成】 純度99.9重量%以上でそれぞれの比表面
積が1〜50m2 /g及び5〜100m2 /gのAl2
O3 及びY2 O3 粉末に、ランタニド元素及びCr、T
i元素を1種以上添加し、さらに焼結助剤としてY
F3 、AlF3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiF
のフッ化物を1種以上50〜20000ppmの範囲で
添加して混練成形し、その後1600〜1850°Cの
温度により焼成する。
特性を有する透明YAGセラミックスを比較的簡単に製
造する手段を見出す。 【構成】 純度99.9重量%以上でそれぞれの比表面
積が1〜50m2 /g及び5〜100m2 /gのAl2
O3 及びY2 O3 粉末に、ランタニド元素及びCr、T
i元素を1種以上添加し、さらに焼結助剤としてY
F3 、AlF3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiF
のフッ化物を1種以上50〜20000ppmの範囲で
添加して混練成形し、その後1600〜1850°Cの
温度により焼成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ発振素子として
好適に使用されるガーネット構造を有し、化学式がY3
Al5 O12として表される透明化したイットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット・セラミックス(YAG)の製
造に関する。
好適に使用されるガーネット構造を有し、化学式がY3
Al5 O12として表される透明化したイットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット・セラミックス(YAG)の製
造に関する。
【0002】
【従来の技術】YAGは、発光に関与する元素として、
Nd、Ho等のランタニド元素を添加し、チョコラルス
キー法、フローティングゾーン法あるいはブリッジマン
法にて単結晶化することによってレーザ光を発振するこ
とが可能となる。
Nd、Ho等のランタニド元素を添加し、チョコラルス
キー法、フローティングゾーン法あるいはブリッジマン
法にて単結晶化することによってレーザ光を発振するこ
とが可能となる。
【0003】YAGレーザは、添加元素により発振波長
が異なり、特にNdは発光波長が1.06μmと短く高
出力なレーザ光が得られることから、ファイバー分岐用
光源や各種材料の切断、溶接、アニール、また近年SH
G素子を用い波長変換して微細加工及びレーザメス等に
利用されている。
が異なり、特にNdは発光波長が1.06μmと短く高
出力なレーザ光が得られることから、ファイバー分岐用
光源や各種材料の切断、溶接、アニール、また近年SH
G素子を用い波長変換して微細加工及びレーザメス等に
利用されている。
【0004】またNd以外の発光元素の添加、例えばT
mは発光波長が約2μmであることから、医療用、特に
眼科用として応用され、またEr、Ho等も長波長発振
ができることから、通信用やレーザレーダ等への応用が
進みつつある。
mは発光波長が約2μmであることから、医療用、特に
眼科用として応用され、またEr、Ho等も長波長発振
ができることから、通信用やレーザレーダ等への応用が
進みつつある。
【0005】この単結晶を合成する場合に、単結晶を育
成する装置や育成に用いるイリジウム坩堝が極めて高価
であること、育成温度が約2000℃を必要とし、かつ
育成速度が0.2〜0.3mm/hrと極めて遅く、製
造コスト及び製造時間がかかりすぎること、装置1基に
対し1本の単結晶ロッドしか得られず生産性が低いこ
と、単結晶ロッドの径が50mm前後の小さなものしか
得られない等、様々な問題が存在している。
成する装置や育成に用いるイリジウム坩堝が極めて高価
であること、育成温度が約2000℃を必要とし、かつ
育成速度が0.2〜0.3mm/hrと極めて遅く、製
造コスト及び製造時間がかかりすぎること、装置1基に
対し1本の単結晶ロッドしか得られず生産性が低いこ
と、単結晶ロッドの径が50mm前後の小さなものしか
得られない等、様々な問題が存在している。
【0006】近年、透明YAGセラミックスの合成法と
して、たとえば、特開平1−264963号公報、特開
平2−283663号公報に記載されているが、これら
は複雑な湿式法により複合粉末を合成しなくてはなら
ず、製造コストの面で問題がある。
して、たとえば、特開平1−264963号公報、特開
平2−283663号公報に記載されているが、これら
は複雑な湿式法により複合粉末を合成しなくてはなら
ず、製造コストの面で問題がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決すべき課
題は、レーザ発振素子として好適に使用されるガーネッ
ト構造を有し、化学式がY3 Al5 O12で現される各種
レーザ発光元素を添加した透明YAGセラミックスを比
較的簡単に製造する手段を見出すことにある。
題は、レーザ発振素子として好適に使用されるガーネッ
ト構造を有し、化学式がY3 Al5 O12で現される各種
レーザ発光元素を添加した透明YAGセラミックスを比
較的簡単に製造する手段を見出すことにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の透明YAGセラ
ミックスの合成法は、純度99.9重量%以上でBET
法により測定したそれぞれの比表面積が1〜50m2 /
g及び5〜100m2/gのAl2 O3 及びY2 O3 粉
末をYAG組成近傍となるように秤量し、これにランタ
ニド元素及びCr、Ti元素を1種以上添加し、さらに
焼結助剤としてYF3 、AlF3 、NaF、MgF2 、
CaF2 、LiFのフッ化物を1種以上50〜2000
0ppmの範囲で添加し、ポットミル等で混合後、一軸
又は同方圧プレス等によて目的となる形状に成形し、さ
らにこの成形体を1600〜1850°Cの酸素、水素
ガス中、又は10-1Torr以上を有する真空下におい
て焼成することによって前記目的を達成した。
ミックスの合成法は、純度99.9重量%以上でBET
法により測定したそれぞれの比表面積が1〜50m2 /
g及び5〜100m2/gのAl2 O3 及びY2 O3 粉
末をYAG組成近傍となるように秤量し、これにランタ
ニド元素及びCr、Ti元素を1種以上添加し、さらに
焼結助剤としてYF3 、AlF3 、NaF、MgF2 、
CaF2 、LiFのフッ化物を1種以上50〜2000
0ppmの範囲で添加し、ポットミル等で混合後、一軸
又は同方圧プレス等によて目的となる形状に成形し、さ
らにこの成形体を1600〜1850°Cの酸素、水素
ガス中、又は10-1Torr以上を有する真空下におい
て焼成することによって前記目的を達成した。
【0009】
【作用】本発明は、適正な純度及び比表面積のAl2 O
3 、Y2 O3 粉末を用い、ランタニド元素及びCr、T
i元素成分を添加し、さらに焼結助剤としてYF3 、A
lF3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化
物及びこれらフッ化物とSiO2 、Na2 O、MgO、
CaO、Li2 Oの酸化物を添加し、適正な条件下での
合成を行なうことで、レーザ発振機能が付加された透明
な高密度焼結体を得ることができる。
3 、Y2 O3 粉末を用い、ランタニド元素及びCr、T
i元素成分を添加し、さらに焼結助剤としてYF3 、A
lF3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化
物及びこれらフッ化物とSiO2 、Na2 O、MgO、
CaO、Li2 Oの酸化物を添加し、適正な条件下での
合成を行なうことで、レーザ発振機能が付加された透明
な高密度焼結体を得ることができる。
【0010】本発明で使用するAl2 O3 、Y2 O3 の
それぞれの原料粉末の合成プロセスは特に限定されない
が、焼結性、すなわち、低温焼結の観点及び反応焼結の
観点からいえば、易焼結性で、且つ比表面積も比較的大
きい方が望ましい。
それぞれの原料粉末の合成プロセスは特に限定されない
が、焼結性、すなわち、低温焼結の観点及び反応焼結の
観点からいえば、易焼結性で、且つ比表面積も比較的大
きい方が望ましい。
【0011】Al2 O3 、Y2 O3 粉末をYAG組成に
秤量するとき、ランタニド元素成分を添加する場合はY
2 O3 の一部を、またCr、Ti元素成分を添加する場
合にはAl2 O3 の一部を置換する。添加に際しては、
硫酸塩,硝酸塩等の塩類、アルコキシド、酸化物粉末を
使用できるが、適用する添加方法について特に限定され
るものではない。
秤量するとき、ランタニド元素成分を添加する場合はY
2 O3 の一部を、またCr、Ti元素成分を添加する場
合にはAl2 O3 の一部を置換する。添加に際しては、
硫酸塩,硝酸塩等の塩類、アルコキシド、酸化物粉末を
使用できるが、適用する添加方法について特に限定され
るものではない。
【0012】また焼結助剤を添加する場合は、YF3 、
AlF3 、NaF、MgF2 、CaF2 及びLiF等の
フッ化物の組合せ、又はこれらフッ化物とSiO2 、C
aO、Li2 Oなどの酸化物を適当に組合せたものを添
加することによって達成できる。
AlF3 、NaF、MgF2 、CaF2 及びLiF等の
フッ化物の組合せ、又はこれらフッ化物とSiO2 、C
aO、Li2 Oなどの酸化物を適当に組合せたものを添
加することによって達成できる。
【0013】この配合にアルコール等の有機溶媒又は蒸
留水を加え、ポットミル中で混合する。この混合された
粉末を減圧下又は常圧下で乾燥させる。得られた均一な
混合粉末は、一軸プレスまたは冷間等方圧プレス等によ
って所定形状に成形する。次いで1600〜1850℃
の温度で5〜100時間、酸素ガス,水素ガス中、また
は真空中で焼成することによって、場合によってはHP
やHIPで処理することによっても透明度の高い高密度
YAGセラミックスが得られる。
留水を加え、ポットミル中で混合する。この混合された
粉末を減圧下又は常圧下で乾燥させる。得られた均一な
混合粉末は、一軸プレスまたは冷間等方圧プレス等によ
って所定形状に成形する。次いで1600〜1850℃
の温度で5〜100時間、酸素ガス,水素ガス中、また
は真空中で焼成することによって、場合によってはHP
やHIPで処理することによっても透明度の高い高密度
YAGセラミックスが得られる。
【0014】本発明では、焼結中に出発原料であるAl
2 O3 、Y2 O3 粉末が反応をしながら焼結が進行して
いくが、最初にY4 Al2 O9 が生成し、その後YAl
O3が生成し、次いでこのYAlO3 が残存するAl2
O3 と反応して最終的にYAGとなる。この焼結過程に
おいて、使用粉末の反応性が低い場合は、焼結の最終段
階まで光学的に異方性を示すYAlO3 が残存し、焼結
体の透明度を著しく低下させる。本発明では、特にY2
O3 粉末の反応性が重要であることが判明しており、適
用するY2 O3 粉末の比表面積はAl2 O3 の約2倍以
上に設定することが好ましい。また、反応性の面からA
l2 O3 やY2 O3 はできるだけ焼結性が良く、且つ比
表面積が大きいもの程望ましいが、比表面積を上げすぎ
ると粉末の表面性状が特に空気中の水分や炭酸ガスとの
反応により変化し、また、圧粉体を作成する場合に充填
密度が下がりすぎるため、Al2 O3 では1〜50m2
/g、Y2 O3 では5〜100m2 /gが適当である。
2 O3 、Y2 O3 粉末が反応をしながら焼結が進行して
いくが、最初にY4 Al2 O9 が生成し、その後YAl
O3が生成し、次いでこのYAlO3 が残存するAl2
O3 と反応して最終的にYAGとなる。この焼結過程に
おいて、使用粉末の反応性が低い場合は、焼結の最終段
階まで光学的に異方性を示すYAlO3 が残存し、焼結
体の透明度を著しく低下させる。本発明では、特にY2
O3 粉末の反応性が重要であることが判明しており、適
用するY2 O3 粉末の比表面積はAl2 O3 の約2倍以
上に設定することが好ましい。また、反応性の面からA
l2 O3 やY2 O3 はできるだけ焼結性が良く、且つ比
表面積が大きいもの程望ましいが、比表面積を上げすぎ
ると粉末の表面性状が特に空気中の水分や炭酸ガスとの
反応により変化し、また、圧粉体を作成する場合に充填
密度が下がりすぎるため、Al2 O3 では1〜50m2
/g、Y2 O3 では5〜100m2 /gが適当である。
【0015】焼結助剤は焼結体中の粒子を若干粒成長さ
せると同時に、前述した光学的異方性を示す物質の除去
を促進させる効果があり、焼結助剤の添加により焼結時
間を短縮できる。この焼結助剤としては上記したよう
に、フッ化物単独でも、またこれと所定の酸化物とを組
合せて用いることもできる。
せると同時に、前述した光学的異方性を示す物質の除去
を促進させる効果があり、焼結助剤の添加により焼結時
間を短縮できる。この焼結助剤としては上記したよう
に、フッ化物単独でも、またこれと所定の酸化物とを組
合せて用いることもできる。
【0016】焼結助剤として添加した物質は、YAGの
結晶格子中でイオン化し、dやf電子等の電子構造が存
在しないため、適当な添加量である限り光学的特性を低
下させる要因とはならない。
結晶格子中でイオン化し、dやf電子等の電子構造が存
在しないため、適当な添加量である限り光学的特性を低
下させる要因とはならない。
【0017】ここで、Fイオンはガーネット結晶中の同
じアニオンであるOイオンと置換し、またSi、Li、
Na、Mg及びCaイオンはガーネット中のAlやYイ
オンと置換するし、焼結体中に異物として存在すること
はなく、したがって光学的特性を低下させる要因にはな
らない。しかし、置換する元素の数がアニオンサイトで
は−2価のイオンが−1価のFイオンと、カチオンサイ
トでは+3価のイオンであるAl及びYイオンと+1価
イオンのLi、Naイオン、+2価イオンのMg、Ca
イオン及び+4価イオンのSiイオンと置換するが、そ
れぞれの価数がO、Al及びYと異なる。このため、単
純な系においては、原子レベルで多結晶中の結晶の電荷
を保つため、アニオン又はカチオンサイトへ格子欠陥を
生じる。この欠陥は光の波長レベルより遙に小さい欠陥
であるので、粒界や気孔などのマクロ的欠陥に比べ、光
学的特性に及ぼす影響はかなり小さいが、ある領域を超
えれば結晶への着色やレーザ発光する結晶場(母材:ホ
スト)への影響がでる。したがってFイオンを単独で使
用する場合には、YF3 、AlF3 等の添加量を50〜
10000ppmの範囲とし、またFイオンとSi、L
i等のカチオンを併用する場合は、YF3 、AlF3 、
NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物の組合
せ、及びこのフッ化物とSiO2 、Na2 O、MgO、
CaO、Li2 Oの酸化物を組み合わせることによっ
て、例えばFイオン置換でプラス側に帯電した電荷をL
iイオンで補償することができ、添加量を50〜200
00ppmとすることで優れた光学的特性を持ったホス
ト材料と成りうる。
じアニオンであるOイオンと置換し、またSi、Li、
Na、Mg及びCaイオンはガーネット中のAlやYイ
オンと置換するし、焼結体中に異物として存在すること
はなく、したがって光学的特性を低下させる要因にはな
らない。しかし、置換する元素の数がアニオンサイトで
は−2価のイオンが−1価のFイオンと、カチオンサイ
トでは+3価のイオンであるAl及びYイオンと+1価
イオンのLi、Naイオン、+2価イオンのMg、Ca
イオン及び+4価イオンのSiイオンと置換するが、そ
れぞれの価数がO、Al及びYと異なる。このため、単
純な系においては、原子レベルで多結晶中の結晶の電荷
を保つため、アニオン又はカチオンサイトへ格子欠陥を
生じる。この欠陥は光の波長レベルより遙に小さい欠陥
であるので、粒界や気孔などのマクロ的欠陥に比べ、光
学的特性に及ぼす影響はかなり小さいが、ある領域を超
えれば結晶への着色やレーザ発光する結晶場(母材:ホ
スト)への影響がでる。したがってFイオンを単独で使
用する場合には、YF3 、AlF3 等の添加量を50〜
10000ppmの範囲とし、またFイオンとSi、L
i等のカチオンを併用する場合は、YF3 、AlF3 、
NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物の組合
せ、及びこのフッ化物とSiO2 、Na2 O、MgO、
CaO、Li2 Oの酸化物を組み合わせることによっ
て、例えばFイオン置換でプラス側に帯電した電荷をL
iイオンで補償することができ、添加量を50〜200
00ppmとすることで優れた光学的特性を持ったホス
ト材料と成りうる。
【0018】
【実施例】Al2 O3 、Y2 O3 それぞれの粉末を合量
100g秤量し、ポットミル中へそれぞれの粉末とエチ
ルアルコール300cc、さらにアルミナボール500
gを入れ、これにランタニド元素及びCr、Ti元素成
分を添加し、さらに焼結助剤を適宜添加し、24時間混
合した。混合した粉末を500mmHgの減圧下で乾燥
し、乾燥した粉末を乳鉢で軽く再混合した。
100g秤量し、ポットミル中へそれぞれの粉末とエチ
ルアルコール300cc、さらにアルミナボール500
gを入れ、これにランタニド元素及びCr、Ti元素成
分を添加し、さらに焼結助剤を適宜添加し、24時間混
合した。混合した粉末を500mmHgの減圧下で乾燥
し、乾燥した粉末を乳鉢で軽く再混合した。
【0019】この粉末を直径50mm、高さ15mmの
タブレットに仮成形後、ラバープレスにより成形圧10
00kg/cm2 で成形した。
タブレットに仮成形後、ラバープレスにより成形圧10
00kg/cm2 で成形した。
【0020】この成形体を電気炉に入れ、100℃/h
rで昇温し、所定温度にて5時間焼成後、100℃/h
rで冷却した。得られた焼結体は直径15mm、厚さ1
mmの試料に加工した。試料の両面は1μmのダイヤモ
ンドペーストにより鏡面仕上げした。
rで昇温し、所定温度にて5時間焼成後、100℃/h
rで冷却した。得られた焼結体は直径15mm、厚さ1
mmの試料に加工した。試料の両面は1μmのダイヤモ
ンドペーストにより鏡面仕上げした。
【0021】表1に示す実施例1〜20は、純度99.
99重量%のAl2 O3 、Y2 O3粉末の組成比を4
2.9:57.1(すなわちモル比で5:3)とするこ
とを基準とし、発光元素としてCd元素成分を添加した
ものに、焼結助剤としてYF3及びAlF3 を添加し、
またAl2 O3 、Y2 O3 粉末の比表面積をそれぞれ2
〜50m2 /g、5〜100m2 /gの範囲で変動させ
たもの、また、焼結温度を1600〜1800℃まで変
化させたもの、さらには焼成雰囲気を酸素中、水素中、
真空中と変化させた結果を示す。なお、ここでは、ラン
タニド元素及びCr、Ti元素としてNdのみを記載し
ているが、他の添加元素においても同等の結果が得られ
た。
99重量%のAl2 O3 、Y2 O3粉末の組成比を4
2.9:57.1(すなわちモル比で5:3)とするこ
とを基準とし、発光元素としてCd元素成分を添加した
ものに、焼結助剤としてYF3及びAlF3 を添加し、
またAl2 O3 、Y2 O3 粉末の比表面積をそれぞれ2
〜50m2 /g、5〜100m2 /gの範囲で変動させ
たもの、また、焼結温度を1600〜1800℃まで変
化させたもの、さらには焼成雰囲気を酸素中、水素中、
真空中と変化させた結果を示す。なお、ここでは、ラン
タニド元素及びCr、Ti元素としてNdのみを記載し
ているが、他の添加元素においても同等の結果が得られ
た。
【0022】
【表1】 表2に示す実施例21〜31は同じく純度99.99重
量%のAl2 O3 、Y2 O3 粉末のそれぞれの比表面積
を8m2 /g、25m2 /gと固定した。この配合にラ
ンタニド元素又はCr、Ti元素成分を添加したもの
に、YF3 、AlF3 、NaF、MgF2 、CaF2 、
LiFのフッ化物、及びこれらフッ化物とSiO2 、N
a2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸化物を組み合わ
せて特許請求の範囲で添加し、真空中で焼成したときの
結果を示す。なお、ここではランタニド元素及びCr,
Ti元素として、Nd,Tm,Ho,Crの記載となっ
ているが、他の添加物についても同等の結果が得られ
た。
量%のAl2 O3 、Y2 O3 粉末のそれぞれの比表面積
を8m2 /g、25m2 /gと固定した。この配合にラ
ンタニド元素又はCr、Ti元素成分を添加したもの
に、YF3 、AlF3 、NaF、MgF2 、CaF2 、
LiFのフッ化物、及びこれらフッ化物とSiO2 、N
a2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸化物を組み合わ
せて特許請求の範囲で添加し、真空中で焼成したときの
結果を示す。なお、ここではランタニド元素及びCr,
Ti元素として、Nd,Tm,Ho,Crの記載となっ
ているが、他の添加物についても同等の結果が得られ
た。
【0023】
【表2】 〔比較例〕市販されているYAG単結晶を同じ試料サイ
ズに切り出し、両面研磨後、透過率を測定したところ、
波長700nmでの透過率が80%であった。
ズに切り出し、両面研磨後、透過率を測定したところ、
波長700nmでの透過率が80%であった。
【0024】表3に示す比較例1〜16は、市販のAl
2 O3 、Y2 O3 粉末(比表面積0.5m2 /g、2m
2 /g)を使用した場合、または、Al2 O3 あるいは
Y2O3 のどちらかの粉末が特許請求範囲外であるも
の、また、これに特許請求範囲内のYF3 、AlF3 、
NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物、及び
SiO2 、Na2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸化
物を添加した場合、さらには特許請求範囲内のAl2 O
3 、Y2 O3 粉末に、特許請求範囲外のYF3 、AlF
3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物及
びSiO2 、Na2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸
化物を添加した場合の結果を示す。
2 O3 、Y2 O3 粉末(比表面積0.5m2 /g、2m
2 /g)を使用した場合、または、Al2 O3 あるいは
Y2O3 のどちらかの粉末が特許請求範囲外であるも
の、また、これに特許請求範囲内のYF3 、AlF3 、
NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物、及び
SiO2 、Na2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸化
物を添加した場合、さらには特許請求範囲内のAl2 O
3 、Y2 O3 粉末に、特許請求範囲外のYF3 、AlF
3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物及
びSiO2 、Na2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸
化物を添加した場合の結果を示す。
【0025】
【表3】 表1及び表2に示す実施例品は、市販のYAG単結晶と
略同等の透過率が現出できた。また、Al2 O3 及びY
2 O3 を比表面積の小さな粉末を使用した場合、あるい
はどちらかの粉末が特許請求範囲外の比表面積の粉末を
用いた場合は、粉末の反応性が低いために焼結体中に光
学的異方性を示す相が多く存在し、このため透過率が低
い。さらに、この配合に特許請求範囲内のフッ化物及び
酸化物を添加しても透過率の向上は見られない。また、
焼結助剤であるフッ化物及び酸化物の添加量が特許請求
範囲以下の場合には、焼結促進の効果は見られず、逆に
添加量が多い場合には、添加物質の粒界への析出や異常
粒成長が起こり透過率が低くなった。
略同等の透過率が現出できた。また、Al2 O3 及びY
2 O3 を比表面積の小さな粉末を使用した場合、あるい
はどちらかの粉末が特許請求範囲外の比表面積の粉末を
用いた場合は、粉末の反応性が低いために焼結体中に光
学的異方性を示す相が多く存在し、このため透過率が低
い。さらに、この配合に特許請求範囲内のフッ化物及び
酸化物を添加しても透過率の向上は見られない。また、
焼結助剤であるフッ化物及び酸化物の添加量が特許請求
範囲以下の場合には、焼結促進の効果は見られず、逆に
添加量が多い場合には、添加物質の粒界への析出や異常
粒成長が起こり透過率が低くなった。
【0026】
【発明の効果】本発明によって以下の効果を奏すること
ができる。
ができる。
【0027】(1)アルコキシドや共沈法等の複雑でか
つコスト的に高価な湿式法による粉末合成も必要とせ
ず、比較的簡単なプロセスによって単結晶とほぼ同等の
光学的特性を有する透明なYAGセラミックスの合成が
可能となる。
つコスト的に高価な湿式法による粉末合成も必要とせ
ず、比較的簡単なプロセスによって単結晶とほぼ同等の
光学的特性を有する透明なYAGセラミックスの合成が
可能となる。
【0028】(2)得られた各種元素を添加した透明な
YAGセラミックスは、レーザ発振小ロッドとして好適
に使用される。
YAGセラミックスは、レーザ発振小ロッドとして好適
に使用される。
【0029】(3)得られた各種元素を添加した透明な
YAGセラミックスは、従来の単結晶に比較してレーザ
発振に寄与する元素を高濃度にすることが可能であるの
で、高出力のレーザが発振でき、従来の単結晶より小型
化できる。
YAGセラミックスは、従来の単結晶に比較してレーザ
発振に寄与する元素を高濃度にすることが可能であるの
で、高出力のレーザが発振でき、従来の単結晶より小型
化できる。
【0030】(4)製造法自体が従来とは異なるセラミ
ックス技術により、合成が可能であるので、製造コスト
の大幅低下、製造工程の大幅短縮、さらには大型ロッド
やスラブの作成が可能である。
ックス技術により、合成が可能であるので、製造コスト
の大幅低下、製造工程の大幅短縮、さらには大型ロッド
やスラブの作成が可能である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年6月3日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決すべき課
題は、レーザ発振素子として好適に使用されるYAG単
結晶と同等またはそれ以上の光学的特性を有する多結晶
透明YAGセラミックスを製造する手段を提供すること
にある。
題は、レーザ発振素子として好適に使用されるYAG単
結晶と同等またはそれ以上の光学的特性を有する多結晶
透明YAGセラミックスを製造する手段を提供すること
にある。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】ここで、Fイオンはガーネット結晶中の同
じアニオンであるOイオンと置換し、またSi、Li、
Na、Mg及びCaイオンはガーネット中のAlやYイ
オンと置換するし、焼結体中に異物として存在すること
はなく、したがって光学的特性を低下させる要因にはな
らない。しかし、置換する元素の数がアニオンサイトで
は−2価のOイオンが−1価のFイオンと、カチオンサ
イトでは+3価のイオンであるAl及びYイオンと+1
価イオンのLi、Naイオン、+2価イオンのMg、C
aイオン及び+4価イオンのSiイオンと置換するが、
それぞれの価数がO、Al及びYと異なる。このため、
単純な系においては、原子レベルで多結晶中の結晶の電
荷を保つため、アニオン又はカチオンサイトへ格子欠陥
を生じる。この欠陥は光の波長レベルより遙に小さい欠
陥であるので、粒界や気孔などのマクロ的欠陥に比べ、
光学的特性に及ぼす影響はかなり小さいが、ある領域を
超えれば結晶への着色やレーザ発光する結晶場(母材:
ホスト)への影響がでる。したがってFイオンを単独で
使用する場合には、YF3 、AlF3 等の添加量を50
〜10000ppmの範囲とし、またFイオンとSi、
Li等のカチオンを併用する場合は、YF3 、Al
F3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物
の組合せ、及びこのフッ化物とSiO2 、Na2 O、M
gO、CaO、Li2 Oの酸化物を組み合わせることに
よって、例えばFイオン置換でプラス側に帯電した電荷
をLiイオンで補償することができ、添加量を50〜2
0000ppmとすることで優れた光学的特性を持った
ホスト材料と成りうる。
じアニオンであるOイオンと置換し、またSi、Li、
Na、Mg及びCaイオンはガーネット中のAlやYイ
オンと置換するし、焼結体中に異物として存在すること
はなく、したがって光学的特性を低下させる要因にはな
らない。しかし、置換する元素の数がアニオンサイトで
は−2価のOイオンが−1価のFイオンと、カチオンサ
イトでは+3価のイオンであるAl及びYイオンと+1
価イオンのLi、Naイオン、+2価イオンのMg、C
aイオン及び+4価イオンのSiイオンと置換するが、
それぞれの価数がO、Al及びYと異なる。このため、
単純な系においては、原子レベルで多結晶中の結晶の電
荷を保つため、アニオン又はカチオンサイトへ格子欠陥
を生じる。この欠陥は光の波長レベルより遙に小さい欠
陥であるので、粒界や気孔などのマクロ的欠陥に比べ、
光学的特性に及ぼす影響はかなり小さいが、ある領域を
超えれば結晶への着色やレーザ発光する結晶場(母材:
ホスト)への影響がでる。したがってFイオンを単独で
使用する場合には、YF3 、AlF3 等の添加量を50
〜10000ppmの範囲とし、またFイオンとSi、
Li等のカチオンを併用する場合は、YF3 、Al
F3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物
の組合せ、及びこのフッ化物とSiO2 、Na2 O、M
gO、CaO、Li2 Oの酸化物を組み合わせることに
よって、例えばFイオン置換でプラス側に帯電した電荷
をLiイオンで補償することができ、添加量を50〜2
0000ppmとすることで優れた光学的特性を持った
ホスト材料と成りうる。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】表1に示す実施例1〜20は、純度99.
99重量%のAl2 O3 、Y2 O3粉末の組成比を4
2.9:57.1(すなわちモル比で5:3)とするこ
とを基準とし、発光元素としてランタニド元素及びC
r,Ti元素成分を添加したものに、焼結助剤としてY
F3 及びAlF3 を添加し、またAl2 O3 、Y2 O3
粉末の比表面積をそれぞれ2〜50m2 /g、5〜10
0m2 /gの範囲で変動させたもの、また、焼結温度を
1600〜1800℃まで変化させたもの、さらには焼
成雰囲気を酸素中、水素中、真空中と変化させた結果を
示す。なお、ここでは、ランタニド元素及びCr、Ti
元素としてNdのみを記載しているが、他の添加元素に
おいても同等の結果が得られた。
99重量%のAl2 O3 、Y2 O3粉末の組成比を4
2.9:57.1(すなわちモル比で5:3)とするこ
とを基準とし、発光元素としてランタニド元素及びC
r,Ti元素成分を添加したものに、焼結助剤としてY
F3 及びAlF3 を添加し、またAl2 O3 、Y2 O3
粉末の比表面積をそれぞれ2〜50m2 /g、5〜10
0m2 /gの範囲で変動させたもの、また、焼結温度を
1600〜1800℃まで変化させたもの、さらには焼
成雰囲気を酸素中、水素中、真空中と変化させた結果を
示す。なお、ここでは、ランタニド元素及びCr、Ti
元素としてNdのみを記載しているが、他の添加元素に
おいても同等の結果が得られた。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】表3に示す比較例1〜16は、市販のAl
2 O3 、Y2 O3 粉末(比表面積0.5m2 /g、2m
2 /g)を使用した場合、または、Al2 O3 あるいは
Y2O3 のどちらかの粉末が特許請求範囲外であるも
の、また、これに特許請求範囲内のYF3 、AlF3 、
NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物、及び
SiO2 、Na2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸化
物を添加した場合、さらには特許請求範囲内のAl2 O
3 、Y2 O3 粉末に、特許請求範囲外のYF3 、AlF
3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物及
びSiO2 、Na2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸
化物を添加した場合の結果を示す。比較例1〜15は焼
結温度において5時間、比較例15は100時間保持し
たデータであり、焼結助剤として添加した各成分の効果
が透過率の相違となって示されている。
2 O3 、Y2 O3 粉末(比表面積0.5m2 /g、2m
2 /g)を使用した場合、または、Al2 O3 あるいは
Y2O3 のどちらかの粉末が特許請求範囲外であるも
の、また、これに特許請求範囲内のYF3 、AlF3 、
NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物、及び
SiO2 、Na2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸化
物を添加した場合、さらには特許請求範囲内のAl2 O
3 、Y2 O3 粉末に、特許請求範囲外のYF3 、AlF
3 、NaF、MgF2 、CaF2 、LiFのフッ化物及
びSiO2 、Na2 O、MgO、CaO、Li2 Oの酸
化物を添加した場合の結果を示す。比較例1〜15は焼
結温度において5時間、比較例15は100時間保持し
たデータであり、焼結助剤として添加した各成分の効果
が透過率の相違となって示されている。
Claims (2)
- 【請求項1】 純度99.9重量%以上でそれぞれの比
表面積が1〜50m2 /g及び5〜100m2 /gのA
l2 O3 及びY2 O3 粉末に、ランタニド元素及びC
r、Ti元素を1種以上添加し、さらに焼結助剤として
YF3 、AlF3 、NaF、MgF2 、CaF2 、Li
Fのフッ化物を1種以上50〜20000ppmの範囲
で添加して混練成形し、その後1600〜1850°C
の温度により焼成する固体レーザ用多結晶透明イットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット・セラミックスの製造
方法。 - 【請求項2】 請求項1の記載において、さらに焼結助
剤として、SiO2、Na2 O、MgO、CaO、Li
2 Oの酸化物を1種以上、前記フッ化物との組合せで合
計50〜20000ppmの範囲で添加してなる固体レ
ーザ用多結晶透明イットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット・セラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4091153A JPH05286762A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4091153A JPH05286762A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05286762A true JPH05286762A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=14018573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4091153A Pending JPH05286762A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05286762A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003049206A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | アルミニウム含有銅系合金粉のための焼結助剤、およびこれを含む焼結用合金粉 |
JP2008273838A (ja) * | 2008-08-18 | 2008-11-13 | National Institute For Materials Science | 酸化イットリウム焼結体 |
WO2010010950A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器 |
JP2010030804A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | National Institute For Materials Science | ガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器 |
JP2010047460A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-03-04 | Schott Ag | 透明セラミック及びその製造方法ならびにその透明セラミックスを用いた光学素子 |
US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
JP2010529940A (ja) * | 2007-06-15 | 2010-09-02 | サン−ゴベン・セントル・ドゥ・レシェルシェ・エ・デチュード・ユーロペアン | 立方構造を有する焼結製品 |
JP4688307B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2011-05-25 | コバレントマテリアル株式会社 | 半導体製造装置用耐プラズマ性部材 |
CN109574671A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-05 | 信阳师范学院 | 一种以氟化钠为助剂的萤石矿物多晶透明陶瓷的制备方法 |
US11897814B2 (en) | 2020-08-07 | 2024-02-13 | Nichia Corporation | Rare earth aluminate sintered compact and method for producing rare earth aluminate sintered compact |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP4091153A patent/JPH05286762A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4688307B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2011-05-25 | コバレントマテリアル株式会社 | 半導体製造装置用耐プラズマ性部材 |
JP2003049206A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | アルミニウム含有銅系合金粉のための焼結助剤、およびこれを含む焼結用合金粉 |
JP4532793B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2010-08-25 | 福田金属箔粉工業株式会社 | アルミニウム含有銅系合金粉のための焼結助剤、およびこれを含む焼結用合金粉 |
US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
JP2010529940A (ja) * | 2007-06-15 | 2010-09-02 | サン−ゴベン・セントル・ドゥ・レシェルシェ・エ・デチュード・ユーロペアン | 立方構造を有する焼結製品 |
JP2010047460A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-03-04 | Schott Ag | 透明セラミック及びその製造方法ならびにその透明セラミックスを用いた光学素子 |
WO2010010950A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器 |
JP2010030804A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | National Institute For Materials Science | ガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器 |
JP2008273838A (ja) * | 2008-08-18 | 2008-11-13 | National Institute For Materials Science | 酸化イットリウム焼結体 |
CN109574671A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-05 | 信阳师范学院 | 一种以氟化钠为助剂的萤石矿物多晶透明陶瓷的制备方法 |
US11897814B2 (en) | 2020-08-07 | 2024-02-13 | Nichia Corporation | Rare earth aluminate sintered compact and method for producing rare earth aluminate sintered compact |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4719187A (en) | Dense sintered bodies of nitride materials | |
US6825144B2 (en) | Translucent rare earth oxide sintered article and method for production thereof | |
JP3243278B2 (ja) | 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックス | |
JPH05286762A (ja) | 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法 | |
CN102180663A (zh) | 尖晶石电光陶瓷 | |
JP4033451B2 (ja) | 透光性希土類酸化物焼結体及びその製造方法 | |
JPH06211573A (ja) | 透明なy2o3焼結体の製造方法 | |
JP2939535B2 (ja) | 透明酸化イットリウム焼結体の製造法 | |
JPH05294723A (ja) | 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法 | |
JPH03218963A (ja) | 透明イットリウム―アルミニウム―ガーネット―セラミックスの製造方法 | |
GB2216546A (en) | Zirconium oxide sinter for forming thin film thereof and method for production of the same | |
JPH05286761A (ja) | 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法 | |
JP2010126430A (ja) | 透光性yag多結晶体とその製造方法 | |
CN112225564A (zh) | 一种氮氧化铝透明陶瓷及其制备方法 | |
JP3463941B2 (ja) | レーザ用多結晶透明セラミックス | |
JPH05330913A (ja) | レーザ用多結晶透明y2o3セラミックス | |
JP3127015B2 (ja) | 酸化物レーザ単結晶の製造方法 | |
US11014855B2 (en) | Transparent AlN sintered body and method for producing the same | |
JP3883106B2 (ja) | 透光性酸化スカンジウム焼結体及びその製造方法 | |
JPH05294722A (ja) | 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法 | |
JPH05294709A (ja) | レーザ用多結晶透明セラミックス | |
JPH04238864A (ja) | 透光性イットリア焼結体及びその製造方法 | |
GB2374340A (en) | Polycrystalline material, method for the production thereof and articles made therefrom | |
JPH05235462A (ja) | 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法 | |
JPH03223156A (ja) | MgO系β”―アルミナ焼結体の製造方法 |