JP7461300B2 - 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、化合物、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器に関する。

一般に有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は陽極、陰極、及び陽極と陰極に挟まれた有機層から構成されている。両電極間に電圧が印加されると、陰極側から電子、陽極側から正孔が発光領域に注入され、注入された電子と正孔は発光領域において再結合して励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際に光を放出する。したがって、電子又は正孔を効率よく発光領域に輸送し、電子と正孔との再結合を促進する化合物の開発は高性能有機ＥＬ素子を得る上で重要である。また、近年、有機ＥＬ素子を使用した、スマートフォーン、有機ＥＬテレビ、有機ＥＬ照明等のさらなる普及にあたり、高効率と同時に十分な素子寿命を満たす化合物の要求がある。

例えば、特許文献１～６には、有機ＥＬ素子で用いる芳香族アミン化合物が開示されている。

特開２０１６－０６６７２３号公報 特開２０１６－０８６１４２号公報 韓国公開１０－２０１７－００９４６６５号公報 国際公開第２０１０／０６１８２４号公報 国際公開第２０１７／０１２６８７号公報 国際公開第２０１７／１４８５６４号公報

従来、有機ＥＬ素子製造用の材料として多くの化合物が報告されているが、有機ＥＬ素子の特性をさらに向上させる化合物が依然として求められている。有機ＥＬ素子で用いる芳香族アミン化合物についても、有機ＥＬ素子の特性をさらに向上させる化合物、特に、高性能の長寿命化と高効率化とをさらに高いレベルで両立し得る化合物が依然として求められている。

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、高性能化された有機ＥＬ素子、より具体的には、長寿命化及び高効率化を実現する有機ＥＬ素子、及び、そのような有機ＥＬ素子を実現する新規化合物を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、下記式（１）で表される化合物は、高性能化された有機ＥＬ素子を実現し得ること、より具体的には、長寿命化、及び、高効率化を実現する有機ＥＬ素子を実現し得ることを見出し、本発明を完成した。

一態様において、本発明は、式（１）で表される化合物（以下、化合物（１）と称することもある）を提供する。

［式（１）において、
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示す。
Ａｒ^１～Ａｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す。Ａｒ^１～Ａｒ^５のそれぞれは、他の基と結合して環を形成しない。
Ｒ^１～Ｒ^２０は、それぞれ独立に、水素原子；シアノ基；ニトロ基；ハロゲン原子；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数７～３６のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロアルキル基；及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選択される。Ｒ^１～Ｒ^２０のそれぞれは、他の基と結合して環を形成しない。
＊ａ、＊ｂはベンゼン環上の結合位置を表す。Ｒ^１３～Ｒ^１６のうち一つは＊ａに結合する単結合を示す。Ｒ^８～Ｒ^１２のうち一つは＊ｂに結合する単結合を示す。］

他の態様において、本発明は、化合物（１）を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供する。

さらに他の態様において、本発明は、陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に配置された有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機層が発光層を含み、該有機層の少なくとも１層が化合物（１）を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

さらに他の態様において、本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器を提供する。

化合物（１）は、高性能化された有機ＥＬ素子を実現する。より具体的には、長寿命化及び高効率化を実現し得る有機ＥＬ素子を実現する。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略図である。 本発明の実施態様に係る有機ＥＬ素子の層構成の他の例を示す概略図である。

本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。

本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。

本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換ＺＺ基」とは、ＺＺ基の水素原子が置換基で置換されていないことを意味する。

本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

本明細書において、「環形成炭素数」とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数に含めない。

本明細書において、「環形成原子数」とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の環形成炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子は、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロビフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。

本明細書において、「アリール基」とは、芳香族炭化水素環に結合する水素原子を一つ除いて生じる残基を表し、炭素以外の原子を一個または複数個環内に有する環状芳香族基（ヘテロアリール基）を含まない。

本明細書中、好ましいとする態様（例えば、化合物、各種基、数値範囲等）は、他のあらゆる態様（例えば、化合物、各種基、数値範囲等）と任意に組み合わせることができ、また、好ましいとする態様（より好ましい態様、さらに好ましい態様、特に好ましい態様を含む。）の組み合わせはより好ましいと言える。

本発明の一態様に係る化合物（１）は式（１）で表される。

本発明の一態様において、化合物（１）は、好ましくは下記式（１－１）で表される。

本発明の一態様において、化合物（１）は、より好ましくは下記式（１－２ａ）又は下記式（１－２ｂ）で表される。

次に、式（１）、式（１－１）、式（１－２ａ）、及び、式（１－２ｂ）（以下、式（１）～式（１－２ｂ）と記載する）の各記号を説明する。

Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示す。
Ａｒ^１～Ａｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す。Ａｒ^１～Ａｒ^５のそれぞれは、互いに結合して環を形成しない。また、Ａｒ^１～Ａｒ^５のそれぞれは、下記のＲ^１～Ｒ^２０とも互いに結合して環を形成しない。

Ｒ^１～Ｒ^２０は、それぞれ独立に、水素原子；シアノ基；ニトロ基；ハロゲン原子；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数７～３６のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロアルキル基；及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選択される。Ｒ^１～Ｒ^２０のそれぞれは、互いに結合して環を形成しない。

＊ａ、＊ｂはベンゼン環上の結合位置を表す。Ｒ^１３～Ｒ^１６のうち一つは＊ａに結合する単結合を示す。Ｒ^８～Ｒ^１２のうち一つは＊ｂに結合する単結合を示す。

本発明の一態様において、式（１－１）における、＊ａと結合しないＲ^１３～Ｒ^１６は、水素原子を示す。
また、本発明の一態様において、式（１－２ａ）における、Ｒ^１４～Ｒ^２０は、水素原子を示す。
さらに、本発明の一態様において、式（１－２ｂ）における、Ｒ^１３、Ｒ^１５～Ｒ^２０は、水素原子を示す。

本発明の一態様において、式（１）において、＊ｂと結合しないＲ^８～Ｒ^１２は、水素原子を示す。
また、本発明の一態様において、式（１）～式（１－２ｂ）において、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１１、Ｒ^１２は、水素原子を示す。

本発明の一態様において、式（１）～式（１－２ｂ）におけるＲ^１～Ｒ^７は、水素原子を示す。

Ａｒ^１～Ａｒ^５が表す置換もしくは無置換の環形成原子数が６～３０のアリール基において、当該環形成炭素数６～３０のアリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、又は、ベンゾトリフェニレニル基である。
好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、又は、ベンゾトリフェニレニル基であり、より好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、又は、フェナントリル基である。
該ターフェニリル基は、１，１’：４’，１”－ターフェニル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル基、又は１，１’：２’，１”－ターフェニル基であり、１，１’：４’，１”－ターフェニル－２－イル基、１，１’：４’，１”－ターフェニル－３－イル基、１，１’：４’，１”－ターフェニル－４－イル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル－２－イル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル－３－イル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル－４－イル基、１，１’：２’，１”－ターフェニル－２－イル基、１，１’：２’，１”－ターフェニル－３－イル基、又は１，１’：２’，１”－ターフェニル－４－イル基、１，１’：３’，１”－ターフェニル－５’－イル基が好ましく、１，１’：４’，１”－ターフェニル－２－イル基、１，１’：４’，１”－ターフェニル－３－イル基、１，１’：４’，１”－ターフェニル－４－イル基、又は１，１’：３’，１”－ターフェニル－５’－イル基がより好ましい。
該ナフチル基は、１－ナフチル基及び２－ナフチル基を含む。
該フェナントリル基は、１－、２－、３－、４－、又は９－フェナントリル基であり、好ましくは２－又は９－フェナントリル基である。
該トリフェニレニル基は、好ましくは２－トリフェニレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。

Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示すことが好ましい。Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち一つ又は二つが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示し、他の全てが水素原子を示すことがより好ましく、Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち一つが置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示し、他の全てが水素原子を示すことがさらに好ましい。

本発明の一態様において、化合物（１）のＡｒ^１～Ａｒ^５を含むベンゼン環部分が、下記式（２ａ）、式（２ｂ）、式（２ｃ）、式（２ｄ）、式（２ｅ）、式（２ｆ）、式（２ｇ）、式（２ｈ）、又は式（２ｉ）で表される。

［式（２ａ）～（２ｉ）において、
Ａｒ^１～Ａｒ^４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す。
＊ｃは、窒素原子に結合する単結合を示す。］

本発明の好ましい一態様において、化合物（１）のＡｒ^１～Ａｒ^５を含むベンゼン環部分は、上記式（２ａ）～式（２ｇ）のいずれかの構造を有する。
化合物（１）が上記式（２ａ）～式（２ｃ）のいずれかの構造を有している場合の一態様において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は、好ましくは環形成炭素数が１０～３０のアリール基であり、より好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基から選択される。
また、化合物（１）が上記式（２ａ）～式（２ｃ）のいずれかの構造を有している場合の好ましい一態様において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は、置換基を有する環形成炭素数が６～３０のアリール基であり、より好ましくは、炭素数１～１８のアルキル基又は環形成炭素数が６～１８のアリール基を置換基として有する環形成炭素数が６～３０のアリール基である。

化合物（１）が上記式（２ｄ）～式（２ｇ）の構造を有している場合の一態様において、Ａｒ^１～Ａｒ^４のうち二つが、環形成炭素数６～３０のアリール基であり、好ましくはＡｒ^１～Ａｒ^４のうち二つが同一である。

式（１）～式（１－２ｂ）、式（２ｄ）～式（２ｉ）において、Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち二つ以上が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基である場合、それらは互いに同一の又は異なる構造を有する。

Ｒ^１～Ｒ^２０となり得るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ^１～Ｒ^２０となり得る炭素数１～３０のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、又はドデシル基であり、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、又はペンチル基であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、又はｔ－ブチル基であり、さらに好ましくは、メチル基又はｔ－ブチル基である。
前記炭素数１～３０のアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
Ｒ^１～Ｒ^２０となり得る環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基は、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はシクロヘプチル基であり、好ましくは、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基である。
前記環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
Ｒ^１～Ｒ^２０となり得る炭素数７～３６のアラルキル基において、当該炭素数７～３６のアラルキル基のアリール部位は、環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択され、アルキル部位は炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基から選択される。該炭素数７～３６のアラルキル基は、例えば、ベンジル基、フェネチル基、又は、フェニルプロピル基であり、ベンジル基が好ましい。
前記炭素数７～３６のアラルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
Ｒ^１～Ｒ^２０となり得る炭素数１～３０のアルコキシ基において、当該炭素数１～３０のアルコキシ基のアルキル部位は上記置換もしくは無置換の炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基から選択される。該炭素数１～３０のアルコキシ基は、例えば、ｔ－ブトキシ基、プロポキシ基、エトキシ基、又はメトキシ基であり、好ましくは、エトキシ基又はメトキシ基であり、より好ましくは、メトキシ基である。
前記炭素数１～３０のアルコキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
Ｒ^１～Ｒ^２０となり得る環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基において、当該環形成炭素数６～３０アリールオキシ基のアリール部位は環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択される。該環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基は、例えば、ターフェニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、又はフェノキシ基であり、好ましくは、ビフェニルオキシ基又はフェノキシ基であり、より好ましくは、フェノキシ基である。
前記環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
Ｒ^１～Ｒ^２０となり得るモノ、ジ又はトリ置換シリル基が有する置換基は、炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基、及び、上記環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択される。トリ置換シリル基が好ましく、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ－ブチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ｔ－ブチルジフェニルシリル基、又はトリトリルシリル基がより好ましい。
前記モノ、ジ又はトリ置換シリル基は、存在する場合には異性体基を含む。
Ｒ^１～Ｒ^２０となり得る炭素数１～３０のハロアルキル基は、炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基の少なくとも１個の水素原子、好ましくは１～７個の水素原子、又は全ての水素原子をハロゲン原子で置換して得られる基である。該ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子から選ばれ、好ましくはフッ素原子である。該ハロアルキル基は炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のフルオロアルキル基が好ましく、ヘプタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、２,２,２－トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基がより好ましく、ペンタフルオロエチル基、２,２,２－トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基がさらに好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。
前記炭素数１～３０のハロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
Ｒ^１～Ｒ^２０となり得る環形成炭素数６～３０のアリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、又は、ベンゾトリフェニレニル基である。
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基、又は、ナフチル基がより好ましい。

Ａｒ^１～Ａｒ^５及びＲ^１～Ｒ^２０の定義において、「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基は、
シアノ基、
ハロゲン原子、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～３のアルキル基、
環形成炭素数３～３０、好ましくは３～１０、より好ましくは３～８、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基、
炭素数７～３６、好ましくは７～２６、より好ましくは７～２０のアラルキル基、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～３のアルコキシ基、
環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリールオキシ基、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～３のアルキル基、及び、環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８、特に好ましくは１～３のハロアルキル基、
環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリール基、
環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリール基で置換された、ボリル基、
炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～３のアルキルチオ基、及び、
環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８、特に好ましくは６～１０のアリールチオ基
からなる群から選ばれる少なくとも一つの置換基Ａである。上記置換基Ａがさらに置換基Ａなどの任意の置換基で置換されていてもよい。

置換基Ａとなり得る、炭素数１～３０のアルキル基、環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基、炭素数７～３６のアラルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、炭素数１～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、及び、環形成炭素数６～３０のアリール基としては、Ｒ^１～Ｒ^２０について説明したものと同様の基が挙げられる。
上記置換基Ａとなり得るボリル基が有する置換基は、環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択される。環形成炭素数６～３０のアリール基で置換されたボリル基は、例えば、ジフェニルボリル基である。
上記置換基Ａとなり得る炭素数１～３０のアルキルチオ基は、当該炭素数１～３０のアルキルチオ基のアルキル基部位が、炭素数１～３０、好ましくは１～１８、より好ましくは１～８のアルキル基から選択される。該アルキルチオ基は、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基である。
上記置換基Ａとなり得る環形成炭素数６～３０のアリールチオ基は、当該環形成炭素数６～３０のアリールチオ基のアリール部位が、環形成炭素数６～３０、好ましくは６～２５、より好ましくは６～１８のアリール基から選択される。該アリールチオ基は、例えば、フェニルチオ基、トリルチオ基である。

上述した各式に示される化合物においては、一つのジベンゾフラニル骨格とフェニル基とが立体障害を持つ形態でアミン骨格に直結されるともに、もう一つのジベンゾフラニル骨格又はジベンゾチエニル骨格がフェニレン基を介してアミン骨格に接続されることで、励起子を発光層に閉じ込める障壁能を高くしながら、電子や励起子に対して非常に安定な化合物となっているものと推測される。

本発明の好ましい一態様においては、Ａｒ^１～Ａｒ^５、Ｒ^１～Ｒ^７、Ｒ^８～Ｒ^１２のうち＊ｂに結合する単結合ではないもの、Ｒ^１３～Ｒ^１６のうち＊ａに結合する単結合ではないもの、及び、Ｒ^１７～Ｒ^２０の全てが置換基を有していない。
また、本発明の好ましい一態様においては、Ｒ^１～Ｒ^７、Ｒ^８～Ｒ^１２のうち＊ｂに結合する単結合ではないもの、Ｒ^１３～Ｒ^１６のうち＊ａに結合する単結合ではないもの、及び、Ｒ^１７～Ｒ^２０の全てが水素原子である。

上記したように、本明細書において使用する「水素原子」は軽水素原子、重水素原子、及び三重水素原子を包含する。したがって、化合物（１）は天然由来の重水素原子を含んでいてもよい。
また、原料化合物の一部又は全てに重水素化した化合物を使用することにより、化合物（１）に重水素原子を意図的に導入してもよい。したがって、本発明の一態様において、化合物（１）は少なくとも１個の重水素原子を含む。すなわち、化合物（１）は、式（１）又はその好ましい態様の式で表される化合物であって、該化合物に含まれる水素原子の少なくとも一つが重水素原子である化合物であってもよい。
さらに、本発明の一態様において、式（１）において、（ｉ）Ｒ^１～Ｒ^７、＊ｂに結合する単結合ではないＲ^８～Ｒ^１２、＊ａに結合する単結合ではないＲ^１３～Ｒ^１６、及び、Ｒ^１７～Ｒ^２０が表す水素原子、（ｉｉ）Ｒ^１～Ｒ^７、＊ｂに結合する単結合ではないＲ^８～Ｒ^１２、＊ａに結合する単結合ではないＲ^１３～Ｒ^１６、及び、Ｒ^１７～Ｒ^２０が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する水素原子、（ｉｉｉ）Ａｒ^１～Ａｒ^５が表す水素原子、（ｉｖ）Ａｒ^１～Ａｒ^５が表すアリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。

本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、その場合の重水素化率（化合物（１）中の全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は使用する原料化合物の重水素化率に依存する。使用する全ての原料化合物の重水素化率を１００％にすることは通常困難であるので、化合物（１）の重水素化率は１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下、さらに好ましくは８０％以下である。

化合物（１）が重水素を包含する場合の重水素化率（化合物（１）中の全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上である。

化合物（１）は、重水素化された化合物と重水素化されていない化合物を含む混合物、異なる重水素化率を有する２以上の化合物の混合物であってもよい。このような混合物の重水素化率（混合物に含まれる化合物（１）中の全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。

本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、Ｒ^１～Ｒ^７が表す水素原子が有する水素原子、及び、Ｒ^１～Ｒ^７が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。重水素化率（Ｒ^１～Ｒ^７が表す全水素原子、及び、Ｒ^１～Ｒ^７が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する全水素原子の数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。

本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、＊ｂに結合する単結合ではないＲ^８～Ｒ^１２が表す水素原子、及び、及び、＊ｂに結合する単結合ではないＲ^８～Ｒ^１２が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。重水素化率（＊ｂに結合する単結合ではないＲ^８～Ｒ^１２が表す全水素原子及び＊ｂに結合する単結合ではないＲ^８～Ｒ^１２が表すアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する全水素原子の数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。

本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、＊ａに結合する単結合ではないＲ^１３～Ｒ^１６、及び、Ｒ^１７～Ｒ^２０が表す水素原子、及び、＊ａに結合する単結合ではないＲ^１３～Ｒ^１６及びＲ^１７～Ｒ^２０が表す、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。重水素化率（＊ａに結合する単結合ではないＲ^１３～Ｒ^１６、及び、Ｒ^１７～Ｒ^２０が表す全水素原子、及び、＊ａに結合する単結合ではないＲ^１３～Ｒ^１６及びＲ^１７～Ｒ^２０が表す、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジ又はトリ置換シリル基、ハロアルキル基、及び、アリール基が有する全水素原子の数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。

本発明の一態様においては、化合物（１）が重水素を含んでおり、Ａｒ^１～Ａｒ^５が表す水素原子、及び、Ａｒ^１～Ａｒ^５が表すアリール基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子である。重水素化率（Ａｒ^１～Ａｒ^５が表す全水素原子、及び、Ａｒ^１～Ａｒ^５が表すアリール基が有する全水素原子の数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。

本発明の特に好ましい態様においては、化合物（１）は、下記の化合物群から選択される。

本発明に係る化合物の具体例を以下に挙げるが、特にこれらに制限されるものではない。

化合物（１）の製造方法は特に制限されず、当業者であれば以下の実施例に記載する方法により、あるいは、該方法を公知の合成方法を参考にして変更した方法により容易に製造することができる。

有機ＥＬ素子用材料
本発明の有機ＥＬ素子用材料は、化合物（１）を含む。本発明の有機ＥＬ素子用材料における化合物（１）の含有量は、特に制限されず、例えば、化合物（１）が含まれる層の全質量に対して、１質量％以上（１００％を含む）であり、１０質量％以上（１００％を含む）であることが好ましく、５０質量％以上（１００％を含む）であることがより好ましく、８０質量％以上（１００％を含む）であることがさらに好ましく、９０質量％以上（１００％を含む）であることが特に好ましい。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子の製造に有用である。

有機ＥＬ素子
次に、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
有機ＥＬ素子は、陰極、陽極、及び、陰極と陽極の間に有機層を含む。該有機層は発光層を含み、該有機層の少なくとも一層が化合物（１）を含む。
化合物（１）が含まれる有機層の例としては、陽極と発光層との間に設けられる正孔輸送帯域（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、励起子阻止層等）、発光層、スペース層、陰極と発光層との間に設けられる電子輸送帯域（電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層等）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。化合物（１）は、好ましくは蛍光又は燐光ＥＬ素子の正孔輸送帯域又は発光層の材料、より好ましくは正孔輸送帯域の材料、さらに好ましくは正孔輸送層又は電子阻止層の材料、特に好ましくは正孔輸送層の材料として用いられる。

本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよく、中でも、蛍光発光型の素子であることが好ましい。ここで、「発光ユニット」とは、有機層を含み、そのうちの少なくとも一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光する最小単位をいう。

例えば、シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。シンプル型発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。括弧内の層は任意である。
（ａ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｂ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｃ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｄ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｅ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｆ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｇ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／スペース層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｈ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｉ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｊ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｋ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｌ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｍ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｎ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｏ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層／第１電子輸送層／第２電子輸送層（／電子注入層）
（ｐ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層／第１電子輸送層／第２電子輸送層（／電子注入層）
（ｑ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／正孔阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｒ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／正孔阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｓ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／励起子阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｔ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／励起子阻止層（／電子輸送層／電子注入層）

上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光ユニット（ｆ）において、（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層（赤色発光）／第２燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子阻止層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔阻止層を設けてもよい。電子阻止層や正孔阻止層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。

タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／陰極
ここで、上記第１発光ユニット及び第２発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットから選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第１発光ユニットに電子を、第２発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。

図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略図である。本例の有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔輸送帯域６（正孔注入層、正孔輸送層等）、発光層５と陰極４との間に電子輸送帯域７（電子注入層、電子輸送層等）を有する。また、発光層５の陽極３側に電子阻止層（図示せず）を、発光層５の陰極４側に正孔阻止層（図示せず）を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成効率をさらに高めることができる。

図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の層構成の他の例を示す概略図である。本例の有機ＥＬ素子１１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット２０とを有する。発光ユニット２０は、発光層５を有する。陽極３と発光層５の間に配置された正孔輸送帯域は、第１正孔輸送層６ａ及び第２正孔輸送層６ｂから形成されている。また、発光層５と陰極４の間に配置された電子輸送帯域は、第１電子輸送層７ａ及び第２電子輸送層７ｂから形成されている。有機ＥＬ素子１１において、単層の電子輸送層と複数層からなる正孔輸送層の組み合わせとしてもよいし、単層の正孔輸送層と複数層からなる電子輸送層の組み合わせとしてもよい。また、有機ＥＬ素子１１に、正孔阻止層や電子阻止層を設けてもよい。

なお、本願明細書において、蛍光ドーパント（蛍光発光材料）と組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料を意味し、蛍光発光層を形成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。

以下、有機ＥＬ素子を構成する各層及び各部材について説明する。
基板
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどの板を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

陽極
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、又は前記金属の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１～１０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５～５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１～１ｗｔ％含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔注入が容易である材料を用いて形成されるため、電極材料として一般的に使用される材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素）を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

正孔注入層
正孔注入層は、正孔注入性の高い材料（正孔注入性材料）を含む層である。正孔注入性材料を単独で又は複数組み合わせて正孔注入層に用いることができる。

正孔注入性材料としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。

低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も正孔注入層材料として挙げられる。

高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

さらに、下記式（Ｋ）で表されるヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）化合物などのアクセプター材料を他の化合物と組み合わせて用いることも好ましい。

（上記式（Ｋ）において、Ｒ^２１～Ｒ^２６は、それぞれ独立にシアノ基、－ＣＯＮＨ_２、カルボキシ基、又は－ＣＯＯＲ^２７（Ｒ^２７は炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数３～２０のシクロアルキル基を表す）を表す。また、Ｒ^２１及びＲ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４、及びＲ^２５及びＲ^２６から選ばれる隣接する二つが互いに結合して－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－で示される基を形成してもよい。）
Ｒ^２７としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
正孔輸送層に上記化合物（１）が含まれていてもよく、例えば、上記アクセプター材料と組み合わせて用いることができる。

正孔輸送層
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）を含む層である。正孔輸送層は、陽極と発光層との間に設けられ、正孔注入層が存在する場合は正孔注入層と発光層との間に設けられる。正孔輸送層には、正孔輸送材料を単独又は複数組み合わせて用いることができる。正孔輸送性材料としては、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。
芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、及び、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）が挙げられる。これらの芳香族アミン化合物は、１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する。

カルバゾール誘導体としては、例えば、４，４’－ジ（９－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９－［４－（９－カルバゾリル）フェニル］－１０－フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、及び、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）が挙げられる。
アントラセン誘導体としては、例えば、２－ｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、及び、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）が挙げられる。
ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い化合物であれば、上記以外の化合物を用いてもよい。

正孔輸送層は、単層構造でもよく、２以上の層を含む多層構造でもよい。例えば、正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）を含む２層構造であってもよい。

２層構造の正孔輸送層において、化合物（１）を第１正孔輸送層と第２正孔輸送層の一方に含んでいてもよいし、双方に含んでいてもよい。
本発明の一態様においては、化合物（１）が第２正孔輸送層に含まれるのが好ましく、他の態様においては、化合物（１）が第１正孔輸送層に含まれ、さらに他の態様においては、化合物（１）が第１正孔輸送層と第２正孔輸送層に含まれる。

本発明の一態様において、前記正孔輸送帯域に含まれる化合物（１）や、前記第１正孔輸送層と前記第２正孔輸送層の一方に含まれる化合物（１）は、製造コストの観点から、軽水素体（１）であることが好ましい。
前記軽水素体（１）とは、式（１）中の全ての水素原子が軽水素原子である化合物（１）のことである。
したがって、本発明は、前記正孔輸送帯域に含まれる化合物（１）、又は、前記第１正孔輸送層と前記第２正孔輸送層の一方が、実質的に軽水素体（１）のみからなる化合物（１）を含む有機ＥＬ素子を含む。「実質的に軽水素体（１）のみからなる化合物（１）」とは、式（１）で表される化合物の総量に対する軽水素体（１）の含有割合が、９０モル％以上、好ましくは９５モル％以上、より好ましくは９９モル％以上（それぞれ１００％を含む）であることを意味する。

発光層のドーパント材料
発光層は、発光性の高い材料（ドーパント材料）を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光発光材料や燐光発光材料をドーパント材料として用いることができる。蛍光発光材料は一重項励起状態から発光する化合物であり、燐光発光材料は三重項励起状態から発光する化合物である。

発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。

発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）］－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。

発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

発光層に用いることができる青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２－（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。

発光層に用いることができる緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用される。トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２－ジフェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。

発光層に用いることができる赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２－（２’－ベンゾ［４，５－α］チエニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。

また、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光発光材料として用いることができる。

発光層のホスト材料
発光層は、上述したドーパント材料を他の材料（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、ドーパント材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い材料を用いることが好ましい。

ホスト材料としては、例えば
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、又は亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、又はフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、
（３）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、又はクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、
（４）トリアリールアミン誘導体又は縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。

例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体；
２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物；
９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，９’－ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチルベン－３，３’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベン－４，４’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物；及び
Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ホスト材料は複数種用いてもよい。

特に、青色蛍光素子の場合には、下記のアントラセン化合物をホスト材料として用いることが好ましい。

電子輸送帯域は、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層等から構成される。また、電子輸送帯域のいずれかの層、特に電子輸送層は、好ましくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属を含有する有機錯体、アルカリ土類金属を含有する有機錯体、及び希土類金属を含有する有機錯体からなる群から選択される１以上を含有する。

電子輸送層
電子輸送層は電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を含む層である。電子輸送層は、陰極と発光層との間に設けられ、電子注入層が存在する場合は電子注入層と発光層との間に設けられる。電子輸送層には、例えば、
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、
（３）高分子化合物を使用することができる。

金属錯体としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）が挙げられる。

複素芳香族化合物としては、例えば、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）が挙げられる。

上記材料は、１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い材料であれば、上記以外の材料を電子輸送層に用いてもよい。

電子輸送層は、単層でもよく、２以上の層を含む多層でもよい。例えば、電子輸送層は第１電子輸送層（陽極側）と第２電子輸送層（陰極側）を含む層であってもよい。２以上の電子輸送層は、それぞれ前記電子輸送性材料により形成される。

電子注入層
電子注入層は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率よく行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、有機化合物が電子供与体から電子を受け取るため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、受け取った電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す材料であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

陰極
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

絶縁層
有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。なお、これらの混合物や積層物を用いてもよい。

スペース層
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。なお、ここでいう「キャリア」とは、物質中の電荷担体の意味である。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。

阻止層
電子阻止層、正孔阻止層、励起子阻止層などの阻止層を発光層に隣接して設けてもよい。電子阻止層とは発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層である。正孔輸送層が多層構造である場合は、発光層に最も近い正孔輸送層が電子阻止層として機能してもよい。正孔阻止層とは発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。電子輸送層が多層構造である場合は、発光層に最も近い電子輸送層が正孔阻止層として機能してもよい。励起子阻止層は発光層で生成した励起子が周辺の層へ拡散することを防止し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。

前記有機ＥＬ素子の各層は従来公知の蒸着法、塗布法等により形成することができる。例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）などの蒸着法、あるいは、層を形成する化合物の溶液を用いた、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。

各層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い駆動電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常５ｎｍ～１０μｍであり、１０ｎｍ～０．２μｍがより好ましい。

前記有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。

以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

後述する実施例１～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた、式（１）及び式（１－１）で表される化合物を以下に示す。

実施例１～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた、式（１－２ａ）で表される化合物を以下に示す。

実施例１～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた、式（１－２ｂ）で表される化合物を以下に示す。

比較例１～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を以下に示す。

実施例１～６及び比較例１～６の有機ＥＬ素子の製造に用いた、他の化合物を以下に示す。

実施例７～１２及び比較例７～１２の有機ＥＬ素子の製造に用いた、他の化合物を以下に示す。

＜有機ＥＬ素子の作製＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製した。

（実施例１）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
洗浄後のＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極ラインが形成されている側の面上に、上記透明電極を覆うようにして上記化合物ＨＴ－１及び上記化合物ＨＩ－１を共蒸着して、膜厚１０ｎｍの共蒸着膜を成膜することにより、正孔注入層を形成した。正孔注入層におけるＨＩ－１の濃度は３質量％であった。
次に、この正孔注入層上に、第１正孔輸送層材料として上記化合物ＨＴ－１を蒸着して膜厚７５ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。
次に、この第１正孔輸送層上に、第２正孔輸送層材料として、下記合成例１で合成した化合物１を蒸着して膜厚１５ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
次に、この第２正孔輸送層上に、上記化合物ＢＨ－１（ホスト材料）と上記化合物ＢＤ－１（ドーパント材料）とを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの共蒸着膜を形成した。この共蒸着膜における化合物ＢＤ－１の濃度は４質量％であった。この共蒸着膜は発光層として機能する。
次に、この発光層の上に、上記化合物ＥＴ－１を蒸着して膜厚５ｎｍの膜を成膜し、第１電子輸送層を形成した。
次に、この第１電子輸送層の上に、上記化合物ＥＴ－２及び上記化合物ＥＴ－３を共蒸着して膜厚２５ｎｍの共蒸着膜を成膜し、第２電子輸送層を形成した。第２電子輸送層における化合物ＥＴ－３の濃度は３３質量％であった。
次に、この第２電子輸送層上に、ＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚５０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。
実施例１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT-1:HI-1(10:3%)/HT-1(75)/化合物1(15)/BH-1:BD-1(25:4%)/ET-1(5)/ET-2:ET-3(25:33%)/LiF(1)/Al(50)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。また、同じく括弧内において、パーセント表示された数字は、その層における、右側に記載した化合物の割合（質量％）を示す。以下の実施例及び比較例の対応する記載についても同様である。

（実施例２～６）
実施例１の第２正孔輸送層に用いた化合物１に代えて、下記合成例２～６で合成した化合物２～６を、それぞれ第２正孔輸送層の正孔輸送材料として用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、実施例２～６の有機ＥＬ素子とした。

（比較例１～６）
実施例１の第２正孔輸送層に用いた化合物１に代えて、上記比較化合物１～６を、それぞれ第２正孔輸送層の正孔輸送材料として用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、比較例１～６の有機ＥＬ素子とした。

（実施例７）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
洗浄後のＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極ラインが形成されている側の面上に、上記透明電極を覆うようにして合成例１で合成した化合物１及び上記化合物ＨＩ－１を共蒸着して、膜厚１０ｎｍの共蒸着膜を成膜することにより、正孔注入層を形成した。正孔注入層におけるＨＩ－１の濃度は１５質量％であった。
次に、この正孔注入層上に、第１正孔輸送層材料として合成例１で合成した化合物１を蒸着して膜厚８０ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。
次に、この第１正孔輸送層上に、第２正孔輸送層材料として、上記化合物ＨＴ－２を蒸着して膜厚１０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
次に、この第２正孔輸送層上に、上記化合物ＢＨ－１（ホスト材料）と上記化合物ＢＤ－１（ドーパント材料）とを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの共蒸着膜を形成した。この共蒸着膜における化合物ＢＤ－１の濃度は４質量％であった。この共蒸着膜は発光層として機能する。
次に、この発光層の上に、上記化合物ＥＴ－４及び上記化合物ＥＴ－５を共蒸着して膜厚２０ｎｍの共蒸着膜を成膜し、電子輸送層を形成した。電子輸送層における化合物ＥＴ－５の濃度は５０質量％であった。
次に、この電子輸送層上に、ＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚５０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成し、実施例７の有機ＥＬ素子を得た。
実施例７の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/化合物1:HI-1(10:15%)/化合物1(80)/HT-2(10)/BH-1:BD-1(25:4%)/ET-4:ET-5(20:50%)/LiF(1)/Al(50)

（実施例８～１２）
実施例７の正孔注入層及び第１正孔輸送層に用いた化合物１に代えて、上記合成例２～６で合成した化合物２～６を、それぞれ、正孔注入層及び第１正孔輸送層の正孔輸送材料として用いた以外は実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、実施例８～１２の有機ＥＬ素子とした。

（比較例７～１２）
実施例７の正孔注入層及び第１正孔輸送層に用いた化合物１に代えて、上記比較化合物１～６を、それぞれ、正孔注入層及び第１正孔輸送層の正孔輸送材料として用いた以外は実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、比較例７～１２の有機ＥＬ素子とした。

＜有機ＥＬ素子の評価１＞
実施例１～１２及び比較例１～１２で作製した有機ＥＬ素子について、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加し、外部量子効率の評価を行った。
＜有機ＥＬ素子の評価２＞
実施例１～１２及び比較例１～１２の有機ＥＬ素子について、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加し、９５％寿命（ＬＴ９５）の評価を行った。ここでＬＴ９５とは、定電流駆動時において、輝度が初期輝度の９５％に低下するまでの時間（ｈｒ）をいう。
上記評価１及び評価２の結果を表１、表２に示す。

表１及び表２から明らかなように、特定の構造を有する式（１）に包含される化合物１～６を有機ＥＬ素子の正孔輸送材料として用いることにより、比較化合物１～６を用いた有機ＥＬ素子では実現されない、長寿命化及び高効率化を両立し得る有機ＥＬ素子が得られることが分かる。
化合物１～６を用いた有機ＥＬ素子が、比較化合物１～６を用いた有機ＥＬ素子に比べて、寿命及び外部量子効率の両方の性能が高い理由は、これに限られるものではないが、本願に規定される化合物が、励起子を発光層に閉じ込める障壁能を高くしながら、電子や励起子に対して非常に安定な化合物となっていることによるものと推測される。
一方、比較例１～１２の有機ＥＬ素子は、外部量子効率及び寿命のいずれか一方、又は、両方の性能が実施例１～１２よりも低くなっている。これは、比較化合物１～６の分子構造が、化合物（１）で規定される構造から外れていることが原因で、障壁能及び安定性のうち少なくとも一方が損なわれることによるものと考えられる。

＜中間体の合成例＞
（１）中間体合成例Ａ 中間体Ａの合成

（１－１）中間体Ａ－１の合成
アルゴン雰囲気下、４－ブロモジベンゾフラン１２００ｇ（４．８６ｍｏｌ）、アセトアミド５７３ｇ（９．７１ｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）１８４．９８ｇ（９７１ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルエチレンジアミン８５．６２ｇ（９７１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１３４２ｇ（９７．１ｍｏｌ）及びキシレン６Ｌの混合物を１３５℃にて５時間反応させた。反応液を室温まで冷却後、水４Ｌ加え１時間撹拌して結晶を析出させ、析出結晶を濾取し、水、ｎ－ヘプタンで洗浄して、中間体Ａ－１ ９５０ｇを得た。収率は７５％であった。

（１－２）中間体Ａ－２の合成
アルゴン雰囲気下、（１－１）で合成した中間体Ａ－１ ９５０ｇ（４．２２ｍｏｌ）の酢酸７．１Ｌ溶液に、臭素８０９ｇ（５．０６ｍｏｌ）を添加し室温で６時間撹拌した。得られた溶液に水７Ｌを滴下し、チオ硫酸ナトリウム６３ｇを添加後、室温で終夜撹拌し、結晶を析出させた。析出結晶を濾取し、水、メタノール、トルエン、ｎ－ヘプタンで順次洗浄し、中間体Ａ－２ １０４４ｇを得た。収率は７８％であった。

（１－３）中間体Ａ－３の合成
（１－２）で合成した中間体Ａ－２ １０４４ｇ（３．４３ｍｍｏｌ）の、キシレン５Ｌ及びエチレングリコール７００ｍＬの混合液の溶液に、水酸化カリウム１９２５ｇ（３４．３ｍｍｏｌ）を添加し、１３０℃で２４時間撹拌した。得られた溶液にエチレングリコール５００ｍＬを添加し１３０℃でさらに３日間撹拌し反応させた。反応液を冷却し、水３Ｌを加え分液し有機層を濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体Ａ－３ ７２１ｇを得た。収率は８０％であった。

（１－４）中間体Ａの合成
アルゴン雰囲気下、（１－３）で合成した中間体Ａ－３ ７２１ｇ（２．７５ｍｏｌ）のアセトニトリル３．６Ｌおよび水３．６Ｌの溶液に、－５～１５℃で濃硫酸２６９８ｇ（２７．５ｍｍｏｌ）を滴下し、－５℃で３０分間撹拌した。次に、得られた溶液に、－３℃以下に温度を維持しながら亜硝酸イソアミル４８３ｇ（４．１３ｍｏｌ）を滴下し、－５℃で１時撹拌した。次いで－２℃以下を維持しながら次亜リン酸９０８ｇ（１３．８ｍｏｌ）を溶液に滴下した。次いで溶液にメタノールを３Ｌ加え、室温で終夜撹拌して反応させた。反応液にトルエンを加えて分液し、トルエン層を飽和食塩水で洗浄した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ａ ４１８ｇを得た。収率は６１．４％であった。

（２）中間体合成例Ｂ 中間体Ｂの合成
（２－１）中間体Ｂ－１の合成

アルゴン雰囲気下、国際公開第２０１９／１４６７８１号公報に記載の方法に準じて合成した４－（１－ナフタレニル）フェニルボロン酸 ３．７２ｇ（１５ｍｍｏｌ）、４－ブロモクロロベンゼン２．８７ｇ（１５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）３４７ｍｍｏｌ（０．３０ｍｍｏｌ），２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２２．５ｍＬおよびトルエン４５ｍＬの混合物を１００℃にて７時間攪拌した。室温に戻し、水を加え、トルエンで抽出を行い、得られたトルエン層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、白色固体 ３．０７ｇを得た。収率６５％であった。

（２－２）中間体Ｂの合成

アルゴン雰囲気下、国際公開第２０１６／００６７１１号公報に記載の方法に準じて合成した４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）ベンゼンアミン ６７ｇ（２５８ ｍｍｏｌ）、（２－１）で合成した中間体Ｂ－１ ５４ｇ（１７２ ｍｍｏｌ）のキシレン １．２Ｌ溶液を１００℃に加熱し、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０) ３．１４ｇ（３．４３ ｍｍｏｌ）、ＸＰｈｏｓ ３．２７ｇ（６．８６ ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド １９．７８ｇ（２０６ ｍｍｏｌ）を加え１３０℃にて３時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、メタノールを加え濾過した。得られた残渣をトルエンに溶解させ、シリカゲルを加え３０分撹拌したのち濾過した。得られた濾液にメタノールを加え、濾過することで、白色固体７０ｇを得た。収率は７６％であった。

（３）中間体合成例Ｃ 中間体Ｃの合成

窒素雰囲気下、１－アミノジベンゾフラン ３．６６ｇ（２０ ｍｍｏｌ）、４－ブロモ－１，１’－ビフェニル ４．６６ｇ（２０ ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０) ０．３６６ｇ（０．４０ ｍｍｏｌ）、ＢＩＮＡＰ ０．４９８ｇ（０．８０ ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド ２．３０７ｇ（２４ ｍｍｏｌ）のトルエン １００ｍＬ溶液を１１０℃にて、７時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体４．８８ｇを得た。収率は７３％であった。

（４）中間体合成例Ｄ 中間体Ｄの合成

窒素雰囲気下、１－アミノジベンゾフラン ３．６６ｇ（２０ ｍｍｏｌ）、４－ブロモ－１，１’－ビフェニルの代わりに４－ブロモ－１，１':４'，１''-ターフェニル ６．１８ｇ（２０ ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０) ０．３６６ｇ（０．４０ ｍｍｏｌ）、ＢＩＮＡＰ ０．４９８ｇ（０．８０ ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド ２．３０７ｇ（２４ ｍｍｏｌ）のトルエン １００ｍＬ溶液を１１０℃にて、７時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体６．２５ｇを得た。収率は７６％であった。

（５）中間体合成例Ｅ 中間体Ｅの合成

アルゴン雰囲気下、国際公開第２０１６／００６７１１号公報に記載の方法に準じて合成した４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）ベンゼンアミン ３．８９ｇ（１５ ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１２／０９１４７１号公報に記載の方法に準じて合成した４”－ブロモ－１，１’：４’，１”－ターフェニル－２，３，４，５，６－ｄ５ ４．７１ｇ（１５ ｍｍｏｌ）のキシレン ７５ ｍＬ溶液を１００℃に加熱し、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０) ０．２７４ｇ（０．３０ ｍｍｏｌ）、ＸＰｈｏｓ ０．５７２ｇ（１．２ ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド ２．１６ｇ（２２．５ ｍｍｏｌ）を加え１３０℃にて３時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、メタノールを加え濾過した。得られた残渣をトルエンに溶解させ、シリカゲルを加え３０分撹拌したのち濾過した。得られた濾液にメタノールを加え、濾過することで、白色固体５．２５ｇを得た。収率は７１％であった。

＜合成実施例１（化合物１の合成)＞

アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ａで合成した中間体Ａ １４．９ｇ（６０．３ ｍｍｏｌ）、国際公開第２００７／１２５７１４号公報に記載の方法に準じて合成したＮ－（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－［１，１’－ビフェニル］－４－アミン ２３．６ｇ（５７．４ ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II） ０．２５８ｇ（１．１４９ ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスフィン ０．４６５ｇ（２．２９８ ｍｍｏｌ）のキシレン ４３６ｍＬ溶液を１２０℃に加熱し、ナトリウム－ｔ－ブトキシド ６．６２ｇ（６８．９ ｍｍｏｌ）を加え１時間撹拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、セライト濾過し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体２０．６ｇを得た。
得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物１であると同定され、分子量５７７．２０に対しｍ／ｅ＝５７７であった。収率は６２％であった。

＜合成実施例２（化合物２の合成）＞

アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ａで合成した中間体Ａ １４．９ｇ（６０．３ ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１０／０６１８２４号公報に記載の方法に準じて合成したＮ－（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－［１，１’：４’，１’’－ターフェニル］－４－アミン ２８．０ｇ（５７．４ ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II） ０．２５８ｇ（１．１４９ ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスフィン ０．４６５ｇ（２．２９８ ｍｍｏｌ）のキシレン ４３６ｍＬ溶液を１２０℃に加熱し、ナトリウム－ｔ－ブトキシド ６．６２ｇ（６８．９ ｍｍｏｌ）を加え１時間撹拌した。反応液を室温に冷却し、セライト濾過し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体２５．６ｇを得た。
得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物２であると同定され、分子量６５３．２４に対しｍ／ｅ＝６５３であった。収率は６８％であった。

＜合成実施例３（化合物３の合成）＞

アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ａで合成した中間体Ａ ４７．８７ｇ（８９ ｍｍｏｌ）、中間体合成例Ｂで合成した中間体Ｂ ２２ｇ（８９ ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II） ０．４ｇ（１．７８１ ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスフィン ０．７２ｇ（３．５６ ｍｍｏｌ）のキシレン ７００ｍＬ溶液を９０℃に加熱し、ナトリウム－ｔ－ブトキシド １０．２７ｇ（１０７ ｍｍｏｌ）を加え１１０℃にて２２時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体４６ｇを得た。
得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物３であり、分子量７０３．８４に対しｍ／ｅ＝７０４であった。収率は７３％であった。

＜合成実施例４（化合物４の合成）＞

アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ｃで合成した中間体Ｃ ４．２ｇ（１２．５２ ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１８／１６４２３９号公報に記載の方法に準じて合成した３－（４－クロロフェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン ３．８４ｇ（１３．７７ ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０) ０．２２９ｇ（０．２５０ ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート ０．２９１ｇ（１．００ ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド ３．６１ｇ（３７．６ ｍｍｏｌ）のキシレン ６２．６ｍＬ溶液を１２５℃にて７時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体３．９９ｇを得た。
得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物４であり、分子量５７７．６８に対しｍ／ｅ＝５７８であった。収率は５３％であった。

＜合成実施例５（化合物５の合成）＞

アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ｄで合成した中間体Ｄ ４．１２ｇ（１０．０ ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１６／１９９７８４号公報に記載の方法に準じて合成した４－（４－ブロモフェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン ３．４６ｇ（１０．２ ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０) ０．１８３ｇ（０．２０ ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート ０．２３２ｇ（０．８０ ｍｍｏｌ）、ナトリウム－ｔ－ブトキシド １．４４ｇ（１５ ｍｍｏｌ）のトルエン ５０ｍＬ溶液を１００℃にて７時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体１．６６ｇを得た。
得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物５であり、分子量６６９．８４に対しｍ／ｅ＝６７０であった。収率は２５％であった。

＜合成実施例６（化合物６の合成）＞

アルゴン雰囲気下、中間体合成例Ａで合成した中間体Ａ ２．４７ｇ（１０ ｍｍｏｌ）、中間体合成例Ｅで合成した中間体Ｅ ４．９３ｇ（１０ ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II） ０．０４５ｇ（０．２ ｍｍｏｌ）、トリ－ｔ－ブチルホスフィン ０．１６２ｇ（０．８ ｍｍｏｌ）のキシレン ７００ｍＬ溶液を９０℃に加熱し、ナトリウム－ｔ－ブトキシド １．４４ｇ（１５ ｍｍｏｌ）を加え１１０℃にて４時間攪拌し反応させた。反応液を室温に冷却し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、白色固体４．２８ｇを得た。
得られた物質は、マススペクトル分析の結果、上記化学構造式で示される化合物６であり、分子量６５８．８１に対しｍ／ｅ＝６５９であった。収率は６５％であった。

１、１１ 有機ＥＬ素子
２ 基板
３ 陽極
４ 陰極
５ 発光層
６ 正孔輸送帯域（正孔輸送層）
６ａ 第１正孔輸送層
６ｂ 第２正孔輸送層
７ 電子輸送帯域（電子輸送層）
７ａ 第１電子輸送層
７ｂ 第２電子輸送層
１０、２０ 発光ユニット

Claims (28)

1. 下記式（１）で表される化合物。
   
   ［式（１）において、
   Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示す。
   Ａｒ^１～Ａｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す。Ａｒ^１～Ａｒ^５のそれぞれは、互いに結合して環を形成せず、Ｒ^１～Ｒ^２０とも互いに結合して環を形成しない。
   Ｒ^１～Ｒ^７は、それぞれ独立に、水素原子；ニトロ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数７～３６のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロアルキル基；及び無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選択される。
   Ｒ ^８ ～Ｒ ^１２ は、それぞれ独立に、水素原子；シアノ基；ニトロ基；ハロゲン原子；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数７～３６のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロアルキル基；及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選択される。
   Ｒ^１３～Ｒ^２０は、それぞれ独立に、水素原子；シアノ基；ニトロ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数７～３６のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；及び置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロアルキル基から選択される。Ｒ^１～Ｒ^２０のそれぞれは、互いに結合して環を形成しない。
   ＊ａ、＊ｂはベンゼン環上の結合位置を表す。Ｒ^１３～Ｒ^１６のうち一つは＊ａに結合する単結合を示す。Ｒ^８～Ｒ^１２のうち一つは＊ｂに結合する単結合を示す。］
2. 下記式（１）で表される化合物。
   
   ［式（１）において、
   Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示す。
   Ａｒ^１～Ａｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す。Ａｒ^１～Ａｒ^５のそれぞれは、互いに結合して環を形成せず、Ｒ^１～Ｒ^２０とも互いに結合して環を形成しない。
   Ｒ^１～Ｒ^７は、それぞれ独立に、水素原子；及び無置換の炭素数１～３０のアルキル基から選択される。
   Ｒ^８～Ｒ^１２は、それぞれ独立に、水素原子；シアノ基；ニトロ基；ハロゲン原子；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数７～３６のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１～３０のハロアルキル基；及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基から選択される。
   Ｒ^１３～Ｒ^２０は、それぞれ水素原子を表す。Ｒ^１～Ｒ^２０のそれぞれは、互いに結合して環を形成しない。
   ＊ａ、＊ｂはベンゼン環上の結合位置を表す。Ｒ^１３～Ｒ^１６のうち一つは＊ａに結合する単結合を示す。Ｒ^８～Ｒ^１２のうち一つは＊ｂに結合する単結合を示す。］
3. ＊ｂと結合しないＲ^８～Ｒ^１２は、水素原子を示す、請求項１又は２に記載の化合物。
4. 下記式（１－１）で表される請求項１～３のいずれか１項に記載の化合物。
   
   ［式（１－１）において、
   Ｘ、Ａｒ^１～Ａｒ^５、Ｒ^１～Ｒ^９、Ｒ^１１～Ｒ^２０及び＊ａは、式（１）における、Ｘ、Ａｒ^１～Ａｒ^５、Ｒ^１～Ｒ^９、Ｒ^１１～Ｒ^２０及び＊ａと同じである。］
5. 下記式（１－２ａ）で表される請求項１～４のいずれか１項に記載の化合物。
   
   ［式（１－２ａ）において、
   Ｘ、Ａｒ^１～Ａｒ^５、Ｒ^１～Ｒ^９、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１４～Ｒ^２０は、式（１）における、Ｘ、Ａｒ^１～Ａｒ^５、Ｒ^１～Ｒ^９、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１４～Ｒ^２０と同じである。］
6. 下記式（１－２ｂ）で表される請求項１～４のいずれか１項に記載の化合物。
   
   ［式（１－２ｂ）において、
   Ｘ、Ａｒ^１～Ａｒ^５、Ｒ^１～Ｒ^９、Ｒ^１１～Ｒ^１３及びＲ^１５～Ｒ^２０は、式（１）における、Ｘ、Ａｒ^１～Ａｒ^５、Ｒ^１～Ｒ^９、Ｒ^１１～Ｒ^１３及びＲ^１５～Ｒ^２０と同じである。］
7. Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１１、Ｒ^１２は、水素原子を示す、請求項１～６のいずれか１項に記載の化合物。
8. Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示す請求項１～７のいずれか１項に記載の化合物。
9. Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち一つは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を示し、他は水素原子を示す請求項１～８のいずれか１項に記載の化合物。
10. Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち少なくとも一つは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェニルナフチル基、及びフェナントリル基から選択される、請求項１～８のいずれか１項に記載の化合物。
11. Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち一つは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基及びフェナントリル基から選択され、他はそれぞれ水素原子を示す請求項１～８のいずれか１項に記載の化合物。
12. Ｒ^１～Ｒ^７は、水素原子を示す、請求項１～１１のいずれか１項に記載の化合物。
13. Ａｒ^１～Ａｒ^５及びＲ^１～Ｒ^１２のうちいずれかが置換基を有する基である場合、当該置換基は、
    シアノ基、
    ハロゲン原子、
    炭素数１～３０のアルキル基、
    環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基、
    炭素数７～３６のアラルキル基、
    炭素数１～３０のアルコキシ基、
    環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、
    炭素数１～３０のアルキル基、及び、環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、
    炭素数１～３０のハロアルキル基、
    環形成炭素数６～３０のアリール基、
    環形成炭素数６～３０のアリール基で置換された、ボリル基、
    炭素数１～３０のアルキルチオ基、及び、
    環形成炭素数６～３０のアリールチオ基
    からなる群から選ばれる少なくとも一つの置換基である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の化合物。
14. 式（１）において、
    Ｒ^１３又はＲ^１４が＊ａに結合し、Ｒ^９又はＲ^１０が＊ｂに結合し、
    Ｒ^１～Ｒ^７、及び、＊ｂに結合しないＲ^８～Ｒ^１２が、それぞれ水素原子を表し、
    Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち一つは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリール基を表し、他は水素原子を表し、
    Ａｒ^１～Ａｒ^５のいずれか一つが置換基を有する基である場合、当該置換基は、
    シアノ基、
    ハロゲン原子、
    炭素数１～３０のアルキル基、
    環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基、
    炭素数７～３６のアラルキル基、
    炭素数１～３０のアルコキシ基、
    環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、
    炭素数１～３０のアルキル基、及び、環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、
    炭素数１～３０のハロアルキル基、
    環形成炭素数６～３０のアリール基、
    環形成炭素数６～３０のアリール基で置換された、ボリル基、
    炭素数１～３０のアルキルチオ基、及び、
    環形成炭素数６～３０のアリールチオ基
    からなる群から選ばれる少なくとも一つの置換基である、請求項１～３のいずれか１項に記載の化合物。
15. 式（１）において、
    Ｒ^１３又はＲ^１４が＊ａに結合し、Ｒ^９又はＲ^１０が＊ｂに結合し、
    Ｒ^１～Ｒ^７、及び、＊ｂに結合しないＲ^８～Ｒ^１２が、それぞれ水素原子を表し、
    Ａｒ^１～Ａｒ^５のうち少なくとも一つは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェニルナフチル基、及びフェナントリル基から選択され、
    Ａｒ^１～Ａｒ^５のいずれか一つが置換基を有する基である場合、当該置換基は、
    シアノ基、
    ハロゲン原子、
    炭素数１～３０のアルキル基、
    環形成炭素数３～３０のシクロアルキル基、
    炭素数７～３６のアラルキル基、
    炭素数１～３０のアルコキシ基、
    環形成炭素数６～３０のアリールオキシ基、
    炭素数１～３０のアルキル基、及び、環形成炭素数６～３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、
    炭素数１～３０のハロアルキル基、
    環形成炭素数６～３０のアリール基、
    環形成炭素数６～３０のアリール基で置換された、ボリル基、
    炭素数１～３０のアルキルチオ基、及び、
    環形成炭素数６～３０のアリールチオ基
    からなる群から選ばれる少なくとも一つの置換基である、請求項１～３のいずれか１項に記載の化合物。
16. 前記式（１）で表される化合物が少なくとも１個の重水素原子を含む、請求項１～１５のいずれか１項に記載の化合物。
17. 下記の化合物群から選択される請求項１又は２に記載の化合物。
    
18. 請求項１～１７のいずれか１項に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
19. 陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に有機層を有し、該有機層が発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機層の少なくとも１層が請求項１～１７のいずれか１項に記載の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
20. 前記有機層が前記陽極と前記発光層の間に正孔輸送帯域を含み、該正孔輸送帯域が前記化合物を含む請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
21. 前記正孔輸送帯域に含まれる式（１）で表される化合物が少なくとも１個の重水素原子を有する、請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
22. 前記正孔輸送帯域が陽極側の第１正孔輸送層と陰極側の第２正孔輸送層を含み、該第１正孔輸送層、該第２正孔輸送層、又は双方が前記化合物を含む請求項２０又は２１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
23. 前記第１正孔輸送層が前記化合物を含む請求項２２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
24. 前記第２正孔輸送層が前記化合物を含む請求項２２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
25. 前記第２正孔輸送層が前記発光層に隣接している請求項２２～２４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
26. 前記発光層が蛍光ドーパント材料を含む請求項１９～２５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
27. 前記発光層が燐光ドーパント材料を含む請求項１９～２５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
28. 請求項１９～２７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器。

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