JP2015191978A - 発光装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】互い発光色の異なる複数の発光素子を備える発光装置において、各発光素子の発光効率を高めるとともに、発光装置を効率的に製造することができる発光装置および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の発光装置１００は、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと、陰極１０と、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと陰極１０との間に設けられている正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂと、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇと陰極１０との間に正孔輸送層５Ｒ、５Ｇに接して設けられている発光機能層６Ｒ、６Ｇと、正孔輸送層５Ｂと陰極１０との間で正孔輸送層５Ｂに接しているとともに陰極１０と発光機能層６Ｒ、６Ｇとの間で発光機能層６Ｒ、６Ｇに接して設けられている正孔輸送層７と、正孔輸送層７と陰極１０との間に正孔輸送層７に接して設けられている発光機能層６Ｂと、正孔輸送層７の厚さが２ｎｍ以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置および電子機器に関する。

有機エレクトロルミネセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。

例えば、このような発光素子を用いてディスプレイ装置を構成する場合、赤色発光、緑色発光および青色発光の各発光素子を組み合わせて用いる（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の発光装置は、赤色発光層を有する発光素子と、緑色発光層を有する発光素子と、青色発光層を有する発光素子と、を備え、青色発光層が共通層として赤色発光層および緑色発光層上にも形成されている。このような発光装置では、赤色発光層および緑色発光層をインクジェット法のような液相プロセスで形成し、青色発光層およびそれよりも陰極側の層を共通層として蒸着法等の気相プロセスにより形成することで、効率的な生産が可能となる。

しかし、特許文献１に記載の発光装置では、青色発光素子において、液相プロセスで形成された正孔輸送層上に、気相プロセスで形成された青色発光層が直接設けられているため、これらの層の界面でのキャリアの輸送性が悪く、発光効率が低くなるという問題があった。

特開２０１１−２９６６６号公報

本発明の目的は、互い発光色の異なる複数の発光素子（第１発光素子および第２発光素子）を備える発光装置において、各発光素子の発光効率を高めるとともに、発光装置を効率的に製造することができる発光装置を提供すること、また、かかる発光装置を備える電子機器を提供することにある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本発明の発光装置は、第１陽極と、共通陰極と、前記第１陽極と前記共通陰極との間に設けられている第１正孔輸送層と、前記第１正孔輸送層と前記共通陰極との間に前記第１正孔輸送層に接して設けられている第１発光機能層と、を有する第１発光素子と、
第２陽極と、前記共通陰極と、前記第２陽極と前記共通陰極との間に設けられている第２正孔輸送層と、前記第２正孔輸送層と前記共通陰極との間に前記第２正孔輸送層に接して設けられている共通正孔輸送層と、前記共通正孔輸送層と前記共通陰極との間に前記共通正孔輸送層に接して設けられている第２発光機能層と、を有する第２発光素子と、を備え、
前記共通正孔輸送層は、前記共通陰極と前記第１発光機能層との間において前記第１発光機能層にも接して設けられており、
前記共通正孔輸送層の厚さは、２ｎｍ以下であることを特徴とする。

このような発光装置によれば、液相プロセスを用いて第１正孔輸送層、第１発光機能層および第２正孔輸送層をそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて共通正孔輸送層および第２発光機能層をそれぞれ２つの素子に共通に形成することができる。そのため、第１発光素子および第２発光素子を効率的に製造することができる。

このように第１発光素子および第２発光素子を形成すると、第２発光素子において、第２正孔輸送層と第２発光機能層との間に第２発光機能層と同じ気相プロセスで形成された共通正孔輸送層を設けることができ、それにより、製法が異なる第２正孔輸送層と第２発光機能層とを直接に積層する場合に比べて、第２正孔輸送層と第２発光機能層との間のキャリアの移動に関する電気的な障壁を低減することができる。したがって、第２発光機能層へのキャリア（正孔）の輸送がスムーズに行われ、発光効率を向上させることができる。

一方、第１発光素子において、第１発光機能層と第２発光機能層との間に設けられている共通正孔輸送層の厚さが極めて薄いため、第２発光機能層から第１発光機能層へキャリア（電子）を受け渡すことができる。したがって、第１発光素子において第２発光機能層を発光させずに第１発光機能層を選択的に発光させることができる。

また、共通正孔輸送層の厚さが極めて薄いため、共通正孔輸送層を設けることによる第１発光素子および第２発光素子の駆動電圧の上昇を抑えることができる。

以上のようなことから、互い発光色の異なる複数の発光素子（第１発光素子および第２発光素子）を備える発光装置において、各発光素子の発光効率を高めるとともに、発光装置を効率的に製造することができる。

［適用例２］
本発明の発光装置では、前記第１正孔輸送層、前記第１発光機能層および前記第２正孔輸送層は、それぞれ、液相プロセスを用いて形成されたものであり、
前記共通正孔輸送層および前記第２発光機能層は、それぞれ、気相プロセスを用いて形成されたものであることが好ましい。
これにより、第１発光素子および第２発光素子を効率的に製造することができる。

［適用例３］
本発明の発光装置では、前記第１正孔輸送層は、高分子の正孔輸送材料を用いて構成され、
前記第２正孔輸送層および前記共通正孔輸送層は、それぞれ、低分子の正孔輸送材料を用いて構成されていることが好ましい。

これにより、液相プロセスを用いて高い寸法精度を有する第１正孔輸送層を効率的に形成することができる。また、第１発光機能層および第１正孔輸送層をともに液相プロセスを用いて形成することにより、第１正孔輸送層から第１発光機能層へキャリア（正孔）をスムーズに輸送させることができる。

また、気相プロセスを用いて高い寸法精度を有する第２正孔輸送層および共通正孔輸送層を効率的に形成することができる。特に、気相プロセスを用いて共通正孔輸送層を形成することにより、極めて薄い共通正孔輸送層を高精度に（制御性よく）形成することができる。また、第２正孔輸送層と共通正孔輸送層とが異なる製法で形成されたとしても、これらを構成する正孔輸送性材料がともに低分子であるため、第２正孔輸送層から共通正孔輸送層へキャリア（正孔）をスムーズに輸送させることができる。

［適用例４］
本発明の発光装置では、前記第２正孔輸送層は、前記共通正孔輸送層の構成材料と同一または近似した特性の材料を含んで構成されていることが好ましい。

これにより、第２正孔輸送層から共通正孔輸送層を介して第２発光機能層へキャリア（正孔）をスムーズに輸送させることができる。

［適用例５］
本発明の発光装置では、前記共通正孔輸送層の構成材料は、電子ブロック性を有することが好ましい。

これにより、第２発光素子において共通正孔輸送層の電子ブロック性を利用して第２発光機能層を効率的に発光させることができる。一方、第１発光素子において、共通正孔輸送層の電子ブロック性が高すぎると、第１発光機能層による発光が生じなかったり、発光効率が著しく低下したりする。したがって、この場合、共通正孔輸送層の厚さを極めて薄くして第１発光素子における共通正孔輸送層の電子ブロック性を低くすることは極めて有用である。

［適用例６］
本発明の発光装置では、前記第１発光機能層の構成材料は、低分子材料を主材料として構成されていることが好ましい。

これにより、第１発光機能層の発光効率を高めて、共通正孔輸送層を設けることによる第１発光素子の発光効率の低下分を補うことができる。その結果、第１発光素子と第２発光素子の発光バランスを優れたものとすることができる。

［適用例７］
本発明の発光装置では、前記共通正孔輸送層の厚さは、１ｎｍ以下であることが好ましい。

これにより、第１発光素子において、共通正孔輸送層の電子ブロック性をより低くして、第２発光機能層から第１発光機能層へキャリア（電子）をより効率的に受け渡すことができる。

［適用例８］
本発明の発光装置では、第３陽極と、前記共通陰極と、前記第３陽極と、前記共通陰極との間に設けられている第３正孔輸送層と、前記第３正孔輸送層と前記共通陰極との間に前記第３正孔輸送層に接して設けられている第３発光機能層と、を有する第３発光素子を備え、
前記共通正孔輸送層は、前記第３発光機能層にも接しており、
前記第１発光素子、前記第２発光素子および前記第３発光素子は、互いに発光色が異なることが好ましい。

これにより、互い発光色の異なる第１発光素子、第２発光素子および第３発光素子を備える発光装置において、各発光素子の発光効率を高めるとともに、発光装置を効率的に製造することができる。

［適用例９］
本発明の発光装置では、前記第１発光素子の発光色は、赤色であり、
前記第２発光素子の発光色は、青色であり、
前記第３発光素子の発光色は、緑色であることが好ましい。

これにより、赤色発光素子、緑色発光素子および青色発光素子を備える発光装置において、各発光素子の発光効率を高めるとともに、発光装置を効率的に製造することができる。すなわち、高効率および低コストでフルカラー表示可能な発光装置を提供することができる。

［適用例１０］
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。

このような電子機器によれば、低コストで高効率な発光装置を備えるため、低コスト化および低消費電力化を図ることができる。

本発明の実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。 図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。 図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。 図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の電子機器の一例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。 （ａ）は、実施例１、９、１０および比較例１、２におけるＧ画素の発光素子の寿命を示すグラフ、（ｂ）は、実施例１、１０および比較例１、２におけるＢ画素の発光素子の寿命を示すグラフである。

以下、本発明の発光装置および電子機器について、図面に示す好適な実施形態に基づいて説明する。なお、各図では、説明の便宜上、各部の縮尺が適宜変更されており、図示の構成は実際の縮尺と必ずしも一致するわけではない。

（発光装置）
まず、本発明の発光装置の一例である表示装置について説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。

図１に示す発光装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがサブ画素１００Ｒ（Ｒ画素）、１００Ｇ（Ｇ画素）、１００Ｂ（Ｂ画素）に対応して設けられ、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。なお、本実施形態では表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。

発光装置１００は、回路基板２０と、回路基板２０上に設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、封止基板４０と、を有している。

回路基板２０は、基板２１と、基板２１上に設けられた層間絶縁膜２２、複数のスイッチング素子２３および配線２４と、を有している。

基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１側から光を取り出すことができる。基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１とは反対側から取り出すトップエミッション構造とする場合は、基板２１は、不透明基板であってもよく、かかる不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。

このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２３がマトリクス状に配列されている。各スイッチング素子２３は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。

このような各スイッチング素子２３は、シリコンからなる半導体層２３１と、半導体層２３１上に形成されたゲート絶縁層２３２と、ゲート絶縁層２３２上に形成されたゲート電極２３３と、ソース電極２３４と、ドレイン電極２３５と、を有している。

このような複数のスイッチング素子２３を覆うように、絶縁材料で構成された層間絶縁膜２２が形成されている。この層間絶縁膜２２には、配線２４が設けられている。

層間絶縁膜２２上には、各スイッチング素子２３に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。本実施形態では、発光素子１Ｒは、赤色（Ｒ）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｇは、緑色（Ｇ）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｂは、青色（Ｂ）の光を出射するように構成されている。

具体的には、発光素子１Ｒ（第１発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｒ（第１電極）、正孔注入層４Ｒ、正孔輸送層５Ｒ（第１正孔輸送層）、発光機能層６Ｒ（第１発光機能層）、正孔輸送層７（共通正孔輸送層）、発光機能層６Ｂ（第２発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。

同様に、発光素子１Ｇ（第３発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｇ（第３電極）、正孔注入層４Ｇ、正孔輸送層５Ｇ（第３正孔輸送層）、発光機能層６Ｇ（第３発光機能層）、正孔輸送層７（共通正孔輸送層）、発光機能層６Ｂ（第２発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。

一方、発光素子１Ｂ（第２発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｂ（第２電極）、正孔注入層４Ｂ、正孔輸送層５Ｂ（第２正孔輸送層）、正孔輸送層７（共通正孔輸送層（中間層））、発光機能層６Ｂ（第２発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（共通陰極）がこの順で積層されている。

ここで、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに個別に設けられた画素電極を構成し、スイッチング素子２３のドレイン電極に配線２４を介して電気的に接続されている。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ、発光機能層６Ｒおよび発光機能層６Ｇも、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに個別に設けられている。なお、以下では、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを総括して「発光素子１」、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを総括して「陽極３」、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを総括して「正孔注入層４」、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを総括して「正孔輸送層５」ともいう。

一方、陰極１０は、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して設けられた共通電極を構成している。また、正孔輸送層７（共通正孔輸送層）、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８および電子注入層９も、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して設けられている。

このような発光装置１００によれば、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇ等をそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂ等をそれぞれ３つの素子に共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。

また、このように発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成すると、発光素子１Ｂにおいて、正孔輸送層５Ｂと発光機能層６Ｂとの間に発光機能層６Ｂと同じ気相プロセスで形成された正孔輸送層７を設けることができ、それにより、製法が異なる正孔輸送層５Ｂと発光機能層６Ｂとを直接に積層する場合に比べて、正孔輸送層５Ｂと発光機能層６Ｂとの間のキャリアの移動に関する電気的な障壁を低減することができる。したがって、発光機能層６Ｂへのキャリア（正孔）の輸送がスムーズに行われ、発光効率を向上させることができる。

隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、樹脂材料で構成された隔壁３１（バンク）が設けられている。また、このような発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３２を介して、封止基板４０が接合されている。

前述したように本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂはボトムエミッション型であるため、封止基板４０は、透明基板であっても、不透明基板であってもよく、封止基板４０の構成材料としては、前述した基板２１と同様の材料を用いることができる。

以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについて詳述する。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂでは、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対し、陰極１０側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ側から正孔が供給（注入）される。そして、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂでは、それぞれ、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。

ここで、発光素子１Ｒ、１Ｇでは、発光機能層６Ｂが設けられているが、発光機能層６Ｂを発光させずに、発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させる。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色に発光する。

以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各部の構成を簡単に説明する。
（陽極）
陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）は、正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）に正孔を注入する電極である。この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。

具体的には、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ_３Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、互いに同じ材料を用いることにより、一括して陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成することができ、生産性を高めることができる。

（正孔注入層）
正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）は、陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。

この正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料（正孔注入材料）としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）や、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、オリゴアニリン、ポリアセチレンやその誘導体等の高分子の正孔注入材料が挙げられ、これらのうちの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料が互いに同じであることにより、低コストでかつ生産性よく、安定した特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成することができる。

このような正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層５Ｒ（第１正孔輸送層）は、陽極３Ｒから正孔注入層４Ｒを介して注入された正孔を発光機能層６Ｒまで輸送する機能を有する。同様に、正孔輸送層５Ｇ（第３正孔輸送層）は、陽極３Ｇから正孔注入層４Ｇを介して注入された正孔を発光機能層６Ｇまで輸送する機能を有する。

また、正孔輸送層５Ｒは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｒに侵入することによる正孔注入層４Ｒの機能低下を防止する機能をも有する。同様に、正孔輸送層５Ｇは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Gに侵入することによる正孔注入層４Gの機能低下を防止する機能をも有する。

正孔輸送層５Ｂ（第２正孔輸送層）および正孔輸送層７（正孔輸送層７）は、陽極３Ｂから正孔注入層４Ｂを介して注入された正孔を発光機能層６Ｂまで輸送する機能を有する。

また、正孔輸送層５Ｂ、７は、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｂに侵入することによる正孔注入層４Ｂの機能低下を防止する機能をも有する。なお、正孔輸送層７は、後述するように極めて薄いため、正孔輸送層７単独の電子ブロック性は極めて低く、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、電子の移動を阻害しないようになっている。

正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの構成材料としては、例えば、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）等のトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系等の高分子の正孔輸送材料、また、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン）、α−ＮＰＤ（ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン）等の低分子の正孔輸送材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ（第１正孔輸送層、第２正孔輸送層、第３正孔輸送層）の構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ（第１正孔輸送層、第３正孔輸送層）の構成材料が互いに同じで、かつ、正孔輸送層５Ｂ（第２正孔輸送層）の構成材料が正孔輸送層５Ｒ、５Ｇと異なることにより、発光素子１Ｒ、１Ｇと発光素子１Ｂとの発光バランスを容易に調整することができる。

また、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇがそれぞれ高分子の正孔輸送材料を用いて構成され、正孔輸送層５Ｂ、７がそれぞれ低分子の正孔輸送材料を用いて構成されていることが好ましい。これにより、液相プロセスを用いて高い寸法精度を有する正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを効率的に形成することができる。また、発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇをともに液相プロセスを用いて形成することにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇから発光機能層６Ｒ、６Ｇへキャリア（正孔）をスムーズに輸送させることができる。

また、気相プロセスを用いて高い寸法精度を有する正孔輸送層５Ｂ、７を効率的に形成することができる。特に、気相プロセスを用いて正孔輸送層７を形成することにより、極めて薄い正孔輸送層７を高精度に（制御性よく）形成することができる。また、正孔輸送層５Ｂと正孔輸送層７とが異なる製法で形成されたとしても、これらを構成する正孔輸送性材料がともに低分子であるため、正孔輸送層５Ｂから正孔輸送層７へキャリア（正孔）をスムーズに輸送させることができる。

ここで、低分子の正孔輸送材料を用いて正孔輸送層５Ｂを構成する場合、正孔輸送層５Ｂ中には、低分子の正孔輸送材料の他に、高分子の正孔輸送材料が含まれていてもよく、正孔輸送層５Ｂ中の低分子の正孔輸送材料の含有量は、５０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であることが好ましく、７０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であることがより好ましく、９０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であることがさらに好ましい。

また、正孔輸送層７の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン）、α−ＮＰＤ（ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン）等の低分子の正孔輸送材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、正孔輸送層７（共通正孔輸送層）の構成材料は、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂと同じであっても異なっていてもよいが、正孔輸送層５Ｂ（第２正孔輸送層）の構成材料と同一または近似した材料を含んでいることにより、正孔輸送層５Ｂから正孔輸送層７を介して発光機能層６Ｂへキャリア（正孔）をスムーズに輸送させることができる。

このような正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましい。

また、正孔輸送層７の厚さｔは、２ｎｍ以下であり、好ましくは、０．１ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であり、より好ましくは、０．１ｎｍ以上１ｎｍ以下であり、さらに好ましくは、０．１ｎｍ以上０．９ｎｍ以下である。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、発光機能層６Ｒ、６Ｇと発光機能層６Ｂとの間に設けられている正孔輸送層７の厚さが極めて薄いため、発光機能層６Ｂから発光機能層６Ｒ、６Ｇへキャリア（電子）を受け渡すことができる。したがって、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて発光機能層６Ｂを発光させずに発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させることができる。正孔輸送層７の厚さが極めて薄いため、正孔輸送層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの駆動電圧の上昇を抑えることができる。

ここで、正孔輸送層７の構成材料が前述したように電子ブロック性を有するため、発光素子１Ｂにおいて正孔輸送層７の電子ブロック性を利用して発光機能層６Ｂを効率的に発光させることができる。一方、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、正孔輸送層７の電子ブロック性が高すぎると、発光機能層６Ｒ、６Ｇによる発光が生じなかったり、発光効率が著しく低下したりする。したがって、正孔輸送層７の厚さを極めて薄くして発光素子１Ｒ、１Ｇにおける正孔輸送層７の電子ブロック性を低くすることは極めて有用である。

これに対し、正孔輸送層７の厚さｔが薄すぎると、正孔輸送層７を設けることによる前述した効果が極端に小さくなる傾向を示す。一方、正孔輸送層７の厚さｔが厚すぎると、発光素子１Ｒ、１Ｇの駆動電圧が急激に大きく（発光効率が急激に低く）なるか、または、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて発光機能層６Ｂが発光してしまい、所望の色の発光が得られなくなってしまう。

（発光機能層）
発光機能層６Ｒは、正孔輸送層５Ｒに接して設けられている。また、発光機能層６Ｇは、正孔輸送層５Ｇに接して設けられている。また、発光機能層６Ｂは、正孔輸送層７に接して設けられている。

発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、それぞれ、発光材料を含んで構成されている。この発光材料としては、特に限定されず、各種蛍光材料、燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができ、発光機能層６Ｒは、発光材料として赤色蛍光材料または赤色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｇは、発光材料として緑色蛍光材料または緑色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｂは、発光材料として青色蛍光材料または青色燐光材料が用いられる。

赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ＡＤＳ１１１ＲＥ（アメリカンダイソース社製）等を挙げられる。

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenylbenxothiozolato−Ｎ，Ｃ２’）Iridium（III）（acetylacetonate））、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２，２’−benzothienyl）−pyridinato−Ｎ，Ｃ３）Iridium（acetylacetonate））などのイリジウム錯体、ＰｔＯＥＰ（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−Octaethyl−２１Ｈ，２３Ｈ−porphine，platinum（II））などの白金錯体等が挙げられる。

緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］、ＡＤＳ１０９ＧＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Fac−tris（２−phenypyridine）iridium）、Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）Iridium（acetylacetone））などのイリジウム錯体等が挙げられる。

青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］、ＡＤＳ１３６ＢＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ＦＩｒｐｉｃ（Iridium−bis（４，６−difluorophenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）−picolinate）、Ｉｒ（ｐｍｂ）３（Iridium−tris（１−phenyl−３−methylbenzimidazolin−２−ylidene−Ｃ，Ｃ（２）’）、ＦＩｒＮ４（Iridium （III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridin−２−yl）−tetrazolate））、ＦＩｒｔａｚ（Iridium（III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridine−２−yl）−１，２，４−triazolate））などのイリジウム錯体等が挙げられる。

また、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ中には、前述した発光材料の他に、発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。

このようなホスト材料としては、用いる発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン）、ＣＢＰ(４，４’−bis(９−dicarbazolyl)−２，２’−biphenyl）、ＢＡｌｑ（Bis−（２−methyl−８−quinolinolate）−４−（phenylphenolate）aluminium）、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−dicarbazolyl−３，５−benzene：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４’−bis（９−carbazolyl）−２，２’−dimethyl−biphenyl）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Dicarbazolyl−１，４−dimethene−benzene）、Ｐ０６（２，７−bis（diphenylphosphineoxide）９，９−dimethylfluorene）、ＳｉｍＣＰ（３，５−bis（９−carbazolyl）tetraphenylsilane）、ＵＧＨ３（Ｗ−bis（triphenylsilyl）benzene）等の低分子のホスト材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。

発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、前述した正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料を溶解可能な溶媒に可溶であることが好ましい。これにより、同じ溶媒を用いて発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成することができる。すなわち、発光機能層６Ｒ、６Ｇを液相プロセスにより形成する際、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成した際に用いた溶媒と同じ溶媒を用いることができる。その結果、発光機能層６Ｒ、６Ｇと正孔輸送層５Ｒ、５Ｇとの間の界面の密着性または親和性を高め、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇから発光機能層６Ｒ、６Ｇへのキャリア（正孔）の輸送性を高めることができる。

また、発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、低分子材料を主材料として構成されていることが好ましく、低分子のゲスト材料および低分子のホスト材料を主材料として構成されていることがより好ましい。これにより、発光機能層６Ｒ、６Ｇの発光効率を高めて、正孔輸送層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇの発光効率の低下分を補うことができる。その結果、発光素子１Ｒ、１Ｇと発光素子１Ｂの発光バランスを優れたものとすることができる。このような観点から、発光機能層６Ｒ、６Ｇ中の低分子材料の含有量は、６０ｗｔ％以上であることが好ましく、８０ｗｔ％以上であることがより好ましく、９０ｗｔ％以上であることがさらに好ましい。

このような発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層８は、陰極１０から電子注入層９を介して注入された電子を発光機能層６Ｂに輸送する機能を有するものである。

電子輸送層８の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、ＢＡＬｑ、ＯＸＤ−１（１，３，５−トリ（５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール））、ＢＣＰ（Bathocuproine）、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（３−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール）、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビスージフェニルエテニル）ビフェニル）、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＤＴＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビス（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル）、ＢＢＤ（２，５−ビス（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール）、また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子輸送層８の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

なお、この電子輸送層８は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。

（電子注入層）
電子注入層９は、陰極１０からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。

この電子注入層９の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層９を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２等が挙げられる。

また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子注入層９の厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

なお、この電子注入層９は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。

（陰極）
陰極１０は、電子注入層９を介して電子輸送層８に電子を注入する電極である。この陰極１０の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。

陰極１０の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。

特に、陰極１０の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

また、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極１０は、光透過性を有していなくてもよい。ボトムエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

ボトムエミッション型である場合の陰極１０の厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

なお、発光素子１がトップエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の光透過性を確保しつつ、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

トップエミッション型である場合における陰極１０の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。

以上説明したように構成された発光装置１００によれば、後に詳述するように、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。

このように発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成すると、発光素子１Ｂにおいて、正孔輸送層５Ｂと発光機能層６Ｂとの間に発光機能層６Ｂと同じ気相プロセスで形成された正孔輸送層７を設けることができ、それにより、製法が異なる正孔輸送層７と発光機能層６Ｂとを直接に積層する場合に比べて、正孔輸送層５Ｂと発光機能層６Ｂとの間のキャリアの移動に関する電気的な障壁を低減することができる。したがって、発光機能層６Ｂへのキャリア（正孔）の輸送がスムーズに行われ、発光効率を向上させることができる。

一方、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、発光機能層６Ｒ、６Ｇと発光機能層６Ｂとの間に設けられている正孔輸送層７の厚さが極めて薄いため、発光機能層６Ｂから発光機能層６Ｒ、６Ｇへキャリア（電子）を受け渡すことができる。したがって、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて発光機能層６Ｂを発光させずに発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させることができる。

また、正孔輸送層７の厚さが極めて薄いため、正孔輸送層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの駆動電圧の上昇を抑えることができる。

以上のようなことから、互い発光色の異なる複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備える発光装置１００において、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光効率を高めるとともに、発光装置１００を効率的に製造することができる。

（発光装置の製造方法）
以下、前述した発光装置１００の製造方法の一例を説明する。

図２〜図４は、図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。以下、各工程を順次説明する。

［１］
まず、回路基板２０を用意し、図２（ａ）に示すように、この回路基板２０上に陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成した後、隔壁３１を形成する。

陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、例えば、回路基板２０上に、蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法を用いて電極材料を成膜した後、これをエッチング等を用いてパターニングすることにより得られる。

また、隔壁３１は、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。

ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、回路基板２０等との密着性等を考慮して選択される。具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ_２のような無機材料が挙げられる。

また、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の形成後、必要に応じて、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に酸素プラズマ処理を施してもよい。これにより、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面に親液性を付与すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。

ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、回路基板２０の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。

また、この酸素プラズマ処理の後、ＣＦ_４等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理するのが好ましい。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１内に付与される液体が不本意に濡れ拡がるのを低減することができる。

［２］
次に、図２（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ａを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上にそれぞれ付与する。

インク４ａは、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

その後、陽極３上のインク４ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図２（ｃ）に示すように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成する。

乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、大気圧のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成することができる。

以上のように、インク４ａを用いた液相プロセスにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ
が形成される。

［３］
次に、図２（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔輸送層形成用のインク５ａを隔壁３１内の正孔注入層４Ｒ、４Ｇ上にそれぞれ付与する。

インク５ａは、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

その後、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ上のインク５ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図３（ａ）に示すように、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成する。

乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成することができる。

以上のように、インク５ａを用いた液相プロセスにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇが形成される。

［４］
次に、図３（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から発光機能層形成用のインク６ａ、６ｂを隔壁３１内の正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上にそれぞれ付与する。

インク６ａは、発光機能層６Ｒの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。また、インク６ｂは、発光機能層６Ｇの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

その後、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上のインク６ａ、６ｂを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図３（ｃ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成する。

乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成することができる。

以上のように、インク６ａ、６ｂを用いた液相プロセスにより、発光機能層６Ｒ、６Ｇが形成される。

［５］
次に、図３（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔輸送層形成用のインク５ｂを隔壁３１内の正孔注入層４Ｂ上に付与する。

インク５ｂは、正孔輸送層５Ｂの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

その後、正孔注入層４Ｂ上のインク５ｂを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図４（ａ）に示すように、正孔輸送層５Ｂを形成する。

乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔輸送層５Ｂを形成することができる。

以上のように、インク５ｂを用いた液相プロセスにより、正孔輸送層５Ｂが形成される。

［６］
次に、発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔注入層５Ｂ上に、隔壁３１を跨ってこれらを覆うようにして、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０をこの順で形成する。

正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０は、それぞれ、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。

［７］
最後に、図４（ｃ）に示すように、陰極１０を樹脂層３２（封止層）を介して封止基板４０を接着する。これにより、発光装置１００が得られる。

以上説明したように、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成し、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。

（電子機器）
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。

この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。

このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の発光装置１００で構成されている。

図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。

この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。

図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。

ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。

また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。

このような本発明の電子機器は、優れた信頼性を有する。
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。

次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
１．発光素子の製造

（実施例１）
＜１＞ まず、厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、ＲＧＢ画素のそれぞれの画素電極として厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（第１陽極、第２陽極および第３陽極）を形成した。その後、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いて各ＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。

そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、正孔注入層形成用インクを、ＲＧＢ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填してＩＴＯ電極上付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。

ここで、正孔注入層形成用インクとして、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの０．５ｗｔ％水分散液を用いた。また、焼成は、大気圧下で行い、焼成温度を２００℃とし、焼成時間を１０分間とした。

＜３＞ 次に、正孔輸送層形成用インクを、ＲＧ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、厚さ２０ｎｍの正孔輸送層（第１、３正孔輸送層）を形成した。

ここで、正孔輸送層形成用インクとして、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を１．５ｗｔ％含んだテトラメチルベンゼン溶液を用いた。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を２００℃とし、焼成時間を３０分間とした。

＜４＞ 次に、発光機能層形成用インクを、ＲＧ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填して正孔輸送層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、厚さ２０ｎｍの発光機能層（第１、第３発光機能層）を形成した。

ここで、発光機能層形成用インクとして、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Ｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム）を重量比９０：１０で混合したテトラメチルベンゼン溶液（濃度１．２ｗｔ％）を用いた。また、乾燥は、５Ｐａ以下の真空度で１０分間減圧乾燥することにより行った。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を２２０℃とし、焼成時間を１０分間とした。

＜５＞ 次に、正孔輸送層形成用インクを、Ｂ画素の隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、厚さ２０ｎｍの正孔輸送層（第２正孔輸送層）を形成した。

ここで、正孔輸送層形成用インクとして、低分子の正孔輸送材料であるα−ＮＰＤを０．３ｗｔ％の濃度で含有するＣＨＢ（シクロヘキシルベンゼン）溶液を用いた。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を１６０℃とし、焼成時間を１０分間とした。

＜６＞ 次に、蒸着により正孔輸送層形成用材料（中間層形成用材料）を、ＲＧＢ画素に跨って成膜することにより、厚さ１ｎｍの正孔輸送層（共通正孔輸送層（中間層））を形成した。

ここで、正孔輸送層形成用材料（中間層形成用材料）として、低分子の正孔輸送材料であるα−ＮＰＤを用いた。

＜７＞ 次に、蒸着により発光機能層形成用材料を、ＲＧＢの画素に跨って成膜することにより、厚さ２０ｎｍの発光機能層（第２発光機能層）を形成した。

ここで、発光機能層形成用材料は、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）９０質量部に、ＦＩｒｐｉｃを１０質量部ドープしたものである。また、乾燥は、５Ｐａ以下の真空度で１０分間減圧乾燥することにより行った。

＜８＞ 次に、第２発光機能層上に、Ａｌｑ_３を真空蒸着法により成膜し、厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。

＜９＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。

＜１０＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される厚さ２００ｎｍの陰極を形成した。
以上の工程により、ＲＧＢ画素（第１〜３発光素子）を有する発光装置を製造した。

（実施例２）
Ｂ画素の正孔輸送層（第２正孔輸送層）の形成用材料として、低分子の正孔輸送材料であるα−ＮＰＤと、高分子の正孔輸送材料であるＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）との混合材料（混合比は質量比で５０：５０）を用いた以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。

（実施例３）
ＲＧ画素における発光機能層形成用インクの塗布と、Ｂ画素における正孔輸送層形成用インクの塗布とを行った後に、これらの乾燥および焼成を一括して行った以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。

（実施例４）
ＲＧ画素における発光機能層形成用インクの塗布と、Ｂ画素における正孔輸送層形成用インクの塗布とを行った後に、これらの乾燥および焼成を一括して行った以外は、前述した実施例２と同様にして発光装置を製造した。

（実施例５）
ＲＧ画素に用いる発光機能層形成用インク、および、Ｂ画素に用いる正孔輸送層形成用インクのそれぞれの溶媒として３−フェノキシトルエンを用いた以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。

（実施例６）
ＲＧ画素に用いる発光機能層形成用インク、および、Ｂ画素に用いる正孔輸送層形成用インクのそれぞれの溶媒として３−フェノキシトルエンを用いた以外は、前述した実施例２と同様にして発光装置を製造した。

（実施例７）
ＲＧ画素に用いる発光機能層形成用インク、および、Ｂ画素に用いる正孔輸送層形成用インクのそれぞれの溶媒として３−フェノキシトルエンを用いた以外は、前述した実施例３と同様にして発光装置を製造した。

（実施例８）
ＲＧ画素に用いる発光機能層形成用インク、および、Ｂ画素に用いる正孔輸送層形成用インクのそれぞれの溶媒として３−フェノキシトルエンを用いた以外は、前述した実施例４と同様にして発光装置を製造した。

（実施例９）
共通正孔輸送層（中間層）の膜厚を１．５ｎｍした以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。

（実施例１０）
共通正孔輸送層（中間層）の膜厚を２ｎｍした以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。

（比較例１）
共通正孔輸送層（中間層）の膜厚を３ｎｍした以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。

（比較例２）
共通正孔輸送層（中間層）の形成を省略した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。

２．評価
前述したように製造した各実施例および各比較例の発光装置について、ＲＧＢの各画素の発光素子の寿命（ＬＴ５０）を測定したところ、各比較例の発光装置に比べて、各実施例の発光装置は、Ｒ画素およびＧ画素の発光素子の寿命とＢ画素の発光素子の寿命とのバランスに優れ、かつ、各画素の発光素子の寿命が良好であった。

実施例１、９、１０および比較例１、２の発光装置について、Ｇ画素の発光素子の寿命を測定した結果を図７（ａ）に示す。また、実施例１、１０および比較例１、２の発光装置について、Ｂ画素の発光素子の寿命を測定した結果を図７（ａ）に示す。

また、実施例２の発光装置は、実施例１の発光装置に比べて、Ｇ画素の発光素子の発光効率が高かった。

１‥‥発光素子
１Ｂ‥‥発光素子
１Ｇ‥‥発光素子
１Ｒ‥‥発光素子
３‥‥陽極
３Ｂ‥‥陽極
３Ｇ‥‥陽極
３Ｒ‥‥陽極
４Ｂ‥‥正孔注入層
４Ｇ‥‥正孔注入層
４Ｒ‥‥正孔注入層
４ａ‥‥インク
５Ｂ‥‥正孔輸送層
５Ｇ‥‥正孔輸送層
５Ｒ‥‥正孔輸送層
５ａ‥‥インク
５ｂ‥‥インク
６Ｂ‥‥発光機能層
６Ｇ‥‥発光機能層
６Ｒ‥‥発光機能層
６ａ‥‥インク
６ｂ‥‥インク
７‥‥正孔輸送層
８‥‥電子輸送層
９‥‥電子注入層
１０‥‥陰極
２０‥‥回路基板
２１‥‥基板
２２‥‥層間絶縁膜
２３‥‥スイッチング素子
２４‥‥配線
３１‥‥隔壁
３２‥‥樹脂層
４０‥‥封止基板
１００‥‥発光装置
１００Ｒ‥‥サブ画素
１００Ｇ‥‥サブ画素
１００Ｂ‥‥サブ画素
２００‥‥インクジェットヘッド
２３１‥‥半導体層
２３２‥‥ゲート絶縁層
２３３‥‥ゲート電極
２３４‥‥ソース電極
２３５‥‥ドレイン電極
１１００‥‥パーソナルコンピュータ
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥回路基板
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニタ
１４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims (10)

1. 第１陽極と、共通陰極と、前記第１陽極と前記共通陰極との間に設けられている第１正孔輸送層と、前記第１正孔輸送層と前記共通陰極との間に前記第１正孔輸送層に接して設けられている第１発光機能層と、を有する第１発光素子と、
   第２陽極と、前記共通陰極と、前記第２陽極と前記共通陰極との間に設けられている第２正孔輸送層と、前記第２正孔輸送層と前記共通陰極との間に前記第２正孔輸送層に接して設けられている共通正孔輸送層と、前記共通正孔輸送層と前記共通陰極との間に前記共通正孔輸送層に接して設けられている第２発光機能層と、を有する第２発光素子と、を備え、
   前記共通正孔輸送層は、前記共通陰極と前記第１発光機能層との間において前記第１発光機能層にも接して設けられており、
   前記共通正孔輸送層の厚さは、２ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
2. 前記第１正孔輸送層、前記第１発光機能層および前記第２正孔輸送層は、それぞれ、液相プロセスを用いて形成されたものであり、
   前記共通正孔輸送層および前記第２発光機能層は、それぞれ、気相プロセスを用いて形成されたものである請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１正孔輸送層は、高分子の正孔輸送材料を用いて構成され、
   前記第２正孔輸送層および前記共通正孔輸送層は、それぞれ、低分子の正孔輸送材料を用いて構成されている請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記第２正孔輸送層は、前記共通正孔輸送層の構成材料と同一または近似した特性の材料を含んで構成されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記共通正孔輸送層の構成材料は、電子ブロック性を有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記第１発光機能層の構成材料は、低分子材料を主材料として構成されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記共通正孔輸送層の厚さは、１ｎｍ以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 第３陽極と、前記共通陰極と、前記第３陽極と、前記共通陰極との間に設けられている第３正孔輸送層と、前記第３正孔輸送層と前記共通陰極との間に前記第３正孔輸送層に接して設けられている第３発光機能層と、を有する第３発光素子を備え、
   前記共通正孔輸送層は、前記第３発光機能層にも接しており、
   前記第１発光素子、前記第２発光素子および前記第３発光素子は、互いに発光色が異なる請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記第１発光素子の発光色は、赤色であり、
   前記第２発光素子の発光色は、青色であり、
   前記第３発光素子の発光色は、緑色である請求項８に記載の発光装置。
10. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。

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