JP7146174B2 - 電解精製における電解液の排液方法 - Google Patents
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Description
この通電によりアノードは電解液中に銅イオンとして溶出し、カソード上では銅イオンが電析する。同時に、アノードに含有されたニッケルやアンチモンやヒ素などの不純物、金や銀などの貴金属元素等は電解液中に溶出しなかったり、溶出してもカソードに電析しなかったりするので、カソード上には高純度な銅(電気銅)が得られる特徴がある。
アノード不動態化の主原因である硫酸銅結晶の析出は、アノード表面で溶出した銅イオンがアノード近傍にて硫酸銅の溶解度を超過することにより結晶化することで生じる。通常は、銅と硫酸のイオン濃度が硫酸銅の溶解度を超過しない条件で生産(精製)を行うが、近年の銅需要の高まりにより、より短時間に大量の銅を生産するよう求められている。
一方、一般的な電解槽内の銅イオン濃度は均一ではなく、濃度勾配を持つ。特許文献1に見られるように、電解槽内の下部では銅イオン濃度が高く、電解槽内の上部では銅イオン濃度が低い。このため、アノードの不動態化は電極の上部よりも電極の下部で発生しやすい。
特許文献2や特許文献3に見られるような手法は、電解槽内に撹拌羽根を浸漬し、専用のモーター等で槽内の液を撹拌し、銅イオン濃度を均一化するものであるが、装置が非常に煩雑になることから、大規模な生産には不向きであった。
さらに、特許文献4には次のような手法も見られる。電解槽の上部および下部から給液し、電解槽の上部から排液するものであるが、こちらは一般的な電解槽と同様に電解槽内の下部で銅イオン濃度が高くなり、銅イオン濃度均一化の効果はわずかなものであった。
アノードの不動態化は、このように連鎖的に進行するため、発生源となる電極下部での不動態化を抑制することが肝要であり、アノードの不動態化を抑制するためには、電解液中の銅イオン濃度を均一化することが重要である。
そこで、本発明者らは、電解液の排液方法を変更することで、電解槽内の電解液濃度を均一化可能なことを見出し、本発明の完成に至った。
銅の電解精製は約60℃で実施されており、60℃における硫酸銅の飽和溶液中銅イオン濃度は158g/Lである。ただし実務的には、通電時の浴抵抗を低減するために硫酸を添加することが行われている。電解液が硫酸と硫酸銅および水のみで形成され、温度を60℃、硫酸濃度を200g/Lとすると、硫酸銅の溶解度は低下し、飽和溶液中銅イオン濃度は95g/Lまで低下する。
その結果、銅イオン濃度の濃度勾配を抑制するには、給液した電解液を電極間に十分に分散させることが重要であることを見出し、本発明に係る電解液の電解槽からの排液方法が得られた。
即ち、電解槽の上方から、電解槽に貯留されている電解液中に、一端側を吸引口として浸漬し、他端側が、流量制御可能な排液用ポンプに接続している排液配管を備え、その排液配管の前記排液の開口部に相当する吸引口の設置位置を変えることで、電解槽底部Boから電解液液面2a付近までの任意の位置から、電解液を吸引、排液することができる。
これにより、銅イオン濃度の濃度勾配が抑制可能となる。さらに、排液用ポンプによる排液流量を、電解槽に供給される電解液の給液流量以下で制御することで、排液用ポンプからの排液と同時に、電解液液面2aからのオーバーフローによる排液が可能となる。
また、整備および清掃が困難な場合は、直ぐにポンプを廃棄、交換することも出来る。
さらに、排液装置Aからの排液と、既存の上部排液口11からの排液を排液樋11aにより合流させて纏めて外部に排出可能となり、排液処理の手間や設備の簡素化が可能となっている。
又、図3(c)、(d)に示す排液装置Aは、電解槽に取付、固定する固定具14を備え、固定具14は吸引配管12aを電解槽の深さ方向に異なる位置で把持する機構を有する装置である。
図3(a)、(b)に示す排液装置A、図3(c)、(d)に示す排液装置Aのどちらであっても、吸引配管12aの少なくとも一部を動かすことによって、吸引口12を電解槽底部域Sを含む所定位置に配置することができる。
アノードスライムは、アノード表面から脱落し、電解槽底部Boに沈積する。電解槽底部域Sからの排液を電解槽底部Boに近い位置で実施すると、電解槽底部Boに沈積したアノードスライムを電極間に巻き上げ、カソードの不純物濃度を上昇させる。電解槽底部域Sからの排液を行なう場合、吸引口12の位置を、電解槽底部Boから電解槽内深さの10%以上の位置とすることで、アノードスライムの巻き上げが抑制できた。
そこで下部排液口となる吸引口12の大きさを、電解液(排液)が排液口を通過する流速が、2.5cm/s以下となるように設定したことで、これによりアノードスライムの巻き上げが抑制された。さらに給液口10においても同様に、給液口の大きさを、給液口の通過時の流速が、2.5cm/s以下となるように設定したことで、アノードスライムの巻き上げが抑制された。
2 電解液
2a 電解液液面
3 アノード
4 カソード
5 電極
5u 電極下端部
10、30 給液口
10a、30a 給液配管
11、31 上部排液口
11a 排液樋
12 吸引口
12a 吸引配管
12b 排液配管
13 中間部
14 固定具
100 電解槽
A 排液装置
Bo 電解槽底部
P (サイフォン式排液)ポンプ
S 電解槽底部域
ho 排液口の高さ
w1、w2 電解槽壁(電極面の法線方向の槽壁)
δ 可動範囲
Claims (6)
- 金属の電解精製を行なう電解槽からの電解液の排液方法であって、
前記電解槽の上方から前記電解槽に貯留されている電解液中に、一端側を吸引口として浸漬し、他端側が、流量制御可能な排液用ポンプに接続している排液用配管を備え、
前記排液用配管の前記吸引口の設置位置を変えることで、電解槽の槽底から電解液液面付近までの任意の位置から、前記電解液を吸引、排液することを特徴とする電解精製における電解液の排液方法。 - 前記排液用ポンプによる排液流量を、前記電解槽に供給される電解液の給液流量以下に制御することで、前記排液用ポンプからの排液と同時に、液面からのオーバーフローによる排液を可能とすることを特徴とする請求項1に記載の電解精製における電解液の排液方法。
- 前記排液用ポンプが、サイフォンの原理を利用した手動式ポンプであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電解精製における電解液の排液方法。
- 前記電解槽が、電極表面を平行に配置した複数の電極を備え、
前記電極表面の法線方向の電解槽壁の一方側に、電解液を電解槽内に供給する給液口を備え、
他方側の電解槽壁に電解槽内の電解液を、吸引する移動自在の吸引口を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の電解精製における電解液の排液方法。 - 前記吸引口からの電解液の排液量の比率が、前記電解槽からの総排液量の25%以上、75%以下であることを特徴とする請求項2に記載の電解精製における電解液の排液方法。
- 前記吸引口が、電解槽内深さに対し、槽底から10%以上の位置に設置されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の電解精製における電解液の排液方法。
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