JP7071264B2 - リチウム、リン、硫黄、及びヨウ素含有電解質及びカソライト組成物、電気化学装置用の電解質膜、並びにこれらの電解質及びカソライトを製造するアニーリング方法 - Google Patents
リチウム、リン、硫黄、及びヨウ素含有電解質及びカソライト組成物、電気化学装置用の電解質膜、並びにこれらの電解質及びカソライトを製造するアニーリング方法 Download PDFInfo
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Description
再生可能でない石油系エネルギー源の消費に基づく現在のエネルギー経済から、人間が持続可能に再生可能なエネルギーを生み出し、貯蔵し、消費する将来のエネルギー経済に移行するには、一連の技術的課題を克服しなくてはならない。とりわけ自動車運送に関して、これらの課題のうち第1で最も重要なものは、内燃機関の好適な代替品である再生可能エネルギー貯蔵装置への満たされていない要求である。特に、充電式電池及びリチウム(Li)充電式電池は、純電気自動車及びハイブリッド電気自動車などのいくつかの自動車用途における有用な代替物であるが、従来の充電式電池の高コスト及び限定された性能は、依然として電気自動車技術の主流の採用を妨げている主な障害である。固体充電式電池は、主にそれらの従来の液体電解質系に比べた場合のこれらの電池に可能なエネルギー密度(体積及び重量)の増加のため、自動車用途の次世代電池として提案されてきた。これらの固体電池のうち、リチウム金属アノードを含むものは、Li金属中のLiに対するカソード活性材料中に位置しているLiイオンの最大化された電位差のため、最高のエネルギー密度を達成すると考えられている。
本開示は、全般的に、リチウム充電式電池の成分に関する。例えば、単層及び多層スルフィド系Li+伝導性電解質を含む新たな固体リチウムイオン(Li+)伝導性電解質並びにカソライトが本明細書に記載される。これらの固体イオン電解質は、特定の結晶性結合、非晶性結合、及びそれらの組み合わせにより配列及び/又は結合する特定の化学組成物を有する。特定のアニーリング方法を含む、これらの固体スルフィド系Li+電解質を製造する方法も本明細書に記載される。
以下の説明において、提示される概念の完全な理解を与えるために、多くの具体的な詳細が述べられる。提示される概念は、これらの具体的な詳細の一部又は全てなしに実施できる。他の場合において、周知のプロセス操作は、記載される概念を不必要に不明確にしないために詳細には説明されなかった。一部の概念は具体的な実施態様と共に説明されるが、これらの実施態様が限定的であると意図されないことが理解されるだろう。以下の説明は、当業者が本発明を実施及び使用し、それを特定の用途に組み込むことを可能にする。種々の変更並びに異なる用途での種々の使用は、当業者には明らかであり、本明細書に定義される一般原則は、広範囲の実施態様に適用できる。そのため、本明細書における本発明は、提示される実施態様に限定されるとは意図されず、本明細書に開示される原則及び新規な特徴に一致するその最も広い範囲を与えられるものとする。
本明細書で使用される通り、数、例えば、15% w/wを修飾する場合の用語「約」は、修飾された数及び任意に、その数の±10%を含むその修飾された数に関する範囲に含まれる数を指す。例えば、約15% w/wは、15% w/w並びに13.5% w/w、14% w/w、14.5% w/w、15.5% w/w、16% w/w、又は16.5% w/wを含む。例えば、「約75℃」は、75℃並びに68℃、69℃、70℃、71℃、72℃、73℃、74℃、75℃、76℃、77℃、78℃、79℃、80℃、81℃、82℃、又は83℃を含む。
いくつかの例において、LixPySzIt(式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦12、及び0.1≦t≦2)を特徴とする化合物を含む電解質が本明細書に述べられる。これらの例において、下付き文字x、y、z、及びtは有理数であり、化合物が電荷中性であるように選択される。いくつかの例において、化合物は、以下の20、25、27、29、又は45±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする。いくつかの例において、化合物は、少なくとも20±1°(2Θ)に反射を有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする。いくつかの例において、化合物は、少なくとも25±1°(2Θ)に反射を有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする。いくつかの例において、化合物は、少なくとも27±1°(2Θ)に反射を有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする。いくつかの例において、化合物は、少なくとも29±1°(2Θ)に反射を有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする。いくつかの例において、化合物は、少なくとも45±1°(2Θ)に反射を有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする。いくつかの例において、化合物は、少なくとも以下の反射を20、25、27、29、及び45±1°(2Θ)に有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする。いくつかの例において、化合物は、20、25、27、29、及び45(2Θ)に少なくとも以下の一次ピークを有するXRDパターンを特徴とする。
いくつかの例において、本明細書に記載される電解質組成物は、本明細書に記載されるLPSIを含み、ポリマーをさらに含む。
一例として図1に示されるように、電気化学セルが本明細書に述べられる。いくつかの例において、これらの電気化学セルは固体セルである。図1において、「eLi」は蒸着されたLi金属を指す。図1において、HP-LPSIは熱間圧接されたLPSIを指す。図1において、NMCはニッケル-マンガンコバルト酸化物を指す。これらの固体電気化学セルのいくつかにおいて、正極と負極を分離する電解質は、スルフィド系電解質を含む。いくつかの例において、このスルフィド系電解質は、正極と負極の間に配置される単一のセパレーター膜として電気化学セルに含まれる。これらの例のいくつかにおいて、このセパレーター膜は、LixPySzIt(式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)を含み、以下の21、25、27、28、29、33及び/又は45±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とするLPSI材料から基本的になる。これらの組成物において、下付き文字x、y、z、及びtは有理数であり、該化合物は電荷中性である。
いくつかの例において、Li、P、S、及びI元素を含む電解質組成物(本明細書では「LPSI」)を製造する方法が本明細書に述べられる。いくつかの例において、該組成物は、LixPySzIt(式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦12、及び0.1≦t≦2)を含み; 以下の21、25、27、28、29、33又は45±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする。これらの組成物において、下付き文字x、y、z、及びtは有理数であり、該化合物は電荷中性である。
いくつかの例において、アニーリング条件は、アニールされている(annealing)LPSI材料と接触して不活性雰囲気を使用することを含む。好適な不活性雰囲気には、100%アルゴン(Ar)、窒素(N2)、ヘリウム(He)、又はキセノン(Xe)がある。好適な不活性雰囲気には、アルゴン(Ar)、窒素(N2)、ヘリウム(He)、及び/又はキセノン(Xe)の組み合わせ又は混合物がある。いくつかの例において、不活性雰囲気は100% Arである。いくつかの例において、不活性雰囲気は100% N2である。いくつかの例において、不活性雰囲気は100% Heである。いくつかの例において、不活性雰囲気は100% Xeである。いくつかの例において、内部雰囲気は、H2とAr、N2、又はXeの混合物を含む。いくつかの例において、内部雰囲気は、H2とArの混合物を含む。いくつかの例において、内部雰囲気は、H2とN2の混合物を含む。いくつかの例において、内部雰囲気は、H2とXeの混合物を含む。いくつかの例において、内部雰囲気は、H2とHeの混合物を含む。
XRD分析のために、空気に敏感なスルフィド試料を、気密性のカプトンフィルムドーム型ホルダー(dome holder)に水平に充填し、Rigaku MiniFlex II X線回折計で測定した。回折計を、1.25度発散及び散乱スリット、並びに0.3mm受光スリット、銅k-αX線管上のグラファイトモノクロメーターと共に設定した。試料を、1.00度/分の速度で0.020度のサンプリング幅で、30kV及び15mAで10度から60度までスキャンした。
本件出願は、以下の構成の発明を提供する。
(構成1)
Li x P y S z I t (式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)を特徴とし;且つ
以下の20、25、27、29、又は45±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とし;
(式中、下付き文字x、y、z、及びtは有理数である);
電荷中性である化合物を含む電解質。
(構成2)
Li x P y S z I t (式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)から基本的になり;且つ
以下の20、25、27、29、又は45±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するXRDパターンを特徴とし;
(式中、下付き文字x、y、z、及びtは有理数である);
前記化合物が電荷中性である、構成1記載の電解質。
(構成3)
前記組成物が、以下の20、25、27、29、及び45±1°(2Θ)での反射を有するXRDパターンを特徴とする、構成1又は2記載の電解質。
(構成4)
前記組成物が、以下の20、25、27、29、及び45±1°(2Θ)での一次ピークを有するXRDパターンを特徴とする、構成1~3のいずれか一項記載の電解質。
(構成5)
前記組成物がセミアモルファスである、構成1~4のいずれか一項記載の電解質。
(構成6)
前記組成物が
(Li 3 PS 4 )3(LiI)、(Li 3 PS 4 )2(LiI)、(Li 3 PS 4 )(LiI)、2(Li 3 PS 4 )(LiI)、3(Li 3 PS 4 )(LiI)、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバー;
Li 7 P 2 S 8 I、Li 6 PS 5 F、Li 6 PS 5 Cl、Li 6 PS 5 Br、Li 6 PS 5 I、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバー;
80(70L 2 S・30P 2 S 5 )20(LiI)、70(70L 2 S・30P 2 S 5 )30(LiI)、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバー;
L 3 PS 4 、LiI、Li 2 S、P 2 S 5 、及びこれらの組み合わせの固溶体からなる群から選択されるメンバー;
(100-X)(80L 2 S・20P 2 S 5 )X(LiI)(式中、Xは、0、2、5、10、15、20、又は30である);又は
Li 2 S、P 2 S 5 、LiF、LiCl、LiBr、LiIの混合物、若しくはこれらの組み合わせ
ではない、構成1~5のいずれか一項記載の電解質。
(構成7)
前記組成物がLi 7 P 2 S 8 I又はLi 6 PS 5 Iではない、構成1~6のいずれか一項記載の電解質。
(構成8)
前記組成物がアルジロダイト結晶構造を有さない、構成1~7のいずれか一項記載の電解質。
(構成9)
前記組成物がゲルマニウム(Ge)又はあらゆるゲルマニウム種を含まない、構成1~8のいずれか一項記載の電解質。
(構成10)
前記組成物がヒ素(As)又はあらゆるヒ素種を含まない、構成1~9のいずれか一項記載の電解質。
(構成11)
前記組成物がLi 7.4 P 1.6 S 7.2 Iである、構成1~10のいずれか一項記載の電解質。
(構成12)
前記組成物がLi a P b S c I d (式中、aは7.2~7.6であり、bは1.4~1.8であり、cは7.0~7.4であり、dは0.8~1.2である)であり、前記電解質が電荷中性である、構成1~10のいずれか一項記載の電解質。
(構成13)
前記組成物がLi 7.4 P 1.6 S 7.2 I±記載の下付き文字の値の5%である、構成1~10のいずれか一項記載の電解質。
(構成14)
前記組成物がLi 7 P 2 S 8 Iであり、該下付き数値が±5%変化し得る、構成1~5又は8のいずれか一項記載の電解質。
(構成15)
前記組成物がLi 7 P 2 S 8 Iであり、該下付き数値が±5%変化し得る、構成1~5又は8のいずれか一項記載の電解質。
(構成16)
ポリマーをさらに含む、構成1~15のいずれか一項記載の電解質。
(構成17)
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLi x P y S z I t の重量充填量が少なくとも50%(w/w)だが95%(w/w)未満である、構成16記載の電解質。
(構成18)
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLi x P y S z I t の体積充填量が少なくとも50%(v/v)である、構成17記載の電解質。
(構成19)
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLi x P y S z I t の体積充填量が少なくとも70%(v/v)である、構成17記載の電解質。
(構成20)
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLi x P y S z I t の体積充填量が70%~85%(v/v)である、構成17記載の電解質。
(構成21)
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLi x P y S z I t の体積充填量が75%~85%(v/v)である、構成17記載の電解質。
(構成22)
前記ポリマーが、エポキシ、エポキシド、ポリプロピレン(PP)、アタクティックポリプロピレン(aPP)、アイソタクティブポリプロピレン(iPP)、ポリブチルジエン、ポリブタジエン(PBD)、ポリブタジエンラバー(PB)、架橋ポリブタジエン(cPBD)、ポリスチレン(PS)、エチレンプロピレンラバー(EPR)、エチレンペンテンコポリマー(EPC)、ポリイソブチレン(PIB)、スチレンブタジエンラバー(SBR)、ポリオレフィン、ポリエチレン-コ-ポリ-1-オクテン(PE-co-PO)、PE-コ-ポリ(メチレンシクロペンタン)(PE-co-PMCP)、ポリメチル-メタクリラート、アクリル樹脂、アクリロニトリル-ブタジエンラバー(NBR)、ポリビニルアセタアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、PVBステレオブロックポリプロピレン、ポリプロピレンポリメチルペンテンコポリマー、ポリエチレンオキシド(PEO)、PEOブロックコポリマー、ニトリル、ニトリルブタジエンラバー、カルボキシメチルセルロース(CMC)、ポリイソプレンラバー(PI)、ポリクロロプレンラバー(CR)、ポリエチルアクリラート(PEA)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、水性適合ポリマー、シリコーン、PMX-200(ポリジメチルシロキサン、PDMS)、メチルメタクリラート、エチルメタクリラート、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリエチルメタクリラート(PEMA)、ポリビニルピロリドン(PVP)、ステレオブロックポリプロピレン、ポリプロピレンポリメチルペンテンコポリマー、ポリプロピレンカーボナート、ポリエチレン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、構成16~21のいずれか一項記載の電解質。
(構成23)
前記ポリマーが、前記LPSIに付着し、結合し、接着し、又は吸着する、構成16~21のいずれか一項記載の電解質。
(構成24)
前記ポリマーが前記LPSIの表面に結合している、構成16~21のいずれか一項記載の電解質。
(構成25)
前記ポリマーが約0.01~50% w/wで存在する、構成16~21のいずれか一項記載の電解質。
(構成26)
約10nm~約100μmの膜厚を有する薄膜として形成された、構成1~25のいずれか一項記載の電解質。
(構成27)
約10nm~約100ミクロンの平均モノリス厚さを有するモノリスとして形成された、構成1~24のいずれか一項記載の電解質。
(構成28)
前記膜厚が約20μm~約60μmである、構成26記載の電解質。
(構成29)
前記膜厚が、約10、20、30、40、50又は60ミクロンである、構成26記載の電解質。
(構成30)
LiIを含む、構成1~29のいずれか一項記載の電解質。
(構成31)
Li 2 Sを含む、構成1~29のいずれか一項記載の電解質。
(構成32)
約1×10 -3 S/cm以上のイオン伝導性を有する、構成1~29のいずれか一項記載の電解質。
(構成33)
Li x P y S z I t (式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)を特徴とする前記化合物が、SEM及び幾何学的測定により決定して、20%未満、15%未満、10%未満、5%未満、又は1%未満の多孔性を有する、構成1~29のいずれか一項記載の電解質。
(構成34)
Li x P y S z I t (式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)を特徴とする前記化合物が、SEM及び幾何学的測定により決定して、少なくとも80%、少なくとも85%、少なくとも90%、少なくとも95%、又は少なくとも99%の密度を有する、構成1~29のいずれか一項記載の電解質。
(構成35)
29°(2Θ)での第1の主要なXRDピークが3°±1°の半値全幅(FWHM)を有する、構成1~29のいずれか一項記載の電解質。
(構成36)
前記組成物がセミアモルファスである、構成1~29のいずれか一項記載の電解質。
(構成37)
Li 7.4 P 1.6 S 7.2 I又はLi 11 P 2 S 6 Iから選択される化学組成物を有する、構成1記載の電解質。
(構成38)
Li x P y S z I t (式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)を特徴とし;且つ
以下の反射、21、28、33、34、及び/又は46(2Θ)の少なくとも1つを有さないXRDパターンを特徴とする化合物を含む電解質(式中、x、y、z、及びtは、該組成物が電荷中性であるように選択される)。
(構成39)
構成1~38のいずれか一項記載の組成物を含む膜。
(構成40)
0.5μm Rt~30μm Rtの表面粗さを有する(式中、Rtは、標本とされた表面の最大表面粗さピーク高さである)、構成39記載の膜。
(構成41)
0.5μm Ra~30μm Raの表面粗さを有する(式中、Raは、標本とされた表面粗さの平均ピーク高さである)、構成39記載の膜。
(構成42)
1.6μm Ra~2.2μm Raの表面粗さを有する(式中、Raは、標本とされた表面粗さの平均ピーク高さである)、構成39記載の膜。
(構成43)
3.2μm Ra~3.7μm Raの表面粗さを有する、構成39記載の膜。
(構成44)
1μm Rt~28μm Rtの表面粗さを有する、構成39記載の膜。
(構成45)
Li x P y S z I t (式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)を特徴とし;且つ
以下の20、25、27、29、又は45(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するXRDパターンを特徴とする電解質を製造する方法であって
以下の工程:
硫化リチウム化合物を提供する工程、
硫化リン化合物を提供する工程、
ヨウ化リチウム化合物を提供する工程、
該硫化リチウム化合物と、硫化リン化合物と、ヨウ化リチウム化合物とを混合して、混合物を形成する工程、
該混合物を粉砕して、粉砕された混合物を形成する工程;及び
該混合物を約100~約300℃に加熱する工程
を含む、前記方法。
(構成46)
前記硫化リチウム化合物がLi 2 Sから選択される、構成45記載の方法。
(構成47)
前記硫化リン化合物がP 2 S 5 から選択される、構成45記載の方法。
(構成48)
前記ヨウ化リチウム化合物がLiIから選択される、構成45記載の方法。
(構成49)
前記ヨウ化リチウム化合物が、ナノ結晶性、ナノ寸法、又は非晶質のLiIから選択される、構成45記載の方法。
(構成50)
前記混合物がLi 2 S:P 2 S 5 を1:1~5:1のモル比で含む、構成45~49のいずれか一項記載の方法。
(構成51)
前記混合物がP 2 S 5 :LiIを0.1:1~2:1のモル比で含む、構成45~49のいずれか一項記載の方法。
(構成52)
前記混合物がLi 2 S:P 2 S 5 :LiIを3.2:0.8:1のモル比で含む、構成45~49のいずれか一項記載の方法。
(構成53)
前記粉砕工程が、前記混合物が0.5μm以下のd 50 粒径の粒子を有するまで、該混合物を粉砕することを含む、構成45記載の方法。
(構成54)
前記粉砕工程が、前記混合物が0.25μm以下のd 50 粒径の粒子を有するまで、該混合物を粉砕することを含む、構成45記載の方法。
(構成55)
前記粉砕工程が、結晶性LiIが観察されないXRDパターンを前記混合物が特徴とするまで、該混合物を粉砕することを含む、構成45記載の方法。
(構成56)
前記混合物を、約100~約300℃で、窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノンガス、又はこれらの混合物から選択される不活性雰囲気中で加熱することを含む、構成45記載の方法。
(構成57)
前記混合物を加熱することが、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195、200、205、210、215、220、225、230、235、240、245、250、255、260、265、270、275、280、285、290、295、又は300℃に、2~24時間である、構成56記載の方法。
(構成58)
ポリマーを前記混合物と混合して、第2の混合物を形成することをさらに含む、構成45記載の方法。
(構成59)
前記ポリマーを前記混合物と混合して、第2の混合物を形成する前記工程の前に、該ポリマーを凍結粉砕することをさらに含む、構成58記載の方法。
(構成60)
前記加熱が150~250℃である、構成57記載の方法。
(構成61)
前記加熱が1~16時間である、構成57又は60記載の方法。
(構成62)
構成1~44のいずれか一項記載の電解質を含む電解質膜を含む電気化学装置。
(構成63)
構成1~44のいずれか一項記載の電解質から基本的になる電解質膜を含む電気化学装置。
(構成64)
正極集電体、正極活性材料領域、負極集電体、及び負極活性材料領域を含む、構成63記載の電気化学装置。
(構成65)
第2の電解質膜をさらに含む、構成63~64記載の電気化学装置。
(構成66)
前記第2の電解質膜が、LSTPS、LBS-POX、LTS、SLOPS、LiPON、LiBH 4 -LiX、LiBH 4 -LiNH 2 -LiX、又はLi 3 N(式中、Xは、F、Cl、I、又はBrから選択されるハライドである)から選択された化合物を含む、構成65記載の電気化学装置。
(構成67)
前記第2の電解質膜が、前記正極と、構成1~44のいずれか一項記載の電解質を含むか、又は該電解質から基本的になる前記電解質膜との間に配置される、構成66記載の電気化学装置。
(構成68)
前記第2の電解質膜が、SLOPS、LBS-POX、LTS、リチウム充填ガーネット、リチウムランタンチタン酸化物ペロブスカイト、アンチペロブスカイト、リシコン、チオ-リシコン、Oharaガラス、リチウム伝導性リン酸塩、リチウムアルミニウムゲルマニウムリン酸塩、又はLiPONなどのオキシドガラスから選択される、構成67記載の電気化学装置。
(構成69)
前記リチウムランタンチタン酸化物ペロブスカイトが、Li 3x La 2/3-x TiO 3 (式中、0.01≦x<2/3)から選択される、構成68記載の電気化学装置。
(構成70)
前記アンチペロブスカイトがLiOClである、構成68記載の電気化学装置。
(構成71)
前記リシコンがLiM 2 (PO 4 ) 3 (式中、Mは金属である)である、構成68記載の電気化学装置。
(構成72)
前記チオ-リシコンがLi 4-x M 1-x P x S 4 (式中、Mは、Si、Ge、Sn、又はこれらの組み合わせから選択され;式中、0≦x<4)又はLi 3.25 Ge 0.25 P 0.75 S 4 である、構成68記載の電気化学装置。
(構成73)
前記リチウム伝導性リン酸塩が、Li 1+x Al x Ti 2-x (PO 4 ) 3 (LATP)又はLi 1.5 Al 0.5 Ge 1.5 (PO 4 ) 3 (LAGP)(式中、0≦x<2)である、構成68記載の電気化学装置。
(構成74)
前記負極と、構成1~44のいずれか一項記載の電解質を含むか、又は該電解質から基本的になる前記電解質膜との間に配置されたアノライトをさらに含む、構成63~65記載の電気化学装置。
(構成75)
前記アノライトが、Li 2 S-B 2 S 5 -LiX、LiBH 4 -LiNH 2 -LiX(式中、Xは、F、Cl、Br、又はIである)から選択される、構成74記載の電気化学装置。
(構成76)
前記アノライトが、Li x S y O z N w (LISON)(式中、x、y、z、及びwは0.01~1の範囲である)から選択される、構成74記載の電気化学装置。
(構成77)
前記アノライトが、Li 0.29 S 0.28 O 0.35 N 0.09 から選択されるLISONである、構成74記載の電気化学装置。
(構成78)
前記アノライトが、LiBH 4 、LiPON、Li 3 N、Li 2 S、Li 2 O、LiI、又はこれらの組み合わせから選択される、構成74記載の電気化学装置。
(構成79)
前記アノライトが、Li 2 S-B 2 S 5 -LiX、LiBH 4 -LiNH 2 -LiX、又はLiSON(式中、Xは、F、Cl、Br、又はIである)から選択される、構成74記載の電気化学装置。
(構成80)
10nm~30μmの平均厚さを有する電解質セパレーターを含む、構成62~79のいずれか一項記載の電気化学装置。
(構成81)
10nm~20μmの平均厚さを有するアノライトを含む、構成62~80のいずれか一項記載の電気化学装置。
(構成82)
前記第2の電解質膜が、10nm~20μmの平均厚さを有する、構成65~81のいずれか一項記載の電気化学装置。
(構成83)
前記負極の厚さが10nm~40μmである、構成63~81のいずれか一項記載の電気化学装置。
(構成84)
前記正極の厚さが10nm~1mmである、構成63~83のいずれか一項記載の電気化学装置。
(構成85)
Li金属と接触している場合に化学的に安定である、構成1記載の電解質。
(構成86)
Li金属に対して1V以下まで安定である、構成1記載の電解質。
(構成87)
実質的に図4に示されるようなXRD粉末パターンを特徴とする、構成1~44のいずれか一項記載の電解質。
(構成88)
実質的に図9に示されるようなXRD粉末パターンを特徴とする、構成1~44記載の電解質。
(構成89)
実質的に図8に示されるような示差走査熱量計(DSC)サーモグラムを特徴とする、構成1~44記載の電解質。
(構成90)
実験式(1-x)(60:40 Li 2 S:SiS 2 )・(x)(Li 3 PO 4 )(式中、xは0.01~0.99である)を有するSLOPSである、構成89記載の電解質。
(構成91)
前記モノリスが、構成1~15のいずれか一項記載の電解質の一面に第2の電解質を有し、該第2の電解質が実験式(1-x)(60:40Li 2 S:SiS 2 )・(x)(Li 3 PO 4 )を有し、xが0.01~0.99であるSLOPSである、構成26記載の電解質。
(構成92)
構成1~38のいずれか一項記載の組成物を一面に、SLOPSをもう一面に含む膜。
(構成93)
円板形状並びに上面及び底面を有する二層固体電解質膜であって、該上面が、構成1~15のいずれか一項記載の電解質を含み、該底面が、実験式(1-x)(60:40 Li 2 S:SiS 2 )・(x)(Li 3 PO 4 )(式中、xは0.01~0.99である)を有するSLOPSを含む、前記二層固体電解質膜。
(構成94)
500μm未満の厚さであるか、又は400μm未満の厚さであるか、又は300μm未満の厚さであるか、又は200μm未満の厚さであるか、又は100μm未満の厚さであるか、又は75μm未満の厚さであるか、又は50μm未満の厚さであるか、又は40μm未満の厚さであるか、30μm未満の厚さであるか、又は20μm未満の厚さであるか、10μm未満の厚さであるか、又は5μm未満の厚さである、構成93記載の二層固体膜。
(構成95)
LSTPS、LiPON、又はLi 3 Nをさらに含む、構成94記載の二層固体膜。
(構成96)
前記上面が、Li x P y S z I t (式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)を特徴とし;且つ、以下の20、25、27、29、又は45±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする電解質を含み;(式中、下付き文字x、y、z、及びtは有理数である);該化合物が電荷中性である、構成93記載の二層固体電解質膜。
(構成97)
構成93又は94記載の二層を含む電解質膜を含む電気化学装置。
(構成98)
構成94又は95記載の二層を含む電解質膜から基本的になる電解質膜を含む電気化学装置。
(構成99)
リチウム金属アノードを含む構成97記載の電気化学装置であって、該リチウム金属が、該電気化学装置が少なくとも部分的に充電されている場合、構成94記載の二層固体電解質膜の前記上面と接触している、構成97記載の電気化学装置。
(構成100)
リチウム金属アノードを含む構成98記載の電気化学装置であって、該リチウム金属が、該電気化学装置が少なくとも部分的に充電されている場合、構成94記載の二層固体電解質膜の前記上面と接触している、構成98記載の電気化学装置。
(構成101)
LSTPSが、リチウム、硫黄、スズ、リン、及び硫黄を含む化合物である、構成66記載の電気化学装置。
(構成102)
SLOPSが、リチウム、硫黄、酸素、リン、及び硫黄を含む化合物である、構成66記載の電気化学装置。
(構成103)
少なくともリチウム、硫黄、及びリンを含む第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層;
該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層の上に層状にされた第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層;
(ここで、該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層は、SLOPS、リチウム充填ガーネット、リチウムランタンチタン酸化物ペロブスカイト、アンチペロブスカイト、リシコン、チオ-リシコン、リチウム伝導性リン酸塩、リチウムアルミニウムゲルマニウムリン酸塩、又はオキシドガラスからなる群から選択される材料を含む);及び
極性溶媒及びリチウム塩を含むゲル含有カソライト
を含む電気化学装置であって、
該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層が、該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層と該ゲル含有カソライトとの間に配置され、且つそれらと直接接触しており、且つ
該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層が、該ゲル含有層の該極性溶媒に対して不浸透性である、前記電気化学装置。
(構成104)
少なくともリチウム、硫黄、ハロゲン、及びリンを含む第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層;
該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層の上に層状にされた第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層;
(ここで、該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層は、SLOPS、リチウム充填ガーネット、リチウムランタンチタン酸化物ペロブスカイト、アンチペロブスカイト、リシコン、チオ-リシコン、リチウム伝導性リン酸塩、リチウムアルミニウムゲルマニウムリン酸塩、又はオキシドガラスからなる群から選択される材料を含む);及び
固体スルフィド含有カソライト
を含む電気化学装置であって;
該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層が、該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層と該ゲル含有カソライトとの間に配置され、且つそれらと直接接触しており;且つ
該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層が構成1~44のいずれか一項記載の電解質を含む、前記電気化学装置。
(構成105)
前記カソライトがLXPSを含む、構成104記載の装置。
(構成106)
構成1~44のいずれか一項記載の電解質の一面に、第2の電解質をさらに含む、構成1~44のいずれか一項記載の電解質。
Claims (17)
- LixPySzIt(式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)を特徴とする化合物を含み;且つ
20°±1°及び29°±1°(2Θ)に一次ピークを含むX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする、電解質であって、
20°±1°(2Θ)の一次ピークが、2°±1°の半値全幅(FWHM)を有し;
29°±1°(2Θ)の一次ピークが、2°±1°の半値全幅(FWHM)を有し;
該電解質が、20、25、27、29、及び45°±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するXRDパターンを特徴とし、
式中、下付き文字x、y、z、及びtは有理数であり;
該化合物が、電荷中性であり;
該XRDパターンが、Cu-Kα線を用いて得られる、前記電解質。 - 前記電解質が、LixPySzIt(式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2)を特徴とする化合物から基本的になり;且つ
20°±1°(2Θ)及び29°±1°(2Θ)に一次ピークを含むXRDパターンを特徴とし;
20°±1°(2Θ)の一次ピークが、2°±1°の半値全幅(FWHM)を有し;
29°±1°(2Θ)の一次ピークが、2°±1°の半値全幅(FWHM)を有し;
該電解質が、20、25、27、29、及び45°±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するXRDパターンを特徴とし、
式中、下付き文字x、y、z、及びtは有理数であり;
該化合物が、電荷中性であり;かつ
該化合物が、セミアモルファスである、請求項1記載の電解質。 - 前記電解質がセミアモルファスである、請求項1記載の電解質。
- 前記化合物が、LixPySzIt(式中、7.2≦x≦7.6、1.4≦y≦1.8、7.0≦z≦7.4、及び0.8≦t≦1.2である)である、請求項1記載の電解質。
- 前記化合物が、アルジロダイト結晶構造を有さない、請求項1記載の電解質。
- 前記化合物が、Li7.4P1.6S7.2Iである、請求項1記載の電解質。
- ポリマーをさらに含む、請求項1記載の電解質。
- LixPySzItの重量充填量が、少なくとも50%(w/w)から95%(w/w)未満である、請求項7記載の電解質。
- LixPySzItの重量充填量が、少なくとも50%(w/w)である、請求項8記載の電解質。
- 前記ポリマーが、エポキシ、エポキシド、ポリプロピレン(PP)、アタクティックポリプロピレン(aPP)、アイソタクティブポリプロピレン(iPP)、ポリブタジエン(PBD)、ポリブタジエンラバー(PB)、架橋ポリブタジエン(cPBD)、ポリスチレン(PS)、エチレンプロピレンラバー(EPR)、エチレンペンテンコポリマー(EPC)、ポリイソブチレン(PIB)、スチレンブタジエンラバー(SBR)、ポリオレフィン、ポリエチレン-コ-ポリ-1-オクテン(PE-co-PO)、PE-コ-ポリ(メチレンシクロペンタン)(PE-co-PMCP)、ポリメチル-メタクリラート、アクリル樹脂、アクリロニトリル-ブタジエンラバー(NBR)、ポリビニルアセタアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、PVBステレオブロックポリプロピレン、ポリプロピレンポリメチルペンテンコポリマー、ポリエチレンオキシド(PEO)、PEOブロックコポリマー、ニトリル、ニトリルブタジエンラバー、カルボキシメチルセルロース(CMC)、ポリイソプレンラバー(PI)、ポリクロロプレンラバー(CR)、ポリエチルアクリラート(PEA)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、水性適合ポリマー、シリコーン、PMX-200(ポリジメチルシロキサン、PDMS)、メチルメタクリラート、エチルメタクリラート、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリエチルメタクリラート(PEMA)、ポリビニルピロリドン(PVP)、ステレオブロックポリプロピレン、ポリプロピレンカーボナート、ポリエチレン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項7記載の電解質。
- 約10nm~約100μmの膜厚を有する薄膜として形成された、請求項1記載の電解質。
- LiIを含む、請求項1記載の電解質。
- Li2Sを含む、請求項1記載の電解質。
- 前記薄膜が、0.5μm Rt~30μm Rtの表面粗さを有する(ここで、Rtは、標本とされた表面の最大表面粗さピーク高さである)、請求項11記載の電解質。
- 上部層及び下部層を有する二層固体電解質であって、該上部層が、請求項1記載の電解質を含み、該下部層が、実験式(1-x)(60:40 Li2S:SiS2)・(x)(Li3PO4)(式中、xは0.01~0.99である)を特徴とする化合物を含む、前記二層固体電解質。
- 請求項1記載の電解質を含む電気化学装置。
- 前記薄膜が、0.5μm Ra~30μm Raの表面粗さを有する(式中、Raは、標本とされた表面粗さの平均ピーク高さである)、請求項11記載の電解質。
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