JP7070188B2 - インダクタ部品 - Google Patents
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Description
本発明は、インダクタ部品に関する。
従来、インダクタ部品としては、特開２０１３－２２５７１８号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、絶縁基板と、絶縁基板の主面に形成されたスパイラル導体と、スパイラル導体を覆う磁性体を含有しない絶縁層と、絶縁基板の上面側および裏面側を覆うと共に磁性粉を含有する樹脂からなる上部磁性層および下部磁性層とを備える。
ところで、特許文献１では、絶縁層は、スパイラル導体の全てを覆うため、インダクタ部品に対する絶縁層の占める領域が多くなる。絶縁層は磁性粉を含有せず、磁性層に比べて透磁率が低いため、インダクタンスを向上することが難しい。
また、特許文献１では、絶縁基板の両面にスパイラル導体を形成しているため、スパイラル導体を形成した後に、絶縁基板を加工することができない。よって、スパイラル導体などの積層物を安定して形成するための絶縁基板の厚み（具体的には０．３ｍｍ）を確保してしまうと、インダクタ部品の低背化が困難となり、一方、インダクタ部品の低背化が可能な厚みの絶縁基板とすると、スパイラル導体などの積層物を安定して形成することが困難となる。
そこで、本開示の課題は、低背化を実現しつつインダクタンスを向上できるインダクタ部品を提供することにある。
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
第１磁性層と、
前記第１磁性層上に配置されたスパイラル配線と、
前記スパイラル配線を覆う第２磁性層と
を備え、
前記第１磁性層及び前記第２磁性層は、磁性粉と前記磁性粉を含有する樹脂とを含み、
前記スパイラル配線は、スパイラル形状の第１導体層と、前記第１導体層上に配置され、前記第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有する。
第１磁性層と、
前記第１磁性層上に配置されたスパイラル配線と、
前記スパイラル配線を覆う第２磁性層と
を備え、
前記第１磁性層及び前記第２磁性層は、磁性粉と前記磁性粉を含有する樹脂とを含み、
前記スパイラル配線は、スパイラル形状の第１導体層と、前記第１導体層上に配置され、前記第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有する。
本開示のインダクタ部品によれば、第１磁性層上にスパイラル配線が直接配置されるので、同じインダクタンスを取得する場合に、インダクタ部品を低背化でき、同じ外形に対しては、より大きなインダクタンスを取得できる。また、第１導体層が直下の第１磁性層を保護するので、第２導体層を形成する際の第１磁性層への影響を低減できる。また、スパイラル配線が第１導体層と第２導体層の２層を含むため、アスペクト比が高く、高周波電流に対して低電気抵抗なインダクタ部品を実現できる。
なお、スパイラル配線、スパイラル形状とは、平面上で延伸する曲線（２次元曲線）を意味し、ターン数が１周を超える曲線であってもよく、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。
なお、スパイラル配線、スパイラル形状とは、平面上で延伸する曲線（２次元曲線）を意味し、ターン数が１周を超える曲線であってもよく、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第２導体層の厚みは、前記第１導体層の厚みよりも大きい。
一般に、第１磁性層上に形成される第１導体層、すなわち異種材料上に形成される導体層よりも、第１導体層上に形成される第２導体層、すなわち同種材料上に形成される導体層の方が、安定かつ低コストで形成できる。したがって、スパイラル配線のうち、安定かつ低コストで形成できる第２導体層の比率を高めることで、インダクタ部品の形成精度の向上、低価格化を実現できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１導体層及び前記第２導体層の主材料は、Ｃｕ又はＣｕを含む合金である。
前記実施形態によれば、スパイラル配線の直流電気抵抗（Ｒｄｃ）が低減される。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１導体層の導電率と前記第２導体層の導電率との差は、５％以下である。
前記実施形態によれば、第１導体層の導電率と第２導体層の導電率の差が小さく、スパイラル配線を流れる電流は第１導体層および第２導体層の断面内をほぼ均一に流れるため、スパイラル配線内の発熱を均一化できる。また、スパイラル配線のＲｄｃが低減される。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１導体層の厚みは、０．５μｍ以上である。
前記実施形態によれば、第１導体層の厚みによって、第１磁性層の凹凸を吸収でき、第２導体層の形成・加工が容易になるので、インダクタ部品の形成精度が向上する。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１導体層と前記第２導体層とのＮｉの含有率は、実質的に同一である。
前記実施形態によれば、第１導体層の導電率と第２導体層の導電率の差を小さくでき、スパイラル配線を流れる電流は第１導体層および第２導体層の断面内をほぼ均一に流れるため、スパイラル配線内の発熱を均一化できる。また、スパイラル配線のＲｄｃが低減される。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１導体層のＮｉの含有率は、５．０ｗｔ％以下である。
前記実施形態によれば、第１導体層の導電率と第２導体層の導電率の差を小さくでき、スパイラル配線を流れる電流は第１導体層および第２導体層の断面内をほぼ均一に流れ、スパイラル配線内の発熱を均一化できる。また、スパイラル配線のＲｄｃが低減される。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１導体層の線幅は、前記第２導体層の線幅と異なる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１導体層の線幅は、前記第２導体層の線幅と異なる。
前記実施形態によれば、スパイラル配線の設計自由度が増す。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１導体層の線幅は、前記第２導体層の線幅よりも大きい。
前記実施形態によれば、スパイラル配線が、底面側は太く、天面側は細い順テーパー形状となり、スパイラル配線の側面付近に第２磁性層を充填しやすくなる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１導体層の側面のテーパー角度は、前記第２導体層の側面のテーパー角度よりも大きい。
前記実施形態によれば、スパイラル配線が、底面側は太く、天面側は細い順テーパー形状となり、スパイラル配線の側面付近に第２磁性層を充填しやすくなる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１磁性層の前記第１導体層の底面と接する部分と、前記第２磁性層の前記第１導体層の側面と接する部分との間で、磁性粉の密度が異なる。
前記実施形態によれば、磁性粉の密度によって、スパイラル配線の絶縁性やインダクタンスなどを含むインダクタ部品の設計自由度が増す。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１磁性層の前記第１導体層の底面と接する部分の磁性粉の密度は、前記第２磁性層の前記第１導体層の側面と接する部分の磁性粉の密度よりも高い。
前記実施形態によれば、第１導体層の底面で実効透磁率が向上し、第１導体層の側面で絶縁性が向上する。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線の側面に磁性粉が接触している。
前記実施形態によれば、第２磁性層への磁性粉の充填量を大きくでき、インダクタンスを向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線の底面に磁性粉が接触している。
前記実施形態によれば、第１磁性層への磁性粉の充填量を大きくでき、インダクタンスを向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線と同一平面上に、前記スパイラル配線と隣り合う第２スパイラル配線を備える。
前記実施形態によれば、インダクタアレイやインダクタンスの向上を実現できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間に配置され、磁性体を含有しない絶縁層をさらに備え、前記スパイラル配線は、前記第２スパイラル配線と対向する第１側面を有し、前記第１側面の少なくとも一部は、前記第２磁性層と接している。
前記実施形態によれば、絶縁層が配置され、絶縁性が向上したスパイラル配線と第２スパイラル配線との間において、第１側面の少なくとも一部が、第２磁性層と接することで、第２磁性層の領域が増加するため、絶縁性を確保しつつ、インダクタンスの向上を効果的に実現できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１磁性層および前記第２磁性層の前記樹脂は、エポキシ、もしくは、エポキシとアクリルの混合体、もしくは、エポキシ、アクリルとその他の混合体である。
前記実施形態によれば、第１磁性層および第２磁性層の金属磁性粉間の絶縁性を担保することで、高周波での鉄損を小さくできる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線は、前記インダクタ部品の積層方向に平行な側面から外部に露出している露出部を有する。
前記実施形態によれば、スパイラル配線は露出部を有することで、製造時の静電気破壊耐性を向上できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１磁性層は、前記磁性粉と前記樹脂とからなる磁性樹脂層と、第１主面が前記磁性樹脂層と密着し、第２主面の上方に前記第２磁性層が配置された焼結体からなる磁性体の基板と、を有し、
前記スパイラル配線は、前記第２磁性層と前記基板との間に配置される。
前記第１磁性層は、前記磁性粉と前記樹脂とからなる磁性樹脂層と、第１主面が前記磁性樹脂層と密着し、第２主面の上方に前記第２磁性層が配置された焼結体からなる磁性体の基板と、を有し、
前記スパイラル配線は、前記第２磁性層と前記基板との間に配置される。
ここで、密着とは、間に他の構成要素を介さずに接する構成をいい、例えば上記においては、基板の第１主面が磁性樹脂層と直接接する構成をいう。また、上方とは、上記密着する場合と、密着せず間に他の構成要素を介する場合とのいずれも含めて上側に位置する構成をいい、例えば上記においては、第２主面が第２磁性層と直接接してもよいし、第２主面と第２磁性層との間に他の構成要素を介してもよい。
前記実施形態によれば、第２磁性層やスパイラル配線といった積層物は、焼結体であって安定した基板の第２主面上に形成できるため、積層物の形成精度を向上できる。また、基板の第１主面が第１磁性層と密着しているので、第１主面にはスパイラル配線が形成されていない。これによれば、積層物の形成精度を向上するため、基板の厚みをある程度確保した場合であっても、基板は、第１主面側から研磨などの加工が可能であるため、第２主面上に積層物を形成した後に厚みを低減することができる。したがって、インダクタ部品の形成精度と低背化とを両立できる。
前記実施形態によれば、第２磁性層やスパイラル配線といった積層物は、焼結体であって安定した基板の第２主面上に形成できるため、積層物の形成精度を向上できる。また、基板の第１主面が第１磁性層と密着しているので、第１主面にはスパイラル配線が形成されていない。これによれば、積層物の形成精度を向上するため、基板の厚みをある程度確保した場合であっても、基板は、第１主面側から研磨などの加工が可能であるため、第２主面上に積層物を形成した後に厚みを低減することができる。したがって、インダクタ部品の形成精度と低背化とを両立できる。
また、基板は完全には除去されていないことから、上記加工からスパイラル配線などの積層物を保護でき、Ｒｄｃなどの量産ばらつきを抑制できる。
さらに、基板の加工量という調整要素を製造プロセスに加えることによって、インダクタ部品の強度、インダクタンス、高さ寸法などの設計自由度を向上できるとともに、これらの量産ばらつきを低減できる。
また、インダクタ部品の一実施形態では、前記磁性樹脂層の厚みと前記第２磁性層の厚みは、いずれも、前記基板の厚みよりも大きい。
前記実施形態によれば、比較的柔らかい樹脂を含む磁性樹脂層および第２磁性層１２の割合が一層大きくなることで、インダクタ部品の応力吸収性が一層向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性が一層向上する。また、磁性樹脂層および第２磁性層が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品の直流重畳特性を向上できる。
本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、低背化を実現しつつインダクタンスを向上できる。
以下、本開示の一態様である面実装インダクタを図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
（第１実施形態）
（構成）
図１Ａは、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ－Ｘ断面図である。
（構成）
図１Ａは、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ－Ｘ断面図である。
インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、スマートフォン、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
図１Ａと図１Ｂに示すように、インダクタ部品１は、第１磁性層１１と、第２磁性層１２と、スパイラル配線２１と、柱状配線３１，３２と、外部端子４１，４２と、被覆膜５０とを有する。
第１磁性層１１は、磁性粉と磁性粉を含有する樹脂とからなる磁性樹脂層６２ａ，６２ｂと、第１主面６１ａ、第２主面６１ｂがそれぞれ磁性樹脂層６２ｂ，６２ａと密着し、第２主面の上方に第２磁性層１２が配置された焼結体からなる磁性体の基板６１と、を有する。基板６１は、平板状であり、インダクタ部品１の製造プロセス上の基台となる部分である。基板６１は、底面である第１主面６１ａと上面である第２主面６１ｂとを含む。主面６１ａ，６１ｂに対する法線方向を、図中、Ｚ方向（上下方向）とし、以下では、第１主面６１ａから第２主面６１ｂに向かう順Ｚ方向を上側、第２主面６１ｂから第１主面６１ａに向かう逆Ｚ方向を下側とする。なお、Ｚ方向は他の実施形態、実施例においても同様とする。
基板６１は、第１主面６１ａ側が研磨されており、基板６１の厚みは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。基板６１は、例えば、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトのような磁性体の焼結体からなる磁性体基板である。これにより、基板６１の強度や平坦性を確保でき、基板６１上の積層物の加工性が向上する。ただし基板６１および磁性樹脂層６２ａ，６２ｂのいずれか一方は必須の構成ではなく、例えば、第１磁性層１１は、磁性樹脂層６２ａおよび磁性樹脂層６２ｂのいすれか一方だけを有する構成であってもよいし、磁性樹脂層６２ａ、磁性樹脂層６２ｂおよび基板６１のうちの２つを有する構成であってもよい。
第２磁性層１２は、第１磁性層１１（基板６１の第２主面６１ｂ）の上方、より具体的には磁性樹脂層６２ａ上に配置されている。スパイラル配線２１は、第１磁性層１１上に配置され、第２磁性層１２は、スパイラル配線２１を覆うことにより、スパイラル配線２１は、第２磁性層１２と基板６１との間に配置されている。第１磁性層１１（磁性樹脂層６２ａ，６２ｂ）及び第２磁性層１２は、磁性材料の粉末である磁性粉と磁性粉を含有する樹脂とを含む。磁性粉としては、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦeなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金などの金属磁性体材料の粉末、あるいは、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトの粉末などである。磁性粉の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して５０vol％以上８５vol％以下である。なお、磁性粉は、粒子が略球形状であることが好ましく、平均粒径が５μｍ以下であることが好ましい。樹脂は、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ビニルエーテル系樹脂及びこれらの混合体などである。特に、樹脂は、エポキシ、もしくは、エポキシとアクリルの混合体、もしくは、エポキシ、アクリルとその他の混合体であることが好ましく、第１磁性層および第２磁性層の金属磁性粉間の絶縁性を担保することで、高周波での鉄損を小さくできる。
インダクタ部品１では、第２磁性層１２やスパイラル配線２１といった第２主面６１ｂの上方の積層物は、焼結体であって安定した基板６１の第２主面６１ｂの上方に形成できるため、積層物の形成精度を向上できる。また、第１主面６１ａが磁性樹脂層６２ｂと密着しているので、第１主面６１ａにはスパイラル配線２１が形成されていない。これによれば、積層物の形成精度を向上するため、基板６１の厚みをある程度確保した場合であっても、基板６１は、第１主面６１ａ側から研磨などの加工が可能であるため、第２主面６１ｂ上に積層物を形成した後に厚みを低減することができる。したがって、インダクタ部品１の形成精度と低背化とを両立できる。
また、基板６１は完全には除去されていないことから、上記加工からスパイラル配線２１、第２磁性層１２などの積層物を保護でき、Ｒｄｃなどの量産ばらつきを抑制できる。
さらに、基板６１の加工量という調整要素を製造プロセスに加えることによって、インダクタ部品１の強度、インダクタンス、高さ寸法などの設計自由度を向上できるとともに、これらの量産ばらつきを低減できる。
好ましくは、磁性樹脂層６２ｂの厚みと第２磁性層１２の厚みは、いずれも基板６１の厚みよりも大きい。これによれば、比較的柔らかい樹脂を含む磁性樹脂層６２ｂ及び第２磁性層１２の割合が一層大きくなることで、インダクタ部品１の応力吸収性が一層向上し、熱衝撃や外圧などの影響を低減できるため、インダクタ部品１の信頼性が一層向上する。また、第１磁性層１１（磁性樹脂層６２ａ，６２ｂ）、第２磁性層１２が金属磁性粉を含む場合、インダクタ部品１の直流重畳特性を向上できる。
スパイラル配線２１は、基板６１の上方側、具体的には基板６１の第２主面６１ｂ上の磁性樹脂層６２ａ上にのみ形成され、つまり、磁性樹脂層６２ａの上面に密着している。スパイラル配線２１は、基板６１の第２主面６１ｂに沿ってスパイラル形状に延びる配線である。スパイラル配線２１は、ターン数が１周を超えるスパイラル形状である。スパイラル配線２１は、例えば、上側からみて、外周端２１ｂから内周端２１ａに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。
スパイラル配線２１の厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。スパイラル配線２１の実施例として、厚みが４５μｍ、配線幅が５０μｍ、配線間スペースが１０μｍである。配線間スペースは３μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。
スパイラル配線２１は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ，Ａｕなどの低電気抵抗な金属材料からなる。本実施形態では、インダクタ部品１は、スパイラル配線２１を１層のみ備えており、インダクタ部品１の低背化を実現できる。つまり、スパイラル配線２１は、その両端（内周端２１ａおよび外周端２１ｂ）にスパイラル形状部分よりもやや線幅の大きいパッド部を有し、パッド部において、柱状配線３１，３２と直接接続されている。
柱状配線３１，３２は、導電性材料からなり、スパイラル配線２１からＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第１柱状配線３１は、スパイラル配線２１の内周端２１ａの上面から上側に延在する。第２柱状配線３２は、スパイラル配線２１の外周端２１ｂの上面から上側に延在する。柱状配線３１，３２は、スパイラル配線２１と同様の材料からなる。
外部端子４１，４２は、導電性材料からなり、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕが内側から外側に向かってこの順に並ぶ３層構成である。
第１外部端子４１は、第２磁性層１２の上面に設けられ、スパイラル配線２１の内周端２１ａに接続され該上面から露出する第１柱状配線３１の端面を覆っている。これにより、第１外部端子４１は、スパイラル配線２１の内周端２１ａに電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２磁性層１２の上面に設けられ、スパイラル配線２１の外周端２１ｂに接続され該上面から露出する第２柱状配線３２の端面を覆っている。これにより、第２外部端子４２は、スパイラル配線２１の外周端２１ｂに電気的に接続される。
外部端子４１，４２には、好ましくは、防錆処理が施されている。ここで、防錆処理とは、ＮｉおよびＡｕ、または、ＮｉおよびＳｎなどで被膜することである。これにより、はんだによる銅喰われや、錆びを抑制することができ、実装信頼性の高いインダクタ部品１を提供できる。
被覆膜５０は、絶縁性材料からなり、第２磁性層１２の上面を覆い、柱状配線３１，３２および外部端子４１，４２の端面を露出させている。被覆膜５０によって、インダクタ部品１の表面の絶縁性を確保することができる。なお、被覆膜５０が第１磁性層１１の底面側に形成されていてもよい。
第１磁性層１１上に配置されたスパイラル配線２１は、スパイラル形状の第１導体層２１１と、第１導体層２１１上に配置され、第１導体層２１１に沿った形状の第２導体層２１２とを有する。これによれば、第１磁性層１１上にスパイラル配線２１が直接配置されるので、同じインダクタンスを取得する場合に、インダクタ部品１を低背化でき、同じ外形に対しては、より大きなインダクタンスを取得できる。また、第１導体層２１１が直下の第１磁性層１１を保護するので、第２導体層２１２を形成する際の第１磁性層１１への影響を低減できる。また、スパイラル配線２１が第１導体層２１１と第２導体層２１２の２層を含むため、アスペクト比が高く、高周波電流に対して低電気抵抗なインダクタ部品１を実現できる。
第２導体層２１２の厚みは、第１導体層２１１の厚みよりも大きい。一般に、第１磁性層１１上に形成される第１導体層２１１、すなわち異種材料上に形成される導体層よりも、第１導体層２１１上に形成される第２導体層２１２、すなわち同種材料上に形成される導体層の方が、安定かつ低コストで形成できる。したがって、スパイラル配線２１のうち、安定かつ低コストで形成できる第２導体層２１２の比率を高めることで、インダクタ部品１の形成精度の向上、低価格化を実現できる。
第１導体層２１１及び第２導体層２１２の主材料は、好ましくは、Ｃｕ又はＣｕを含む合金である。これによれば、スパイラル配線２１のＲｄｃが低減される。
第１導体層２１１の導電率と第２導体層２１２の導電率との差は、好ましくは、５％以下である。これによれば、第１導体層２１１の導電率と第２導体層２１２の導電率の差が小さく、スパイラル配線２１を流れる電流は第１導体層２１１および第２導体層２１２の断面内をほぼ均一に流れるため、スパイラル配線２１内の発熱を均一化できる。また、スパイラル配線２１のＲｄｃが低減される。
第１導体層２１１の厚みは、好ましくは、０．５μｍ以上である。これによれば、第１導体層２１１の厚みによって、第１磁性層１１の凹凸を吸収でき、第２導体層２１２の形成・加工が容易になるので、インダクタ部品１の形成精度が向上する。また、このとき、第１導体層２１１は、無電解めっきやスパッタリングで形成されていないといえる。
第１導体層２１１と第２導体層２１２とのＮｉの含有率は、好ましくは、実質的に同一である。これによれば、第１導体層２１１の導電率と第２導体層２１２の導電率の差を小さくでき、スパイラル配線２１を流れる電流は第１導体層２１１および第２導体層２１２の断面内をほぼ均一に流れるため、スパイラル配線２１内の発熱を均一化できる。またスパイラル配線２１のＲｄｃが低減される。また、このとき、第１導体層２１１は、無電解めっきで形成されていないといえる。
第１導体層２１１のＮｉの含有率は、好ましくは、５．０ｗｔ％以下である。これによれば、第１導体層２１１の導電率と第２導体層２１２の導電率の差を小さくでき、スパイラル配線２１を流れる電流は第１導体層２１１および第２導体層２１２の断面内をほぼ均一に流れ、スパイラル配線２１内の発熱を均一化できる。またスパイラル配線２１のＲｄｃが低減される。また、このとき、第１導体層２１１は、無電解めっきで形成されていないといえる。
上記で記載したように、第１導体層２１１が無電解めっきで形成されていない場合、第１磁性層１１への触媒付与プロセス、無電解めっきプロセス（シード層形成工程）や、無電解めっきで形成された導体層をエッチングするプロセス（シード層除去工程）による第１磁性層１１への影響を無くすことができる。具体的には、第１磁性層１１の磁性樹脂層６２ａは、磁性粉を含有するが、この磁性粉が第１導体層２１１形成時の前処理やプロセスで使用されるめっき液、エッチング液などによって除去されてしまうことを抑制することができる。したがって、上記のとおり、第１導体層２１１が無電解めっきで形成されていない特徴を有する場合、第１磁性層１１の透磁率低下や強度低下を抑制することができる。
なお、Ｎｉ含有率の測定方法としては、必要に応じて第１導体層２１１と第２導体層２１２の境界を明確化する前処理を行った上で、第１導体層２１１側について、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）によるＥＤＸ分析を行ってＮｉの含有率（ｗｔ％）を算出する。前処理については、例えば、第１導体層２１１及び第２導体層２１２を有する配線について、研磨やミリングなどで断面上に露出させ、当該断面をＡｒによるドライエッチングまたは硝酸によるウェットエッチングで薄くエッチングすれば、エッチングレートの差より第１導体層２１１と第２導体層２１２の境界がより明らかになる。ただし、前処理の有無に関わらず、ＳＴＥＭで粒子の連続性、粒径から、第１導体層２１１を判別してもよい。ＥＤＸ分析では、例えばＪＥＯＬ社製のＪＥＭ－２２００ＦＳをＳＴＥＭとして、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製のＮｏｒａｎ Ｓｙｓｔｅｍ ７をＥＤＸシステムとして用いて、４００ｋの倍率（必要により４００ｋ以上の倍率）で実施すればよい。
上記で記載したように、第１導体層２１１が無電解めっきで形成されていない場合、第１磁性層１１への触媒付与プロセス、無電解めっきプロセス（シード層形成工程）や、無電解めっきで形成された導体層をエッチングするプロセス（シード層除去工程）による第１磁性層１１への影響を無くすことができる。具体的には、第１磁性層１１の磁性樹脂層６２ａは、磁性粉を含有するが、この磁性粉が第１導体層２１１形成時の前処理やプロセスで使用されるめっき液、エッチング液などによって除去されてしまうことを抑制することができる。したがって、上記のとおり、第１導体層２１１が無電解めっきで形成されていない特徴を有する場合、第１磁性層１１の透磁率低下や強度低下を抑制することができる。
なお、Ｎｉ含有率の測定方法としては、必要に応じて第１導体層２１１と第２導体層２１２の境界を明確化する前処理を行った上で、第１導体層２１１側について、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）によるＥＤＸ分析を行ってＮｉの含有率（ｗｔ％）を算出する。前処理については、例えば、第１導体層２１１及び第２導体層２１２を有する配線について、研磨やミリングなどで断面上に露出させ、当該断面をＡｒによるドライエッチングまたは硝酸によるウェットエッチングで薄くエッチングすれば、エッチングレートの差より第１導体層２１１と第２導体層２１２の境界がより明らかになる。ただし、前処理の有無に関わらず、ＳＴＥＭで粒子の連続性、粒径から、第１導体層２１１を判別してもよい。ＥＤＸ分析では、例えばＪＥＯＬ社製のＪＥＭ－２２００ＦＳをＳＴＥＭとして、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製のＮｏｒａｎ Ｓｙｓｔｅｍ ７をＥＤＸシステムとして用いて、４００ｋの倍率（必要により４００ｋ以上の倍率）で実施すればよい。
図２Ａは、スパイラル配線２１の拡大断面図である。図２Ａに示すように、第１導体層２１１の線幅は、第２導体層２１２の線幅と異なる。第１導体層２１１の線幅は、第１導体層２１１の幅の最大値をいい、第２導体層２１２の線幅は、第２導体層２１２の幅の最大値をいう。これによれば、様々な形状を形成する導体層の形成方法の組合せを採用でき、スパイラル配線２１の設計自由度が増す。
具体的に述べると、図２Ａに示すように、第１導体層２１１の線幅は、第２導体層２１２の線幅よりも大きい。これによれば、スパイラル配線２１が、底面側は太く、天面側は細い順テーパー形状となり、スパイラル配線２１の側面付近に第２磁性層１２を充填しやすくなる。
また、図２Ａに示すように、第１導体層２１１の側面２１１ａのテーパー角度は、第２導体層２１２の側面２１２ａのテーパー角度よりも大きい。第１導体層２１１の側面２１１ａは、第１導体層２１１の幅方向の面をいい、第２導体層２１２の側面２１２ａは、第２導体層２１２の幅方向の面をいう。これによれば、スパイラル配線２１が底面側は太く、天面側は細い順テーパー形状となり、スパイラル配線２１の側面付近に第２磁性層１２を充填しやすくなる。
例えば、第１導体層２１１の側面２１１ａのテーパー角度は３０．０°、第２導体層２１２の側面２１２ａのテーパー角度は１．２°である。この際、Ｚ方向を基準（０°）として、テーパー形状になる場合の角度を正、逆テーパー形状になる場合の角度を負とする。また、テーパー角度は、正確には、第１導体層２１１、第２導体層２１２のそれぞれの厚みの上下２０％を除いた８０％分の領域で測定すればよい。
なお、図２Ａの線幅、テーパー角度の関係に限られず、例えば、第１導体層２１１の線幅またはテーパー角度が、第２導体層２１２の線幅またはテーパー角度よりも小さくてもよい。
例えば、第１導体層２１１の側面２１１ａのテーパー角度は３０．０°、第２導体層２１２の側面２１２ａのテーパー角度は１．２°である。この際、Ｚ方向を基準（０°）として、テーパー形状になる場合の角度を正、逆テーパー形状になる場合の角度を負とする。また、テーパー角度は、正確には、第１導体層２１１、第２導体層２１２のそれぞれの厚みの上下２０％を除いた８０％分の領域で測定すればよい。
なお、図２Ａの線幅、テーパー角度の関係に限られず、例えば、第１導体層２１１の線幅またはテーパー角度が、第２導体層２１２の線幅またはテーパー角度よりも小さくてもよい。
図２Ｂは、スパイラル配線２１と磁性層１１，１２の拡大断面図である。図２Ｂに示すように、スパイラル配線２１の側面（この実施形態では主に第２導体層２１２の側面２１２ａ）に第２磁性層１２の磁性粉１０１が接触している。これによれば、第２磁性層１２への磁性粉１０１の充填量を大きくでき、インダクタンスを向上できる。
また、スパイラル配線２１の底面２１１ｂ（この実施形態では第１導体層２１１の底面２１１ｂ）に第１磁性層１１の磁性粉１０１が接触している。これによれば、第１磁性層１１への磁性粉１０１の充填量を大きくでき、インダクタンスを向上できる。
また、第１磁性層１１（磁性樹脂層６２ａ）の第１導体層２１１の底面２１１ｂと接する部分と、第２磁性層１２の第１導体層２１１の側面２１１ａと接する部分との間で、磁性粉１０１の密度が異なる。これによれば、磁性粉１０１の密度によって、スパイラル配線２１の絶縁性やインダクタンスなどを含むインダクタ部品の設計自由度が増す。
例えば、第１磁性層１１（磁性樹脂層６２ａ）の第１導体層２１１の底面２１１ｂと接する部分の磁性粉１０１の密度は、第２磁性層１２の第１導体層２１１の側面２１１ａと接する部分の磁性粉１０１の密度よりも高くてもよい。これによれば、第１導体層２１１の底面２１１ｂ側で実効透磁率が向上し、第１導体層２１１の側面２１１ａ側で絶縁性が向上する。
また、このとき、第２磁性層１２は、第１磁性層１１と接する部分に、樹脂層１２ａを有する。樹脂層１２ａは、第１磁性層１１、および、第２磁性層１２の樹脂層１２ａ以外の部分と比較して磁性粉（無機フィラー）１０１の量が少ない領域である。樹脂層１２ａは、磁性粉を含まないものであり得るが、第１磁性層１１、および、第２磁性層１２の樹脂層１２ａ以外の部分よりも磁性粉の存在量が少ない限りにおいて、磁性粉を含有してもよい。
第２磁性層１２は、第１磁性層１１と接する部分に、樹脂層１２ａを有するので、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の密着性が向上し、インダクタ部品１の磁性層１１，１２の強度を向上させることができる。また、磁性粉の少ない樹脂層１２ａを設けることで、磁気飽和特性が向上し得る。
樹脂層１２ａの厚みは、第１導体層２１１の厚みと同じである。樹脂層１２ａの厚さは、０．５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。樹脂層１２ａの厚さが０．５μｍ以上であると、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の密着性をより一層向上させることができ、かつ、磁気飽和特性をより一層向上させることができる。樹脂層１２ａの厚さが３０μｍ以下であると、密着性および磁気飽和特性が向上すると同時に、インダクタンスの取得効率の低下を抑制することができる。
なお、樹脂層１２ａの確認方法としては、以下のようにすることができる。まず、スパイラル配線２１の幅と厚みが分かる方向に断面研磨を行い、表面ミリングもしくは酸ウェット処理を実施する。これにより、第１導体層２１１と第２導体層２１２の境界が凹凸の差やエッチングレートの差から強調されるようになる。そして、実体顕微鏡や走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて第１導体層２１１の底面２１１ｂの下の第１磁性層１１の画像と、第１導体層２１１に隣り合う磁性層（樹脂層１２ａ）の画像を同じ倍率（例えば２０００倍）で取得する。このとき上記２つの領域が１つの画像に収まっていてもよい。次に、２値化処理などによる画像処理により磁性粉と樹脂を区別し、第１導体層２１１と実質的に同じ幅、同じ厚みで上記２つの領域をスキャンし、磁性粉と樹脂の割合を計算し、磁性粉の存在量を比較すれば、樹脂層１２ａを確認することができる。
なお、樹脂層１２ａの確認方法としては、以下のようにすることができる。まず、スパイラル配線２１の幅と厚みが分かる方向に断面研磨を行い、表面ミリングもしくは酸ウェット処理を実施する。これにより、第１導体層２１１と第２導体層２１２の境界が凹凸の差やエッチングレートの差から強調されるようになる。そして、実体顕微鏡や走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて第１導体層２１１の底面２１１ｂの下の第１磁性層１１の画像と、第１導体層２１１に隣り合う磁性層（樹脂層１２ａ）の画像を同じ倍率（例えば２０００倍）で取得する。このとき上記２つの領域が１つの画像に収まっていてもよい。次に、２値化処理などによる画像処理により磁性粉と樹脂を区別し、第１導体層２１１と実質的に同じ幅、同じ厚みで上記２つの領域をスキャンし、磁性粉と樹脂の割合を計算し、磁性粉の存在量を比較すれば、樹脂層１２ａを確認することができる。
なお、インダクタ部品１では、基板６１の上面の磁性樹脂層６２ａを省略してもよく、このとき、スパイラル配線２１は、第１磁性層１１の基板６１上に配置される。また、基板６１を省略してもよく、このとき、スパイラル配線２１は、第１磁性層１１の磁性樹脂層６２ｂ上に配置される。
また、スパイラル配線２１からインダクタ部品１の底面に引き出すように柱状配線を設けてもよい。このとき、インダクタ部品１の底面に柱状配線に接続される外部端子を設けてもよい。これにより、インダクタ部品１と他の回路部品との接続自由度を向上できる。
また、インダクタ部品１は、１つのスパイラル配線２１を有するが、この構成に限られず、スパイラル配線２１と同一平面上に、スパイラル配線２１と隣り合う第２スパイラル配線を備えていてもよい。これにより、例えば、スパイラル配線２１と第２スパイラル配線が電気的に分離されたインダクタアレイや、スパイラル配線２１と第２スパイラル配線とが直列に接続されてインダクタンスの向上を実現できる。またスパイラル配線２１と第２スパイラル配線とが並列に接続されてＲｄｃの低減を実現してもよい。なお、隣り合うとは複数のスパイラル配線がある場合に、間に他のスパイラル配線を挟まずに対向しあう、という意味であり、スパイラル配線同士が直接接する意味ではない。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。
図３Ａに示すように、基板６１を準備する。基板６１は、例えば、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトのような焼結体からなる平板状の磁性体基板である。基板６１の厚みは、インダクタ部品の厚みに影響を与えないため、加工上のそりなどの理由から適宜取り扱いやすい厚さのものを用いればよい。そして、基板６１の上面に磁性体材料からなる磁性シート６７を圧着する。これにより、基板６１の上面に第１磁性層１１の磁性樹脂層６２ａを形成する。
図３Ｂに示すように、第１磁性層１１の磁性樹脂層６２ａ上に銅箔のシード層６３を圧着などにより形成する。なお、銅箔のシード層６３は磁性シート６７の片面に銅箔のシード層６３が既に形成されたものでもよく、これを基板６１の上面に圧着して、形成してもよい。シード層６３は、スパイラル配線２１の第１導体層２１１を構成する。シード層６３の厚みは、例えば、１．５μｍ以上２．０μｍ以下である。前述したように、無電解めっきによらず銅箔のシード層６３を用いているため、第１磁性層１１の磁性樹脂層６２ａはダメージを受けず磁性粉は除去されない。つまり、シード層６３の直下の磁性樹脂層６２ａには、磁性シート６７の状態と実質的に同量の磁性粉が存在している。これは、磁性樹脂層６２ａの上面（シード層６３）側と、底面（基板６１）側で磁性粉の含有量の実質的な差異がないことを意味する。
一方、銅箔のシード層６３でなく無電解めっきのシード層を用いる場合、無電解めっきの前処理を行う必要があり、磁性樹脂層６２ａがアルカリや酸によるダメージを受ける。つまり、無電解めっきの直下の磁性樹脂層６２ａには、所定の厚みにおいて磁性粉が存在していないか、磁性シート６７の状態より磁性粉の量が減少する。これは、磁性樹脂層６２ａの上面（シード層６３）側では、底面（基板６１）側よりも磁性粉の含有量が明示的に小さいことを意味する。
図３Ｃに示すように、シード層６３上にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）６４を貼り付ける。図３Ｄに示すように、ＤＦＲ６４をフォトリソグラフィによりパターニングして、スパイラル配線を形成する領域に貫通孔６４ａを形成し、貫通孔６４ａからシード層６３を露出させる。
図３Ｅに示すように、電解めっきにより、貫通孔６４ａ内のシード層６３上に金属膜６５を形成する。金属膜６５は、スパイラル配線２１の第２導体層２１２を構成する。図３Ｆに示すように、金属膜６５の形成後、さらにＤＦＲ６４を貼り付ける。
図３Ｇに示すように、ＤＦＲ６４をフォトリソグラフィによりパターニングし、柱状配線を形成する領域に貫通孔６４ａを形成し、貫通孔６４ａから金属膜６５を露出させる。図３Ｈに示すように、電解めっきにより、貫通孔６４ａ内の金属膜６５上にさらに金属膜６６を形成する。
図３Ｉに示すように、ＤＦＲ６４を除去し、図３Ｊに示すように、シード層６３のうち、金属膜６５が形成されていない露出部分をエッチングにより除去する。これにより、磁性樹脂層６２ａの上面にスパイラル配線２１を形成する。つまり、スパイラル配線２１は、第１導体層２１１としてのシード層６３と、第２導体層２１２としての金属膜６５とを有する。金属膜６５は、シード層６３に沿ったスパイラル形状である。また、スパイラル配線２１から法線方向に延びる柱状配線３１，３２を形成する。つまり、柱状配線３１，３２は、スパイラル配線２１の形成後、磁性層の形成前に、形成される。
なお、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に、前述の樹脂層１２ａを設ける方法としては、シード層６３のエッチング時、もしくはエッチング後に酸ウェット処理を実施し、磁性粉を溶解させるか、アルカリウェット処理で磁性層内の樹脂成分を溶解させ磁性粉を脱粒させればよい。
なお、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に、前述の樹脂層１２ａを設ける方法としては、シード層６３のエッチング時、もしくはエッチング後に酸ウェット処理を実施し、磁性粉を溶解させるか、アルカリウェット処理で磁性層内の樹脂成分を溶解させ磁性粉を脱粒させればよい。
図３Ｋに示すように、磁性体材料からなる磁性シート６７を磁性樹脂層６２ａの上面側（スパイラル配線形成側）に圧着する。これにより、スパイラル配線２１の少なくとも一部（スパイラル配線２１の側面、および、スパイラル配線２１の上面の柱状配線３１，３２と接触する部分以外）に接触するように磁性樹脂層６２ａ上に第２磁性層１２を形成する。
図３Ｌに示すように、第２磁性層１２を研磨し、柱状配線３１，３２（金属膜６６）の上端を露出させる。図３Ｍに示すように、第２磁性層１２の上面に、被覆膜５０としてのソルダーレジスト（ＳＲ）６８を形成する。
図３Ｎに示すように、ＳＲ６８をフォトリソグラフィによりパターニングし、外部端子を形成する領域に、柱状配線３１，３２（金属膜６６）および第２磁性層１２（磁性シート６７）が露出する貫通孔６８ａを形成する。
図３Ｏに示すように、基板６１を磁性樹脂層６２ａとは逆側の第１主面６１ａ側から研磨する。このとき、基板６１を完全に除去せず、一部を残す。図３Ｐに示すように、磁性体材料からなる磁性シート６７を基板６１の研磨側の第１主面６１ａに圧着し適切な厚みに研磨する。これにより、基板６１の第１主面６１ａに第１磁性層１１の磁性樹脂層６２ｂを密着させるように形成する。
図３Ｑに示すように、無電解めっきにより、柱状配線３１，３２からＳＲ６８の貫通孔６８ａ内に成長するＣｕ／Ｎｉ／Ａｕの金属膜６９を形成する。金属膜６９により、第１柱状配線３１に接続される第１外部端子４１と、第２柱状配線３２に接続される第２外部端子４２を形成する。図３Ｒに示すように、個片化し、必要に応じてバレル研磨を行い、バリを除去して、インダクタ部品１を製造する。
なお、上記のインダクタ部品１の製造方法はあくまで一例であって、各工程において用いる工法や材料は、適宜他の公知のものと置き換えても良い。例えば、上記では、ＤＦＲ６４、ＳＲ６８はコーティング後にパターニングしたが、塗布、印刷、マスク蒸着、リフトオフなどによって、直接必要な部分に形成してもよい。また、基板６１の除去や磁性シート６７の薄層化には研磨を用いたが、ブラスト、レーザーなどの他の物理プロセスや、フッ酸処理などの化学プロセスを用いてもよい。また、基板６１の全てを除去してもよい。
（第２実施形態）
図４Ａは、インダクタ部品の第２実施形態を示す透視平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＸ－Ｘ断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、スパイラル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第２実施形態において、他の実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図４Ａは、インダクタ部品の第２実施形態を示す透視平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＸ－Ｘ断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、スパイラル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第２実施形態において、他の実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図４Ａと図４Ｂに示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａでは、第１実施形態のインダクタ部品１とは異なり、第１スパイラル配線２１Ａと，第１スパイラル配線２１Ａと同一平面上に、第１スパイラル配線２１Ａと隣り合う第２スパイラル配線２２Ａを備える。インダクタ部品１Ａでは、第１スパイラル配線２１Ａ、第２スパイラル配線２１Ｂとが電気的に分離されており、これにより、インダクタアレイを実現できる。
第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、平面状に巻回されている。具体的に述べると、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、Ｚ方向から見たときに、半楕円形の弧状である。すなわち、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、約半周分巻回された曲線状の配線である。また、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、中間部分で直線部を含んでいる。
第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、その両端が外側に位置する第１柱状配線３１、第２柱状配線３２にそれぞれ接続され、第１柱状配線３１、第２柱状配線３２からインダクタ部品１Ａの中心側に向かって孤を描く曲線状である。
ここで、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａのそれぞれにおいて、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａが描く曲線と、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの両端を結んだ直線とに囲まれる範囲を内径部分とする。このとき、Ｚ方向からみて、いずれの第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａについても、その内径部分同士は重ならない。
一方、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、それぞれの弧部分において、互いに近接している。すなわち、第１スパイラル配線２１Ａで発生した磁束は、近接する第２スパイラル配線２２Ａの周囲を回り込み、第２スパイラル配線２２Ａで発生した磁束は、近接する第１スパイラル配線２１Ａの周囲を回り込む。したがって、第１スパイラル配線２１Ａと第２スパイラル配線２２Ａとは磁気結合している。
また、図４Ａに示すように、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、第１、第２柱状配線３１，３２との接続位置からチップの外側に向かってさらに伸びる配線を有し、この配線はチップの外側に露出している。つまり、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、インダクタ部品１Ａの積層方向（Ｚ方向）に平行な側面から外部に露出している露出部２００を有する。
この露出部２００は、図３Ａから図３Ｒと同様の製造方法において、電解めっきにて金属膜６５を形成後、追加で電解めっきを行う際の給電配線と接続される。この給電配線によりシード層６３を除去した後であっても、追加で電解めっきを容易に行うことができ、シード層６３及び金属膜６５からなるスパイラル配線の配線間距離を狭くすることができる。具体的には、インダクタ部品１においては、上記追加の電解めっきを行うことで、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの配線間距離を狭くでき、磁気結合を高めることができる。
また、第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、露出部２００を有するので、製造時の静電破壊耐性を向上できる。具体的には、前述のインダクタ部品１の製造方法において、個片化する前は、各露出部２００は給電配線を介して複数のインダクタ部品と接続されている。したがって、この状態で各配線に静電気が印加されても、給電配線を通じて、当該静電気を分散、グランドへ放出することが可能となり、静電破壊耐性を向上できる。
各スパイラル配線２１Ａ，２２Ａにおいて、露出部２００の露出面２００ａの厚みは、好ましくは、各スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの厚み以下で、かつ、４５μｍ以上である。これによれば、露出面２００ａの厚みがスパイラル配線２１Ａ，２２Ａの厚み以下であることにより、磁性層１１，１２の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。なお、露出部２００の露出面２００ａの厚みは、少なくとも第１スパイラル配線２１Ａおよび第２スパイラル配線２２Ａのうちのいずれかの厚み以下であれば、磁性層１１の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。また、露出面２００ａの厚みが４５μｍ以上であることにより、断線の発生を低減できる。露出面２００ａは、好ましくは、酸化膜である。これによれば、インダクタ部品１Ａとその隣り合う部品との間でショートを抑制できる。
各スパイラル配線２１Ａ，２２Ａにおいて、露出部２００の露出面２００ａの厚みは、好ましくは、各スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの厚み以下で、かつ、４５μｍ以上である。これによれば、露出面２００ａの厚みがスパイラル配線２１Ａ，２２Ａの厚み以下であることにより、磁性層１１，１２の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。なお、露出部２００の露出面２００ａの厚みは、少なくとも第１スパイラル配線２１Ａおよび第２スパイラル配線２２Ａのうちのいずれかの厚み以下であれば、磁性層１１の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。また、露出面２００ａの厚みが４５μｍ以上であることにより、断線の発生を低減できる。露出面２００ａは、好ましくは、酸化膜である。これによれば、インダクタ部品１Ａとその隣り合う部品との間でショートを抑制できる。
また、スパイラル配線２１Ａと隣り合うスパイラル配線２２Ａとの間には、絶縁層１５が配置されている。絶縁層１５は、基板６１の第２主面６１ｂ上の磁性樹脂層６２ａに形成された膜状の層である。絶縁層１５は、磁性体を含有しない絶縁性材料からなり、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂及びビニルエーテル系樹脂の内の少なくともいずれか一つを含む樹脂材料からなる。なお、絶縁層１５は、シリカなどの非磁性体のフィラーを含んでいてもよく、この場合は、絶縁層１５の強度や加工性、電気的特性の向上が可能である。
絶縁層１５は、隣り合うスパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間の距離が最小となる領域を含む位置に配置される。具体的には、インダクタ部品１Ａにおいては、絶縁層１５は、隣り合うスパイラル配線２１Ａ，２２Ａの弧部分の最も近づいた領域を含む位置に配置されている。つまり、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間で最も絶縁性が問題となりやすい距離が最小となる領域に絶縁層１５が配置され、隣り合う第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間の絶縁性を一層向上できる。
また、隣り合うスパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、互いに対向する第１側面２１０，２２０を有する。絶縁層１５は、スパイラル配線２１Ａの第１側面２１０の一部とスパイラル配線２２Ａの第１側面２２０の一部に接している。つまり、絶縁層１５は、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの弧部分の第１側面２１０，２２０に接している。これによれば、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間に配置される絶縁層１５の幅がより大きく確保され、絶縁性をより保つことができる。
各第１側面２１０，２２０の少なくとも一部は、第２磁性層１２と接している。これによれば、絶縁層１５が配置され、絶縁性が向上したスパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間において、第１側面２１０，２２０の少なくとも一部が、第２磁性層１２と接することで、磁性層の領域を増加させるため、絶縁性を確保しつつ、インダクタンスの向上を効果的に実現できる。
なお、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、それぞれ、第１側面２１０，２２０と反対側の第２側面２３０，２４０を有し、第２側面２３０，２４０は、第２磁性層１２と接している。これによれば、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａとの間の絶縁性に影響しない第２側面２３０，２４０側で、磁性層の領域を増加させるため、インダクタンスの向上をより効果的に実現できる。特にインダクタ部品１では、第２側面２３０，２４０の全面が第２磁性層１２と接しており、インダクタンスの向上効果を最大限発揮できる。
絶縁層１５は、隣り合うスパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間の距離が最小となる領域を含む位置に配置される。具体的には、インダクタ部品１Ａにおいては、絶縁層１５は、隣り合うスパイラル配線２１Ａ，２２Ａの弧部分の最も近づいた領域を含む位置に配置されている。つまり、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間で最も絶縁性が問題となりやすい距離が最小となる領域に絶縁層１５が配置され、隣り合う第１、第２スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間の絶縁性を一層向上できる。
また、隣り合うスパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、互いに対向する第１側面２１０，２２０を有する。絶縁層１５は、スパイラル配線２１Ａの第１側面２１０の一部とスパイラル配線２２Ａの第１側面２２０の一部に接している。つまり、絶縁層１５は、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの弧部分の第１側面２１０，２２０に接している。これによれば、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間に配置される絶縁層１５の幅がより大きく確保され、絶縁性をより保つことができる。
各第１側面２１０，２２０の少なくとも一部は、第２磁性層１２と接している。これによれば、絶縁層１５が配置され、絶縁性が向上したスパイラル配線２１Ａ，２２Ａの間において、第１側面２１０，２２０の少なくとも一部が、第２磁性層１２と接することで、磁性層の領域を増加させるため、絶縁性を確保しつつ、インダクタンスの向上を効果的に実現できる。
なお、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａは、それぞれ、第１側面２１０，２２０と反対側の第２側面２３０，２４０を有し、第２側面２３０，２４０は、第２磁性層１２と接している。これによれば、スパイラル配線２１Ａ，２２Ａとの間の絶縁性に影響しない第２側面２３０，２４０側で、磁性層の領域を増加させるため、インダクタンスの向上をより効果的に実現できる。特にインダクタ部品１では、第２側面２３０，２４０の全面が第２磁性層１２と接しており、インダクタンスの向上効果を最大限発揮できる。
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１と第２実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
前記実施形態において、スパイラル配線の上方に、上方のスパイラル配線が位置し、下方のスパイラル配線と上方のスパイラル配線が図示しないビア導体によって電気的に並列接続されていてもよい。これにより、同じ電流経路における配線断面積を実質的に増加させることができ、Ｒｄｃを低減できる。このとき、下方のスパイラル配線と上方のスパイラル配線の間に配置された層間絶縁層をさらに備えてもよい。
前記実施形態において、スパイラル配線の上方に、上方のスパイラル配線が位置し、下方のスパイラル配線と上方のスパイラル配線が図示しないビア導体によって電気的に並列接続されていてもよい。これにより、同じ電流経路における配線断面積を実質的に増加させることができ、Ｒｄｃを低減できる。このとき、下方のスパイラル配線と上方のスパイラル配線の間に配置された層間絶縁層をさらに備えてもよい。
１，１Ａ インダクタ部品
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１２ａ 樹脂層
１５ 絶縁層
２１ スパイラル配線
２１１ 第１導体層
２１１ａ 側面
２１１ｂ 底面
２１２ 第２導体層
２１２ａ 側面
２１Ａ 第１スパイラル配線
２２Ａ 第２スパイラル配線
３１ 第１柱状配線
３２ 第２柱状配線
４１ 第１外部端子
４２ 第２外部端子
５０ 被覆膜
６１ 基板
６２ａ，６２ｂ 磁性樹脂層
１０１ 磁性粉
２００ 露出部
２００ａ 露出面
２１０，２２０ 側面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１２ａ 樹脂層
１５ 絶縁層
２１ スパイラル配線
２１１ 第１導体層
２１１ａ 側面
２１１ｂ 底面
２１２ 第２導体層
２１２ａ 側面
２１Ａ 第１スパイラル配線
２２Ａ 第２スパイラル配線
３１ 第１柱状配線
３２ 第２柱状配線
４１ 第１外部端子
４２ 第２外部端子
５０ 被覆膜
６１ 基板
６２ａ，６２ｂ 磁性樹脂層
１０１ 磁性粉
２００ 露出部
２００ａ 露出面
２１０，２２０ 側面
Claims (17)
- 第１磁性層と、
前記第１磁性層上に配置されたスパイラル配線と、
前記スパイラル配線を覆う第２磁性層と
を備え、
前記第１磁性層及び前記第２磁性層は、磁性粉と前記磁性粉を含有する樹脂とを含み、
前記スパイラル配線は、スパイラル形状の第１導体層と、前記第１導体層上に配置され、前記第１導体層に沿った形状の第２導体層とを有し、
前記第１導体層は、銅箔であり、前記第１導体層の厚みは、１．５μｍ以上であり、
前記第１導体層の側面のテーパー角度は、前記第２導体層の側面のテーパー角度よりも大きく、
前記第１磁性層は、前記第１導体層の底面と接触し、
前記第２磁性層は、前記第１導体層の側面および前記第２導体層の側面と接触し、
前記第２磁性層の前記第１導体層の側面と接する部分の磁性粉の量は、前記第２磁性層の前記第２導体層の側面と接する部分の磁性粉の量よりも少なく、
前記第２磁性層の前記第１導体層の側面と接する部分の磁性粉の密度は、前記第１磁性層の前記第１導体層の底面と接する部分の磁性粉の密度よりも低い、インダクタ部品。 - 前記第２導体層の厚みは、前記第１導体層の厚みよりも大きい、請求項１に記載のインダクタ部品。
- 前記第１導体層及び前記第２導体層の主材料は、Ｃｕ又はＣｕを含む合金である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
- 前記第１導体層の導電率と前記第２導体層の導電率との差は、５％以下である、請求項１から３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記第１導体層と前記第２導体層とのＮｉの含有率は、実質的に同一である、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記第１導体層のＮｉの含有率は、５．０ｗｔ％以下である、請求項１から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記第１導体層の線幅は、前記第２導体層の線幅と異なる、請求項１から６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記第１導体層の線幅は、前記第２導体層の線幅よりも大きい、請求項１から７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記第１導体層の厚みは、２．０μｍ以下である、請求項１から８の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記スパイラル配線の側面に磁性粉が接触している、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記スパイラル配線の底面に磁性粉が接触している、請求項１から１０の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記スパイラル配線と同一平面上に、前記スパイラル配線と隣り合う第２スパイラル配線をさらに備える、請求項１から１１の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記スパイラル配線と前記第２スパイラル配線との間に配置され、磁性体を含有しない絶縁層をさらに備え、
前記スパイラル配線は、前記第２スパイラル配線と対向する第１側面を有し、
前記第１側面の少なくとも一部は、前記第２磁性層と接している、請求項１２に記載のインダクタ部品。 - 前記第１磁性層および前記第２磁性層の前記樹脂は、エポキシ、もしくは、エポキシとアクリルの混合体、もしくは、エポキシ、アクリルとその他の混合体である、請求項１から１３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記スパイラル配線は、前記インダクタ部品の積層方向に平行な側面から外部に露出している露出部を有する、請求項１から１４の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記第１磁性層は、前記磁性粉と前記樹脂とからなる磁性樹脂層と、第１主面が前記磁性樹脂層と密着し、第２主面の上方に前記第２磁性層が配置された焼結体かつ磁性体の基板と、を有し、
前記スパイラル配線は、前記第２磁性層と前記基板との間に配置される、請求項１から１５の何れか一つに記載のインダクタ部品。 - 前記磁性樹脂層の厚みと前記第２磁性層の厚みは、いずれも、前記基板の厚みよりも大きい、請求項１６に記載のインダクタ部品。
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