JP6847770B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

特許文献１には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理システムが開示されている。この基板処理システムは、ベベル処理を行うベベル処理装置と基板の位置決めを行う基板位置決め装置とが組み込まれた基板処理ユニットを備えている。
特許文献１に記載のベベル処理装置は、基板を回転させるための回転部と、ベベル処理に用いられた処理液を受け、ベベル処理装置の外部に排出するためのドレインカップと、基板の上方を覆うためのトッププレートとを含む。

特許文献１に記載の基板位置決め装置は、基板の側面と接触する第１の基準部を基板の半径方向に直線的に移動させることのできる第１の駆動部と、基板の側面と接触する第２の基準部を基板の半径方向に直線的に移動させることのできる第２の駆動部とを有している。第１の駆動部および第２の駆動部は、ドレインカップよりも下方に配置されている。これらの一部は、ドレインカップの外周面よりも外側に配置されている。

基板の位置決めが行われるときは、基板位置決め装置が、ドレインカップとトッププレートの間に侵入する。その後、基板位置決め装置をドレインカップの外側に退避させる。その後、トッププレートを降下させ、かつ、ドレインカップを上昇させて、トッププレートとドレインカップとを接触させる。この状態で、トッププレート側に設けられた第１のノズルとドレインカップ側に設けられた第２のノズルより処理液を供給し、基板のべベル処理を行う。

特許第５４４９２３９号公報

しかしながら、特許文献１に記載の基板処理システムでは、基板に接触する第１の基準部を移動させる第１の駆動部が、処理液を受け止めるドレインカップよりも下方に配置されている。同様に、基板に接触する第２の基準部を移動させる第２の駆動部が、処理液を受け止めるドレインカップよりも下方に配置されている。さらに、第１の駆動部および第２の駆動部の一部が、ドレインカップの外周面よりも外側に配置されている。そのため、ベベル処理装置と基板位置決め装置とが組み込まれた基板処理ユニットが鉛直方向および水平方向に大型化してしまう。

そこで、本発明の目的の一つは、処理液の供給と基板のセンタリングとを行うことができ、これらを行う機構全体の大型化を抑制できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、円板状の基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持手段と、前記基板保持手段に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板保持手段を取り囲んでおり、前記基板保持手段に保持されている前記基板から外方に飛散した処理液を受け止める筒状のガードと、前記基板保持手段上の前記基板に接触する少なくとも一つの接触部と、前記少なくとも一つの接触部を水平に移動させることにより前記基板保持手段に対して前記基板を水平に移動させて、前記基板の中心を前記回転軸線に近づけるセンタリングアクチュエータとを含み、前記センタリングアクチュエータの少なくとも一部が平面視で前記ガードに重なるように前記ガードの上方に配置された、センタリングユニットと、前記ガードの上方に配置され、前記センタリングアクチュエータを収容する収容室を形成するユニットハウジングとを備える、基板処理装置である。

この構成によれば、センタリングアクチュエータが基板保持手段上の基板に接触する接触部を水平に移動させる。これにより、基板保持手段に対して基板が水平に移動し、基板の中心が基板の回転軸線に近づく。その後、基板保持手段に基板を回転させながら、処理液供給手段に処理液を供給させる。これにより、センタリングされた基板を処理液で処理できる。そのため、基板の外周部だけを処理するベベル処理や基板の上面または下面の全域を処理する全面処理の均一性を高めることができる。

回転している基板に供給された処理液は、基板から外方に飛散し、基板保持手段を取り囲むガードに受け止められる。センタリングアクチュエータの少なくとも一部は、ガードの上方に配置されており、平面視でガードに重なっている。したがって、センタリングアクチュエータの全体がガードのまわりに配置されている場合やガードの下方に配置されている場合と比べて、基板処理装置を小型化できる。これにより、基板処理装置の大型化を抑制しながら、処理液の供給とセンタリングとを行うことができる。

前記センタリングアクチュエータは、前記少なくとも一つの接触部を水平に直線移動させるリニアアクチュエータであってもよいし、前記少なくとも一つの接触部を水平面内で回転させるロータリーアクチュエータであってもよい。前記接触部の位置を高精度で制御できるため、前記センタリングアクチュエータは、電動アクチュエータであることが好ましい。前記センタリングアクチュエータがロータリーアクチュエータである場合、前記接触部を水平に直線移動させるときは、前記ロータリーアクチュエータの回転を前記接触部の直線運動に変換する変換機構（たとえばボールねじ機構）を設ければよい。

請求項２に記載の発明は、前記接触部の少なくとも一部は、前記基板に接触していないときに、平面視で前記ガードに重なるように前記ガードの上方に配置されている、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、センタリングアクチュエータの少なくとも一部だけでなく、接触部の少なくとも一部も、ガードの上方に配置されており、平面視でガードに重なっている。したがって、接触部の全体がガードのまわりに配置されている場合や接触部の下方に配置されている場合と比べて、基板処理装置を小型化できる。これにより、基板処理装置の大型化を抑制しながら、処理液の供給とセンタリングとを行うことができる。

請求項３に記載の発明は、前記センタリングアクチュエータは、前記少なくとも一つの接触部を水平に直線移動させるリニアモータである、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、接触部が水平に直線移動するので、接触部が通過する空間の体積を減らすことができる。さらに、リニアモータの直線運動を接触部に伝達すれば、接触部が直線移動するので、リニアモータの直線運動を変換する機構を設けなくてもよい。これにより、基板処理装置の大型化をさらに抑制することができる。しかも、電動アクチュエータの一例であるリニアモータが接触部を移動させるので、接触部の位置を高精度で制御できる。

請求項４に記載の発明は、前記ユニットハウジングは前記収容室を前記ガードと共に形成している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、センタリングアクチュエータが、ユニットハウジングによって形成された収容室に収容されている。したがって、センタリングアクチュエータに向かって飛散する処理液からセンタリングアクチュエータを保護できる。さらに、ユニットハウジングだけでなく、ガードも収容室を形成しているので、ユニットハウジングだけが収容室を形成している場合と比べて、ユニットハウジングを小型化できる。

請求項５に記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルから吐出された処理液が前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面に供給される処理位置と、前記ノズルが平面視で前記ガードのまわりに位置する待機位置と、の間で前記ノズルを水平に移動させるノズル移動ユニットとを含み、前記ユニットハウジングと前記センタリングアクチュエータと前記少なくとも一つの接触部のうちの少なくとも一つは、前記ノズルが通過する通過領域の下方に配置されており、平面視で前記通過領域に重なっている、請求項４に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、基板保持手段に保持されている基板の上面に向けて処理液を吐出するノズルが、処理位置と待機位置との間で水平に移動する。ユニットハウジングとセンタリングアクチュエータと少なくとも一つの接触部のうちの少なくとも一つは、ノズルが通過する通過領域の下方に配置されており、平面視で通過領域に重なっている。つまり、通過領域の下方の空間が、ユニットハウジング等を配置する空間として利用されている。これにより、基板処理装置内の空間を効率的に利用できるので、基板処理装置の大型化を抑制できる。

請求項６に記載の発明は、前記ユニットハウジングは、前記接触部が挿入された挿入穴を含み、前記基板処理装置は、前記接触部を取り囲んでおり、前記挿入穴を介した前記ユニットハウジング内への液体の浸入を防止するシール部材をさらに備える、請求項４または５に記載の基板処理装置である。
前記シール部材は、前記接触部の外周面と前記挿入穴の内周面との間の隙間を塞ぐシールリングであってもよいし、前記接触部に取り付けられた一端部と前記ユニットハウジングに取り付けられた他端部とを含む筒状のベローズであってもよいし、これら以外であってもよい。前記シール部材は、前記ユニットハウジングの中に配置されていてもよいし、前記ユニットハウジングの外に配置されていてもよい。

この構成によれば、センタリングユニットの接触部が、ユニットハウジングの挿入穴に挿入されている。シール部材は、ユニットハウジング内またはユニットハウジング外で接触部を取り囲んでいる。挿入穴を介したユニットハウジング内への液体および雰囲気の浸入は、シール部材によって防止される。これにより、センタリングアクチュエータなどのユニットハウジング内に配置された部品が処理液で濡れることを防止でき、当該部品の腐食を防止できる。

請求項７に記載の発明は、前記ガードおよびセンタリングユニットを昇降させる昇降ユニットをさらに備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、昇降ユニットが、ガードおよびセンタリングユニットの両方を昇降させる。したがって、ガードを昇降させるガード昇降ユニットとセンタリングユニットを昇降させるセンタリング用昇降ユニットとが設けられている場合と比べて、基板処理装置を小型化できる。さらに、基板処理装置の部品点数が減少するので、基板処理装置の製造時間を短縮できる。

請求項８に記載の発明は、前記ガードを昇降させるガード昇降ユニットと、前記ガードとは独立して前記センタリングユニットを昇降させる、前記ガード昇降ユニットとは別のセンタリング用昇降ユニットとをさらに備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ガードを昇降させるガード昇降ユニットとは別のセンタリング用昇降ユニットが基板処理装置に設けられている。したがって、ガードの昇降とは独立してセンタリングユニットを昇降させることができる。さらに、ガード昇降ユニットがガードおよびセンタリングユニットの両方を昇降させる場合と比べて、ガード昇降ユニットを小型化できる。

請求項９に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記センタリングユニットを昇降させる動力を発生する昇降アクチュエータと、前記昇降アクチュエータの動力を前記センタリングユニットに伝達する伝達機構と、を含む昇降ユニットをさらに備え、前記伝達機構は、前記ガードを上下方向に貫通する貫通穴に挿入されており、前記センタリングユニットと共に昇降する支柱を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、昇降ユニットの昇降アクチュエータが、伝達機構の支柱を昇降させると、これに伴ってセンタリングユニットが昇降する。昇降ユニットの支柱は、ガードのまわりに配置されているのではなく、ガードを上下方向に貫通する貫通穴に挿入されている。したがって、支柱がガードのまわりに配置されている場合と比べて、基板処理装置の大型化を抑制できる。

請求項１０に記載の発明は、前記基板保持手段上の前記基板に接触せずに前記回転軸線に対する前記基板の偏心量を検出する偏心量検出ユニットをさらに備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、回転軸線に対する基板の偏心量、つまり、回転軸線から基板の中心までの最短距離が検出される。その後、センタリングユニットが、偏心量検出ユニットの検出値に基づく移動量で基板を基板保持手段に対して水平に移動させる。これにより、基板がセンタリングされる。さらに、基板に非接触で偏心量が検出されるので、偏心量の検出中や検出後に基板が基板保持手段に対して移動し難い。そのため、より高い精度で基板の偏心量を検出できる。

請求項１１に記載の発明は、前記少なくとも一つの接触部は、前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触することにより前記基板保持手段上の前記基板を水平に押すプッシャーを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板保持手段の上に基板がある状態で、センタリングアクチュエータがプッシャーを水平に移動させる。これにより、プッシャーが基板保持手段上の基板の外周部に接触し、基板保持手段上の基板がプッシャーによって水平に押される。その結果、基板が基板保持手段に対して水平に移動し、基板の中心が回転軸線に近づく。これにより、基板がセンタリングされる。

請求項１２に記載の発明は、前記少なくとも一つの接触部は、前記基板保持手段上の前記基板の下面に接触することにより前記基板保持手段上の前記基板を持ち上げる２つのリフターを含み、前記基板処理装置は、前記２つのリフターを昇降させるセンタリング用昇降ユニットをさらに備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、基板保持手段の上に基板がある状態で、センタリング用昇降ユニットが２つのリフターを上昇させる。これにより、各リフターが基板の下面に接触し、基板保持手段上の基板が２つのリフターによって持ち上げられる。その後、センタリングアクチュエータが２つのリフターを水平に移動させる。このとき、基板は、２つのリフターに支持された状態で２つのリフターと共に水平に移動する。その結果、基板が基板保持手段に対して水平に移動し、基板の中心が回転軸線に近づく。これにより、基板がセンタリングされる。さらに、基板保持手段から上方に離れた状態で基板が移動するので、基板と基板保持手段との摩擦を発生させずに基板をセンタリングできる。加えて、基板が基板保持手段に擦れないので、より高い精度で基板をセンタリングできる。

請求項１３に記載の発明は、前記センタリングユニットは、前記２つのリフターのそれぞれを支持しており、前記センタリングアクチュエータによって水平に駆動されるスライドブラケットをさらに含む、請求項１２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、センタリングアクチュエータがスライドブラケットを水平に移動させる。スライドブラケットに支持された２つのリフターは、スライドブラケットの移動に伴って、スライドブラケットと同じ方向、速度、および移動量で水平に移動する。これにより、２つのリフターに支持されている基板を水平に移動させることができる。さらに、１つのセンタリングアクチュエータが２つのリフターを水平に移動させるので、２つのリフターにそれぞれ対応する２つのアクチュエータを設けなくてもよい。

請求項１４に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記ガードを昇降させるガード昇降ユニットをさらに備え、前記センタリング用昇降ユニットは、前記ガード昇降ユニットと同じユニットである、請求項１２または１３に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、センタリング用昇降ユニットが、ガードを昇降させるガード昇降ユニットを兼ねている。言い換えると、ガード昇降ユニットを利用して、基板保持手段上の基板を２つのリフターで持ち上げたり、２つのリフターに支持されている基板を基板保持手段の上に置いたりする。したがって、センタリング用昇降ユニットがガード昇降ユニットとは別のユニットである場合と比べて、基板処理装置を小型化できる。

請求項１５に記載の発明は、前記少なくとも一つの接触部は、前記回転軸線を通る鉛直な平面である基準面に関して対称な２つの位置にそれぞれ配置される２つのストッパーと、前記基板保持手段上の前記基板の外周部が前記２つのストッパーに接触するまで前記基板保持手段上の前記基板を前記２つのストッパーの方に水平に押す位置決めプッシャーと、前記基板保持手段上の前記基板が前記２つのストッパーと前記位置決めプッシャーとによって水平に挟まれた後に、前記基板保持手段上の前記基板を前記基準面と平行な水平方向であるセンタリング方向に押すことにより前記基板の中心を前記回転軸線の方に移動させるセンタリングプッシャーとを含み、前記センタリングユニットは、前記位置決めプッシャーを水平に移動させることにより前記基板保持手段上の前記基板を前記２つのストッパーと前記位置決めプッシャーとで水平に挟む位置決めアクチュエータをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、位置決めアクチュエータが位置決めプッシャーを水平に移動させる。これにより、基板保持手段上の基板が２つのストッパーと位置決めプッシャーとによって水平に挟まれる。
２つのストッパーは、基準面に関して対称な２つの位置にそれぞれ配置されている。基板の中心が基準面に対してずれている場合、つまり、基板の中心が基準面上に位置していない場合、基板は、２つのストッパーと位置決めプッシャーとによって、基板の中心が基準面に重なる準備位置に案内されその場に位置決めされる。

センタリングプッシャーは、基準面と平行な水平方向であるセンタリング方向に基板を押す。これにより、基板が基板保持手段に対して水平に移動する。このとき、基板の中心は、基準面上を回転軸線の方に移動する。これにより、基板の中心が回転軸線に近づき、基板がセンタリングされる。
前記位置決めプッシャーは、前記センタリングプッシャーとは異なる部材であってもよいし、前記センタリングプッシャーと同じ部材であってもよい。同様に、前記位置決めアクチュエータは、前記センタリングアクチュエータとは異なるアクチュエータであってもよいし、前記センタリングアクチュエータと同じアクチュエータであってもよい。

請求項１６に記載の発明は、前記少なくとも一つの接触部は、前記回転軸線を通る鉛直な平面である基準面と平行な水平方向であるセンタリング方向に移動可能であり、前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触することにより前記基板保持手段上の前記基板を水平に挟む２つのプッシャーを含み、前記２つのプッシャーのそれぞれは、前記基準面に関して対称な２つの位置で前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触するハンド部を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、２つのプッシャーの少なくとも一方がセンタリング方向に移動する。これにより、基板保持手段上の基板が２つのプッシャーによって水平に挟まれる。各プッシャーのハンド部は、基準面に関して対称な２つの位置で基板保持手段上の基板の外周部に接触する。基板の中心が基準面に対してずれている場合、基板は、２つのプッシャーによって、基板の中心が基準面に重なる準備位置に案内されその場に位置決めされる。

基板が準備位置に配置された後は、一方のプッシャーが基板をセンタリング方向に押す。これにより、基板が基板保持手段に対して水平に移動し、基板の中心が、基準面上を回転軸線の方に移動する。このように、一対のプッシャーは、基板を準備位置に配置するだけでなく、基板の中心を回転軸線に近づけるので、別々の部材が基板の位置決めと基板のセンタリングとを行う場合と比べて、基板処理装置の部品点数を減らすことができる。

請求項１７に記載の発明は、円板状の基板を基板保持手段に水平に保持させながら、前記基板保持手段に前記基板を前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持工程と、前記基板保持工程と並行して、処理液供給手段に処理液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給させる処理液供給工程と、前記処理液供給工程と並行して、前記基板保持手段を取り囲む筒状のガードに前記基板保持手段に保持されている前記基板から外方に飛散した処理液を受け止めさせる処理液捕獲工程と、前記処理液供給工程が行われる前に、前記ガードの上方に配置されたユニットハウジングに収容されており、少なくとも一部が平面視で前記ガードに重なるように前記ガードの上方に配置されたセンタリングアクチュエータに、前記基板保持手段上の前記基板に接触する少なくとも一つの接触部を水平に移動させることにより、前記基板保持手段に対して前記基板を水平に移動させて、前記基板の中心を前記回転軸線に近づけるセンタリング工程とを含む、基板処理方法である。この方法によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

請求項１８に記載の発明は、前記センタリング工程は、前記少なくとも一つの接触部に含まれるプッシャーを前記センタリングアクチュエータに水平に移動させることにより、前記プッシャーを前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触させて、前記基板保持手段上の前記基板を前記プッシャーで水平に押す工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法である。この方法によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

請求項１９に記載の発明は、前記基板処理方法は、前記少なくとも一つの接触部に含まれる２つのリフターをセンタリング用昇降ユニットによって上昇させることにより、前記２つのリフターを前記基板保持手段上の前記基板の下面に接触させて、前記基板を前記２つのリフターで持ち上げるリフトアップ工程をさらに含み、前記センタリング工程は、前記リフトアップ工程において前記基板が前記２つのリフターに支持されている状態で、前記センタリングアクチュエータに前記２つのリフターを水平に移動させることにより、前記基板保持手段に対して前記基板を水平に移動させる工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法である。この方法によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

請求項２０に記載の発明は、前記基板処理方法は、位置決めアクチュエータに位置決めプッシャーを水平に移動させることにより、前記回転軸線を通る鉛直な平面である基準面に関して対称な２つの位置にそれぞれ配置された２つのストッパーと前記位置決めプッシャーとで前記基板を水平に挟む準備工程をさらに含み、前記センタリング工程は、前記準備工程の後、前記少なくとも一つの接触部に含まれるセンタリングプッシャーを前記センタリングアクチュエータに水平に移動させることにより、前記センタリングプッシャーを前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触させて、前記基板保持手段上の前記基板を前記基準面と平行な水平方向であるセンタリング方向に前記センタリングプッシャーで押す工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法である。この方法によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

請求項２１に記載の発明は、前記少なくとも一つの接触部は、前記回転軸線を通る鉛直な平面である基準面と平行な水平方向であるセンタリング方向に移動可能であり、前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触することにより前記基板保持手段上の前記基板を水平に挟む２つのプッシャーを含み、前記２つのプッシャーのそれぞれは、前記基準面に関して対称な２つの位置で前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触するハンド部を含み、前記基板処理方法は、前記センタリングアクチュエータに前記２つのプッシャーを前記センタリング方向に移動させることにより、前記基板保持手段上の前記基板を前記２つのプッシャーのハンド部で水平に挟む準備工程をさらに含み、前記センタリング工程は、前記準備工程の後、前記センタリングアクチュエータに前記２つのプッシャーの一方を前記センタリング方向に移動させることにより、前記プッシャーを前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触させて、前記基板保持手段上の前記基板を前記プッシャーで水平に押す工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法である。この方法によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。
請求項２２に記載の発明は、前記ユニットハウジングは、前記センタリングアクチュエータを収容する収容室を前記ガードと共に形成している、請求項１７に記載の基板処理方法である。この方法によれば、前述の効果と同様な効果を奏することができる。

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。 基板処理装置に備えられた制御装置のハードウェアおよび機能ブロックを示すブロック図である。 基板処理装置によって行われる基板の処理の一例を説明するための工程図である。 基板の回転中心に対する基板の偏心量を減少させるセンタリングシステムを水平に見た模式図である。 センタリングシステムに備えられたセンタリングユニットを上から見た模式図である。 センタリングユニットの鉛直断面を示す模式図である。 図６Ａの一部を拡大した図である。 センタリングユニットを昇降させるセンタリング用昇降ユニットの鉛直断面を示す模式図である。 図７に示す矢印ＶＩＩＩの方向にセンタリング用昇降ユニットを見た模式図である。 センタリングシステムによって行われるセンタリング処理の一例について説明するためのフローチャートである。 図９に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図９に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図９に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図９に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 本発明の第２実施形態に係るセンタリングシステムに備えられたセンタリングユニットを上から見た模式図である。 図１１に示すセンタリングシステムに備えられたセンタリングユニットの鉛直断面を示す模式図である。 図１１に示すセンタリングシステムによって行われるセンタリング処理の一例について説明するためのフローチャートである。 図１３に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図１３に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図１３に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図１３に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図１３に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 本発明の第３実施形態に係るセンタリングシステムに備えられたセンタリングユニットを上から見た模式図である。 図１５に示すＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿うセンタリングユニットの鉛直断面を示す模式図である。 図１５に示すＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿うセンタリングユニットの鉛直断面を示す模式図である。 図１５に示すセンタリングシステムによって行われるセンタリング処理の一例について説明するためのフローチャートである。 図１８に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図１８に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図１８に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 本発明の第４実施形態に係るセンタリングシステムに備えられたセンタリングユニットを上から見た模式図である。 図２０に示すセンタリングシステムによって行われるセンタリング処理の一例について説明するためのフローチャートである。 図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の一例を示す模式図である。 図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の他の例を示す模式図である。 図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の他の例を示す模式図である。 図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の他の例を示す模式図である。 図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板およびセンタリングユニットの動作の他の例を示す模式図である。 センタリングユニットを昇降させるセンタリング用昇降ユニットの他の例を示す模式図である。 センタリングユニットを収容するユニットハウジングの他の例を示す模式図である。 ユニットハウジングのさらに他の例を示す模式図である。

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の内部を水平に見た模式図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液や処理ガスなどの処理流体で基板Ｗを処理する処理ユニット２と、処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボットＲ１と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。

処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバー４と、一枚の基板Ｗをチャンバー４内で水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック９と、スピンチャック９から外方に排出された処理液を受け止める筒状の処理カップ１７とを含む。
チャンバー４は、基板Ｗが通過する搬入搬出口６ｂが設けられた箱型の隔壁６と、搬入搬出口６ｂを開閉するシャッター７とを含む。チャンバー４は、さらに、隔壁６の天井面で開口する送風口６ａから隔壁６内にクリーンエアー（フィルターによってろ過された空気）を下方に送るＦＦＵ５（ファン・フィルタ・ユニット）と、ＦＦＵ５によって隔壁６内に送られたクリーンエアーを整流する整流板８とを含む。

整流板８は、隔壁６の内部を整流板８の上方の上方空間と整流板８の下方の下方空間とに仕切っている。隔壁６の天井面と整流板８の上面との間の上方空間は、クリーンエアーが拡散する拡散空間である。整流板８の下面と隔壁６の床面との間の下方空間は、基板Ｗの処理が行われる処理空間である。スピンチャック９や処理カップ１７は、下方空間に配置されている。

送風口６ａから上方空間に供給されたクリーンエアーは、整流板８に当たって上方空間を拡散する。上方空間内のクリーンエアーは、整流板８を上下方向に貫通する複数の貫通孔を通過し、整流板８の全域から下方に流れる。下方空間に供給されたクリーンエアーは、チャンバー４の底部から排出される。これにより、整流板８の全域から下方に流れる均一なクリーンエアーの流れ（ダウンフロー）が、常時、下方空間に形成される。

スピンチャック９は、基板Ｗよりも外径が小さい円板状のスピンベース１０と、スピンベース１０上の基板Ｗの下面（裏面）をスピンベース１０に吸着させることによりスピンベース１０に基板Ｗを水平に保持させる吸引装置１６と、吸引装置１６の吸引力をスピンベース１０に伝達する吸引配管１４と、吸引配管１４を開閉する吸引バルブ１５とを含む。スピンチャック９は、さらに、スピンベース１０の中央部から下方に延びるスピン軸１１と、スピン軸１１およびスピンベース１０を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１２と、スピンモータ１２を収容するモータハウジング１３とを含む。

処理カップ１７は、基板Ｗから外方に排出された処理液を受け止める筒状のガード２０と、ガード２０によって下方に案内された処理液を受け止めるカップ１９と、ガード２０およびカップ１９を取り囲む外周リング１８とを含む。ガード２０は、スピンチャック９を取り囲む筒状部２０ｂと、筒状部２０ｂの上端部から回転軸線Ａ１に向かって斜め上に延びる円環状の天井部２０ａとを含む。天井部２０ａの円環状の上端は、ガード２０の上端２０ｘに相当する。ガード２０の上端２０ｘは、平面視で基板Ｗおよびスピンベース１０を取り囲んでいる（図５参照）。カップ１９は、天井部２０ａの下方に配置されている。カップ１９は、上向きに開いた環状の受液溝１９ａを形成している。

ガード２０は、チャンバー４の底部に対して鉛直に移動可能である。カップ１９は、チャンバー４の底部に固定されている。処理ユニット２は、ガード２０を昇降させるガード昇降ユニット２１を含む。ガード昇降ユニット２１は、上位置（二点鎖線で示す位置）と下位置（実線で示す位置）との間でガード２０を鉛直に昇降させ、上位置から下位置までの任意の位置でガード２０を静止させる。上位置は、スピンチャック９に支持されている基板Ｗが配置される支持位置（図１に示す基板Ｗの位置）よりもガード２０の上端２０ｘが上方に位置する位置である。下位置は、ガード２０の上端２０ｘが支持位置よりも下方に位置する位置である。

スピンチャック９が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、ガード２０の上端２０ｘは、基板Ｗよりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液やリンス液などの処理液は、ガード２０に受け止められ、カップ１９に案内される。

処理ユニット２は、基板Ｗの上面に向けて薬液を下方に吐出する薬液ノズル２２を含む。薬液ノズル２２は、薬液を案内する薬液配管２３に接続されている。薬液配管２３に介装された薬液バルブ２４が開かれると、薬液が、薬液ノズル２２の吐出口から下方に連続的に吐出される。薬液ノズル２２から吐出される薬液は、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸、酢酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよいし、これ以外の液体であってもよい。

図示はしないが、薬液バルブ２４は、流路を形成するバルブボディと、流路内に配置された弁体と、弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様である。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。制御装置３は、アクチュエータを制御することにより、薬液バルブ２４の開度を変更する。

薬液ノズル２２は、チャンバー４内で移動可能なスキャンノズルである。薬液ノズル２２は、薬液ノズル２２を鉛直方向および水平方向の少なくとも一方に移動させるノズル移動ユニット２５に接続されている。ノズル移動ユニット２５は、薬液ノズル２２から吐出された薬液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、平面視で薬液ノズル２２が処理カップ１７のまわりに位置する待機位置との間で、薬液ノズル２２を水平に移動させる。図１は、ノズル移動ユニット２５が、処理カップ１７のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりに薬液ノズル２２を水平に移動させる旋回ユニットである例を示している。

ノズル移動ユニット２５は、薬液ノズル２２を保持するノズルアーム２５ａと、ノズルアーム２５ａを移動させることにより薬液ノズル２２を水平に移動させる駆動ユニット２５ｂとを含む。薬液ノズル２２は、水平に延びるノズルアーム２５ａの先端部から下方に延びている。薬液ノズル２２が処理位置に配置されると、ノズルアーム２５ａは、平面視でスピンチャック９上の基板Ｗに重なる。薬液ノズル２２が待機位置に配置されると、ノズルアーム２５ａは、平面視でスピンチャック９上の基板Ｗのまわりに配置される。

処理ユニット２は、さらに、基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル２６を含む。リンス液ノズル２６は、リンス液を案内するリンス液配管２７に接続されている。リンス液配管２７に介装されたリンス液バルブ２８が開かれると、リンス液が、リンス液ノズル２６の吐出口から下方に連続的に吐出される。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液は、純水に限らず、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよいし、これら以外の液体であってもよい。

リンス液ノズル２６は、スキャンノズルである。リンス液ノズル２６は、チャンバー４の底部に対して固定された固定ノズルであってもよい。リンス液ノズル２６は、リンス液ノズル２６を鉛直方向および水平方向の少なくとも一方に移動させるノズル移動ユニット２９に接続されている。ノズル移動ユニット２９は、リンス液ノズル２６から吐出されたリンス液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、平面視でリンス液ノズル２６がスピンチャック９のまわりに位置する待機位置との間で、リンス液ノズル２６を水平に移動させる。

処理ユニット２は、スピンベース１０上の基板Ｗを加熱するヒータ３０を備えていてもよい。ヒータ３０は、スピンベース１０に支持されている基板Ｗの下方に配置される。ヒータ３０は、スピンベース１０を取り囲んでいる。ヒータ３０の外径は、ガード２０の上端２０ｘの内径よりも小さい。ヒータ３０の内径は、スピンベース１０の外径よりも大きい。ヒータ３０は、モータハウジング１３の上方に配置されており、モータハウジング１３に支持されている。スピンベース１０が回転したとしても、ヒータ３０は回転しない。

図２は、基板処理装置１に備えられた制御装置３のハードウェアおよび機能ブロックを示すブロック図である。図２に示す回転角制御部３８は、制御装置３にインストールされたプログラムＰをＣＰＵ３１が実行することにより実現される機能ブロックである。
制御装置３は、コンピュータ本体３ａと、コンピュータ本体３ａに接続された周辺装置３ｂとを含む。コンピュータ本体３ａは、各種の命令を実行するＣＰＵ３１（central processing unit：中央処理装置）と、情報を記憶する主記憶装置３２とを含む。周辺装置３ｂは、プログラムＰ等の情報を記憶する補助記憶装置３３と、リムーバブルメディアＭから情報を読み取る読取装置３４と、ホストコンピュータＨＣ等の制御装置３以外の装置と通信する通信装置３５とを含む。

制御装置３は、入力装置３６および表示装置３７に接続されている。入力装置３６は、ユーザーやメンテナンス担当者などの操作者が基板処理装置１に情報を入力するときに操作される。情報は、表示装置３７の画面に表示される。入力装置３６は、キーボード、ポインティングデバイス、およびタッチパネルのいずれかであってもよいし、これら以外の装置であってもよい。入力装置３６および表示装置３７を兼ねるタッチパネルディスプレイが基板処理装置１に設けられていてもよい。

ＣＰＵ３１は、補助記憶装置３３に記憶されたプログラムＰを実行する。補助記憶装置３３内のプログラムＰは、制御装置３に予めインストールされたものであってもよいし、読取装置３４を通じてリムーバブルメディアＭから補助記憶装置３３に送られたものであってもよいし、ホストコンピュータＨＣなどの外部装置から通信装置３５を通じて補助記憶装置３３に送られたものであってもよい。

補助記憶装置３３およびリムーバブルメディアＭは、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリーである。補助記憶装置３３は、たとえば、ハードディスクドライブ等の磁気記憶装置である。リムーバブルメディアＭは、たとえば、コンパクトディスクなどの光ディスクまたはメモリーカードなどの半導体メモリーである。リムーバブルメディアＭは、プログラムＰが記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体の一例である。

制御装置３は、スピンモータ１２の回転角を制御する回転角制御部３８を含む。スピンモータ１２がステッピングモーターの場合、回転角制御部３８は、スピンモータ１２に供給される駆動パルスの数を調整することにより、スピンベース１０を任意の回転角で停止させる。スピンモータ１２がステッピングモーター以外のロータリーモータの場合、スピンモータ１２の回転角は、エンコーダーなどの回転角センサーによって検出される。回転角制御部３８は、スピンモータ１２に電力が供給される通電時間等を回転角センサーの検出値に基づいて調整することにより、スピンベース１０を任意の回転角で停止させる。

制御装置３は、ホストコンピュータＨＣによって指定されたレシピにしたがって基板Ｗが処理されるように基板処理装置１を制御する。補助記憶装置３３は、複数のレシピを記憶している。レシピは、基板Ｗの処理内容、処理条件、および処理手順を規定する情報である。複数のレシピは、基板Ｗの処理内容、処理条件、および処理手順の少なくとも一つにおいて互いに異なる。以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置３は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。

次に、基板Ｗの処理の一例について説明する。
図３は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例を説明するための工程図である。以下では、図１および図３を参照する。
基板Ｗの処理の一例は、基板Ｗのベベル領域だけに薬液を供給するベベル処理である。ベベル領域は、基板Ｗの上面外周部に位置するベベル部（傾斜部）を含む環状の領域である。ベベル領域の内周縁は、薬液の着液位置に概ね一致する。ベベル領域の幅（基板Ｗの外周縁からベベル領域の内周縁までの径方向の距離）は、基板Ｗの中心Ｃ１からベベル領域の内周縁までの径方向の距離よりも短い。ベベル領域の幅は、数ミリメートル〜数十ミリメートル程度であってもよいし、１ミリメートル以下であってもよい。

基板処理装置１で基板Ｗを処理するときは、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図３に示すステップＳ１）が行われる。
具体的には、薬液ノズル２２がスピンチャック９の上方から退避しており、ガード２０が下位置に位置している状態で、搬送ロボットＲ１が、基板ＷをハンドＨ１で支持しながら、ハンドＨ１をチャンバー４内に進入させる。その後、搬送ロボットＲ１は、基板Ｗの表面が上に向けられた状態でハンドＨ１上の基板Ｗをスピンベース１０の上に置き、ハンドＨ１をチャンバー４の内部から退避させる。その後、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１上またはその近傍に配置するセンタリング処理（図３に示すステップＳ２）が行われる。センタリング処理については後述する。

センタリング処理が行われた後は、薬液を基板Ｗに供給する薬液供給工程（図３に示すステップＳ３）が行われる。
具体的には、基板Ｗがスピンベース１０に吸着されていない場合は、吸引バルブ１５が開かれ、基板Ｗがスピンベース１０に固定される。この状態で、スピンモータ１２が基板Ｗの回転を開始させる。さらに、ノズル移動ユニット２５が、薬液ノズル２２を処理位置に移動させ、ガード昇降ユニット２１が、ガード２０を上位置に位置させる。これにより、薬液ノズル２２が基板Ｗの外周部の上方に配置され、ガード２０の上端２０ｘが基板Ｗよりも上方に配置される。

その後、薬液バルブ２４が開かれ、薬液ノズル２２が薬液の吐出を開始する。薬液ノズル２２が薬液を吐出しているとき、ノズル移動ユニット２５は、薬液の着液位置がベベル領域内で径方向に移動するように薬液ノズル２２を移動させてもよいし、薬液ノズル２２を静止させてもよい。また、ヒータ３０は、薬液と基板Ｗとの反応を促進するために、薬液ノズル２２が薬液を吐出している期間の少なくとも一部において、基板Ｗおよび基板Ｗ上の薬液を加熱してもよい。

薬液ノズル２２から吐出された薬液は、基板Ｗのベベル領域に着液した後、ベベル領域に沿って外方に流れる。これにより、ベベル領域だけに薬液が供給され、ベベル領域が薬液で処理される。特に、ノズル移動ユニット２５が薬液の着液位置をベベル領域内で移動させる場合は、ベベル領域が薬液の着液位置で走査されるので、薬液がベベル領域に均一に供給される。薬液バルブ２４が開かれてから所定時間が経過すると、薬液バルブ２４が閉じられ、薬液ノズル２２からの薬液の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット２５が薬液ノズル２２を待機位置に移動させる。

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗの上面に供給するリンス液供給工程が行われる（図３に示すステップＳ４）。
具体的には、ノズル移動ユニット２９が、リンス液ノズル２６を処理位置に移動させる。これにより、リンス液ノズル２６が基板Ｗの外周部の上方に配置される。その後、リンス液バルブ２８が開かれ、リンス液ノズル２６が純水の吐出を開始する。リンス液ノズル２６が純水を吐出しているとき、ノズル移動ユニット２９は、純水の着液位置がベベル領域内で径方向に移動するようにリンス液ノズル２６を移動させてもよいし、リンス液ノズル２６を静止させてもよい。また、ヒータ３０は、純水と基板Ｗとの反応を促進するために、リンス液ノズル２６が純水を吐出している期間の少なくとも一部において、基板Ｗおよび基板Ｗ上の純水を加熱してもよい。

リンス液ノズル２６から吐出された純水は、基板Ｗのベベル領域に着液した後、ベベル領域に沿って外方に流れる。これにより、ベベル領域だけに純水が供給され、ベベル領域上の薬液が洗い流される。特に、ノズル移動ユニット２９が純水の着液位置をベベル領域内で移動させる場合は、ベベル領域が純水の着液位置で走査されるので、純水がベベル領域に均一に供給される。リンス液バルブ２８が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ２８が閉じられ、リンス液ノズル２６からの純水の吐出が停止される。その後、ノズル移動ユニット２９がリンス液ノズル２６を待機位置に移動させる。

次に、基板Ｗの高速回転によって基板Ｗを乾燥させる乾燥工程が行われる（図３に示すステップＳ５）。
具体的には、スピンモータ１２が基板Ｗを回転方向に加速させ、これまでの基板Ｗの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、液体が基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ１２が回転を停止する。これにより、基板Ｗの回転が停止される。

次に、基板Ｗをチャンバー４から搬出する搬出工程が行われる（図３に示すステップＳ６）。
具体的には、ガード昇降ユニット２１が、ガード２０を下位置まで下降させる。その後、搬送ロボットＲ１が、ハンドＨ１をチャンバー４内に進入させる。搬送ロボットＲ１は、吸引バルブ１５が閉じられ、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が解除された後、スピンベース１０上の基板ＷをハンドＨ１で支持する。その後、搬送ロボットＲ１は、基板ＷをハンドＨ１で支持しながら、ハンドＨ１をチャンバー４の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー４から搬出される。

次に、基板処理装置１のセンタリングシステムについて説明する。
図４は、基板Ｗの回転中心に対する基板Ｗの偏心量を減少させるセンタリングシステムを水平に見た模式図である。図５は、センタリングシステムに備えられたセンタリングユニット４５を上から見た模式図である。図６Ａは、センタリングユニット４５の鉛直断面を示す模式図である。図６Ｂは、図６Ａの一部を拡大した図である。図４、図５、図６Ａ、および図６Ｂは、プッシャー４６が原点位置に配置されている状態を示している。

図４に示すように、基板処理装置１は、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量、つまり、回転軸線Ａ１から基板Ｗの中心Ｃ１までの最短距離を減少させるセンタリングシステムを備えている。センタリングシステムは、スピンベース１０上の基板Ｗに接触せずにスピンベース１０上の基板Ｗの偏心量を検出する偏心量検出ユニット４１を含む。
偏心量検出ユニット４１は、基板Ｗの外周縁の位置だけを検出することにより基板Ｗの偏心量を検出する外周検出ユニットであってもよいし、スピンベース１０上に位置する基板Ｗの画像に基づいて基板Ｗの偏心量を検出する撮影ユニットであってもよい。また、偏心量検出ユニット４１は、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量に加えて、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの中心Ｃ１の位置（回転軸線Ａ１まわりの角度）を検出してもよい。図４は、偏心量検出ユニット４１が外周検出ユニットであり、基板Ｗの偏心量と基板Ｗの中心Ｃ１の位置の両方を検出する例を示している。

偏心量検出ユニット４１は、スピンベース１０上の基板Ｗの外周部に向けて光を発する発光ユニット４２と、発光ユニット４２から放出された光を受ける受光ユニット４３とを含む。発光ユニット４２および受光ユニット４３の一方は、支持位置の上方に配置されており、発光ユニット４２および受光ユニット４３の他方は、支持位置の下方に配置されている。図４は、発光ユニット４２が支持位置の下方に配置されており、受光ユニット４３が支持位置の上方に配置されている例を示している。

発光ユニット４２は、スピンチャック９のモータハウジング１３の中に配置されている。発光ユニット４２は、光源を含む発光部を備えている。発光ユニット４２の発光部は、モータハウジング１３を上下方向に貫通する透過穴の下方に配置されている。モータハウジング１３の透過穴は、発光部の光を透過する透過部材で覆われている。発光ユニット４２の光は、透明部材を通じてモータハウジング１３の外に放出される。

受光ユニット４３は、チャンバー４内に配置されたセンサーハウジング４４の中に配置されている。受光ユニット４３は、発光部の光を受ける受光部を含む。受光ユニット４３の受光部は、センサーハウジング４４を上下方向に貫通する透過穴の上方に配置されている。センサーハウジング４４の透過穴は、発光部の光を透過する透明部材で塞がれている。発光ユニット４２の光は、透明部材を通じてセンサーハウジング４４の中に入り、受光部に照射される。

スピンベース１０上に基板Ｗがない場合、発光ユニット４２の光は、ガード２０およびヒータ３０を上から見たときにガード２０の上端２０ｘ部の内周面とヒータ３０の外周面との間に形成される環状の空間ＳＰ１（図５参照）を上下方向に通り、ガード２０およびヒータ３０に遮られることなく受光ユニット４３に到達する。スピンベース１０上に基板Ｗがある場合、発光ユニット４２から放出された光の一部は基板Ｗの外周部で遮られる。したがって、制御装置３は、受光ユニット４３の検出値に基づいて、スピンベース１０上に基板Ｗがあるか否かを検出できる。

スピンベース１０上の基板Ｗが回転軸線Ａ１に対して偏心していない場合、基板Ｗを回転させても、受光ユニット４３に入射する光の幅が変化しない。基板Ｗが回転軸線Ａ１に対して偏心している場合、基板Ｗを回転させると、受光ユニット４３に入射する光の幅が変化する。したがって、制御装置３は、発光ユニット４２に光を放出させながら、基板Ｗを３６０度またはそれに近い角度で回転させることにより、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量と回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの中心Ｃ１の位置とを、受光ユニット４３の検出値に基づいて検出できる。

センタリングシステムは、偏心量検出ユニット４１の検出値に基づいて基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１の方に移動させるセンタリングユニット４５を含む。図４に示すように、センタリングユニット４５は、整流板８とガード２０との間に配置されている。薬液ノズル２２を保持するノズルアーム２５ａ（図１参照）は、センタリングユニット４５よりも上方に配置されている。図５に示すように、センタリングユニット４５は、薬液ノズル２２およびノズルアーム２５ａが通過する通過領域（ハッチングされた領域）よりも下方に配置されている。後述するユニットハウジング５６は、通過領域よりも下方に配置されており、平面視で通過領域に重なっている。

図６Ａに示すように、センタリングユニット４５は、スピンベース１０上の基板Ｗに接触するプッシャー４６と、プッシャー４６を水平に移動させるリニアモータ４９とを含む。センタリングユニット４５は、さらに、リニアモータ４９を支持するメインベース５２と、メインベース５２を支持するベースリング５４と、メインベース５２とベースリング５４との間に介在するスペーサー５３とを含む。

プッシャー４６は、リニアモータ４９に支持されている。リニアモータ４９は、メインベース５２上に配置されている。メインベース５２は、リニアモータ４９とガード２０との間に配置されている。メインベース５２は、スペーサー５３を介してベースリング５４に支持されている。メインベース５２は、ベースリング５４に固定されている。図５に示すように、ベースリング５４は、平面視で回転軸線Ａ１を取り囲む環状である。ベースリング５４の少なくとも一部は、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。

リニアモータ４９は、接触部の一例であるプッシャー４６を水平に移動させることにより、スピンチャック９に対して基板Ｗを水平に移動させるセンタリングアクチュエータの一例である。図６Ａに示すように、リニアモータ４９は、メインベース５２に固定された固定部材５０と、固定部材５０に対して移動可能な可動部材５１と、可動部材５１と共に移動する永久磁石と、永久磁石と共に可動部材５１を移動させる磁界を形成する電磁石とを含む。

可動部材５１は、固定部材５０の上方に配置されている。永久磁石および電磁石は、固定部材５０と可動部材５１との間に配置されている。プッシャー４６は、可動部材５１に取り付けられている。プッシャー４６は、可動部材５１と共に固定部材５０に対して移動する。プッシャー４６および可動部材５１の移動方向は、回転軸線Ａ１を通る鉛直な平面である基準面Ｐ１（図５参照）と平行な水平方向である。プッシャー４６および可動部材５１の移動方向は、後述するセンタリング工程において基板Ｗが移動する方向であるセンタリング方向（図６Ａの左右方向）と同じ方向である。

リニアモータ４９は、固定部材５０に対して可動部材５１を水平に移動させることにより、原点位置およびエンド位置の間でプッシャー４６を基板Ｗの径方向（回転軸線Ａ１に直交する方向）に直線移動させる。原点位置およびエンド位置は、プッシャー４６が通過する直線経路の両端の位置である。原点位置およびエンド位置は、固定された位置である。制御装置３は、リニアモータ４９を制御することにより、原点位置からエンド位置までの任意の位置でプッシャー４６を静止させる。

原点位置は、エンド位置よりも外側、つまり、基板Ｗの回転軸線Ａ１とは反対側の位置である。原点位置は、プッシャー４６の内端がガード２０の上端２０ｘよりも外側に配置される位置である。エンド位置は、プッシャー４６の内端がガード２０の上端２０ｘよりも内側に配置される位置である。エンド位置は、スピンベース１０上の基板Ｗがどのような偏心量で回転軸線Ａ１に対して偏心していてもプッシャー４６が基板Ｗに当たるように設定されている。

プッシャー４６は、スピンベース１０上の基板Ｗに接触する接触部の一例である。図５および図６Ａに示すように、プッシャー４６は、スピンベース１０上の基板Ｗに接触するハンド部４７と、ハンド部４７から外方に延びるアーム部４８とを含む。ハンド部４７は、アーム部４８を介してリニアモータ４９に支持されている。ハンド部４７およびアーム部４８は、ガード２０の上端２０ｘよりも上方に配置されている。ハンド部４７は、基板Ｗに接触する接触面４６ａを備えていてもよいし、基板Ｗに接触する２つの接触突起を備えていてもよい。図５は、接触面４６ａがハンド部４７に設けられている例を示している。

プッシャー４６の接触面４６ａの水平断面は、基板Ｗの方に開いたＶ字であってもよいし、基板Ｗの方に開いており基板Ｗよりも曲率半径が小さい円弧であってもよいし、これら以外の形状であってもよい。接触面４６ａがＶ字または円弧である場合、接触面４６ａの両端は、それぞれ、基準面Ｐ１に関して対称な２つの位置に配置される。同様に、接触面４６ａの代わりに２つの接触突起がハンド部４７に設けられている場合、２つの接触突起は、それぞれ、基準面Ｐ１に関して対称な２つの位置に配置される。そのため、プッシャー４６は、基準面Ｐ１に関して対称な２つの位置で基板Ｗに接触する。

図６Ｂに示すように、センタリングシステムは、センタリングユニット４５を収容する収容室５５をガード２０と共に形成するユニットハウジング５６を含む。リニアモータ４９は、ユニットハウジング５６に収容されている。ユニットハウジング５６は、リニアモータ４９を取り囲むケース５７と、リニアモータ４９の上方に配置された蓋５８とを含む。ケース５７は、収容室５５の周壁を形成しており、蓋５８は、収容室５５の上壁を形成している。ガード２０は、収容室５５の底の少なくとも一部を形成している。

ケース５７は、ガード２０に固定されている。ケース５７の上端部に設けられた開口部は、蓋５８で塞がれている。ケース５７と蓋５８との間の隙間は、シール部材ＳＬ１で密閉されている。蓋５８は、複数のボルトＢ１によって取り外し可能にケース５７に取り付けられている。ボルトＢ１を外せば、蓋５８をケース５７から外して、ケース５７の内部にアクセスすることができる。したがって、センタリングユニット４５のメンテナンスや部品の交換が容易である。

プッシャー４６のアーム部４８は、プッシャー４６の移動方向にケース５７を貫通する挿入穴５６ａに挿入されている。プッシャー４６のハンド部４７は、ユニットハウジング５６の外に配置されている。同様に、アーム部４８を取り囲む筒状のベローズ５９は、ユニットハウジング５６の外に配置されている。ベローズ５９の一端部は、プッシャー４６に固定されており、ベローズ５９の他端部は、ケース５７に固定されている。ベローズ５９は、プッシャー４６の移動に伴ってプッシャー４６の移動方向に伸縮する。挿入穴５６ａを介したユニットハウジング５６内への液体の浸入は、ベローズ５９によって防止される。

図５に示すように、リニアモータ４９の全部または一部は、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。プッシャー４６が原点位置に配置されているとき、プッシャー４６の全体が、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なる。このとき、リニアモータ４９およびプッシャー４６は、平面視でガード２０の上端２０ｘのまわりに配置されており、ガード２０の上端２０ｘに重なっていない。

図７は、センタリングユニット４５を昇降させるセンタリング用昇降ユニット６１の鉛直断面を示す模式図である。図８は、図７に示す矢印ＶＩＩＩの方向にセンタリング用昇降ユニット６１を見た模式図である。
図７および図８に示すように、センタリングシステムは、プッシャー４６およびリニアモータ４９を含むセンタリングユニット４５を昇降させるセンタリング用昇降ユニット６１を含む。センタリング用昇降ユニット６１は、ガード昇降ユニット２１を兼ねる。つまり、センタリング用昇降ユニット６１は、センタリングユニット４５を昇降させると共に、ガード２０を昇降させる。

図８に示すように、センタリング用昇降ユニット６１は、センタリングユニット４５を昇降させる動力を発生する昇降アクチュエータ６２と、昇降アクチュエータ６２の動力をセンタリングユニット４５に伝達する伝達機構６３とを含む。昇降アクチュエータ６２は、たとえば、電動モータなどのロータリーアクチュエータである。この場合、伝達機構６３は、昇降アクチュエータ６２から伝達された回転を直線運動に変換するボールネジ機構を含む。昇降アクチュエータ６２は、エアシリンダなどのリニアアクチュエータであってもよい。

図７に示すように、伝達機構６３は、ベースリング５４から下方に延びる支柱６４と、支柱６４に連結された昇降ベース６６とを含む。伝達機構６３は、さらに、ガード２０から昇降ベース６６に延びる昇降ブラケット６５を含む。支柱６４および昇降ブラケット６５は、昇降ベース６６に固定されている。支柱６４は、ガード２０を上下方向に貫通する貫通穴２０ｙに挿入されている。昇降ベース６６は、ガード２０の下方に配置されている。昇降アクチュエータ６２が動力を発生すると、昇降ベース６６が鉛直に移動し、センタリングユニット４５およびガード２０が、昇降ベース６６と同じ方向、速度、および移動量で鉛直に移動する。

制御装置３は、昇降アクチュエータ６２を制御することにより、上位置から下位置までの任意の高さに、センタリングユニット４５およびガード２０を位置させる。基板Ｗのセンタリングを行う場合、制御装置３は、センタリングユニット４５およびガード２０をセンタリング高さに位置させる。これにより、プッシャー４６がスピンベース１０上の基板Ｗの外周面に水平に対向する。このような高さであれば、センタリング高さは、上位置または下位置であってもよいいし、上位置および下位置の間の位置であってもよい。

次に、センタリング処理の一例について説明する。
以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。
図９は、センタリングシステムによって行われるセンタリング処理の一例について説明するためのフローチャートである。図１０Ａ〜図１０Ｄは、図９に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板Ｗおよびセンタリングユニット４５の動作の一例を示す模式図である。以下では、図４および図９を参照する。図１０Ａ〜図１０Ｄについては適宜参照する。

基板Ｗのセンタリングを行うときは、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量と回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの中心Ｃ１の位置とを測定する測定工程が行われる（図９のステップＳ１１）。
具体的には、前述の搬入工程（図９のステップＳ１）において基板Ｗがスピンベース１０の上に置かれた後、制御装置３が吸引バルブ１５を開き、基板Ｗをスピンベース１０に吸着させる。さらに、制御装置３は、基板Ｗの外周部に向けて発光ユニット４２に光を放出させる。この状態で、スピンモータ１２は、基板Ｗおよびスピンベース１０を３６０度回転させた後、その場で静止させる。このとき、プッシャー４６が基板Ｗの邪魔にならなければ、ガード２０およびセンタリングユニット４５はいずれの高さに配置されていてもよい。発光ユニット４２の発光は、基板Ｗの回転が停止された後に停止される。

図１０Ａに示すように、発光ユニット４２の光の一部は、スピンベース１０上の基板Ｗの外周部で遮られ、残りの光は、受光ユニット４３に入射する。発光ユニット４２が光を放出している状態で、基板Ｗを回転させると、基板Ｗに対する光の照射位置が、基板Ｗの外周部に沿って基板Ｗの回転方向に移動する。基板Ｗが回転軸線Ａ１に対して偏心していると、基板Ｗを回転させたときに受光ユニット４３に入射する光の幅が変化する。制御装置３は、受光ユニット４３の検出値に基づいて、回転軸線Ａ１から基板Ｗの中心Ｃ１までの最短距離と回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの中心Ｃ１の位置とを検出する。

回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量を検出した後は、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量が許容範囲内であるか否かを判定する偏心量判定工程が行われる（図９のステップＳ１２）。偏心量が許容範囲内である場合（図９のステップＳ１２でＹｅｓ）、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１の方に移動させるセンタリング工程が行われずに、前述の薬液供給工程（図９のステップＳ３）とそれ以降の工程とが行われる。偏心量が許容範囲外である場合（図９のステップＳ１２でＮｏ）、センタリング工程が行われる前に基板Ｗが配置される準備位置に基板Ｗが位置しているか否かを確認する位置確認工程が行われる（図９のステップＳ１３）。

具体的には、測定工程が行われた後は、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの中心Ｃ１の位置（回転軸線Ａ１まわりの角度と回転軸線Ａ１からの最短距離）が分かっている。制御装置３は、受光ユニット４３の検出値に基づいて基板Ｗが準備位置に位置しているか否かを確認する。準備位置は、基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１に重なり且つ平面視でプッシャー４６と基板Ｗの回転軸線Ａ１との間に位置する回転角である。図１０Ｂは、基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１に重なっていない状態を示している。

基板Ｗが準備位置に位置している場合（図９のステップＳ１３でＹｅｓ）、スピンモータ１２は、基板Ｗおよびスピンベース１０を回転させずにその場で静止させる。基板Ｗが準備位置に位置していない場合（図９のステップＳ１３でＮｏ）、スピンモータ１２は、基板Ｗおよびスピンベース１０を準備位置まで回転させて、準備位置で静止させる（準備工程 図９のステップＳ１４）。たとえば基板Ｗが図１０Ｂに示す状態にある場合、スピンモータ１２は、基板Ｗおよびスピンベース１０を時計回りに９０度回転させる。これにより、図１０Ｃに示すように、基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１に重なり、基板Ｗが準備位置に配置される。

次に、プッシャー４６で基板Ｗを水平に押すことにより、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１の方に移動させるセンタリング工程が行われる（図９のステップＳ１５）。
具体的には、基板Ｗが準備位置に位置しており、プッシャー４６が原点位置に位置している状態で、ガード昇降ユニット２１を兼ねるセンタリング用昇降ユニット６１が、ガード２０と共にセンタリングユニット４５をセンタリング高さまで上昇させる。センタリング高さは、プッシャー４６がスピンベース１０上に位置する基板Ｗの外周部と等しい高さに配置される高さである。したがって、センタリングユニット４５がセンタリング高さに配置されると、プッシャー４６が基板Ｗの外周部に水平に対向する。

センタリングユニット４５がセンタリング高さに配置された後は、吸引バルブ１５が閉じられ、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が解除される。この状態で、リニアモータ４９は、プッシャー４６を原点位置からセンタリング位置（図１０Ｄに示す位置）まで水平に移動させる。センタリング位置は、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量が許容範囲内の値まで減少する位置であり、測定工程で測定された基板Ｗの偏心量に基づいて設定される。つまり、測定工程で測定された基板Ｗの偏心量が異なれば、センタリング位置も異なる。センタリング位置は、原点位置とエンド位置との間の位置であってもよいし、エンド位置であってもよい。

プッシャー４６は、センタリング位置に到達する前に基板Ｗの外周面に接触し、その後、基板Ｗを回転軸線Ａ１の方に押す。プッシャー４６が基板Ｗを押しているときはスピンベース１０に対する基板Ｗの保持が解除されている。したがって、基板Ｗはスピンベース１０に接触した状態でスピンモータ１２に対して水平に移動する。これにより、プッシャー４６の移動方向と同じ方向であるセンタリング方向に基板Ｗが移動し、基板Ｗの中心Ｃ１が回転軸線Ａ１に近づく。図１０Ｄに示すように、プッシャー４６がセンタリング位置に到達すると、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量が許容範囲内の値まで減少する。

プッシャー４６がセンタリング位置に到達した後は、リニアモータ４９がプッシャー４６を原点位置に戻す。この間に、プッシャー４６が基板Ｗから離れる。吸引バルブ１５は、プッシャー４６がセンタリング位置に到達した後に開かれる。これにより、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が再開され、スピンベース１０に対する基板Ｗの移動が防止される。そのため、回転軸線Ａ１に対して基板Ｗがセンタリングされた状態を維持できる。

プッシャー４６が原点位置に戻り、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が再開された後は、測定工程を行ってもよいし（図９のステップＳ１１に戻る）、２回目の測定工程を行わずに前述の薬液供給工程（図９のステップＳ３）とそれ以降の工程とを行ってもよい。測定工程を再び行う場合、基板Ｗが確実にセンタリングされた状態で、薬液供給工程とそれ以降の工程とを行うことができる。

以上のように第１実施形態では、センタリングアクチュエータの一例であるリニアモータ４９が、接触部の一例であるプッシャー４６を水平に移動させる。これにより、スピンチャック９に対して基板Ｗが水平に移動し、基板Ｗの中心Ｃ１が基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく。その後、スピンチャック９に基板Ｗを回転させながら、薬液ノズル２２に薬液を供給させる。これにより、センタリングされた基板Ｗを薬液で処理できる。そのため、基板Ｗの外周部だけを処理するベベル処理や基板Ｗの上面または下面の全域を処理する全面処理の均一性を高めることができる。

回転している基板Ｗに供給された処理液は、基板Ｗから外方に飛散し、スピンチャック９を取り囲むガード２０に受け止められる。リニアモータ４９の少なくとも一部は、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。したがって、リニアモータ４９の全体がガード２０のまわりに配置されている場合やガード２０の下方に配置されている場合と比べて、基板処理装置１を小型化できる。これにより、基板処理装置１の大型化を抑制しながら、処理液の供給とセンタリングとを行うことができる。

第１実施形態では、リニアモータ４９の少なくとも一部だけでなく、プッシャー４６の少なくとも一部も、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。したがって、プッシャー４６の全体がガード２０のまわりに配置されている場合やプッシャー４６の下方に配置されている場合と比べて、基板処理装置１を小型化できる。これにより、基板処理装置１の大型化を抑制しながら、処理液の供給とセンタリングとを行うことができる。

第１実施形態では、プッシャー４６が水平に直線移動するので、プッシャー４６が通過する空間の体積を減らすことができる。さらに、リニアモータ４９の直線運動をプッシャー４６に伝達すれば、プッシャー４６が直線移動するので、リニアモータ４９の直線運動を変換する機構を設けなくてもよい。これにより、基板処理装置１の大型化をさらに抑制することができる。しかも、電動アクチュエータの一例であるリニアモータ４９がプッシャー４６を移動させるので、プッシャー４６の位置を高精度で制御できる。

第１実施形態では、リニアモータ４９が、ユニットハウジング５６によって形成された収容室５５に収容されている。したがって、リニアモータ４９に向かって飛散する処理液からリニアモータ４９を保護できる。さらに、ユニットハウジング５６だけでなく、ガード２０も収容室５５を形成しているので、ユニットハウジング５６だけが収容室５５を形成している場合と比べて、ユニットハウジング５６を小型化できる。

第１実施形態では、スピンチャック９に保持されている基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する薬液ノズル２２が、処理位置と待機位置との間で水平に移動する。ユニットハウジング５６とリニアモータ４９とプッシャー４６のうちの少なくとも一つは、薬液ノズル２２が通過する通過領域の下方に配置されており、平面視で通過領域に重なっている。つまり、通過領域の下方の空間が、ユニットハウジング５６等を配置する空間として利用されている。これにより、基板処理装置１内の空間を効率的に利用できるので、基板処理装置１の大型化を抑制できる。

第１実施形態では、センタリングユニット４５のプッシャー４６が、ユニットハウジング５６の挿入穴５６ａに挿入されている。シール部材の一例であるベローズ５９は、ユニットハウジング５６内またはユニットハウジング５６外でプッシャー４６を取り囲んでいる。挿入穴５６ａを介したユニットハウジング５６内への液体および雰囲気の浸入は、ベローズ５９によって防止される。これにより、リニアモータ４９などのユニットハウジング５６内に配置された部品が処理液で濡れることを防止でき、当該部品の腐食を防止できる。

第１実施形態では、センタリング用昇降ユニット６１が、ガード２０およびセンタリングユニット４５の両方を昇降させる。したがって、ガード２０を昇降させるガード昇降ユニット２１とセンタリングユニット４５を昇降させるセンタリング用昇降ユニット６１とが設けられている場合と比べて、基板処理装置１を小型化できる。さらに、基板処理装置１の部品点数が減少するので、基板処理装置１の製造時間を短縮できる。

第１実施形態では、センタリング用昇降ユニット６１の昇降アクチュエータ６２が、伝達機構６３の支柱６４を昇降させると、これに伴ってセンタリングユニット４５が昇降する。センタリング用昇降ユニット６１の支柱６４は、ガード２０のまわりに配置されているのではなく、ガード２０を上下方向に貫通する貫通穴２０ｙに挿入されている。したがって、支柱６４がガード２０のまわりに配置されている場合と比べて、基板処理装置１の大型化を抑制できる。

第１実施形態では、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量、つまり、回転軸線Ａ１から基板Ｗの中心Ｃ１までの最短距離が検出される。その後、センタリングユニット４５が、偏心量検出ユニット４１の検出値に基づく移動量で基板Ｗをスピンチャック９に対して水平に移動させる。これにより、基板Ｗがセンタリングされる。さらに、基板Ｗに非接触で偏心量が検出されるので、偏心量の検出中や検出後に基板Ｗがスピンチャック９に対して移動し難い。そのため、より高い精度で基板Ｗの偏心量を検出できる。

第１実施形態では、スピンチャック９の上に基板Ｗがある状態で、リニアモータ４９がプッシャー４６を水平に移動させる。これにより、プッシャー４６がスピンチャック９上の基板Ｗの外周部に接触し、スピンチャック９上の基板Ｗがプッシャー４６によって水平に押される。その結果、基板Ｗがスピンチャック９に対して水平に移動し、基板Ｗの中心Ｃ１が回転軸線Ａ１に近づく。これにより、基板Ｗがセンタリングされる。

第２実施形態
以下では、図１１〜図１４Ｅを参照して、本発明の第２実施形態について説明する。図１１〜図１４Ｅにおいて、前述の図１〜図１０Ｄに示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図１１は、本発明の第２実施形態に係るセンタリングシステムに備えられたセンタリングユニット４５Ｂを上から見た模式図である。図１２は、図１１に示すセンタリングシステムに備えられたセンタリングユニット４５Ｂの鉛直断面を示す模式図である。図１１および図１２は、リフター７１が原点位置に配置されている状態を示している。図１２において二点鎖線で示すリフター７１の位置は、リフター７１のエンド位置を表している。

図１２に示すように、センタリングユニット４５Ｂは、スピンベース１０上の基板Ｗに接触する２つのリフター７１と、２つのリフター７１をそれぞれ支持すると共に、２つのリフター７１を個別にセンタリング方向に移動させる２つのエアシリンダ７４と、２つのエアシリンダ７４を支持するスライドブラケット７５とを含む。後述するように、２つのリフター７１は、スピンベース１０上の基板Ｗを持ち上げたり、スピンベース１０上に基板Ｗを置いたりする。リフター７１は、スピンベース１０上の基板Ｗに接触する接触部の一例である。

図１１に示すように、２つのエアシリンダ７４は、回転軸線Ａ１まわりの角度が１８０度異なる２つの位置にそれぞれ配置されている。２つのエアシリンダ７４は、同じ高さに配置されている。２つのエアシリンダ７４は、センタリング方向に水平に対向している。スピンベース１０は、平面視で２つのエアシリンダ７４の間に配置されている。
エアシリンダ７４は、内部空間を有するシリンダ本体７４ａと、シリンダ本体７４ａの内部空間をエアシリンダ７４の軸方向に離れた２つの部屋に仕切るピストンと、シリンダ本体７４ａの端面からエアシリンダ７４の軸方向に突出しており、ピストンと共にエアシリンダ７４の軸方向に移動するロッド７４ｂとを含む。シリンダ本体７４ａは、スライドブラケット７５に固定されている。リフター７１は、ロッド７４ｂに取り付けられている。

リフター７１は、ロッド７４ｂと共にシリンダ本体７４ａおよびスライドブラケット７５に対してエアシリンダ７４の軸方向に移動する。エアシリンダ７４の軸方向は、センタリング方向に一致している。各エアシリンダ７４は、リフター７１の内端がガード２０の上端２０ｘよりも外側に配置される原点位置と、リフター７１の内端がガード２０の上端２０ｘよりも内側に配置されるエンド位置との間で、対応するリフター７１をセンタリング方向に直線移動させる。

図１２に示すように、２つのリフター７１は、同じ高さに配置されている。リフター７１は、ガード２０の上端２０ｘよりも上方に配置されている。２つのリフター７１は、センタリング方向に水平に対向している。リフター７１は、スピンベース１０上の基板Ｗに接触するハンド部７２と、ハンド部７２から外方に延びるアーム部７３とを含む。ハンド部７２は、アーム部７３を介してエアシリンダ７４に支持されている。

図１２に示すように、ハンド部７２は、リフター７１がエンド位置（図１２において二点鎖線で示すリフター７１の位置）に位置しているときに平面視で基板Ｗに重なる下壁部７２ａを含む。ハンド部７２は、下壁部７２ａに加えて、リフター７１がエンド位置に位置しているときに平面視で基板Ｗのまわりに配置される外壁部７２ｂを備えていてもよい。図１１および図１２は、下壁部７２ａおよび外壁部７２ｂの両方がリフター７１に設けられている例を示している。リフター７１のエンド位置は、平面視でリフター７１の下壁部７２ａが基板Ｗに重なり、平面視でリフター７１の外壁部７２ｂが基板Ｗに重ならないように設定されている。

リフター７１の下壁部７２ａは、基板Ｗの下面に接触する。下壁部７２ａは、基板Ｗに接触する接触面７１ａを備えていてもよいし、基板Ｗに接触する複数の接触突起を備えていてもよい。図１１および図１２は、接触面７１ａがリフター７１に設けられている例を示している。接触面７１ａは、基板Ｗの下面と平行な平坦面である。複数の接触突起の上端は、同じ高さに配置される。接触面７１ａおよび複数の接触突起のいずれがリフター７１に設けられる場合でも、２つのリフター７１の下壁部７２ａが基板Ｗの下面に接触すると、基板Ｗは、２つのリフター７１によって水平な姿勢で支持される。

図１２に示すように、２つのエアシリンダ７４は、スライドブラケット７５の上に配置されている。スライドブラケット７５は、２つのエアシリンダ７４の下方にそれぞれ配置された２つのベースプレート７６を含む。２つのベースプレート７６は、それぞれ、２つのエアシリンダ７４のシリンダ本体７４ａに固定されている。２つのベースプレート７６は、同じ高さに配置されている。

図１１に示すように、スライドブラケット７５は、さらに、２つのベースプレート７６を連結する１つ以上のジョイントアーム７７を含む。図１１は、ジョイントアーム７７の数が１つである例を示している。スライドブラケット７５は、２つのベースプレート７６に対して互いに反対側に配置された２つのジョイントアーム７７を備えていてもよい。ジョイントアーム７７は、回転軸線Ａ１上に位置する中心を有する平面視円弧状であってもよいし、これ以外の形状であってもよい。

ジョイントアーム７７の少なくとも一部は、２つのベースプレート７６と等しい高さに配置されていてもよいし、２つのベースプレート７６とは異なる高さに配置されていてもよい。図１２は、ジョイントアーム７７の一部が２つのベースプレート７６とは異なる高さに配置されている例を示している。この例では、ジョイントアーム７７は、２つのベースプレート７６からガード２０に向かって下方に延びる２つの垂下部７７ａと、２つの垂下部７７ａの下端部を連結する連結部７７ｂとを含む。連結部７７ｂは、上下方向に関して２つのベースプレート７６よりもガード２０の近くに配置されている。

図１２に示すように、センタリングユニット４５Ｂは、スライドブラケット７５をセンタリング方向に移動させるリニアモータ４９と、スライドブラケット７５をセンタリング方向に案内するリニアガイド７８と、リニアモータ４９およびリニアガイド７８をそれぞれ支持する２つのメインベース５２とを含む。リニアモータ４９は、接触部の一例である２つのリフター７１を水平に移動させることにより、スピンチャック９に対して基板Ｗを水平に移動させるセンタリングアクチュエータの一例である。

リニアモータ４９は、固定部材５０と可動部材５１とを含む。リニアガイド７８は、センタリング方向に延びるガイドレール７８ａと、ガイドレール７８ａによってセンタリング方向に案内されるスライドブロック７８ｂとを含む。リニアモータ４９は、スライドブラケット７５のベースプレート７６とメインベース５２との間に配置されている。同様に、リニアガイド７８は、スライドブラケット７５のベースプレート７６とメインベース５２との間に配置されている。２つのメインベース５２は、それぞれ、リニアモータ４９およびリニアガイド７８の下方に配置されている。

リニアガイド７８のガイドレール７８ａとリニアモータ４９の固定部材５０は、それぞれ、２つのメインベース５２に固定されている。リニアガイド７８のスライドブロック７８ｂとリニアモータ４９の可動部材５１は、それぞれ、２つのベースプレート７６に固定されている。リニアモータ４９が可動部材５１を移動させる力を発生すると、スライドブラケット７５は、リニアガイド７８によって案内されながらセンタリング方向に移動する。このとき、スライドブラケット７５に支持された２つのエアシリンダ７４と、２つのエアシリンダ７４に支持された２つのリフター７１は、スライドブラケット７５と同じ方向、速度、および移動量で水平に移動する。

図１１に示すように、リニアモータ４９の少なくとも一部は、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。リニアモータ４９の可動部材５１およびリフター７１が原点位置に配置されているとき、リフター７１の全体が、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。このとき、エアシリンダ７４の少なくとも一部とスライドブラケット７５の少なくとも一部とは、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。加えて、リフター７１、エアシリンダ７４、スライドブラケット７５、およびリニアモータ４９は、平面視でガード２０の上端２０ｘのまわりに配置されており、ガード２０の上端２０ｘに重なっていない。

図１２に示すように、センタリングシステムは、２つのエアシリンダ７４をそれぞれ収容する２つのユニットハウジング５６を含む。リニアモータ４９およびリニアガイド７８は、それぞれ、２つのユニットハウジング５６に収容されている。リフター７１のハンド部７２は、ユニットハウジング５６の外に配置されている。リフター７１のアーム部７３は、ユニットハウジング５６の挿入穴５６ａに挿入されている。挿入穴５６ａを介したユニットハウジング５６内への液体の浸入は、リフター７１およびユニットハウジング５６に取り付けられたベローズ５９（図６Ｂ参照）によって防止される。

図１１に示すように、センタリングシステムは、スライドブラケット７５を収容するブラケットハウジング７９を備えていてもよい。この場合、ブラケットハウジング７９は、スライドブラケット７５の露出部分（２つのユニットハウジング５６の外にある部分）の全体を平面視で覆っていてもよいし、露出部分の一部だけを平面視で覆っていてもよい。図１１は、ブラケットハウジング７９がスライドブラケット７５の露出部分の全体を平面視で覆っている例を示している。ブラケットハウジング７９は、ガード２０に取り付けられおり、ガード２０と共に昇降する。

図１２に示すように、各メインベース５２は、スペーサー５３を介してベースリング５４に支持されている。各メインベース５２は、ベースリング５４に固定されている。ベースリング５４は、平面視でスライドブラケット７５のまわりに配置されている。ベースリング５４の少なくとも一部は、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。ベースリング５４は、ガード２０に対して水平方向および鉛直方向に固定されている。

センタリング用昇降ユニット６１の動力は、ベースリング５４に伝達される。ベースリング５４が昇降すると、ガード２０およびメインベース５２は、ベースリング５４と同じ方向、速度、および移動量で鉛直に移動する。このとき、リフター７１、エアシリンダ７４、スライドブラケット７５、リニアモータ４９、およびリニアガイド７８等の２つのメインベース５２に支持された複数の部材も、ベースリング５４と同じ方向、速度、および移動量で鉛直に移動する。

ガード２０が下位置に配置されており、基板Ｗがスピンベース１０上に配置されている状態で、各リフター７１がエンド位置に配置されると、２つのリフター７１の下壁部７２ａが基板Ｗの下方に配置される。この状態で、センタリング用昇降ユニット６１がガード２０およびセンタリングユニット４５Ｂを上位置まで上昇させると、スピンベース１０上の基板Ｗが２つのリフター７１によって持ち上げられ、スピンベース１０から離れる（図１４Ｃ参照）。

２つのリフター７１が基板Ｗを水平に支持している状態で、リニアモータ４９がスライドブラケット７５をセンタリング方向に移動させると、２つのリフター７１に支持されている基板Ｗは、スライドブラケット７５と同じ方向、速度、および移動量で水平に移動する。これにより、基板Ｗの中心Ｃ１が回転軸線Ａ１に対して移動する。したがって、スライドブラケット７５の移動量を調整することにより、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１に近づけることができる。

次に、センタリング処理の一例について説明する。
以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。
図１３は、図１１に示すセンタリングシステムによって行われるセンタリング処理の一例について説明するためのフローチャートである。図１４Ａ〜図１４Ｅは、図１３に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板Ｗおよびセンタリングユニット４５Ｂの動作の一例を示す模式図である。以下では、図１１〜図１３を参照する。図１４Ａ〜図１４Ｅについては適宜参照する。

基板Ｗのセンタリングを行うときは、第１実施形態と同様に、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量と基板Ｗの中心Ｃ１の位置とを測定する測定工程が行われる（図１３のステップＳ１１）。その後、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量が許容範囲内であるか否かを判定する偏心量判定工程が行われる（図１３のステップＳ１２）。
偏心量が許容範囲内である場合（図１３のステップＳ１２でＹｅｓ）、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１の方に移動させるセンタリング工程が行われずに、前述の薬液供給工程（図１３のステップＳ３）とそれ以降の工程とが行われる。偏心量が許容範囲外である場合（図１３のステップＳ１２でＮｏ）、センタリング工程が行われる前に基板Ｗが配置される準備位置に基板Ｗが位置しているか否かを確認する位置確認工程が行われる（図１３のステップＳ１３）。

基板Ｗが準備位置に位置していない場合（図１３のステップＳ１３でＮｏ）、スピンモータ１２は、基板Ｗおよびスピンベース１０を準備位置まで回転させて、準備位置で静止させる（準備工程 図１３のステップＳ１４）。図１４Ａは、基板Ｗの中心Ｃ１が平面視で基準面Ｐ１に重なっており、基板Ｗが準備位置に配置されている状態を示している。
次に、スピンベース１０上の基板Ｗを２つのリフター７１で持ち上げるリフトアップ工程が行われる（図１３のステップＳ２１）。

具体的には、基板Ｗが準備位置に位置しており、２つのリフター７１が基板Ｗよりも下方に配置されている状態で、２つのエアシリンダ７４が２つのリフター７１を原点位置からエンド位置まで移動させる。図１４Ｂに示すように、これにより、各リフター７１の外壁部７２ｂが基板Ｗのまわりに配置されたまま、各リフター７１の下壁部７２ａが基板Ｗの下方に配置される。その後、吸引バルブ１５が閉じられ、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が解除される。

続いて、センタリング用昇降ユニット６１が、ガード２０およびセンタリングユニット４５Ｂをリフトアップ高さまで上昇させる。リフトアップ高さは、各リフター７１の下壁部７２ａが支持位置（スピンベース１０に支持されている基板Ｗが配置される位置）よりも上方に配置される高さである。リフター７１が上昇している間に、各リフター７１の下壁部７２ａが基板Ｗの下面に接触し、スピンベース１０が基板Ｗの下面から離れる。図１４Ｃに示すように、ガード２０およびセンタリングユニット４５Ｂがリフトアップ高さに到達すると、基板Ｗは、スピンベース１０から離れた状態で２つのリフター７１で水平に支持される。これにより、基板Ｗが２つのリフター７１で持ち上げられる。

次に、２つのリフター７１を水平に移動させることにより、２つのリフター７１に支持されている基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１の方に移動させるセンタリング工程が行われる（図１３のステップＳ２２）。
具体的には、図１４Ｄに示すように、リフター７１がリフトアップ高さに配置された後、リニアモータ４９がスライドブラケット７５を原点位置からセンタリング位置まで水平に移動させる。スライドブラケット７５が水平に移動すると、２つのエアシリンダ７４と２つのリフター７１が水平に移動し、２つのリフター７１に支持されている基板Ｗも水平に移動する。基板Ｗの中心Ｃ１は、スライドブラケット７５がセンタリング位置に近づくにしたがって回転軸線Ａ１に近づく。スライドブラケット７５がセンタリング位置に到達すると、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量が許容範囲内の値まで減少する。これにより、基板Ｗがセンタリングされる。

次に、２つのリフター７１に支持されている基板Ｗをスピンベース１０の上に置く載置工程が行われる（図１３のステップＳ２３）。
具体的には、リフター７１がセンタリング位置に配置された後、センタリング用昇降ユニット６１が、ガード２０およびセンタリングユニット４５Ｂをリフトアップ高さから載置高さまで下降させる。載置高さは、リフター７１の下壁部７２ａが支持位置よりも下方に位置する高さである。リフター７１が下降している間に、スピンベース１０が基板Ｗの下面に接触し、各リフター７１が基板Ｗの下面から離れる。図１４Ｅに示すように、ガード２０およびセンタリングユニット４５Ｂが載置高さに到達すると、基板Ｗは、スピンベース１０だけで支持される。これにより、基板Ｗがスピンベース１０の上に置かれる。

吸引バルブ１５は、リフター７１が載置高さに配置された後に開かれる。これにより、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が再開される。２つのエアシリンダ７４は、リフター７１が載置高さに配置された後に２つのリフター７１を原点位置まで退避させる。同様に、リニアモータ４９は、リフター７１が載置高さに配置された後にスライドブラケット７５を原点位置に移動させる。これにより、各リフター７１の内端がガード２０の上端２０ｘよりも外側に配置される。載置工程が行われた後は、測定工程を行ってもよいし（図１３のステップＳ１１に戻る）、２回目の測定工程を行わずに前述の薬液供給工程（図１３のステップＳ３）とそれ以降の工程とを行ってもよい。

第２実施形態では、第１実施形態に係る作用効果に加えて、次の作用効果を奏することができる。具体的には、第２実施形態では、スピンチャック９の上に基板Ｗがある状態で、センタリング用昇降ユニット６１が、接触部の一例である２つのリフター７１を上昇させる。これにより、各リフター７１が基板Ｗの下面に接触し、スピンチャック９上の基板Ｗが２つのリフター７１によって持ち上げられる。その後、リニアモータ４９が２つのリフター７１を水平に移動させる。

このとき、基板Ｗは、２つのリフター７１に支持された状態で２つのリフター７１と共に水平に移動する。その結果、基板Ｗがスピンチャック９に対して水平に移動し、基板Ｗの中心Ｃ１が回転軸線Ａ１に近づく。これにより、基板Ｗがセンタリングされる。さらに、スピンチャック９から上方に離れた状態で基板Ｗが移動するので、基板Ｗとスピンチャック９との摩擦を発生させずに基板Ｗをセンタリングできる。加えて、基板Ｗがスピンチャック９に擦れないので、より高い精度で基板Ｗをセンタリングできる。

第２実施形態では、リニアモータ４９がスライドブラケット７５を水平に移動させる。スライドブラケット７５に支持された２つのリフター７１は、スライドブラケット７５の移動に伴って、スライドブラケット７５と同じ方向、速度、および移動量で水平に移動する。これにより、２つのリフター７１に支持されている基板Ｗを水平に移動させることができる。さらに、１つのリニアモータ４９が２つのリフター７１を水平に移動させるので、２つのリフター７１にそれぞれ対応する２つのアクチュエータを設けなくてもよい。

第２実施形態では、センタリング用昇降ユニット６１が、ガード２０を昇降させるガード昇降ユニット２１を兼ねている。言い換えると、ガード昇降ユニット２１を利用して、スピンチャック９上の基板Ｗを２つのリフター７１で持ち上げたり、２つのリフター７１に支持されている基板Ｗをスピンチャック９の上に置いたりする。したがって、センタリング用昇降ユニット６１がガード昇降ユニット２１とは別のユニットである場合と比べて、基板処理装置１を小型化できる。

第３実施形態
以下では、図１５〜図１９Ｃを参照して、本発明の第３実施形態について説明する。図１５〜図１９Ｃにおいて、前述の図１〜図１４Ｅに示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図１５は、本発明の第３実施形態に係るセンタリングシステムに備えられたセンタリングユニット４５Ｃを上から見た模式図である。図１６は、図１５に示すＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿うセンタリングユニット４５Ｃの鉛直断面を示す模式図である。図１７は、図１５に示すＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿うセンタリングユニット４５Ｃの鉛直断面を示す模式図である。図１５〜図１７は、プッシャー４６およびストッパー８１が原点位置に配置されている状態を示している。

図１５に示すように、センタリングユニット４５Ｃは、スピンベース１０上の基板Ｗに接触する２つのストッパー８１と、２つのストッパー８１をそれぞれ支持すると共に、２つのストッパー８１を個別に移動させる２つのエアシリンダ７４とを含む。センタリングユニット４５Ｃは、さらに、スピンベース１０上の基板Ｗに接触する２つのプッシャー４６と、２つのプッシャー４６をそれぞれ支持すると共に、２つのプッシャー４６を個別にセンタリング方向に移動させる２つのリニアモータ４９とを含む。

ストッパー８１は、スピンベース１０上の基板Ｗに接触する接触部の一例である。ストッパー８１は、スピンベース１０上の基板Ｗに接触するハンド部８２と、ハンド部８２から外方に延びるアーム部８３とを含む。ハンド部８２は、アーム部８３を介してエアシリンダ７４に支持されている。エアシリンダ７４は、基板Ｗの径方向にストッパー８１を直線移動させることにより、原点位置とエンド位置との間でストッパー８１を往復させる。

ストッパー８１の原点位置およびエンド位置は、ストッパー８１が通過する直線経路の両端の位置である。原点位置およびエンド位置は、固定された位置である。原点位置は、ストッパー８１の内端がガード２０の上端２０ｘよりも外側に配置される位置である。エンド位置は、ストッパー８１の内端がガード２０の上端２０ｘよりも内側に配置される位置である。ストッパー８１がエンド位置に近づく方向は、進出方向である。ストッパー８１が原点位置に近づく方向は、退避方向である。基板Ｗの径方向は、進出方向および退避方向の両方を含む方向である。

リニアモータ４９は、原点位置およびエンド位置の間でプッシャー４６をセンタリング方向に直線移動させる。プッシャー４６の原点位置は、プッシャー４６の内端がガード２０の上端２０ｘよりも外側に配置される位置である。プッシャー４６のエンド位置は、プッシャー４６の内端がガード２０の上端２０ｘよりも内側に配置される位置である。制御装置３は、リニアモータ４９を制御することにより、原点位置からエンド位置までの任意の位置でプッシャー４６を静止させる。

２つのストッパー８１と２つのプッシャー４６は、同じ高さに配置されている。２つのストッパー８１がエンド位置に配置されているとき、２つのストッパー８１は、基準面Ｐ１に関して対称であり、回転軸線Ａ１に対してセンタリング方向に偏った２つの位置にそれぞれ配置される（図１９Ａ参照）。その一方で、２つのプッシャー４６は、平面視で基準面Ｐ１に重なる２つの位置にそれぞれ配置されている。２つのプッシャー４６は、センタリング方向に対向している。プッシャー４６は、基準面Ｐ１上で直線的に移動する。

図１５の右側のプッシャー４６は、２つのストッパー８１と共に、スピンベース１０上の基板Ｗを準備位置に位置決めする位置決めプッシャー４６Ｌである。図１５の左側のプッシャー４６は、基板Ｗを押すことにより基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１の方に移動させるセンタリングプッシャー４６Ｃである。位置決めプッシャー４６Ｌと２つのストッパー８１とは、基準面Ｐ１に直交し回転軸線Ａ１を通る鉛直な平面である直交面Ｐ２に対して互いに反対側に配置されている。

以下では、位置決めプッシャー４６Ｌに対応するリニアモータ４９を、位置決めリニアモータ４９Ｌともいい、センタリングプッシャー４６Ｃに対応するリニアモータ４９を、センタリングリニアモータ４９Ｃともいう。位置決めプッシャー４６Ｌに対応するリニアモータ４９は、位置決めアクチュエータの一例である。センタリングプッシャー４６Ｃに対応するリニアモータ４９は、センタリングアクチュエータの一例である。

図１５に示すように、リニアモータ４９の全部または一部は、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。プッシャー４６が原点位置に配置されているとき、プッシャー４６の全体が、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なる。同様に、エアシリンダ７４の全部または一部は、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。ストッパー８１が原点位置に配置されているとき、ストッパー８１の全体が、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なる。

センタリングシステムは、２つのエアシリンダ７４と２つのリニアモータ４９を収容する４つのユニットハウジング５６を含む。２つのエアシリンダ７４は、それぞれ、２つのユニットハウジング５６に収容されている。２つのリニアモータ４９は、それぞれ、残り２つのユニットハウジング５６に収容されている。図１７に示すように、ストッパー８１のハンド部８２は、ユニットハウジング５６の外に配置されている。ストッパー８１のアーム部８３は、ユニットハウジング５６の挿入穴５６ａに挿入されている。挿入穴５６ａを介したユニットハウジング５６内への液体の浸入は、ストッパー８１およびユニットハウジング５６に取り付けられたベローズ５９（図６Ｂ参照）によって防止される。

図１６および図１７に示すように、センタリングユニット４５Ｃは、２つエアシリンダ７４と２つのリニアモータ４９を支持する４つのメインベース５２と、４つのスペーサー５３を介して４つのメインベース５２を支持するベースリング５４とを含む。２つエアシリンダ７４は、それぞれ、２つのメインベース５２の上に配置されている。２つリニアモータ４９は、それぞれ、残り２つのメインベース５２の上に配置されている。各メインベース５２は、ベースリング５４に固定されている。

センタリング用昇降ユニット６１の動力は、ベースリング５４に伝達される。ベースリング５４が昇降すると、ガード２０およびメインベース５２は、ベースリング５４と同じ方向、速度、および移動量で鉛直に移動する。このとき、ストッパー８１、エアシリンダ７４、プッシャー４６、およびリニアモータ４９等の４つのメインベース５２に支持された複数の部材も、ベースリング５４と同じ方向、速度、および移動量で鉛直に移動する。

図１５に示すように、センタリングシステムは、第１実施形態に係る偏心量検出ユニット４１に代えてまたは加えて、スピンベース１０上に位置する基板Ｗの偏心量を検出する偏心量検出ユニット４１Ｃを含む。偏心量検出ユニット４１Ｃは、スピンベース１０上に配置された基板Ｗの外周縁上の測定点までの距離を測定する距離センサー４２Ｃを含む。距離センサー４２Ｃは、ガード２０の上に配置されており、ガード２０およびセンタリングユニット４５Ｃの少なくとも一方に取り付けられている。距離センサー４２Ｃは、ガード２０およびセンタリングユニット４５Ｃと共に昇降する。

距離センサー４２Ｃは、光源を含む発光部と、発光部の光を受ける受光部と、発光部および受光部を収容するセンサーハウジングとを含む。距離センサー４２Ｃは、スピンベース１０上の基板Ｗの外周部に光を照射し、基板Ｗの外周部で反射した光を受ける。距離センサー４２Ｃから基板Ｗの外周縁までの距離は、距離センサー４２Ｃの検出値に基づいて計算される。距離センサー４２Ｃの検出値は、制御装置３に入力される。距離センサー４２Ｃの光が照射される測定点は、基板Ｗの外周縁上の位置であれば、いずれの位置であってもよい。

次に、センタリング処理の一例について説明する。
以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。
図１８は、図１５に示すセンタリングシステムによって行われるセンタリング処理の一例について説明するためのフローチャートである。図１９Ａ〜図１９Ｃは、図１８に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板Ｗおよびセンタリングユニット４５Ｃの動作の一例を示す模式図である。以下では、図１５〜図１８を参照する。図１９Ａ〜図１９Ｃについては適宜参照する。

基板Ｗのセンタリングを行うときは、２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとで基板Ｗを水平に挟むことにより、基板Ｗを準備位置に配置する準備工程が行われる（図１８のステップＳ３１）。
具体的には、前述の搬入工程（図１８のステップＳ１）において基板Ｗがスピンベース１０の上に置かれた後、センタリング用昇降ユニット６１が、ガード２０と共にセンタリングユニット４５Ｃをセンタリング高さまで上昇させる。センタリング高さは、各プッシャー４６と各ストッパー８１とが、基板Ｗの外周部と等しい高さに配置される高さである。センタリングユニット４５Ｃがセンタリング高さに配置されると、２つのプッシャー４６と２つのストッパー８１とが基板Ｗの外周部に水平に対向する。

センタリングユニット４５Ｃがセンタリング高さに配置された後は、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が解除されている状態で、２つのエアシリンダ７４が２つのストッパー８１を原点位置からエンド位置（図１９Ａに示す位置）まで移動させる。その後、位置決めリニアモータ４９Ｌが位置決めプッシャー４６Ｌを原点位置から接触位置（図１９Ａに示す位置）まで移動させる。

図１９Ａに示すように、２つのストッパー８１のエンド位置は、基準面Ｐ１に関して対称な位置である。位置決めプッシャー４６Ｌの接触位置は、２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとが基板Ｗに接触し、基板Ｗが２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとで水平に挟まれる位置である。ストッパー８１のエンド位置は、固定された位置である一方、位置決めプッシャー４６Ｌの接触位置は、基板Ｗの外径に応じて変化する位置である。たとえば基板Ｗの外径が設計中央値よりも大きければ、接触位置は、回転軸線Ａ１から離れる方向に移動する。

位置決めプッシャー４６Ｌは、接触位置に到達したとき、または接触位置に到達する前に基板Ｗの外周部に接触する。図１９Ａに示すように、位置決めプッシャー４６Ｌが接触位置に配置されると、２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとが基板Ｗの外周部に接触し、基板Ｗが２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとで水平に挟まれる。

準備位置とは異なる位置に基板Ｗが配置されている場合、基板Ｗは、２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとの少なくとも一つによって押され、準備位置に近づく。位置決めプッシャー４６Ｌが接触位置に配置されると、基板Ｗは準備位置に配置される。図１９Ａに示すように、準備位置は、基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１に重なり且つ平面視でセンタリングプッシャー４６Ｃと回転軸線Ａ１との間に位置する位置である。これにより、基板Ｗの中心Ｃ１が２つのプッシャー４６の間に配置される。

なお、位置決めプッシャー４６Ｌが接触位置に配置されると、位置決めプッシャー４６Ｌが基板Ｗを２つのストッパー８１の方に押すので、ストッパー８１を原点位置の方に移動させる力が各ストッパー８１に加わる。しかしながら、この力は、エアシリンダ７４がストッパー８１をエンド位置に保持する力よりも小さい。したがって、エンド位置は、基板Ｗの外径に応じて変化せず、接触位置だけが、基板Ｗの外径に応じて変化する。基板Ｗが２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとで挟まれたか否かは、位置決めプッシャー４６Ｌに加わる圧力を検出する圧力センサーの検出値に基づいて制御装置３が判断してもよい。

準備工程が行われた後は、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量を測定する測定工程が行われる（図１８のステップＳ３２）。
具体的には、図１９Ｂに示すように、制御装置３は、基板Ｗが準備位置に配置されている状態で距離センサー４２Ｃに発光させて、準備位置に配置されている基板Ｗの外周縁上の測定点から距離センサー４２Ｃまでの距離を距離センサー４２Ｃに測定させる。測定点は、準備位置に配置されている基板Ｗの外周縁上の位置であれば、いずれの位置であってもよい。

前述の準備工程では、各ストッパー８１がエンド位置され、位置決めプッシャー４６Ｌが接触位置に配置される。接触位置が基板Ｗの外径に応じて変化する一方で、エンド位置は基板Ｗの外径に応じて変化しない。つまり、エンド位置は固定された位置である。２つのエンド位置が分かっているので、基板Ｗの外周縁と距離センサー４２Ｃとの間の距離が分かれば、基板Ｗの外周縁を通る３つ以上の点の位置が分かる。したがって、制御装置３は、距離センサー４２Ｃの検出値に基づいて基板Ｗの外径と回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量とを計算することができる。

基板Ｗの外周縁と距離センサー４２Ｃとの間の距離が測定されている間、各ストッパー８１は、エンド位置に配置されていてもよいし、基板Ｗから離れた位置に配置されていてもよい。同様に、位置決めプッシャー４６Ｌは、接触位置に配置されていてもよいし、基板Ｗから離れた位置に配置されていてもよい。
図１９Ｃに示すように、基板Ｗの外周縁と距離センサー４２Ｃとの間の距離の測定が終わると、２つのエアシリンダ７４が２つのストッパー８１を原点位置に移動させ、位置決めリニアモータ４９Ｌが位置決めプッシャー４６Ｌを原点位置に移動させる。これにより、２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとが基板Ｗから離れる。

測定工程が行われた後は、センタリングプッシャー４６Ｃで基板Ｗを水平に押すことにより、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１の方に移動させるセンタリング工程が行われる（図１８のステップＳ３３）。
具体的には、図１９Ｃに示すように、基板Ｗが準備位置に位置しており、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が解除されている状態で、センタリングリニアモータ４９Ｃがセンタリングプッシャー４６Ｃをセンタリング位置まで移動させる。センタリング位置は、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量が許容範囲内の値まで減少する位置であり、測定工程で測定された基板Ｗの偏心量に基づいて設定される。センタリング位置は、原点位置とエンド位置との間の位置であってもよいし、エンド位置であってもよい。

センタリングプッシャー４６Ｃは、センタリング位置に到達する前に基板Ｗの外周面に接触し、その後、基板Ｗを回転軸線Ａ１の方に押す。センタリングプッシャー４６Ｃが基板Ｗを押しているときはスピンベース１０に対する基板Ｗの保持が解除されている。したがって、基板Ｗはスピンベース１０に接触した状態でスピンモータ１２に対して水平に移動する。これにより、基板Ｗの中心Ｃ１が回転軸線Ａ１に近づけられる。センタリングプッシャー４６Ｃがセンタリング位置に到達すると、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量が許容範囲内の値まで減少する。

その後、センタリングリニアモータ４９Ｃがセンタリングプッシャー４６Ｃを原点位置に戻す。この間に、センタリングプッシャー４６Ｃが基板Ｗから離れる。吸引バルブ１５は、センタリングプッシャー４６Ｃがセンタリング位置に到達した後に開かれる。センタリングプッシャー４６Ｃが原点位置に戻り、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が再開された後は、測定工程を行ってもよいし（図１８のステップＳ３２に戻る）、２回目の測定工程を行わずに前述の薬液供給工程（図１８のステップＳ３）とそれ以降の工程とを行ってもよい。

第３実施形態では、第１実施形態に係る作用効果に加えて、次の作用効果を奏することができる。具体的には、第３実施形態では、位置決めアクチュエータの一例である位置決めリニアモータ４９Ｌが位置決めプッシャー４６Ｌを水平に移動させる。これにより、スピンチャック９上の基板Ｗが２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとによって水平に挟まれる。

２つのストッパー８１は、基準面Ｐ１に関して対称な２つの位置にそれぞれ配置されている。基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１に対してずれている場合、つまり、基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１上に位置していない場合、基板Ｗは、２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとによって、基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１に重なる準備位置に案内されその場に位置決めされる。

センタリングプッシャー４６Ｃは、基準面Ｐ１と平行な水平方向であるセンタリング方向に基板Ｗを押す。これにより、基板Ｗがスピンチャック９に対して水平に移動する。このとき、基板Ｗの中心Ｃ１は、基準面Ｐ１上を回転軸線Ａ１の方に移動する。これにより、基板Ｗの中心Ｃ１が回転軸線Ａ１に近づき、基板Ｗがセンタリングされる。
第４実施形態
以下では、図２０〜図２３Ｄを参照して、本発明の第４実施形態について説明する。図２０〜図２３Ｄにおいて、前述の図１〜図１９Ｃに示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

図２０は、本発明の第４実施形態に係るセンタリングシステムに備えられたセンタリングユニット４５Ｄを上から見た模式図である。図２０は、プッシャー４６が原点位置に配置されている状態を示している。
センタリングユニット４５Ｄは、スピンベース１０上の基板Ｗに接触する２つのプッシャー４６と、２つのプッシャー４６をセンタリング方向に個別に移動させる２つのリニアモータ４９とを含む。センタリングユニット４５Ｄは、さらに、２つのリニアモータ４９をそれぞれ支持する２つのメインベース５２と、２つのスペーサー５３を介して２つのメインベース５２を支持するベースリング５４とを含む。２つのリニアモータ４９は、それぞれ、２つのユニットハウジング５６に収容されている。

２つのプッシャー４６は、同じ高さに配置されている。２つのプッシャー４６は、回転軸線Ａ１まわりの角度が１８０度異なる２つの位置にそれぞれ配置されている。２つのプッシャー４６は、平面視で基準面Ｐ１に重なっている。２つのプッシャー４６は、センタリング方向に対向している。プッシャー４６は、基準面Ｐ１上で直線的に移動可能である。

リニアモータ４９の全部または一部は、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なっている。プッシャー４６が原点位置に配置されているとき、プッシャー４６の全体が、ガード２０の上方に配置されており、平面視でガード２０に重なる。２つリニアモータ４９は、それぞれ、２つのメインベース５２の上に配置されている。各メインベース５２は、ベースリング５４に固定されている。

センタリング用昇降ユニット６１の動力は、ベースリング５４に伝達される。ベースリング５４が昇降すると、ガード２０およびメインベース５２は、ベースリング５４と同じ方向、速度、および移動量で鉛直に移動する。このとき、プッシャー４６、およびリニアモータ４９等の２つのメインベース５２に支持された複数の部材も、ベースリング５４と同じ方向、速度、および移動量で鉛直に移動する。

次に、センタリング処理の一例について説明する。
最初に、センタリング処理が行われているときの基板Ｗおよびセンタリングユニット４５Ｄの動作の一例について説明する。その後、センタリング処理が行われているときの基板Ｗおよびセンタリングユニット４５Ｄの動作の他の例について説明する。センタリング処理の流れの概要は、各例で同じである。以下の各工程は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。

図２１は、図２０に示すセンタリングシステムによって行われるセンタリング処理の一例について説明するためのフローチャートである。図２２Ａ〜図２２Ｄは、図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板Ｗおよびセンタリングユニット４５Ｄの動作の一例を示す模式図である。以下では、図２０および図２１を参照する。図２２Ａ〜図２２Ｄについては適宜参照する。

基板Ｗのセンタリングを行うときは、基板Ｗを準備位置に配置する準備工程が行われる（図２１のステップＳ４１）。
具体的には、前述の搬入工程（図２１のステップＳ１）において基板Ｗがスピンベース１０の上に置かれた後、各プッシャー４６が原点位置に位置している状態で、センタリング用昇降ユニット６１が、ガード２０と共にセンタリングユニット４５Ｄをセンタリング高さまで上昇させる。センタリング高さは、各プッシャー４６が基板Ｗの外周部と等しい高さに配置される高さである。センタリングユニット４５Ｄがセンタリング高さに配置されると、２つのプッシャー４６が基板Ｗの外周部に水平に対向する。

その後、図２２Ｂに示すように、右側のリニアモータ４９だけが右側のプッシャー４６を原点位置から挟持位置に移動させる。挟持位置は、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれる位置である。右側のプッシャー４６は、挟持位置に向かって移動している間に、基板Ｗの外周部に接触し、原点位置に位置する左側のプッシャー４６の方に基板Ｗを押す。

図２２Ｂに示すように、右側のプッシャー４６が挟持位置に配置されると、両方のプッシャー４６が基板Ｗの外周部に接触し、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれる。原点位置から挟持位置までの右側のプッシャー４６の移動量（距離Ｄ２）は、制御装置３に記憶される。図２２Ｂは、原点位置から挟持位置までの距離Ｄ２が距離ｙであることを示している。

各プッシャー４６は、基準面Ｐ１に関して対称な２つの位置で基板Ｗの外周部に接触する。基板Ｗが準備位置とは異なる位置に配置されている場合、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれるまでに、２つのプッシャー４６の少なくとも一方によって基板Ｗが水平に押され、基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１上に配置される。これにより、基板Ｗが準備位置に配置される。図２２Ａは、基板Ｗが準備位置とは異なる位置に配置されている状態を示しており、図２２Ｂは、基板Ｗが準備位置に配置された状態を示している。

準備工程が行われた後は、プッシャー４６で基板Ｗを水平に押すことにより、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１の方に移動させるセンタリング工程が行われる（図２１のステップＳ４２）。
具体的には、図２２Ｃに示すように、右側のリニアモータ４９が、右側のプッシャー４６をセンタリング位置に移動させる。センタリング位置は、挟持位置と原点位置との“中間”の位置である。つまり、原点位置からセンタリング位置までの距離は、センタリング位置から挟持位置までの距離の半分である。図２２Ｃは、原点位置からセンタリング位置までの距離Ｄ２が距離ｙ／２であることを示している。右側のプッシャー４６がセンタリング位置の方に移動すると、左側のプッシャー４６が基板Ｗの外周部に接触した状態で、右側のプッシャー４６が基板Ｗから離れる。

図２２Ｄに示すように、左側のリニアモータ４９は、右側のプッシャー４６が基板Ｗから離れた後、左側のプッシャー４６を原点位置からセンタリング位置に移動させる。センタリング位置は、基板Ｗの外周部がセンタリング位置に位置している右側のプッシャー４６に接触し、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれる位置である。左側のプッシャー４６は、センタリング位置に到達するまでの間、基板Ｗを右側のプッシャー４６の方に押す。

左側のプッシャー４６がセンタリング位置に近づくにしたがって、基板Ｗの中心Ｃ１は、基準面Ｐ１上に位置しながら回転軸線Ａ１に近づく。図２２Ｄに示すように、左側のプッシャー４６がセンタリング位置に到達すると、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれると共に、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量が許容範囲内の値まで減少する。その後、２つのリニアモータ４９がそれぞれ２つのプッシャー４６を原点位置に移動させる。さらに、吸引バルブ１５が開かれ、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が再開される。

２つのプッシャー４６が原点位置に戻り、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が再開された後は、第１実施形態に係る測定工程（図９のステップＳ１１）を行ってもよいし、測定工程を行わずに前述の薬液供給工程（図２１のステップＳ３）とそれ以降の工程とを行ってもよい。測定工程を行う場合、基板Ｗが確実にセンタリングされた状態で、薬液供給工程とそれ以降の工程とを行うことができる。

次に、センタリング処理の一例が行われているときの基板Ｗおよびセンタリングユニット４５Ｄの動作の他の例について説明する。
図２３Ａ〜図２３Ｄは、図２０に示すセンタリング処理の一例が行われているときの基板Ｗおよびセンタリングユニット４５Ｄの動作の他の例を示す模式図である。以下では、図２０および図２１を参照する。図２３Ａ〜図２３Ｄについては適宜参照する。

基板Ｗのセンタリングを行うときは、基板Ｗを準備位置に配置する準備工程が行われる（図２１のステップＳ４１）。
具体的には、前述の搬入工程（図２１のステップＳ１）において基板Ｗがスピンベース１０の上に置かれた後、各プッシャー４６が原点位置に位置している状態で、センタリング用昇降ユニット６１が、ガード２０と共にセンタリングユニット４５Ｄをセンタリング高さまで上昇させる。センタリング高さは、各プッシャー４６が基板Ｗの外周部と等しい高さに配置される高さである。センタリングユニット４５Ｄがセンタリング高さに配置されると、２つのプッシャー４６が基板Ｗの外周部に水平に対向する。

その後、図２３Ｂに示すように、２つのリニアモータ４９がそれぞれ２つのプッシャー４６を原点位置から挟持位置に移動させる。挟持位置は、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれる位置である。２つのプッシャー４６の挟持位置は、基準面Ｐ１に直交し回転軸線Ａ１を通る鉛直な平面である直交面Ｐ２に関して対称な位置であってもよいし、直交面Ｐ２に関して非対称な位置であってもよい。挟持位置は、固定された位置ではなく、基板Ｗの大きさに応じて変化する位置である。

原点位置から挟持位置までの各プッシャー４６の移動量（距離Ｄ１および距離Ｄ２）は、制御装置３に記憶される。図２３Ｂは、距離Ｄ２（右側のプッシャー４６の移動量）が距離ｙであり、距離Ｄ１（左側のプッシャー４６の移動量）が距離ｘであることを示している。図２３Ｂに示すように、２つのプッシャー４６が挟持位置に配置されると、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれる。

基板Ｗが準備位置とは異なる位置に配置されている場合、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれるまでに、２つのプッシャー４６の少なくとも一方によって基板Ｗが水平に押され、基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１上に配置される。これにより、基板Ｗが準備位置に配置される。図２３Ａは、基板Ｗが準備位置とは異なる位置に配置されている状態を示しており、図２３Ｂは、基板Ｗが準備位置に配置された状態を示している。

準備工程が行われた後は、プッシャー４６で基板Ｗを水平に押すことにより、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１の方に移動させるセンタリング工程が行われる（図２１のステップＳ４２）。
具体的には、図２３Ｃに示すように、距離ｙが距離ｘよりもより大きい場合、右側のプッシャー４６をセンタリング位置まで原点位置の方に戻す。センタリング位置は、挟持位置と原点位置との間の位置である。原点位置からセンタリング位置までの距離は、原点位置から挟持位置までの右側のプッシャー４６の移動量（距離ｙ）と原点位置から挟持位置までの左側のプッシャー４６の移動量（距離ｘ）との和の１／２である。図２３Ｃは、原点位置からセンタリング位置までの距離Ｄ２が距離（ｘ＋ｙ）／２であることを示している。

図２３Ｃに示すように、右側のプッシャー４６のセンタリング位置は挟持位置に対して原点位置側なので、右側のプッシャー４６がセンタリング位置の方に移動すると、右側のプッシャー４６が基板Ｗから離れる。右側のプッシャー４６が基板Ｗから離れた後、左側のリニアモータ４９が、左側のプッシャー４６を挟持位置からセンタリング位置に移動させる。このとき、左側のリニアモータ４９は、左側のプッシャー４６を挟持位置から原点位置に戻した後にセンタリング位置に移動させてもよいし、原点位置に戻さずに挟持位置からセンタリング位置に移動させてもよい。

左側のプッシャー４６のセンタリング位置は、左側のプッシャー４６の挟持位置よりも回転軸線Ａ１側の位置である。左側のプッシャー４６のセンタリング位置は、センタリング位置に位置している右側のプッシャー４６に基板Ｗの外周部が接触し、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれる位置である。スピンベース１０上の基板Ｗは、左側のプッシャー４６によって押され、右側のプッシャー４６の方に移動する。

左側のプッシャー４６がセンタリング位置に近づくにしたがって、基板Ｗの中心Ｃ１は、基準面Ｐ１上に位置しながら回転軸線Ａ１に近づく。図２３Ｄに示すように、左側のプッシャー４６がセンタリング位置に到達すると、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれると共に、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量が許容範囲内の値まで減少する。その後、２つのリニアモータ４９がそれぞれ２つのプッシャー４６を原点位置に移動させる。さらに、吸引バルブ１５が開かれ、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が再開される。

２つのプッシャー４６が原点位置に戻り、スピンベース１０に対する基板Ｗの保持が再開された後は、第１実施形態に係る測定工程（図９のステップＳ１１）を行ってもよいし、測定工程を行わずに前述の薬液供給工程（図２１のステップＳ３）とそれ以降の工程とを行ってもよい。測定工程を行う場合、基板Ｗが確実にセンタリングされた状態で、薬液供給工程とそれ以降の工程とを行うことができる。

第４実施形態では、第１実施形態に係る作用効果に加えて、次の作用効果を奏することができる。具体的には、第４実施形態では、２つのプッシャー４６の少なくとも一方がセンタリング方向に移動する。これにより、スピンチャック９上の基板Ｗが２つのプッシャー４６によって水平に挟まれる。各プッシャー４６のハンド部４７は、基準面Ｐ１に関して対称な２つの位置でスピンチャック９上の基板Ｗの外周部に接触する。基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１に対してずれている場合、基板Ｗは、２つのプッシャー４６によって、基板Ｗの中心Ｃ１が基準面Ｐ１に重なる準備位置に案内されその場に位置決めされる。

基板Ｗが準備位置に配置された後は、一方のプッシャー４６が基板Ｗをセンタリング方向に押す。これにより、基板Ｗがスピンチャック９に対して水平に移動し、基板Ｗの中心Ｃ１が、基準面Ｐ１上を回転軸線Ａ１の方に移動する。このように、一対のプッシャー４６は、基板Ｗを準備位置に配置するだけでなく、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１に近づけるので、別々の部材が基板Ｗの位置決めと基板Ｗのセンタリングとを行う場合と比べて、基板処理装置１の部品点数を減らすことができる。

他の実施形態
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、ガード２０およびユニットハウジング５６ではなく、ユニットハウジング５６だけが収容室５５を形成していてもよい。

リニアモータ４９などのユニットハウジング５６内に収容される部品が防水されているのであれば、ユニットハウジング５６を省略してもよい。
処理カップ１７は、複数のガード２０を備えていてもよい。この場合、複数の天井部２０ａは、上下方向に重ねられ、複数の筒状部２０ｂは、同心円状に配置される。センタリングユニット４５、４５Ｂ、４５Ｃ、４５Ｄは、最も上に位置する天井部２０ａを備えるガード２０に設けられる。

図２４に示すように、センタリング用昇降ユニット６１の支柱６４は、ガード２０の貫通穴２０ｙ（図７参照）内ではなく、ガード２０のまわりに配置されていてもよい。図２４に示すように、センタリング用昇降ユニット６１は、ガード２０を昇降させるガード昇降ユニット２１とは別のユニットであってもよい。後者の場合、ガード２０の昇降とは独立してセンタリングユニット４５を昇降させることができる。さらに、ガード昇降ユニット２１がガード２０およびセンタリングユニット４５の両方を昇降させる場合と比べて、ガード昇降ユニット２１を小型化できる。

センタリング用昇降ユニット６１がガード昇降ユニット２１とは別のユニットである場合、ガード昇降ユニット２１の昇降アクチュエータの動力は、昇降ブラケット６５を介してガード２０に伝達される。この場合、センタリング用昇降ユニット６１の支柱６４とガード昇降ユニット２１の昇降ブラケット６５とは、互いに異なる位相（回転軸線Ａ１まわりの角度）に配置されていてもよいし、ガード２０の貫通穴２０ｙ（図７参照）とガード２０のまわりの位置のいずれに支柱６４が配置されていてもよい。

図２５に示すように、ユニットハウジング５６Ｅ全体が、ボルトＢ１によって、取り外し可能にガード２０に取り付けられていてもよい。図２６に示すように、センタリングユニット４５が、ガード２０の天井部２０ａの上面から下方に凹んだ収容溝８４に収容されていてもよい。この場合、収容溝８４の開口は、ユニットハウジング５６Ｄに含まれる蓋５８で塞がれていてもよい。

基板Ｗの処理は、基板Ｗの外周部だけに処理液を供給するベベル処理ではなく、基板Ｗの上面または下面の全域に処理液を供給する全面処理であってもよい。
第３実施形態において、第３実施形態に係る測定工程（図１８のステップＳ３２）の代わりに、第１実施形態に係る測定工程（図９のステップＳ１１）を実施してもよい。
第３実施形態の準備位置は、基板Ｗの中心Ｃ１が平面視でセンタリングプッシャー４６Ｃと回転軸線Ａ１との間に位置する位置ではなく、基板Ｗの中心Ｃ１が平面視で位置決めプッシャー４６Ｌと回転軸線Ａ１との間に位置する位置であってもよい。

この場合、基板Ｗを準備位置に配置した後に位置決めプッシャー４６Ｌで基板Ｗを水平に押せば、基板Ｗの中心Ｃ１を回転軸線Ａ１に近づけることができるので、センタリングプッシャー４６Ｃおよびセンタリングリニアモータ４９Ｃを省略してもよい。言い換えると、位置決めプッシャー４６Ｌおよび位置決めリニアモータ４９Ｌがそれぞれセンタリングプッシャー４６Ｃおよびセンタリングリニアモータ４９Ｃを兼ねていてもよい。

第３実施形態において、基板Ｗが２つのストッパー８１と位置決めプッシャー４６Ｌとで水平に挟まれたときに、各ストッパー８１がエンド位置から移動しない強さで位置決めプッシャー４６Ｌを基板Ｗに押し付けるのであれば、位置決めアクチュエータは、リニアモータ４９ではなく、エアシリンダ７４であってもよい。
第４実施形態において、準備工程（図２１のステップＳ４１）の前に、第１実施形態に係る測定工程（図９のステップＳ１１）および偏心量判定工程（図９のステップＳ１２）を実施してもよい。

第４実施形態のセンタリング工程（図２１のステップＳ４２）において、両方のプッシャー４６をセンタリング位置に配置するのではなく、右側のプッシャー４６を原点位置に位置させたまま、左側のプッシャー４６をセンタリング位置に移動させてもよい。ただし、両方のプッシャー４６をセンタリング位置に配置すると、基板Ｗが２つのプッシャー４６で水平に挟まれるので、一方のプッシャー４６だけをセンタリング位置に配置する場合と比べて、より高い精度で基板Ｗを位置決めできる。

前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の２つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ ：基板処理装置
３ ：制御装置
９ ：スピンチャック（基板保持手段）
１０ ：スピンベース
１２ ：スピンモータ
２０ ：ガード
２０ｙ ：ガードの貫通穴
２１ ：ガード昇降ユニット
２２ ：薬液ノズル（処理液供給手段）
２５ ：ノズル移動ユニット
２５ａ ：ノズルアーム
２５ｂ ：駆動ユニット
２６ ：リンス液ノズル（処理液供給手段）
４１、４１Ｃ ：偏心量検出ユニット
４２ ：発光ユニット
４２Ｃ ：距離センサー
４３ ：受光ユニット
４５、４５Ｂ、４５Ｃ、４５Ｄ ：センタリングユニット
４６ ：プッシャー（接触部）
４６Ｃ ：センタリングプッシャー（接触部）
４６Ｌ ：位置決めプッシャー（接触部）
４７ ：ハンド部
４９ ：リニアモータ（センタリングアクチュエータ）
４９Ｃ ：センタリングリニアモータ（センタリングアクチュエータ）
４９Ｌ ：位置決めリニアモータ（位置決めアクチュエータ）
５０ ：固定部材
５１ ：可動部材
５２ ：メインベース
５３ ：スペーサー
５４ ：ベースリング
５５ ：収容室
５６、５６Ｅ、５６Ｆ ：ユニットハウジング
５６ａ ：挿入穴
５７ ：ケース
５８ ：蓋
５９ ：ベローズ（シール部材）
６１ ：センタリング用昇降ユニット
６２ ：昇降アクチュエータ
６３ ：伝達機構
６４ ：支柱
６５ ：昇降ブラケット
６６ ：昇降ベース
７１ ：リフター（接触部）
７２ ：ハンド部
７２ａ ：下壁部
７２ｂ ：外壁部
７３ ：アーム部
７４ ：エアシリンダ
７５ ：スライドブラケット
７６ ：ベースプレート
７７ ：ジョイントアーム
７７ａ ：垂下部
７７ｂ ：連結部
７８ ：リニアガイド
７９ ：ブラケットハウジング
８１ ：ストッパー（接触部）
Ａ１ ：回転軸線
Ｃ１ ：基板の中心
Ｐ１ ：基準面
Ｐ２ ：直交面
Ｗ ：基板

Claims (22)

1. 円板状の基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持手段と、
   前記基板保持手段に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給手段と、
   前記基板保持手段を取り囲んでおり、前記基板保持手段に保持されている前記基板から外方に飛散した処理液を受け止める筒状のガードと、
   前記基板保持手段上の前記基板に接触する少なくとも一つの接触部と、前記少なくとも一つの接触部を水平に移動させることにより前記基板保持手段に対して前記基板を水平に移動させて、前記基板の中心を前記回転軸線に近づけるセンタリングアクチュエータとを含み、前記センタリングアクチュエータの少なくとも一部が平面視で前記ガードに重なるように前記ガードの上方に配置された、センタリングユニットと、
   前記ガードの上方に配置され、前記センタリングアクチュエータを収容する収容室を形成するユニットハウジングとを備える、基板処理装置。
2. 前記接触部の少なくとも一部は、前記基板に接触していないときに、平面視で前記ガードに重なるように前記ガードの上方に配置されている、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記センタリングアクチュエータは、前記少なくとも一つの接触部を水平に直線移動させるリニアモータである、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記ユニットハウジングは前記収容室を前記ガードと共に形成している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記処理液供給手段は、前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルから吐出された処理液が前記基板保持手段に保持されている前記基板の上面に供給される処理位置と、前記ノズルが平面視で前記ガードのまわりに位置する待機位置と、の間で前記ノズルを水平に移動させるノズル移動ユニットとを含み、
   前記ユニットハウジングと前記センタリングアクチュエータと前記少なくとも一つの接触部のうちの少なくとも一つは、前記ノズルが通過する通過領域の下方に配置されており、平面視で前記通過領域に重なっている、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記ユニットハウジングは、前記接触部が挿入された挿入穴を含み、
   前記基板処理装置は、前記接触部を取り囲んでおり、前記挿入穴を介した前記ユニットハウジング内への液体の浸入を防止するシール部材をさらに備える、請求項４または５に記載の基板処理装置。
7. 前記ガードおよびセンタリングユニットを昇降させる昇降ユニットをさらに備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記ガードを昇降させるガード昇降ユニットと、
   前記ガードとは独立して前記センタリングユニットを昇降させる、前記ガード昇降ユニットとは別のセンタリング用昇降ユニットとをさらに備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記基板処理装置は、前記センタリングユニットを昇降させる動力を発生する昇降アクチュエータと、前記昇降アクチュエータの動力を前記センタリングユニットに伝達する伝達機構と、を含む昇降ユニットをさらに備え、
   前記伝達機構は、前記ガードを上下方向に貫通する貫通穴に挿入されており、前記センタリングユニットと共に昇降する支柱を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記基板保持手段上の前記基板に接触せずに前記回転軸線に対する前記基板の偏心量を検出する偏心量検出ユニットをさらに備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 前記少なくとも一つの接触部は、前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触することにより前記基板保持手段上の前記基板を水平に押すプッシャーを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
12. 前記少なくとも一つの接触部は、前記基板保持手段上の前記基板の下面に接触することにより前記基板保持手段上の前記基板を持ち上げる２つのリフターを含み、
    前記基板処理装置は、前記２つのリフターを昇降させるセンタリング用昇降ユニットをさらに備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 前記センタリングユニットは、前記２つのリフターのそれぞれを支持しており、前記センタリングアクチュエータによって水平に駆動されるスライドブラケットをさらに含む、請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 前記基板処理装置は、前記ガードを昇降させるガード昇降ユニットをさらに備え、
    前記センタリング用昇降ユニットは、前記ガード昇降ユニットと同じユニットである、請求項１２または１３に記載の基板処理装置。
15. 前記少なくとも一つの接触部は、
    前記回転軸線を通る鉛直な平面である基準面に関して対称な２つの位置にそれぞれ配置される２つのストッパーと、
    前記基板保持手段上の前記基板の外周部が前記２つのストッパーに接触するまで前記基板保持手段上の前記基板を前記２つのストッパーの方に水平に押す位置決めプッシャーと、
    前記基板保持手段上の前記基板が前記２つのストッパーと前記位置決めプッシャーとによって水平に挟まれた後に、前記基板保持手段上の前記基板を前記基準面と平行な水平方向であるセンタリング方向に押すことにより前記基板の中心を前記回転軸線の方に移動させるセンタリングプッシャーとを含み、
    前記センタリングユニットは、前記位置決めプッシャーを水平に移動させることにより前記基板保持手段上の前記基板を前記２つのストッパーと前記位置決めプッシャーとで水平に挟む位置決めアクチュエータをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
16. 前記少なくとも一つの接触部は、前記回転軸線を通る鉛直な平面である基準面と平行な水平方向であるセンタリング方向に移動可能であり、前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触することにより前記基板保持手段上の前記基板を水平に挟む２つのプッシャーを含み、
    前記２つのプッシャーのそれぞれは、前記基準面に関して対称な２つの位置で前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触するハンド部を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
17. 円板状の基板を基板保持手段に水平に保持させながら、前記基板保持手段に前記基板を前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持工程と、
    前記基板保持工程と並行して、処理液供給手段に処理液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給させる処理液供給工程と、
    前記処理液供給工程と並行して、前記基板保持手段を取り囲む筒状のガードに前記基板保持手段に保持されている前記基板から外方に飛散した処理液を受け止めさせる処理液捕獲工程と、
    前記処理液供給工程が行われる前に、前記ガードの上方に配置されたユニットハウジングに収容されており、少なくとも一部が平面視で前記ガードに重なるように前記ガードの上方に配置されたセンタリングアクチュエータに、前記基板保持手段上の前記基板に接触する少なくとも一つの接触部を水平に移動させることにより、前記基板保持手段に対して前記基板を水平に移動させて、前記基板の中心を前記回転軸線に近づけるセンタリング工程とを含む、基板処理方法。
18. 前記センタリング工程は、前記少なくとも一つの接触部に含まれるプッシャーを前記センタリングアクチュエータに水平に移動させることにより、前記プッシャーを前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触させて、前記基板保持手段上の前記基板を前記プッシャーで水平に押す工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法。
19. 前記基板処理方法は、前記少なくとも一つの接触部に含まれる２つのリフターをセンタリング用昇降ユニットによって上昇させることにより、前記２つのリフターを前記基板保持手段上の前記基板の下面に接触させて、前記基板を前記２つのリフターで持ち上げるリフトアップ工程をさらに含み、
    前記センタリング工程は、前記リフトアップ工程において前記基板が前記２つのリフターに支持されている状態で、前記センタリングアクチュエータに前記２つのリフターを水平に移動させることにより、前記基板保持手段に対して前記基板を水平に移動させる工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法。
20. 前記基板処理方法は、位置決めアクチュエータに位置決めプッシャーを水平に移動させることにより、前記回転軸線を通る鉛直な平面である基準面に関して対称な２つの位置にそれぞれ配置された２つのストッパーと前記位置決めプッシャーとで前記基板を水平に挟む準備工程をさらに含み、
    前記センタリング工程は、前記準備工程の後、前記少なくとも一つの接触部に含まれるセンタリングプッシャーを前記センタリングアクチュエータに水平に移動させることにより、前記センタリングプッシャーを前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触させて、前記基板保持手段上の前記基板を前記基準面と平行な水平方向であるセンタリング方向に前記センタリングプッシャーで押す工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法。
21. 前記少なくとも一つの接触部は、前記回転軸線を通る鉛直な平面である基準面と平行な水平方向であるセンタリング方向に移動可能であり、前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触することにより前記基板保持手段上の前記基板を水平に挟む２つのプッシャーを含み、
    前記２つのプッシャーのそれぞれは、前記基準面に関して対称な２つの位置で前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触するハンド部を含み、
    前記基板処理方法は、前記センタリングアクチュエータに前記２つのプッシャーを前記センタリング方向に移動させることにより、前記基板保持手段上の前記基板を前記２つのプッシャーのハンド部で水平に挟む準備工程をさらに含み、
    前記センタリング工程は、前記準備工程の後、前記センタリングアクチュエータに前記２つのプッシャーの一方を前記センタリング方向に移動させることにより、前記プッシャーを前記基板保持手段上の前記基板の外周部に接触させて、前記基板保持手段上の前記基板を前記プッシャーで水平に押す工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法。
22. 前記ユニットハウジングは、前記センタリングアクチュエータを収容する収容室を前記ガードと共に形成している、請求項１７に記載の基板処理方法。

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