JP7497262B2 - 基板処理装置および基板位置調整方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置と、当該基板処理装置を用いた基板位置調整方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。

下記特許文献１には、基板より小さい円板状のスピンチャックと、基板の下面周縁部に沿う環状のヒータと、基板の上面に処理液を供給するノズルと含む基板処理装置が開示されている。この基板処理装置では、基板の周縁部を加熱しながら、基板の上面の周縁部を処理液で処理する基板処理が行われる。

特開２０１７－１１０１５号公報

特許文献１に開示されている基板処理装置では、スピンチャックに基板を配置する際、基板が偏心配置されることがある。
そこで、この発明の１つの目的は、基板の偏心量を良好に低減できる基板処理装置および基板位置調整方法を提供することである。

この発明の一実施形態は、円板状の基板を水平な姿勢に保持する保持面を有するベースと、前記ベースを鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転ユニットと、前記保持面に保持されている基板の周縁部を加熱する加熱ユニットと、光を発する発光部および前記発光部から発せられた光を受ける受光部を有し、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記発光部と前記受光部との間の検出空間内に位置するときに前記回転軸線に対する当該基板の偏心量を測定する偏心量測定ユニットと、前記検出空間に存在する雰囲気を前記検出空間外の雰囲気で置換する雰囲気置換ユニットとを備える、基板処理装置を提供する。

この基板処理装置では、保持面に保持されている基板の周縁部が発光部と受光部との間に位置するときに、偏心量測定ユニットがベースの回転軸線に対する基板の偏心量を測定する。
基板の周縁部は、加熱ユニットによって加熱されるため、基板の周縁部の付近の空間において雰囲気の揺らぎが生じる。詳しくは、基板の周縁部に接する比較的温度が高い雰囲気とその周囲の雰囲気とが混ざり合って雰囲気が攪拌される。雰囲気が攪拌されることによって基板の周縁部の付近の空間の屈折率にむらが生じる。

基板の偏心量は、発光部と受光部との間の検出空間に基板の周縁部が位置する状態で測定されるため、検出空間にも雰囲気の揺らぎが生じ、検出空間の屈折率にむらが生じる。空間の屈折率にむらが生じると、発光部が発する光の到達位置がずれ、偏心量測定ユニットの検出精度が悪化する。
そこで、検出空間に存在する雰囲気を、雰囲気置換ユニットを用いて検出空間外の雰囲気で置換する構成であれば、基板の周縁部が検出空間内に位置するときに検出空間における雰囲気の揺らぎを解消できる。その結果、偏心量測定ユニットの検出精度を向上させることができるので、基板の偏心量を良好に低減できる。

この発明の一実施形態では、前記雰囲気置換ユニットが、前記検出空間に向けて気体を供給する気体供給ユニットを含む。そのため、検出空間内の雰囲気が、気体供給ユニットから供給される気体によって押し出され、気体供給ユニットから供給される気体によって良好に置換される。
この発明の一実施形態では、前記加熱ユニットが、前記保持面に保持されている基板の周縁部に対向するヒータを含む。前記気体供給ユニットが、前記検出空間において、前記保持面に保持されている基板の周縁部と前記ヒータとの間の部分に向かって気体を吐出する。

基板の周縁部とヒータとの間の雰囲気は、ヒータによって加熱されやすく、周囲の雰囲気との温度差が生じやすい。そのため、基板の周縁部とヒータとの間の雰囲気には特に揺らぎが発生しやすい。そこで、基板の周縁部とヒータとの間の空間に向かって気体を吐出すれば、検出空間における揺らぎの原因となる基板の周縁部とヒータとの間の雰囲気を効果的に置換できる。したがって、検出空間における雰囲気の揺らぎを一層解消できる。

この発明の一実施形態では、前記気体供給ユニットが、前記発光部と前記受光部との対向方向に沿って並ぶ複数の気体吐出口を含む。そのため、対向方向に沿って並ぶ複数の気体吐出口から吐出される気体によって、基板の周縁部の付近の部分の雰囲気だけでなく、検出空間の全体において雰囲気が置換される。そのため、偏心量測定ユニットの検出精度を向上させることができる。

この発明の一実施形態では、前記気体供給ユニットが、複数の前記気体吐出口をそれぞれ有する複数の固定気体ノズルと、複数の前記固定気体ノズルが共通に取り付けられる取付プレートとを含む。そして、前記固定気体ノズルが、前記取付プレートに取り付けられる取付部と、前記取付部と一体に形成され、前記気体吐出口が設けられた吐出部とを含む。

複数の固定気体ノズルが取付プレートに取り付けられており、固定気体ノズルの取付部および吐出部が一体に形成されている。そのため、固定気体ノズルを取付プレートに対して強固に固定でき、固定気体ノズル同士の位置関係を強固に固定できる。したがって、検出空間に向けて気体を的確に供給できる。
この発明の一実施形態では、前記気体供給ユニットが、前記発光部および前記受光部とともに移動し、前記検出空間に気体を供給する移動気体ノズルヘッドであって、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記検出空間内に位置する検出位置と、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記検出空間外に位置する退避位置との間で移動する移動気体ノズルヘッドを含む。そのため、移動気体ノズルが検出位置に位置するときに検出空間に気体を吐出して検出空間内の空気を気体で置換することで、偏心量測定ユニットの検出精度を向上できる。これにより、基板の偏心量を良好に低減できる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記ベースを収容するチャンバをさらに備える。そして、前記雰囲気置換ユニットが、前記チャンバ内の空間への給気および前記チャンバ内の空間からの排気を行う給排気ユニットを含む。そのため、チャンバ内の空間を給気および排気する際に、検出空間内の雰囲気を検出空間外の雰囲気で良好に置換できる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記保持面に保持されている基板を取り囲むガードであって、前記ガードの上端部が当該基板の上面よりも上方に位置する上位置と前記ガードの上端部が当該基板の上面よりも下方に位置する下位置との間で移動するように構成されているガードをさらに含む。前記給排気ユニットが、前記チャンバ内の雰囲気を排気する排気ダクトと、前記チャンバ内に雰囲気を供給し、前記排気ダクトに向かう気流を前記チャンバ内に形成する気流形成ユニットとを含む。そして、前記ガードは、前記ガードが前記上位置に位置するときに前記気流が前記保持面に保持されている基板の周縁部と前記ガードとの間を通り、前記ガードが前記下位置に位置するときに前記気流が前記ガードの外側を通るように前記気流の経路を切り替える。

この構成によれば、ガードが上位置に位置するときには、チャンバ内において排気ダクトに向かう気流が基板の周縁部とガードとの間を通り、ガードが下位置に位置するときには、気流がガードの外側を通る。
そのため、ガードを上位置に配置することによって、基板の周縁部の周りの雰囲気を、気流によって運ばれる気体で置換できる。これにより、基板の周縁部が検出空間内に位置するときに検出空間における雰囲気の揺らぎを解消できる。その結果、偏心量測定ユニットの検出精度を向上させることができるので、基板の偏心量を良好に低減できる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記保持面上の基板を前記ベースに対して移動させて、当該基板の中心部を前記回転軸線に近づけるセンタリングユニットをさらに備える。したがって、偏心量測定ユニットが測定する偏心量に基づいて、基板の中心部が回転軸線に近づくようにベースに対して基板をセンタリングユニットが移動させることによって、基板の偏心量が低減される。
この発明の一実施形態では、前記センタリングユニットが、前記保持面に保持されている基板を持ち上げたり、当該持ち上げた基板を前記保持面に載置したりするように構成されているリフタと、前記リフタを水平移動させることで、当該基板の中心部を前記回転軸線に近づけるリフタ水平移動機構とを含む。
この構成によれば、保持面に保持されている基板をリフタによって持ち上げた状態で、リフタを水平移動させて基板の中心部を回転軸線に近づけることで、偏心量を低減できる。

この発明の一実施形態では、前記リフタが、複数設けられている。複数の前記リフタが、前記保持面に保持されている基板よりも下方から当該基板に対向する対向部を有する。そして、前記センタリングユニットが、前記対向部を前記保持面よりも上方の第１位置と、前記対向部を前記保持面よりも下方の第２位置との間で鉛直方向に移動させるリフタ鉛直移動機構をさらに含む。

この構成によれば、複数のリフタを第１位置に移動させることで、複数のリフタで基板を持ち上げて下方から支持することができる。基板を支持している複数のリフタをベースに対して水平方向へ移動させて基板の中心部を回転軸線に近づけることで、偏心量を低減できる。その後、複数のリフタを第２位置へ移動させることで、基板を保持面に保持させることができる。

この発明の一実施形態では、前記リフタが複数設けられている。複数の前記リフタが、前記保持面に保持されている基板の周縁部に水平方向から対向する第１対向面を有する第１リフタと、前記保持面に保持されている基板の周縁部に前記第１対向面とは反対側から水平方向から対向する第２対向面を有する第２リフタとを含む。前記リフタ水平移動機構が、前記第１リフタおよび前記第２リフタを個別に水平移動させる第１リフタ水平移動機構と、前記第１リフタおよび前記第２リフタを一体に水平移動させる第２リフタ水平移動機構とを含む。前記第１対向面および前記第２対向面は、上方に向かうにしたがって互いに離間するように水平方向に対して傾斜する。

この構成によれば、第１水平移動機構は、第１リフタおよび第２リフタを水平方向に個別に移動させることができる。第１水平移動機構によって、第１リフタおよび第２リフタが互いに近づくように第１リフタおよび第２リフタを水平方向に移動させることによって、第１対向面および第２対向面が基板の周縁部に当接する。第１対向面および第２対向面は、上方に向かうにしたがって互いに離間するように水平方向に対して傾斜する。そのため、第１対向面および第２対向面は、基板を保持面から持ち上げて下方から支持できる。第１対向面および第２対向面が基板を下方から支持する状態を維持しながら、第２リフタ水平移動機構によって第１リフタおよび第２リフタを水平方向へ移動させることによって、基板の中心部を回転軸線に近づけることができる。これにより、偏心量を低減できる。

この発明の他の実施形態は、円板状の基板の周縁部にヒータが対向するように、ベースの保持面に前記基板を水平な姿勢で保持させる基板保持工程と、発光部および受光部を有するセンサの前記発光部および前記受光部の間の空間である検出空間に前記基板の周縁部が位置する状態で、前記検出空間に存在する雰囲気を前記検出空間外の雰囲気で置換する雰囲気置換工程と、前記雰囲気置換工程の実行中に、鉛直な回転軸線まわりに前記ベースを回転させながら前記回転軸線に対する当該基板の偏心量を前記センサによって検出する偏心量測定工程と、前記偏心量測定工程によって検出された偏心量に応じて、前記基板を前記ベースに対して移動させることによって、前記基板の中心部を前記回転軸線に近づける位置合わせ工程とを含む、基板位置調整方法を提供する。

この方法によれば、雰囲気置換工程によって発光部および受光部の間の検出空間に存在する雰囲気を検出空間外の置換することによって、検出空間における雰囲気の揺らぎを解消できる。検出空間に存在する雰囲気の置換を継続しながらセンサによって基板の偏心量を測定すれば、検出空間における雰囲気の揺らぎを解消した状態で、偏心量を測定できる。これにより、偏心量を精度良く検出できるので、基板の偏心量を良好に低減できる。

この発明の他の実施形態によれば、前記雰囲気置換工程が、前記検出空間に向けて気体を供給する気体供給工程を含む。そのため、検出空間に存在する雰囲気が、気体供給ユニットから供給される気体によって押し出され、気体供給ユニットから供給される気体によって良好に置換される。
この発明の他の実施形態によれば、前記雰囲気置換工程が、前記基板を取り囲むガードであって、当該ガードの上端部が当該基板の上面よりも上方に位置する上位置と当該ガードの上端部が当該基板の上面よりも下方に位置する下位置との間で移動するように構成されているガードの上端部を前記上位置に配置することによって、前記ガードおよび前記ベースを収容するチャンバ内で前記基板の周縁部と前記ガードとの間を通って排気ダクトに向かって流れる気流を形成する気流形成工程を含む。

この方法によれば、ガードが上位置に位置するときには、チャンバ内において排気ダクトに向かう気流が基板の周縁部とガードとの間を通り、ガードが下位置に位置するときには、気流がガードの外側を通る。したがって、ガードを上位置に配置することによって、基板の周縁部の周りの雰囲気を気流によって運ばれる気体で置換できる。そのため、基板の周縁部が検出空間内に位置するときに検出空間における雰囲気の揺らぎを解消できる。その結果、偏心量測定ユニットの検出精度を向上させることができるので、基板の偏心量を良好に低減できる。

図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の内部構成を示す図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成例を説明するための模式図である。 図３は、前記処理ユニットに備えられるスピンチャックおよびその周辺の模式的な平面図である。 図４は、前記処理ユニットに備えられる加熱ユニットの周辺の断面図である。 図５は、前記処理ユニットに備えられる移動気体ノズルヘッドおよびセンサの構成を説明するための模式図である。 図６は、前記処理ユニットに備えられるセンタリングユニットの周辺の断面図である。 図７は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を示すブロック図である。 図８は、前記基板処理装置によって実行される基板処理の一例を説明するための流れ図である。 図９は、前記基板処理における基板位置調整処理（ステップＳ２）について説明するための流れ図である。 図１０Ａは、前記基板位置調整処理の一例が行われているときの基板の様子を説明するための模式図である。 図１０Ｂは、前記基板位置調整処理の一例が行われているときの基板の様子を説明するための模式図である。 図１０Ｃは、前記基板位置調整処理の一例が行われているときの基板の様子を説明するための模式図である。 図１１は、検出空間内の雰囲気の置換が行われる前後における偏心量の測定値の違いを説明するためのグラフである。 図１２は、第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成例を説明するための模式図である。 図１３は、第２実施形態に係る処理ユニットの模式的な平面図である。 図１４Ａは、前記処理ユニットに備えられる複数の固定気体ノズルを水平方向から見た模式図である。 図１４Ｂは、複数の前記固定気体ノズルの周辺の斜視図である。 図１４Ｃは、複数の前記固定気体ノズルの平面図である。 図１５は、第２実施形態に係る処理ユニットに備えられるセンタリングユニットの周辺の断面図である。 図１６は、第２実施形態に係る基板処理における基板位置調整処理（ステップＳ２）について説明するための流れ図である。 図１７Ａは、第２実施形態に係る基板位置調整処理の一例が行われているときの基板の様子を説明するための模式図である。 図１７Ｂは、第２実施形態に係る基板位置調整処理の一例が行われているときの基板の様子を説明するための模式図である。 図１７Ｃは、第２実施形態に係る基板位置調整処理の一例が行われているときの基板の様子を説明するための模式図である。 図１８Ａは、第２実施形態に係る基板処理において実行される雰囲気置換工程の変形例について説明するための模式図である。 図１８Ｂは、第２実施形態に係る基板処理において実行される雰囲気置換工程の変形例について説明するための模式図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、この発明の一実施形態に基板処理装置１の内部構成を示す図解的な平面図である。
基板処理装置１は、シリコンウエハ等の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板Ｗは、たとえば、半導体ウェハである。

基板処理装置１は、基板Ｗを処理液で処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御するコントローラ３とを含む。
搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。

各処理ユニット２は、基板Ｗを水平に保持しながら回転軸線Ａ１（鉛直軸線）まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック６と、平面視でスピンチャック６を取り囲む処理カップ７と、スピンチャック６および処理カップを収容するチャンバ８とを含む。回転軸線Ａ１は、基板Ｗの中央部を通る鉛直な直線である。
チャンバ８には、搬送ロボットＣＲによって、基板Ｗを搬入したり基板Ｗを搬出したりするための出入口が形成されている。チャンバ８には、この出入口を開閉するシャッタユニット（図示せず）が備えられている。

図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための模式図である。図３は、スピンチャック６およびその周辺の模式的な平面図である。
スピンチャック６は、基板Ｗを水平に保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１（鉛直軸線）まわりに基板Ｗを回転させる。スピンチャック６は、基板Ｗを水平に保持しながら回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる基板保持回転ユニットの一例である。スピンチャック６は、スピンベース２１（ベース）、回転軸２２、スピンモータ２３およびモータハウジング２４を含む。

スピンベース２１は、基板Ｗを水平な姿勢に保持する保持面２１ａを有する。保持面２１ａは、たとえば、平面視で円形状である。保持面２１ａは、たとえば、スピンベース２１の上面である。保持面２１ａの直径は基板Ｗの直径よりも小さい。
回転軸２２は、中空軸である。回転軸２２は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。回転軸線Ａ１は、スピンベース２１の保持面２１ａの中央部を通る鉛直軸線である。回転軸２２の上端には、スピンベース２１が結合されている。スピンベース２１は、回転軸２２の上端に対して外嵌されている。

スピンベース２１および回転軸２２には、吸引経路２５が挿通されている。吸引経路２５は、スピンベース２１の保持面２１ａの中心から露出する吸引口２５ａを有する。吸引経路２５は、吸引配管２６に連結されている。吸引配管２６は、真空ポンプ等の吸引ユニット２７に連結されている。
吸引配管２６には、その経路を開閉するための吸引バルブ２８が介装されている。吸引バルブ２８を開くことによって、スピンベース２１の保持面２１ａに配置された基板Ｗを吸引することによって、基板Ｗが保持面２１ａに吸着される。スピンベース２１は、基板保持ユニットの一例である。保持面２１ａは、基板Ｗを吸着する吸着面ともいう。スピンチャック６は、基板Ｗを吸着面に吸着させる吸着装置ともいう。

スピンモータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、スピンベース２１が回転される。これにより、スピンベース２１と共に、基板Ｗが回転軸線Ａ１まわりに回転される。スピンモータ２３は、基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させる回転ユニットの一例である。モータハウジング２４は、スピンモータ２３および回転軸２２を収容する。回転軸２２の上端は、モータハウジング２４から突出している。

処理カップ７は、スピンベース２１の保持面２１ａに保持されている基板Ｗから飛散する液体を受け止める複数のガード３０と、複数のガード３０によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ３１と、平面視において、複数のガード３０および複数のカップ３１を取り囲む排気桶３３と、排気桶３３に連結される排気ダクト３４とを含む。
この実施形態では、２つのガード３０（第１ガード３０Ａおよび第２ガード３０Ｂ）と、２つのカップ３１（第１カップ３１Ａおよび第２カップ３１Ｂ）とが設けられている例を示している。

第１カップ３１Ａおよび第２カップ３１Ｂのそれぞれは、上向きに開放された環状溝の形態を有している。
第１ガード３０Ａは、スピンベース２１を取り囲むように配置されている。第２ガード３０Ｂは、第１ガード３０Ａよりもスピンベース２１に近い位置でスピンベース２１を取り囲むように配置されている。

第１ガード３０Ａおよび第２ガード３０Ｂは、それぞれ、ほぼ円筒形状を有している。各ガード３０の上端部は、スピンベース２１側（ガード３０の中心側）に向かうように内方に傾斜している。
ガード３０の中心側は、基板Ｗの回転径方向の内側でもある。ガード３０の中心側の反対側は、基板Ｗの回転径方向の外側でもある。第１ガード３０Ａおよび第２ガード３０Ｂは、同軸上に配置されており、ガード３０の中心側は、第１ガード３０Ａの中心側であり、第２ガード３０Ｂの中心側でもある。

第１ガード３０Ａは、スピンベース２１を取り囲むように配置されている。第２ガード３０Ｂ（内側ガード）は、第１ガード３０Ａ（外側ガード）よりも第１ガード３０Ａの中心側でスピンベース２１を取り囲むように配置されている。
詳しくは、第１ガード３０Ａは、平面視でスピンベース２１を取り囲む第１筒状部３５Ａと、第１筒状部の上端からガード３０の中心側に延びる第１延設部３６Ａとを有する。第１延設部３６Ａは、ガード３０の中心側に向かうにしたがって上方に向かうように水平方向に対して傾斜する傾斜部を有する。第１延設部３６Ａは、平面視において環状である。

第２ガード３０Ｂは、第１筒状部３５Ａよりもガード３０の中心側に配置され平面視でスピンベース２１を取り囲む第２筒状部３５Ｂと、第２筒状部３５Ｂの上端からガード３０の中心側に延びる第２延設部３６Ｂとを含む。第２延設部３６Ｂは、第１延設部３６Ａに下方から対向する。第２延設部３６Ｂは、ガード３０の中心側に向かうにしたがって上方に向かうように水平方向に対して傾斜する傾斜部を有する。第２延設部３６Ｂは、平面視において環状である。

第１カップ３１Ａは、第２ガード３０Ｂと一体に形成されており、第１ガード３０Ａによって下方に案内された処理液を受け止める。第２カップ３１Ｂは、第２ガード３０Ｂによって下方に案内された処理液を受け止める。第１カップ３１Ａによって受けられた処理液は、第１カップ３１Ａの下端に連結された第１処理液回収路（図示せず）によって回収される。第２カップ３１Ｂによって受けられた処理液は、第２カップ３１Ｂの下端に連結された第２処理液回収路（図示せず）によって回収される。

処理ユニット２は、第１ガード３０Ａおよび第２ガード３０Ｂを別々に昇降させるガード昇降ユニット３７を含む。ガード昇降ユニット３７は、下位置と上位置との間で第１ガード３０Ａおよび第２ガード３０Ｂを個別に昇降させる。
第１ガード３０Ａおよび第２ガード３０Ｂがともに上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する処理液は、第２ガード３０Ｂによって受けられる。第２ガード３０Ｂが下位置に位置し、第１ガード３０Ａが上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する処理液は、第１ガード３０Ａによって受けられる。

各ガード３０の上位置は、スピンチャック６に保持されている基板Ｗの位置である保持位置（図２に示す基板Ｗの位置）よりもガード３０の上端が上方に位置する位置である。各ガード３０の下位置は、保持位置よりもガード３０の上端が下方に位置する位置である。
第１ガード３０Ａおよび第２ガード３０Ｂがともに下位置に位置するときには、対応する搬送ロボットＣＲが、チャンバ８内に基板Ｗを搬入したりチャンバ８内から基板Ｗを搬出したりすることができる。

ガード昇降ユニット３７は、第１ガード３０Ａを昇降させる第１ガード昇降ユニットと、第２ガード３０Ｂを昇降させる第２ガード昇降ユニットとを含む。
第１ガード昇降ユニットの構成は特に制限されていないものの、第１ガード昇降ユニットは、たとえば、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモータ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも１つを含んでいてもよい。

第１ガード昇降ユニットは、たとえば、モータ等の第１アクチュエータ（図示せず）と、第１ガード３０Ａに結合され、第１アクチュエータから付与される駆動力を第１ガード３０Ａに伝達し第１ガード３０Ａを昇降させる第１昇降運動伝達機構（図示せず）とを含む。第１昇降運動伝達機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構を含む。

第２ガード昇降ユニットの構成は特に制限されていないものの、第２ガード昇降ユニットは、たとえば、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモータ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも１つを含んでいてもよい。
第２ガード昇降ユニットは、たとえば、モータ等の第２アクチュエータ（図示せず）と、第２ガード３０Ｂに結合され、第２アクチュエータから付与される駆動力を第２ガード３０Ｂに伝達し第２ガード３０Ｂを昇降させる第２昇降運動伝達機構（図示せず）とを含む。第２昇降運動伝達機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構を含む。

処理ユニット２は、周縁ノズルヘッド９と、気流形成ユニット１０と、加熱ユニット１１と、移動気体ノズルヘッド１２と、センサ１３と、センタリングユニット１４とをさらに含む。
周縁ノズルヘッド９は、基板Ｗの上面の周縁部に処理流体を供給する複数の周縁ノズル４０と、複数の周縁ノズル４０を支持するノズル支持部材４１とを含む。基板Ｗの上面の周縁部とは、基板Ｗの外周端（先端）と、基板Ｗの上面において外周端の近傍の部分とを含む領域のことである。

各周縁ノズル４０には、対応する周縁ノズル４０に処理流体を案内する処理流体配管４２が接続されている。各処理流体配管４２には、対応する処理流体配管４２内の流路を開閉する処理流体バルブ４３が介装されている。
複数の周縁ノズル４０は、たとえば、ＡＰＭ（アンモニア・過酸化水素水混合液）等の薬液を吐出する第１周縁薬液ノズル４０Ａと、フッ酸（ＨＦ：フッ化水素酸）等の薬液を吐出する第２周縁薬液ノズル４０Ｂと、炭酸水等のリンス液を吐出する周縁リンス液ノズル４０Ｃと、窒素ガス（Ｎ_２）等の気体を吐出する周縁気体ノズル４０Ｄとを含む。

第１周縁薬液ノズル４０Ａおよび第２周縁薬液ノズル４０Ｂから吐出される薬液は、ＡＰＭやフッ酸に限られない。周縁ノズル４０から吐出される薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含有する液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＡＰＭ以外に、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）等が挙げられる。ＡＰＭは、ＳＣ１（Standard Clean 1）とも呼ばれる。

周縁リンス液ノズル４０Ｃから吐出されるリンス液は、炭酸水に限られない。周縁ノズル４０から吐出されるリンス液は、ＤＩＷ（Deionized Water）、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）の塩酸水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）のアンモニア水、還元水（水素水）のうちの少なくとも１つを含有する液であってもよい。

周縁気体ノズル４０Ｄから吐出される気体は、窒素ガスに限られない。周縁ノズル４０から吐出される気体は、空気であってもよい。また、周縁気体ノズル４０Ｄから吐出される気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。窒素ガス以外の不活性ガスは、たとえば、アルゴン等の希ガス類である。
ノズル支持部材４１には、周縁ノズルヘッド９を支持するヘッド支持アーム４５が結合されている。周縁ノズルヘッド９は、周縁ノズル移動ユニット４４によってヘッド支持アーム４５が移動されることで、水平方向および鉛直方向に移動される。周縁ノズルヘッド９は、中心位置とホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動するように構成されている。周縁ノズルヘッド９が中央位置とホーム位置との間の周縁位置に位置するときに複数の処理流体バルブ４３のいずれかが開かれると、対応する周縁ノズル４０から基板Ｗの上面の周縁部に対応する処理流体が供給される。

周縁ノズル移動ユニット４４は、ヘッド支持アーム４５を鉛直方向に移動させるアーム鉛直移動機構（図示せず）と、ヘッド支持アーム４５を水平方向に移動させるアーム水平移動機構（図示せず）とを含む。
ヘッド支持アーム４５は、直動式であっても回動式であってもよい。ヘッド支持アーム４５が直動式のアームである場合、ヘッド支持アーム４５は、ヘッド支持アーム４５の延設方向（ヘッド支持アーム４５が延びる方向）に水平移動する。ヘッド支持アーム４５が回動式のアームである場合、所定の鉛直軸線周りに回動することによって水平移動する。

アーム水平移動機構は、たとえば、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモータ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも１つを含んでいてもよい。アーム水平移動機構は、たとえば、モータ等の水平移動用アクチュエータ（図示せず）と、ヘッド支持アーム４５に結合され、当該アクチュエータから付与される駆動力をヘッド支持アーム４５に伝達しヘッド支持アーム４５を水平移動させる水平運動伝達機構（図示せず）とを含む。水平運動伝達機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構を含む。

アーム鉛直移動機構は、たとえば、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモータ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも１つを含んでいてもよい。アーム鉛直移動機構は、たとえば、モータ等の昇降アクチュエータ（図示せず）と、ヘッド支持アーム４５に結合され、昇降アクチュエータから付与される駆動力をヘッド支持アーム４５に伝達しヘッド支持アーム４５を昇降させる昇降運動伝達機構（図示せず）とを含む。昇降運動伝達機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構を含む。

チャンバ８は、スピンチャック６および処理カップ７を取り囲む略四角筒状の側壁８Ａと、スピンチャック６よりも上方に配置された上壁８Ｂと、スピンチャック６を支持する下壁８Ｃと含む。
気流形成ユニット１０は、クリーンエア（フィルターによってろ過された空気）を送るＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１０Ａと、チャンバ８の上壁８Ｂで開口する送風口８ａの下方に配置された整流板１０Ｂとを含む。

気流形成ユニット１０は、送風口８ａの上に配置されている。送風口８ａは、チャンバ８の上端部に設けられており、排気ダクト３４は、チャンバ８の下端部に配置されている。排気ダクト３４の上流端３４ａは、チャンバ８の中に配置されており、排気ダクト３４の下流端は、チャンバ８の外に配置されている。
ＦＦＵ１０Ａは、送風口８ａを介してチャンバ８内にクリーンエアを送る。チャンバ８内に供給されたクリーンエアは、排気ダクト３４内に吸い込まれ、チャンバ８から排出される。これにより、整流板１０Ｂから下方に流れる均一なクリーンエアの下降流が、チャンバ８内に形成される。基板Ｗに対する各種処理（後述する基板処理）は、クリーンエアの下降流が形成されている状態で行われる。このように、気流形成ユニット１０および排気ダクト３４は、チャンバ８内の空間への給気およびチャンバ８内の空間からの排気を行う給排気ユニットを構成している。

気流形成ユニット１０によってチャンバ８内に形成される下降流の流量は、たとえば、１．３ｍ^３／ｍｉｎ以上で、かつ、７．０ｍ^３／ｍｉｎ以下である。
加熱ユニット１１は、保持面２１ａに保持されている基板Ｗの周縁部を加熱するユニットである。基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗにおいて、外周端（先端）と外周端の近傍の部分とを含む部分のことである。

加熱ユニット１１は、基板Ｗの下面の周縁部に対向する対向面５０ａを有する平面視円環状のヒータ５０と、ヒータ５０内に窒素ガス等の気体を送出する気体送出ユニット５５とを含む。ヒータ５０には、給電線５６を介して電源等の通電ユニット５７が接続されている。対向面５０ａは、基板Ｗの下面から、たとえば、２ｍｍ以上でかつ５ｍｍ以下の距離を隔てて対向している。

図３に示すように、処理ユニット２には、基板Ｗの下面に処理流体を供給するノズルを有する下側周縁ノズルヘッド１７が設けられていてもよく、その場合、ヒータ５０には、下側周縁ノズルヘッド１７を収容し、ヒータ５０の周方向における一部を切り欠く切り欠き５０ｂが設けられている。
下側周縁ノズルヘッド１７は、複数の下側周縁ノズル７５と、複数の下側周縁ノズル７５を支持するノズル支持部材７６とを含む。各下側周縁ノズル７５には、対応する下側周縁ノズル７５に処理流体を案内する下側処理流体配管７７が接続されている。各下側処理流体配管７７には、下側処理流体バルブ７８が介装されており、下側処理流体バルブ７８は、対応する下側処理流体配管７７内の流路を開閉する。

複数の下側周縁ノズル７５は、複数の周縁ノズル４０と同様の液体を吐出するように構成されていてもよい。具体的には、複数の下側周縁ノズル７５は、ＡＰＭ等の薬液を吐出する第１下側周縁薬液ノズル７５Ａと、フッ酸等の薬液を吐出する第２下側周縁薬液ノズル７５Ｂと、炭酸水等のリンス液を吐出する下側周縁リンス液ノズル７５Ｃとを含む。下側周縁ノズル７５から吐出される処理流体としては、周縁ノズル４０（図２を参照）から吐出される処理流体の例として列挙したものと同様のもの挙げられる。

図２を参照して、気体送出ユニット５５は、ヒータ５０に連結され、ヒータ５０内に気体を送り込む気体供給配管５８と、気体供給配管５８内の流路を開閉する流路開閉バルブ５９とを含む。
図４は、加熱ユニット１１の周辺の断面図である。気体送出ユニット５５によってヒータ５０内に送り込まれた気体は、ヒータ５０内に形成された加熱流路５１内で加熱され、ヒータ５０に形成された気体吐出口５０ｃから吐出される。ヒータ５０は、輻射熱と、気体吐出口５０ｃから吐出される加熱気体とによって、基板Ｗの周縁部を加熱する。気体吐出口５０ｃから吐出される気体の流量は、たとえば、４０Ｌ／ｍｉｎである。

気体送出ユニット５５によってヒータ５０に送り込まれる気体は、窒素ガスに限られず、空気であってもよい。また、この気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。
ヒータ５０は、たとえば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）やセラミックス製のヒータ本体部５２と、ヒータ本体部５２に内蔵された発熱体５３とを含む。発熱体５３は、たとえば、ニクロム線等の抵抗発熱体である。この場合、発熱体５３が抵抗発熱体である場合、ヒータ５０は、抵抗式のヒータである。発熱体５３は、ヒータ５０の周方向のほぼ全域に亘って設けられている。図３の例のように、ヒータ５０に切り欠き５０ｂが設けられている場合には、発熱体５３は、ヒータ５０の周方向において切り欠き５０ｂが設けられている位置に端部を有する有端環状である。発熱体５３は、通電ユニット５７（図２を参照）によって通電されることで発熱する。図３の例とは異なり、ヒータ５０は、周方向に端部を有する有端環状であってもよい。

加熱流路５１は、発熱体５３に対して基板Ｗと反対側において、ヒータ５０の周方向のほぼ全域に亘って設けられている。この場合には、基板Ｗと発熱体５３との間に加熱流路５１が存在しないので、基板Ｗを均一に加熱することが容易になる。また、発熱体５３から基板Ｗへの輻射熱および伝熱が、加熱流路５１を流れる不活性ガスによって阻害されない。

図４に示す例とは異なり、加熱流路５１が基板Ｗと発熱体５３との間に配設されていてもよい。
ヒータ本体部５２は、たとえば、下方から上方に向かって順次に積層された下部材５２ａ、中部材５２ｂ、および上部材５２ｃを備えている。加熱流路５１は、下部材５２ａの上面に形成されている凹部と、中部材５２ｂの下面において当該凹部を塞いでいる部分とによって形成されている。

複数の気体吐出口５０ｃは、基板Ｗの下面に対向するように、ヒータ５０の対向面５０ａに設けられている。複数の気体吐出口５０ｃは、平面視において、発熱体５３よりも回転軸線Ａ１側および発熱体５３よりも回転軸線Ａ１とは反対側の両側において、ヒータ５０の周方向に沿って配置されている。複数の気体吐出口５０ｃは、上部材５２ｃおよび中部材５２ｂに形成された複数の連結流路５２ｄのそれぞれを介して、加熱流路５１と接続されている。

ヒータ５０は、発熱体５３の発熱によって対向面５０ａから基板Ｗの下面に赤外線の熱線Ｈを放射して基板Ｗを加熱する。気体送出ユニット５５がヒータ５０に供給する気体は、加熱流路５１に導入され、加熱流路５１を流れる過程で発熱体５３によって予め加熱される。加熱された気体は、各連結流路５２ｄを介して対応する気体吐出口５０ｃから、基板Ｗの下面の周縁部とヒータ５０の対向面５０ａとの間の環状空間ＳＰ１に吐出される。気体吐出口５０ｃから吐出される気体は、予め加熱されているので、基板Ｗの加熱に寄与する。

図５は、移動気体ノズルヘッド１２およびセンサ１３の構成を説明するための模式図である。移動気体ノズルヘッド１２は、略水平方向に気体を吐出する吐出口６０ａを有する移動気体ノズル６０と、移動気体ノズル６０を支持するノズル支持部材６１とを含む。移動気体ノズル６０には、移動気体ノズル６０に気体を案内する気体配管６２が接続されている。気体配管６２には、気体配管６２内の流路を開閉する気体バルブ６３が介装されている。

移動気体ノズル６０から吐出される気体は、窒素ガスに限られない。移動気体ノズル６０から吐出される気体は、空気であってもよい。また、移動気体ノズル６０から吐出される気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。移動気体ノズル６０から吐出される気体の流量は、たとえば、５Ｌ／ｍｉｎ以上で、かつ、３０Ｌ／ｍｉｎ以下である。
センサ１３は、回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量Ｅを測定する偏心量測定ユニットの一例である。回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量Ｅとは、回転軸線Ａ１に対する、基板Ｗの上面の中心部Ｃ１を通る鉛直な中心軸線Ａ２のずれ量のことである。

センサ１３は、光を発する発光部７０と、発光部７０から発せられた光を受ける受光部７１とを有する。この実施形態では、発光部７０および受光部７１は、ノズル支持部材６１によって支持されている。この実施形態では、発光部７０および受光部７１は、鉛直方向において互いに対向する。そのため、発光部７０から発せられる光によって形成される光軸は、鉛直方向に延びている。

発光部７０は、水平方向に延びる発光面７０ａを有し、受光部７１は、発光面７０ａと平行に延びる受光面７１ａを有する。発光部７０は、たとえば、ＬＥＤ等の光源を有する。この実施形態では、受光部７１はラインセンサであり、受光面７１ａ上に、複数の画素が水平方向に一列に並ぶように配置される。この実施形態では、発光部７０の発光面７０ａと受光部７１の受光面７１ａとは、鉛直方向において互いに対向する。発光部７０の発光面７０ａから受光部７１の受光面７１ａに向けて帯状の光が出射される。

発光部７０の発光面７０ａと受光部７１の受光面７１ａとの間の空間（検出空間ＤＳ）に、スピンベース２１の保持面２１ａによって保持される基板Ｗの周縁部が位置するとき、スピンベース２１に対する基板Ｗの偏心量Ｅがセンサ１３によって測定される。受光部７１は、受光した光Ｌの光量（たとえば、強度）を示す電気信号を、コントローラ３（図１を参照）に出力する。

ノズル支持部材６１は、発光部７０を支持する発光部支持部６１ａと、受光部７１を支持する受光部支持部６１ｂと、発光部支持部６１ａおよび受光部支持部６１ｂを連結する連結部６１ｃとを含む。そのため、発光部支持部６１ａ、受光部支持部６１ｂおよび連結部６１ｃによって、支持部内空間ＳＳが区画されている。
連結部６１ｃは、発光部７０および受光部７１の対向方向Ｄ１に延びている。連結部６１ｃは、図５に示すように、対向方向Ｄ１に直線的に延びていてもよいし、図５とは異なり、基板Ｗから離れる方向に突出するように湾曲状に対向方向Ｄ１に延びていてもよい。

移動気体ノズル６０は、移動気体ノズル６０の吐出口６０ａは、連結部６１ｃに設けられている。移動気体ノズル６０の吐出口６０ａの気体の吐出方向Ｄ２は、対向方向Ｄ１に対する直交方向（水平方向）である。
移動気体ノズル６０の吐出口６０ａから吐出される気体は、支持部内空間ＳＳに向けて供給され、支持部内空間ＳＳ内に充満する。検出空間ＤＳは、支持部内空間ＳＳの一部である。そのため、移動気体ノズル６０の吐出口６０ａから吐出される気体は、検出空間ＤＳの全体に行き渡りやすい。

このように、移動気体ノズルヘッド１２（移動気体ノズル６０）は、検出空間ＤＳに向けて気体を供給する気体供給ユニットとして機能する。さらに、移動気体ノズルヘッド１２（移動気体ノズル６０）は、検出空間ＤＳに存在する雰囲気を検出空間ＤＳ外の雰囲気（吐出口６０ａから吐出される気体）で置換する雰囲気置換ユニットとして機能する。
移動気体ノズルヘッド１２は、気体ノズル移動ユニット６５によって水平方向に移動される。移動気体ノズルヘッド１２は、発光部７０および受光部７１とともに、検出位置（図５に示す位置）と退避位置（図１に示す位置）との間で水平方向に移動するように構成されている。移動気体ノズルヘッド１２は、検出位置に位置するとき、水平方向からヒータ５０に隣接配置される。

移動気体ノズルヘッド１２が検出位置に位置するとき、スピンベース２１に保持されている基板Ｗの周縁部が検出空間ＤＳに位置する。移動気体ノズルヘッド１２は、検出位置に位置するときに吐出口６０ａから気体を吐出させることで、検出空間ＤＳに気体を供給することができる。
また、移動気体ノズルヘッド１２が検出位置に位置するとき、吐出口６０ａは、基板Ｗの下面の周縁部とヒータ５０の対向面５０ａとの間の環状空間ＳＰ１に水平方向から対向する。そのため、移動気体ノズルヘッド１２は、環状空間ＳＰ１に気体を効率的に送り込むことができる。基板Ｗの下面の周縁部とは、基板Ｗの外周端（先端）と、基板Ｗの下面において外周端の近傍の部分とを含む領域のことである。

移動気体ノズルヘッド１２が検出位置に位置するとき、発光部７０および受光部７１の一方が、スピンベース２１に保持されている基板Ｗ（保持位置）よりも上方に位置し、発光部７０および受光部７１の他方が、保持位置よりも下方に位置する。この実施形態では、発光部７０が保持位置よりも上方に位置し、受光部７１が保持位置よりも下方に位置する。

移動気体ノズルヘッド１２が退避位置に位置するとき、スピンベース２１に保持されている基板Ｗの周縁部が検出空間ＤＳ外に位置する。
移動気体ノズルヘッド１２が検出位置に位置するときに発光部７０から発せられた光は、検出空間ＤＳ内で進行し、その一部は、基板Ｗの周縁領域により遮られ、他の部分は受光面７１ａ上の一部の画素に入射する。コントローラ３は、受光部７１の複数の画素のうち、発光部７０からの光を受光した画素の位置に基づいて、検出空間ＤＳ内における基板Ｗの外周端の位置を検出する。

移動気体ノズル６０の一部は、ノズル支持部材６１に結合されて水平に延びる気体ノズルアーム６６に挿通されている。
気体ノズル移動ユニット６５は、気体ノズルアーム６６を水平方向に移動させる気体ノズルアーム水平移動機構（図示せず）を含む。気体ノズルアーム水平移動機構は、たとえば、シリンダ機構、ボールねじ機構、リニアモータ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも１つを含んでいてもよい。気体ノズルアーム水平移動機構は、たとえば、モータ等の水平移動用アクチュエータ（図示せず）と、気体ノズルアーム６６に結合され、当該アクチュエータから付与される駆動力を気体ノズルアーム６６に伝達し気体ノズルアーム６６を水平移動させる水平運動伝達機構（図示せず）とを含む。水平運動伝達機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構を含む。

図６は、センタリングユニット１４の周辺の断面図である。センタリングユニット１４は、スピンベース２１の保持面２１ａ上の基板Ｗをスピンベース２１に対して移動させて、基板Ｗの中心軸線Ａ２を回転軸線Ａ１に近づけるように構成されている。センタリングユニット１４は、加熱ユニット１１よりも回転軸線Ａ１側に配置されている。
センタリングユニット１４は、保持面２１ａに保持されている基板Ｗを持ち上げたり、当該持ち上げた基板Ｗを保持面２１ａに載置したりするように構成されている複数（この実施形態では、３個）のリフタとしての複数のリフトピン８０（図３も参照）と、複数のリフトピン８０を水平移動させることで、基板Ｗの中心部Ｃ１を回転軸線Ａ１に近づけるピン水平移動機構９０とを含む。ピン水平移動機構９０は、リフタ水平移動機構の一例である。

複数のリフトピン８０は、回転軸線Ａ１まわりの回転方向に等間隔で配置されている。ピン水平移動機構９０は、複数のリフトピン８０を一体的にスピンベース２１に対して水平方向へ移動させる。複数のリフトピン８０は、円環状の連結部材８１によって連結されている。
センタリングユニット１４は、複数のリフトピン８０を一体的に鉛直方向に移動させるピン鉛直移動機構８５をさらに含む。ピン鉛直移動機構８５は、リフタ鉛直移動機構の一例である。

リフトピン８０は、保持面２１ａに保持されている基板Ｗよりも下方から基板Ｗに対向する対向部としての先端部８０ａを有する。複数のリフトピン８０は、ピン鉛直移動機構８５によって、第１位置（図６に二点鎖線で示す位置）と第２位置（図６に実線で示す位置）との間で移動される。リフトピン８０が第１位置に位置するとき、保持面２１ａに保持されている基板Ｗよりも上方にリフトピン８０の先端部８０ａが位置する。リフトピン８０が第２位置に位置するとき、保持面２１ａに保持されている基板Ｗよりも下方にリフトピン８０の先端部８０ａが位置する。

ピン鉛直移動機構８５の構成は特に制限されていないものの、ピン鉛直移動機構８５は、たとえば、リニアモータ機構、ボールねじ機構、または、シリンダ機構を含んでいる。
ピン鉛直移動機構８５は、固定体８６と可動体８７と駆動機構８８とを含む。可動体８７は、固定体８６に対して鉛直方向に沿って移動可能に設けられている。駆動機構８８は、可動体８７を固定体８６に対して鉛直方向に移動させるための駆動力を可動体８７に作用させる。

駆動機構８８は、たとえばモータを含む。たとえば、可動体８７は、適宜にリンク部材等を介してモータの回転子に連結されており、当該リンク部材がモータによって変位することで、可動体８７が固定体８６に対して鉛直方向に移動する。駆動機構８８が可動体８７を固定体８６に対して鉛直方向に移動させることにより、連結部材８１および複数のリフトピン８０が一体的に鉛直方向に移動する。

基板Ｗがスピンベース２１の保持面２１ａ上に載置されている状態で、複数のリフトピン８０を第２位置から第１位置に移動させることによって、複数のリフトピン８０によって基板Ｗが持ち上げられる。詳しくは、第１位置に移動する途中で基板Ｗがスピンベース２１から複数のリフトピン８０に受け渡され、基板Ｗがスピンベース２１から上方に離間する。

ピン水平移動機構９０の構成は特に制限されていないものの、たとえば、リニアモータ機構、ボールねじ機構、または、シリンダ機構を含んでいる。
ピン水平移動機構９０は、固定体９１、可動体９２、および、駆動機構９３を含んでいる。可動体９２は、固定体９１に対して水平方向に沿って移動するように構成されている。可動体９２の移動方向は、回転軸線Ａ１を通る鉛直な平面である基準面Ｐ１（図３を参照）と平行な水平方向である。可動体９２の移動方向は、後述する位置合わせ工程において基板Ｗが移動する方向であるセンタリング方向と同じ方向である。

駆動機構９３は、可動体９２を固定体９１に対して移動させるための駆動力を可動体９２に作用させる。たとえば、駆動機構９３は、リニアモータ機構である。その場合、リニアモータ機構は、固定子に取り付けられたコイルと、移動子に取り付けられた永久磁石とを含み、これらの磁気作用により、移動子を固定子に対して水平方向に移動させる。固定体９１は、リニアモータの固定子に連結され、可動体９２は、リニアモータの移動子に連結される。駆動機構９３は、複数のリフトピン８０を水平に移動させることにより、スピンベース２１に対して基板Ｗを水平に移動させるセンタリングアクチュエータの一例である。

ピン水平移動機構９０の可動体９２は、ピン鉛直移動機構８５の固定体８６に連結される。よって、ピン水平移動機構９０の可動体９２が水平方向に移動することにより、ピン鉛直移動機構８５、連結部材８１および複数のリフトピン８０が一体的に水平方向に移動する。
ピン鉛直移動機構８５によって複数のリフトピン８０が第２位置から第１位置に移動されることで、複数のリフトピン８０が基板Ｗをスピンベース２１から持ち上げて支持する。基板Ｗを支持している複数のリフトピン８０をピン水平移動機構９０が水平移動させて、スピンベース２１に対する基板Ｗの位置を調整することができる。詳しくは、基板Ｗの中心軸線Ａ２を回転軸線Ａ１に近づけることで、偏心量Ｅを低減できる。スピンベース２１に対する基板Ｗの位置を調整した後、ピン鉛直移動機構８５によって複数のリフトピン８０を第１位置から第２位置に移動させることによって、スピンベース２１の保持面２１ａに基板Ｗを保持させることができる。

センタリングユニット１４は、水平方向におけるピン水平移動機構９０の可動体９２の位置を検出するエンコーダ等の位置測定センサ９４を含んでいてもよい。
センタリングユニット１４は、ピン鉛直移動機構８５およびピン水平移動機構９０を収容する環状の収容部材９５を含む。収容部材９５には、複数の貫通孔９５ａが形成されており、複数の貫通孔９５ａのそれぞれから基板Ｗの下面に向けて複数のリフトピン８０が突出している。センタリングユニット１４は、各貫通孔９５ａの周縁と対応するリフトピン８０との間に設けられたシール部材９６を含む。

図７は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を示すブロック図である。コントローラ３は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。
具体的には、コントローラ３は、プロセッサ（ＣＰＵ）４と、制御プログラムが格納されたメモリ５とを含むコンピュータであってもよい。コントローラ３は、プロセッサ４が制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。

とくに、コントローラ３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、スピンモータ２３、周縁ノズル移動ユニット４４、気体ノズル移動ユニット６５、ガード昇降ユニット３７、通電ユニット５７、センサ１３、センタリングユニット１４、吸引バルブ２８、複数の処理流体バルブ４３、気体バルブ６３、および、下側処理流体バルブ７３を制御するようにプログラムされている。

コントローラ３は、センタリングユニット１４の位置測定センサ９４によって検出された可動体９２の位置を示す電気信号を受信する。コントローラ３は、受光部７１から出力された電気信号を受信する。
図８は、前記基板処理装置によって実行される基板処理の一例を説明するための流れ図である。図８は、主として、コントローラ３がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。

まず、未処理の基板Ｗは、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ（図１参照）によってキャリヤＣから処理ユニット２に搬入され、スピンチャック６に渡される（ステップＳ１）。具体的には、基板Ｗが保持面２１ａに載置される。基板Ｗが保持面２１ａに載置されている状態で吸引バルブ２８が開かれることによって、基板Ｗは、水平に保持される（基板保持工程）。基板Ｗが保持面２１ａに載置される前に、流路開閉バルブ５９は開かれており、かつ、通電ユニット５７によるヒータ５０の通電は開始されている。

詳しくは後述するが、基板Ｗが保持面２１ａに載置された後、基板Ｗの位置合わせを行う基板位置調整処理（ステップＳ２）が実行される。基板位置調整処理は、センタリング処理（センタリング工程）ともいう。
基板位置調整処理が終了した後、所定の液処理が実行される。この基板処理装置１では、たとえば、加熱ユニット１１で基板Ｗの周縁部を加熱しながら周縁ノズルヘッド９から基板Ｗの上面の周縁部に向けて処理液が供給される。基板Ｗの上面の周縁部には、ＡＰＭ、炭酸水、ＨＦ、炭酸水がこの順番で供給される。処理液の供給が終了した後、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗの上面の周縁部を乾燥させる。

より具体的には、周縁ノズルヘッド９を処理位置に移動させ、対応する処理流体バルブ４３を開くことで、第１周縁薬液ノズル４０Ａから基板Ｗの上面の周縁部にＡＰＭ等の薬液が供給される（第１薬液処理：ステップＳ３）。
その後、第１周縁薬液ノズル４０Ａに対応する処理流体バルブ４３が閉じられ、その代わりに、周縁リンス液ノズル４０Ｃに対応する処理流体バルブ４３が開かれる。これにより、周縁リンス液ノズル４０Ｃから基板Ｗの上面の周縁部に炭酸水等のリンス液が供給される（第１リンス処理：ステップＳ４）。

さらにその後、周縁リンス液ノズル４０Ｃに対応する処理流体バルブ４３が閉じられ、第２周縁薬液ノズル４０Ｂに対応する処理流体バルブ４３が開かれる。これにより、第２周縁薬液ノズル４０Ｂから基板Ｗの上面お周縁部にフッ酸等の薬液が供給される（第２薬液処理：ステップＳ５）。その後、第２周縁薬液ノズル４０Ｂに対応する処理流体バルブ４３が閉じられ、周縁リンス液ノズル４０Ｃに対応する処理流体バルブ４３が開かれる。これにより、周縁リンス液ノズル４０Ｃから基板Ｗの上面の周縁部に炭酸水等のリンス液が供給される（第２リンス処理：ステップＳ６）。

第２リンス処理の後、処理流体バルブ４３が閉じられ、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を加速させて、高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる（スピンドライ：ステップＳ７）。これにより、液体が基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ２３が回転を停止する。これにより、基板Ｗの回転が停止される。

基板Ｗに対する液処理が終了した後、搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、スピンチャック６から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する（ステップＳ８）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。
液処理において、ヒータ５０による輻射熱と加熱気体の供給とによって基板Ｗは加熱される。そのため、ＡＰＭやＨＦ等の薬液による基板Ｗの上面周縁部の処理レートが向上される。ＡＰＭやＨＦ等の薬液によって、基板Ｗの上面の周縁部に存在するＴｉＮやＳｉＯ_２がエッチングされる。加熱気体がヒータ５０と基板Ｗの下面との間の環状空間ＳＰ１に供給されることによって、基板の上面の周縁部に着液した処理液が基板の下面に回り込むことを防止できる。

図９は、基板処理における基板位置調整処理（ステップＳ２）について説明するための流れ図である。図１０Ａ～図１０Ｃは、基板位置調整処理の一例が行われているときの基板の様子を説明するための模式図である。
基板位置調整処理（ステップＳ２）では、気体ノズル移動ユニット６５が、移動気体ノズルヘッド１２を検出位置に移動させる（ステップＳ１０）。

気体バルブ６３が開かれ、移動気体ノズル６０から検出空間ＤＳへの気体の供給が開始される（気体供給工程）。これにより、図５に示すように、移動気体ノズル６０から供給される気体による、検出空間ＤＳに存在する雰囲気の置換が開始される（ステップＳ１１）。すなわち、検出空間ＤＳに基板Ｗの周縁部が位置する状態で、移動気体ノズル６０から吐出される気体で検出空間ＤＳに存在する雰囲気を置換する雰囲気置換工程が開始される。

雰囲気の置換が開始された後、センサ１３によって基板Ｗの偏心量Ｅが測定される（ステップＳ１２）。すなわち、雰囲気置換工程の実行中に、基板Ｗを回転させながらセンサ１３によって偏心量Ｅを測定する偏心量測定工程が実行される。
センサ１３によって偏心量Ｅが測定された後、コントローラ３が、偏心量Ｅが所定の閾値以内であるか否かを判定する（ステップＳ１３：偏心量判定工程）。所定の閾値は、たとえば、０．０８ｍｍである。偏心量Ｅが、閾値以内でない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、基板Ｗの位置合わせが行われる前に、基板Ｗが配置される基準位置に基板Ｗが位置しているか否かを確認する位置確認工程が行われる（ステップＳ１４）。

位置確認工程では、具体的には、コントローラ３は、受光部７１の検出値に基づいて基板Ｗが基準位置に位置しているか否かを確認する。基準位置は、基板Ｗの中心軸線Ａ２が基準面Ｐ１に重なりかつ、基板Ｗの中心軸線Ａ２と回転軸線Ａ１とがリフトピン８０の移動方向（センタリング方向）に並ぶ回転位相である。図１０Ａは、基板Ｗの中心軸線Ａ２が基準面Ｐ１に重なっていない状態を示している。

基板Ｗが基準位置に位置している場合（ステップＳ１４：ＹＥＳ）、スピンモータ２３は、基板Ｗおよびスピンベース２１を回転させずにその場で静止させる。基板Ｗが基準位置に位置していない場合（ステップＳ１４：ＮＯ）、スピンモータ２３は、基板Ｗおよびスピンベース２１を基準位置まで回転させて、基準位置で静止させる（ステップＳ１５）。たとえば基板Ｗが図１０Ｂに示す状態にある場合、スピンモータ２３は、基板Ｗおよびスピンベース２１を時計回りに９０°回転させる。これにより、図１０Ｂに示すように、基板Ｗの中心部Ｃ１が基準面Ｐ１に重なり、基板Ｗが基準位置に配置される。

基板Ｗが基準位置に配置された状態で、センタリングユニット１４によって基板Ｗの位置合わせが行われる（位置合わせ工程：ステップＳ１６）。詳しくは、センタリングユニット１４が、センサ１３によって測定された偏心量Ｅに応じて、回転軸線Ａ１に基板Ｗの中心軸線Ａ２が近づくようにスピンベース２１に対して基板Ｗをセンタリング方向に水平に移動させる。

具体的には、複数のリフトピン８０を第１位置（図６に二点鎖線で示すリフトピン８０の位置を参照）に移動させてスピンベース２１上の基板Ｗが複数のリフトピン８０によって持ち上げられる。その後、図１０Ｂに示すように、複数のリフトピン８０がセンタリング方向に移動することによって基板Ｗの偏心量Ｅが低減され、その後、複数のリフトピン８０が第２位置（図６に実線で示すリフトピン８０の位置を参照）に下降される。複数のリフトピン８０の下降によって、スピンベース２１の保持面２１ａに基板Ｗが載置される。

位置合わせ工程によって基板Ｗの中心軸線Ａ２がスピンベース２１の回転軸線Ａ１に充分近づくことによって、図１０Ｃに示すように、基板Ｗの偏心が解消される。基板Ｗの偏心が解消されるとは、回転軸線Ａ１と基板Ｗの中心軸線Ａ２とが完全に一致していることを意味するのではなく、偏心量Ｅが所定の閾値（たとえば、０．０８ｍｍ）以下となることを意味する。

その後、吸引バルブ２８が開かれることによって、基板Ｗがスピンベース２１に吸着される（吸着工程：ステップＳ１７）。その後、気体バルブ６３が閉じられることによって、検出空間ＤＳ内の雰囲気の置換が終了する（ステップＳ１８）。すなわち、雰囲気置換工程が終了する。また、気体ノズル移動ユニット６５が、移動気体ノズルヘッド１２を退避位置へ向けて移動させる（ステップＳ１９）。以上により、基板位置調整処理（ステップＳ２）が終了する。

ステップＳ１３において、偏心量Ｅが、閾値以内である場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、位置合わせ工程が実行されることなく、ステップＳ１７以降の工程が実行される。
その後、未処理の基板Ｗが処理ユニット２に搬入され、その基板Ｗに対して、基板位置調整および基板処理が行われる。ヒータ５０の加熱効率の観点から、加熱ユニット１１のヒータ５０に対する通電ユニット５７の通電および気体の供給は、基板処理が終了した後、次の基板Ｗに対する基板位置調整が開始されるまでの間においても継続される。

次に、検出空間ＤＳ内の雰囲気を置換することの効果について説明する。
基板位置調整処理では、基板Ｗが保持面２１ａに載置されることによって、基板Ｗの周縁部が、加熱ユニット１１によって加熱される。そのため、基板Ｗの周縁部の付近の空間において雰囲気の揺らぎが生じる。詳しくは、基板Ｗの周縁部に接する比較的温度が高い雰囲気とその周囲の雰囲気とが混ざり合って雰囲気が攪拌される。雰囲気が攪拌されることによって基板Ｗの周縁部の付近の空間の屈折率にむらが生じる。

移動気体ノズルヘッド１２が検出位置に配置されると、センサ１３の発光部７０および受光部７１の間の検出空間ＤＳが基板Ｗの周縁部の近傍に位置する。そのため、検出空間ＤＳにおいても雰囲気の揺らぎが生じる。
図１１は、検出空間ＤＳ内の雰囲気の置換が行われる前後における偏心量Ｅの測定値の違いを説明するためのグラフである。図１１では、横軸が基板Ｗの回転位相を示しており、縦軸が基板Ｗ外周端の変位量を示している。

回転位相は、基板Ｗの回転方向における基準位置の角度を０°とした場合の、基準位置に対する回転量を意味する。基板Ｗの外周端の変位量とは、発光部７０および受光部７１の対向方向に直交する方向における基板Ｗのシフト量であり、所定の基準位置に位置する基板Ｗの外周端と、各回転位相における基板Ｗの外周端との距離のことである。基準位置とは、基板Ｗの中心軸線Ａ２がスピンベース２１の回転軸線Ａ１と一致する位置である。

回転軸線Ａ１に対する基板Ｗの偏心量Ｅは、基板Ｗの外周端の変位量の最大値の絶対値と、基板Ｗの外周端の変位量の最小値の絶対値との和（合計変位量ＤＡ）の半分である（Ｅ＝ＤＡ／２）。
仮に、この基板処理とは異なり、検出空間ＤＳ内の雰囲気の置換が行われない場合には、検出空間ＤＳに雰囲気の揺らぎが生じている状態で、偏心量Ｅが測定される。そのため、図１１に破線で示すように、基板Ｗの外周端の変位量にノイズが生じる。したがって、偏心量Ｅの測定精度が不充分である。

一方、この基板処理では、移動気体ノズル６０から供給される気体によって、検出空間ＤＳに存在する雰囲気が置換されているため、検出空間ＤＳにおける雰囲気の揺らぎが解消される。そのため、図１１に実線で示すように、基板Ｗの外周端の変位量のノイズが低減される。したがって、基板Ｗの偏心量Ｅを精度よく測定できる。
第１実施形態によれば、移動気体ノズル６０から吐出される気体（検出空間ＤＳ外の雰囲気）によって、検出空間ＤＳ内の雰囲気が置換される。そのため、基板Ｗの周縁部が検出空間ＤＳに位置するときに検出空間ＤＳにおける雰囲気の揺らぎを解消できる。その結果、センサ１３の検出精度を向上させることができるので、基板Ｗの偏心量Ｅを良好に低減できる。

移動気体ノズル６０は、保持面２１ａに保持されている基板Ｗの周縁部とヒータ５０との間の環状空間ＳＰ１に向かって気体を吐出する。環状空間ＳＰ１に存在する雰囲気は、ヒータ５０によって加熱されやすく、環状空間ＳＰ１外の雰囲気との温度差が生じやすい。そのため、環状空間ＳＰ１に存在する雰囲気には特に揺らぎが発生しやすい。そこで、移動気体ノズル６０が環状空間ＳＰ１に向かって気体を吐出するように構成されていれば、環状空間ＳＰ１の雰囲気を効果的に置換できる。したがって、環状空間ＳＰ１における雰囲気の揺らぎを解消できる。

＜第２実施形態＞
図１２は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐに備えられる処理ユニット２の構成例を説明するための模式図である。図１３は、第２実施形態に係る処理ユニット２の模式的な平面図である。図１３では、説明の便宜上、周縁ノズルヘッド９、および、気体ノズル移動ユニット６５の図示を省略している。

図１２および図１３、ならびに後述する図１４～図１８Ｂにおいて、前述の図１～図１１に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
基板処理装置１Ｐが、第１実施形態に係る基板処理装置１と主に異なる点は、移動気体ノズルヘッド１２の代わりに、複数の固定気体ノズル１５および取付プレート１６が設けられている点、センサ１３Ｐの位置が固定されている点、および、センタリングユニット１４Ｐがガード３０に取り付けられている点である。

センサ１３Ｐの発光部７０および受光部７１の一方は、保持位置よりも上方に配置されており、発光部７０および受光部７１の他方は、保持位置よりも下方に配置されている。第２実施形態では、発光部７０および受光部７１の対向方向Ｄ１は、鉛直方向と一致している。図１３に示す例では、発光部７０が保持位置よりも下方に配置されており、受光部７１が保持位置よりも上方に配置されている。

発光部７０は、スピンチャック６のモータハウジング２４の中に配置されている。発光部７０は、モータハウジング２４を上下方向に貫通する透過穴の下方に配置されている。モータハウジング２４の透過穴は、発光部７０の光Ｌを透過する透過部材で覆われている。発光部７０が発する光Ｌは、透明部材を通じてモータハウジング２４の外に放出される。

受光部７１は、チャンバ８内に配置されたセンサハウジング１００の中に配置されている。受光部７１は、センサハウジング１００を上下方向に貫通する透過穴の上方に配置されている。センサハウジング１００の透過穴は、発光部７０の光Ｌを透過する透明部材で塞がれている。発光部７０から発する光Ｌは、透明部材を通じてセンサハウジング１００の中に入り、受光部７１に照射される。この実施形態では、発光部７０の発光面７０ａと受光部７１の受光面７１ａとは、鉛直方向において互いに対向する。

このように、発光部７０および受光部７１は、チャンバ８内における位置が固定された部材（モータハウジング２４およびセンサハウジング１００）に固定されている。そのため、基板Ｗが保持面２１ａに保持されることによって、基板Ｗの周縁部が検出空間ＤＳに配置される。
スピンベース２１上に基板Ｗがない場合、発光部７０から発せられた光Ｌは、ガード３０の上端部の内周面とヒータ５０の外周面との間に形成される環状空間ＳＰ２を鉛直方向に通り、ガード３０およびヒータ５０に遮られることなく受光部７１に到達する。スピンベース２１上に基板Ｗがある場合、発光部７０から発せられた光Ｌの一部は基板Ｗの周縁部で遮られる。したがって、コントローラ３は、受光部７１の複数の画素のうち、発光部７０からの光Ｌを受光した画素の位置に基づいて、検出空間ＤＳ内における基板Ｗの外周端の位置を検出する。

取付プレート１６は、チャンバ８の側壁８Ａに取り付けられて固定されている。
複数の固定気体ノズル１５は、単一の取付プレート１６に共通に取り付けられている。複数の固定気体ノズル１５は、基板Ｗの保持位置よりも上方において、発光部７０および受光部７１の対向方向Ｄ１に沿って並んでいる。
各固定気体ノズル１５には、固定気体ノズル１５に窒素ガス等の気体を案内する気体配管１１０が接続されている。各気体配管１１０には、気体バルブ１１１が介装されており、各気体バルブ１１１は、対応する気体配管１１０内の流路を開閉する。複数の固定気体ノズル１５は、それぞれ、複数の気体吐出口１５ａを有している。複数の気体吐出口１５ａは、対向方向Ｄ１に沿って並んでいる。

複数の固定気体ノズル１５は、検出空間ＤＳにおいて基板Ｗの周縁部の近傍の部分に気体を供給する第１固定気体ノズル１５Ａと、検出空間ＤＳにおいて基板Ｗの周縁部の周りの空間の部分に気体を供給する第２固定気体ノズル１５Ｂとを含む。第２固定気体ノズル１５Ｂは、複数（図１２の例では、２つ）設けられていてもよい。
複数の固定気体ノズル１５は、検出空間ＤＳに気体を供給する気体供給ユニットの一例である。さらに、固定気体ノズル１５は、検出空間ＤＳに存在する雰囲気を検出空間ＤＳ外の雰囲気（気体吐出口１５ａから吐出される気体）で置換する雰囲気置換ユニットとして機能する。

図１４Ａは、複数の固定気体ノズル１５を水平方向から見た模式図である。図１４Ｂは、複数の固定気体ノズル１５の周辺の斜視図である。図１４Ｃは、複数の固定気体ノズル１５の平面図である。
図１４Ａに示すように、第２固定気体ノズル１５Ｂの気体吐出口１５ａの気体の吐出方向Ｄ３は、対向方向Ｄ１に対して直交する方向である。第１固定気体ノズル１５Ａの気体吐出口１５ａの気体の吐出方向Ｄ４は、水平面ＨＳに対して傾斜する傾斜方向である。この実施形態では、対向方向Ｄ１は、鉛直方向であるため、対向方向Ｄ１に対して直交する方向は、水平方向である。吐出方向Ｄ４に延びる直線ＳＬと水平面ＨＳとがなす角度θは、たとえば、１８°である。

第１固定気体ノズル１５Ａは、基板Ｗの保持位置よりも上方に配置されているため、吐出方向Ｄ４は、第１固定気体ノズル１５Ａの気体吐出口１５ａから検出空間ＤＳに向かうにしたがって、下方に向かうように水平面ＨＳに対して傾斜している。詳しくは、第１固定気体ノズル１５Ａの気体吐出口１５ａの気体の吐出方向Ｄ４は、基板Ｗの下面の周縁部とヒータ５０の対向面５０ａとの間の環状空間ＳＰ１に向かう方向である。そのため、第１固定気体ノズル１５Ａは、環状空間ＳＰ１に気体を効率的に送り込むことができる。

図１４Ｂに示すように、各固定気体ノズル１５は、取付プレート１６に沿って延び取付プレート１６に取り付けられる取付部１１５と、取付部１１５と一体に形成され、気体吐出口１５ａが設けられた吐出部１１６とを含む。
取付部１１５には、ねじ等の締結部材１１８が挿通される挿通孔１１５ａが設けられている（図１４Ｃも参照）。固定気体ノズル１５は、締結部材１１８によって取付プレート１６に共通に取り付けられている。

図１３に示すように、吐出部１１６は、平面視において、取付部１１５が延びる方向（側壁８Ａに沿う方向）に対して傾斜する方向へ向けて取付部１１５から延びている。平面視において、吐出部１１６および取付部１１５は、直交しないように水平に延びている。
気体吐出口１５ａは、吐出部１１６の先端部に設けられている。吐出部１１６は、回転軸線Ａ１に向かって延びており、吐出部１１６と回転軸線Ａ１との間にセンサ１３Ｐが配置されている（図１３を参照）。したがって、吐出部１１６から吐出される気体は、センサ１３Ｐの検出空間ＤＳに送り込まれる。

第１固定気体ノズル１５Ａの吐出部１１６は、気体吐出口１５ａが形成され対向方向Ｄ１に対して傾斜する平坦面１１６ａを有する。第２固定気体ノズル１５Ｂの吐出部１１６は、気体吐出口１５ａが形成され対向方向Ｄ１に沿う平坦面１１６ｂを有する。
図１４Ｃに示すように、各固定気体ノズル１５の吐出部１１６には、気体配管１１０が接続されている。詳しくは、吐出部１１６の内部には、一端が気体吐出口１５ａに接続される内部流路１１７が形成されており、気体配管１１０内の流路は、内部流路１１７の他端に接続されている。

図１５は、第２実施形態に係るセンタリングユニット１４Ｐの周辺の断面図である。
センタリングユニット１４Ｐは、保持面２１ａに保持されている基板Ｗを持ち上げたり、当該持ち上げた基板Ｗを保持面２１ａに載置したりするように構成されている２つのリフタ１２０と、２つのリフタ１２０を水平移動させることで、基板Ｗの中心部Ｃ１を回転軸線Ａ１に近づけるリフタ水平移動機構９０Ｐとを含む。

各リフタ１２０は、スピンベース２１上の基板Ｗの周縁部に水平方向から対向する。リフタ水平移動機構９０Ｐは、個別にセンタリング方向に水平移動させる第１リフタ水平移動機構１２２と、２つのリフタ１２０を一体にセンタリング方向に水平移動させる第２リフタ水平移動機構１２３とを含む。
２つのリフタ１２０は、第１リフタ１２０Ａと、第１リフタ１２０Ａとは反対側からスピンベース２１上の基板Ｗの周縁部に水平方向から対向する第２リフタ１２０Ｂとを含む。各リフタ１２０は、同様の構成を有している。

２つのリフタ１２０は、回転軸線Ａ１まわりの角度が１８０°異なる２つの位置にそれぞれ配置されている。各リフタ１２０は、センタリング方向に水平に対向する対向面１２７を有する。第１リフタ１２０Ａの対向面１２７を第１対向面１２７Ａといい、第２リフタ１２０Ｂの対向面１２７を第２対向面１２７Ｂという。第１対向面１２７Ａおよび第２対向面１２７Ｂは、上方に向かうにしたがって互いに離間するように水平方向に対して傾斜する。

各リフタ１２０は、第１リフタ水平移動機構１２２によって、リフト位置（図１５に二点鎖線で示す位置）と退避位置（図１５に実線で示す位置）との間で移動される。リフト位置は、リフタ１２０の対向面１２７の先端（センタリング方向における端部）がスピンベース２１の保持面２１ａ上の基板Ｗの外周端よりも回転軸線Ａ１側に位置する位置である。退避位置は、リフタ１２０の対向面１２７がスピンベース２１の保持面２１ａ上の基板Ｗの外周端から離間する位置である。

第１対向面１２７Ａと第２対向面１２７Ｂとは、上方に向かうにしたがって互いに離間するように水平方向に対して傾斜するため、第１リフタ１２０Ａおよび第２リフタ１２０Ｂがリフト位置に移動する過程で第１リフタ１２０Ａおよび第２リフタ１２０Ｂによって、スピンベース２１上の基板Ｗが持ち上げられる。
詳しくは、第１対向面１２７Ａおよび第２対向面１２７Ｂが基板Ｗの外周端に接触した後、第１リフタ１２０Ａおよび第２リフタ１２０Ｂは、互いにさらに近づいてスピンベース２１から基板Ｗを持ち上げる。そして、第１リフタ１２０Ａおよび第２リフタ１２０Ｂは、基板Ｗをスピンベース２１から所定の高さまで持ち上げるリフト位置に到達する。

リフト位置に位置する第１リフタ１２０Ａおよび第２リフタ１２０Ｂを退避位置に移動させる過程で、スピンベース２１の保持面２１ａに基板Ｗが載置される。
第１リフタ水平移動機構１２２は、２つのエアシリンダ１２５を含む。２つのエアシリンダ１２５は、回転軸線Ａ１まわりの角度が１８０°異なる２つの位置にそれぞれ配置されている。２つのエアシリンダ１２５は、同じ高さに配置されている。２つのエアシリンダ１２５は、水平に対向している。スピンベース２１は、平面視で２つのエアシリンダ１２５の間に配置されている。

エアシリンダ１２５は、内部空間を有するシリンダ本体１２５ａと、シリンダ本体１２５ａの内部空間をエアシリンダ１２５の軸方向に離れた２つの部屋に仕切るピストンと、シリンダ本体１２５ａの端面からエアシリンダ１２５の軸方向に突出しており、ピストンと共にエアシリンダ１２５の軸方向に移動するロッド１２５ｂとを含む。リフタ１２０は、ロッド１２５ｂに取り付けられている。２つのエアシリンダ１２５は、リフタアクチュエータの一例である。

リフタ１２０は、シリンダ本体１２５ａに対して、ロッド１２５ｂとともにエアシリンダ１２５の軸方向に移動する。エアシリンダ１２５の軸方向は、センタリング方向に一致している。
第２リフタ水平移動機構１２３は、２つのエアシリンダ１２５を支持するスライドブラケット１４０と、スライドブラケット１４０をセンタリング方向に移動させるリニアモータ１４１と、スライドブラケット１４０をセンタリング方向に案内するリニアガイド１４２とを含む。リニアモータ１４１は、２つのリフタ１２０を水平に移動させることにより、スピンベース２１に対して基板Ｗを水平に移動させるセンタリングアクチュエータの一例である。

スライドブラケット１４０は、２つのエアシリンダ１２５のそれぞれの下方に配置されたベースプレート１４０ａと、２つのベースプレート１４０ａを連結する１つ以上のジョイントアーム１４０ｂとを含む。リニアガイド１４２は、２つのベースプレート１４０ａをそれぞれ支持する２つのメインベース１４３と、対応するベースプレート１４０ａとの間に設けられている。

スライドブラケット１４０が水平移動することによって、スライドブラケット１４０に支持された２つのエアシリンダ１２５と、２つのエアシリンダ１２５に支持された２つのリフタ１２０とは、スライドブラケット１４０と同じ方向、速度、および移動量で水平に移動する。
センタリングユニット１４Ｐは、２つのエアシリンダ１２５とベースプレート１４０ａとを収容するユニットハウジング１４５を含む（図１３を参照）。リニアモータ１４１およびリニアガイド１４２は、それぞれ、２つのユニットハウジング１４５に収容されている。リフタ１２０は、ユニットハウジング１４５の外に配置されている。

ユニットハウジング１４５は、第１ガード３０Ａの第１延設部３６Ａに上方から載置されており、第１延設部３６Ａによって支持されている。そのため、センタリングユニット１４は、第１ガード３０Ａとともに昇降する。したがって、センタリングユニット１４が動作する際、第１ガード３０Ａは、２つのリフタ１２０の対向面１２７が水平方向から基板Ｗの周縁部に対向する基板位置調整位置に配置されている必要がある。基板位置調整位置は、上位置と下位置との間の位置である。ガード昇降ユニット３７（第１ガード昇降ユニット）は、２つのリフタ１２０を昇降させるリフタ鉛直移動機構の一例である。

スピンベース２１上の基板Ｗは、２つのリフタ１２０が互いに近づくように移動されて所定のリフト位置に移動される過程で、２つのリフタ１２０によって持ち上げられ、スピンベース２１の保持面２１ａから離れる。
２つのリフタ１２０が基板Ｗを水平に支持している状態で、リニアモータ１４１がスライドブラケット１４０をセンタリング方向に移動させると、２つのリフタ１２０に支持されている基板Ｗは、スライドブラケット１４０と同じ方向、速度、および移動量で水平に移動する。これにより、基板Ｗの中心軸線Ａ２が回転軸線Ａ１に対して移動する。したがって、スライドブラケット１４０の移動量を調整することにより、基板Ｗの中心軸線Ａ２を回転軸線Ａ１に近づけることができる。

基板処理装置１Ｐによって、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の基板処理を実行することができる。具体的には、基板処理装置１Ｐによって図８の基板処理を実行することができる。
ただし、基板位置調整処理（ステップＳ２）における各部材の動作が多少異なる。具体的には、基板処理装置１Ｐでは、移動気体ノズル６０の代わりに、固定気体ノズル１５が設けられているため、図１６に示すように、ノズルの移動に関する工程が省略される。

図１６は、前記基板処理における基板位置調整（ステップＳ２）について説明するための流れ図である。具体的には、チャンバ８内におけるセンサ１３Ｐの位置が固定されているため、センサの移動に関する工程が省略されている。
より具体的には、以下の通りである。スピンベース２１の保持面２１ａに基板Ｗが載置された後、複数の気体バルブ１１１が開かれる。

基板Ｗが保持面２１ａに載置されることによって、基板Ｗの周縁部が検出空間ＤＳ内に位置する。複数の気体バルブ１１１が開かれることで、前述した図１４Ａに示すように、複数の固定気体ノズル１５から検出空間ＤＳへの気体の供給が開始される（気体供給工程）。
固定気体ノズル１５から供給される気体によって検出空間ＤＳに存在する雰囲気の置換が開始される（ステップＳ１１）。すなわち、検出空間ＤＳに基板Ｗの周縁部が位置する状態で、複数の固定気体ノズル１５から吐出される気体で検出空間ＤＳに存在する雰囲気を置換する雰囲気置換工程が開始される。

雰囲気の置換が開始された後、センサ１３Ｐによって基板Ｗの偏心量が測定される（ステップＳ１２）。すなわち、雰囲気置換工程の実行中に、基板Ｗを回転させながらセンサ１３によって偏心量Ｅを測定する偏心量測定工程が実行される。
センサ１３Ｐによって偏心量Ｅが測定された後、コントローラ３が、偏心量Ｅが所定の閾値以内であるか否かを判定する（ステップＳ１３：偏心量判定工程）。所定の閾値は、たとえば、０．０８ｍｍである。偏心量Ｅが、閾値以内でない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、基板Ｗの位置合わせが行われる前に、基板Ｗが配置される基準位置に基板Ｗが位置しているか否かを確認する位置確認工程が行われる（ステップＳ１４）。

具体的には、コントローラ３は、受光部７１の検出値に基づいて基板Ｗが基準位置に位置しているか否かを確認する。基準位置は、基板Ｗの中心軸線Ａ２が基準面Ｐ１に重なりかつ、基板Ｗの中心軸線Ａ２と回転軸線Ａ１とがリフタ１２０の移動方向（センタリング方向）に並ぶ回転位相である。
基板Ｗが基準位置に位置している場合（ステップＳ１４：ＹＥＳ）、スピンモータ２３は、基板Ｗおよびスピンベース２１を回転させずにその場で静止させる。基板Ｗが基準位置に位置していない場合（ステップＳ１４：ＮＯ）、スピンモータ２３は、基板Ｗおよびスピンベース２１を基準位置まで回転させて、基準位置で静止させる（ステップＳ１５）。これにより、図１７Ａに示すように、基板Ｗの中心軸線Ａ２が基準面Ｐ１に重なり、基板Ｗが基準位置に配置される。

基板Ｗが基準位置に配置された状態で、センタリングユニット１４によって基板Ｗの位置合わせが行われる（位置合わせ工程：ステップＳ１６）。詳しくは、センタリングユニット１４Ｐが、センサ１３Ｐによって測定された偏心量Ｅに基づいて、回転軸線Ａ１に基板Ｗの中心軸線Ａ２が近づくようにスピンベース２１に対して基板Ｗをセンタリング方向に水平に移動させる。

具体的には、図１７Ｂに示すように、第１リフタ１２０Ａおよび第２リフタ１２０Ｂをリフト位置に移動させることでスピンベース２１上の基板Ｗが第１リフタ１２０Ａおよび第２リフタ１２０Ｂによって持ち上げられる。その後、図１７Ｃに示すように、第１リフタ１２０Ａおよび第２リフタ１２０Ｂを一体にセンタリング方向に移動させることによって基板Ｗの偏心量Ｅが低減される。その後、第１リフタ１２０Ａおよび第２リフタ１２０Ｂが退避位置に水平移動させることによって、スピンベース２１の保持面２１ａに基板Ｗが載置される。

位置合わせ工程によって基板Ｗの中心軸線Ａ２がスピンベース２１の回転軸線Ａ１に充分近づき、基板Ｗの偏心が解消される。
その後、吸引バルブ２８が開かれることによって、基板Ｗがスピンベース２１に吸着される（吸着工程：ステップＳ１７）。その後、気体バルブ６３が閉じられることによって、検出空間ＤＳ内の雰囲気の置換が終了する（ステップＳ１８）。すなわち、雰囲気置換工程が終了する。以上により、基板位置調整処理（ステップＳ２）が終了する。

第２実施形態によれば、固定気体ノズル１５から吐出される気体（検出空間ＤＳ外の雰囲気）によって、検出空間ＤＳに存在する雰囲気が置換される。そのため、基板Ｗの周縁部が検出空間ＤＳに位置するときに検出空間ＤＳにおける雰囲気の揺らぎを解消できる。その結果、センサ１３Ｐの検出精度を向上させることができるので、基板Ｗの偏心量Ｅを良好に低減できる。

前述したように、環状空間ＳＰ１に存在する雰囲気には特に揺らぎが発生しやすい。第１固定気体ノズル１５Ａは、保持面２１ａに保持されている基板Ｗの周縁部とヒータ５０との間の環状空間ＳＰ１に向かって気体を吐出する。そのため、環状空間ＳＰ１の雰囲気を効果的に置換できる。したがって、環状空間ＳＰ１における雰囲気の揺らぎを解消できる。

第２実施形態によれば、気体供給ユニットとしての複数の固定気体ノズル１５が、発光部７０と受光部７１との対向方向Ｄ１に沿って並ぶ複数の気体吐出口１５ａを含む。そのため、対向方向Ｄ１に沿って並ぶ複数の気体吐出口１５ａから吐出される気体によって、基板Ｗの周縁部の付近の部分の雰囲気だけでなく、検出空間ＳＰの全体において雰囲気が置換される。そのため、センサ１３Ｐの検出精度を向上させることができる。

第２実施形態によれば、複数の固定気体ノズル１５が取付プレート１６に取り付けられており、複数の固定気体ノズル１５の取付部１１５および吐出部１１６が一体に形成されている。そのため、複数の固定気体ノズル１５を取付プレート１６に対して強固に固定でき、固定気体ノズル１５同士の位置関係を強固に固定できる。したがって、検出空間ＤＳに向けて気体を的確に供給できる。

図１８Ａおよび図１８Ｂは、第２実施形態に係る基板処理において実行される雰囲気置換工程の変形例について説明するための模式図である。
第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐでは、固定気体ノズル１５からの気体の吐出を行うことなく、気流形成ユニット１０によって形成される気流Ｆによって検出空間ＤＳ内の雰囲気の置換が行われてもよい。具体的には、第１ガード３０Ａが上位置に位置するときに気流Ｆが基板Ｗの周縁部と第１ガード３０Ａの内周端部（上端部）との間を通り、第１ガード３０Ａが下位置に位置するときに気流Ｆが第１ガード３０Ａの外側を通るように気流Ｆの経路を切り替えるように第１ガード３０Ａが構成されている。

より具体的には、図１８Ａに示すように、第１ガード３０Ａが上位置に位置するとき、基板Ｗと周縁部と第１ガード３０Ａの内周端部との間の隙間が広くなるため、気流Ｆは、主に第１ガード３０Ａの内周端部と基板Ｗの周縁部との間を通り、排気ダクト３４の上流端３４ａに達する（気流形成工程）。一方、図１８Ｂに示すように、第１ガード３０Ａが下位置に位置するときには、基板Ｗの周縁部と第１ガード３０Ａの内周端部との間の隙間が、第１ガード３０Ａが上位置に位置するときよりも小さくなる。そのため、気流Ｆは、主に第１ガード３０Ａと排気桶３３との間の隙間を通り、排気ダクト３４の上流端３４ａに達する。

このように、第１ガード３０Ａを上位置に配置することによって、チャンバ８内で基板Ｗの周縁部と第１ガード３０Ａとの間を通って排気ダクト３４に向かって流れる気流Ｆが形成される。これにより、基板Ｗの周縁部の付近の雰囲気を、気流Ｆによって運ばれる気体で置換できる。すなわち、気流形成ユニット１０および排気ダクト３４によって構成される給排気ユニットが雰囲気置換ユニットとして機能する。そのため、基板Ｗの周縁部が検出空間ＤＳに位置するときに検出空間ＤＳにおける雰囲気の揺らぎを解消できる。その結果、センサ１３Ｐの検出精度を向上させることができるので、センタリングユニット１４によって、基板Ｗの偏心量Ｅを良好に低減できる。

また、排気桶３３と第１ガード３０Ａとの間には、第１ガード３０Ａが上位置に位置するときに、排気桶３３と第１ガード３０Ａとの間において気流Ｆが通る経路を狭くする経路幅調整機構１６０が設けられていてもよい。経路幅調整機構１６０は、たとえば、第１ガード３０Ａの第１筒状部３５Ａからガード３０の中心側とは反対側に突出する第１フランジ１６１と、排気桶３３からガード３０の中心側に突出する第２フランジ１６２とによって構成されている。第１フランジ１６１および第２フランジ１６２は、鉛直方向に互いに対向し、第１ガード３０Ａが上位置に近づくほど第１フランジ１６１と第２フランジ１６２との間の隙間は狭くなる。

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、上述の実施形態では、基板処理装置１，１Ｐが、搬送ロボットＩＲ，ＣＲと、処理ユニット２と、コントローラ３とを備えている。しかしながら、基板処理装置１，１Ｐは、処理ユニット２のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット２が基板処理装置の一例であってもよい。

また、上述の実施形態では、センサ１３，１３Ｐにおいて、発光部７０および受光部７１の対向方向Ｄ１が鉛直方向に沿っている。しかしながら、対向方向Ｄ１は、必ずしも鉛直方向に沿っている必要はなく鉛直方向に対して傾斜していてもよい。言い換えると、高軸が鉛直方向に対して傾斜する方向に延びていてもよい。
また、第１実施形態においても、第１ガード３０Ａが上位置に位置するときに気流Ｆが基板Ｗの周縁部と第１ガード３０Ａの内周端部との間を通り、第１ガード３０Ａが下位置に位置するときに気流Ｆが第１ガード３０Ａの外側を通るように気流Ｆの経路を切り替えるように第１ガード３０Ａが構成されていてもよい。そのためには、第１ガード３０Ａが上位置に位置するときに移動気体ノズルヘッド１２が検出位置に移動できるように、第１ガード３０Ａに移動許容孔が設けられている必要がある。

また、第２実施形態に、センタリングユニット１４を適用することは可能であるし、逆に、移動気体ノズルヘッド１２の検出位置への移動を許容する移動許容孔が第１ガード３０Ａに設けられていれば、センタリングユニット１４Ｐを第１実施形態に適用することも可能である。
また、第２実施形態において、複数の固定気体ノズル１５の代わりに、複数の気体吐出口１５ａが設けられた単一の固定気体ノズルが設けられていてもよい。また、第１実施形態において、移動気体ノズルヘッド１２に、対向方向Ｄ１に並ぶ複数の吐出口６０ａが設けられていてもよい。

また、第２実施形態において、第１対向面１２７Ａおよび第２対向面１２７Ｂは、上方に向かうにしたがって互いに離間するように水平方向に対して傾斜する。しかしながら、第１対向面１２７Ａおよび第２対向面１２７Ｂは、鉛直面であってもよい。この場合、２つのリフタ１２０によって基板Ｗを水平方向の両側から把持した状態で、第１ガード３０Ａを上方に移動させることによって、基板Ｗをスピンベース２１から浮き上がらせることができる。

また、移動気体ノズル６０から吐出される気体、および、第１固定気体ノズル１５Ａから吐出される気体は、環状空間ＳＰ１に向かう気流を形成してなくてもよく、ヒータ５０の加熱に起因する検出空間ＤＳ内の雰囲気の揺らぎの発生を抑制できればよい。
上述の実施形態では、各構成を模式的にブロックで示している場合があるが、各ブロックの形状、大きさおよび位置関係は、各構成の形状、大きさおよび位置関係を示すものではない。

その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
１Ｐ ：基板処理装置
２ ：処理ユニット（基板処理装置）
８ ：チャンバ
１０ ：気流形成ユニット（給排気ユニット、雰囲気置換ユニット）
１１ ：加熱ユニット
１２ ：移動気体ノズルヘッド（気体供給ユニット、雰囲気置換ユニット）
１３ ：センサ（偏心量測定ユニット）
１３Ｐ ：センサ（偏心量測定ユニット）
１４ ：センタリングユニット
１４Ｐ ：センタリングユニット
１５ ：固定気体ノズル（気体供給ユニット、雰囲気置換ユニット）
１５ａ ：気体吐出口
１６ ：取付プレート
２１ ：スピンベース（ベース）
２１ａ ：保持面
３０ ：ガード
３０Ａ ：第１ガード
３４ ：排気ダクト（給排気ユニット、雰囲気置換ユニット）
６０ａ ：吐出口
７０ ：発光部
７１ ：受光部
８０ ：リフトピン（リフタ）
８０ａ ：先端部（対向部）
８５ ：ピン鉛直移動機構（リフタ鉛直移動機構）
９０ ：ピン水平移動機構（リフタ水平移動機構）
９０Ｐ ：リフタ水平移動機構
１１５ ：取付部
１１６ ：吐出部
１２０ ：リフタ
１２０Ａ ：第１リフタ
１２０Ｂ ：第２リフタ
１２２ ：第１リフタ水平移動機構
１２３ ：第２リフタ水平移動機構
１２７ ：対向面
１２７Ａ ：第１対向面
１２７Ｂ ：第２対向面
Ａ１ ：回転軸線
Ａ２ ：中心軸線（基板の中心部）
Ｃ１ ：中心部
Ｄ１ ：対向方向
ＤＳ ：検出空間
Ｌ ：光
ＳＰ１ ：環状空間（基板の周縁部とヒータとの間の空間）
Ｗ ：基板

Claims (13)

1. 円板状の基板を水平な姿勢に保持する保持面を有するベースと、
   前記ベースを鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転ユニットと、
   前記保持面に保持されている基板の周縁部を加熱する加熱ユニットと、
   光を発する発光部および前記発光部から発せられた光を受ける受光部を有し、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記発光部と前記受光部との間の検出空間内に位置するときに前記回転軸線に対する当該基板の偏心量を測定する偏心量測定ユニットと、
   前記検出空間に存在する雰囲気を前記検出空間外の雰囲気で置換する雰囲気置換ユニットとを備え、
   前記雰囲気置換ユニットが、前記検出空間に向けて気体を供給する気体供給ユニットを含み、
   前記気体供給ユニットが、前記発光部と前記受光部との対向方向に沿って並ぶ複数の気体吐出口を含む、基板処理装置。
2. 前記気体供給ユニットが、複数の前記気体吐出口をそれぞれ有する複数の固定気体ノズルと、複数の前記固定気体ノズルが共通に取り付けられる取付プレートとを含み、
   前記固定気体ノズルが、前記取付プレートに取り付けられる取付部と、前記取付部と一体に形成され、前記気体吐出口が設けられた吐出部とを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 円板状の基板を水平な姿勢に保持する保持面を有するベースと、
   前記ベースを鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転ユニットと、
   前記保持面に保持されている基板の周縁部を加熱する加熱ユニットと、
   光を発する発光部および前記発光部から発せられた光を受ける受光部を有し、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記発光部と前記受光部との間の検出空間内に位置するときに前記回転軸線に対する当該基板の偏心量を測定する偏心量測定ユニットと、
   前記検出空間に存在する雰囲気を前記検出空間外の雰囲気で置換する雰囲気置換ユニットとを備え、
   前記雰囲気置換ユニットが、前記検出空間に向けて気体を供給する気体供給ユニットを含み、
   前記気体供給ユニットが、前記発光部および前記受光部とともに移動し、前記検出空間に気体を供給する移動気体ノズルヘッドであって、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記検出空間内に位置する検出位置と、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記検出空間外に位置する退避位置との間で移動する移動気体ノズルヘッドを含む、基板処理装置。
4. 前記加熱ユニットが、前記保持面に保持されている基板の周縁部に対向するヒータを含み、
   前記気体供給ユニットが、前記保持面に保持されている基板の周縁部と前記ヒータとの間の空間に向かって気体を吐出する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記ベースを収容するチャンバをさらに備え、
   前記雰囲気置換ユニットが、前記チャンバ内の空間への給気および前記チャンバ内の空間からの排気を行う給排気ユニットを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記保持面に保持されている基板を取り囲むガードであって、前記ガードの上端部が当該基板の上面よりも上方に位置する上位置と前記ガードの上端部が当該基板の上面よりも下方に位置する下位置との間で移動するように構成されているガードをさらに含み、
   前記給排気ユニットが、前記チャンバ内の雰囲気を排気する排気ダクトと、前記チャンバ内に雰囲気を供給し、前記排気ダクトに向かう気流を前記チャンバ内に形成する気流形成ユニットとを含み、
   前記ガードは、前記ガードが前記上位置に位置するときに前記気流が前記保持面に保持されている基板の周縁部と前記ガードとの間を通り、前記ガードが前記下位置に位置するときに前記気流が前記ガードの外側を通るように前記気流の経路を切り替える、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記保持面上の基板を前記ベースに対して移動させて、当該基板の中心部を前記回転軸線に近づけるセンタリングユニットをさらに備え、
   前記センタリングユニットが、前記保持面に保持されている基板を持ち上げたり、当該持ち上げた基板を前記保持面に載置したりするように構成されているリフタと、前記リフタを水平移動させることで、当該基板の中心部を前記回転軸線に近づけるリフタ水平移動機構とを含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記リフタは、複数設けられており、
   複数の前記リフタが、前記保持面に保持されている基板よりも下方から当該基板に対向する対向部を有し、
   前記センタリングユニットが、前記対向部を前記保持面よりも上方の第１位置と、前記対向部を前記保持面よりも下方の第２位置との間で鉛直方向に移動させるリフタ鉛直移動機構をさらに含む、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記リフタが複数設けられており、
   複数の前記リフタが、前記保持面に保持されている基板の周縁部に水平方向から対向する第１対向面を有する第１リフタと、前記保持面に保持されている基板の周縁部に前記第１対向面とは反対側から水平方向から対向する第２対向面を有する第２リフタとを含み、
   前記リフタ水平移動機構が、前記第１リフタおよび前記第２リフタを個別に水平移動させる第１リフタ水平移動機構と、前記第１リフタおよび前記第２リフタを一体に水平移動させる第２リフタ水平移動機構とを含み、
   前記第１対向面および前記第２対向面は、上方に向かうにしたがって互いに離間するように水平方向に対して傾斜する、請求項７に記載の基板処理装置。
10. 円板状の基板を水平な姿勢に保持する保持面を有するベースと、
    前記ベースを鉛直な回転軸線まわりに回転させる回転ユニットと、
    前記保持面に保持されている基板の周縁部を加熱する加熱ユニットと、
    光を発する発光部および前記発光部から発せられた光を受ける受光部を有し、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記発光部と前記受光部との間の検出空間内に位置するときに前記回転軸線に対する当該基板の偏心量を測定する偏心量測定ユニットと、
    前記検出空間に存在する雰囲気を前記検出空間外の雰囲気で置換する雰囲気置換ユニットと、
    前記保持面上の基板を前記ベースに対して移動させて、当該基板の中心部を前記回転軸線に近づけるセンタリングユニットとを備え、
    前記センタリングユニットが、前記保持面に保持されている基板を持ち上げたり、当該持ち上げた基板を前記保持面に載置したりするように構成されているリフタと、前記リフタを水平移動させることで、当該基板の中心部を前記回転軸線に近づけるリフタ水平移動機構とを含み、
    前記リフタが複数設けられており、
    複数の前記リフタが、前記保持面に保持されている基板の周縁部に水平方向から対向する第１対向面を有する第１リフタと、前記保持面に保持されている基板の周縁部に前記第１対向面とは反対側から水平方向から対向する第２対向面を有する第２リフタとを含み、
    前記リフタ水平移動機構が、前記第１リフタおよび前記第２リフタを個別に水平移動させる第１リフタ水平移動機構と、前記第１リフタおよび前記第２リフタを一体に水平移動させる第２リフタ水平移動機構とを含み、
    前記第１対向面および前記第２対向面は、上方に向かうにしたがって互いに離間するように水平方向に対して傾斜する、基板処理装置。
11. 円板状の基板の周縁部にヒータが対向するように、ベースの保持面に前記基板を水平な姿勢で保持させる基板保持工程と、
    発光部および受光部を有するセンサの前記発光部および前記受光部の間の空間である検出空間に前記基板の周縁部が位置する状態で、前記検出空間に存在する雰囲気を前記検出空間外の雰囲気で置換する雰囲気置換工程と、
    前記雰囲気置換工程の実行中に、鉛直な回転軸線まわりに前記ベースを回転させながら前記回転軸線に対する当該基板の偏心量を前記センサによって検出する偏心量測定工程と、
    前記偏心量測定工程によって検出された偏心量に応じて、前記基板を前記ベースに対して移動させることによって、前記基板の中心部を前記回転軸線に近づける位置合わせ工程とを含み、
    前記雰囲気置換工程が、前記発光部と前記受光部との対向方向に沿って並ぶ複数の気体吐出口から前記検出空間に向けて気体を供給する気体供給工程を含む、基板位置調整方法。
12. 円板状の基板の周縁部にヒータが対向するように、ベースの保持面に前記基板を水平な姿勢で保持させる基板保持工程と、
    発光部および受光部を有するセンサの前記発光部および前記受光部の間の空間である検出空間に前記基板の周縁部が位置する状態で、前記検出空間に存在する雰囲気を前記検出空間外の雰囲気で置換する雰囲気置換工程と、
    前記雰囲気置換工程の実行中に、鉛直な回転軸線まわりに前記ベースを回転させながら前記回転軸線に対する当該基板の偏心量を前記センサによって検出する偏心量測定工程と、
    前記偏心量測定工程によって検出された偏心量に応じて、前記基板を前記ベースに対して移動させることによって、前記基板の中心部を前記回転軸線に近づける位置合わせ工程とを含み、
    前記雰囲気置換工程が、前記検出空間に向けて気体を供給する気体供給工程を含み、
    前記気体供給工程が、前記発光部および前記受光部とともに移動し、前記検出空間に気体を供給する移動気体ノズルヘッドであって、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記検出空間内に位置する検出位置と、前記保持面に保持されている基板の周縁部が前記検出空間外に位置する退避位置との間で移動する移動気体ノズルヘッドによって前記検出空間に気体を供給する工程を含む、基板位置調整方法。
13. 前記雰囲気置換工程が、前記基板を取り囲むガードであって、当該ガードの上端部が当該基板の上面よりも上方に位置する上位置と当該ガードの上端部が当該基板の上面よりも下方に位置する下位置との間で移動するように構成されているガードを前記上位置に配置することによって、前記ガードおよび前記ベースを収容するチャンバ内で前記基板の周縁部と前記ガードとの間を通って排気ダクトに向かって流れる気流を形成する気流形成工程を含む、請求項１１または１２に記載の基板位置調整方法。

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