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JP6781639B2 - ウエーハ生成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等のデバイスは、Ｓｉ（シリコン）やＡｌ２Ｏ３（サファイア）等を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。また、パワーデバイス、ＬＥＤ等は単結晶ＳｉＣ（炭化ケイ素）を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。デバイスが形成されたウエーハは、切削装置、レーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
デバイスが形成されるウエーハは、一般的に円柱形状のインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成される。切断されたウエーハの表面及び裏面は、研磨することにより鏡面に仕上げられる（特許文献１参照。）。しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、切断したウエーハの表面及び裏面を研磨すると、インゴットの大部分（７０〜８０％）が捨てられることになり不経済であるという問題がある。特に単結晶ＳｉＣインゴットにおいては、硬度が高くワイヤーソーでの切断が困難であり相当の時間を要するため生産性が悪いと共に、インゴットの単価が高く効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
そこで、単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を単結晶ＳｉＣインゴットの内部に位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射して切断予定面に改質層を形成し、改質層が形成された切断予定面に沿って単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを剥離する技術が提案されている（特許文献２参照。）。
特開２０００−９４２２１号公報 特開２０１３−４９１６１号公報
ところが、ウエーハをインゴットから剥離する際、またはウエーハの表面にデバイスを形成する際、ウエーハに強度を持たせるために単結晶ＳｉＣインゴットから剥離するウエーハの厚みは７００〜８００μｍ程度に設定され、ウエーハを個々のデバイスに分割する際は放熱性を良くするためにウエーハの裏面を５００〜６００μｍ程度研削してウエーハの厚みを１００μｍ前後に薄化していることから、より経済的にウエーハを生成することに解決すべき課題がある。上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、単結晶ＳｉＣインゴットから経済的にウエーハを生成することができるウエーハ生成方法を提供することである。
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のウエーハ生成方法である。すなわち、単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、単結晶ＳｉＣインゴットの端面を平坦化する端面平坦化工程と、単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を単結晶ＳｉＣインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射しウエーハを剥離する剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層が形成された単結晶ＳｉＣインゴットの端面に接着剤を介してハードプレートを配設するハードプレート配設工程と、該ハードプレート配設工程において配設したハードプレートと共に単結晶ＳｉＣインゴットの剥離層からウエーハを剥離する剥離工程と、単結晶ＳｉＣインゴットから剥離したウエーハの剥離面を研削加工によって平坦化する剥離面平坦化工程と、平坦化された剥離面にデバイスを形成するデバイス形成工程と、から少なくとも構成され、該ハードプレート配設工程において配設したハードプレートをウエーハに装着した状態で該剥離面平坦化工程および該デバイス形成工程を実施するウエーハ生成方法である。
好ましくは、単結晶ＳｉＣインゴットは、第一の面と、該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至り該第一の面の垂線に対して傾いているｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有し、該ｃ面と該第一の面とでオフ角が形成されており、該剥離層形成工程において、単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該第一の面からウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動してＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層およびクラックを形成し、該オフ角が形成される方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動して所定量インデックスして剥離層を形成する。
本発明が提供するウエーハ生成方法は、単結晶ＳｉＣインゴットの端面を平坦化する端面平坦化工程と、単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を単結晶ＳｉＣインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射しウエーハを剥離する剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層が形成された単結晶ＳｉＣインゴットの端面に接着剤を介してハードプレートを配設するハードプレート配設工程と、該ハードプレート配設工程において配設したハードプレートと共に単結晶ＳｉＣインゴットの剥離層からウエーハを剥離する剥離工程と、単結晶ＳｉＣインゴットから剥離したウエーハの剥離面を研削加工によって平坦化する剥離面平坦化工程と、平坦化された剥離面にデバイスを形成するデバイス形成工程と、から少なくとも構成され、該ハードプレート配設工程において配設したハードプレートをウエーハに装着した状態で該剥離面平坦化工程および該デバイス形成工程を実施するので、ウエーハはハードプレートによって補強されており、単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを剥離する際やウエーハの表面にデバイスを形成する際等のウエーハの損傷を防止するために、ウエーハの厚みを７００〜８００μｍ程度と比較的厚くしてウエーハに強度を持たせる必要がなく、ウエーハの厚みが２００μｍ程度と比較的薄くても単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを剥離する際やウエーハの表面にデバイスを形成する際等のウエーハの損傷が防止される。したがって、本発明のウエーハ生成方法では、単結晶ＳｉＣインゴットから剥離するウエーハの厚みを２００μｍ程度と比較的薄くすることができるので、放熱性を良くするためにウエーハを薄化する際に研削される（捨てられる）量を削減することができると共に、単結晶ＳｉＣインゴットから生成可能なウエーハ数量を増大させることができ、より経済的に単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成することができる。
（ａ）単結晶ＳｉＣインゴットの正面図（ａ）、平面図（ｂ）及び斜視図（ｃ）。 端面平坦化工程が実施されている状態を示す斜視図。 剥離層形成工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）及び正面図（ｂ）。 剥離層が形成された単結晶ＳｉＣインゴットの平面図（ａ）、Ｂ−Ｂ線断面図（ｂ）及びＤ部拡大図（ｃ）。 ハードプレート配設工程が実施されている状態を示す斜視図。 剥離工程が実施されている状態を示す斜視図（ａ）、及びハードプレート共に剥離されたウエーハの斜視図（ｂ）。 剥離面平坦化工程が実施されている状態を示す斜視図。 デバイスが形成されたウエーハの斜視図。 分割工程が実施されている状態を示す斜視図。 個々のデバイスに分割されたウエーハの斜視図。
以下、本発明のウエーハ生成方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１に示す全体として円柱形状の六方晶単結晶ＳｉＣインゴット２（以下「インゴット２」という。）は、円形状の第一の面４と、第一の面４と反対側の円形状の第二の面６と、第一の面４及び第二の面６の間に位置する周面８と、第一の面４から第二の面６に至るｃ軸（＜０００１＞方向）と、ｃ軸に直交するｃ面（｛０００１｝面）とを有する。図示のインゴット２においては、第一の面４の垂線１０に対してｃ軸が傾いており、ｃ面と第一の面４とでオフ角α（たとえばα＝１、３、６度）が形成されている。オフ角αが形成される方向を図１に矢印Ａで示す。また、インゴット２の周面８には、結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット１２及び第二のオリエンテーションフラット１４が形成されている。第一のオリエンテーションフラット１２は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第二のオリエンテーションフラット１４は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図１（ｂ）に示すとおり、垂線１０の方向にみて、第二のオリエンテーションフラット１４の長さＬ２は、第一のオリエンテーションフラット１２の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。
図示の実施形態では、まず、インゴット２の端面を平坦化する端面平坦化工程を実施する。端面平坦化工程は、たとえば図２にその一部を示す研削装置１６を用いて実施することができる。研削装置１６は、チャックテーブル１８及び研削手段２０を備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブル１８は、回転手段（図示していない。）によって上下方向に延びる軸線を中心として回転される。研削手段２０は、モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びる円柱状のスピンドル２２と、スピンドル２２の下端に固定された円盤状のホイールマウント２４とを含む。ホイールマウント２４の下面にはボルト２６によって環状の研削ホイール２８が固定されている。研削ホイール２８の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石３０が固定されている。図２に示すとおり、研削砥石３０がチャックテーブル１８の回転中心を通るように、研削ホイール２８の回転中心はチャックテーブル１８の回転中心に対して変位している。このため、チャックテーブル１８と研削ホイール２８とが相互に回転しながら、チャックテーブル１８の上面に保持された被加工物の上面と研削砥石３０とが接触した場合に、被加工物の上面全体が研削砥石３０によって研削される。
図２を参照して説明を続けると、端面平坦化工程では、まず、研削すべきインゴット２の端面（図示の実施形態では第一の面４）を上に向けて、研削装置１６のチャックテーブル１８の上面にインゴット２を吸着させる。あるいは、研削すべきインゴット２の端面の反対側の端面（図示の実施形態では第二の面６）とチャックテーブル１８の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、インゴット２をチャックテーブル１８に固定してもよい。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル１８を回転手段によって回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル２２をモータによって回転させる。次いで、研削装置１６の昇降手段（図示していない。）によってスピンドル２２を下降させ、研削すべきインゴット２の端面に研削砥石３０を接触させる。研削すべきインゴット２の端面に研削砥石３０を接触させた後は所定の研削送り速度（たとえば０．１μｍ／ｓ）でスピンドル２２を下降させる。これによって、インゴット２の端面を平坦化することができる。
端面平坦化工程を実施した後、ウエーハを剥離する剥離層を形成する剥離層形成工程を実施する。剥離層形成工程は、たとえば図３にその一部を示すレーザー加工装置３２を用いて実施することができる。レーザー加工装置３２は、チャックテーブル３４及び集光器３６を備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブル３４は、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、Ｘ方向移動手段によってＸ方向に進退され、Ｙ方向移動手段によってＹ方向に進退される（いずれも図示していない。）。集光器３６は、レーザー加工装置３２のパルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線ＬＢを集光して被加工物に照射するための集光レンズ（いずれも図示していない。）を含む。なお、Ｘ方向は図３に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図３に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定する平面は実質上水平である。
図３を参照して説明を続けると、剥離面形成工程では、まず、インゴット２の平坦化された端面（図示の実施形態では第一の面４）を上に向けて、レーザー加工装置３２のチャックテーブル３４の上面にインゴット２を吸着させる。あるいは、インゴット２の平坦化された端面の反対側の端面（図示の実施形態では第二の面６）とチャックテーブル３４の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、インゴット２をチャックテーブル３４に固定してもよい。次いで、レーザー加工装置３２の撮像手段（図示していない。）によって、インゴット２の平坦化された端面の上方からインゴット２を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像されたインゴット２の画像に基づいて、レーザー加工装置３２のＸ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル３４を移動及び回転させることによって、インゴット２の向きを所定の向きに調整すると共に、インゴット２と集光器３６とのＸＹ平面における位置を調整する。インゴット２の向きを所定の向きに調整する際は、図３（ａ）に示すとおり、第一のオリエンテーションフラット１２をＹ方向に整合させると共に、第二のオリエンテーションフラット１４をＸ方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向ＡをＹ方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向をＸ方向に整合させる。次いで、レーザー加工装置３２の集光点位置調整手段（図示していない。）によって集光器３６を昇降させ、図３（ｂ）に示すとおり、インゴット２の平坦化された端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さ（たとえば２００μｍ程度）の位置に集光点ＦＰを位置づける。次いで、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に整合しているＸ方向にインゴット２と集光点ＦＰとを相対的に移動させながら、単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３６からインゴット２に照射する改質層形成加工を行う。図示の実施形態では図３に示すとおり、改質層形成加工において、集光点ＦＰを移動させずに集光点ＦＰに対してチャックテーブル３４を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に加工送りしながら、パルスレーザー光線ＬＢを集光器３６からインゴット２に照射している。
改質層形成加工を行うと、図４に示すとおり、パルスレーザー光線ＬＢの照射によりＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層３８と、改質層３８からｃ面に沿って改質層３８の両側に伝播するクラック４０とが形成される。なお、改質層形成加工では、改質層３８が形成される深さにおいて隣接するパルスレーザー光線ＬＢのスポットが相互に重なるようにインゴット２と集光点ＦＰとを相対的にＸ方向に加工送りしながらパルスレーザー光線ＬＢをインゴット２に照射して、ＳｉとＣとに分離した改質層３８に再度パルスレーザー光線ＬＢが照射されるようにする。隣接するスポットが相互に重なるには、パルスレーザー光線ＬＢの繰り返し周波数Ｆと、インゴット２と集光点ＦＰとの相対速度Ｖと、スポットの直径Ｄとで規定されるＧ＝（Ｖ／Ｆ）−ＤがＧ＜０であることを要する。また、隣接するスポットの重なり率は｜Ｇ｜／Ｄで規定される。
図３及び図４を参照して説明を続けると、剥離層形成工程では、改質層形成加工に続いて、オフ角αが形成される方向Ａに整合しているＹ方向にインゴット２と集光点ＦＰとを相対的に所定インデックス量だけインデックス送りする。図示の実施形態では、集光点ＦＰを移動させずに集光点ＦＰに対してチャックテーブル３４をＹ方向移動手段によってＹ方向に所定インデックス量Ｌｉだけインデックス送りしている。そして、剥離層形成工程において改質層形成加工とインデックス送りと交互に繰り返すことにより、図４に示すとおり、インゴット２の平坦化された端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに、複数の改質層３８及びクラック４０から構成される、インゴット２からウエーハを剥離するための剥離層４２を形成することができる。剥離層４２においては、オフ角αが形成される方向Ａにおいて隣接する改質層３８同士がクラック４０によって連結されている。このような剥離層形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：８０ｋＨｚ
平均出力 ：３．２Ｗ
パルス幅 ：４ｎｓ
集光点の直径 ：３μｍ
集光レンズの開口数（ＮＡ） ：０．４３
インデックス量 ：２５０〜４００μｍ
加工送り速度 ：１２０〜２６０ｍｍ／ｓ
図５を参照して説明する。剥離層形成工程を実施した後、剥離層４２が形成されたインゴット２の平坦化された端面（図示の実施形態では第一の面４）に接着剤を介してハードプレート４４を配設するハードプレート配設工程を実施する。ハードプレート配設工程において用いるハードプレート４４としては、たとえば、厚み５ｍｍ程度の円盤状のガラス板、セラミックス板、合成樹脂板（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やアクリル等）を用いることができ、ハードプレート４４の材質はハードプレート配設工程を実施した後に行われる各種工程に応じて適宜選択され得る。インゴット２の平坦化された端面に接触するハードプレート４４の面は、インゴット２の平坦化された端面とほぼ同じ形状であるか、あるいはインゴット２の平坦化された端面よりも大きい形状であるのが好適である。また、ハードプレート配設工程において用いる接着剤は、シアノアクリレート系接着剤（たとえば、東亞合成株式会社のアロンアルファ（登録商標））でよい。
ハードプレート配設工程を実施した後、ハードプレート４４と共にインゴット２の剥離層４２からウエーハを剥離する剥離工程を実施する。剥離工程は、たとえば図６（ａ）にその一部を示す剥離装置４６を用いて実施することができる。剥離装置４６は、チャックテーブル４８及び剥離手段５０を備える。チャックテーブル４８は上面において被加工物を吸着するように構成されている。剥離手段５０は、実質上水平に延びるアーム５２と、アーム５２の先端に付設されたモータ５４とを含む。モータ５４の下面には、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に円盤状の吸着片５６が連結されている。下面において被加工物を吸着するように構成されている吸着片５６には、吸着片５６の下面に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手段（図示していない。）が内蔵されている。
図６を参照して説明を続けると、剥離工程では、まず、ハードプレート４４を配設したインゴット２の端面側（図示の実施形態では第一の面４側）を上に向けて、剥離装置４６のチャックテーブル４８の上面にインゴット２を吸着させる。あるいは、ハードプレート４４を配設したインゴット２の端面の反対側の端面（図示の実施形態では第二の面６）とチャックテーブル４８の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、インゴット２をチャックテーブル４８に固定してもよい。次いで、剥離装置４６の昇降手段（図示していない。）によってアーム５２を下降させ、図６（ａ）に示すとおり、吸着片５６の下面をハードプレート４４の片面に吸着させる。次いで、超音波振動付与手段を作動させ、吸着片５６の下面に対して超音波振動を付与すると共に、モータ５４を作動させ吸着片５６を回転させる。これによって、ハードプレート４４と共にインゴット２の剥離層４２からウエーハ５８を剥離することができる。図６（ｂ）に、ハードプレート４４と共にインゴット２の剥離層４２から剥離したウエーハ５８の剥離面５８ａを上に向けた状態におけるウエーハ５８の斜視図を示す。
図７を参照して説明する。剥離工程を実施した後、インゴット２から剥離したウエーハ５８の剥離面５８ａを平坦化する剥離面平坦化工程を実施する。上述の研削装置１６を用いて実施することができる剥離面平坦化工程は、ウエーハ５８にハードプレート４４を接着した状態で実施する。研削工程では、まず、インゴット２から剥離したウエーハ５８の剥離面５８ａを上に向けて（すなわち、ハードプレート４４側を下に向けて）、研削装置１６のチャックテーブル１８の上面にウエーハ５８及びハードプレート４４を吸着させる。あるいは、ハードプレート４４の片面とチャックテーブル１８の上面と間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、ウエーハ５８及びハードプレート４４をチャックテーブル１８に固定してもよい。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル１８を回転手段によって回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル２２をモータによって回転させる。次いで、研削装置１６の昇降手段（図示していない。）によってスピンドル２２を下降させ、ウエーハ５８の剥離面５８ａに研削砥石３０を接触させる。ウエーハ５８の剥離面５８ａに研削砥石３０を接触させた後は所定の研削送り速度（たとえば０．１μｍ／ｓ）でスピンドル２２を下降させる。これによって、インゴット２から剥離したウエーハ５８の剥離面５８ａを平坦化することができる。
図８を参照して説明する。剥離面平坦化工程を実施した後、ウエーハ５８の平坦化された剥離面５８ａにパワーデバイス、ＬＥＤ等のデバイス６０を形成するデバイス形成工程を実施する。デバイス形成工程はウエーハ５８にハードプレート４４を接着した状態で実施する。図示の実施形態では図８に示すとおり、ウエーハ５８の平坦化された剥離面５８ａに形成された矩形状のデバイス６０は格子状の分割予定ライン６２によって区画されている。
図９を参照して説明する。図示の実施形態では剥離面平坦化工程を実施した後、ウエーハ５８を個々のデバイス６０に分割する分割工程を実施する。上述のレーザー加工装置３２を用いて実施することができる分割工程は、ウエーハ５８にハードプレート４４を接着した状態で実施する。分割工程では、まず、デバイス６０が形成されたウエーハ５８の剥離面５８ａを上に向けて（すなわち、ハードプレート４４側を下に向けて）、レーザー加工装置３２のチャックテーブル３４の上面にウエーハ５８及びハードプレート４４を吸着させる。あるいは、ハードプレート４４の片面とチャックテーブル３４の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、ウエーハ５８及びハードプレート４４をチャックテーブル３４に固定してもよい。次いで、レーザー加工装置３２の撮像手段によって上方からウエーハ５８を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像されたウエーハ５８の画像に基づいて、レーザー加工装置３２のＸ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル３４を移動及び回転させることによって、格子状の分割予定ライン６２をＸ方向及びＹ方向に整合させると共に、Ｘ方向に整合させた位置の分割予定ライン６２の片端部を集光器３６の直下に位置づける。次いで、レーザー加工装置３２の集光点位置調整手段によって集光器３６を昇降させ、ウエーハ５８の分割予定ライン６２上に集光点ＦＰを位置づける。次いで、ウエーハ５８と集光点ＦＰとをＸ方向に相対的に移動させながら、ウエーハ５８の分割予定ライン６２の片端部から他端部まで単結晶ＳｉＣに対して吸収性を有するパルスレーザー光線ＬＢを集光器３６から照射するアブレーション加工等の分割加工を施す。図示の実施形態では分割加工において、集光点ＦＰを移動させずに集光点ＦＰに対してチャックテーブル３４を所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に加工送りしながら、パルスレーザー光線ＬＢを集光器３６からウエーハ５８に照射している。次いで、分割予定ライン６２の間隔の分だけウエーハ５８と集光点ＦＰとを相対的にＹ方向にインデックス送りする。図示の実施形態では、分割予定ライン６２の間隔の分だけ、集光点ＦＰを移動させずに集光点ＦＰに対してチャックテーブル３４をＹ方向移動手段によってＹ方向にインデックス送りしている。そして、アブレーション加工等の分割加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ方向に整合させた分割予定ライン６２のすべてに分割加工を施す。また、回転手段によってチャックテーブル３４を９０度回転させた上で、アブレーション加工等の分割加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に分割加工を施した分割予定ライン６２と直交する分割予定ライン６２のすべてにも分割加工を施す。これによって、ウエーハ５８を個々のデバイス６０に分割することができる。ウエーハ５８の分割予定ライン６２に沿って格子状に分割加工が施された部分（加工ライン）を符号６４で示す。
図１０を参照して説明する。図示の実施形態では分割工程を実施した後、個々のデバイス６０をピックアップするピックアップ工程を実施する。ピックアップ工程では、たとえば、ハードプレート４４側を下に向けてウエーハ５８及びハードプレート４４を加熱プレート（図示していない。）に搭載して加熱する。これにより、ウエーハ５８とハードプレート４４との間に介在された接着剤が溶融されて接着力が低下するので、適宜のピックアップ手段（図示していない。）によってハードプレート４４から個々のデバイス６０をピックアップすることができる。
以上のとおり、本発明のウエーハ生成方法では、ウエーハ５８はハードプレート４４によって補強されているので、インゴット２からウエーハ５８を剥離する際やウエーハ５８の表面にデバイス６０を形成する際等のウエーハ５８の損傷を防止するために、ウエーハ５８の厚みを７００〜８００μｍ程度と比較的厚くしてウエーハ５８に強度を持たせる必要がなく、ウエーハ５８の厚みが２００μｍ程度と比較的薄くてもインゴット２からウエーハ５８を剥離する際やウエーハ５８の表面にデバイス６０を形成する際等のウエーハ５８の損傷が防止される。したがって、本発明のウエーハ生成方法では、インゴット２から剥離するウエーハ５８の厚みを２００μｍ程度と比較的薄くすることができるので、放熱性を良くするためにウエーハ５８を薄化する際に研削される（捨てられる）量を削減することができると共に、インゴット２から生成可能なウエーハ数量を増大させることができ、より経済的にインゴット２からウエーハ５８を生成することができる。
なお、図示の実施形態では、剥離層形成工程の改質層形成加工においてオフ角αが形成される方向Ａと直交する方向にインゴット２と集光点ＦＰとを相対的に移動させ、かつ剥離層形成工程のインデックス送りにおいてオフ角αが形成される方向Ａにインゴット２と集光点ＦＰとを相対的に移動させる例を説明したが、剥離層形成工程の改質層形成加工におけるインゴット２と集光点ＦＰとの相対的な移動方向はオフ角αが形成される方向Ａと直交する方向でなくてもよく、かつ剥離層形成工程のインデックス送りにおけるインゴット２と集光点ＦＰとの相対的な移動方向はオフ角αが形成される方向Ａでなくてもよい。また、図示の実施形態では、第一の面４の垂線１０に対してｃ軸が傾いておりｃ面と第一の面４とでオフ角αが形成されているインゴット２の例を説明したが、第一面の垂線に対してｃ軸が傾いておらず、ｃ面と第一の面とのオフ角が０度である（すなわち、第一の面の垂線とｃ軸とが一致している）単結晶ＳｉＣインゴットの場合でも、本発明のウエーハ生成方法を実施することができる。
２：単結晶ＳｉＣインゴット
４：第一の面（端面）
６：第二の面
３８：改質層
４０：クラック
４２：剥離層
４４：ハードプレート
５８：ウエーハ
５８ａ：剥離面
６０：デバイス
α：オフ角
Ａ：オフ角が形成される方向
ＦＰ：集光点
ＬＢ：パルスレーザー光線

Claims (2)

  1. 単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、
    単結晶ＳｉＣインゴットの端面を平坦化する端面平坦化工程と、
    単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を単結晶ＳｉＣインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射しウエーハを剥離する剥離層を形成する剥離層形成工程と、
    剥離層が形成された単結晶ＳｉＣインゴットの端面に接着剤を介してハードプレートを配設するハードプレート配設工程と、
    該ハードプレート配設工程において配設したハードプレートと共に単結晶ＳｉＣインゴットの剥離層からウエーハを剥離する剥離工程と、
    単結晶ＳｉＣインゴットから剥離したウエーハの剥離面を研削加工によって平坦化する剥離面平坦化工程と、
    平坦化された剥離面にデバイスを形成するデバイス形成工程と、
    から少なくとも構成され、
    該ハードプレート配設工程において配設したハードプレートをウエーハに装着した状態で該剥離面平坦化工程および該デバイス形成工程を実施するウエーハ生成方法。
  2. 単結晶ＳｉＣインゴットは、第一の面と、該第一の面と反対側の第二の面と、該第一の面から該第二の面に至り該第一の面の垂線に対して傾いているｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有し、該ｃ面と該第一の面とでオフ角が形成されており、
    該剥離層形成工程において、
    単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該第一の面からウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動してＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層およびクラックを形成し、該オフ角が形成される方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動して所定量インデックスして剥離層を形成する請求項１記載のウエーハ生成方法。
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