JP6269294B2 - プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物 - Google Patents
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Description
[1] プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物であって、
樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%としたとき、無機充填材の含有量が40〜75体積%であり、
式:A=SRρ/6[式中、Sは無機充填材の比表面積(m2/g)、Rは無機充填材の平均粒子径(μm)、ρは無機充填材の密度(g/cm3)を表す。]で表される無機充填材の形状パラメータAが20≦6A≦40を満たす、樹脂組成物。
[2] プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物であって、
樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%としたとき、無機充填材の含有量が40〜75体積%であり、
式:B=Lc/L[式中、Lは所定の断面における無機充填材の周囲長(μm)、Lcは前記断面における無機充填材の断面積と等面積の真円の周囲長(μm)を表す。]で表される無機充填材の形状パラメータBの平均値が0.8以上0.9以下である、樹脂組成物。
[3] 無機充填材の平均結晶子径が1800オングストローム以下である、[1]又は[2]に記載の樹脂組成物。
[4] 無機充填材の比表面積が3〜10m2/gである、[1]〜[3]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[5] 無機充填材の平均粒子径が4μm以下である、[1]〜[4]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[6] 無機充填材の平均粒子径が3μm以下である、[1]〜[5]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[7] 無機充填材が、平均結晶子径1800オングストローム以下の微結晶粒子の房状凝集物を分散させて得られ、該房状凝集物の最大粒子径が20μm以下である、[1]〜[6]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[8] 無機充填剤中の結晶性無機充填剤の含有量が、無機充填剤の全体を100質量%としたとき、50質量%以上である、[1]〜[7]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[9] 結晶性無機充填材が結晶シリカである、[8]に記載の樹脂組成物。
[10] さらにエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する、[1]〜[9]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[11] 層間絶縁層用樹脂組成物である、[1]〜[10]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[12] [1]〜[11]のいずれかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、シート状積層材料。
[13] [1]〜[11]のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
[14] [13]に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
本発明のプリント配線板の絶縁層用樹脂組成物(以下、単に「本発明の樹脂組成物」ともいう。)は、従来公知の球状の無機充填材、破砕状の無機充填材とは異なる形状を有する無機充填材を所定量含有することを特徴とする。
形状パラメータAは、下記式(1)で表される。
[式中、
Sは無機充填材の比表面積(m2/g)を表し、
Rは無機充填材の平均粒子径(μm)を表し、
ρは無機充填材の密度(g/cm3)を表す。]
形状パラメータBは、下記式(2)で表される。
[式中、
Lは所定の断面における無機充填材の周囲長(μm)を表し、
Lcは前記断面における無機充填材の断面積と等面積の真円の周囲長(μm)を表す。]
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤が挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂は、1種単独で用いてもよく、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と硬化剤の不揮発成分の合計を100質量%としたとき、0.05質量%〜3質量%の範囲で使用することが好ましい。
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は、1種単独で用いてもよく、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂組成物中の難燃剤の含有量は特に限定はされないが、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、好ましくは0.5質量%〜10質量%、より好ましくは1質量%〜9質量%である。
有機充填材としては、プリント配線板の絶縁層を形成するに際し使用し得る任意の有機充填材を使用してよく、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられ、ゴム粒子が好ましい。
本発明の樹脂組成物は、必要に応じて、他の成分を含んでいてもよい。斯かる他の成分としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、着色剤及び硬化性樹脂等の樹脂添加剤等が挙げられる。
本発明の樹脂組成物は、ワニス状態で塗布して使用することもできるが、工業的には一般に、該樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含むシート状積層材料の形態で用いることが好適である。
本発明のプリント配線板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
(I)内層基板上に、接着フィルムを、該接着フィルムの樹脂組成物層が内層基板と接合するように積層する工程
(II)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程
本発明のプリント配線板を用いて、半導体装置を製造することができる。本発明のプリント配線板は薄型であるにもかかわらず、高い半田リフロー温度を採用する部品の実装工程においても反りを抑制することができ、回路歪みや部品の接触不良等の問題を有利に軽減し得る。
(1)内層回路基板の準備
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ0.3mm、松下電工(株)製「R5715ES」)の両面をメック(株)製「CZ8100」にて1μmエッチングして銅表面の粗化処理を行った。
実施例及び比較例で作製した接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP−500」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより行った。
積層の後、基板の両面から支持体を剥離した。次いで、100℃で30分間、さらに170℃で30分間の硬化条件で樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成した。
絶縁層の形成後、基板を、膨潤液(アトテックジャパン(株)製「スエリングディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムを含有する水溶液)に80℃で5分間、酸化剤(アトテックジャパン(株)製「コンセントレート・コンパクトCP」、KMnO4:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液)に80℃で10分間、最後に中和液(アトテックジャパン(株)製「リダクションソリューション・セキュリガントP」、硫酸ヒドロキシルアミン水溶液)に40℃で5分間浸漬した。次いで、80℃で30分乾燥させた。得られた基板を「基板1a」と称する。
実施例及び比較例で作製した接着フィルムを、真空プレス装置(北川精機(株)製「VH1−1603」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面に積層した。積層は、1x10−3MPaの減圧下、100℃、圧力1.0MPaで30分間圧着し、次いで180℃まで10分掛けて昇温させた後、180℃、圧力1.0MPaで30分間圧着することにより行った。これにより、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した。粗化処理は、膨潤液に60℃で5分間、酸化剤に80℃で5分間浸漬したこと以外は上記(4)と同様にした。
セミアディティブ法に従って、下記のとおり、絶縁層表面に導体層を形成した。
基板1aを、PdCl2を含む無電解メッキ液に40℃で5分間浸漬した後、無電解銅メッキ液に25℃で20分間浸漬した。次いで、150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後、エッチングレジストを形成し、エッチングによりパターン形成した。その後、硫酸銅電解メッキを行い、厚さ25μmの導体層を形成し、アニール処理を180℃にて30分間行った。得られた基板を「基板1b」と称する。
(1)内層基板の準備
内層基板として、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板の両面銅箔を全て除去したアンクラッド板(厚さ100μm)を用意した。ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板としては、三菱ガス化学(株)製「HL832NSF−LCA」(サイズ100mm×150mm、ベース基材の厚さ100μm、熱膨張率4ppm/℃、曲げ弾性率34GPa、表面銅回路の厚さ16μm)を使用した。
実施例及び比較例で作製した接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニチゴー・モートン(株)製の2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)を用いて、樹脂組成物層が内層基板と接するように、内層基板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着させることにより実施した。次いで、100℃、圧力0.5MPaにて60秒間熱プレスを行った。
積層の後、基板から支持体を剥離した。次いで、190℃で90分間の硬化条件で樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した。得られた基板を「基板2a」と称する。
無機充填剤の比表面積は、自動比表面積測定装置((株)マウンテック製「Macsorb HM−1210」)を用い、窒素BET法により求めた。
20mlのバイアル瓶に、無機充填材0.01g、ノニオン系分散剤(日本油脂(株)製「T208.5」)0.2g、純水10gを加え、超音波洗浄機にて10分間超音波分散を行い、サンプルを調製した。次いでレーザー回折式粒度分布測定装置((株)島津製作所製「SALD2200」)にサンプルを投入し、循環させながら超音波を10分間照射した。その後、超音波を止め、サンプルの循環を維持したまま粒度分布の測定を行い、無機充填材の平均粒子径(R)を求めた。なお、測定時の屈折率は1.45−0.001iに設定した。
無機充填材の比表面積(S)、平均粒子径(R)、及び密度(ρ)の値を下記式(1)に代入して、形状パラメータAを算出した。
式(1): A=SRρ/6
基板1aの片面に積層された絶縁層について、FIB−SEM複合装置(SIIナノテクノロジー(株)製「SMI3050SE」)を用いて、観察倍率14,000倍にて断面観察を行った。得られたFIB−SEM像から、画像処理ソフト((株)Leica製「QWin V3」)を用いて、絶縁層内に存在する無機充填材粒子の周囲長(L)及び面積を測定した。なお、測定は、全体像の不明な無機充填材粒子や輪郭の不鮮明な無機充填材粒子を避け、1サンプル当たり任意の50個の無機充填材粒子について行った。得られた無機充填材粒子の面積から、それと等面積の真円の周囲長(円周;Lc)を算出した。そして、LとLcの値を下記式(2)に代入して、各無機充填材粒子について形状パラメータBを算出し、形状パラメータBの平均値とその分布を得た。
式(2): B=Lc/L
無機充填材の平均結晶子径は、以下の手順に従って求めた。まず、ガラス試料板に無機充填材を固定しサンプルプレートを調製した。該サンプルプレートを、広角X線回折装置((株)リガク製「Multi FLEX」)にセットし、広角X線回折反射法により回折プロファイルを測定した。X線源はCuKα、検出器はシンチレーションカウンター、出力は40kV、40mAであった。得られた回折プロファイルのSiO2 Quarts(101)面に基づく回折線から、Scherrerの式を用いて結晶子径を算出した。
実施例及び比較例で作製した接着フィルムについて、樹脂組成物層中の凝集粒子をマイクロスコープ((株)KEYENCE製「VH−2250」)を用いて観察倍率1000倍にて観察した。樹脂組成物の分散安定性は、以下の基準に従って評価した。
評価基準:
○:10μm以上の凝集粒子が10視野中2個未満
×:10μm以上の凝集粒子が10視野中2個以上
実施例及び比較例で作製した接着フィルムの樹脂組成物層について、動的粘弾性測定装置((株)ユー・ビー・エム製「Rheosol−G3000」)を使用して溶融粘度を測定した。試料樹脂組成物1gについて、直径18mmのパラレルプレートを使用して、開始温度60℃から200℃まで昇温速度5℃/分にて昇温し、測定温度間隔2.5℃、振動1Hz、歪み1degの測定条件にて動的粘弾性率を測定し、最低溶融粘度を測定した。積層性は、以下の基準に従って評価した。
評価基準:
○:最低溶融粘度が30000ポイズ以下
×:最低溶融粘度が30000ポイズより高い
基板2a(n=5)を、ピーク温度260℃の半田リフロー温度を再現するリフロー装置(日本アントム(株)製「HAS−6116」)に一回通した(リフロー温度プロファイルはIPC/JEDEC J−STD−020Cに準拠)。次いで、シャドウモアレ装置(Akrometrix社製「TherMoire AXP」)を用いて、IPC/JEDEC J−STD−020C(ピーク温度260℃)に準拠したリフロー温度プロファイルにて基板下面を加熱し、基板上面に配した格子線に基づき基板中央の10mm角部分の変位を測定した。反りは、以下の評価基準に従って評価した。
評価基準:
○:全5サンプルについて、全温度範囲における変位データの最大高さと最少高さの差異が40μm未満
×:少なくとも1サンプルについて、全温度範囲における変位データの最大高さと最小高さの差異が40μm以上
基板1aについて、非接触型表面粗さ計(ビーコインスツルメンツ社製「WYKO NT3300」)を用いて、VSIコンタクトモード、50倍レンズにより測定範囲を121μm×92μmとして得られる数値によりRa値を求めた。無作為に選んだ10点の平均値を求めることにより測定値とした。
絶縁層と導体層の密着強度の測定は、評価基板1bについて、JIS C6481に準拠して行った。具体的には、基板1bの導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定し、密着強度を求めた。
実施例及び比較例で作製した接着フィルムを190℃で90分間加熱して樹脂組成物層を熱硬化させた。次いで、支持体を剥離してシート状の硬化物を得た。得られたシート状の硬化物を、幅約5mm、長さ約15mmの試験片に切断し、熱機械分析装置((株)リガク製「Thermo Plus TMA8310」)を使用して、引張加重法にて熱機械分析を行った。詳細には、試験片を前記熱機械分析装置に装着した後、荷重1g、昇温速度5℃/分の測定条件にて連続して2回測定した。そして2回目の測定において、25℃から150℃までの範囲における平均線熱膨張係数を算出した。
フィルドビアのボイドの評価は、以下の手順に従って行った。
(1)ビアホールの形成
炭酸ガスレーザー加工機((株)日立製作所製「LC−2E21B/1C」)を使用して、基板1aの片面に積層された絶縁層に、トップ径60μm、ボトム径50μmのビアホールを形成した。
(2)フィルドビアの形成
ビアホールの形成後、絶縁層を粗化処理し、導体層を形成した。粗化処理及び導体層の形成は〔評価用基板1の調製〕と同様にして行った。これにより、ビアホール内部にも導体金属が充填され、フィルドビアが得られた。
(3)ボイドの評価
形成されたフィルドビアを、走査型電子顕微鏡(SEM)((株)日立ハイテクノロジーズ製、型式「SU−1500」)を用いて断面観察した。そして、フィルドビア10個中のボイドの数が2個未満の場合を「○」、2個以上の場合を「×」とした。
(1)樹脂ワニスの調製
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量187、三菱化学(株)製「jER828EL」)20部、ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量276、日本化薬(株)製「NC3000」)30部、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂(エポキシ当量198、三菱化学(株)製「jER1031S」)5部、固型ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量約3000〜5000、三菱化学(株)製「jER1010」)をメチルエチルケトン(MEK)とシクロヘキサノンの質量比が1:1の混合溶媒に溶解した不揮発成分50質量%の樹脂溶液5部を、MEK20部及びシクロヘキサノン10部の混合溶媒に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(水酸基当量125、DIC(株)製「LA−7054」、固形分60%のMEK溶液)10部、フェノールノボラック系硬化剤(水酸基当量105、DIC(株)製「TD2090」)6部、アミン系硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)3部、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−8」、平均粒子径1.38μm、最大粒子径20μm、比表面積6.54m2/g、密度2.65g/cm3、平均結晶子径1000Å)180部、難燃剤(三光(株)製「HCA−HQ」、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−10−ヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンスレン−10−オキサイド、平均粒子径2μm)5部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製した。なお、樹脂ワニスの調製に使用した無機充填材以外の不揮発成分の全体密度は約1.2g/cm3であった。
(2)接着フィルムの作製
支持体として、アルキド樹脂系離型層付きポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm、リンテック(株)製、「AL5」)を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、該支持体上に、ダイコーターにて均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で6分間乾燥させて樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層の厚さは40μm、樹脂組成物中の残留溶媒量は約2質量%であった。次いで樹脂組成物層の表面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子特殊紙(株)製、「アルファンMA−411」の平滑面側、厚み15μmを貼り合わせながらロール状に巻き取った。ロール状の接着フィルムを幅507mmにスリットし、507mm×336mmサイズの接着フィルムを得た。
ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量276、日本化薬(株)製「NC3000」)30部に代えて、ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量276、日本化薬(株)製「NC3000」)10部及びナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(エポキシ当量250、DIC(株)製「HP6000」)18部を使用した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
フェノールノボラック系硬化剤(水酸基当量105、DIC(株)製「TD2090」)6部に代えてナフトールノボラック系硬化剤(水酸基当量215、新日鉄住金化学(株)製「SN485」)12部を使用した点、及びN−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−8」)の使用量を210部へと変更した点以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
固型ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量約3000〜5000、三菱化学(株)製「jER1010」)に代えて、フェノキシ樹脂(三菱化学(株)製「YL7553BH30」、固形分30質量%のMEK/シクロヘキサノン=1/1溶液)8部を使用した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−8」)180部に代えて、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−25」、平均粒子径2.55μm、最大粒子径20μm、比表面積5.87m2/g、密度2.65g/cm3、平均結晶子径1400Å)を使用した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−8」、平均粒子径1.38μm、最大粒子径20μm、比表面積6.54m2/g、密度2.65g/cm3、平均結晶子径1000Å)の使用量を400部に変更した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−8」)180部に代えて、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した球状シリカ(アドマテックス(株)製「SO‐C2」、平均粒子径0.90μm、比表面積5.75m2/g、密度2.2g/cm3)150部を使用した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−8」)180部に代えて、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した球状シリカ(アドマテックス(株)製「SO‐C6」、平均粒子径2.06μm、比表面積2.15m2/g、密度2.2g/cm3)150部を使用した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−8」)180部に代えて、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した破砕状シリカ(龍森(株)製「VX−SR」、平均粒子径1.30μm、比表面積11.94m2/g、密度2.65g/cm3、平均結晶子径1900Å)180部を使用した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−8」)の使用量を80部へと変更した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した結晶シリカ(Unimin社製「IMSIL A−8」)の使用量を480部へと変更した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、接着フィルムを作製した。
Claims (14)
- プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物であって、
樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%としたとき、無機充填材の含有量が40〜75体積%であり、
式:A=SRρ/6[式中、Sは無機充填材の比表面積(m2/g)、Rは無機充填材の平均粒子径(μm)、ρは無機充填材の密度(g/cm3)を表す。]で表される無機充填材の形状パラメータAが20≦6A≦40を満たす、樹脂組成物。 - プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物であって、
樹脂組成物中の不揮発成分を100体積%としたとき、無機充填材の含有量が40〜75体積%であり、
式:B=Lc/L[式中、Lは所定の断面における無機充填材の周囲長(μm)、Lcは前記断面における無機充填材の断面積と等面積の真円の周囲長(μm)を表す。]で表される無機充填材の形状パラメータBの平均値が0.8以上0.9以下である、樹脂組成物。 - 無機充填材の平均結晶子径が1800オングストローム以下である、請求項1又は2に記載の樹脂組成物。
- 無機充填材の比表面積が3〜10m2/gである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 無機充填材の平均粒子径が4μm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 無機充填材の平均粒子径が3μm以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 無機充填材が、平均結晶子径1800オングストローム以下の微結晶粒子の房状凝集物を分散させて得られ、該房状凝集物の最大粒子径が20μm以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 無機充填剤中の結晶性無機充填剤の含有量が、無機充填剤の全体を100質量%としたとき、50質量%以上である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 結晶性無機充填材が結晶シリカである、請求項8に記載の樹脂組成物。
- さらにエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する、請求項1〜9のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 層間絶縁層用樹脂組成物である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、シート状積層材料。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
- 請求項13に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
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