JP6244454B2 - リソグラフィ装置のための支持テーブル、リソグラフィ装置、及び、デバイス製造方法 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１３年９月２７日に出願された米国仮出願第６１／８８３，７７５号及び２０１３年１２月５日に出願された米国仮出願第６１／９１２，３８３号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。

本発明は、リソグラフィ装置のための支持テーブル、リソグラフィ装置、及び、リソグラフィ装置を使用してデバイスを製造するための方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用され得る。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をこの方向と平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。

リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率をもつ液体であり、例えば水である。そうして投影システムの最終要素と基板との間の空間が液体で満たされる。ある実施例においては液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明のある実施例は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に濡れ性流体、非圧縮性流体、及び／または屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に好ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることとみなすこともできる。）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下の粒子）で懸濁している液体がある。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体として、芳香族、フッ化炭化水素、及び／または水溶液等の炭化水素もある。

基板を、又は基板と基板テーブルとを液体の浴槽に浸すということは（例えば米国特許第４，５０９，８５２号参照）、走査露光中に加速すべき大きな液体の塊があるということである。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
液浸装置においては液浸流体が、流体ハンドリングシステム、流体ハンドリングデバイス構造、または流体ハンドリング装置によって操作される。ある実施の形態においては流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給してもよく、よって流体供給システムであってもよい。ある実施の形態においては流体ハンドリングシステムは液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてもよく、よって流体閉じ込めシステムであってもよい。ある実施の形態においては流体ハンドリングシステムは液浸流体に対する障壁を提供してもよく、よってバリア部材、例えば流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施の形態においては流体ハンドリングシステムは気体流れを生成または使用して、例えば液浸流体の流れ及び／または位置の制御を支援するようにしてもよい。その気体流れは液浸流体を閉じ込めるシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造はシール部材と称されてもよい。こうしたシール部材が流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施の形態においては液浸流体として液浸液が使用される。その場合流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。既述の説明を参照する際には、流体に関し定義された構成についての本段落における言及は、液体に関し定義される構成も含むものと理解されたい。

リソグラフィ装置内で液浸流体を使用することにより問題がもたらされうる。例えば、液浸流体の使用によりリソグラフィ装置内に追加の熱負荷が生じうる。これは基板上に像を形成する精度に影響しうる。

熱負荷が基板全域にわたり均一ではなく、その結果、像に不均一な変動が生じる場合もありうる。例示として、熱負荷は、流体ハンドリングシステムの動作及び／または液浸流体の蒸発に起因しうる。これらの効果は基板の一部分に局所化されうる。それにより、基板に局所的な温度変化が生じることがあり、その結果、基板に局所化された熱膨張又は熱収縮が生じる。これは、オーバレイ誤差及び／またはクリティカルディメンション（ＣＤ）の局所的な変動をもたらしうる。支持テーブルは、基板の温度を調節する調節システムを含みうる。

支持テーブルは、基板と支持テーブルとの熱的な結合を高める複数の突起を備えてもよい。突起は基板と支持テーブルとの間のガス流れを制限することができる。このことにより、支持テーブルへの基板の固定または装着が遅くなりうる。これはリソグラフィ装置のスループットを低下させうる。

望まれるのは、例えば、固定または装着の速さを高めることができ、及び／または、スループットを高めることができるシステムを提供することである。

本発明のある態様によると、リソグラフィ装置のための支持テーブルであって、前記支持テーブルは、基板の下面を支持するよう構成され、前記支持テーブルは、前記支持テーブル上に支持される基板の下面に実質的に平行であるよう構成されているベース面と、前記ベース面の上方に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々が前記ベース面の上方に末端と第１高さを有しており、前記支持テーブルによって基板が支持されるとき基板が複数のバールそれぞれの末端により支持されるように配設されている複数のバールと、隙間により隔てられた複数の細長隆起突部であって、複数の細長隆起突部の各々が前記ベース面の上方に第２高さを有しており、前記バール間で前記ベース面の上方に突出しかつ前記第２高さが前記第１高さより小さい複数の細長隆起突部と、を備え、前記突部は、複数の隙間が前記ベース面の端部に向かう少なくとも１つの直線ガス流路を形成するよう整列するように、配設されている支持テーブルが提供される。

本発明のある態様によると、本書に説明される支持テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。

本発明のある態様によると、デバイス製造方法であって、バターニングデバイスから基板にパターンを転写するようリソグラフィ装置を使用することを備え、前記リソグラフィ装置は、基板の下面を支持するよう構成されている支持テーブルを備え、前記支持テーブルは、前記支持テーブル上に支持される基板の下面に実質的に平行であるよう構成されているベース面と、前記ベース面の上方に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々が前記ベース面の上方に末端と第１高さを有しており、前記支持テーブルによって基板が支持されるとき基板が複数のバールそれぞれの末端により支持されるように配設されている複数のバールと、隙間により隔てられた複数の細長隆起突部であって、複数の細長隆起突部の各々が前記ベース面の上方に第２高さを有しており、前記バール間で前記ベース面の上方に突出しかつ前記第２高さが前記第１高さより小さい複数の細長隆起突部と、を備え、前記突部は、複数の隙間が前記ベース面の端部に向かう少なくとも１つの直線ガス流路を形成するよう整列するように、配設されているデバイス製造方法が提供される。

本発明のいくつかの実施の形態が付属の図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。

リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す。 リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す。

リソグラフィ投影装置に使用される更なる液体供給システムを示す。

リソグラフィ投影装置に使用される更なる液体供給システムを示す。

リソグラフィ投影装置に使用される更なる液体供給システムの断面図である。

リソグラフィ装置のための支持テーブルの平面図である。

本発明のある実施の形態に係る支持テーブルの平面図である。

図８の支持テーブルの一部分の拡大平面図である。

本発明のある実施の形態に係る支持テーブルの断面図である。

本発明のある実施の形態に係る支持テーブルの詳細を示す断面図である。 本発明のある実施の形態に係る支持テーブルの詳細を示す断面図である。

図１は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射、またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメタに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
例えば、１つ又は複数のセンサを支持するセンサテーブルであり、または、基板（例えば、レジストで被覆されたウェーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメタに従ってテーブルの（例えば基板Ｗの）表面を正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブルＷＴである支持テーブルと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳと、を備える。

照明システムＩＬは、放射の方向や形状の調整、または放射の制御のために、各種の光学素子、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向きやリソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスＭＡが真空環境下で保持されるか否か等その他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスＭＡを保持するその他の固定技術を用いることができる。支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。

本書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合のように、放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスＭＡは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。

本書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に関して又は液浸液や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきであり、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含む。本書における「投影レンズ」との用語の使用はいかなる場合も、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされうる。

図示されるように、本装置は、（例えば透過型マスクを用いる）透過型である。これに代えて、本装置は、（例えば、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ、または反射型マスクを用いる）反射型であってもよい。

リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又はステージ又は支持体）、例えば２つ以上の基板テーブル、又は１つ以上の基板テーブルと１つ以上のクリーニング、センサ又は計測テーブルとの組合せを有する形式であってもよい。例えば、ある実施形態では、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に配置された２つ以上のテーブルを備えるマルチステージ装置であり、各テーブルは１つ以上の物体を備え及び／又は保持する。ある実施形態では、テーブルのうち１つ以上が放射感応性基板を保持してもよい。ある実施形態では、テーブルのうち１つ以上が投影システムからの放射を測定するセンサを保持してもよい。ある実施形態では、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するよう構成された第１のテーブル（すなわち、基板テーブル）と、放射感応性基板を保持するよう構成されていない第２のテーブル（以降は一般に、計測、センサ及び／又はクリーニングテーブルと呼ぶが、これに限定されない）とを備える。第２のテーブルは、放射感応性基板以外の１つ以上の物体を備え及び／又は保持してもよい。こうした１つ以上の物体は、以下から選択される１つ以上を含みうる。すなわち、投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ以上のアライメントマーク、及び／又は（例えば液体閉じ込め構造をクリーニングする）クリーニングデバイスである。

こうした多重ステージまたはマルチステージの装置においては、多数のテーブルが並行して使用されるか、あるいは１つ以上のテーブルで露光が行われている間に他の１つ以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。リソグラフィ装置は、基板テーブル、クリーニングテーブル、センサテーブル、及び／または計測テーブルと同様に並列に使用され得る２つ以上のパターニングデバイステーブル（またはステージまたは支持体）を有してもよい。

ある実施形態では、リソグラフィ装置は、本装置の或る構成要素の位置、速度などを測定するエンコーダシステムを備えてもよい。ある実施形態では、構成要素は、基板テーブルを備える。ある実施形態では、構成要素は、計測及び／又はセンサ及び／又はクリーニングテーブルを備える。エンコーダシステムは、本書に記載のテーブル用の干渉計システムの追加又はその代替であってもよい。エンコーダシステムは、目盛又はグリッドに関連付けられ（例えば、目盛又はグリッドと対をなす）センサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドを備える。ある実施形態では、可動構成要素（例えば、基板テーブル、及び／又は、計測及び／又はセンサ及び／又はクリーニングテーブル）が１つ又は複数の目盛又はグリッドを有し、当該構成要素が相対移動するリソグラフィ装置のフレームが、１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドを有する。１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドは、構成要素の位置、速度などを決定するよう１つ又は複数の目盛又は１つ又は複数のグリッドと協働する。ある実施形態では、構成要素が相対移動するリソグラフィ装置のフレームが１つ又は複数の目盛又はグリッドを有し、可動構成要素（例えば、基板テーブル、及び／又は、計測及び／又はセンサ及び／又は洗浄テーブル）が、構成要素の位置、速度などを決定するよう１つ又は複数の目盛又は１つ又は複数のグリッドと協働する１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドを有する。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを備える。あるいは放射源ＳＯが例えば水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯ等その他の各種構成要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。ソースＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部を構成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置に一体の部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータＩＬは取り外し可能とされ、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者によって、またはその他の供給業者によって）別々に提供されてもよい。

放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスＭＡによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを横切った放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により、例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）は、例えばマスクライブラリの機械検索後や走査中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現されうる。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現されうる。ステッパでは（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。

１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回で目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一静的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で結像される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。

２．スキャンモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められうる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分Ｃの（走査方向の）長さを決定する。

３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とし、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本リソグラフィ装置はマイクロスケールの形状をもつ部品、またはナノスケールの形状をもつ部品を製造する他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造がある。

投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は三種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成、いわゆる局所液浸システム、及び全濡れ型の液浸システムである。浴槽型は基板Ｗの実質的に全体と任意的に基板テーブルＷＴの一部とが液槽に浸される。

局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板Ｗがその領域の下を移動しているとき投影システムＰＳに対し実質的に静止状態にある。図２乃至図７はそれぞれ、こうしたシステムに使用可能な異なる供給装置を示す。シール構造が液体を局所域にシールするために存在する。これを構成するために提案された一つの手法がＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。

全濡れ型の構成においては液体が閉じ込められない。基板の上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体は、基板上の（例えば薄い）液体フィルムであってもよい。液浸液は、投影システム及び投影システムに対向する対向表面の領域において又は当該領域へと供給され得る。こうした対向表面は基板及び／または基板テーブルの表面であり得る。図２乃至図５の液体供給装置のいずれもがこうしたシステムにも使用可能であるが、シール構造はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにする。

図２及び図３に示されるように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って、供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向に最終要素の下を走査されると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて除去される。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される構成を概略的に示したものである。図２では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。図２及び図３においては矢印が液体流れ方向を示す。

局所液体供給システムをもつ液浸リソグラフィの更なる解決法が、図４に示されている。液体は、投影システムＰＳの両側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の分離された出口によって除去される。入口は、パターンが付与された投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決まる（他方の組合せの入口及び出口は作動させない）。図４の断面図において矢印は入口での液体流入方向と出口での液体流出方向とを示す。

提案されている別の構成は液体閉じ込め部材をもつ液体供給システムを設けることである。液体閉じ込め部材は投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図５に示す。

ある実施形態では、リソグラフィ装置は、メッシュ又は同様の多孔質材料で覆われた入口を有する液体除去デバイスを有する液体閉じ込め構造を備える。メッシュ又は同様の多孔質材料は、投影システムの最終要素と可動テーブル（例えば基板テーブル）との間の空間で液浸液と接触する二次元配列の穴を提供する。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は、ハニカムメッシュ又はその他の多角形メッシュを備える。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は、金属メッシュを備える。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は、リソグラフィ装置の投影システムの結像フィールドの全周に延在する。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は、液体閉じ込め構造の底面に配置され、テーブルに面する表面を有する。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は、その底面の少なくとも一部がテーブルの上面と概ね平行である。

図５は、局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造１２を模式的に示す図である。流体ハンドリング構造１２は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する（以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて基板テーブルの表面にも言及するものと留意されたい）。流体ハンドリング構造１２は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）では多少の相対運動があってよい。ある実施例においては、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール又は液体シール等の非接触シールであってもよい（ガスシールを持つシステムは欧州特許出願公開第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）。

流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも一部に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール１６が投影システムＰＳの像フィールドの周囲に形成され、基板Ｗ表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間に液体が閉じ込められてもよい。この空間１１は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲む流体ハンドリング構造１２により形成される。液体が、投影システムＰＳ下方かつ流体ハンドリング構造１２内部の空間に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。流体ハンドリング構造１２は、投影システムの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。ある実施例においては流体ハンドリング構造１２は、上端において内周が投影システムまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。

液体は、流体ハンドリング構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてもよい。ガスシールは気体によって形成される。ガスシールの気体は、圧力の作用で入口１５を介して流体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの隙間に提供される。気体は出口１４から抜き取られる。気体入口１５での過剰圧力、出口１４の真空レベル、及び当該隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れ１６が存在するように構成される。流体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの間の液体に作用する気体の力が空間１１に液体を収容する。入口及び出口は空間１１を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体流れ１６は空間１１に液体を収容する効果がある。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されており、その全体をここに援用する。ある実施の形態においては、流体ハンドリング構造１２はガスシールを有していない。

図６は、液体供給システムの一部である流体ハンドリング構造１２を示す。流体ハンドリング構造１２は投影システムＰＳの最終要素の外周（例えば円周）に沿って延在する。

複数の開口２３が空間１１を一部画定する表面にあり、空間１１に液体を供給する。液体は空間１１に入る前に、室３４、側壁２８の開口２９、室３６、側壁３２の開口２３を通過する。

シールが設けられており、このシールは流体ハンドリング構造１２の底部と対向表面（例えば、基板Ｗ、基板テーブルＷＴ、又はその両方）との間にある。図６においてはシールデバイスが非接触シールを提供するよう構成されている。シールデバイスはいくつかの構成部品からなる。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側には、（必須ではない）流れ制御プレート５３が設けられ、空間１１へと延在する。制御プレート５３は、液体流れの通過を許容する開口５５を有してもよい。開口５５が有利であり得るのは、制御プレート５３がＺ方向に（例えば投影システムＰＳの光軸に平行に）変位される場合である。流れ制御プレート５３の半径方向外側において上記対向表面（例えば基板Ｗ）に対向する（例えば向かい側の）流体ハンドリング構造１２の底面には、開口１８０があってもよい。開口１８０は対向表面に向かう方向に液体を供給することができる。結像中にこれが有用であるのは、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの隙間を液体で満たすことによって、液浸液中の気泡形成を防止し得る点にある。

開口１８０の半径方向外側には、流体ハンドリング構造１２と対向表面との間から液体を取り出すための抽出器アセンブリ７０があってもよい。抽出器アセンブリ７０は単相の又は二相の抽出器として動作してもよい。抽出器アセンブリ７０は液体のメニスカス３２０のメニスカス釘付け特徴部としても振る舞う。

抽出器アセンブリの半径方向外側には、ガスナイフ９０があってもよい。抽出器アセンブリ及びガスナイフの一構成については、本願明細書に援用される米国特許出願公開第ＵＳ２００６／０１５８６２７号に詳しく開示されている。

単相抽出器としての抽出器アセンブリ７０は、本願明細書に援用される米国特許出願公開第ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されるような、液体除去装置、液体抽出器、又は液体入口を備えてもよい。ある実施の形態においては、液体除去装置７０は、多孔質材料１１１に覆われている入口１２０を備えてもよい。多孔質材料１１１は、気体から液体を分離し液体単相の液体抽出を可能とするために使用される。液体除去装置７０の室１２１の負圧は、多孔質材料１１１の孔に形成されるメニスカスが室１２１への周囲の気体の引き込みを妨げるような大きさとされる。その一方、多孔質材料１１１の表面が液体に接触すれば流れを制限するメニスカスはなくなるので液体が自由に液体除去装置７０の室１２１に流入できる。

多孔質材料１１１は多数の小孔を有する。各小孔の寸法例えば幅（例えば直径など）は５μｍ乃至５０μｍの範囲である。多孔質材料１１１は、表面（例えば対向表面）の上方に高さ５０μｍ乃至３００μｍの範囲に保持されてもよく、この表面は液体が除去されるべき表面（例えば基板Ｗ表面）であってもよい。ある実施の形態においては、多孔質材料１１１は少なくともわずかに親液性をもつ。すなわち、多孔質材料１１１は液浸液例えば水に対する動的接触角が９０度未満、望ましくは８５度未満又は望ましくは８０度未満である。

ガスナイフ９０の半径方向外側には、ガスナイフ９０からのガス及び／またはガスナイフ９０を通過して漏れうる液体を除去する１つ又は複数の出口２１０が設けられていてもよい。１つ又は複数の出口２１０は、ガスナイフ９０の１つ又は複数の出口間に配置されていてもよい。出口２１０への流体（ガス及び／または液体）の導流を促進するために、ガスナイフ９０の出口から及び／またはガスナイフ９０の出口間から出口２１０へと向けられている凹部２２０が、液体閉じ込め構造１２に設けられていてもよい。

図６には具体的に図示していないが、液体供給システムは液位変動を処理するための構成を有する。これは、投影システムＰＳと液体閉じ込め構造１２との間で高まる（そしてメニスカス４００を形成する）液体を処理して漏れないようにするものである。この液体を処理する一つの手法は疎液性（例えば疎水性）コーティングを設けることである。このコーティングは、開口部分を囲む流体ハンドリング構造１２の最上部に沿って、及び／または投影システムＰＳの最終光学素子に沿って、帯を形成してもよい。コーティングは、投影システムＰＳの光軸の半径方向外側にあってもよい。疎液性（例えば疎水性）コーティングは液浸液を空間１１に保持するのに役立つ。追加的に又は代替的に、１つ又は複数の出口２０１が、構造１２に対しある高さに到達する液体を除去するために設けられていてもよい。

他の局所域型の構成は、気体抵抗原理を利用する流体ハンドリング構造である。このいわゆる気体抵抗原理が説明されているのは、例えば、米国特許出願公開第ＵＳ２００８−０２１２０４６号、ＵＳ２００９−０２７９０６０号、ＵＳ２００９−０２７９０６２号である。こうしたシステムにおいては抽出孔が、望ましくは角をもつ形状に配列されている。この角は好ましい移動方向（例えばステップ方向またはスキャン方向）に合わせてあってもよい。これにより、その好ましい移動方向の所与の速度において流体ハンドリング構造表面の２開口間のメニスカスに生じる力が、仮にそれら２つの出口がその好ましい移動方向に垂直に整列されている場合に比べて、小さくなる。しかしながら、本発明の実施の形態は、平面図でいかなる形状を有する流体ハンドリングシステム、又は平面図でいかなる形状で配列された例えば抽出開口等の構成部分を有する流体ハンドリングシステムに適用されてもよい。こうした形状は、円等の楕円、長方形（例えば正方形）等の方形、菱形等の平行四辺形、又は、４より多い角をもつ角付き形状（例えば４以上の角をもつ星形）であってもよく、これらに限定されない。

ＵＳ２００８／０２１２０４６Ａ１のシステムの一変形例においては、（これは本発明のある実施の形態に関連しうるが、）複数の開口が配列された角付き形状の幾何が、スキャン方向に合わされた角とステップ方向に合わされた角の両方を鋭角（約６０度から９０度、望ましくは７５度から９０度、より望ましくは７５度から８５度）とすることを許容している。これにより、角が合わされている方向において速度を高めることが許される。不安定なメニスカス（例えば走査方向に臨界速度を超えたとき）による液滴生成が抑えられるからである。スキャン方向とステップ方向の両方に角が合わせてあれば、これら両方向に大きな速度を実現しうる。望ましくは、スキャン方向とステップ方向の移動速度が実質的に等しくてもよい。

リソグラフィ装置内で基板が支持テーブル上に支持されてもよい。とくに、支持テーブルは、基板の下面を支持するように構成されていてもよい。支持テーブルは、例えば、複数のバールが突出するベース面を含んでもよい。基板の下面は、バールの上面で支持されてもよい。こうした構成は、支持テーブルと接触する基板の総面積を最小化するか又は減少させ、支持テーブルと基板の間に汚染物質が移動される可能性を最小化するか又は減少させ、及び／又は、支持テーブル上で基板とその支持体との間に汚染物質が配置される可能性を最小化するか又は減少することができる。これらは基板の変形をもたらしうる。

ある実施形態では、基板下方のバール周囲の空間が負圧源に接続されてもよい。このようにして、基板が支持テーブルに真空固定されてもよい。

局所的な熱負荷が基板及び／又は支持テーブルに作用する場合は、局所的な温度変動が例えば基板内に起こりうる。その結果、局所的な熱膨張又は熱収縮が生じ、これは基板の上下の主面に平行な方向で最も顕著である。しかし、基板の熱膨張及び／又は熱収縮には、基板を固定する支持テーブルで抗することができる。とくに、熱膨張及び／又は熱収縮に抗する力は、バールを介して基板に印加されてもよい。

基板中心側の領域では、バールが基板の各局所部分を囲むあらゆる方向に存在する。このように取り囲むバールが熱膨張及び／または熱収縮に抗する力を提供しうる。しかしながら、基板端部まわりのいくつかの領域ではバールとの接触が基板中心に向かう方向にしかない。換言すれば、基板端部よりも遠方からの熱膨張及び／または熱収縮に抗するように基板の領域に加わる力が存在しない。

したがって、基板の局所領域の所与の温度変化についての正味の（すなわち、バールとの接触により与えられる膨張または収縮に対する抵抗を考慮した）基板の熱膨張または熱収縮は、基板の端部に近い領域で、基板の中心よりも大きくなる。

この作用は、基板の局所熱負荷及び／または局所温度変化に起因する熱膨張及び／または熱収縮だけでなく、基板全域に均一に適用される熱負荷及び／または温度変化にも当てはまる。

基板内の温度変化を低減するか又は最小化するために、支持テーブルに熱エネルギーを供給し及び／又はそこから熱エネルギーを除去する調節システムが設けられてもよい。こうして、基板及び／又は支持テーブルにかかる熱負荷を補償するために熱を供給又は除去することができる。調節システムは、支持テーブルにかかる熱負荷を補償するよう支持テーブルに直接熱を提供し又はそこから直接熱を除去してもよい。さらに、調節システムは、基板にかかる熱負荷を補償するために、支持テーブルから基板へと又は基板から支持テーブルへと熱が流れるよう支持テーブルに熱を提供し又はそこから熱を除去してもよい。

ある実施の形態においては、支持テーブル、調節システム、またはその両方は、使用中に、調節システムの動作の結果生じる基板への又は基板からの伝熱が基板全域にわたり均一ではないように構成されている。

とくに、ある実施の形態においては、システムは、基板の単位面積あたりの基板への又は基板からの伝熱が、基板の端部での基板の１つ又は複数の領域において、基板の中心又はその近傍に位置する１つ又は複数の領域より大きくなるように構成されている。すなわち、支持テーブル及び／または調節システムは、調節システムの作用が基板の端部領域で中心領域より大きくなるように構成されている。

こうしたシステムは、所与の熱負荷について端部領域における基板の温度変化が中心領域における基板の温度変化より小さくなるように構成されていてもよい。こうして、所与の局所温度変化について基板全域に生じる熱膨張及び／または熱収縮における上述の変動が補償されうる。よって、基板全域に生じる基板の膨張及び／または収縮における変動が低減または最小化されうる。

後述する種々の実施の形態は、調節システムの動作中における基板の単位面積あたりの基板への又は基板からの伝熱を基板の端部領域において中心領域よりも大きくしうる。

調節システムの作用が最大化または増加される１つ又は複数の端部領域から、調節システムの作用がそれほど大きくない基板の１つ又は複数の内側領域へと、徐々に変化していてもよい。

ある実施の形態においては、支持テーブル及び／または調節システムは、調節システムの作用がより大きいある端部領域と調節システムの作用が相対的に低減されるある中心領域との間に明確な区別があるように構成されていてもよい。

いずれの場合にも、端部領域と中心領域の相対的な配置は、上述のような局所温度変化に応じた基板の熱膨張及び／または熱収縮の変動を調節システムの作用の変動が最良に補償するように適切に選択されうる。

本発明のある実施の形態に係る支持テーブルは、これらの態様のいかなる組合せも利用しうる。

図７は、リソグラフィ装置のための支持テーブルＷＴを示す。支持テーブルＷＴは、基板Ｗの下面を支持するよう構成されている。

支持テーブルＷＴは、ベース面２２を備える（図１０参照）。ベース面２２は、支持テーブルＷＴに支持される基板Ｗの下面に実質的に平行であるよう構成されている。支持テーブルＷＴは、複数のバール２０を備える。バール２０は、ベース面２２から上方に突出する。複数のバール２０の各々は、それぞれの末端を有する。複数のバール２０の各々は、ベース面２２の上方に第１高さを有する。バール２０は、基板Ｗが支持テーブルＷＴにより支持されるとき基板Ｗが複数のバール２０の各々の末端により支持されるように配設されている。ある実施の形態においては、基板Ｗは、バール２０の上面にのみ接触している。

使用に際して基板Ｗが支持テーブルＷＴによって支持される。基板Ｗが支持テーブルＷＴにより支持されるとき、基板Ｗは各バール２０の末端により支持される。バール２０は、基板Ｗと支持テーブルＷＴとの間が比較的低接触であるように基板Ｗを支持テーブルＷＴに保持するために使用される。例えば、基板Ｗの面積の約１％から約３％の範囲において基板Ｗは支持テーブルＷＴのバール２０と接触している。接触量が小さいことによって、汚染物質感度が低減される。

使用時に流体ハンドリング構造１２は基板Ｗに熱負荷を課す。例えば、流体ハンドリング構造１２の熱負荷は、基板Ｗ及び／または支持テーブルＷＴを冷却することができる。

ある実施の形態においては、支持テーブルＷＴは、調節システム２１を含む（例えば図１０参照）。調節システム２１は、支持テーブルＷＴ（すなわち、基板Ｗを支持する支持テーブルＷＴの部分）に熱エネルギーを供給し及び／またはそこから熱エネルギーを除去する。支持テーブルＷＴは、流体ハンドリング構造１２の熱負荷による基板Ｗの変形を低減するよう露光中に基板Ｗを調節することができる。調節システム２１は、支持テーブルＷＴ自体を調節することができる。ある実施の形態においては、調節システム２１は、支持テーブルＷＴの残部に熱エネルギーを供給し及び／またはそこから熱エネルギーを除去する。支持テーブルＷＴを調節することにより、支持テーブルＷＴの変形を低減することができる。支持テーブルＷＴの変形が低減する結果、基板Ｗの変形を低減することができる。

ある実施の形態においては、調節システム２１は、支持テーブルＷＴ内部に流路を備えてもよい。その流路を流れるよう調節流体が提供されてもよい。ある実施の形態においては、調節システム２１は、支持テーブルＷＴに熱エネルギーを提供可能なヒータシステムを含んでもよい。ある実施の形態においては、調節システム２１の改善された制御を提供しうるコントローラ５００によって、調節システム２１が制御されてもよい。調節システム２１の特徴は、本願明細書に援用される米国特許出願公開第２０１３／０９４００５号に開示されている。

流体ハンドリング構造１２に起因する基板Ｗへの熱負荷は基板Ｗを変形することができる。例えば、基板Ｗは縮むことができる。バール２０は基板Ｗの変形を抑制するよう硬い。支持テーブルＷＴの調節システム２１は、基板Ｗの温度を調節する。

しかし、基板Ｗと支持テーブルＷＴの接触面積が限られているので、基板Ｗと支持テーブルＷＴの熱的結合が比較的小さい。この小さな熱的結合に起因して基板Ｗには、支持テーブルＷＴの温度変動と比べて大きな温度変動が課されうる。これは望ましくない。とりわけ、基板Ｗと支持テーブルＷＴの接触面積が小さいことにより、支持テーブルＷＴの調節システム２１による基板Ｗの温度調節可能量が制限される。基板Ｗと支持テーブルＷＴの接触量を増加するのは、汚染物質感度を高めることとなるので、望ましくないであろう。

図７に示されるように、支持テーブルＷＴは、複数の細長隆起突部４５を備える。細長隆起突部４５は隙間により隔てられている。複数の細長隆起突部４５の各々は、ベース面２２の上方に第２高さを有する。複数の細長隆起突部４５は、バール２０間でベース面２２の上方に突出する。第２高さは、第１高さより小さい。細長隆起突部４５は、一連の同心環帯を形成するよう構成されている。各環帯は複数の区域に分割されている。

複数の細長隆起突部４５を設けることによって、基板Ｗと支持テーブルＷＴの間のガス層厚が細長隆起突部４５の位置する場所で低減される。こうして、基板Ｗと支持テーブルＷＴの熱的結合が増強される。細長隆起突部４５の頂部は、バール２０の頂部より低い。細長隆起突部４５は基板Ｗに接触していない。もしそうでなければ、細長隆起突部４５は基板Ｗの平坦性に影響するであろう。

使用に際し基板Ｗが支持テーブルＷＴによって保持される。とくに、基板Ｗは支持テーブルＷＴに固定される。この固定は、基板Ｗと支持テーブルＷＴの間の領域を周囲圧力（すなわち、基板Ｗおよび支持テーブルＷＴを取り巻く圧力）より低圧にすることによって補助されてもよい。支持テーブルＷＴと基板Ｗにより囲われた領域は、基板Ｗが支持テーブルＷＴに真空固定されるよう近真空圧であってもよい。

ある実施の形態においては、支持テーブルＷＴは、内部に形成される１つ又は複数の穴を備える。穴は、基板Ｗの固定を促す。穴を通じてガスが支持テーブルＷＴと基板Ｗにより囲われた領域から抽出されることによって、この領域の圧力が基板Ｗの固定のために低下されてもよい。

基板Ｗと支持テーブルＷＴの熱的結合を改善する細長隆起突部４５は、基板Ｗの下方から穴へと向かうガス流れを制限しうる。これにより、支持テーブルＷＴへの基板Ｗの固定または装着が遅くなりうる。これは、リソグラフィ装置のスループットを低下させうる。細長隆起突部４５は、基板Ｗ下方の真空（または近真空）に不均一を生成しうる。こうした基板Ｗ下方の真空の不均一は、基板Ｗの平坦性に影響しうる。

図８は、本発明のある実施の形態に係る支持テーブルＷＴの平面図を示す。リソグラフィ装置のための支持テーブルＷＴは、基板Ｗの下面を支持するよう構成されている。

支持テーブルＷＴは、支持テーブルＷＴに支持される基板Ｗの下面に実質的に平行であるよう構成されているベース面２２（図１０参照）を備える。支持テーブルＷＴは、ベース面２２上方に（例えばベース面２２から）突出する複数のバール２０を備える。複数のバール２０の各々は、それぞれの末端を有する。複数のバール２０の各々は、ベース面２２の上方に第１高さを有する。複数のバール２０は、基板Ｗが支持テーブルＷＴにより支持されるとき基板Ｗが複数のバール２０の各々の末端により支持されるように配設されている。ある実施の形態においては、基板Ｗは、バール２０にのみ接触している。

支持テーブルＷＴは、隙間により隔てられた複数の細長隆起突部４５を備える。複数の細長隆起突部４５の各々は、ベース面２２の上方に第２高さを有する。複数の細長隆起突部は、バール２０間でベース面２２上方に（例えばベース面２２から）突出する。第２高さは、第１高さより小さい。ある実施の形態においては、細長隆起突部４５は、ベース面２２の端部に向かう少なくとも１つの直線ガス流路８２を形成するよう複数の（細長隆起突部４５を隔てる）隙間が整列するように、配設されている。ある実施の形態においては、細長隆起突部４５は、隙間により細長隆起突部４５へと各々が分割されている１つ又は複数の形状を形成するよう構成されている。ある実施の形態においては、細長隆起突部４５は、台状である。ただし、細長隆起突部４５が台状であることは必須ではない。

ある実施の形態においては、細長隆起突部４５は、それらの上面が支持テーブルＷＴの外側領域２４（図１１参照）まわりに延在する一連の環帯（例えば一連の同心リング）を実質的に形成するよう構成されていてもよい。各環帯は複数の区域に分割されている（すなわち、当該環帯を形成する複数の細長隆起突部４５の１つ１つに各区域が相当する）。こうして、環帯より径方向内側のベース面２２の領域とその環帯より径方向外側のベース面２２の領域との間の容易なガス流れの確保を支援するよう細長隆起突部４５間に複数の隙間が設けられる。細長隆起突部４５間の隙間は、支持テーブルＷＴへの基板Ｗの真空固定のために使用される負圧の局所的な低下を低減しうる。

さらに後述するように、ある実施の形態においては、細長隆起突部４５は、支持テーブルＷＴの全体に、つまり外側領域２４と内側領域２５（図１１参照）の両方に分布していてもよい。こうした構成においては、細長隆起突部４５は、上述の複数の隙間を各々が有しうる一連の同心リングとして構成されていてもよい。こうした構成においては、細長隆起突部４５のうち隣接する同心リングがバール２０間に配設されていてもよい。こうした構成を設けることにより、支持テーブルＷＴの製造が容易となりうる。

図８においては形状が環帯として図示されている。しかし、例えば正方形、矩形、又は星形など他の形状も可能である。とくに、この形状は、基板Ｗ及び／または支持テーブルＷＴの形状と一致するよう選択されてもよい。例えば、基板Ｗ及び／または支持テーブルＷＴが正方形の形状を有する場合には、複数の細長隆起突部４５により形成される形状は正方形であってもよい。

ある実施の形態においては、細長隆起突部４５は、実質的に同心の形状を形成するよう配設されている。各形状が隙間により隔てられた複数の細長隆起突部４５から形成されている。ある実施の形態においては、それら同心形状は、一連の同心形状を形成する。これら形状は順番に相互に包囲する。例えば、ある実施の形態においては、複数の細長隆起突部４５が２つの（第１及び第２の）形状を形成し、第１の形状が第２の形状に包囲されている。ある実施の形態においては、複数の細長隆起突部４５は、３つの実質的に同心の形状を形成するよう配設されている。この場合、第３の形状が第２の形状（および第１の形状）を包囲する。ある実施の形態においては、複数の細長隆起突部４５は、３つより多い実質的に同心の形状を形成するよう配設されている。この場合、３つの形状がある場合について上述したのと同様に、各形状が順番に、一連の形状のうちそれ以前のものを包囲する。ある実施の形態においては、形状は実質的に同心でなくてもよい。

それら形状は隙間によって細長隆起突部４５へと分割されている。ある実施の形態においては、複数の細長隆起突部４５は、ベース面２２の端部に向かう少なくとも１つの直線ガス流路８２を形成するよう複数の隙間が整列するように、配設されている。

ベース面２２の端部に向かう少なくとも１つの直線ガス流路８２を形成するよう隙間を整列させることにより、細長隆起突部４５による真空固定における時間的損失を補償することができる。直線ガス流路８２は、ガスが流れることのできる流路をより明確に与える。直線ガス流路８２は、細長隆起突部４５に起因するガス流れの制限を低減する。直線ガス流路８２は、基板Ｗの固定を高速化し改善する。

ある実施の形態においては、直線ガス流路８２の床面は、少なくとも１つの直線ガス流路８２がベース面２２に溝を形成するようにベース面２２より低い。より深い溝を設けることにより、空間が大きくなりガス流れへの制限がより小さくなる。ガス流れを増加することができるので、基板Ｗの固定が改善される。

ある実施の形態においては、直線ガス流路８２の床面は、ベース面２２と実質的に同一面にある。直線ガス流路８２をベース面２２と実質的に同一面とすることにより、支持テーブルＷＴの製造可能性が高まる。

ある実施の形態においては、細長隆起突部４５は、複数の形状を形成するよう配設され、それにより、基板Ｗと支持テーブルＷＴの熱的結合がさらに増強される。熱的結合の増強により、支持テーブルＷＴの調節システム２１による基板Ｗの温度の調節可能量が増加される。これは、流体ハンドリング構造１２の熱負荷による基板Ｗの変形を低減することに役立つ。

ある実施の形態においては、形状が実質的に同心である。形状が実質的に同心であることにより、支持テーブルＷＴの製造可能性が高まる。

上述のように、ある実施の形態においては、支持テーブルＷＴは、その内部に形成される穴を備える。ある実施の形態においては、少なくとも１つの直線ガス流路８２は、穴より径方向外側の領域にある。少なくともいくつかの細長隆起突部４５が穴より径方向外側の領域にあり、それにより、穴とベース面２２の端部との間のガス流れが制限される。細長隆起突部４５間の直線ガス流路８２は、穴とベース面２２の端部との間のガス流れを改善する。

ある実施の形態においては、直線ガス流路８２の床面の全体がベース面２２下方に実質的に等距離にある。

直線ガス流路８２を設けることにより、基板Ｗ下方のガス流れが増加される。基板Ｗの装着中にガスが穴から抽出される。直線ガス流路８２内のガス流れの速さは、支持テーブルＷＴの他の領域におけるガス流れに比べて大きい。

ある実施の形態においては、少なくとも１つの直線ガス流路８２は、ベース面２２の中心に関し実質的に放射状である。これが図８に示されている。各直線ガス流路８２が実質的に放射状に延びることにより、穴とベース面２２の端部との間のガス流れがとくに増加される。各直線ガス流路８２が厳密に径方向に延びることは必須ではない。例えば、直線ガス流路８２は、径方向に対し角度をなす方向に延びていてもよい。ある実施の形態においては、１つ又は複数の直線ガス流路が実質的に接線方向に延びていてもよい。

ある実施の形態においては、各直線ガス流路８２は、実質的に直線を形成する。しかし、ある実施の形態においては、ガス流路は、湾曲し又は曲線状であってもよい。例えば、湾曲ガス流路の一部が径方向に延びていてもよい。湾曲ガス流路の他の一部は、径方向に対し角度をなしていてもよい。

ある実施の形態においては、少なくとも１つの直線ガス流路８２は、少なくとも穴より径方向外側の領域で延びている。直線ガス流路８２を穴より径方向外側の領域に設けることにより、それら出口穴の径方向外側の領域におけるガス流れが増加される。とくに、穴とベース面２２の端部の間の領域におけるガス流れが増加される。これがとくに役立つのは、そうでない場合にこの領域ではガス流れがとくに小さいからである。支持テーブルＷＴの端部でのガス流れの増加が特に有利であるのは、ガス抽出の大半が支持テーブルＷＴの端部でなされるからである。基板Ｗの装着工程において、基板Ｗはまずベース面２２の中心領域で支持テーブルＷＴと接触する。そのため、より多くのガスが、ベース面２２の中心領域に比べて、ベース面２２の周縁領域から流れる（例えば、吸引される）。

ある実施の形態においては、直線ガス流路８２は、支持テーブルＷＴの端部に向けて設けられている。例えば、直線ガス流路８２は少なくとも、１つ又は複数の穴より径方向外側の領域で延びている。ある実施の形態においては、圧力が支持テーブルＷＴの全体にわたり実質的に均一である。こうした均一圧力は基板Ｗの平坦性を改善する。基板Ｗを保持するよう支持テーブルＷＴの端部側領域には大きなガス流れが必要である。固定力は中心から端部へと伝わる。支持テーブルＷＴの端部に向かう直線ガス流路８２を有することは、圧力損失を低減または最小化しつつ周囲のガスを吸い込むことに役立つ。

しかし、直線ガス流路８２が１つ又は複数の穴より径方向外側の領域にあることは必須ではない。ある実施の形態においては、直線ガス流路８２は、穴より径方向内側の領域にあってもよい。この場合、直線ガス流路８２は、穴より径方向内側の領域におけるガス流れを増加する。これは基板Ｗの固定の速さを増すので、リソグラフィ装置のスループットを増加する。ある実施の形態においては、直線ガス流路８２は、穴に対し内側と外側の両方に延びていてもよい。ある実施の形態においては、複数の隙間は、ベース面２２の中心からベース面２２の端部に向けて少なくとも１つの直線ガス流路８２を形成するよう整列されている。ある実施の形態においては、直線ガス流路８２は、ベース面２２の中心まで連続して延びていてもよい。

ある実施の形態においては、直線ガス流路８２は、穴と穴の間で径方向に延びている。基板Ｗを装着するときのガス流れは、穴間の領域および穴より径方向外側の領域において特に小さくなりうる。穴間に直線ガス流路８２を設けることにより、この領域におけるガス流れが増加するので、基板Ｗの固定の速さにとくに大きな効果がある。

ある実施の形態においては、穴は、少なくとも１つの直線ガス流路８２の内部に配置されている。穴は、直線ガス流路８２の線に沿っていてもよい。ある実施の形態においては、直線ガス流路８２は、穴から支持テーブルＷＴの端部に向けて径方向外方に延びていてもよい。ある実施の形態においては、各穴が対応する直線ガス流路８２の一端に配置されている。ある実施の形態においては、各穴が対応する直線ガス流路８２の径方向内端に配置されている。こうした直線ガス流路８２は、基板Ｗと支持テーブルＷＴの間で出口穴に接続される負圧が最大の効果をもつ領域におけるガス流れを高める点で有利である。直線ガス流路８２は、ガス流れが大きく増加され基板Ｗの固定が迅速になされるように、穴に直接つながる流路である。

ある実施の形態においては、穴間を径方向に延びる直線ガス流路８２しかなくてもよい（すなわち、いかなる穴も直線ガス流路８２内には配置されていない）。ある実施の形態においては、その内部に配置された穴をもつ直線ガス流路８２しかなくてもよい（すなわち、いかなる直線ガス流路８２も穴間を径方向に延びていない）。ある実施の形態においては、穴間を径方向に延びる直線ガス流路８２と穴を含む直線ガス流路８２の両方があってもよい。

図９は、本発明のある実施の形態に係る支持テーブルＷＴの一部分の拡大平面図を示す。ある実施の形態においては、支持テーブルＷＴは、少なくとも１つの直線ガス流路８２の床面から突出する複数の更なるバール４０をさらに備える。更なるバール４０は、基板Ｗが支持テーブルＷＴにより支持されるとき基板Ｗが複数の更なるバール４０の各々の末端により支持されるように、配設されている。直線ガス流路８２内に更なるバール４０を設けることにより、支持テーブルＷＴにより支持される基板Ｗの平坦性がよくなる。直線ガス流路８２内に更なるバール４０を設けることにより、基板Ｗを支持するバール２０及び／または更なるバール４０間の最大距離が低減され、バール２０及び／または更なるバール４０間での基板Ｗのたわみや曲げの可能性が低減される。

しかし、ある実施の形態においては、更なるバールは直線ガス流路８２内に設けられていなくてもよい。この場合、直線ガス流路８２は、ガス流れをより大きくするために使用される。ガス流れは、更なるバール４０で邪魔されない。

ある実施の形態においては、直線ガス流路８２内の更なるバール４０の各々は、段付きバールであり、すなわち、ベース面２２に垂直な平面による断面において段付き輪郭を有する。段付き輪郭は、第３高さを有し基板Ｗの下面を支持する末端を有する第１部分４１を有する。ある実施の形態においては、第１高さが第３高さと実質的に等しい。段付き輪郭は、第１部分４１を囲む第２部分４２をさらに有する。第２部分４２は、少なくとも１つの直線ガス流路８２の床面から突出する。第２部分はベース面２２の上方に第４高さを有する。第４高さは第３高さより小さい。第２部分４２は、十分に大きければ、基板Ｗと支持テーブルＷＴの熱的結合を高める。ある実施の形態においては、熱的結合を高めるために、第２高さが第４高さと実質的に等しく、第２部分４２の上面が細長隆起突部４５の上面と実質的に平行である。更なるバール４０は、製造可能性の点から有利である。

更なるバール４０は、基板Ｗの下面と接触するよう配設され、無段のバール２０に相当しうる第１部分４１を有する。更なるバール４０は、基板Ｗの下面に接触しない第２部分４２をさらに含む。よって、更なるバール４０の第２部分４２の各々は、支持テーブルＷＴと基板Ｗの下面との間隔が低減されている領域をもたらすが、基板Ｗ下面の単位面積あたりの基板Ｗに接触するバール２０の合計面積には影響しない。

更なるバール４０それぞれの第２部分４２は、第１部分４１を囲んでもよい。第２部分４２のサイズは更なるバール４０のすべてについて同じである必要はない。よって、例えば、更なるバール４０の第２部分４２の幅及び／または高さは、支持テーブルＷＴと基板Ｗとの伝熱抵抗が基板Ｗの端部に向けて低下するようにベース面２２の中心からの距離とともに増大してもよい。基板Ｗの温度変化という望ましくない作用が基板Ｗの端部で大きくなり得る。しかし、基板Ｗ端部に向けて支持テーブルＷＴと基板Ｗとの間の伝熱抵抗が低下することにより、より良好な調節を基板Ｗ端部に適用することが可能になる。基板Ｗ端部での調節が良好であるほど基板Ｗ端部での温度変化が中心に対し良好に低減されるので、基板Ｗ端部でのより大きな温度変化の影響を補償することができる。

直線ガス流路８２内の更なるバール４０が段付き輪郭をもつことは必須ではない。更なるバール４０の第２部分４２が省略され、直線ガス流路８２における空間が広げられてもよい。直線ガス流路８２における広い空間は、直線ガス流路８２を通るガス流れを増す効果を有しうる。

ある実施の形態においては、支持テーブルＷＴは、ベース面２２の中心からある距離に複数の穴を備える。支持テーブルＷＴは、基板Ｗの固定を促す穴の配列をある半径に有してもよい。しかし、穴の配列が存在することは必須ではない。ある実施の形態においては、単一の穴しかなくてもよい。ある実施の形態においては、複数の穴がそれぞれベース面２２の中心から異なる距離にあってもよい。

直線ガス流路８２の床面がベース面２２に対してわずかでも低ければ、ガス流れが改善されるので、基板Ｗの固定が高速化されリソグラフィ装置のスループットが改善される。ある実施の形態においては、床面は、バール２０がベース面２２の上方に突出し少なくとも１つの直線ガス流路８２がベース面２２に溝を形成するように、少なくともベース面２２より低い。この場合、基板Ｗと直線ガス流路８２の底面２２の距離は、基板Ｗの下面とベース面２２の距離の少なくとも２倍である。これは、ベース面２２の端部からベース面２２の中心へのガスの高速輸送を促進する。

図８に示されるように、ある実施の形態においては、順番に配置された形状の細長隆起突部４５間の隙間が実質的に径方向に整列されている。ある実施の形態においては、各形状がベース面２２の中心を取り囲む。例えば、ある実施の形態においては、各形状がベース面２２に関し中心を有する。

ある実施の形態においては、支持テーブルＷＴは、リング状シール８５をさらに備える。リング状シール８５は、ベース面２２から突出する。リング状シール８５は、バール２０を囲む。リング状シール８５は、支持テーブルＷＴと基板Ｗの間にある。リング状シール８５は、バックフィルガスとともに、基板Ｗの温度制御を支援することができる。

支持テーブルＷＴの更なる任意的な特徴は、本願明細書に援用される米国特許出願公開第２０１３／０９４００５号に開示されている。

図１０は、本発明のある実施の形態が設けられてもよい支持テーブルＷＴを概略的に示す。図１０に示される実施の形態は単純化されており、本発明のある実施の形態を説明するのに必要でない支持テーブルＷＴの特徴は図示されていない。しかしながら、本発明のある実施の形態の支持テーブルＷＴは、多くのこうした追加の特徴を含んでもよい。

図示されるように、支持テーブルＷＴは、支持テーブルＷＴに熱エネルギーを供給し及び／または支持テーブルＷＴから熱エネルギーを除去するよう構成されている調節システム２１をさらに備えてもよい。

基板Ｗは、支持区域２２と、例えば、基板Ｗ下面に物理的に接触するバール２０を通じた熱伝導によって、熱的に結合されている。言い換えれば、調節システム２１が支持テーブルＷＴに熱エネルギーを供給し又はそこから熱エネルギーを除去するとき、支持テーブルＷＴから基板Ｗへと又は基板Ｗから支持テーブルＷＴへとエネルギーが移動する。

後述するように、支持テーブルＷＴ及び／または調節システム２１は、動作中に、基板Ｗの単位面積あたりの基板Ｗへの又は基板Ｗからの伝熱が基板Ｗ外側の第１領域（すなわち、基板Ｗ端部に隣接する領域）において基板Ｗ内側の第２領域よりも大きくなるように構成されている。説明の便宜上、支持テーブルＷＴは、基板Ｗの外側領域に隣接し熱的に結合されている外側領域２４を含むものと理解されたい。支持区域は、基板Ｗの内側領域に隣接し熱的に結合されている内側領域２５をさらに含む。

図１１に示されるように、支持テーブルＷＴは、バール２０間に設けられた１つ又は複数の細長隆起突部４５を含んでもよい。細長隆起突部４５は、いかなるバール２０とも接触しないように配設されていてもよい。これは支持テーブルＷＴの製造を容易にしうる。しかし、支持テーブルＷＴの最上面と基板Ｗの下面との間隔が低減された外側領域２４内の局所域を設けることによって、支持テーブルＷＴと基板Ｗとの間のガス隙間を通じた熱エネルギー移動の抵抗が低減されてもよい。こうして、支持テーブルＷＴと基板Ｗとの間の熱エネルギー移動の抵抗が外側領域２４において内側領域２５よりも低下されてもよい。

ある実施の形態においては、細長隆起突部４５は、環帯を形成するよう配設されている。ある実施の形態においては、各環帯は、隙間により隔てられた複数の細長隆起突部４５から形成されている。ある実施の形態においては、各環帯は、支持テーブルＷＴの外側領域２４まわりに、つまり内側領域２５を囲んで、延びている。これは製造を容易にしうる。

ある実施の形態においては、少なくとも１つの細長隆起突部４５は、細長隆起突部４５の上面と支持テーブルＷＴにより支持される基板Ｗの下面との間隔が１０μｍまたはそれより小さくなるよう構成されていてもよい。こうした実施の形態においては、基板Ｗの下面からベース面２２への間隔が１５０μｍであってもよい。あるいは、ベース面２２と基板Ｗの下面との間隔は、より大きくてもよく、例えば、４００μｍまたはそれより大きくてもよい。複数の細長隆起突部４５を有するある実施の形態においては、基板Ｗの下面の面積のおよそ５０％が細長隆起突部４５の直上にあってもよい。これにより、支持テーブルＷＴと基板Ｗの熱伝導率が改善されてもよい。とくに、熱伝導率は、他のあらゆる因子を一定として、約２倍から３倍に増加されうる。

ある実施の形態においては、図１２に示されるように、細長隆起突部４５の位置およびサイズは、液浸リソグラフィ装置における支持テーブルＷＴの使用時に液浸流体の薄層が細長隆起突部４５の上面と基板Ｗの下面との間に設けられるように選択されてもよい。

この液浸流体の薄層は、例えば細長隆起突部４５が基板Ｗに直接に物理的接触をする場合のように基板Ｗに物理的拘束を与えることなく、支持テーブルＷＴと基板Ｗの間の伝熱抵抗を顕著に低減しうる。

ある実施の形態においては、１つ又は複数の細長隆起突部４５は、基板Ｗの下方で基板Ｗの端部から基板Ｗの中心への液浸流体の移動を防止し又は制限するよう配設された２つのシール４７の間に配置されていてもよい。２つのシール４７は、所望のシール機能を提供するよう基板Ｗの下側に十分に近い位置まで延在する環状の細長隆起突部から形成されていてもよい。ある実施の形態においては、細長隆起突部は、２つのシール４７間の領域での圧力の均一化を確保するのに役立つように環状ではない形状を形成するよう配設されている。例えば、その形状は、外周経路（例えば円周経路）に設けられ、最も内側のシール４７と細長隆起突部４５の間の領域を最も外側のシール４７と細長隆起突部４５の間の領域に接続するよう細長隆起突部４５間に１つ又は複数の隙間を有してもよい。この配置においては、例えば、使用時に、液浸流体が、バール２０周囲に提供され支持テーブルＷＴへの基板Ｗの真空固定に使用される負圧によって細長隆起突部４５に向けて引き込まれうる。基板Ｗの下面に対する細長隆起突部４５の高さは、細長隆起突部４５の頂部と基板Ｗの下面との隙間が液浸流体を当該隙間に保持するように選択されてもよい。とくに、隙間の大きさは、隙間に液浸流体を保持する毛細管圧が支持テーブルＷＴに基板Ｗを真空固定するのに使用される負圧により生じうる細長隆起突部４５の横断方向のガス差圧より大きくなるように選択されてもよい。

ある実施の形態においては、液浸リソグラフィの実行のために提供された流体とは異なる流体が細長隆起突部４５に提供されてもよい。よって、適切に選択された流体の供給部が細長隆起突部４５に設けられてもよい。

理解されるように、いずれかの上述の特徴は他のいずれかの特徴とともに使用可能であり、本願に包含されるのは明示的に説明された組合せのみには限られない。例えば、本発明のある実施の形態は、図２から図４の実施の形態に適用されうる。また、本書における加熱またはヒータについての議論は、冷却またはクーラを含むものと理解されたい。

さらに、本発明の実施の形態は液浸リソグラフィ装置の文脈において便宜上説明されたが、本発明のある実施の形態は、いかなる形式のリソグラフィ装置とともに使用されてもよいものと理解されたい。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造がある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。ここに言及される基板は、露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。

本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を示す。「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む１つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。

本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムは１つまたは複数の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。

本明細書に記載のコントローラは各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくとも１つの構成要素内部に設けられた１つまたは複数のコンピュータプロセッサによって１つまたは複数のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。上述のコントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。１つまたは複数のプロセッサは少なくとも１つのコントローラと通信するよう構成されていてもよい。例えば、各コントローラが上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含んでもよい。コントローラはコンピュータプログラムを記録する記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウェアを含んでもよい。そうして、コントローラは１つまたは複数のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。

本発明の１つまたは複数の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。特に、上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型の構成においては、液浸液が基板及び／または基板テーブルの表面の上を流れることで、基板テーブル及び／または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸流体を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。

本明細書に述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態においては液体供給システムは投影システムと基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、１つまたは複数の構造体、及び１つまたは複数の流体開口の組合せを含んでもよい。流体開口は、１つまたは複数の液体開口、１つまたは複数の気体開口、１つまたは複数の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口（または流体ハンドリング構造からの出口）または液浸空間からの出口（または流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。一実施例においては、液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、液浸空間が基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するための１つまたは複数の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。

上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。

Claims (14)

1. リソグラフィ装置のための支持テーブルであって、前記支持テーブルは、基板の下面を支持するよう構成され、前記支持テーブルは、
   前記支持テーブル上に支持される基板の下面に実質的に平行であるよう構成されているベース面と、
   前記ベース面の上方に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々が前記ベース面の上方に末端と第１高さを有しており、前記支持テーブルによって基板が支持されるとき基板が複数のバールそれぞれの末端により支持されるように配設されている複数のバールと、
   隙間により隔てられた複数の細長隆起突部であって、複数の細長隆起突部の各々が前記ベース面の上方に第２高さを有しており、前記バール間で前記ベース面の上方に突出しかつ前記第２高さが前記第１高さより小さい複数の細長隆起突部と、を備え、
   前記突部は、複数の隙間が前記ベース面の端部に向かう直線ガス流路を形成するよう整列するように、配設され、前記直線ガス流路の床面は、前記直線ガス流路が前記ベース面に溝を形成するよう前記ベース面より低い、支持テーブル。
2. 前記床面から突出する複数の更なるバールをさらに備える、請求項１に記載の支持テーブル。
3. 前記更なるバールの各々は、前記ベース面に垂直な平面による断面において段付き輪郭を有し、前記段付き輪郭は、基板の下面を支持するよう第３高さと末端を有する第１部分と、前記第１部分を囲み前記床面から突出する第２部分と、を有し、前記第２部分は、前記ベース面の上方に前記第３高さより小さい第４高さを有する、請求項２に記載の支持テーブル。
4. 前記複数の隙間が前記ベース面の中心から前記ベース面の端部に向かう前記直線ガス流路を形成するよう整列する、請求項１から３のいずれかに記載の支持テーブル。
5. 前記直線ガス流路は、前記ベース面の中心に関し実質的に放射状である、請求項１から４のいずれかに記載の支持テーブル。
6. 前記支持テーブルは、その内部に形成される穴を備え、前記直線ガス流路は、前記穴より径方向外側の領域にある、請求項１から５のいずれかに記載の支持テーブル。
7. 前記穴は、前記直線ガス流路内に配置されている、請求項６に記載の支持テーブル。
8. 前記床面は、前記バールが前記ベース面の上方に突出し前記直線ガス流路が前記ベース面に前記溝を形成するように、少なくとも前記ベース面より低い、請求項１から７のいずれかに記載の支持テーブル。
9. 前記細長隆起突部は、複数の実質的に同心の形状を形成するよう配設され、各形状が前記隙間により隔てられた複数の細長隆起突部から形成されている、請求項１から８のいずれかに記載の支持テーブル。
10. 前記細長隆起突部は、複数の環帯を形成するよう配設され、各環帯が前記隙間により隔てられた複数の突部から形成されている、請求項１から９のいずれかに記載の支持テーブル。
11. 前記ベース面から突出し前記バールを囲むリング状シールをさらに備える、請求項１から１０のいずれかに記載の支持テーブル。
12. 前記支持テーブルに熱エネルギーを供給し及び／または前記支持テーブルから熱エネルギーを除去するよう構成されている調節システムをさらに備える、請求項１から１１のいずれかに記載の支持テーブル。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載の前記支持テーブルを備えるリソグラフィ装置。
14. デバイス製造方法であって、バターニングデバイスから基板にパターンを転写するようリソグラフィ装置を使用することを備え、前記リソグラフィ装置は、基板の下面を支持するよう構成されている支持テーブルを備え、前記支持テーブルは、
    前記支持テーブル上に支持される基板の下面に実質的に平行であるよう構成されているベース面と、
    前記ベース面の上方に突出する複数のバールであって、複数のバールの各々が前記ベース面の上方に末端と第１高さを有しており、前記支持テーブルによって基板が支持されるとき基板が複数のバールそれぞれの末端により支持されるように配設されている複数のバールと、
    隙間により隔てられた複数の細長隆起突部であって、複数の細長隆起突部の各々が前記ベース面の上方に第２高さを有しており、前記バール間で前記ベース面の上方に突出しかつ前記第２高さが前記第１高さより小さい複数の細長隆起突部と、を備え、
    前記突部は、複数の隙間が前記ベース面の端部に向かう直線ガス流路を形成するよう整列するように、配設され、前記直線ガス流路の床面は、前記直線ガス流路が前記ベース面に溝を形成するよう前記ベース面より低い、デバイス製造方法。

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