JPH0669125A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0669125A JPH0669125A JP21618392A JP21618392A JPH0669125A JP H0669125 A JPH0669125 A JP H0669125A JP 21618392 A JP21618392 A JP 21618392A JP 21618392 A JP21618392 A JP 21618392A JP H0669125 A JPH0669125 A JP H0669125A
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 2
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- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ウエハの中央部が加熱されるのを
防止してウエハの周辺部のみを加熱し、これにより加工
精度を向上させ、パターンの仕上がりにばらつきが生じ
るのを防止することを目的とするものである。 【構成】 チャック１１の中央部に凹部１３を形成する
ことにより、チャック１１の周辺部のウエハ載置面１２
のみにウエハが接触するようにした。
防止してウエハの周辺部のみを加熱し、これにより加工
精度を向上させ、パターンの仕上がりにばらつきが生じ
るのを防止することを目的とするものである。 【構成】 チャック１１の中央部に凹部１３を形成する
ことにより、チャック１１の周辺部のウエハ載置面１２
のみにウエハが接触するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造装置、特
に写真製版工程で行なう周辺露光作業に用いるチャック
を備えている半導体製造装置に関するものである。
に写真製版工程で行なう周辺露光作業に用いるチャック
を備えている半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０（ａ）〜（ｄ）は従来の写真製版
工程の一例を工程順に示す概略の断面図である。図にお
いて、１はウエハ２を支持し加熱する回転可能なチャッ
ク、３はウエハ２上に塗布されたレジスト、４は現像液
である。
工程の一例を工程順に示す概略の断面図である。図にお
いて、１はウエハ２を支持し加熱する回転可能なチャッ
ク、３はウエハ２上に塗布されたレジスト、４は現像液
である。
【０００３】次に、動作について説明する。まず、図１
０（ａ）に示すように、レジスト３が塗布されたウエハ
２をチャック１上に載置し、矢印Ａのようにウエハ２を
一定温度に加熱する。次に、図１０（ｂ）に示すよう
に、チャック１を回転させながら矢印Ｂのようにウエハ
２の周辺部に光線を照射し周辺露光作業を行う。この
後、図１０（ｃ）に示すように、別のユニット５で現象
処理を行なう。このような工程を経ることにより、周辺
部のレジスト３は、図１０（ｄ）に示すように除去され
る。
０（ａ）に示すように、レジスト３が塗布されたウエハ
２をチャック１上に載置し、矢印Ａのようにウエハ２を
一定温度に加熱する。次に、図１０（ｂ）に示すよう
に、チャック１を回転させながら矢印Ｂのようにウエハ
２の周辺部に光線を照射し周辺露光作業を行う。この
後、図１０（ｃ）に示すように、別のユニット５で現象
処理を行なう。このような工程を経ることにより、周辺
部のレジスト３は、図１０（ｄ）に示すように除去され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の半導体製造装置においては、ウエハ２の下面全
体がチャック１の上面と接触しているので、加熱する必
要がないウエハ２の中央部にまでチャック１からの熱が
伝わってしまい、加工精度が悪くなり、パターンの仕上
がりにばらつきを生じさせる原因となるという問題点が
あった。
た従来の半導体製造装置においては、ウエハ２の下面全
体がチャック１の上面と接触しているので、加熱する必
要がないウエハ２の中央部にまでチャック１からの熱が
伝わってしまい、加工精度が悪くなり、パターンの仕上
がりにばらつきを生じさせる原因となるという問題点が
あった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、ウエハの中央
部が加熱されるのを防止して周辺部のみを加熱すること
ができ、これにより加工精度を向上させ、パターンの仕
上がりにばらつきが生じるのを防止することができる半
導体製造装置を得ることを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、ウエハの中央
部が加熱されるのを防止して周辺部のみを加熱すること
ができ、これにより加工精度を向上させ、パターンの仕
上がりにばらつきが生じるのを防止することができる半
導体製造装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る半
導体製造装置は、チャックの中央部に凹部を形成するこ
とにより、チャックの周辺部のウエハ載置面にウエハが
接触するようにしたものである。
導体製造装置は、チャックの中央部に凹部を形成するこ
とにより、チャックの周辺部のウエハ載置面にウエハが
接触するようにしたものである。
【０００７】請求項２の発明に係る半導体製造装置は、
チャックの中央部に凹部を形成することにより、チャッ
クの周辺部のウエハ載置面にウエハが接触するように
し、また冷却水を通す配管をチャックの凹部内に設けた
ものである。
チャックの中央部に凹部を形成することにより、チャッ
クの周辺部のウエハ載置面にウエハが接触するように
し、また冷却水を通す配管をチャックの凹部内に設けた
ものである。
【０００８】請求項３の発明に係る半導体製造装置は、
チャックの中央部に凹部を形成することにより、チャッ
クの周辺部のウエハ載置面にウエハが接触するように
し、また凹部内のウエハ載置面に隣接する部分に断熱材
を設けたものである。
チャックの中央部に凹部を形成することにより、チャッ
クの周辺部のウエハ載置面にウエハが接触するように
し、また凹部内のウエハ載置面に隣接する部分に断熱材
を設けたものである。
【０００９】請求項４の発明に係る半導体製造装置は、
チャックの中央部に凹部を形成することにより、チャッ
クの周辺部のウエハ載置面にウエハが接触するように
し、また凹部内に冷気を導入するための冷気導入口を凹
部に設けたものである。
チャックの中央部に凹部を形成することにより、チャッ
クの周辺部のウエハ載置面にウエハが接触するように
し、また凹部内に冷気を導入するための冷気導入口を凹
部に設けたものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、チャックの周辺部をウエ
ハ載置面として、この部分でのみウエハがチャックに接
触するようにすることにより、チャックからの熱がウエ
ハの中央部に直接伝わるのを防止する。
ハ載置面として、この部分でのみウエハがチャックに接
触するようにすることにより、チャックからの熱がウエ
ハの中央部に直接伝わるのを防止する。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１は請求項１の発明の一実施例による半導
体製造装置のチャックを示す平面図、図２は図１の概略
の断面図である。図において、１１は図１０と同様のウ
エハ２を支持し加熱する回転可能なチャックであり、こ
のチャック１１の上面には、周辺部のウエハ載置面１２
を残して中央部に凹部１３が形成されている。
る。 実施例１．図１は請求項１の発明の一実施例による半導
体製造装置のチャックを示す平面図、図２は図１の概略
の断面図である。図において、１１は図１０と同様のウ
エハ２を支持し加熱する回転可能なチャックであり、こ
のチャック１１の上面には、周辺部のウエハ載置面１２
を残して中央部に凹部１３が形成されている。
【００１２】このような周辺露光用のチャック１１を用
いた半導体製造装置においては、図３に示すように、レ
ジスト３を塗布したウエハ２をチャック１１上に載せる
と、チャック１１からの熱（図中破線矢印）は、チャッ
ク１１とウエハ２とが接触しているウエハ載置面１２の
みからウエハ２に伝えられる。つまり、凹部１３からは
熱が直接伝わらないため、凹部１３に対応しているウエ
ハ２の中央部は加熱されなくなるか、あるいは熱の影響
を殆んど受けにくくなる。この結果、加工精度が向上
し、パターンの仕上がりのばらつきが抑えられる。
いた半導体製造装置においては、図３に示すように、レ
ジスト３を塗布したウエハ２をチャック１１上に載せる
と、チャック１１からの熱（図中破線矢印）は、チャッ
ク１１とウエハ２とが接触しているウエハ載置面１２の
みからウエハ２に伝えられる。つまり、凹部１３からは
熱が直接伝わらないため、凹部１３に対応しているウエ
ハ２の中央部は加熱されなくなるか、あるいは熱の影響
を殆んど受けにくくなる。この結果、加工精度が向上
し、パターンの仕上がりのばらつきが抑えられる。
【００１３】実施例２．次に、図４は請求項２の発明の
一実施例による半導体製造装置のチャックを示す平面
図、図５は図４の概略の断面図である。図において、１
４は上面に実施例１と同様のウエハ載置面１２及び凹部
１３が形成されているチャック、１５は凹部１３内に設
けられている冷却水用の配管である。
一実施例による半導体製造装置のチャックを示す平面
図、図５は図４の概略の断面図である。図において、１
４は上面に実施例１と同様のウエハ載置面１２及び凹部
１３が形成されているチャック、１５は凹部１３内に設
けられている冷却水用の配管である。
【００１４】このようなチャック１４では、凹部１３内
に設けた配管１５に冷却水１６を通すことにより、ウエ
ハ２の中央部の温度上昇をより確実に防止して、ウエハ
２の中央部の温度を所定の一定温度に保つことができ
る。従って、加工精度がさらに向上し、パターン仕上が
りのばらつきがより確実に抑えられる。
に設けた配管１５に冷却水１６を通すことにより、ウエ
ハ２の中央部の温度上昇をより確実に防止して、ウエハ
２の中央部の温度を所定の一定温度に保つことができ
る。従って、加工精度がさらに向上し、パターン仕上が
りのばらつきがより確実に抑えられる。
【００１５】実施例３．図６は請求項３の発明の一実施
例による半導体製造装置のチャックを示す平面図、図７
は図６の概略の断面図である。図において、１７は凹部
１３内のウエハ載置面１２に隣接する部分に設けられて
いる円環状の断熱材である。
例による半導体製造装置のチャックを示す平面図、図７
は図６の概略の断面図である。図において、１７は凹部
１３内のウエハ載置面１２に隣接する部分に設けられて
いる円環状の断熱材である。
【００１６】このようなチャック１１では、ウエハ載置
面１２からの熱が断熱材１７により遮断されるので、ウ
エハ２の中央部の加熱がより確実に防止されることにな
る。従って、ウエハ２の中央部を所定の一定温度に保つ
ことができ、加工精度が向上する。
面１２からの熱が断熱材１７により遮断されるので、ウ
エハ２の中央部の加熱がより確実に防止されることにな
る。従って、ウエハ２の中央部を所定の一定温度に保つ
ことができ、加工精度が向上する。
【００１７】実施例４．図８は請求項４の発明の一実施
例による半導体製造装置のチャックを示す平面図、図９
は図８の概略の断面図である。図において、１８は凹部
１３内に実施例３と同様に断熱材１７が設けられている
チャックであり、このチャック１８には、凹部１３内に
冷気１９を導入するための冷気導入口２０が設けられて
いる。
例による半導体製造装置のチャックを示す平面図、図９
は図８の概略の断面図である。図において、１８は凹部
１３内に実施例３と同様に断熱材１７が設けられている
チャックであり、このチャック１８には、凹部１３内に
冷気１９を導入するための冷気導入口２０が設けられて
いる。
【００１８】この実施例４のチャック１８によれば、断
熱材１７によってウエハ載置面１２の熱が内側に伝達さ
れず、しかも凹部１３内は冷気導入口２０から供給され
る冷気１９によって所望の温度に冷却制御されるので、
ウエハ２の中央部をより一層所定の一定温度に精度よく
保つことができる。
熱材１７によってウエハ載置面１２の熱が内側に伝達さ
れず、しかも凹部１３内は冷気導入口２０から供給され
る冷気１９によって所望の温度に冷却制御されるので、
ウエハ２の中央部をより一層所定の一定温度に精度よく
保つことができる。
【００１９】なお、上記実施例４では冷気導入口２０が
凹部１３の底部の中心に開口しているが、凹部１３内の
どこに開口していてもよい。また、実施例４では１本の
通路を２分した冷気導入口２０を示したが、導入用と導
出用の通路を２本設けるなどしてもよい。また、上記実
施例２の配管１５の形状も、図４に示した形状に限定さ
れるものではない。
凹部１３の底部の中心に開口しているが、凹部１３内の
どこに開口していてもよい。また、実施例４では１本の
通路を２分した冷気導入口２０を示したが、導入用と導
出用の通路を２本設けるなどしてもよい。また、上記実
施例２の配管１５の形状も、図４に示した形状に限定さ
れるものではない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
半導体製造装置は、チャックの中央部に凹部を形成する
ことにより、チャックの周辺部のウエハ載置面のみにウ
エハが接触するようにしたので、ウエハの中央部が加熱
されるのを防止して周辺部のみを加熱することができ、
これにより加工精度を向上させ、パターンの仕上がりに
ばらつきが生じるのを防止することができるという効果
を奏する。
半導体製造装置は、チャックの中央部に凹部を形成する
ことにより、チャックの周辺部のウエハ載置面のみにウ
エハが接触するようにしたので、ウエハの中央部が加熱
されるのを防止して周辺部のみを加熱することができ、
これにより加工精度を向上させ、パターンの仕上がりに
ばらつきが生じるのを防止することができるという効果
を奏する。
【００２１】また、請求項２の発明の半導体製造装置
は、チャックの中央部に凹部を形成することにより、チ
ャックの周辺部のウエハ載置面のみにウエハが接触する
ようにし、また冷却水を通す配管をチャックの凹部内に
設けたので、上記請求項１の発明の効果に加えて、配管
に冷却水を通すことによりウエハの中央部の加熱をより
確実に防止することができ、加工精度をより一層向上さ
せることができるという効果を奏する。
は、チャックの中央部に凹部を形成することにより、チ
ャックの周辺部のウエハ載置面のみにウエハが接触する
ようにし、また冷却水を通す配管をチャックの凹部内に
設けたので、上記請求項１の発明の効果に加えて、配管
に冷却水を通すことによりウエハの中央部の加熱をより
確実に防止することができ、加工精度をより一層向上さ
せることができるという効果を奏する。
【００２２】さらに、請求項３の発明の半導体製造装置
は、チャックの中央部に凹部を形成することにより、チ
ャックの周辺部のウエハ載置面のみにウエハが接触する
ようにし、また凹部内のウエハ載置面に隣接する部分に
断熱材を設けたので、上記請求項１の発明の効果に加え
て、ウエハ載置面の熱が断熱材により遮断され、ウエハ
の中央部の加熱をより確実に防止することができ、加工
精度をより一層向上させることができるという効果を奏
する。
は、チャックの中央部に凹部を形成することにより、チ
ャックの周辺部のウエハ載置面のみにウエハが接触する
ようにし、また凹部内のウエハ載置面に隣接する部分に
断熱材を設けたので、上記請求項１の発明の効果に加え
て、ウエハ載置面の熱が断熱材により遮断され、ウエハ
の中央部の加熱をより確実に防止することができ、加工
精度をより一層向上させることができるという効果を奏
する。
【００２３】さらにまた、請求項４の発明に係る半導体
製造装置は、チャックの中央部に凹部を形成することに
より、チャックの周辺部のウエハ載置面のみにウエハが
接触するようにし、また凹部内に冷気を導入するための
冷気導入口を凹部に設けたので、上記請求項１の発明の
効果に加えて、冷気導入口から凹部内に冷気を導入する
ことにより、ウエハの中央部の加熱をより確実に防止す
ることができ、加工精度をより一層向上させることがで
きるという効果を奏する。
製造装置は、チャックの中央部に凹部を形成することに
より、チャックの周辺部のウエハ載置面のみにウエハが
接触するようにし、また凹部内に冷気を導入するための
冷気導入口を凹部に設けたので、上記請求項１の発明の
効果に加えて、冷気導入口から凹部内に冷気を導入する
ことにより、ウエハの中央部の加熱をより確実に防止す
ることができ、加工精度をより一層向上させることがで
きるという効果を奏する。
【図１】請求項１の発明の一実施例による半導体製造装
置のチャックを示す平面図である。
置のチャックを示す平面図である。
【図２】図１の概略の断面図である。
【図３】図１のチャックにレジストが塗布されたウエハ
を載置した状態を示す一部断面図である。
を載置した状態を示す一部断面図である。
【図４】請求項２の発明の一実施例による半導体製造装
置のチャックを示す平面図である。
置のチャックを示す平面図である。
【図５】図４の概略の断面図である。
【図６】請求項３の発明の一実施例による半導体製造装
置のチャックを示す平面図である。
置のチャックを示す平面図である。
【図７】図６の概略の断面図である。
【図８】請求項４の発明の一実施例による半導体製造装
置のチャックを示す平面図である。
置のチャックを示す平面図である。
【図９】図８の概略の断面図である。
【図１０】従来の写真製版工程の一例を工程順に示す概
略の断面図である。
略の断面図である。
【符号の説明】 ２ ウエハ １１ チャック １２ ウエハ載置面 １３ 凹部 １４ チャック １５ 配管 １６ 冷却水 １７ 断熱材 １８ チャック １９ 冷気 ２０ 冷気導入口
Claims (4)
- 【請求項１】 写真製版工程の周辺露光作業時にウエハ
を支持し加熱するチャックを備えている半導体製造装置
において、上記チャックは、中央部に凹部が形成されて
おり、周辺部のウエハ載置面で上記ウエハと接触するよ
うになっていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 写真製版工程の周辺露光作業時にウエハ
を支持し加熱するチャックを備えている半導体製造装置
において、上記チャックは、中央部に凹部が形成されて
おり、周辺部のウエハ載置面で上記ウエハと接触するよ
うになっているとともに、冷却水を通す配管が上記凹部
内に設けられていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 写真製版工程の周辺露光作業時にウエハ
を支持し加熱するチャックを備えている半導体製造装置
において、上記チャックは、中央部に凹部が形成されて
おり、周辺部のウエハ載置面で上記ウエハと接触するよ
うになっているとともに、上記凹部内の上記ウエハ載置
面に隣接する部分に断熱材が設けられていることを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 写真製版工程の周辺露光作業時にウエハ
を支持し加熱するチャックを備えている半導体製造装置
において、上記チャックは、中央部に凹部が形成されて
おり、周辺部のウエハ載置面で上記ウエハと接触するよ
うになっているとともに、上記凹部内に冷気を導入する
ための冷気導入口が上記凹部に設けられていることを特
徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21618392A JPH0669125A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21618392A JPH0669125A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669125A true JPH0669125A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16684595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21618392A Pending JPH0669125A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669125A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013042128A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の支持テーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US9835957B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1992
- 1992-08-13 JP JP21618392A patent/JPH0669125A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013042128A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の支持テーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US8970822B2 (en) | 2011-08-17 | 2015-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI507826B (zh) * | 2011-08-17 | 2015-11-11 | Asml Netherlands Bv | 用於微影設備之支撐平台、微影設備及元件製造方法 |
| US9575419B2 (en) | 2011-08-17 | 2017-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9740110B2 (en) | 2011-08-17 | 2017-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9971252B2 (en) | 2011-08-17 | 2018-05-15 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10324382B2 (en) | 2011-08-17 | 2019-06-18 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10747126B2 (en) | 2011-08-17 | 2020-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11650511B2 (en) | 2011-08-17 | 2023-05-16 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9835957B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
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