JP6127902B2 - 混合硫化物からのニッケル及びコバルトの浸出方法 - Google Patents
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Description
まず、第1の浸出工程では、原料である混合硫化物を、酸化還元電位が0mV以上400mV以下(Ag/AgCl電極基準)の塩化物水溶液で酸化浸出する。この第1の浸出工程での酸化浸出は、第2の浸出工程である塩素浸出の前処理として行なうものであり、混合硫化物の塩素浸出に比べて比較的弱い酸化条件下、即ち0〜400mVの酸化還元電位にて浸出することを特徴としている。
4NiS+2CuCl4 2−→Ni2++Ni3S4+2Cl−+2CuCl3 2−
第2の浸出工程では、上記第1の浸出工程から供給されたスラリー、即ち第1の浸出工程で得られたスラリーを固形分離した残渣と塩化物水溶液とのスラリーに、塩素ガスを吹込むことにより塩素浸出する。
2CuCl3 2−+Cl2→2CuCl4 2−
[化3]
NiS+2CuCl4 2−→Ni2++S0+2Cl−+2CuCl3 2−
[化4]
NiS+Cl2→Ni2++S0+2Cl−
Ni3S4+6CuCl4 2−→3Ni2++4S0+6Cl−+6CuCl3 2−
[化6]
Ni3S4+3Cl2→3Ni2++4S0+6Cl−
原料として、ニッケル酸化鉱石の湿式製錬工程で湿式硫化反応によって製造され、下記表1に示す組成を有する混合硫化物を使用した。
上記表1に示す組成を有する混合硫化物を、上記酸化浸出を行なうことなく、そのまま上記実施例1での塩素浸出と同じ方法で、即ち、塩素浸出反応で得られた塩素浸出液の銅イオン濃度が40g/lとなるように混合硫化物のスラリー濃度を調整して、酸化還元電位550mV(Ag/AgCl電極基準)、温度111℃及び滞留時間12.5時間の条件で塩素浸出した。
上記表1に示す組成を有する混合硫化物を、酸化浸出条件として反応時の酸化還元電位を−50mVとした以外は上記実施例1と同様にして酸化浸出した。得られた酸化浸出残渣を、上記実施例1と同様にして塩素浸出した。
上記表1に示す組成を有する混合硫化物を、酸化浸出条件として反応時の酸化還元電位を450mVとした以外は上記実施例1と同様にして酸化浸出した。得られた酸化浸出残渣を、上記実施例1と同様にして塩素浸出した。
上記表1に示す組成を有する混合硫化物を、酸化浸出条件として反応時の温度を60℃とした以外は上記実施例1と同様にして酸化浸出した。得られた酸化浸出残渣を、上記実施例1と同様にして塩素浸出した。
上記表1に示す組成を有する混合硫化物を、酸化浸出条件として反応時の温度を110℃とした以外は上記実施例1と同様にして酸化浸出した。得られた酸化浸出残渣を、上記実施例1と同様にして塩素浸出した。
Claims (2)
- ニッケル酸化鉱石の湿式製錬工程で湿式硫化反応によって製造されたニッケル及びコバルトを含む混合硫化物からニッケル及びコバルトを浸出する方法であって、該混合硫化物を酸化還元電位が0mV以上400mV以下(Ag/AgCl電極基準)の塩化物水溶液により、70℃以上100℃以下の温度で浸出する第1の浸出工程と、第1の浸出工程で得られたスラリーを固液分離した残渣を塩化物水溶液でスラリーとした後、このスラリーに塩素ガスを吹込んで浸出する第2の浸出工程とを有し、前記第1の浸出工程において、酸化剤として塩化第二銅の塩化物水溶液を用いることを特徴とする混合硫化物からのニッケル及びコバルトの浸出方法。
- 前記第2の浸出工程で浸出する前のスラリーに、pHが0.4以上0.6以下になるように塩酸を添加することを特徴とする、請求項1に記載の混合硫化物からのニッケル及びコバルトの浸出方法。
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