JP6092604B2 - Dc/dcコンバータおよびその制御回路、それを用いた電源装置、電源アダプタおよび電子機器 - Google Patents
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Description
なお、本明細書において、「利得」とは、1より大きい場合(増幅)のみならず、1より小さい場合(減衰)も含む。
フィードバック電圧を参照することにより、軽負荷状態を検出することができる。
この場合、負荷がある程度軽くなると、第2状態に遷移させることにより、トランスの音鳴りを抑制し、および/または、出力電圧のリップルを小さくできる。そして、その後、フィードバック電圧がある程度大きくなると、すなわち負荷がある程度重くなると、第1状態に戻すことにより、トランスに十分なエネルギーを供給することができる。
バースト制御回路は、フィードバック電圧が所定の第3しきい値より低くなると、スイッチングトランジスタのスイッチングを停止させ、スイッチングトランジスタが停止した状態で、フィードバック電圧が所定の第4しきい値より高くなると、スイッチングトランジスタのスイッチングを再開させてもよい。
この場合、軽負荷状態が検出され、バースト動作に移行すると、変換回路を第2状態に遷移させることができる。
「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。
制御回路を1つのIC(Integrated Circuit)として集積化することにより、回路面積を削減することができるとともに、回路素子の特性を均一に保つことができる。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
制御回路2は、ひとつの半導体基板上に一体集積化された機能ICであり、図1に示すように、補助端子(ZT端子)、FB端子、CS端子、GND端子、OUT端子、VCC端子、VH端子を有する。図4には、FB端子、OUT端子、CS端子のみが示され、残りの端子は省略される。
第1状態φ1では、VCS_PEAK=VFB×αFB/αCS1=VFB×1/4が成り立つ。
プラグ902、図示しないコンセントから商用交流電圧VACを受ける。インバータ100は、筐体804内に実装される。インバータ100により生成された直流出力電圧VOUTは、同じ筐体904内に搭載される、マイコン、DSP(Digital Signal Processor)、電源回路、照明機器、アナログ回路、デジタル回路などの負荷に供給される。
実施の形態では、アンプ34の利得を変化させる場合を説明したが本発明はそれに限定されない。たとえば、アンプ34の利得に代えて、またはそれに加えて、分圧回路32の分圧比を可変とし、分圧回路32の分圧比(つまり利得αFB)を変化させることにより、変換比αFB/αCSを制御してもよい。たとえば、アンプ34の利得を1倍に固定しておき(アンプは省略できる)、第1状態φ1において分圧比αFBを第1の値(1/4倍)とし、第2状態φ2において分圧比αFBを第2の値(1/16倍)としてもよい。
また変換回路30は、フィードバック電圧VFBおよび検出電圧VCSの少なくとも一方をシフトさせるレベルシフト回路を含んでもよい。たとえば検出電圧VCSの経路上にレベルシフト回路を設け、第2状態φ2において、第1状態φ1よりも検出電圧VCSを高電位側にシフトさせてもよい。これによっても、バースト動作中に、コイル電流Ipのピーク電流を低減できる。この場合、アンプ34は省略してもよい。
実施の形態では、シャントレギュレータ(誤差増幅器)212がトランスT1の2次側に設けられる場合を説明したが、この誤差増幅器は、1次側に設けてもよく、さらには制御回路2に内蔵してもよい。
バースト制御回路50の構成は、上述のそれには限定されず、バースト動作を制御可能な公知の他の技術を用いてもよい。
実施の形態では、第1状態φ1と第2状態φ2を切りかえる場合を説明したが本発明はそれに限定されず、より多くの状態を切りかえ可能としてもよい。この場合、負荷電流の大きさに応じて、電流のピーク値を段階的に変化させることができる。
実施の形態で説明した回路は、各信号のアサートをハイレベル、ネゲートをローレベルに割り当てた正論理(ハイアクティブ)系で構成されるが、それらを負論理系で構成してもよいし、正論理系と負論理系を組み合わせて構成してもよい。
Claims (23)
- DC/DCコンバータの制御回路であって、
前記DC/DCコンバータは、
1次巻線および2次巻線を有するトランスと、
トランスの1次巻線の電流経路上に設けられたスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタの経路上に設けられた検出抵抗と、
を有しており、
前記制御回路は、
前記DC/DCコンバータの出力電圧に応じたフィードバック電圧を受けるフィードバック端子と、
前記検出抵抗に生ずる検出電圧を受ける電流検出端子と、
前記フィードバック電圧および前記検出電圧の少なくとも一方を増幅、減衰させ、および/またはレベルシフトさせ、かつその利得および/またはシフト量が可変に構成された変換回路と、
前記変換回路を経た前記フィードバック電圧と前記検出電圧にもとづいて、前記DC/DCコンバータの出力電圧が目標値に近づくようにパルス変調されるパルス信号を生成するパルス変調器と、
前記パルス信号にもとづいて前記スイッチングトランジスタを駆動するドライバと、
前記スイッチングトランジスタがスイッチングするスイッチング期間と、前記スイッチングトランジスタがオフに固定される停止期間を制御するバースト制御回路と、
前記変換回路の利得および/またはシフト量を変化させるゲインコントローラと、
を備え、
前記ゲインコントローラは、前記フィードバック電圧にもとづいて、前記変換回路を制御することを特徴とする制御回路。 - 前記ゲインコントローラは、通常状態において前記変換回路を第1状態とし、前記フィードバック電圧が所定の第1しきい値まで低下すると、前記変換回路を第2状態とし、前記フィードバック電圧が前記第1しきい値より大きい第2しきい値まで増大すると、前記変換回路を前記第1状態に戻すことを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
- 前記ゲインコントローラは、前記フィードバック電圧が前記第2しきい値まで増大すると、ある期間、前記変換回路を第3状態とし、その後、前記変換回路を前記第1状態に戻すことを特徴とする請求項2に記載の制御回路。
- 前記バースト制御回路は、少なくとも前記フィードバック電圧にもとづいて、前記スイッチング期間と前記停止期間を制御することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の制御回路。
- 前記バースト制御回路は、前記フィードバック電圧が所定の第3しきい値より低くなると、前記スイッチングトランジスタのスイッチングを停止させ、前記スイッチングトランジスタが停止した状態で、前記フィードバック電圧が所定の第4しきい値より高くなると、前記スイッチングトランジスタのスイッチングを再開させることを特徴とする請求項4に記載の制御回路。
- 前記ゲインコントローラは、通常状態において前記変換回路を第1状態とし、前記フィードバック電圧が所定の第1しきい値まで低下すると、前記変換回路を第2状態とし、
前記バースト制御回路は、前記フィードバック電圧が所定の第3しきい値より低くなると、前記スイッチングトランジスタのスイッチングを停止させ、
前記第1しきい値と前記第3しきい値は等しいことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の制御回路。 - DC/DCコンバータの制御回路であって、
前記DC/DCコンバータは、
1次巻線および2次巻線を有するトランスと、
トランスの1次巻線の電流経路上に設けられたスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタの経路上に設けられた検出抵抗と、
を有しており、
前記制御回路は、
前記DC/DCコンバータの出力電圧に応じたフィードバック電圧を受けるフィードバック端子と、
前記検出抵抗に生ずる検出電圧を受ける電流検出端子と、
前記フィードバック電圧および前記検出電圧の少なくとも一方を増幅、減衰させ、および/またはレベルシフトさせ、かつその利得および/またはシフト量が可変に構成された変換回路と、
前記変換回路を経た前記フィードバック電圧と前記検出電圧にもとづいて、前記DC/DCコンバータの出力電圧が目標値に近づくようにパルス変調されるパルス信号を生成するパルス変調器と、
前記パルス信号にもとづいて前記スイッチングトランジスタを駆動するドライバと、
前記スイッチングトランジスタがスイッチングするスイッチング期間と、前記スイッチングトランジスタがオフに固定される停止期間を制御するバースト制御回路と、
前記変換回路の利得および/またはシフト量を変化させるゲインコントローラと、
を備え、
前記ゲインコントローラは、通常状態において前記変換回路を第1状態とし、前記フィードバック電圧が所定の第1しきい値まで低下すると、前記変換回路を第2状態とし、
前記バースト制御回路は、前記フィードバック電圧が所定の第3しきい値より低くなると、前記スイッチングトランジスタのスイッチングを停止させ、
前記第1しきい値と前記第3しきい値は等しいことを特徴とする制御回路。 - 前記変換回路は、前記検出電圧を可変の利得で増幅するアンプを含み、
前記ゲインコントローラは、前記アンプの利得を制御することを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の制御回路。 - 前記変換回路は、前記検出電圧を可変の利得で減衰する減衰回路を含み、
前記ゲインコントローラは、前記減衰回路の利得を制御することを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の制御回路。 - 前記パルス変調器は、
前記変換回路を経た前記検出電圧が、前記変換回路を経た前記フィードバック電圧に達するとアサートされるリセット信号を生成するリセット信号生成部と、
セット信号を生成するセット信号生成部と、
前記セット信号がアサートされると、前記スイッチングトランジスタのオンに対応するオンレベルに遷移し、前記リセット信号がアサートされると前記スイッチングトランジスタのオフに対応するオフレベルに遷移する前記パルス信号を生成するフリップフロップと、
を含むことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の制御回路。 - 前記セット信号生成部は、所定の周期で前記セット信号をアサートすることを特徴とする請求項10に記載の制御回路。
- 前記セット信号生成部は、前記リセット信号がアサートされてから所定のオフ時間経過後に前記セット信号をアサートすることを特徴とする請求項10に記載の制御回路。
- 前記セット信号生成部は、前記トランスに蓄えられたエネルギーが実質的にゼロになると、前記セット信号をアサートすることを特徴とする請求項10に記載の制御回路。
- 前記トランスは、1次側に設けられた補助巻線をさらに有し、
前記制御回路は、前記補助巻線の一端の電圧が入力される補助端子をさらに備え、
前記セット信号生成部は、(i)前記補助端子の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、前記補助端子の電圧が前記しきい値電圧とクロスするたびにアサートされるボトム検出信号を生成し、(ii)前記ボトム検出信号のアサートされる回数が、カウント設定値に達するたびに前記セット信号をアサートすることを特徴とする請求項10に記載の制御回路。 - 前記トランスは、1次側に設けられた補助巻線をさらに有し、
前記制御回路は、前記補助巻線の一端の電圧が入力される補助端子をさらに備え、
前記セット信号生成部は、(i)前記補助端子の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、前記補助端子の電圧が前記しきい値電圧とクロスするたびにアサートされるボトム検出信号を生成し、(ii)前記ボトム検出信号がアサートされてから、所定時間経過後に前記セット信号をアサートすることを特徴とする請求項10に記載の制御回路。 - 前記ゲインコントローラは、通常状態において前記変換回路の利得が第1利得である第1状態とし、前記フィードバック電圧が所定の第1しきい値まで低下すると、前記変換回路の利得が前記第1利得よりも大きい第2利得である第2状態とし、前記フィードバック電圧が前記第1しきい値より大きい第2しきい値まで増大すると、ある期間、前記変換回路の利得が前記第1利得より大きく前記第2利得より小さい第3利得である第3状態とし、その後、前記変換回路を前記第1状態に戻すことを特徴とする請求項1または7に記載の制御回路。
- 前記ゲインコントローラは、前記フィードバック端子に入力される前記フィードバック電圧を前記第1しきい値および前記第2しきい値と比較するヒステリシスコンパレータを含み、
前記ヒステリシスコンパレータの出力に応じて、前記変換回路の利得および/またはシフト量が変化することを特徴とする請求項2または3に記載の制御回路。 - ひとつの半導体基板上に一体集積化されることを特徴とする請求項1から17のいずれかに記載の制御回路。
- 1次巻線、2次巻線および補助巻線を有するトランスと、
前記トランスの1次巻線と接続されるスイッチングトランジスタと、
アノードが前記2次巻線と接続される第1ダイオードと、
一端が接地され、他端が前記第1ダイオードのカソードと接続された第1出力キャパシタと、
アノードが前記補助巻線と接続される第2ダイオードと、
一端が接地され、他端が前記第2ダイオードのカソードと接続された第2出力キャパシタと、
前記第1出力キャパシタに生ずる出力電圧に応じたフィードバック電圧を生成するフィードバック回路と、
前記フィードバック電圧を受け、前記スイッチングトランジスタをスイッチングする請求項1から18のいずれかに記載の制御回路と、
を備えることを特徴とするDC/DCコンバータ。 - 前記フィードバック回路は、
前記出力電圧を分圧した電圧と所定の目標値の誤差がゼロとなるようにレベルが調節されるフィードバック信号を生成するシャントレギュレータと、
その1次側の発光素子が前記フィードバック信号によって制御されるフォトカプラと、
を含み、前記フォトカプラの2次側の受光素子に生ずる信号が、前記フィードバック電圧として前記制御回路に供給されることを特徴とする請求項19に記載のDC/DCコンバータ。 - 商用交流電圧をフィルタリングするフィルタと、
前記フィルタの出力電圧を全波整流するダイオード整流回路と、
前記ダイオード整流回路の出力電圧を平滑化し、直流入力電圧を生成する平滑キャパシタと、
前記直流入力電圧を降圧し、負荷に供給する請求項19または20に記載のDC/DCコンバータと、
を備えることを特徴とする電源装置。 - 負荷と、
商用交流電圧をフィルタリングするフィルタと、
前記フィルタの出力電圧を全波整流するダイオード整流回路と、
前記ダイオード整流回路の出力電圧を平滑化し、直流入力電圧を生成する平滑キャパシタと、
前記直流入力電圧を降圧し、前記負荷に供給する請求項19または20に記載のDC/DCコンバータと、
を備えることを特徴とする電子機器。 - 商用交流電圧をフィルタリングするフィルタと、
前記フィルタの出力電圧を全波整流するダイオード整流回路と、
前記ダイオード整流回路の出力電圧を平滑化し、直流入力電圧を生成する平滑キャパシタと、
前記直流入力電圧を降圧し、直流出力電圧を生成する請求項19または20に記載のDC/DCコンバータと、
を備えることを特徴とする電源アダプタ。
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