JP5998481B2 - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5998481B2 JP5998481B2 JP2011550333A JP2011550333A JP5998481B2 JP 5998481 B2 JP5998481 B2 JP 5998481B2 JP 2011550333 A JP2011550333 A JP 2011550333A JP 2011550333 A JP2011550333 A JP 2011550333A JP 5998481 B2 JP5998481 B2 JP 5998481B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflective film
- film
- light emitting
- conductive reflective
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/882—Scattering means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
Description
本発明の第1の態様は、発光層と、発光層からの発光を反射する導電性反射膜と、基材とを、この順に備える発光素子向け導電性反射膜用組成物であって、導電性反射膜組成物が、金属ナノ粒子を含むことを特徴とする、発光素子向け導電性反射膜用組成物である。
本発明の第2の態様は、上記第1の態様にかかる発光素子向け導電性反射膜用組成物であって、さらに、添加物を含む、発光素子向け導電性反射膜用組成物である。
本発明の第3の態様は、発光層と、発光層からの発光を反射する導電性反射膜と、基材とを、この順に備える発光素子向け導電性反射膜用オーバーコート用組成物であって、オーバーコート用組成物が、透光性バインダーを含む、発光素子向け導電性反射膜用オーバーコート組成物である。
本発明の第5の態様は、上記第4の態様にかかる発光素子であって、前記導電性反射膜の空孔および/または前記導電性反射膜と前記基材との界面に、透光性バインダーが存在する発光素子である。
本発明の第6の態様は、上記第4または第5いずれかの態様にかかる発光素子であって、発光層と、導電性反射膜との間に、さらに、透光性バインダーを含む透明導電膜を備える発光素子である。
本発明の第7の態様は、上記第6の態様にかかる発光素子であって、前記透明導電膜が、さらに、透明導電性粒子を含む、発光素子である。
本発明の第8の態様は、上記第6または第7の態様にかかる発光素子であって、前記透明導電膜が2層からなり、前記導電性反射膜側の透明導電膜(透明導電膜層)の屈折率が、前記発光層側の透明導電膜(透明導電膜層)の屈折率より高い、発光素子である。
本発明の第9の態様は、上記第4から第8いずれかの態様にかかる発光素子であって、前記導電性反射膜と、前記基材との間に、さらに、密着層を備える、発光素子である。
本発明の第11の態様は、上記第4から第10いずれかの態様にかかる発光素子であって、前記導電性反射膜の厚さが、0.05〜1.0μmである、発光素子である。
本発明の第12の態様は、上記第4から第11いずれかの態様にかかる発光素子であって、前記導電性反射膜が、さらに、添加物を含む光素子である。
本発明の第13の態様は、上記第12の態様にかかる発光素子であって、前記添加物が、有機高分子、金属酸化物、金属水酸化物、有機金属化合物、およびシリコーンオイルからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、発光素子である。
本発明の第14の態様は、上記第13の態様にかかる発光素子であって、前記有機高分子が、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドンの共重合体、および水溶性セルロースからなる群より選ばれる少なくとも1種である、発光素子である。
本発明の第16の態様は、上記第13の態様にかかる発光素子であって、前記金属水酸化物が、アルミニウム、シリコン、チタン、ジルコニウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銀、銅、亜鉛、モリブデン、錫、インジウム、およびアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む水酸化物である、発光素子である。
本発明の第17の態様は、上記第13の態様にかかる発光素子であって、前記有機金属化合物が、シリコン、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銀、銅、亜鉛、モリブデン、および錫からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属石鹸、金属錯体、金属アルコキシドまたは金属アルコキシドの加水分解物である、発光素子である。
本発明の第18の態様は、基材上に、金属ナノ粒子と添加物を含む導電性反射膜用組成物を、湿式塗工法により塗布した後、焼成または硬化することにより導電性反射膜を形成し、導電性反射膜上に発光層を搭載することを特徴とする、発光素子の製造方法である。
本発明の第19の態様は、上記第18の態様にかかる発光素子の製造方法であって、前記導電性反射膜を形成した後、前記発光層を搭載する前に、さらに、前記導電性反射膜上に、透光性バインダーを含むオーバーコート組成物を、湿式塗工法により塗布した後、焼成または硬化することにより透明導電膜を形成する、発光素子の製造方法である。
本発明の導電性反射膜用組成物は、発光層と、発光層からの発光を反射する導電性反射膜と、基材とを、この順に備える発光素子向け導電性反射膜用組成物(以下、導電性反射膜用組成物という)であって、導電性反射膜組成物が、金属ナノ粒子を含むことを特徴とする。導電性反射膜用組成物は、焼成または硬化することにより、導電性反射膜を形成する。発光層と、発光層からの発光を反射する導電性反射膜と、基材とを、この順に備える発光素子については、後述する。
本発明の発光素子向け導電性反射膜用オーバーコート組成物(以下、オーバーコート組成物という)は、発光層と、発光層からの発光を反射する導電性反射膜と、基材とを、この順に備える発光素子向け導電性反射膜用オーバーコート用組成物であって、オーバーコート用組成物が、透光性バインダーを含む。オーバーコート組成物は、(1)導電性反射膜上に湿式塗工されるとき、導電性反射膜に空孔がある場合には、導電性反射膜に浸透し、導電性反射膜の空孔および/または導電性反射膜と基材との界面に、透光性バインダーを含有させることができ、また、(2)発光層と、導電性反射膜との間に、さらに、透光性バインダーを含む透明導電膜を形成することができる。さらに、(2)の場合には、オーバーコート組成物を、高屈折率用オーバーコート組成物と、低屈折率用オーバーコート組成物の2種類を作製することにより、2層からなる透明導電膜であって、導電性反射膜側の透明導電膜の屈折率が、発光層側の透明導電膜の屈折率より高い透明導電膜を製造することが可能となる。発光層と、発光層からの発光を反射する導電性反射膜と、基材とを、この順に備える発光素子については、後述する。
高屈折率用オーバーコート組成物には、上述のオーバーコート組成物を使用することができるが、以下、より高屈折率のオーバーコート組成物の製造方法を説明する。
低屈折率用オーバーコート組成物は、上記の透光性バインダー、透明導電性粒子を含み、さらに、シルセスキオキサン粒子(屈折率:1.15〜1.45)、およびフッ化マグネシウム粒子(屈折率:1.18〜1.38)からなる群より選ばれる少なくとも1種の低屈折透明粒子を含むと好ましい。低屈折透明粒子の平均粒径は、1〜50nmが好ましい。
導電性反射膜用組成物を、基材上に湿式塗工、焼成して導電性反射膜を形成する前に、基材に対して密着層を形成することで、基材との密着性に優れ、かつ電気的接合性に優れた導電性反射膜を形成することができる。密着層処理は、以下のような密着層用組成物を基材上に塗布することにより形成される。密着層用組成物は、金属酸化物、樹脂類、金属アルコキシド、金属石鹸およびカップリング剤からなる群より選択される少なくとも1種を含むと好ましい。金属酸化物としては、Ag2O、CuO、PdO、ZnO、NiO、MoO2、Cr2O3、MnO2、Al2O3、ZrO、TiO2、In2O3、SiO2等が挙げられる。樹脂類としてはアクリル、酢酸ビニル、エポキシ、ポリエステル、ポリウレタン、セルロース、ポリビニルピロリドン、これらの変性樹脂、これらを構造単位として含むコポリマー等が挙げられる。金属アルコキシドとしてはテトラエトキシシラン、テトラブトキシチタン、チタンイソプロポキシド、ジルコニウムブトキシド等が挙げられる。金属石鹸としては、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸亜鉛、2−エチルヘキサン酸錫等が挙げられる。カップリング剤としては3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、トリエタノールアミンチタネート等が挙げられる。
本発明の発光素子は、発光層と、発光層からの発光を反射する導電性反射膜と、基材とを、この順に備える発光素子であって、導電性反射膜が、金属ナノ粒子焼結体を含むことを特徴とする。
導電性反射膜は、金属ナノ粒子を含み、また、導電性反射膜は、密着性、反射性、の観点から、好ましくは添加物を含む。金属ナノ粒子、添加物は、上述のとおりである。
透明導電膜が、発光層と、導電性反射膜との間に形成されると、導電性反射膜の熱と光による劣化を抑制することができ、好ましい。透明導電膜中の透光性バインダーは、上述のとおりであり、好ましくは、透明導電性粒子、カップリング剤等を含む。
密着層は、導電性反射膜と基材の間の密着性を向上させる。密着層の厚さは、0.01〜0.5μmであると好ましい。密着層の厚さが、0.01μm以上であれば、密着力が十分であり、0.5μm以下であれば、経時変化が少ないためである。
本発明の発光素子の製造方法は、基材上に、金属ナノ粒子と添加剤を含む導電性反射膜用組成物を、湿式塗工法により塗布した後、焼成または硬化することにより導電性反射膜を形成し、導電性反射膜上に発光層を搭載することを特徴とする。
まず、導電性反射膜用組成物を作製した。以下に、作製手順を示す。
《導電性反射膜用組成物の作製》
硝酸銀を脱イオン水に溶解して、金属塩水溶液を調製した。また、クエン酸ナトリウムを脱イオン水に溶解して、濃度が26質量%のクエン酸ナトリウム水溶液を調製した。このクエン酸ナトリウム水溶液に、35℃に保持された窒素ガス気流中で、粒状の硫酸第1鉄を直接加えて溶解させ、クエン酸イオンと第1鉄イオンを3:2のモル比で含有する還元剤水溶液を調製した。
参考例1と同様に銀ナノ粒子分散液を作製後、得られた金属ナノ粒子:10質量部を水、エタノール及びメタノールを含む混合溶液90質量部に添加混合することにより分散させ、この分散液に、ポリビニルピロリドン(PVP、分子量:360,000)、酢酸錫を、金属ナノ粒子:96質量部、PVP:4質量部の割合となるように加えて、導電性反射膜用組成物を作製した。なお、導電性反射膜用組成物を構成する金属ナノ粒子は、75質量%以上の金属ナノ粒子を含有している。次に、参考例1と同様にして、厚さ:100nmの導電性反射膜を得た。
まず、オーバーコート用組成物を作製した。以下に、作製手順を示す。
《オーバーコート用組成物の作製》
まず、バインダーとして用いるSiO2結合剤は、500cm3のガラス製の4ッ口フラスコを用い、140gのテトラエトキシシランと、140gのエチルアルコールを加え、撹拌しながら1.7gの60%硝酸を、120gの純水に溶解して一度に加え、その後、50℃で3時間反応させることにより製造した。
SiO2結合剤を、オーバーコート用組成物として使用し、実施例3と同様にして、厚さ:100nmの透明導電膜を得た。
表1、表2に記載した組成、膜厚になるようにしたこと以外は、導電性反射膜を実施例2と同様に、透明導電膜を実施例3と同様にして、作製した。
上記銀ナノ粒子と同様に、銅ナノ粒子分散液を作製した。銀ナノ粒子と銅粒子が、質量比で、92:4となるように混合し、金属ナノ粒子分散液を得た。
表2に記載した組成、膜厚になるようにしたこと以外は、導電性反射膜を実施例24と同様に、透明導電膜を実施例3と同様にして、作製した。ここで、Cuの原料としては硝酸第一銅を、Feとしては硫酸鉄を、Auの原料としては塩化金酸を、Mnの原料としては硫酸マンガンを、Snの原料としては塩化錫を、Inの原料としては硝酸インジウムを使用した。
ガラス基板に、真空成膜法のスパッタ法により、厚さ:100nmの銀薄膜を形成した。
ガラス基板に、スパッタ法により、厚さ:100nmの銀薄膜を形成し、さらにスパッタ法により、厚さ:30nmのチタン薄膜を形成した。
実施例5の導電性反射膜上に、スパッタ法により、厚さ:30nmのチタン薄膜を形成した。
ガラス基板上に密着層組成物をスピンコーティングにより塗布し、窒素雰囲気中、120℃で30分焼成することで、厚さ50nmの密着層を形成した。表2に記載した組成、膜厚にしたこと以外は実施例4と同様にして、密着層上に、厚さ100nmの導電性反射膜を形成し、導電性反射膜上にオーバーコート組成物を塗布し、厚さ50nmの透明導電膜を形成した。ここで、密着層用組成物には、シランカップリング剤(3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン)を使用した。
密着層の膜厚を300nmにし、透明導電膜を形成しなかったこと以外は、実施例33と同様にして、反射膜を形成した。
まず、ガラス基板上に、密着層を形成し、次に、密着層上に、銀ナノ粒子含有反射膜組成物をスピンコーティングにより塗布し、窒素雰囲気中、200℃で20分焼成することにより、反射膜を得た。さらに、SiO2結合剤:60質量部と平均粒径:10nmのシルセスキオキサン:40質量部を混合した低屈折率用オーバーコート組成物をスピンコーティングにより塗布し、窒素雰囲気中、160℃で20分焼成することにより、厚さ:30nm、屈折率1.20の低屈折率透明導電膜を得た。同様にして、SiO2結合剤:70質量部と平均粒径:20nmのTiO2:30質量部を混合した高屈折率用オーバーコート組成物をスピンコーティングにより塗布し、窒素雰囲気中、160℃で20分焼成し、厚さ:30nm、屈折率1.45の高屈折率透明導電膜を形成した。ここで、シルセスキオキサン含有低屈折率用オーバーコート組成物(表3に、シルセスキオキサンと記載)は、シルセスキオキサン球状粒子:5g、SiO2結合剤:10g、エタノール:85gを、100cm3のガラス瓶中に入れ、直径:0.3mmのジルコニアビーズ(ミクロハイカ、昭和シェル石油製):100gを用いて、ペイントシェーカーで6時間分散することにより作製した。
表3に示す組成、膜厚にしたこと以外は、実施例35と同様にして、反射膜、低屈折率透明導電膜を形成した。
実施例3〜33、35、36、比較例1〜2、参考例1〜3の反射率の評価は、紫外可視分光光度計と積分球の組み合わせにより、波長450nmにおける導電性反射膜の拡散反射率を測定した。また、熱処理試験を、200℃、1000時間で、耐食性試験としての硫化試験を、硫化水素:10ppm、温度:25℃、相対湿度:75%RH、504時間行い、それぞれの試験後の反射率を測定した。表1、表2、表3に、これらの結果を示す。
密着性評価については、テープテスト(JIS K−5600)に準ずる方法で、反射率測定後の実施例2、33、34について、膜に対してテープを密着させ、剥がした際に、成膜した膜がはがれたり、めくれあがったりする状態の程度により、優・可・不可の3段階で評価した。テープ側に膜形成物が張り付かず、接着テープのみがはがれた場合を優とし、接着テープの剥がれと基材となる光電変換層2が露出した状態が混在した場合を可とし、接着テープの引き剥がしにより基材となる光電変換層2表面の全面が露出した場合を不可とした。実施例2は可、実施例33、34は優であった。
Claims (5)
- 発光層と、透明導電膜と、発光層からの発光を反射する導電性反射膜と、基材とを、この順に備える発光素子の製造方法であって、
基材上に、
平均粒径が10〜50nmである金属ナノ粒子と、有機高分子、金属水酸化物、有機金属化合物、およびシリコーンオイルからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む添加物とを含む、発光素子向け導電性反射膜用組成物を、湿式塗工法により塗布した後、焼成または硬化することにより導電性反射膜を形成する工程、
導電性反射膜上に、透明導電膜用組成物を、湿式塗工法により塗布した後、焼成または硬化することにより透明導電膜を形成する工程、
透明導電膜上に、発光層を搭載する工程、
を、この順に含むことを特徴とする、発光素子の製造方法。 - 前記導電性反射膜の厚さが、0.05〜1.0μmである、請求項1記載の発光素子の製造方法。
- 前記有機高分子が、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドンの共重合体、および水溶性セルロースからなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項1または2記載の発光素子の製造方法。
- 前記金属水酸化物が、アルミニウム、シリコン、ジルコニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銀、銅、亜鉛、モリブデン、錫、インジウム、およびアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む水酸化物である、請求項1〜3のいずれか1項記載の発光素子の製造方法。
- 前記有機金属化合物が、シリコン、チタン、ジルコニウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銀、銅、亜鉛、モリブデン、および錫からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属石鹸、金属錯体、金属アルコキシドまたは金属アルコキシドの加水分解物である、請求項1〜4のいずれか1項記載の発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010254268 | 2010-11-12 | ||
JP2010254268 | 2010-11-12 | ||
JP2011037805 | 2011-02-24 | ||
JP2011037805 | 2011-02-24 | ||
PCT/JP2011/075952 WO2012063908A1 (ja) | 2010-11-12 | 2011-11-10 | 発光素子向け反射膜用組成物、発光素子、および発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012063908A1 JPWO2012063908A1 (ja) | 2014-05-12 |
JP5998481B2 true JP5998481B2 (ja) | 2016-09-28 |
Family
ID=46051045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011550333A Expired - Fee Related JP5998481B2 (ja) | 2010-11-12 | 2011-11-10 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9647185B2 (ja) |
JP (1) | JP5998481B2 (ja) |
KR (1) | KR101836551B1 (ja) |
CN (1) | CN103180980B (ja) |
TW (1) | TWI580075B (ja) |
WO (1) | WO2012063908A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105322081A (zh) * | 2014-06-09 | 2016-02-10 | 葳天科技股份有限公司 | 发光二极管封装改良结构及其改良方法 |
US20170181291A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Sandia Corporation | Multi-component nanoinks for direct write applications |
JP6720747B2 (ja) * | 2016-07-19 | 2020-07-08 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置、基台及びそれらの製造方法 |
DE102017115798A1 (de) * | 2017-07-13 | 2019-01-17 | Alanod Gmbh & Co. Kg | Reflektierendes Verbundmaterial, insbesondere für oberflächenmontierte Bauelemente (SMD), und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Verbundmaterial |
US11441010B2 (en) * | 2017-10-04 | 2022-09-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Fine silver particle dispersion |
US11450447B2 (en) * | 2017-10-04 | 2022-09-20 | Solar Paste, Llc | Fine silver particle dispersion |
CN108461651A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构及其制备方法、显示面板 |
CN109545948A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-29 | 厦门理工学院 | 一种提高正向光的led芯片及其制备方法 |
CN111384228B (zh) * | 2018-12-28 | 2024-12-03 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置以及发光装置的制造方法 |
US11227702B2 (en) | 2019-04-04 | 2022-01-18 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Fine silver particle dispersion |
JP7249307B2 (ja) * | 2019-04-18 | 2023-03-30 | 三ツ星ベルト株式会社 | 導電性組成物ならびにメタライズド基板およびその製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180059A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | 光半導体装置とその製造方法 |
WO2008059857A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Kaneka Corporation | Thin-film photoelectric conversion device |
JP2008135417A (ja) * | 2005-11-15 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池の電極の形成方法及び該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池 |
WO2008130031A1 (ja) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Mitsubishi Materials Corporation | 導電性反射膜及びその製造方法 |
JP2009065219A (ja) * | 2008-12-22 | 2009-03-26 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2009070892A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Citizen Holdings Co Ltd | Led光源 |
JP2010170916A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Nichia Corp | 導電性材料、その製造方法、導電性材料を含む電子機器、発光装置 |
JP2010198935A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス電極の形成方法及び該形成方法を用いて得られた有機エレクトロルミネッセンス構造体 |
WO2010113708A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998049707A1 (en) * | 1997-04-28 | 1998-11-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device comprising an anti-static, anti-reflection filter and a method of manufacturing an anti-reflection filter on a cathode ray tube |
JP2003327870A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-11-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 金属反射膜形成用塗料とそれを用いた金属反射膜及びそれを備えた物品 |
JP4406399B2 (ja) * | 2003-02-25 | 2010-01-27 | 新日本製鐵株式会社 | 反射板用プレコート金属板 |
KR20080101190A (ko) | 2007-05-16 | 2008-11-21 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서의 제조방법 |
US7967476B2 (en) * | 2007-07-04 | 2011-06-28 | Nichia Corporation | Light emitting device including protective glass film |
CN101803037B (zh) * | 2007-09-12 | 2013-01-02 | 三菱综合材料株式会社 | 超直型太阳能电池用复合膜及其制造方法、以及亚直型太阳能电池用复合膜及其制造方法 |
EP2211356B1 (en) * | 2007-10-26 | 2012-09-05 | Teijin Limited | Transparent conductive laminate and transparent touch panel |
JP2009224536A (ja) | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Citizen Holdings Co Ltd | Ledデバイスおよびその製造方法 |
JP2009231568A (ja) | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Citizen Holdings Co Ltd | Led光源 |
JP2010114405A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-05-20 | Panasonic Corp | 窒化物半導体発光ダイオード |
US8143636B2 (en) * | 2008-11-18 | 2012-03-27 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
US7906795B2 (en) * | 2009-05-08 | 2011-03-15 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
US8917962B1 (en) * | 2009-06-24 | 2014-12-23 | Flex Lighting Ii, Llc | Method of manufacturing a light input coupler and lightguide |
EP2518537A4 (en) * | 2009-12-21 | 2014-10-01 | Konica Minolta Advanced Layers | FILM MIRROR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND REFLECTIVE DEVICE FOR THE PRODUCTION OF SOLAR ENERGY |
US8803201B2 (en) * | 2011-01-31 | 2014-08-12 | Cree, Inc. | Solid state lighting component package with reflective layer |
-
2011
- 2011-11-10 KR KR1020137012037A patent/KR101836551B1/ko active Active
- 2011-11-10 TW TW100141044A patent/TWI580075B/zh active
- 2011-11-10 US US13/884,751 patent/US9647185B2/en active Active
- 2011-11-10 WO PCT/JP2011/075952 patent/WO2012063908A1/ja active Application Filing
- 2011-11-10 CN CN201180051844.3A patent/CN103180980B/zh active Active
- 2011-11-10 JP JP2011550333A patent/JP5998481B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008135417A (ja) * | 2005-11-15 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池の電極の形成方法及び該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池 |
JP2007180059A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | 光半導体装置とその製造方法 |
WO2008059857A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Kaneka Corporation | Thin-film photoelectric conversion device |
WO2008130031A1 (ja) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Mitsubishi Materials Corporation | 導電性反射膜及びその製造方法 |
JP2008288568A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-27 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性反射膜及びその製造方法 |
JP2009070892A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Citizen Holdings Co Ltd | Led光源 |
JP2009065219A (ja) * | 2008-12-22 | 2009-03-26 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010170916A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Nichia Corp | 導電性材料、その製造方法、導電性材料を含む電子機器、発光装置 |
JP2010198935A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス電極の形成方法及び該形成方法を用いて得られた有機エレクトロルミネッセンス構造体 |
WO2010113708A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9647185B2 (en) | 2017-05-09 |
WO2012063908A1 (ja) | 2012-05-18 |
TW201234665A (en) | 2012-08-16 |
CN103180980B (zh) | 2017-04-26 |
US20130234191A1 (en) | 2013-09-12 |
JPWO2012063908A1 (ja) | 2014-05-12 |
TWI580075B (zh) | 2017-04-21 |
KR101836551B1 (ko) | 2018-03-08 |
KR20130121844A (ko) | 2013-11-06 |
CN103180980A (zh) | 2013-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5998481B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP5810553B2 (ja) | 接合用積層体および接合体 | |
JP5899623B2 (ja) | はんだ接合用積層体および接合体 | |
JP5741811B2 (ja) | 発光素子向け増反射透明膜用組成物、発光素子、および発光素子の製造方法 | |
JP5309440B2 (ja) | 太陽電池の電極形成用組成物及び該電極の形成方法並びに該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池の製造方法 | |
CN101803037B (zh) | 超直型太阳能电池用复合膜及其制造方法、以及亚直型太阳能电池用复合膜及其制造方法 | |
JP2013045750A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP2013045752A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP2010087479A (ja) | サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法 | |
JP5741810B2 (ja) | 発光素子向け反射膜用組成物、発光素子、および発光素子の製造方法 | |
JP2010087480A (ja) | サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法 | |
JP5760913B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP5760912B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
TW201335952A (zh) | 導電性反射膜及其製造方法 | |
JP2013077415A (ja) | 導電性反射膜用組成物および導電性反射膜の製造方法 | |
JP2013045751A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130730 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141015 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160815 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5998481 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |