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JP5670406B2 - イバブラジン及び薬学的に許容しうる酸とのその付加塩の新規合成方法 - Google Patents

イバブラジン及び薬学的に許容しうる酸とのその付加塩の新規合成方法 Download PDF

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JP5670406B2
JP5670406B2 JP2012247143A JP2012247143A JP5670406B2 JP 5670406 B2 JP5670406 B2 JP 5670406B2 JP 2012247143 A JP2012247143 A JP 2012247143A JP 2012247143 A JP2012247143 A JP 2012247143A JP 5670406 B2 JP5670406 B2 JP 5670406B2
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Description

本発明は、式(I):
Figure 0005670406

で示されるイバブラジン、即ち、3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オン、薬学的に許容しうる酸とのその付加塩、及びその水和物の合成方法に関する。
イバブラジン、及び薬学的に許容しうる酸とのその付加塩、そして特にその塩酸塩は、非常に有用な薬理学的及び治療的特性、特に徐脈特性を持つため、これらの化合物は、心筋虚血の種々の臨床的状況(狭心症、心筋梗塞及び調律異常の合併など)の治療又は予防において、更にはまた調律異常を伴う種々の病態、特に上室性調律異常において、及び心不全において有用である。
イバブラジン及び薬学的に許容しうる酸とのその付加塩、そして特にその塩酸塩の調製法及び治療的使用は、ヨーロッパ特許明細書EP 0,534,859に記載されている。残念ながら、この特許明細書に記載されるイバブラジンの合成経路では、目的生成物がわずか1%の収率でしか得られない。
還元的アミノ化反応に基づく別のイバブラジン合成経路が、ヨーロッパ特許明細書EP 1,589,005に記載されている。
還元的アミノ化は、アミン類を調製するのに好適なアプローチである経路である。このアプローチは生成する中間体イミンの単離を必要としないため、還元剤の存在下でのアルデヒドとアミンとの間のこのカップリング反応は、医薬又は農薬分野において、更には材料科学において有用な化合物の合成に広く使用されている。
還元的アミノ化を実施するために従来から利用される手順のプロトコールは以下である:
・化学量論量の水素化ホウ素(NaBH、NaBHCN又はNaBH(OAc))のようなヒドリド供与体の使用、又は
・接触水素化
のいずれか。
ヒドリド供与体の使用により多数の廃棄物が生じ、そして試薬はそれ自体で毒性である。
接触水素化の場合には、還元剤が水素分子であるという事実は、確かに環境的に価値がある。特許明細書EP 1,589,005に記載される合成法は、この第2の経路をたどる。
即ち、特許明細書EP 1,589,005は、式(II):
Figure 0005670406

で示される化合物から出発するイバブラジン塩酸塩の合成法であって、この化合物を水素及びパラジウム触媒の存在下での接触水素化反応に付すことにより、式(III):
Figure 0005670406

で示される化合物を得、これを単離することなく、水素及びパラジウム触媒の存在下で式(IV):
Figure 0005670406

で示される化合物と反応させることにより、塩酸塩の形で式(I)のイバブラジンを得る合成法を記述している。
この合成経路の不都合な点は、パラジウム触媒の使用である。
パラジウムは、還元的アミノ化反応を触媒するために同様に使用される金属である、ロジウム、ルテニウム又はイリジウムのように、貴金属であり、希少であり、そして結果として高価であり、またその毒性がその許容性を限定する。
本出願は、貴金属の使用を省くことができるイバブラジン合成経路を記述する。
即ち、本発明は、式(I):
Figure 0005670406

で示されるイバブラジンの合成方法であって、式(V):
Figure 0005670406

で示される化合物を、式(VI):
Figure 0005670406

で示されるアミンとの、
鉄系触媒の存在下で、
トリメチルアミンN−オキシドの存在下又は非存在下で、
水素圧下で、
有機溶媒中又は有機溶媒の混合物中での
還元的アミノ化反応に付すことを特徴とする方法に関する。
貴金属化合物とは異なり、鉄化合物は通常非毒性であり、そして鉄塩は自然界に豊富に存在する。これらは、環境に対して有害でない金属体である。本発明は、更には扱いやすい金属錯体を使用することを提案する。
鉄錯体は、シリル化ヒドリドの存在下で還元的アミノ化反応を触媒することが知られている(Enthaler S. ChemCatChem 2010, 2, 1411-1415)が、接触水素化に基づく還元的アミノ化を記述している文献はわずか2例しか存在しない(Bhanage B. M. et al Tet. Lett. 2008, 49, 965-969; Beller M. et al. Chem Asian J. 2011, 6, 2240-2245)。
Bhanageにより記載された操作条件は、高温に加熱した媒体中及び高水素圧下で、鉄(II)塩及びEDTAからなる水溶性錯体の存在を必要とする。
この刊行物に記載された操作条件をイバブラジンの調製に適用しても、目的生成物を入手できなかった。
下記の表に、20mLオートクレーブ中で脱気水4mLの存在下で30barの水素下で18時間実施した試験を要約する。この反応は、1/1.5のアルデヒド/アミン比(1行目は除く:アルデヒド/アミン(1/1)及び1% p−トルエンスルホン酸添加)で0.5mmolのスケールで実施した。量(mol%)は、アルデヒドに対して算出する。
NTfは、トリフルオロメタンスルホンアミドの略語である。
Figure 0005670406
Bellerの刊行物は、トルエン中Fe(CO)12の存在下で50barの水素下で65℃でのアニリン誘導体による種々のアルデヒドの還元的アミノ化を記述している。
この刊行物に記載された操作条件をイバブラジンの調製に適用しても、目的生成物を入手できなかった。
下記の表に、種々の溶媒中1.7mol% Fe(CO)12の存在下で65℃で25barの水素下で18時間実施した試験を要約する。この反応は、20mLオートクレーブ中で脱気溶媒4mLの存在下で実施した。
本試験は、1mmolスケールで1% p−トルエンスルホン酸を含む1/1のアルデヒド/アミン比により実施した。
Figure 0005670406
式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用される鉄系触媒は、好ましくは下記の一般式(VII):
Figure 0005670406

[式中、
、R、R及びRは、独立に、以下:
・ 水素原子、又は
・ −SiR基(ここで、R、R及びRは、独立に、場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基又は場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基を表す)、又は
・ 場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基、又は
・ 場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基、又は
・ 電子求引基、又は
・ アミン基(脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族であるか又は電子求引基を有する)、又は
・ 脂肪族、芳香族若しくはヘテロ芳香族エーテル基
を表すか、あるいは
とR、又はRとR、又はRとRの対は、これらを有する炭素原子と一緒に、3〜7員の炭素環又は複素環を形成し、
Xは、以下:
・ 酸素原子、又は
・ −NH基若しくは窒素原子(脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族又は電子求引基により置換されている)、又は
・ −PH基若しくはリン原子(1個以上の脂肪族、芳香族又は電子求引基により置換され、好ましくはホスフィン、ホスファイト、ホスホナイト、ホスホラミダイト、ホスフィナイト、ホスホラン又はホスホレン基を形成している)、又は
・ 硫黄原子
を表し、
、L及びLは、独立に、カルボニル、ニトリル、イソニトリル、ヘテロ芳香族、ホスフィン、ホスファイト、ホスホナイト、ホスホラミダイト、ホスフィナイト、ホスホラン、ホスホレン、脂肪族アミン、芳香族アミン、ヘテロ芳香族アミン、電子求引基を有するアミン、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ヘテロ芳香族エーテル、スルホン、スルホキシド若しくはスルホキシイミン基、又は下記の2つの式:
Figure 0005670406

(式中、
Y及びZは、独立に、硫黄若しくは酸素原子又はNR基(ここで、Rは、場合により置換されているアルキル基又は場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基を表す)を表し、
Kは、炭素又は窒素原子を表し、
及びR10は、独立に、水素原子、場合により置換されているアルキル基、場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基、ハロゲン原子、脂肪族、芳香族若しくはヘテロ芳香族エーテル基、脂肪族、芳香族若しくはヘテロ芳香族アミン基を表すか、あるいは
とR10の対は、これらを有する原子と一緒に、3〜7員の炭素環又は複素環を形成する)、若しくは
Figure 0005670406

(式中、R11及びR12は、独立に、場合により置換されているアルキル基又は場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基を表し、そしてnは1又は2である)のうちの1つを有するN−複素環式カルベン基を表す]を有する。
電子求引基は、分子中の同じ位置を占める水素原子よりも電子を求引する基である。
電子求引基としては、何ら限定を意味することなく、以下の基:エステル、酸、ニトリル、アルデヒド、ケトン、アミド、ニトロ、スルホン、スルホキシド、スルホキシイミン、スルホンアミド又はリン酸ジエステルに言及することができる。
本発明の実施態様において、式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用される鉄系触媒は、下記の一般式(VIII):
Figure 0005670406

[式中、
及びRは、それぞれ水素原子を表すか、又はこれらを有する炭素原子と一緒に、3〜7員の炭素環若しくは複素環を形成し、そして
及びRは、独立に、以下:
・ −SiR基(ここで、R、R及びRは、独立に、場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基又は場合により置換されているアリール基を表す)、又は
・ 場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基、又は
・ 場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基
のいずれかを表す]を有する。
式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用される式(VIII)の触媒は、好ましくは下記式(IX)〜(XII):
Figure 0005670406

で示される触媒から選択される。
本発明の別の実施態様において、式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用される鉄系触媒は、下記の一般式(XIII):
Figure 0005670406

[式中、
及びRは、それぞれ水素原子を表すか、又はこれらを有する炭素原子と一緒に、3〜7員の炭素環若しくは複素環を形成し、そして
及びRは、独立に、以下:
・ −SiR基(ここで、R、R及びRは、独立に、場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基又は場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基を表す)、又は
・ 場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基、又は
・ 場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基
のいずれかを表す]を有する。
式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用される式(XIII)の触媒は、好ましくは下記式(XIV)及び(XV):
Figure 0005670406

で示される触媒から選択される。
本発明の別の実施態様において、式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用される鉄系触媒は、下記の一般式(XVI):
Figure 0005670406

を有する。
本発明の別の実施態様において、式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用される鉄系触媒は、下記の一般式(XVII):
Figure 0005670406

を有する。
式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用される触媒の量は、アルデヒドに対して1mol%〜10mol%である。
式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用されるトリメチルアミンN−オキシドの量は、触媒に対して0〜3当量、更に好ましくは触媒に対して0.5〜1.5当量である。
式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応に使用される
水素圧は、好ましくは1〜20bar、更に好ましくは1〜10bar、そして更に好ましくは1〜5barである。
式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応を実施するために使用できる溶媒としては、何ら限定を意味することなく、アルコール類(好ましくはエタノール、イソプロパノール、トリフルオロエタノール、tert−ブタノール又はメタノール)、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、アセトニトリル及びジオキサンに言及することができる。
式(V)の化合物の式(VI)の化合物との還元的アミノ化のための反応を実施するために好ましく使用される溶媒は、エタノールである。
式(V)の化合物と式(VI)の化合物との間の還元的アミノ化反応の温度は、好ましくは25〜100℃、更に好ましくは50〜100℃、そして更に好ましくは80〜100℃である。
本明細書に後述の実施例により本発明を例証する。
カラムクロマトグラフィー精製法は、70〜230メッシュのシリカゲルで実施する。
H NMRスペクトルは、400MHzで記録する。
化学シフトは、ppmで表現する(内部標準:TMS)。
ピークを記述するために以下の略語を使用している:一重項(s)、二重項(d)、二重項の二重項(dd)、三重項(t)、四重項(q)、多重項(m)。
本発明の方法に使用される触媒は、以下の刊行物に記載された方法により調製することができる:Synlett 1992, pp1002-1004、Synlett 1993, pp924-926 及び Advanced Synthesis and Catalysis 2012, 354 (4), pp597-601。
3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンの調製のための一般手順A
[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]−N−メチルメタンアミン1mmol及び3−(7,8−ジメトキシ−2−オキソ−1,2,4,5−テトラヒドロ−3H−3−ベンゾアゼピン−3−イル)プロパナール1mmolを清潔で乾燥したステンレスのオートクレーブにアルゴン雰囲気下で導入する。この混合物は、3回の真空/アルゴンサイクルにより脱気し、そして蒸留し脱気したエタノール2mLを加える。この溶液を85℃で1時間撹拌する。
エタノール1mL中の5mol%の鉄錯体及び5mol%のトリメチルアミンN−オキシドの混合物は、シュレンク管内でアルゴン雰囲気下で30分かけて調製し、次にオートクレーブに導入する。
次いでオートクレーブを水素圧(5bar)下に置いて、反応混合物を85℃で16時間撹拌し、次にオートクレーブを周囲温度に戻して減圧する。
この反応混合物を、酢酸エチルを溶媒として用いて不活性化中性アルミナ(3%水)で濾過する。
粗生成物をシリカゲル(溶離液:0.5%トリエチルアミンを含むペンタン/酢酸エチル(95/5))で精製することにより、目的生成物を得る。
3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンの調製のための一般手順B
[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]−N−メチルメタンアミン1mmol及び3−(7,8−ジメトキシ−2−オキソ−1,2,4,5−テトラヒドロ−3H−3−ベンゾアゼピン−3−イル)プロパナール1mmolを清潔で乾燥したステンレスのオートクレーブにアルゴン雰囲気下で導入する。この混合物は、3回の真空/アルゴンサイクルにより脱気し、そして蒸留し脱気したエタノール3mLを加える。この溶液を85℃で1時間撹拌する。鉄錯体(5mol%)をアルゴン下で加える。次にオートクレーブを水素圧(5bar)下に置いて、この反応混合物を85℃で16時間撹拌し、次いでオートクレーブを周囲温度に戻して除圧する。
この反応混合物を、酢酸エチルを溶媒として用いて不活性化中性アルミナ(3%水)で濾過する。
粗生成物をシリカゲル(溶離液:0.5%トリエチルアミンを含むペンタン/酢酸エチル(95/5))で精製することにより、目的生成物を得る。
式(IX)の鉄触媒の存在下で一般手順Aにより3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンを調製する。
収率=61%
H NMR(CDCl):δ= 6.67 及び 6.64 (2s, 2H); 6.55 及び 6.50 (2s, 2H); 3.79 及び 3.78 (2s, 12H); 3.76 (s, 2H); 3.67 (m, 2H); 3.45 (m, 3H); 3.17 (dd, 1H); 2.99 (m, 2H); 2.65 (m, 2H); 2.50 (dd, 1H); 2.37 (t, 2H); 2.26 (s, 3H); 1.72 (q, 2H).
式(X)の鉄触媒の存在下で一般手順Aにより3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンを調製する。
収率=63%
式(XI)の鉄触媒の存在下で一般手順Aにより3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンを調製する。
収率=79%
式(XII)の鉄触媒の存在下で一般手順Aにより3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンを調製する。
収率=68%
式(XIV)の鉄触媒の存在下で一般手順Bにより3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンを調製する。
収率=68%
式(XV)の鉄触媒の存在下で一般手順Bにより3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンを調製する。
収率=68%
式(XVI)の鉄触媒の存在下で一般手順Bにより3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンを調製する。
収率=59%
式(XVII)の鉄触媒の存在下で一般手順Bにより3−{3−[{[(7S)−3,4−ジメトキシビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−イル]メチル}(メチル)アミノ]プロピル}−7,8−ジメトキシ−1,3,4,5−テトラヒドロ−2H−3−ベンゾアゼピン−2−オンを調製する。
収率=48%

Claims (15)

  1. 式(I):
    Figure 0005670406

    で示されるイバブラジンの合成方法であって、式(V’):
    Figure 0005670406

    で示される化合物を、式(VI):
    Figure 0005670406

    で示されるアミンとの、
    鉄系触媒の存在下で、
    トリメチルアミンN−オキシドの存在下又は非存在下で、
    1〜20barの水素圧下で、
    有機溶媒中又は有機溶媒の混合物中で、
    25〜100℃の温度での
    還元的アミノ化反応に付すことを特徴とする方法。
  2. 鉄系触媒が、下記の一般式(VII):
    Figure 0005670406

    [式中、
    、R、R及びRは、独立に、以下:
    ・ 水素原子、又は
    ・ −SiR基(ここで、R、R及びRは、独立に、場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基又は場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基を表す)、又は
    ・ 場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基、又は
    ・ 場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基、又は
    エステル、酸、ニトリル、アルデヒド、ケトン、アミド、ニトロ、スルホン、スルホキシド、スルホキシイミン、スルホンアミド、及びリン酸ジエステルからなる群より選択される電子求引基、又は
    ・ 脂肪族アミン、芳香族アミン、ヘテロ芳香族アミン、若しくはエステル、酸、ニトリル、アルデヒド、ケトン、アミド、ニトロ、スルホン、スルホキシド、スルホキシイミン、スルホンアミド、及びリン酸ジエステルからなる群より選択される電子求引基を有するアミン、又は
    ・ 脂肪族、芳香族若しくはヘテロ芳香族エーテル基
    を表すか、あるいは
    とR、又はRとR、又はRとRの対は、これらを有する炭素原子と一緒に、3〜7員の炭素環又は複素環を形成し、
    Xは、以下:
    ・ 酸素原子、又は
    ・ 脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族若しくはエステル、酸、ニトリル、アルデヒド、ケトン、アミド、ニトロ、スルホン、スルホキシド、スルホキシイミン、スルホンアミド、及びリン酸ジエステルからなる群より選択される電子求引基により置換されている、−NH基若しくは窒素原子、又は
    ・ 1個以上の脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族又はエステル、酸、ニトリル、アルデヒド、ケトン、アミド、ニトロ、スルホン、スルホキシド、スルホキシイミン、スルホンアミド、及びリン酸ジエステルからなる群より選択される電子求引基により置換されている、−PH基若しくはリン原子、又は
    ・ 硫黄原子
    を表し、
    、L及びLは、独立に、カルボニル、ニトリル、イソニトリル、ヘテロ芳香族、ホスフィン、ホスファイト、ホスホナイト、ホスホラミダイト、ホスフィナイト、ホスホラン、ホスホレン、脂肪族アミン、芳香族アミン、ヘテロ芳香族アミン、エステル、酸、ニトリル、アルデヒド、ケトン、アミド、ニトロ、スルホン、スルホキシド、スルホキシイミン、スルホンアミド、及びリン酸ジエステルからなる群より選択される電子求引基を有するアミン、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ヘテロ芳香族エーテル、スルホン、スルホキシド若しくはスルホキシイミン基、又は下記の2つの式:
    Figure 0005670406

    (式中、
    Y及びZは、独立に、硫黄若しくは酸素原子又はNR基(ここで、Rは、場合により置換されているアルキル基又は場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基を表す)を表し、
    Kは、炭素又は窒素原子を表し、
    及びR10は、独立に、水素原子、場合により置換されているアルキル基、場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基、ハロゲン原子、脂肪族、芳香族若しくはヘテロ芳香族エーテル基、脂肪族、芳香族若しくはヘテロ芳香族アミン基を表すか、あるいは
    とR10の対は、これらを有する原子と一緒に、3〜7員の炭素環又は複素環を形成する)、若しくは
    Figure 0005670406

    (式中、R11及びR12は、独立に、場合により置換されているアルキル基又は場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基を表し、そしてnは1又は2である)のうちの1つを有するN−複素環式カルベン基を表す]を有することを特徴とする、請求項1に記載の合成方法。
  3. 鉄系触媒が、下記の一般式(VIII):
    Figure 0005670406

    [式中、
    及びRは、それぞれ水素原子を表すか、又はこれらを有する炭素原子と一緒に、3〜7員の炭素環若しくは複素環を形成し、そして
    及びRは、独立に、以下:
    ・ −SiR基(ここで、R、R及びRは、独立に、場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基又は場合により置換されているアリール基を表す)、又は
    ・ 場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基、又は
    ・ 場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基
    のいずれかを表す]を有することを特徴とする、請求項2に記載の合成方法。
  4. 鉄系触媒が、下記式(IX)〜(XII):
    Figure 0005670406

    から選択されることを特徴とする、請求項3に記載の合成方法。
  5. 鉄系触媒が、下記の一般式(XIII):
    Figure 0005670406

    [式中、
    及びRは、それぞれ水素原子を表すか、又はこれらを有する炭素原子と一緒に、3〜7員の炭素環若しくは複素環を形成し、そして
    及びRは、独立に、以下:
    ・ −SiR基(ここで、R、R及びRは、独立に、場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基又は場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基を表す)、又は
    ・ 場合により置換されている芳香族若しくはヘテロ芳香族基、又は
    ・ 場合により置換されている直鎖若しくは分岐の(C−C)アルキル基
    のいずれかを表す]を有することを特徴とする、請求項2に記載の合成方法。
  6. 鉄系触媒が、下記式(XIV)及び(XV):
    Figure 0005670406

    から選択されることを特徴とする、請求項5に記載の合成方法。
  7. 鉄系触媒が、下記式(XVI):
    Figure 0005670406

    を有することを特徴とする、請求項2に記載の方法。
  8. 鉄系触媒が、下記式(XVII):
    Figure 0005670406

    を有することを特徴とする、請求項2に記載の方法。
  9. 還元的アミノ化反応に使用される触媒の量が、アルデヒドに対して1mol%〜10mol%であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の合成方法。
  10. 還元的アミノ化反応に使用されるトリメチルアミンN−オキシドの量が、触媒に対して0〜3当量であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の合成方法。
  11. 還元的アミノ化反応に使用されるトリメチルアミンN−オキシドの量が、触媒に対して0.5〜1.5当量であることを特徴とする、請求項10に記載の合成方法。
  12. 還元的アミノ化反応における水素圧が、1〜10barであることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の合成方法。
  13. 還元的アミノ化反応における溶媒が、アルコールであることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1項に記載の合成方法。
  14. 還元的アミノ化反応における溶媒が、エタノールであることを特徴とする、請求項13に記載の合成方法。
  15. 還元的アミノ化反応の温度が、50〜100℃であることを特徴とする、請求項1〜14のいずれか1項に記載の合成方法。
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