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JP5561949B2 - 熱硬化型ダイボンドフィルム - Google Patents

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JP5561949B2
JP5561949B2 JP2009094150A JP2009094150A JP5561949B2 JP 5561949 B2 JP5561949 B2 JP 5561949B2 JP 2009094150 A JP2009094150 A JP 2009094150A JP 2009094150 A JP2009094150 A JP 2009094150A JP 5561949 B2 JP5561949 B2 JP 5561949B2
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die
thermosetting
bonding
film
die bond
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尚英 高本
雄一郎 宍戸
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Nitto Denko Corp
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Nitto Denko Corp
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    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
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    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
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    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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Description

本発明は、例えば半導体チップ等の半導体素子を基板やリードフレーム等の被着体上に接着固定する際に用いられる熱硬化型ダイボンドフィルムに関する。また本発明は、当該熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムに関する。
従来、半導体装置の製造過程に於いてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行う。
しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となるため半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。即ち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、後続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。この様な固着処理に於ける問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。そのため、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたす。
このペースト状接着剤の塗工工程に於いて、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシングフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
このダイシングフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものであり、その接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して形成チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレーム等の被着体に固着させるようにしたものである。
また、下記特許文献２には、ガラス転移温度９０℃以下の熱可塑性ポリイミド樹脂及び熱硬化性樹脂を含有してなる熱硬化型のダイボンディング用接着剤が開示されている。この先行技術文献によれば、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用し、更に、硬化剤や硬化促進剤（熱硬化触媒）を併用する旨の記載がある。
しかし、この様な従来の熱硬化触媒であると、接着剤組成物に溶解させる際や、ダイボンドフィルムを熱硬化させる際に長時間を要する。これにより、例えば半導体チップをダイボンドし、熱硬化させる際に作業時間が著しく長くなるという問題がある。
特開昭６０−５７６４２号公報 特開２０００−１０４０４０号公報
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体チップのダイボンドの際に作業時間の大幅な短縮を図ることが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム及び該熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、熱硬化型ダイボンドフィルム、及び該熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、熱硬化型ダイボンドフィルム中に存在する熱硬化触媒を非結晶状態で存在させることにより、従来よりも低温の加熱温度で、短時間の内に熱硬化させることができることを見出して、本発明を完成させるに至った。
本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、該フィルム中の有機成分１００重量部に対し含有量が０．２〜１重量部の範囲内の熱硬化触媒が、非結晶状態で含有されたものであることを特徴とする。
前記構成によれば、熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」という場合がある。）中に非結晶状態の熱硬化触媒を０．２重量部以上含有させることにより、当該ダイボンドフィルムを加熱して熱硬化させる際に、その加熱温度を従来よりも低減させると共に、加熱時間の短縮も図れる。この様に熱硬化の際の加熱温度や加熱時間を低減しても、十分な剪断接着力を発揮させることができるので、例えば、被着体上にダイボンドした半導体素子にワイヤーボンディングを行う際にも、歩留まりの低減が図れる。また、非結晶状態の熱硬化触媒を１重量部以下で含有させることにより、室温下での長期保存性を良好にすることができる。その結果、例えば半導体ウェハ等を本発明のダイボンドフィルムにマウントしても、該ダイボンドフィルムに割れが発生するのを防止可能にする。尚、本発明における「非結晶状態」とは熱硬化触媒が結晶しない状態でフィルム中に含まれることを意味し、より具体的には示差走査型熱量計を用いてＪＩＳ Ｋ ７１２１の条件に従って得られる示差走査熱量測定（ＤＳＣ）曲線において結晶化ピーク温度を示さないことを意味する。
ここで、前記構成においては、室温下で３０日以上保存した後の引張破断伸度が、長手方向及び幅方向の少なくとも何れか一方において２００％以上であることが好ましい。前記の所定条件下での引張破断伸度を２００％以上にすることにより、室温下で所定時間の保存後に半導体ウェハのマウントを行っても、当該ダイボンドフィルムにワレが発生するのを一層防止することができる。尚、本発明における「引張破断伸度」とは、弾性変形許容量の尺度となるものであり、ＪＩＳ‐Ｋ７１１３に準じ、２５℃の環境温度下において引張速度１０ｍｍ／分で測定される破断の際の伸度の値である。また、本発明における「長手方向」とは、フィルムのＭＤ（machine direction）方向を意味し、「幅方向」とは前記長手方向と直行するＴＤ（transverse direction）方向を意味する。
また前記構成に於いては、前記フィルム中にはフェノール樹脂が含まれており、前記熱硬化触媒がイミダゾール骨格を有し、かつ前記フェノール樹脂に対し溶解性を示すものであることが好ましい。
また前記構成に於いては、前記熱硬化触媒がトリフェニルフォスフィン構造を有する塩、トリフェニボラン構造を有する塩又はアミノ基を有するものであることが好ましい。これらの熱硬化触媒であると、加熱処理を行うことによりダイボンドフィルムの熱硬化を開始させることが可能になる。
また前記構成に於いては、前記熱硬化触媒が光酸発生剤であることが好ましい。可視光又は紫外線をダイボンドフィルムに照射することにより、当該光酸発生剤が光分解をして酸を発生させ、これと共にフィルムの熱硬化を開始させることが可能になる。
また前記構成に於いては、熱硬化後の２６０℃における引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であることが好ましい。熱硬化後の２６０℃における引張貯蔵弾性率を１０ＭＰａ以上にすることにより、例えば熱硬化型ダイボンドフィルム上に接着された半導体チップ等の半導体素子に対してワイヤーボンディングを行う際にも、超音波振動や加熱によりダイボンドフィルムとリードフレーム等の被着体との接着面でずり変形が生じるのを防止することができる。その結果、ワイヤーボンドの成功率を高め、半導体装置の製造の歩留りを一層向上させることができる。
また前記構成に於いては、前記加熱による熱硬化後の貼り合わせ面に於ける表面エネルギーが４０ｍＪ／ｍ２以下であることが好ましい。前記構成のように、熱硬化型ダイボンドフィルムの貼り合わせ面に於ける表面エネルギーを４０ｍＪ／ｍ２以下にしてその低下を抑制することにより、該貼り合わせ面に於ける濡れ性及び接着強さを良好なものにする。その結果、半導体素子を被着体にダイボンドする際にも、ダイボンドフィルムと被着体との境界に気泡（ボイド）が発生するのを抑制し、良好な接着性を発揮させることが可能になる。
また前記構成に於いては、熱硬化後の、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの吸湿率が１重量％以下であることが好ましい。吸湿率を１重量％以下にすることにより、例えば、リフロー工程に於いてボイドが発生するのを防止することができる。
また前記構成に於いては、熱硬化後の、２５０℃、１時間加熱後の重量減少量が１重量％以下であることが好ましい。重量減少量を１重量％以下にすることにより、例えば、リフロー工程に於いてパッケージにクラックが発生するのを防止することができる。
また、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、前記に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイボンドフィルムは基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記熱硬化型ダイボンドフィルムは前記粘着剤層上に積層されていることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記の課題を解決する為に、前記に記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを貼り合わせ面として、半導体ウェハの裏面に前記ダイシング・ダイボンドフィルムを貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体素子を形成するダイシング工程と、前記半導体素子を、前記ダイシング・ダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、前記半導体素子を被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを、加熱温度８０〜２００℃、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程と、前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程とを有することを特徴とする。
本発明に於いては、半導体素子を被着体上にダイボンドするためのダイボンドフィルムとして、フィルム中に非結晶状態で熱硬化触媒が含まれたものを使用する。当該ダイボンドフィルムであると、室温下での長期保存性にも優れるので、例えば半導体ウェハをダイボンドフィルムに貼り付け、室温下で長期間保存しても、ダイボンドフィルムに割れが発生することがない。また、前記ダイボンドフィルムは熱硬化の際の加熱温度や加熱時間を低減しても、十分な剪断接着力を発揮するので、ダイボンド工程後の熱硬化工程において、その加熱温度の低減（８０〜２００℃の範囲内）、及び加熱時間の短縮（０．１〜２４時間の範囲内）が図れる。即ち、本発明の半導体装置の製造方法であると、従来の半導体装置の製造方法と比較して作業効率を向上させることができ、歩留まりの低減も可能になる。
本発明の実施の一形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 前記実施の形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、２つの半導体チップをスペーサを介してダイボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。 前記スペーサを用いることなく、２つの半導体チップをダイボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。
（ダイシング・ダイボンドフィルム）
本発明の熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」という。）について、ダイシングフィルムと一体的に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムを例にして以下に説明する。図１は、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２は、本実施の形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、ダイボンドフィルム３はその粘着剤層２上に設けられている。また本発明は、図２に示すように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。
前記基材１は紫外線透過性を有し、かつダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。
基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。
基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
前記粘着剤層２は紫外線硬化型粘着剤を含み構成されている。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分２ａのみを紫外線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。
また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。
前述の通り、図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体にダイボンドする為のダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１２の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。
前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。
前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部以下が好ましい。また、下限値としては０．１重量部以上であることが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１に紫外線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。
ダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いては、前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を紫外線照射してもよい。即ち、基材１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層２を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。
粘着剤層２の厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点から、１〜５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２〜３０μｍ、更に好ましくは５〜２５μｍである。
ダイボンドフィルム３、３’中には、熱硬化触媒が非結晶状態で含有されている。前記熱硬化触媒はダイボンドフィルム３、３’中において均一に混ざり合い、結晶化することなく分散していることが好ましい。ここで、熱硬化触媒の含有量はフィルム中の有機成分１００重量部に対し０．２〜１重量部、より好ましくは０．３〜０．６重量部である。熱硬化触媒の含有量が１重量部以下であると、室温下での長期保存性を良好にすることができる。その結果、例えば半導体ウェハ等を本発明のダイボンドフィルムにマウントしても、該ダイボンドフィルムに割れが発生するのを防止できる。その一方、含有量が０．２重量部以上であると、ダイボンドフィルム３、３’を加熱して熱硬化させる際に、その加熱温度を従来よりも低減させると共に、加熱時間の短縮も図れる。
前記熱硬化触媒としては特に限定されず、例えば、イミダゾール骨格を有する塩、トリフェニルフォスフィン構造を有する塩、トリフェニルボラン構造を有する塩、アミン基を有するものが挙げられる。
前記イミダゾール骨格を有する塩としては、ダイボンドフィルム３、３’の構成材料であるフェノール樹脂（詳細については後述する。）に対し溶解性を示すものが好ましい。但し、イミダゾール骨格を有する塩からなる熱硬化触媒はダイボンドフィルム３、３’中に非結晶状態で含有されていればよく、従って、例えば、後述の接着剤組成物の溶液に対して不溶性であってもよい。具体的には、例えば、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−メチルイミダゾール （商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２−ＰＨＺ）、２，４−ジアミノ−６−（２’−メチルイミダゾリル（１）’）エチル−ｓ−トリアジン・イソシアヌール酸付加物（商品名；２ＭＡＯＫ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成（株）製）。尚、前記「溶解性」とは、イミダゾール骨格を有する塩からなる熱硬化触媒がフェノール樹脂を含む溶媒に対し溶解する性質を意味し、より詳細には、温度１０〜４０℃の範囲において少なくとも１０重量％以上溶解することを意味する。
前記トリフェニルフォスフィン構造を有する塩としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。また、ダイボンドフィルム３、３’がエポキシ樹脂を含み構成される場合は、熱硬化触媒としてはトリフェニルフォスフィン構造を有し、かつエポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示すものであることが好ましい。エポキシ樹脂に対し非溶解性であると、熱硬化が過度に進行するのを抑制することができる。トリフェニルフォスフィン構造を有し、かつエポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示す熱硬化触媒としては、例えば、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）等が例示できる。尚、前記「非溶解性」とは、トリフェニルフォスフィン構造を有する塩からなる熱硬化触媒がエポキシ樹脂からなる溶媒に対し不溶性であることを意味し、より詳細には、温度１０〜４０℃の範囲において１０重量％以上溶解しないことを意味する。
前記トリフェニルボラン構造を有する塩としては特に限定されず、例えば、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン等が挙げられる。また、トリフェニルボラン構造を有する塩としては、更にトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。当該トリフェニルフォスフィン構造及びトリフェニルボラン構造を有する塩としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。
前記アミノ基を有する熱硬化触媒としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。
また本発明に係る熱硬化触媒は、前記に例示したものの他に光酸発生剤であってもよい。当該光酸発生剤は可視光又は紫外線をダイボンドフィルムに照射することにより、当該光酸発生剤が光分解をして酸を発生させ、これと共にフィルムの熱硬化を開始させることを可能にする。前記光酸発生剤としては特に限定されず、例えば、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン（商品名；ＷＰＡＧ−１４５、和光純薬（株）製）等が挙げられる。
尚、前記に例示した各種の熱硬化触媒は、１種単独で又は２種類以上を混合して用いることができる。また、前記熱硬化触媒の形状は特に限定されず、例えば球状、楕円体状のものを使用することができる。
また、ダイボンドフィルム３、３’は、加熱による熱硬化後の２６０℃での引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上、より好ましくは１０〜５０ＭＰａの範囲内である。これにより、ワイヤーボンディング工程の際にも、超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３、３’と被着体との接着面でずり変形が生じることがない。その結果、ワイヤーボンドの成功率を向上させることができる。尚、ダイボンドフィルム３、３’を熱硬化させる際の加熱条件については、後段にて詳述する。
また、ダイボンドフィルム３、３’に於いては、熱硬化後の貼り合わせ面に於ける表面エネルギーが４０ｍＪ／ｍ２以下であることが好ましい。表面エネルギーが４０ｍＪ／ｍ２以下であると、貼り合わせ面に於ける濡れ性と接着強さを良好なものにすることができ、その結果、半導体素子を被着体にダイボンドする際にも、ダイボンドフィルム３、３’と被着体との境界に気泡（ボイド）が発生するのを抑制し、良好な接着性を発揮させることが可能になる。尚、前記表面エネルギーの下限値は３７ｍＪ／ｍ２以上であることが好ましい。これにより、基板等の被着体に対する密着性を良好なものにすることができる。
また、熱硬化後のダイボンドフィルム３、３’の吸湿率は、１重量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．８重量％以下である。吸湿率を１重量％以下にすることにより、例えば、リフロー工程に於いてボイドの発生を防止することができる。吸湿率の調整は、例えば無機フィラーの添加量を変化させることにより可能である。また、吸湿率は、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの重量変化により算出したものである。
更に、熱硬化後のダイボンドフィルム３、３’の重量減少量は、１重量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．８重量％以下である。重量減少量を１重量％以下にすることにより、例えば、リフロー工程に於いてパッケージにクラックが発生するのを防止することができる。重量減少量の調整は、例えば、鉛フリーハンダリフロー時のクラック発生を減少させることができる無機物の添加により可能である。重量減少量は、２６０℃、１時間の条件下で加熱したときの重量変化により算出したものである。
ダイボンドフィルム３、３’の積層構造は特に限定されず、例えば接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
前記ダイボンドフィルム３、３’を構成する接着剤組成物としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際にダイボンドフィルム３、３’が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、５〜６０重量％の範囲内であることが好ましく、１０〜５０重量％の範囲内であることがより好ましい。
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
尚、本発明に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を用いたダイボンドフィルムが特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が１０〜３４４重量部である。

本発明のダイボンドフィルム３、３’を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
また、ダイボンドフィルム３、３’には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。また、無機充填剤の平均粒径は、０．１〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し０〜８０重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは０〜７０重量部である。
尚、ダイボンドフィルム３、３’には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
ダイボンドフィルム３、３’の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２のダイボンドフィルム３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３、３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム１１が作製される。
ダイボンドフィルム３、３’は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム３、３’の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物や熱硬化触媒、その他各種の添加剤等が配合されている。このとき、接着剤組成物溶液中における熱硬化触媒は溶液中で結晶化することなく均一に溶解しているのが好ましい。また、本発明に係る熱硬化触媒であると、接着剤組成物溶液中に溶解させる時間を短縮することができる。具体的には、有機成分１００重量部に対し、０．２〜１重量部の範囲で溶解させる際に、溶解時間は０．１〜２時間の範囲内で行うことが可能になる。但し、成膜されたフィルム中において結晶化されていなければ、接着剤組成物溶液中で結晶化し、あるいは分散することなく不溶状態となっていてもよい。
次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。
続いて、ダイシングフィルム１１及び接着剤層からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。
（半導体装置の製造方法）
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、ダイボンドフィルム３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図３を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。
先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に於けるダイボンドフィルム３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り付け工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。
次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシング・ダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。
ダイシング・ダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
ここでピックアップは、粘着剤層２は紫外線硬化型である為、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３ａに対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。
ピックアップした半導体チップ５は、ダイボンドフィルム３ａを介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
ダイボンドフィルム３は熱硬化型であるので、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる。このとき、本発明は、従来のダイボンドフィルムと比較して加熱温度を低減できると共に、加熱時間の短縮も図れる。その結果、加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。尚、半導体ウェハ貼り付け部分３ａを介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
熱硬化後のダイボンドフィルム３の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
尚、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ダイボンドフィルム３の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップ５を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアしてもよい。この場合、ダイボンドフィルム３の仮固着時の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の仮固着時に於ける剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
前記のワイヤーボンディングは、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する工程である（図３参照）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３ａの熱硬化を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３ａにより半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。
前記封止工程は、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する工程である（図３参照）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３ａを介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３ａによる固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３ａが完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３ａの完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、図４に示すように、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図４は、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図４に示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも１つのダイボンドフィルム３ａを被着体６上にダイボンドした後、ダイボンドフィルム３ａを介して半導体チップ５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、ダイボンドフィルム１３を半導体チップ５の電極パッド部分を避けてダイボンドする。更に、他の半導体チップ１５をダイボンドフィルム１３上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。
次に、ダイボンドフィルム３ａの熱硬化工程を行うことなくワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。それと共に、ダイボンドフィルム３ａを熱硬化させ、被着体６と半導体チップ５との間を接着固定する。また、ダイボンドフィルム１３により半導体チップ５と他の半導体チップ１５との間も接着固定させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。
半導体チップの３次元実装の場合に於いても、ダイボンドフィルム３ａ、１３の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被着体６に反りが生じたり、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５にクラックが発生したりすることもないので、半導体素子の一層の薄型化が可能になる。
また、図５に示すように、半導体チップ間にダイボンドフィルムを介してスペーサを積層させた３次元実装としてもよい。図５は、２つの半導体チップをスペーサを介してダイボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。
図５に示す３次元実装の場合、先ず被着体６上にダイボンドフィルム３ａ、半導体チップ５及びダイボンドフィルム２１を順次積層してダイボンドする。更に、ダイボンドフィルム２１上に、スペーサ９、ダイボンドフィルム２１、ダイボンドフィルム３ａ及び半導体チップ５を順次積層してダイボンドする。
次に、ダイボンドフィルム３ａの熱硬化工程を行うことなく、図５に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５に於ける電極パッドと被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行い、封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３ａ、２１を熱硬化させることにより、被着体６と半導体チップ５との間、及び半導体チップ５とスペーサ９との間を接着固定させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チップ５側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられた半導体チップ５を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂８を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、例えば１７０〜１８０℃の範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。
尚、前記スペーサ９としては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。また、前記スペーサとしてコア材料を用いることができる。コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等を使用できる。
次に、プリント配線板上に、前記の半導体パッケージを表面実装する。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めハンダを供給した後、温風等により加熱溶融しハンダ付けを行うリフローはんだ付けが挙げられる。加熱方法としては、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、全体加熱、局部加熱の何れの方式でもよい。加熱温度は２３０〜２８０℃、加熱時間は１〜３６０秒の範囲内であることが好ましい。
更に、図６に示すように、前記スペーサ９を用いず、金ワイヤー等のボンディングワイヤーの一部をダイボンドフィルムに埋め込み、当該ダイボンドフィルムを介して複数の半導体チップ５が積層された３次元実装としてもよい（ＦｏＷ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｗｉｒｅ））。近年、パッケージの小型化と工程の簡略化の目的のため、スペーサ方式(図５参照)に置き換わり、ダイボンドフィルムで金ワイヤー等のボンディングワイヤー７を直接埋め込む実装方法が用いられている。この実装方法を用いる場合、ダイアタッチ工程でボンディングワイヤーを埋め込む必要があるため、B-stageでは低い引張貯蔵弾性率が要求される一方、ワイヤーボンディング工程などの高温プロセスでは、高い引張貯蔵弾性率が要求される。このため、ダイボンドフィルムの引張貯蔵弾性率は熱硬化などにより変化させる必要がある。従って、触媒としては熱硬化促進剤が用いられるが、当該熱硬化触媒がエポキシ樹脂に対し溶解性を示す場合、室温保存性が著しく低下する。しかしながら、本発明はエポキシ樹脂に対し非溶解性の熱硬化触媒を用いるので、室温保存性を満たすことができる。その結果、ボンディングワイヤーをダイボンドフィルムで直接埋め込む方式の場合にも、本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは好適に用いることができる。
図６は、２つの半導体チップ５をダイボンドフィルム２２により３次元実装した例を示す断面模式図である。同図に示す３次元実装の場合、先ず被着体６上にダイボンドフィルム３ａ、及び半導体チップ５を順次積層してダイボンドする。次に、ダイボンドフィルム２２の熱硬化工程を行うことなくワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５に於ける電極パッドと被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。
続いて、前記半導体チップ５上にダイボンドフィルム２２を押圧しながら積層する。このとき、ボンディングワイヤー７の一部はダイボンドフィルム２２に埋め込まれた構成となる。続いて、ダイボンドフィルム２２上に新たな半導体チップ５を積層してダイボンドする。更に、前記と同様にして、ダイボンドフィルム２２の熱硬化工程を行うことなくワイヤーボンディング工程を行う。
その後、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行い、封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３ａ、２２を熱硬化させることにより、被着体６と半導体チップ５との間、及び半導体チップ５同士を接着固定させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程の条件は前述と同様であり、また当該態様の場合にも、封止工程の後、後硬化工程を行うことが可能である。
次に、プリント配線板上に、前記の半導体パッケージを表面実装する。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めハンダを供給した後、温風などにより加熱溶融しハンダ付けを行うリフローハンダ付けが挙げられる。加熱方法としては、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、全体加熱、局部加熱の何れの方式でもよい。加熱温度は２４０〜２６５℃、加熱時間は１〜２０秒の範囲内であることが好ましい。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
（実施例１）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００重量部に対して、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）８７重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）７９重量部、フェノールアラルキル樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）１７８重量部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）２９６重量部、熱硬化触媒としてのテトラフェニルホスホニウムチオシアネート（北興化学工業（株）製、商品名；ＴＰＰ−ＳＣＮ）０．２重量部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。尚、各構成材料をメチルエチルケトンに溶解させる際の溶解温度は、２３℃であり、熱硬化触媒が当該溶液中に結晶化することなく溶解するのに要した溶解時間は２０分間であった。
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。
（実施例２）
本実施例２に於いては、熱硬化触媒の添加量を１．０重量部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＢを作製した。尚、接着剤組成物溶液の作製に於いて、各構成材料をメチルエチルケトンに溶解させる際の溶解温度は、２３℃であり、熱硬化触媒が当該溶液中に結晶化することなく溶解するのに要した溶解時間は２０分間であった。
（実施例３）
本実施例３に於いては、熱硬化触媒として２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡＯＫ−ＰＷ、四国化成（株）製）を０．２重量部用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＣを作製した。尚、接着剤組成物溶液の作製に於いて、各構成材料をメチルエチルケトンに溶解させる際の溶解温度は、２３℃であり、熱硬化触媒が当該溶液中に結晶化することなく溶解するのに要した溶解時間は２０分間であった。
（実施例４）
本実施例４に於いては、熱硬化触媒の添加量を１．０重量部に変更したこと以外は、前記実施例３と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＤを作製した。尚、接着剤組成物溶液の作製に於いて、各構成材料をメチルエチルケトンに溶解させる際の溶解温度は、２３℃であり、熱硬化触媒が当該溶液中に結晶化することなく溶解するのに要した溶解時間は２０分間であった。
（実施例５）
本実施例５に於いては、熱硬化触媒としてベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（北興化学工業（株）製、商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）を用い、更にその添加量を１．０重量部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＦを作製した。尚、接着剤組成物溶液の作製に於いて、各構成材料をメチルエチルケトンに溶解させる際の溶解温度は、２３℃であり、熱硬化触媒が当該溶液中に結晶化することなく溶解するのに要した溶解時間は２０分間であった。
（比較例１）
本比較例１に於いては、熱硬化触媒の添加量を０．１重量部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るダイボンドフィルムＧを作製した。尚、接着剤組成物溶液の作製に於いて、各構成材料をメチルエチルケトンに溶解させる際の溶解温度は、２３℃であり、熱硬化触媒が当該溶液中に結晶化することなく溶解するのに要した溶解時間は２０分間であった。
（比較例２）
本比較例２に於いては、熱硬化触媒の添加量を１．５重量部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るダイボンドフィルムＨを作製した。尚、接着剤組成物溶液の作製に於いて、各構成材料をメチルエチルケトンに溶解させる際の溶解温度は、２３℃であり、熱硬化触媒が当該溶液中に結晶化することなく溶解するのに要した溶解時間は２０分間であった。
（比較例３）
本比較例３に於いては、熱硬化触媒として２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡＯＫ−ＰＷ、四国化成（株）製）を用い、更にその添加量を０．１重量部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例４に係るダイボンドフィルムＩを作製した。尚、接着剤組成物溶液の作製に於いて、各構成材料をメチルエチルケトンに溶解させる際の溶解温度は、２３℃であり、熱硬化触媒が当該溶液中に結晶化することなく溶解するのに要した溶解時間は２０分間であった。
（比較例４）
本比較例４に於いては、熱硬化触媒として２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡＯＫ−ＰＷ、四国化成（株）製）を用い、更にその添加量を１．５重量部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例４に係るダイボンドフィルムＩを作製した。尚、接着剤組成物溶液の作製に於いて、各構成材料をメチルエチルケトンに溶解させる際の溶解温度は、２３℃であり、熱硬化触媒が当該溶液中に結晶化することなく溶解するのに要した溶解時間は２０分間であった。
（引張破断伸度）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｉについて、それぞれ初期長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、テンシロン万能試験機（ＲＴＥ−１２１０、エーアンドディー社製）を用いて引張速度１０ｍｍ／分、チャック間距離３０ｍｍの条件下で、２５℃に於ける引張破断伸度を測定した。尚、測定は、各ダイボンドフィルムＡ〜Ｉを室温保存しない場合と、３０日間室温保存（２５℃、５５％ＲＨ）した場合のそれぞれについて行った。
（熱硬化後の高温せん断接着力）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｉをそれぞれ４０℃で半導体素子に貼り付け、１６０℃、０．２ＭＰａでＢＧＡ基板にマウントした。続いて、各ダイボンドフィルムＡ〜Ｉを所定条件下で熱硬化させた後、１７５℃に於けるせん断接着力を測定した。尚、各ダイボンドフィルムＡ〜Ｉを熱硬化させる際の加熱処理条件は、下記表１及び２の通りである。
せん断接着力の測定は温度制御可能な熱板に各試験片を固定し、ダイアタッチされた半導体素子をプッシュプルゲージにて速度０．５ｍｍ／秒の速度で水平に押して、剪断接着力を測定した。また、測定装置として、バンプルテスター（デイジー社製）を使用した。
（ウェハマウント性）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｉをそれぞれ３０日間室温保存（２５℃、５５％ＲＨ）した。その後、ホットロールラミネーターを用いて、ウエハ（直径６インチ）にそれぞれ貼り合わせた。貼り合わせ条件として、温度４０℃、０．１ｍ／分、圧力０．５ＭＰａとした。貼り合わせ後、ダイボンドフィルムＡ〜Ｉについて割れ・欠けの発生の有無を目視にて確認した。その結果、割れ・欠けが発生しなかったものをウェハマウント性が良好（○）とし、発生したものをウェハマウント性が不良（×）とした。
（ワイヤーボンディング性）
ワイヤーボンディング性については、ダイボンドフィルムの熱硬化後の１７５℃に於けるせん断接着力が０．２ＭＰａ以上であった場合を良好（○）とし、０．２ＭＰａ未満の場合を不良（×）とした。
ワイヤーボンディング性は、例えば超音波熱圧着法により、超音波出力時間１０ｍｓ、ボンド荷重１８０．５０ｍＮ、ステージ温度１７５℃の条件下でワイヤーボンド用金線（直径２３μｍ）をボンディングした場合に、ダイボンドフィルムの熱硬化後に於ける剪断接着力が０．２ＭＰａ以上であるとワイヤーボンディング成功率が１００％以上となる。この為、本実施例では、ダイボンドフィルムの熱硬化後の１７５℃に於ける剪断接着力０．２ＭＰａをワイヤーボンディング性の評価基準とした。
（結果）
下記表１及び２の結果から分かる通り、実施例１〜４の様に、非結晶状態で熱硬化触媒が含有するダイボンドフィルムＡ〜Ｄであると、３０日間の室温保存後の破断伸度及びウェハマウント性の何れも室温保存性に優れ、ワイヤーボンディング性も良好であることが確認された。
これに対し、比較例１及び３の様に、非結晶状態で熱硬化触媒が含有するが、その含有量が０．１重量部のダイボンドフィルムＦ及びＨであると、熱硬化後の剪断接着力が極めて低く、ワイヤーボンディング性が低下することが分かった。これにより、ダイボンドフィルムＦ、Ｈに於いて、１２０℃で１時間の条件下で行った加熱処理では、それらの熱硬化が不十分であることが確認された。また、比較例２及び４の様に、熱硬化触媒の含有量が１．５重量部のダイボンドフィルムＧ及びＩであると、破断伸度及びウェハマウント性の何れにおいても室温保存性が低下していることが確認された。
Figure 0005561949
Figure 0005561949
１ 基材
２ 粘着剤層
３、３’ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ スペーサ
１０、１２ ダイシング・ダイボンドフィルム
１１ ダイシングフィルム
１３ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
１５ 半導体チップ
２１、２２ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）

Claims (9)

  1. 半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、
    アクリル樹脂及び熱硬化性樹脂を含み、
    該フィルム中の前記アクリル樹脂１００重量部に対し含有量が０．２〜１重量部の範囲内の熱硬化触媒が、非結晶状態で含有されたものであり、
    前記熱硬化触媒が、イミダゾール骨格を有する塩からなる熱硬化型ダイボンドフィルム。
  2. 前記フィルム中にはフェノール樹脂が含まれており、前記熱硬化触媒が前記フェノール樹脂に対し溶解性を示すものである請求項１に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  3. 室温下で３０日以上保存した後の引張破断伸度が、長手方向及び幅方向の少なくとも何れか一方において２００％以上である請求項１又は２に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  4. 熱硬化後の２６０℃における引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上である請求項１〜３の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  5. 熱硬化後の貼り合わせ面に於ける表面エネルギーが４０ｍＪ／ｍ２以下である請求項１〜４の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  6. 熱硬化後の、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの吸湿率が１重量％以下である請求項１〜５の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  7. 熱硬化後の、２６０℃、１時間加熱後の重量減少量が１重量％以下である請求項１〜６の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  8. 請求項１〜７の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、
    前記ダイボンドフィルムは基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記熱硬化型ダイボンドフィルムは前記粘着剤層上に積層されているダイシング・ダイボンドフィルム。
  9. 請求項８に記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
    前記熱硬化型ダイボンドフィルムを貼り合わせ面として、半導体ウェハの裏面に前記ダイシング・ダイボンドフィルムを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
    前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体素子を形成するダイシング工程と、
    前記半導体素子を、前記ダイシング・ダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
    前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、前記半導体素子を被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、
    前記熱硬化型ダイボンドフィルムを、加熱温度８０〜２００℃、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程と、
    前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程とを有する半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8198176B2 (en) * 2007-10-09 2012-06-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing semiconductor chip with adhesive film, adhesive film for semiconductor used in the method, and method for producing semiconductor device
KR100922226B1 (ko) * 2007-12-10 2009-10-20 주식회사 엘지화학 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
TWI401773B (zh) * 2010-05-14 2013-07-11 Chipmos Technologies Inc 晶片封裝裝置及其製造方法
JP5558589B2 (ja) * 2010-12-28 2014-07-23 太陽誘電株式会社 タッチパネル装置
KR102152474B1 (ko) * 2011-12-16 2020-09-04 히타치가세이가부시끼가이샤 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법
JP5425975B2 (ja) 2012-06-28 2014-02-26 日東電工株式会社 接着フィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
TWI614323B (zh) 2012-09-25 2018-02-11 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 切割膜片
EP2717307A1 (en) * 2012-10-04 2014-04-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Releasable substrate on a carrier
JP6312498B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-18 日東電工株式会社 ダイシングフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP6547221B2 (ja) * 2014-12-16 2019-07-24 リンテック株式会社 ダイ接着用接着剤
WO2017073627A1 (ja) * 2015-10-29 2017-05-04 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート
JP7007827B2 (ja) * 2017-07-28 2022-01-25 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法
CN109247003A (zh) * 2018-04-12 2019-01-18 庆鼎精密电子（淮安）有限公司 电磁屏蔽膜及其制作方法
KR102196378B1 (ko) * 2020-04-13 2020-12-30 제엠제코(주) 반도체 부품 부착 장비
CN113588375B (zh) * 2021-08-20 2023-09-29 中科光华(西安)智能生物科技有限公司 一种高稳定性骨及骨肿瘤组织微阵列芯片及其制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4271061A (en) * 1979-03-06 1981-06-02 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Epoxy resin compositions for sealing semiconductors
US4961804A (en) * 1983-08-03 1990-10-09 Investment Holding Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
US4985751A (en) * 1988-09-13 1991-01-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resin-encapsulated semiconductor devices
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JPH11143073A (ja) * 1997-11-11 1999-05-28 Ngk Spark Plug Co Ltd プリント配線板用レジスト材
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2005281673A (ja) * 2004-03-02 2005-10-13 Tamura Kaken Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、樹脂フィルムおよび製品
EP1980580A1 (en) * 2006-02-03 2008-10-15 Asahi Kasei Chemicals Corporation Microcapsule type hardener for epoxy resin, masterbatch type hardener composition for epoxy resin, one-pack type epoxy resin composition, and processed article
CN101490813B (zh) * 2006-07-19 2011-07-13 积水化学工业株式会社 切片及芯片键合带以及半导体芯片制造方法
JP4732472B2 (ja) * 2007-03-01 2011-07-27 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2009049400A (ja) * 2007-07-25 2009-03-05 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム

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