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JP2010171402A - 熱硬化型ダイボンドフィルム - Google Patents

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JP2010171402A
JP2010171402A JP2009288001A JP2009288001A JP2010171402A JP 2010171402 A JP2010171402 A JP 2010171402A JP 2009288001 A JP2009288001 A JP 2009288001A JP 2009288001 A JP2009288001 A JP 2009288001A JP 2010171402 A JP2010171402 A JP 2010171402A
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die
film
thermosetting
weight
resin
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JP2009288001A
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Miki Hayashi
美希 林
Hisahide Takamoto
尚英 高本
Kenji Onishi
謙司 大西
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Nitto Denko Corp
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Priority to CN200980152612XA priority patent/CN102265388A/zh
Priority to KR20117014623A priority patent/KR20110099116A/ko
Priority to US13/141,765 priority patent/US20120153508A1/en
Priority to TW098144526A priority patent/TWI504715B/zh
Priority to TW103116730A priority patent/TWI538976B/zh
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Abstract

【課題】半導体装置の製造に必要な貯蔵弾性率と高い接着力を併せ持つ熱硬化型ダイボンドフィルム、及び当該熱硬化型ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】熱硬化型ダイボンドフィルム３は、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルム３であって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体及びフィラーを少なくとも含み、８０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内である。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば半導体チップ等の半導体素子を基板やリードフレーム等の被着体上に固着する際に用いられる熱硬化型ダイボンドフィルムに関する。また本発明は、当該熱硬化型ダイボンドフィルムがダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムに関する。
従来、半導体装置の製造の際に於けるリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行っている。
しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となる為、半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。即ち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると、半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、その後のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。この様な固着処理に於ける問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。その為、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたしている。
このペースト状接着剤の塗工工程に於いて、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。この為、ダイシングエ程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが開示されている（例えば、下記特許文献１参照）。
この種のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングフィルム上に接着剤層（ダイボンドフィルム）が積層された構造を有している。また、ダイシングフィルムは支持基材上に粘着剤層積層された構造である。このダイシング・ダイボンドフィルムは次のようにして使用される。即ち、ダイボンドフィルムによる保持下に半導体ウェハをダイシングした後、支持基材を延伸して半導体チップをダイボンドフィルムと共に剥離しこれを個々に回収する。更に、半導体チップを、ダイボンドフィルムを介して、ＢＴ基板やリードフレーム等の被着体に接着固定させる。
ここで、従来のダイボンドフィルムは、ダイボンド工程の際のダイボンド温度（例えば、８０〜１４０℃）下での貯蔵弾性率が高いため、前記被着体に対し十分な濡れ性を示さず、接着力が小さくなる場合がある。その結果、工程内又は各工程間の搬送中に加えられる振動や被着体の湾曲により、半導体チップが被着体から脱落するという問題がある。
また、ワイヤーボンディング工程の際のワイヤーボンディング温度（例えば、１７５℃）下においても高い貯蔵弾性率を示すため、接着力が不十分な場合がある。その結果、ダイボンドフィルム上に接着固定された半導体チップに対してワイヤーボンディングを行う際にも、超音波振動や加熱によりダイボンドフィルムと被着体との接着面でずり変形が生じ、ワイヤーボンディングの成功率が低下するという問題がある。
更に、被着体にダイボンドされた半導体チップを封止（モールド）樹脂により封止するモールド工程の際、当該半導体チップが封止樹脂の注入の際に押し流され、歩留まりが低下するという問題がある。
特開昭６０−５７３４２号公報
本発明は前記の問題点に鑑みなされたものであり、半導体装置の製造に必要な貯蔵弾性率と高い接着力を併せ持つ熱硬化型ダイボンドフィルム、及び当該熱硬化型ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムの提供を目的とする。
本願発明者等は、前記従来の課題を解決すべく、熱硬化型ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、貯蔵弾性率を所定の数値範囲に制御することにより、当該熱硬化型ダイボンドフィルムが、半導体装置を製造する為の所定の各工程において良好な濡れ性及び接着性を示すことを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体及びフィラーを少なくとも含み、８０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内であることを特徴とする。
前記構成であると、８０℃〜１４０℃における貯蔵弾性率を１０ｋＰａ〜１０ＭＰａにすることにより、熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」という場合がある。）を介して半導体チップをＢＴ基板やリードフレーム等の被着体にダイボンドする際に、当該被着体に対し十分な濡れ性を示し、接着力の低下を防止する。その結果、ダイボンド後の搬送中に加えられる振動や被着体の湾曲により、半導体チップが被着体から脱落するのを防止することができる。
また、前記構成においては１７５℃における貯蔵弾性率を０．１ＭＰａ〜３ＭＰａにすることにより、半導体チップに対するワイヤーボンディングの際にも十分な接着力を維持させることができる。その結果、ダイボンドフィルム上に接着固定した半導体チップに対してワイヤーボンディングを行う際にも、超音波振動や加熱によるダイボンドフィルムと被着体との接着面でのずり変形を防止し、ワイヤーボンディングの成功率を向上させることができる。
更に、被着体にダイボンドされた半導体チップを封止（モールド）樹脂により封止する際にも、当該半導体チップが封止樹脂の注入の際に押し流されるのを防止することができる。
前記構成に於いては、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸ重量部とし、アクリル共重合体の重量をＹ重量部としたときの比率Ｘ／Ｙが、０．１１〜４であることが好ましい。エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計重量（Ｘ重量部）と、アクリル共重合体の重量（Ｙ重量部）との重量の比率Ｘ／Ｙを０．１１以上にすることにより、１７５℃で１時間の熱処理をした後の２６０℃における貯蔵弾性率を０．１ＭＰａ以上にすることができる。その結果、半導体関連部品の信頼性評価に用いられる耐湿半田リフロー試験においても、ダイボンドフィルムの剥離の発生を防止することができ、信頼性の向上が図れる。その一方、前記Ｘ／Ｙを４以下にすることにより、ダイボンドフィルムのフィルムとしての機械的強度を増し自己支持性を確保することができる。
また、前記構成に於いては、前記エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体の合計重量をＡ重量部とし、フィラーの重量をＢ重量部としたときのＢ／（Ａ＋Ｂ）が、０．８以下であることが好ましい。フィラーの含有量を、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体の合計重量に対し０．８以下にすることにより、貯蔵弾性率が大きくなり過ぎるのを抑制し、被着体に対する濡れ性及び接着性を一層良好に維持することができる。
前記構成に於いては、前記エポキシ樹脂が芳香族環を有するエポキシ樹脂であり、前記フェノール樹脂がフェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂又はフェノールアラルキル樹脂の少なくとも何れかであり、前記アクリル共重合体がカルボキシル基含有アクリル共重合体又はエポキシ基含有アクリル共重合体の少なくとも何れかであることが好ましい。
前記構成に於いては、前記フィラーの平均粒径が０．００５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。フィラーの平均粒径を０．００５μｍ以上にすることにより、貯蔵弾性率が大きくなり過ぎるのを抑制し、被着体に対する濡れ性及び接着性を一層良好に維持することができる。その一方、前記平均粒径を１０μｍ以下にすることにより、ダイボンドフィルムに対する補強効果を付与し、耐熱性の向上が図れる。
また前記構成に於いては、前記エポキシ樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内であることが好ましい。エポキシ樹脂の重量平均分子量を３００以上にすることにより、熱硬化後のダイボンドフィルムの機械的強度、耐熱性、耐湿性が低下するのを防止することができる。その一方、前記重量平均分子量を１５００以下にすることにより、熱硬化後のダイボンドフィルムが剛直になって脆弱となるのを防止することができる。
また前記構成においては、前記フェノール樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内であることが好ましい。フェノール樹脂の重量平均分子量を３００以上にすることにより、前記エポキシ樹脂の硬化物に対し十分な強靱性を付与することができる。その一方、前記重量平均分子量を１５００以下にすることにより、高粘度となるのを抑制して、良好な作業性を維持することができる。
また前記構成においては、前記アクリル共重合体の重量平均分子量が１０万〜１００万の範囲内であることが好ましい。アクリル共重合体の重量平均分子量を１０万以上にすることにより、配線基板等の被着体表面に対する高温時の接着性に優れ、かつ、耐熱性も向上させることができる。その一方、前記重量平均分子量を１００万以下にすることにより、容易に有機溶剤への溶解することができる。
また前記構成に於いては、ガラス転移温度が１０℃〜５０℃以下の範囲内であることが好ましい。ダイボンドフィルムのガラス転移温度を１０℃以上にすることで、半導体チップのダイボンドの際にダイボンドフィルムを構成する接着剤のはみ出しが生じるのを防止することができる。その一方、前記ガラス転移温度を５０℃以下にすることにより、被着体に対する濡れ性及び接着性を一層良好に維持することができる。
本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、前記の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層された構造であることを特徴とする。
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明によれば、８０℃〜１４０℃における貯蔵弾性率を１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内とし、１７５℃における貯蔵弾性率を０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内とするので、ＢＴ基板やリードフレーム等の被着体に対し良好な濡れ性及び接着性を発揮することができる。その結果、例えば、本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体にダイボンドする場合や、ダイボンド後の半導体チップに対しワイヤーボンディングをする場合、更に被着体にダイボンドされた半導体チップを樹脂封止する場合にも、半導体チップを被着体に接着固定させ続けることができる。即ち、本発明の構成であると、歩留まりを向上させて半導体装置を製造することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルムを提供することができる。
本発明の実施の一形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 前記実施の形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、２つの半導体チップをスペーサを介してダイボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。
本発明の熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」という。）について、ダイシング・ダイボンドフィルムの態様を例にして以下に説明する。本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム上にダイボンドフィルム３が積層された構造である（図１参照）。前記ダイシングフィルムは、基材１上に粘着剤層２が積層された構造である。ダイボンドフィルム３はダイシングフィルムの粘着剤層２上に積層されている。
本発明のダイボンドフィルム３は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体及びフィラーを少なくとも含み構成される。前記ダイボンドフィルム３の８０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率は、１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、好ましくは１０ｋＰａ〜５ＭＰａ、より好ましくは１０ｋＰａ〜３ＭＰａである。前記貯蔵弾性率を１０ｋＰａ以上にすることにより、フィルムとしての機械的強度を増し自己支持性を確保することができる。その一方、前記貯蔵弾性率を１０ＭＰａ以下にすることにより、被着体に対する濡れ性を確保し、接着力の維持が図れる。その結果、ダイボンド後の搬送中に加えられる振動や被着体の湾曲により、半導体チップが被着体から脱落するのを防止することができる。
また、ダイボンドフィルム３の１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率は０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内であり、好ましくは０．５ｋＰａ〜２．５ＭＰａ、より好ましくは０．７ｋＰａ〜２．３ＭＰａである。１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率を前記数値範囲内にすることにより、半導体チップに対するワイヤーボンディングの際にも十分な接着力を維持させることができる。その結果、ダイボンドフィルム上に接着固定した半導体チップに対してワイヤーボンディングを行う際にも、超音波振動や加熱によるダイボンドフィルムと被着体との接着面でのずり変形を防止し、ワイヤーボンディングの成功率を向上させることができる。
前記ダイボンドフィルム３のガラス転移温度は１０℃〜５０℃であることが好ましく、２０℃〜４５℃であることがより好ましい。前記ガラス転移温度が１０℃以上にすることにより、半導体チップのダイボンドの際にダイボンドフィルムを構成する接着剤のはみ出しが生じるのを防止することができる。その一方、前記ガラス転移温度を５０℃以下にすることにより、被着体に対する濡れ性及び接着性を一層良好に維持することができる。
また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸ重量部とし、アクリル共重合体の重量をＹ重量部とした場合に、その配合比率Ｘ／Ｙ（−）は０．１１〜４が好ましく、０．１１〜１．５がより好ましく、０．１１〜１．４が更に好ましく、０．１１〜１が特に好ましく、０．１１〜０．５が一層好ましい。配合比率Ｘ／Ｙを０．１１以上にすることにより、１７５℃で１時間の熱処理を行った後の２６０℃に於ける貯蔵弾性率を０．１ＭＰａ以上にすることができ、耐湿半田リフロー試験においてもダイボンドフィルム３の剥離の発生を防止することができ、信頼性の向上が図れる。その一方、配合比率を４以下にすることにより、ダイボンドフィルム３のフィルムとしての機械的強度を増し、その自己支持性を確保することができる。
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうち本発明においては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環等の芳香族環を有するエポキシ樹脂が特に好ましい。具体的には、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェノール型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。尚、エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内であることが好ましく、３５０〜１０００の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が３００未満であると、熱硬化後のダイボンドフィルム３の機械的強度、耐熱性、耐湿性が低下する場合がある。その一方、１５００より大きいと、熱硬化後のダイボンドフィルムが剛直になって脆弱になる場合がある。尚、本発明に於ける重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロトマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値を意味する。
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうち、下記化学式で表されるビフェニル型フェノールノボラック樹脂や、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
Figure 2010171402
尚、前記ｎは０〜１０の自然数であることが好ましく、０〜５の自然数であることがより好ましい。前記数値範囲内にすることにより、ダイボンドフィルム３の流動性の確保が図れる。
前記フェノール樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内であることが好ましく、３５０〜１０００の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が３００未満であると、前記エポキシ樹脂の熱硬化が不十分となり十分な強靱性が得られない場合がある。その一方、重量平均分子量が１５００より大きいと、高粘度となって、ダイボンドフィルムの作製時の作業性が低下する場合がある。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
前記アクリル共重合体としては特に限定されないが、本発明においてはカルボキシル基含有アクリル共重合体、エポキシ基含有アクリル共重合体が好ましい。前記カルボキシル基含有アクリル共重合体に用いる官能基モノマーとしてはアクリル酸又はメタクリル酸が挙げられる。アクリル酸又はメタクリル酸の含有量は酸価が１〜４の範囲内となる様に調節される。その残部は、メチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、スチレン、又はアクリロニトリル等の混合物を用いることができる。これらの中でも、エチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、後述する前記アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）を考慮して調整することが好ましい。また、重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。
また、前記モノマー成分と共重合可能な他のモノマー成分としては特に限定されず、例えば、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分の使用量は、全モノマー成分に対し１〜２０重量％の範囲内であることが好ましい。当該数値範囲内の他のモノマー成分を含有させることにより、凝集力、接着性などの改質が図れる。
アクリル共重合体の重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。
前記アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）は、−３０〜３０℃であることが好ましく、−２０〜１５℃であることがより好ましい。ガラス転移点が−３０℃以上にすることにより耐熱性が確保され得る。その一方、３０℃以下にすることにより、表面状態が粗いウェハにおけるダイシング後のチップ飛びの防止効果が向上する。
前記アクリル共重合体の重量平均分子量は、１０万〜１００万であることが好ましく、３５万〜９０万であることがより好ましい。重量平均分子量を１０万以上にすることにより、被着体表面に対する高温時の接着性に優れ、かつ、耐熱性も向上させることができる。その一方、重量平均分子量を１００万以下にすることにより、容易に有機溶剤への溶解することができる。
前記フィラーとしては、無機フィラー又は有機フィラーが挙げられる。取り扱い性及び熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、並びにチキソトロピック性の付与等の観点からは、無機フィラーが好ましい。
前記無機フィラーとしては特に限定されず、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。熱伝導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶質シリカ等が好ましい。また、ダイボンドフィルム３の接着性とのバランスの観点からは、シリカが好ましい。また、前記有機フィラーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、シリコーン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
前記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍが好ましく、０．０５〜１μｍがより好ましい。フィラーの平均粒径が０．００５μｍ以上であると、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、前記平均粒径を１０μｍ以下にすることにより、フィラーの添加によるダイボンドフィルム３に対する補強効果を高め、耐熱性の向上が図れる。尚、平均粒径が相互に異なるフィラー同士を組み合わせて使用してもよい。また、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
前記フィラーの形状は特に限定されず、例えば球状、楕円体状のものを使用することができる。
また、エポキシ、フェノール樹脂及びアクリル共重合体の合計重量をＡ重量部とし、フィラーの重量をＢ重量部とした場合に、比率Ｂ／（Ａ＋Ｂ）は０を超えて０．８以下であることが好ましく、０を超えて７以下であることがより好ましい。前記比率が０であるとフィラー添加による補強効果がなく、ダイボンドフィルム３の耐熱性が低下する傾向がある。その一方、前記比率が０．８を超えると、被着体に対する濡れ性及び接着性が低下する場合がある。
また、ダイボンドフィルム３、３’には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。
前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン骨格、アミン骨格、トリフェニルボラン骨格、トリハロゲンボラン骨格等の何れかからなる塩が好ましい。
ダイボンドフィルム３の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
尚、ダイボンドフィルムは、例えば接着剤層の単層のみからなる構成とすることができる。また、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造にしてもよい。尚、半導体ウェハのダイシング工程では切削水を使用することから、ダイボンドフィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイボンドフィルムとしては、透湿性の高いコア材料を接着剤層で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気がフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、ダイボンドフィルムはコア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造にしてもよい。
前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
また、ダイボンドフィルム３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、ダイシングフィルムにダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイボンドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
尚、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムとしては、図１に示すダイボンドフィルム３の他に、図２に示す様に半導体ウェハ貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を積層したダイシング・ダイボンドフィルム１１の構成であってもよい。
前記基材１はダイシング・ダイボンドフィルム１０、１１の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、基材１は紫外線に対し透過性を有するものが好ましい。
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層又は２種以上の複層でもよい。
基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
前記粘着剤層２は紫外線硬化型粘着剤を含み構成されている。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分２ａのみを紫外線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。
また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。
前述の通り、図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半導体チップを被着体に固着する為のダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリング１６を固定することができる。前記被着体６としては特に限定されず、例えば、ＢＧＡ基板等の各種基板、リードフレーム、半導体素子、スペーサ等が挙げられる。
前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。
前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計において容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１に紫外線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。
ダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いては、前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を紫外線照射してもよい。即ち、基材１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層２を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。
尚、紫外線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、紫外線硬化型の粘着剤層２の表面から酸素（空気）を遮断するのが望ましい。その方法としては、例えば粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の紫外線の照射を行う方法等が挙げられる。
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
（半導体装置の製造方法）
次に、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法について、以下に説明する。
先ず、図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に於ける接着剤層３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。
次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシング・ダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。
ダイシング・ダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型の場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２の接着剤層３ａに対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。
次に、図３に示すように、ダイシングにより形成された半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３ａを介して被着体６にダイボンドする。ダイボンドは圧着により行われる。ダイボンドの条件としては特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。具体的には、例えば、ダイボンド温度８０〜１６０℃、ボンディング圧力５Ｎ〜１５Ｎ、ボンディング時間１〜１０秒の範囲内で行うことができる。
続いて、ダイボンドフィルム３ａを加熱処理することによりこれを熱硬化させ、半導体チップ５と被着体６とを接着させる。加熱処理条件としては、温度８０〜１８０℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜４時間、より好ましくは０．１〜１時間の範囲内であることが好ましい。
次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。
ここで、熱硬化後のダイボンドフィルム３ａは、１７５℃において０．０１ＭＰａ以上の剪断接着力を有していることが好ましく、０．０１〜５ＭＰａがより好ましい。熱硬化後の１７５℃における剪断接着力を０．０１ＭＰａ以上にすることにより、ワイヤーボンディング工程の際の超音波振動や加熱に起因して、ダイボンドフィルム３ａと半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形が生じるのを防止できる。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
尚、ワイヤーボンディング工程は、加熱処理によりダイボンドフィルム３を熱硬化させることなく行ってもよい。この場合、ダイボンドフィルム３ａの２５℃における剪断接着力は、被着体６に対し０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．２〜１０ＭＰａであることがより好ましい。前記剪断接着力を０．２ＭＰａ以上にすることにより、ダイボンドフィルム３ａを熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３ａと半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
また、未硬化のダイボンドフィルム３ａは、ワイヤーボンディング工程を行っても完全に熱硬化することはない。更に、ダイボンドフィルム３ａの剪断接着力は、８０〜２５０℃の温度範囲内であっても、０．２ＭＰａ以上であることが必要である。当該温度範囲内で剪断接着力が０．２ＭＰａ未満であると、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動き、ワイヤーボンディングを行うことができず、歩留まりが低下するからである。
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３ａが熱硬化されていない場合は当該ダイボンドフィルム３ａも熱硬化させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３ａを熱硬化させて接着させることが可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３ａが熱硬化されない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８の硬化と共にダイボンドフィルム３ａを熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、図４に示すように、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図４は、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図４に示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも１つのダイボンドフィルム３ａを被着体６上に貼り付けた後、ダイボンドフィルム３ａを介して半導体チップ５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、ダイボンドフィルム１３を半導体チップ５の電極パッド部分を避けて貼り付ける。更に、他の半導体チップ１５をダイボンドフィルム１３上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。その後、ダイボンドフィルム３ａ、１３を加熱することにより熱硬化させて接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱条件としては、前述と同様、温度８０〜２００℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内であることが好ましい。
また本発明においては、ダイボンドフィルム３ａ、１３を熱硬化させず、単にダイボンドさせてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。
次に、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。尚、本工程は、ダイボンドフィルム３ａ、１３の加熱工程を経ることなく実施される。
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。それと共に、熱硬化が行われていない場合は、ダイボンドフィルム３ａの熱硬化により被着体６と半導体チップ５との間を接着固定する。また、ダイボンドフィルム１３の熱硬化により、半導体チップ５と他の半導体チップ１５との間も接着固定させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。
半導体チップの３次元実装の場合に於いても、ダイボンドフィルム３ａ、１３の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被着体６に反りが生じたり、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５にクラックが発生したりすることもないので、半導体素子の一層の薄型化が可能になる。
また、図５に示すように、半導体チップ間にダイボンドフィルムを介してスペーサを積層させた３次元実装としてもよい。図５は、２つの半導体チップをスペーサを介してダイボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。
図５に示す３次元実装の場合、先ず被着体６上にダイボンドフィルム３、半導体チップ５及びダイボンドフィルム２１を順次積層してダイボンドする。更に、ダイボンドフィルム２１上に、スペーサ９、ダイボンドフィルム２１、ダイボンドフィルム３ａ及び半導体チップ５を順次積層してダイボンドする。その後、ダイボンドフィルム３ａ、２１を加熱することにより熱硬化させて接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱条件としては、前述と同様、温度８０〜２００℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内であることが好ましい。
また本発明においては、ダイボンドフィルム３ａ、２１を熱硬化させず、単にダイボンドさせてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。
次に、図５に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５に於ける電極パッドと被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。尚、本工程は、ダイボンドフィルム３ａ、２１の加熱工程を経ることなく実施される。
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行い、封止樹脂８を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３ａ、２１が未硬化の場合は、これらを熱硬化させることにより、被着体６と半導体チップ５との間、及び半導体チップ５とスペーサ９との間を接着固定させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チップ５側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられた半導体チップ５を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂８を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、例えば１７０〜１８０℃の範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。
尚、前記スペーサ９としては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。また、前記スペーサとしてコア材料を用いることができる。コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス被着体を使用できる。
（その他の事項）
前記被着体上に半導体素子を３次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。
また、半導体素子の３次元実装の際に、各段で使用されるダイボンドフィルムは同一組成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。
また、前記実施の形態に於いては、被着体に複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子を被着体の上に積層する度にワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
（実施例１）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量８０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８３４、重量平均分子量４７０）６．２５部、フェノール樹脂（荒川化学（株）製、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）１２．５部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）５４部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２０．７重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＡを作製した。
（実施例２）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量８０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８３４、重量平均分子量４７０）１２．５部、フェノール樹脂（荒川化学（株）製、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）１２．５部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）８３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２１．５重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＢを作製した。
（実施例３）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量８０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８３４、重量平均分子量４７０）７部、フェノール樹脂（荒川化学（株）製、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）７部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）８５部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２０．５重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＣを作製した。
（実施例４）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８３４、重量平均分子量４７０）８５部、フェノール樹脂（荒川化学（株）製、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）４７部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）２３２部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２１．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＤを作製した。
（実施例５）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８３４、重量平均分子量４７０）４３部、フェノール樹脂（荒川化学（株）製、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）２３部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）５８８部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２１．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＤを作製した。
（比較例１）
本比較例１においては、球状シリカの含有量を１１２５部に変更したこと以外は、実施例１と同様にして本比較例１に係る熱硬化型ダイボンドフィルムＤを作製した。
（比較例２）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ−１９７ＣＭ、重量平均分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂１（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４、重量平均分子量１４００）２５０部、エポキシ樹脂２（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７、重量平均分子量３７０）２５０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、レミックスＸＬＣ−４Ｌ、重量平均分子量１３８５）５００部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）６６７部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２１．４重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＥを作製した。
（比較例３）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８３４、重量平均分子量４７０）３．３部、フェノール樹脂（荒川化学（株）製、タマノル１００Ｓ、重量平均分子量９００）１．９部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）４５部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２０．９重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＧを作製した。
（比較例４）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジン ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量４０万）１００部に対して、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２８、重量平均分子量３７０）３００部、フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７５００−３Ｓ、重量平均分子量５００）１６５部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）２５３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２０．９重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ４０μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＧを作製した。
（重量平均分子量の測定方法）
アクリル共重合体の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の値である。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーは、ＴＳＫ Ｇ２０００Ｈ ＨＲ、Ｇ３０００Ｈ ＨＲ、Ｇ４０００Ｈ ＨＲ、及びＧＭＨ−Ｈ ＨＲの４本のカラム（いずれも東ソ株式会社製）を直列に接続して使用し、溶雛液にテトラヒドロフランを用いて、流速１ｍｌ／分、温度４０℃、サンプル濃度０．１重量％テトラヒドロフラン溶液、サンプル注入量５００μｌの条件で行い、検出器には示差屈折計を用いた。
（８０℃、１４０℃、１７５℃における貯蔵弾性率の測定）
各実施例及び比較例の熱硬化型ダイボンドフィルムから、厚さ２００μｍ、長さ２５ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック（株）製）を用いて、−５０〜３００℃における貯蔵弾性率を測定した。測定条件は、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎとした。８０℃、１４０℃、１７５℃における貯蔵弾性率Ｅ１’、Ｅ２’、Ｅ３’の値を下記表１に示す。
（ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定）
各実施例及び比較例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムのガラス転移点は、先ず、前記貯蔵弾性率の場合と同様にして貯蔵弾性率を測定した。更に、損失弾性率も測定した後、ｔａｎδ（Ｇ”（損失弾性率）／Ｇ’（貯蔵弾性率））の値を算出することにより、ガラス転移温度を求めた。結果を下記表１に示す。
（室温における剪断接着力の測定）
前記実施例及び比較例に於いて作製した熱硬化型ダイボンドフィルムについて、半導体素子に対する剪断接着力を以下の通り測定した。
先ず、各熱硬化型ダイボンドフィルムを、貼り付け温度４０℃にて半導体チップ（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ）に貼り付けた。次に、ＢＧＡ基板上に、ダイボンド温度１２０℃、ボンディング圧力０．１ＭＰａ、ボンディング時間１秒の条件下でダイアタッチした。次に、ボンドテスター（デイジ社製、dagy4000）を用いて、室温下における剪断接着力をそれぞれ測定した。結果を下記表１に示す。
（１７５℃における剪断接着力の測定）
前記実施例及び比較例に於いて作製した熱硬化型ダイボンドフィルムについて、半導体素子に対する剪断接着力を以下の通り測定した。
前記室温下における剪断接着力の測定の場合と同様にして、ＢＧＡ基板上に、各実施例及び比較例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップ（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ）をダイアタッチした。次に、ボンドテスター（デイジ社製、dagy4000）を用いて、１７５℃における剪断接着力をそれぞれ測定した。結果を下記表１に示す。
（ワイヤーボンディング性の評価）
前記実施例及び比較例に於いて作製した熱硬化型ダイボンドフィルムを用い、ＢＧＡ基板上にダイボンドしたミラーチップにワイヤーボンディングをした場合のワイヤーボンディング性を評価した。
先ず、表面にＡｌ蒸着したシリコンウェハをダイシングして、１０ｍｍ角のミラーチップを作製した。このミラーチップを、熱硬化型ダイボンドフィルムを介してＢＧＡ基板上にダイボンドした。ダイボンドは、温度１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒間の条件下で、ダイボンダー（（株）新川製ＳＰＡ−３００）を用いて行った。
次に、ワイヤーボンディング装置（ＡＳＭ社製、商品名；Ｅａｇｌｅ６０）を用いて、直径２５μｍのＡｕワイヤーでミラーチップの一辺にそれぞれ５０回のワイヤーボンディングを行った。ワイヤーボンディング条件は、超音波出力時間２．５ｍｓｅｃ、超音波出力０．７５Ｗ、ボンド荷重６０ｇ、ステージ温度は１７５℃とした。ワイヤーボンディング性の評価は、ミラーチップの位置ズレ及びチップの割れの発生有無を確認することで行った。位置ズレ及びチップ割れが発生していない場合を○、発生した場合を×とした。
（モールド性の評価）
前記剪断接着力の測定の場合と同様にして、ＢＧＡ基板上に、各実施例及び比較例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップ（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ）をダイアタッチした。次に、モールドマシン（ＴＯＷＡプレス社製、マニュアルプレスＹ−１）を用いて、成形温度１７５℃、クランプ圧力１８４ｋＮ、トランスファー圧力５ｋＮ、時間１２０秒、封止樹脂ＧＥ−１００（日東電工（株）製）の条件下で封止工程を行った。
その後、ＢＧＡ基板上に固定されている半導体チップの状態を、超音波映像装置（日立ファインテック社製、ＦＳ２００II）を用いて観察した。結果を表１に示す。尚、表１においては、半導体チップの位置ズレや剥離による浮きが無い場合を○、何れかが確認された場合を×とした。
（結果）
下記表１の結果から分かる通り、実施例１〜５の熱硬化型ダイボンドフィルムであると、ダイボンド後の半導体チップが搬送中にＢＧＡ基板から脱落することがない。また、ワイヤーボンディング工程の際にも、ＢＧＡ基板に対してずり変形による位置ズレやチップ割れが生じず、その結果、ワイヤーボンディング工程の際にも歩留まりの向上が図れる。更に、封止樹脂による封止の際にも半導体チップが当該封止樹脂により押し流されることがなかった。これにより、本実施例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムが半導体装置の製造に必要な貯蔵弾性率と高い接着力を併せ持つことが確認された。
Figure 2010171402
１ 基材
２ 粘着剤層
３、３’、１３、２１ 熱硬化型ダイボンドフィルム
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ スペーサ
１０、１１ ダイシング・ダイボンドフィルム
１５ 半導体チップ
１６ ウェハリング

Claims (10)

  1. 半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、
    エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体及びフィラーを少なくとも含み、８０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内である熱硬化型ダイボンドフィルム。
  2. 前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸ重量部とし、アクリル共重合体の重量をＹ重量部としたときの比率Ｘ／Ｙが、０．１１〜４である請求項１に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  3. 前記エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体の合計重量をＡ重量部とし、フィラーの重量をＢ重量部としたときのＢ／（Ａ＋Ｂ）が、０．８以下である請求項１又は２に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  4. 前記エポキシ樹脂が芳香族環を有するエポキシ樹脂であり、前記フェノール樹脂がフェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂又はフェノールアラルキル樹脂の少なくとも何れかであり、前記アクリル共重合体がカルボキシル基含有アクリル共重合体又はエポキシ基含有アクリル共重合体の少なくとも何れかである請求項１〜３の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  5. 前記フィラーの平均粒径が０．００５μｍ〜１０μｍの範囲内である請求項１〜４の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  6. 前記エポキシ樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内である請求項１〜５の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  7. 前記フェノール樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内である請求項１〜６の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  8. 前記アクリル共重合体の重量平均分子量が１０万〜１００万の範囲内である請求項１〜７の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  9. ガラス転移温度が１０℃〜５０℃以下の範囲内である請求項１〜８の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  10. 請求項１〜９の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層された構造であるダイシング・ダイボンドフィルム。
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